JP5139460B2 - 基板テーブル、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、基板テーブル、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることを意味する。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板Ｗ（図３に矢印で示す）上に、好ましくは最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給され、投影システムＰＳ（図３に矢印で示す）の下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板Ｗの動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口ＩＮと出口ＯＵＴが、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。

[0007] 局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、矢印で表される入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。図４の断面図では、矢印は、入口／出口への／からの液体のフローの方向を示す。

[0008] それぞれ参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを有する。第１の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。

[0009] ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れる（又は流れる）ことができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。

[0010] 液浸技術の１つの困難な点は、液浸流体内の泡の形成によって引き起こされることがある。特に、泡が基板と投影システムとの間の空間内に浮遊すると、基板上に形成される画像内に欠陥が導入されることがある。

[0011] 例えば、液浸リソグラフィ装置内の泡形成の可能性又は影響を低減するか又は最小限にするか、又は泡が液浸リソグラフィ装置の性能を低減することがある位置へ移動できないうちに実際に形成される泡の全部又は一部を除去することが望ましい。

[0012] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、所与のサイズの基板を収容するように構成され、基板の下側表面を支持する支持区域と、基板が支持区域によって支持される時に基板の縁部に隣接するように構成された縁部とを有する凹部と、基板の縁部と凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムとを備え、該流体抽出システムが、液体がない場合に、所与の長さを有するギャップの局部から抽出された流体の流量が同じ長さを有するギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように構成された基板テーブルが提供される。

[0013] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、所与のサイズの基板を収容するように構成され、基板の下側表面を支持する支持区域と、基板が支持区域によって支持される時に基板の縁部に隣接するように構成された縁部とを有する凹部と、基板の縁部と凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムとを備え、該流体抽出システムが、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する第１のダクトと、ギャップ内に通じ、ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、第１のダクトの断面の最小寸法が第１及び第２のダクトがギャップ内に通じるポイントの第２のダクトの断面の最小寸法より小さい基板テーブルが提供される。

[0014] 本発明の一態様によれば、基板に隣接する空間内に提供された流体を通して基板上にパターン付放射ビームを投影するステップを含むデバイス製造方法であって、基板が基板テーブル上の凹部内に支持され、該方法が、液体がない場合に、所与の長さを有するギャップの局部から抽出された流体の流量が、同じ長さを有するギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップから流体を抽出するステップを含むデバイス製造方法が提供される。

[0015] 本発明の一態様によれば、基板に隣接する空間内に提供された流体を通して基板上にパターン付放射ビームを投影するステップを含むデバイス製造方法であって、基板が基板テーブル上の凹部内に支持され、該方法が、ギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムを用いて凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップから流体を抽出するステップを含み、該流体抽出システムが、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する第１のダクトと、ギャップ内に通じ、ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、第１のダクトの断面の最小寸法が、第１及び第２のダクトがギャップ内に通じるポイントの第２のダクトの断面の最小寸法より小さいデバイス製造方法が提供される。

[0016] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0018]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムを示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0021]基板テーブル上の基板を示す図である。 [0022]本発明のある実施形態による流体抽出システムの一構成を示す図である。 [0022]本発明のある実施形態による流体抽出システムの一構成を示す図である。 [0023]図７及び図８に示す流体抽出システムの特徴の一変形形態を示す図である。 [0024]本発明のある実施形態による流体抽出システムのオプション構成を示す図である。 [0025]本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の変形形態を示す図である。 [0025]本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の変形形態を示す図である。 [0026]本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の一変形形態を示す図である。 [0027]本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の構成を示す図である。 [0027]本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の構成を示す図である。 [0028]図１４及び図１５に示す流体抽出システムの一変形形態を示す図である。 [0029]図１４及び図１５に示す流体抽出システムの一変形形態を示す図である。 [0029]図１４及び図１５に示す流体抽出システムの一変形形態を示す図である。 [0030]図１４及び図１５に示す流体抽出システムの別の変形形態を示す図である。 [0030]図１４及び図１５に示す流体抽出システムの別の変形形態を示す図である。

[0031] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0032] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0033] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0034] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0035] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0036] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0037] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0038] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0039] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0040] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0041] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0042] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0043] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0044] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0045] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0046] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0047] 投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴槽タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴槽タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴槽内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図４に開示された液体供給システムについては上記の通りである。

[0048] 提案されている別の構成は、液体供給システムに流体閉じ込め構造を提供する構成である。流体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図５に示す。図５の断面図で、矢印は、流体閉じ込め構造内の開口へ流入しそこから流出する流体のフローの方向を示す。流体閉じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成される。ある実施形態では、流体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止でよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0049] 図５は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は流体閉じ込め構造を形成する本体１２を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルＷＴの表面も意味することに留意されたい。）流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳに対してＸＹ平面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、本体１２と基板Ｗの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体シールなどの非接触封止でよい。

[0050] 流体ハンドリングデバイスは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへのガスシール１６などの非接触封止を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む本体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムＰＳの下及び本体１２内の空間１１内に液体入口１３によって流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。本体１２は、投影システムＰＳの最終要素から上に少し延出することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、本体１２は、上端で、投影システムＰＳ又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0051] 液体は、使用時に、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシール１６は、気体、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、Ｎ_２又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内の気体は、入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの間のギャップに加圧下で提供される。気体は、出口１４を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、気体入口１５上の過圧、出口１４上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。本体１２と基板Ｗとの間の液体上の気体の力で、液体は空間１１内に封じ込められる。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的又は不連続的である。ガスのフローは、液体を空間１１内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0052] 図５の例は、液体が任意の一時点で基板Ｗの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示された単相抽出器又は２相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器又は２相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。単相抽出器のある実施形態では、多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、気体から液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば５〜３００μｍ、望ましくは５〜５０μｍの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性（例えば、親水性）であり、すなわち、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。

