JP2009212367A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子を実装するセラミック回路基板の薄型化を図ると共に、該セラミック回路基板と放熱部材の鉛フリー半田接合によるモジュール化において半田クラックがモジュールの諸性能に影響を与えることのないセラミック回路基板の放熱構造を提供することにある。
【解決手段】セラミック回路基板１のＬＥＤ素子４が実装された側と反対側の面に形成された接合パターン５と放熱基板６の一部を半田層１６により半田接合してメイン接合部１７を形成すると共に、接合パターン５と放熱基板６のメイン接合部１７以外の一部に半田濡れ性を有しない絶縁層１１を介して形成されたダミーパターン１２を半田層１６により半田接合してダミー接合部１８を形成し、メイン接合部１７とダミー接合部１８の間にいずれの半田接合にも寄与しない隙間領域１５を設けた。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体発光装置に関するものであり、詳しくは、ＬＥＤ素子を実装した半導体発光装置に関する。

ＬＥＤを光源とする車両用前照灯や屋外用照明灯等の照明装置において、照明灯具として必要な照射光量を確保するためにはＬＥＤ光源の高出力化が求められ、そのために発光源となるＬＥＤ素子の光変換効率の高効率化と共にＬＥＤ素子の駆動電力の大電力化が必要となる。

ところで、ＬＥＤ素子は温度上昇によって光変換効率が低下すると共に寿命が短くなるという、使用に対して不利に働く特性を有しているため、ＬＥＤ素子の高出力化のためにＬＥＤ素子を大電力（大電流）で駆動する際には、ＬＥＤ素子の発光時の自己発熱による光変換効率の低下および寿命の低下が生じないように、ＬＥＤ素子の温度上昇を抑制するための放熱手段を施す必要がある。

そこで従来、ＬＥＤ素子の大電力化に対する放熱手段の一つとして、ＬＥＤ素子を実装する基板に熱伝導率の高いセラミック基板を使用することが行われてきた。セラミック基板は同時に電気絶縁性が良好で機械的強度も高く、大電力で駆動するＬＥＤ素子を実装するには有効な基板である。

セラミック基板の種類は、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、アルミナとジルコニア等の化合物、からなる焼結体が挙げられる。

但し、セラミック基板は高価であるために外形寸法が大きくなるにつれて製造コストの面から実用が困難となる。また、実装したＬＥＤ素子の大電力化につれてセラミック回路基板だけでは十分な放熱効果が得られない場合も生じる。

その場合は、セラミック回路基板を銅やアルミニウム等の金属材料からなる放熱部材に取り付けてモジュール化し、それによりセラミック回路基板の放熱効果の向上が図られる。

放熱部材に対するセラミック回路基板の取り付け方法は、セラミック回路基板から放熱部材への熱伝導を阻害しないような接合材料が用いられ、一般的には半田が用いられるが、その場合は環境保護の観点から鉛を含まない鉛フリー半田が多く用いられる。

ところで、単にセラミック回路基板を鉛フリー半田を介して放熱部材に接合しても、セラミックと放熱部材の熱膨張率の差が大きいためにヒートショック試験やヒートサイクル試験によって半田にクラックが発生する。

特に、多くの照射光量を必要とする照明灯具に用いられるセラミック回路基板は、実装されるＬＥＤ素子の大型化や実装数の多数化により外形寸法が大きくなり、それに伴って半田接合の面積も増大すると共に発熱量も増加し、半田クラックの発生が顕著になる。

半田クラックはセラミック回路基板に伝導されたＬＥＤ素子による発熱が放熱部材に伝導される伝熱経路を遮断して放熱効率を低下させ、ＬＥＤ素子の温度上昇の抑制が効かなくなって光変換効率が悪化することになる。場合によっては、ＬＥＤ素子が発光機能を果たさなくなるといった不具合を生じることにもなる。

また、半田クラックは放熱性に対する影響のみならず機械的な不具合の発生要因ともなる。つまり、半田クラックが進行することによりセラミック回路基板と放熱部材の接合強度が弱くなり、最悪の場合、セラミック回路基板が放熱部材から脱落することも考えられる。

そこで、上記問題を解決する手段として、図１０に示すモジュール構造５０が提案されている。それは、窒化珪素からなる板厚０．２ｍｍ〜０．４ｍｍのセラミック基板５１の一方の面にＬＥＤ素子５６を実装するためのアルミニウム又はアルミニウム合金からなる板厚０．４ｍｍ〜１．２ｍｍの回路パターン用金属板５２を設け、他方の面に放熱部材５５との接合を図るためのアルミニウム又はアルミニウム合金からなる板厚０．３ｍｍ〜１．２ｍｍの接合用金属板５３を設け、ＬＥＤ素子５６が実装されたセラミック回路基板５４を該セラミック回路基板５４に設けられた接合用金属板５３と放熱部材５５を鉛フリー半田５７を介して接合することにより放熱部材５５上に取り付けてモジュール化するものである。