[0053] 可能な別の構成は、気体抗力原理で動作する構成である。いわゆる気体抗力原理は、例えば、２００８年５月８日出願の米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号及び米国特許出願ＵＳ６１／０７１，６２１号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に整列していてもよい。これによって、２つの出口がスキャン方向に垂直に整列していた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度に対して流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。本発明のある実施形態は、オールウェット液浸装置で使用される流体ハンドリング構造に適用することができる。オールウェット実施形態では、例えば、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め構造から液体が漏出できるようにすることで、流体は基板テーブルの上面全体を覆うことができる。オールウェット実施形態の流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日出願の米国特許出願ＵＳ６１／１３６，３８０号に記載されている。

[0054] 多くのタイプの流体ハンドリング構造が、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１全体に流体のフローをある方向に流すように配置されている。例えば、図２及び図３の流体ハンドリングシステムでは、これは空間を取り囲む複数の入口及び出口を提供し、それらの入口又は出口を通して液体を選択的に提供又は抽出して所望のフローを生成することで達成される。図５の実施形態の場合、液体出口１３は、流体処理デバイスの本体１２内にそこを通して液体のフローのための、空間１１を取り囲む複数の開口を備えていてもよい。次に、それらの開口を通して液体を提供（又は抽出）して空間１１全体に所望の方向のフローを提供することができる。開口の第１の組は、空間１１へ液体を提供するために提供することができ、開口の第２の組は、空間１１から液体を抽出するために提供することができる。図２及び図３の実施形態（本発明のある実施形態をこれに向けることができる）では、入口及び出口は、そこを通過する液体のフローのための開口を備えた表面を各々が有する複数の本体（body）と考えることができる。

[0055] 図６は、本発明のある実施形態による、基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴを概略的に示す。基板テーブルＷＴは、基板Ｗがその内部に嵌合する凹部２０を含む。凹部２０は、基板Ｗの下側表面を支持する支持区域と、基板が支持区域によって支持される時に基板Ｗの縁部に隣接する縁部とを有していてもよい。凹部２０は、基板ホルダを含んでいてもよい。

[0056] 一構成では、凹部は、基板Ｗが凹部２０内に配置された時に、基板Ｗの上面が基板テーブルＷＴの上面と同一平面になるように構成されている。凹部２０は、基板テーブルＷＴの一部として一体形成してもよい。あるいは、凹部２０を基板テーブルＷＴの上面を形成するカバープレートを貫通する開口として形成してもよい。

[0057] 液浸リソグラフィ装置の動作中、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗは、液浸液を通して基板Ｗのさまざまな部分上に所望のパターン付放射を投影するために、流体ハンドリング構造に対して移動する。そのような移動の間、基板Ｗの縁部は、投影システムと基板テーブルＷＴとの間の空間内に流体ハンドリングシステムによって供給又は封じ込められる流体を周期的に横断する。

[0058] 基板テーブルＷＴ内の凹部２０は、特定の寸法の基板Ｗを収容するように構成されているが、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間には有限のギャップが存在する。例えば、ギャップは、０．５ｍｍ以下程度、例えば、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲内、例えば、０．５ｍｍ、０．３ｍｍ又は０．２ｍｍであってもよい。このギャップ２１によって、液浸流体内に泡が形成されることがある。特に、ギャップ２１が液浸流体ハンドリングシステムの下を通過するにつれて、気体がギャップ内に閉じ込められて泡を形成し、泡がギャップ２１から投影システムと基板Ｗの間の液浸流体内に上昇することがある。

[0059] 基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップから流体を抽出してギャップ２１内の泡の形成の可能性を低減し、そのような泡が実際に形成された場合には、泡がギャップ２１から上昇する可能性を低減することが提案されている。例えば、動作時にギャップから流体を除去するギャップ開口を提供することが提案されている。ギャップ開口は、凹部２０の縁部付近、例えば、基板Ｗへの半径方向外側の位置にあってもよい。

[0060] しかし、そのような抽出システムは状況によっては有効であるとはいえ、状況が変われば十分に有効であるとは言えないことがある。

[0061] 図６に示すように、基板Ｗは、さまざまな処理動作のために基板Ｗを方向づける切欠きなどの位置決めフィーチャ２５を含んでいてもよい。切欠きなどの位置決めフィーチャ２５があるポイントで、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６は、基板Ｗの縁部の残りの周囲のギャップ２１よりも大幅に大きい。例えば、切欠き位置でのギャップは、最大約１．５ｍｍ、例えば、１．２ｍｍであってもよい。

[0062] 基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップが基板Ｗの縁部上のそのような位置決めフィーチャ２５の結果として増大する場合、ギャップから流体を抽出するそのようなシステムでは、切欠きなどの位置決めフィーチャ２５の縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６内の泡の形成を防止できない場合がある。

[0063] 基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５に隣接するギャップ２６内に実際に泡が発生した場合、泡はサイズが増大して複数の泡ではなく単一の大きい泡が残る傾向がある。

[0064] したがって、本発明のある実施形態は、ギャップの局部での抽出能力がギャップの他の部分での抽出能力よりも大きい、例えば、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの隣接する部分よりも大きい、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップから流体を抽出する流体抽出システムを提供する。

[0065] 特に、流体抽出システムは、ギャップからの流体のフローへの抵抗が他の部分と比較してギャップの局部で小さくなるように構成することができる。したがって、同じ状況で、例えば、液体がない場合に、局部から抽出された流体の流量は、局部と同じ長さを有するギャップの他の部分から抽出された流体の流量より大きい。

[0066] したがって、位置決めフィーチャ２５がより大きい流体抽出能力を有する局部に整列するように、切欠きなどの位置決めフィーチャ２５を有する基板Ｗを、本発明のある実施形態の基板テーブルＷＴ上に配置することができる。基板Ｗをこのように配置することで、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの局部での高い流体抽出能力が基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５の縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６内の泡の形成の可能性を確実に十分に低減するように助け、及び／又はこの区域内に実際に形成されるいかなる泡もギャップから確実に上昇しないようにするのを助ける。

[0067] 例えば、流体抽出システムを、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間の基板の周囲から毎分総計約３０〜５０リットルの流体が抽出されるように構成してもよい。基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５に整列した局部の追加の流体抽出能力は、この全体の流体抽出能力のうち毎分約０．５〜１リットルであってもよい。

[0068] 図６に示す基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５は切欠きであってもよいが、他の位置決めフィーチャを使用してもよく、本発明のある実施形態は、泡の形成の可能性及び／又はそのような位置決めフィーチャに隣接する区域内のギャップから泡が解放される可能性を低減するように構成されていてもよい。例えば、基板Ｗが平坦部２８を有していてもよいことを理解されたい。

[0069] 図７及び図８は、使用可能な流体抽出システムの一構成を示す。特に、図７は、増大した抽出能力を有するギャップの局部における流体抽出システムの断面図を示す。この図示の構成では、基板Ｗが位置する凹部２０は、カバープレート３０を貫通する開口から形成される。図７は、増大した流体抽出能力の局部に切欠き又は平坦部などの位置決めフィーチャ２５が隣接するように配置された基板Ｗを示す。したがって、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間にはこのポイントで比較的大きいギャップ２６が存在する。

[0070] 流体抽出システムは、ギャップ２６内に直接通じる開口３１で、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内に通じる１つ又は複数の第１のダクト３２を含む。したがって、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップから流体を基板Ｗの下を通らせることなく抽出することができる。

[0071] 図７に示すような便利な一構成では、抽出された流体を基板Ｗの縁部から抜くことができるように、開口３１を凹部２０の縁部内に提供してもよい。一構成では、開口３１は、凹部２０を取り囲み、流体のフローのために環状のチャネルを含んでいてもよい第１のダクト３２に接続された凹部２０の縁部のスリット様の開口の形態をしていてもよい。第１のダクト３２は、一連の通路３３によって加圧源又は加圧源に接続された別のチャネル３４に接続されていてもよい。

[0072] 一構成では、凹部２０の縁部にあり、凹部２０の縁部を取り囲む開口３１は、直径が約５０μｍであってもよい。図示のように、凹部２０の縁部の開口３１に隣接して、凹部２０の縁部は傾斜面２０ａを含んでいてもよい。これによって基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップから泡が上昇することを防止する助けになる。

[0073] 基板Ｗの縁部と凹部２０との間のギャップから開口３１を通過して加圧源へ向かう流体が抜き出される。抽出された流体は、ギャップが流体ハンドリングシステムの下を通過していない時には気体であってもよく、ギャップが流体ハンドリングシステムの下を通過している時には液浸液であってもよく、又は両者の組合せ、例えば、液浸流体内に１つ又は複数の泡が混入した液浸流体であってもよい。

[0074] 基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ、すなわち、適切な位置にある基板Ｗの位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６の局部で、抽出システムは、このポイントで本発明のある実施形態による追加の抽出能力を提供するために、第２のダクト４２に接続された別の開口４０を含む。

[0075] 図７に示すように、第２のダクト４２は、第１のダクト３２と同じ加圧源又はチャネル３４に接続されていてもよい。さらに、第２のダクト４２を通過する流体のフローを制御するために、制御弁４３を第２のダクト４２内に提供してもよい。

[0076] 例えば、基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャが基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップに通じる第２のダクト４２の開口４０に隣接していない時には、制御弁４３を閉じてもよい。そのような構成では、制御弁４３をバイパスするブリードライン４４を提供してもよい。そのようなブリードラインは、例えば、確実に第２のダクト４２内の制御弁４３の上流に液体が閉じ込められていないようにするために、制御弁４３が閉じている時でも第２のダクト４２を通過する一定の小さい流体フローを提供することができる。

[0077] 代替的に又は追加的に、位置決めフィーチャを含まない基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１と比較して、基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６での流体抽出能力の増大を調整するために、制御弁４３を使用してもよい。

[0078] 流体が基板Ｗの下を通過することは望ましくないことを理解されたい。特に、液浸流体が基板Ｗの下を通過させないようにすることが望ましい。したがって、上記のように、抽出されている流体が基板Ｗの下を通過しないように、流体が基板Ｗの縁部と凹部の縁部との間のギャップから抽出されるように流体抽出システムを構成することができる。さらに、基板Ｗを支持する支持区域２４の縁部に、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップから流出する流体のフローが基板Ｗの下面に沿って通ることを阻止又は低減するための封止５０を提供してもよい。封止５０の一部として、又はそれの追加として、流体を抽出する１つ又は複数の開口５１を提供してもよい。１つ又は複数の開口５１は、凹部２０の周辺部又はその付近にあってもよい。１つ又は複数の開口５１は、動作時に流体を基板の下から除去することができるように、動作時に基板Ｗによって覆われるように配置することができる。したがって、基板の下を実際に通過するいかなる流体も抽出することができる。