このような構成のＬＥＤモジュール５０は、回路パターン用金属板５２及び接合用金属板５３を含めたセラミック回路基板５４の見掛けの熱膨張係数を放熱部材５５に近づけることになり、ＬＥＤモジュール５０の冷熱サイクルに対する耐性の向上を実現したものとなっている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００６−３５１８３４号公報

ところで、上記モジュール構造によって鉛フリー半田に加わる応力を低減するためには、セラミック基板の厚みが最低でも０．２ｍｍ必要であり、同様に回路パターン用金属板の厚みが０．４ｍｍ、接合用金属板の厚みが０．３ｍｍ夫々必要であり、セラミック回路基板としては最低でも０．９ｍｍの厚みが必要となる。

従って、セラミック回路基板に対する設計要件として０．９ｍｍ未満の厚み制限が設定される場合は、鉛フリー半田に加わる応力の低減手法を盛り込んだ上記モジュール構造では対応が困難となる。

そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、ＬＥＤ素子を実装するセラミック回路基板の薄型化を図ると共に、該セラミック回路基板と放熱部材の鉛フリー半田接合によるモジュール化において半田クラックがモジュールの諸性能に影響を与えることのない半導体発光装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、半導体発光素子が実装されたセラミック回路基板を放熱基板へ接合した半導体発光装置であって、
前記セラミック回路基板の前記導体発光素子が実装された側と反対側の面に前記放熱基板と同一材料または熱膨張率が略同一の材料により形成された接合パターンが半田層を介して前記放熱基板と接合され、
前記半田層は、前記半導体発光素子の直下領域の外側であって外縁に達しない位置に、前記接合パターンおよび／または前記放熱基板と接しない開放領域を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記開放領域は、前記半導体発光素子の直下領域を含む凸部を有する前記放熱基板の前記凸部と、前記放熱基板の前記凸部以外の領域上の一部に絶縁層を介して形成されたダミーパターンとの間に形成される隙間領域に接して形成されることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１において、前記開放領域は、前記セラミック回路基板上の複数個所に分離して形成される前記接合パターン間に形成される隙間領域に接して形成されることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１〜３のいずれか１項において、前記接合パターンの外形寸法は、前記セラミック回路基板に実装された前記半導体発光素子のうち最外側に位置する半導体発光素子の前記セラミック回路基板との接合面における外周端を前記接合パターン側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさであることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１〜４のいずれか１項において、前記接合パターンの膜厚が０．０１ｍｍ以上であることを特徴とするものである。

本発明は、ＬＥＤ素子を実装したセラミック回路基板を半田層を介して放熱基板に接合した半導体発光装置において、ＬＥＤ素子の直下近傍領域の位置にメイン接合部を設け、それ以外の位置にダミー接合部を設けると共に両者間に隙間領域を設けた。半田層に形成された開放領域により、半田層を介した接合パターンと放熱基板との接合部は、半導体発光素子の直下領域を含むメイン接合部と、前記メイン接合部の外側に形成されたダミー接合部とを離間して形成することができる。

そのため、ＬＥＤ素子の点灯時の発熱により半田層にクラックが発生してもクラックの進行は隙間領域があることによってメイン接合部までは至らず、ＬＥＤ素子による発熱がセラミック回路基板及び半田を介して効率よく放熱基板に伝導され、ＬＥＤ光源の温度上昇が抑制されて光変換効率の低下が低減される。同時に、セラミック回路基板と放熱基板の接合強度が確保され、セラミック回路基板が放熱部材から脱落する不具合を防止することができる。

また半田を介して接合される、セラミック回路基板の接合パターンと放熱基板の熱膨張率をほぼ等しくし且つ接合パターンの膜厚を０．０１ｍｍ以上にした。

そのため、セラミック回路基板に実装されたＬＥＤ素子の点灯時の発熱による鉛フリー半田に加わる応力が抑制され、半田層におけるクラックの発生を抑制することができる。

以下、この発明の好適な実施形態を図１〜図９を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。

図１は本発明の基本構造となる実施例１の概略断面図であり、図２は実施例１に係る放熱基板の概略上面図である。

セラミック回路基板１は、セラミック基板２の一方の面上に回路パターン３が形成され、該回路パターン３上にＬＥＤ素子（半導体発光素子）４が実装されている。セラミック基板２の他方の面上には後述する放熱基板との半田接合を図るための、ベタパターンからなる接合パターン５が形成されている。