[0079] 図８は、図７に示す構成の平面図を示す。図７及び図８から明らかなように、基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる第２のダクト４２の開口４０は、基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップと実質的に同じサイズであってもよい。

[0080] そのような構成は、基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６内に形成されるいかなる泡も第２のダクトを通して確実に抽出することができるようにする助けになる。したがって、基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる第２のダクト４２の開口４０は、例えば、最大１．５ｍｍであってもよい。一構成では、開口は、直径が約１．２ｍｍであってもよい。

[0081] したがって、基板Ｗの位置決めフィーチャ２５を配置することができる、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１の局部での増大した抽出能力を、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１の残りの部分からの流体の抽出に使用する第１のダクト３２に接続された開口３１より大きい開口４０を有する第２のダクト４２を使用することで提供することができることが理解されよう。特に、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる第２のダクト４２の開口４０の断面の最小寸法が、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１に通じる第１のダクト３２の開口３１の断面の最小寸法よりも大きいことが理解されよう。

[0082] 図７及び図８に示すように、第２のダクト４２は、第２のダクトが基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内に通じるポイントから開口４０の下流側のポイント４１まで断面が減少するように構成されていてもよい。この断面の減少は、基板Ｗの縁部の位置決めフィーチャ２５と凹部２０の縁部との間のギャップ２６全体から第２のダクト４２に沿った圧力の過剰な低下を起こすことなく流体が確実に抽出されるように、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内に通じる開口４０が確実に十分に大きくなるのを助けるために提供することができる。これは、図７に示すように、第２のダクト４２が第１のダクト３２と同じ加圧源又はチャネル３４に接続されている場合には重要になり得る。第２のダクト４２の長手方向の断面が大きすぎた場合、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１全体の周囲からの第１のダクト３２を通した流体の抽出は大幅に低減する可能性がある。次に、その結果として、位置決めフィーチャ２５から離れた場所で基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２１から泡が放出されることがある。

[0083] 図７及び図８に示すように、位置決めフィーチャ２５で基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる開口４０と第２の点４１との間の第２のダクト４２は円錐台形状であってもよく、すなわち、断面が直線の縁部４５を有していてもよい。しかし、第２のダクト４２の他の構成を使用してもよいことを理解されたい。例えば、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップに通じる開口４０と第２の点４１との間の第２のダクト４２は、ラッパ形状であってもよく、すなわち、図９に示すように、断面が曲線の縁部４６を有していてもよい。

[0084] 上記のように、本発明のある実施形態の流体抽出システムは、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップからの増大した流体抽出を提供することができる。したがって、基板Ｗが基板テーブルＷＴに装填されると、基板Ｗは、切欠き又は平坦部などの位置決めフィーチャ２５が、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内の位置決めフィーチャ２５の区域に泡が形成される可能性を低減するか又は最小限にするために増大させた流体抽出能力を有する局部に整列する方向を向いていてもよい。

[0085] 本明細書に記載する流体抽出システムの構成に、増大した流体抽出能力を有する追加の局部を提供して、基板を複数の位置に配向させることができることを理解されたい。例えば、増大した流体抽出能力を有する２つの局部を提供して基板Ｗを基板テーブルＷＴ上の凹部２０内に配向させて基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５を増大した流体抽出能力の２つの局部のいずれかに整列させることができる。

[0086] 増大した流体抽出能力を有する局部の数を増やすことで、基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５が増大した流体抽出能力を有する局部に整列できる基板テーブルＷＴ上の基板Ｗの可能な配向の数を増大させられることを理解されたい。

[0087] 図１０は、増大した流体抽出能力の２つの局部を備えた流体抽出システムを有する基板テーブルＷＴの一部の具体的な構成の平面図を示す。特に、図１０に示す構成では、図７及び図８に示すような２つの第２のダクトが提供され、それぞれの開口５５、５６で基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内に通じるように構成されている。図を見やすくするために、基板Ｗは破線で示されている。図から明らかなように、基板Ｗは、基板Ｗの位置決めフィーチャ２５を開口５５、５６の一方に整列させた状態で２つの方向の一方を向くことができる。ある実施形態では、開口５５、５６の一方だけが増大した流体抽出を提供する、すなわち、開口５５、５６の一方は増大した流体抽出を提供するが、開口５５、５６の他方はそうではない。

[0088] 別の例示的な構成では、増大した流体抽出能力を有する流体抽出システムの各部に対応する４つのそのような開口を提供し、基板Ｗを収容する凹部２０の外周の周囲に等間隔で離間させることができる。

[0089] 上記のように、追加の流体抽出能力を提供するための追加の開口に関連付けられたダクトの各々は、制御弁を含んでいてもよい。したがって、基板テーブルＷＴ上に支持された基板Ｗの縁部上の位置決めフィーチャ２５に整列していない開口に関連付けられた制御弁を閉鎖して不要な追加の流体抽出を防止することができる。

[0090] さらに、位置決めフィーチャ２５で基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる第２のダクト４２の開口は、上記構成とは別の構成を使用してもよいことを理解されたい。特に、ギャップ２６に通じる開口４０は、基板Ｗの縁部に提供されると予測される位置決めフィーチャ２５と同じサイズに構成することができるが、別の構成も提供することができる。特に、開口４０は、例えば、基板テーブルＷＴ上の基板Ｗの配置又は位置決めフィーチャ２５のサイズに多少の変化がある場合、ほとんどすべての位置決めフィーチャ２５が開口４０の一部に整列したままであるように位置決めフィーチャ２５より大きくすることができる。