放熱基板６はセラミック回路基板が接合される側が、上記セラミック回路基板１を接合したときに該セラミック回路基板１上に実装されたＬＥＤ素子４の直下近傍領域を凸部７、それ以外の領域を凹部８とする凸凹形状を呈している。凸部７の上面９及び凹部８の底面１０は夫々互いに平行な平坦面となっている。

凹部８の底面１０上には半田濡れ性を有しない、樹脂材料等からなる絶縁層１１が設けられ、該絶縁層１１上にダミーパターン１２が形成されている。この場合、ダミーパターン１２の上面１３と凸部７の上面９は略同一平面上に位置すると共に、凸部７の外周面１４とダミーパターン１２の間には隙間領域１５が設けられている。

そして、セラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凸部７の上面９が鉛フリー半田からなる半田層１６を介して接合され、メイン接合部１７を形成している。同時に、セラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凹部８に位置するダミーパターン１２が半田層１６を介して接合され、ダミー接合部１８を形成している。メイン接合部とダミー接合部との間の領域には、半田層１６において、放熱基板に接していない開放領域１６ａが形成されている。また、開放領域１６ａは、隙間領域１５に接している。

メイン接合部１７及びダミー接合部１８を構成する、セラミック回路基板１の接合パターン５及び半田層１６は夫々両接合部１７、１８及び隙間領域１５に亘ってほぼ平坦状に繋がっており、一体化された状態にある。隙間領域１５については、下方に半田濡れ性を有しない絶縁層１１が設けられているため、この部分の半田層１６も両接合部１７、１８と同様にほぼ平坦状を呈するものである。

放熱基板６の凸部７の上面９の外形寸法は、ＬＥＤ素子４が実装されたセラミック回路基板１を半田層１６を介して接合したときに、ＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさとなっている。これにより、ＬＥＤ素子４による発熱の放熱基板６へのセラミック回路基板１及び半田層１６を介して効率のよい放熱を確保することができる。

メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７とダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２の位置関係は、図２に示すようにセラミック回路基板１の中央部にＬＥＤ素子４が実装されているため、セラミック回路基板１を接合する凸部７も放熱基板６の中央部に位置し、一対のダミーパターン１２は凸部７を挟んで対向する位置に配置されている。

放熱基板６の材質はセラミック回路基板１の接合パターン５を形成する金属材料と同等の熱膨張率を有する金属材料であることが好ましく、ダミーパターン１２の材質は鉛フリー半田が濡れる性質を有する金属材料であればよい。そこで、金属材料としては銅やアルミニウム等が挙げられるが、そのうち銅は比較的硬度が低く、且つ窒化アルミニウム等からなるセラミックの熱膨張率に近いことから鉛フリー半田からなる半田層１６の耐クラック性に対して有効な材料である。

そこで、本発明に係る上記基本構造に基づいて作成した実施例、従来の構造に基づく比較例１及び実施例の一部材質を変えた比較例２のヒートショック試験（−４０℃〜１２０℃〜−４０℃を１サイクルとする１０００サイクル）を行い、以下のような結果を得た。

実施例は図１と同様の図３に示す構造とし、セラミック基板２の材質を窒化アルミニウム、接合パターン５を膜厚０．０７ｍｍの銅薄膜とした。放熱基板６及びダミーパターン１２はいずれも銅で形成され、放熱基板６の凸部７の上面９の外形寸法は６．０８×２．９８ｍｍの矩形、一対のダミーパターン１２の形状寸法はいずれも０．９３×３．８２ｍｍの矩形を呈しており、凸部７の外周面１４とダミーパターン１２の間の隙間領域１５は０．９６ｍｍとなっている。

そして、放熱基板６の凸部７の上面９及びダミーパターン１２の上面１３に、板厚０．１５ｍｍのスクリーン印刷マスクを用いてＳｎ０．７Ｃｕ＋ＮｉＧｅからなる鉛フリー半田が印刷塗布され、加熱硬化されてセラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凸部７の上面９が半田層１６を介して接合されると共にセラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凹部８に位置するダミーパターン１２が半田層１６を介して接合されている。

これに対し、比較例１は図４に示す構造としている。具体的には、セラミック回路基板３０は、セラミック基板３１の材質を窒化アルミニウム、接合パターン３２を膜厚０．０１ｍｍ以下のＷ／Ｎｉ／Ａｕ薄膜とし、回路パターン３３上にＬＥＤ素子３４が実装されている。そして、このような構成のセラミック回路基板３０が平坦状の放熱基板３５に鉛フリー半田３６を介して接合されている。