[0091] 代替的に又は追加的に、図７及び図８に示す開口４０は実質的に円形であるが、これはそうでなくてもよいことを理解されたい。例えば、スロットなどの別の開口形状も提供することができる。同様に、共に基板Ｗの位置決めフィーチャに整列できる複数のより小さい開口を互いに隣り合って提供することができる。

[0092] さらに、別の構成では、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの局部に増大した流体抽出能力を提供するための複数の第２のダクトに単一の開口を接続することができる。そのような構成の一例を図１１及び図１２に示す。特に、図示のように、そのような構成は、例えば、基板Ｗの縁部上に提供されると予測される位置決めフィーチャが平坦部２８である場合に使用することができる。そのような構成では、図１１に平面図で示し、図１２に基板Ｗから凹部２０の方向の側面図に示すように、平坦部２８が位置する基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ６２の部分に対応する開口６１を提供してもよい。例えば、図７及び図８に関連して上述した方法に対応する方法で開口６１を加圧源に接続するために複数の第２のダクト６３を提供してもよい。

[0093] 本発明のある実施形態による流体抽出システムは、局部に増大した流体抽出能力を提供する複数の構成を含んでいてもよいことをさらに理解されたい。例えば、図７及び図８に示すような構成（又はその変形形態）を基板テーブルＷＴの片側に提供し、図１１及び図１２に示すような構成（又はその変形形態）を基板テーブルＷＴの反対側に提供して、位置決めフィーチャが増大した流体抽出能力を提供する流体抽出システムの適当な部分に整列するように基板Ｗの適当な配向によって異なる位置決めフィーチャを有する基板を１つの基板テーブルと一緒に使用することができる。

[0094] 上記のように、本発明のある実施形態の流体抽出システムは、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ全体からの及び局部の流体抽出を提供する第１及び第２のダクト３２、４２に接続された出口３１、４０をそれぞれ加圧源又は加圧源に通じる共通のチャネル３４に接続することができるように構成してもよい。

[0095] 別の構成では、図１３に示すように、位置決めフィーチャ２５で基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じる第２のダクト４２が、別の加圧源又は別の加圧源に通じるチャネル７０に接続されている。

[0096] 上記のように複数の第２のダクト４２を提供する場合、これらの第２のダクト４２の一部又は全部が共通の加圧源を共有でき、又は加圧源に通じる共通のチャネル７０に接続されていてもよい。しかし、任意又はすべての第２のダクト４２が専用の加圧源を有していてもよいことを理解されたい。

[0097] さらに、複数の第２のダクト４２を有する構成では、一部のダクトを第１のダクト３２と同じ加圧源又は加圧源に接続されたチャネルに接続し、また別のダクトを１つ又は複数の別々の加圧源に接続してもよいことを理解されたい。そのような構成では必ず、１つ又は複数の第２のダクト４２は制御弁４３を含んでいてもよく、さらに上記の方法に対応する方法でブリードライン４４を含んでいてもよいことを理解されたい。

[0098] 図１４〜図２０は、本発明のある実施形態による流体抽出システムの別の構成を示す。これらの構成では、流体抽出システムは、上記の図７〜図１３に示す構成のような追加の開口の提供の代わりに拡張した開口を提供することで基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの残りの部分と比較して高い流体抽出能力を備えた基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの局部を提供するように構成されている。

[0099] 特に、図１４及び図１５は、ダクト３２が凹部２０の周囲に延在する開口３１によって基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ内に通じる構成を示す。ダクト３２は、上記と同様の方法で、ギャップから流体を抽出するために、加圧源又は加圧源へのチャネル３４に接続されている。基板テーブル上に適当に配置された時に基板Ｗ上の位置決めフィーチャ２５の位置に対応する局部で、ダクト３２への開口が拡張し、拡張開口７５を提供する。

[00100] 図１４は、ダクト３２に接続する拡張開口７５を通過する流体抽出システムの断面図を示し、図１５は、基板Ｗから見た拡張開口７５の正面図を示す。図示のように、位置決めフィーチャ２５の場所に対応する基板Ｗと凹部２０の縁部との間のギャップの局部での拡張開口７５の幅は、開口の残りに沿った開口３１の幅よりも大きい。したがって、このポイントでの流体フローへの抵抗は低く、ギャップのこの局部での基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップからの流体フローの量はより大きくなる。

[00101] 図１４に示すように、拡張開口７５は、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップに通じるポイントから凹部２０の縁部内に延在する実質的に一定の断面積を有するが、これはそうでなくてもよい。例えば、図１６に示すように、開口７６の断面積は、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じるポイントから凹部２０の縁部を過ぎるにつれて減少してもよい。

[00102] 図１４〜図１６に示す構成は、凹部２０の縁部内に拡張開口を提供することで提供される増大した流体抽出能力を提供する局所領域で拡張した開口を示すが、同様に、図１７に側面を示し図１８に上面を示すように、拡張開口は、基板テーブルＷＴの表面に追加の凹部８０を提供することで代替的に又は追加的に提供することができる。特に、基板Ｗが基板テーブルＷＴによって支持されている時に基板Ｗの位置決めフィーチャ２５に整列し、例えば、位置決めフィーチャ２５で基板Ｗの縁部に隣接した場所から凹部２０の縁部へ延在するように追加の凹部８０を配置してもよい。したがって、基板Ｗの位置決めフィーチャ２５の区域では、追加の凹部８０と凹部２０の縁部の開口３１が組み合わさって上記と同じ効果がある拡張開口を形成する。

[00103] 図１９及び図２０に示すように、図１７及び図１８に示す構成は、基板Ｗの位置決めフィーチャ２５に隣接した凹部２０の縁部の拡張開口の断面積が基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップ２６に通じるポイントから凹部２０の縁部を過ぎるにつれて減少するように変更してもよい。図１９に側面を示し図２０に上面を示すように、そのような構成は、追加の凹部８５が凹部２０の縁部を過ぎるにつれて狭くなるように、追加の凹部８５を構成することで提供することができる。

[00104] 基板Ｗの位置決めフィーチャ２５の区域の拡張開口は、凹部２０の縁部の開口が局部で拡張する図１４〜図１６に示すような構成の１つと、追加の凹部が提供される図１７〜図２０に示す構成の１つとの組み合わせによって提供することができることを理解されたい。

[00105] 図７〜図１３に関連して上述した流体抽出システムと同様に、図１４〜図２０に示す流体抽出システムは、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの、増大した流体抽出能力を備えた局部を複数提供するように構成することができることを理解されたい。

[00106] また、基板Ｗの縁部と凹部２０の縁部との間のギャップの増大した流体抽出能力を備えた局部を２つ以上提供する流体抽出システムは、そのような部分両方に同じ構成を使用する必要はないことが理解されよう。したがって、ギャップの局部で増大した流体抽出能力を提供する任意の２つ以上の上記構成を１つの装置内のギャップの異なる部分に使用することができる。

[00107] 一実施形態では、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、所与のサイズの基板を収容するように構成され、基板の下側表面を支持する支持区域と、基板が支持区域によって支持される時に基板の縁部に隣接するように構成された縁部とを有する凹部と、流体が実質的に基板の下に流入することなく、基板の縁部と凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムとを備え、該流体抽出システムが、液体がない場合に、所与の長さを有するギャップの局部から抽出された流体の流量が同じ長さを有するギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように構成された基板テーブルが提供される。

[00108] 流体抽出システムは、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する第１のダクトを備えていてもよい。流体抽出システムは、ギャップの局部から流体を抽出するように構成されたギャップ内に通じる少なくとも１つの第２のダクトを備えていてもよい。

[00109] １つ又は複数の第１のダクトの断面の最小寸法は、ダクトがギャップ内に通じるポイントでの第２のダクトの断面の最小寸法より小さくてもよい。

[00110] 一実施形態では、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、所与のサイズの基板を収容するように構成され、基板の下側表面を支持する支持区域と、基板が支持区域によって支持される時に基板の縁部に隣接するように構成された縁部とを有する凹部と、流体が実質的に基板の下に流入することなく、基板の縁部と凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムとを備え、該流体抽出システムが、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する第１のダクトと、ギャップ内に通じ、ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、１つ又は複数の第１のダクトの断面の最小寸法が、ダクトがギャップ内に通じるポイントの第２のダクトの断面の最小寸法より小さい基板テーブルが提供される。

[00111] １つ又は複数の第１のダクトは、凹部の縁部の１つ又は複数の開口によってギャップ内に通じていてもよい。

[00112] １つ又は複数の第１のダクトは、凹部を取り囲む凹部の縁部の開口に流体フローのために接続していてもよい。

[00113] 少なくとも１つの第２のダクトは、支持区域と凹部の縁部との間の基板テーブルの表面に形成された対応する開口によってギャップ内に通じていてもよい。

[00114] 少なくとも１つの第２のダクトは、第２のダクトを通過する流体フローを制御するように構成された制御弁を備えていてもよい。

[00115] 少なくとも１つの第２のダクトは、制御弁をバイパスするブリードラインを備えていてもよい。

[00116] 第１及び第２のダクトは、共通の加圧源に接続されていてもよい。

[00117] １つ又は複数の第１のダクトは、第１の加圧源に接続されていてもよく、少なくとも１つの第２のダクトは、第２の加圧源に接続されていてもよい。

[00118] 第２のダクトは、第２のダクトがギャップ内に通じるポイントから第２のダクトがギャップ内に通じるポイントの下流側の第２のダクト内の第２のポイントまで断面が減少してもよい。

[00119] 第２のダクトが、ギャップ内に通じるポイントから第２のポイントまでの第２のダクトの形状は、円錐台形状とラッパ形状のうちの１つであってもよい。

[00120] 流体抽出システムは、少なくとも２つの第２のダクトを備えていてもよく、上記第２のダクトは、互いに離間したそれぞれの開口でギャップ内に通じていてもよい。

[00121] 流体抽出システムは、少なくとも２つの第２のダクトを備えていてもよく、２つ以上の第２のダクトは、共通の開口でギャップ内に通じていてもよい。

[00122] 基板テーブルは、基板が支持区域によって支持される時に、基板の位置決めフィーチャが凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップに通じる第２のダクトの開口に整列して基板の位置決めフィーチャと凹部の縁部との間の空間から第２のダクト内に直接流体が引き込まれるように、位置決めフィーチャを有する基板を支持するように構成されていてもよい。

[00123] 基板テーブルは、基板の縁部の切欠き、平坦部又はへこみの１つである位置決めフィーチャを有する基板を支持するように構成されていてもよい。

[00124] 流体抽出システムは、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する１つ又は複数のダクトを含んでいてもよい。１つ又は複数のダクトは、凹部を取り囲む凹部の縁部の開口に流体フローのために接続していてもよい。開口の幅は、ギャップの局部で開口の残りに沿った開口の幅よりも大きくてもよい。

[00125] 凹部の縁部を通る開口は、その幅が開口の残りに沿った開口の幅よりも大きくなるように局部で拡張されていてもよい。

[00126] 局部で追加の凹部を基板テーブルに形成し、凹部の縁部の開口の一部に隣接するように構成し、それらが組み合わさって凹部の開口のみの幅よりも大きい幅の開口を形成することができる。

[00127] 流体抽出システムは、所与の長さから抽出された流体の流量がギャップの他の部分からの流量よりも大きくなるように、その場所の開口の幅がギャップの残りに沿った幅よりも大きいギャップの少なくとも２つの局部を有するように構成されていてもよい。

[00128] 一実施形態では、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、ギャップが基板の縁部と凹部の縁部との間に形成されるように位置決めフィーチャを有する縁部を備えた基板を収容するように構成された凹部と、流体が通過するように構成された開口であって、基板が凹部内に収容される時に、開口が少なくとも部分的に基板によって露出し、基板の位置決めフィーチャに整列するように基板テーブルに配置された開口とを備える基板テーブルが提供される。

[00129] 一実施形態では、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、ギャップが基板の縁部と凹部の縁部との間に形成されるように位置決めフィーチャを有する縁部を備えた基板を収容するように構成された凹部と、基板テーブルに提供され、基板の縁部と凹部の縁部との間のギャップに位置するように配置された開口とを備え、開口の断面の寸法が、基板上の位置決めフィーチャの長さに実質的に等しい基板テーブルが提供される。

[00130] 一実施形態では、液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、基板を収容するように構成された凹部と、凹部が位置決めフィーチャを有する基板を収容する時に、開口が位置決めフィーチャに整列してこれに対応し、位置決めフィーチャで基板と凹部の縁部との間のギャップから開口を通して直接流体が抽出されるように構成される基板テーブルが提供される。

[00131] 上記の液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルでは、支持区域は、基板の下面の一部を支持するように構成された１つ又は複数の支持点と、支持区域によって支持される基板の縁部に位置するように構成され、液体が基板の下に実質的に流入することを阻止するように構成された封止とを備えていてもよく、封止は、基板の下にある、基板の縁部に隣接する空間から流体を抽出するように構成された第２の流体抽出システムを備えていてもよい。

[00132] 一実施形態では、上記の基板テーブルを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

[00133] 一実施形態では、基板に隣接する空間内に提供された流体を通して基板上にパターン付放射ビームを投影するステップを含むデバイス製造方法であって、基板が基板テーブル上の凹部内に支持され、該方法が、流体が基板の下に実質的に流入することなくギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムを用いて凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップから流体を抽出するステップを含み、該流体抽出システムが、液体がない場合に、所与の長さを有するギャップの局部から抽出された流体の流量が、同じ長さを有するギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように構成されるデバイス製造方法が提供される。

[00134] 一実施形態では、基板に隣接する空間内に提供された流体を通して基板上にパターン付放射ビームを投影するステップを含むデバイス製造方法であって、基板が基板テーブル上の凹部内に支持され、該方法が、流体が基板の下に実質的に流入することなくギャップから流体を抽出するように構成された流体抽出システムを用いて凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップから流体を抽出するステップを含み、該流体抽出システムが、ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲でギャップから流体を抽出する第１のダクトと、ギャップ内に通じ、ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、１つ又は複数の第１のダクトの断面の最小寸法が、ダクトがギャップ内に通じるポイントの第２のダクトの断面の最小寸法より小さいデバイス製造方法が提供される。

[00135] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00136] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか１つ、又はその組合せを指す。

[00137] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00138] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つの構成部品内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、及び送信するのに適した任意の構成を有することができる。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00139] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸流体を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00140] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。

[00141] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (24)

1. 液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、
   所与のサイズの基板を収容し、前記基板の下側表面を支持する支持区域と、前記基板が前記支持区域によって支持されるときに前記基板の縁部に隣接する縁部とを有する凹部と、
   前記基板の縁部と前記凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出する流体抽出システムとを備え、
   前記流体抽出システムは、所与の長さを有する前記ギャップの局部から抽出された流体の流量が同じ長さを有する前記ギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように構成され、前記ギャップの局部が前記基板の位置決めフィーチャが位置する部分である、基板テーブル。
2. 前記流体抽出システムは、前記ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲で前記ギャップから流体を抽出する第１のダクトと、前記ギャップの局部から流体を抽出するように構成された前記ギャップ内に通じる第２のダクトとを備える、請求項１に記載の基板テーブル。
3. 前記第１のダクトの断面の最小寸法は、前記第１及び第２のダクトが前記ギャップ内に通じるポイントでの前記第２のダクトの断面の最小寸法より小さい、請求項２に記載の基板テーブル。
4. 液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであって、
   所与のサイズの基板を収容し、前記基板の下側表面を支持する支持区域と、前記基板が前記支持区域によって支持されるときに前記基板の縁部に隣接する縁部とを有する凹部と、
   前記基板の縁部と前記凹部の縁部との間のギャップから流体を抽出する流体抽出システムとを備え、
   前記流体抽出システムは、前記ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲で前記ギャップから流体を抽出する第１のダクトと、前記ギャップ内に通じ、前記ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、前記ギャップの局部が前記基板の位置決めフィーチャが位置する部分であり、
   前記第１のダクトの断面の最小寸法が、前記第１及び第２のダクトが前記ギャップ内に通じる前記ポイントの前記第２のダクトの断面の最小寸法より小さい、基板テーブル。
5. 前記第１のダクトは、前記凹部の前記縁部の開口によって前記ギャップ内に通じる、請求項２から４のいずれか１項に記載の基板テーブル。
6. 前記第１のダクトは、前記凹部を取り囲む前記凹部の前記縁部の開口に、流体フローのために接続される、請求項５に記載の基板テーブル。
7. 前記第２のダクトは、前記支持区域と前記凹部の前記縁部との間の前記基板テーブルの表面に形成された対応する開口によって前記ギャップ内に通じる、請求項２から６のいずれか１項に記載の基板テーブル。
8. 前記第２のダクトは、前記第２のダクトを通過する流体フローを制御するように構成された制御弁を備える、請求項７に記載の基板テーブル。
9. 前記第２のダクトは、前記制御弁をバイパスするブリードラインを備える、請求項８に記載の基板テーブル。
10. 前記第１及び第２のダクトは、共通の加圧源に接続される、請求項７から９のいずれか１項に記載の基板テーブル。
11. 前記第１のダクトは、第１の加圧源に接続され、前記第２のダクトは、第２の加圧源に接続される、請求項７から９のいずれか１項に記載の基板テーブル。
12. 前記第２のダクトは、前記第２のダクトが前記ギャップ内に通じる前記ポイントから前記第２のダクトが前記ギャップ内に通じる前記ポイントの下流側の前記第２のダクト内の第２のポイントまで断面が減少する、請求項２から１１のいずれか１項に記載の基板テーブル。
13. 前記第２のダクトが前記ギャップ内に通じる前記ポイントから前記第２のポイントまでの前記第２のダクトの形状は、円錐台形状又はラッパ形状である、請求項１２に記載の基板テーブル。
14. 前記流体抽出システムは、少なくとも２つの第２のダクトを備え、前記第２のダクトは、互いに離間したそれぞれの開口で前記ギャップ内に通じる、請求項２から１３のいずれか１項に記載の基板テーブル。
15. 前記流体抽出システムは、少なくとも２つの第２のダクトを備え、前記第２のダクトが、共通の開口で前記ギャップ内に通じる、請求項２から１３のいずれか１項に記載の基板テーブル。
16. 前記基板テーブルは、基板が前記支持区域によって支持されるときに、前記基板の位置決めフィーチャが前記凹部の前記縁部と前記基板の前記縁部との間の前記ギャップに通じる前記第２のダクトの前記開口に整列して、前記基板の前記位置決めフィーチャと前記凹部の前記縁部との間の空間から前記第２のダクト内に直接流体が引き込まれるように、前記位置決めフィーチャを有する基板を支持する、請求項２から１５のいずれか１項に記載の基板テーブル。
17. 前記基板テーブルは、位置決めフィーチャを有する基板を支持し、前記位置決めフィーチャは、前記基板の前記縁部の切欠き、平坦部又はへこみである、請求項１６に記載の基板テーブル。
18. 前記流体抽出システムは、前記基板の実質的に全ての周囲で前記ギャップから流体を抽出する前記ギャップ内に通じるダクトを備え、前記ダクトが前記凹部を取り囲む前記凹部の前記縁部の開口に流体フローのために接続され、前記開口の幅が前記ギャップの前記局部で前記開口の残りに沿った前記開口の幅よりも大きい、請求項１に記載の基板テーブル。
19. 前記凹部の前記縁部を通る前記開口は、その幅が前記開口の残りに沿った前記開口の幅よりも大きくなるように前記局部で拡張される、請求項１８に記載の基板テーブル。
20. 前記局部で、追加の凹部が前記基板テーブルに形成されかつ前記凹部の前記縁部の前記開口の一部に隣接し、それらが組み合わさって前記凹部の前記開口のみの幅よりも大きい幅の開口を形成する、請求項１８又は１９に記載の基板テーブル。
21. 前記流体抽出システムは、所与の長さから抽出された流体の流量が前記ギャップの他の部分からの流量よりも大きくなるように前記開口の幅が前記ギャップの残りに沿った幅よりも大きい前記ギャップの少なくとも２つの局部を有する、請求項１８から２０のいずれか１項に記載の基板テーブル。
22. 請求項１から２１のいずれか１項に記載の基板テーブルを備える液浸リソグラフィ装置。
23. 基板テーブル上の凹部内に支持された基板に隣接する空間内に提供された流体を通して前記基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、
    前記凹部の縁部と前記基板の縁部との間における所与の長さを有するギャップの局部から抽出された流体の流量が、同じ長さを有する前記ギャップの別の部分から抽出された流体の流量より大きくなるように、前記ギャップから流体を抽出するステップとを含み、前記ギャップの局部が前記基板の位置決めフィーチャが位置する部分である、デバイス製造方法。
24. 基板テーブル上の凹部内に支持された基板に隣接する空間内に提供された流体を通して前記基板上にパターン付放射ビームを投影するステップと、
    流体抽出システムを用いて前記凹部の縁部と前記基板の縁部との間の前記ギャップから流体を抽出するステップとを含み、
    前記流体抽出システムが、前記ギャップ内に通じ、前記基板の実質的に全ての周囲で前記ギャップから流体を抽出する第１のダクトと、前記ギャップ内に通じ、前記ギャップの局部から流体を抽出する第２のダクトとを備え、前記ギャップの局部が前記基板の位置決めフィーチャが位置する部分であり、
    前記第１のダクトの断面の最小寸法が、前記第１及び第２のダクトが前記ギャップ内に通じるポイントの前記第２のダクトの断面の最小寸法より小さい、デバイス製造方法。