放熱基板３５は実施例と同様に銅で形成され、鉛フリー半田３６も実施例と同様にＳｎ０．７Ｃｕ＋ＮｉＧｅからなっている。

従って、実施例と比較例１の違いは、セラミック回路基板の接合パターンの材質及び膜厚、絶縁層及びダミーパターンで構成されるダミー接合部の有無である。

また、比較例２は放熱基板の材質をアルミニウムとしたこと以外は実施例と同様である。

試験結果は、実施例については図３に示すように、半田層１６の、セラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凹部８に位置するダミーパターン１２を接合するダミー接合部１８にクラック２０が発生した。つまり、半田層端部（外縁部）からメイン接合部とダミー接合部間の解放領域１６ａにおよぶクラックが発生した。しかし、セラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の凸部７の上面９が接合されたメイン接合部１７までは進行しておらず、半田層１６のメイン接合部１７ではクラックの存在は見られなかった。

これは、セラミック基板２と放熱基板６の熱膨張率の差により半田層１６の端面にクラック２０が発生し、該端面を基点とするクラック２０はヒートショック試験のサイクル数が増加するにつれて半田層１６の内側に向かって進行するが、メイン接合部１７とダミー接合部１８の間に隙間領域１５が設けられているために半田層１６の内側に向かって進行するクラック２０は同時に隙間領域１５の方向にも進行し、メイン接合部１７までは達しないためである。

更に、半田層１６は、ダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２の上面１３とメイン接合部１７を構成する凸部７の上面９の略同一平面と、セラミック回路基板１のベタパターンからなる接合パターン５との間にほぼ平坦状に位置しており、且つ放熱基板６と接合パターン５の材質が同一であるため、半田層１６の互いに対向する表面間には夫々接合された面との熱膨張差による歪みがほとんどなく、半田層１６の表面がクラックの基点となることはない。よって、実施例はヒートショックに対して耐クラック性に優れた構造となっている。

それに対し、比較例１については、図４に示すように、セラミック基板３１と放熱基板３５の熱膨張率の差により鉛フリー半田３６の端面にクラック３７が発生し、該端面を基点とするクラック３７はヒートショック試験のサイクル数が増加するにつれて半田層１６の内側に向かって進行し、セラミック回路基板３０の接合パターン３２と放熱基板３５の接合部の約４０％の長さの位置まで達していた。

これは、セラミック基板３１と放熱基板３５の熱膨張率の差により鉛フリー半田３６の端面にクラック３７が発生し、該端面を基点とするクラック３７がヒートショック試験のサイクル数が増加するにつれて鉛フリー半田３６の内側に向かって進行するが、実施例のような隙間領域１５が設けられていないため、そのまま鉛フリー半田３６の内側に向かって進行したためである。

また、比較例２については、比較例１ほどではないが、セラミック基板と放熱基板の熱膨張率の差により鉛フリー半田の端面に発生したクラックは、該端面を基点としてヒートショック試験のサイクル数が増加するにつれて鉛フリー半田の内側に向かって進行し、メイン接合部１７の約７％の長さの位置まで達していた。

これは、実施例がセラミック回路基板１の接合パターン５と放熱基板６の材質が共に銅の同一材質からなり両者の熱膨張率が同一であったのに対し、比較例２の場合はセラミック回路基板の接合パターンが熱膨張率が１７．０×１０^−５／℃の銅からなり、放熱基板が熱膨張率が２３．５×１０^−５／℃のアルミニウムからなっており、構造が同一であってもセラミック回路基板の接合パターンと放熱基板の熱膨張率の違いが耐クラック性に対する効果に影響を及ぼしたためと考えられる。

以上の実験結果より、ダミー接合部とメイン接合部の間に半田接合に寄与しない隙間領域を設けると共に鉛フリー半田を介して接合される、セラミック回路基板の接合パターンと放熱基板の熱膨張率をほぼ等しくすることにより、セラミック回路基板に実装されたＬＥＤ素子の点灯時の発熱による鉛フリー半田に加わる応力が抑制され、耐クラック性に優れたものとなることが明らかになった。

更に、セラミック基板、回路パターン、及び接合パターンで構成されるセラミック回路基板は薄型化が実現されており、厚み制限に対しても対応自由度が大きいものとなっている。

図５は本発明の実施例２の概略断面図である。実施例１ではダミーパターンを放熱基板側に設けていたが、実施例２では接合パターンを分離して設けることで、ダミーパターンを形成している。

具体的な構造は、セラミック回路基板１はセラミック基板２の一方の面上に回路パターン３が形成され、該回路パターン３上にＬＥＤ素子４が実装されている。セラミック基板２の他方の面上には、ＬＥＤ素子４に対応する位置の近傍領域に放熱基板６との半田接合を図るためのメイン接合パターン５が形成され、メイン接合パターン５を挟んで対向する位置に２個所のダミー接合パタ−ン５ａが形成されている。つまり、接合パターンは、メイン接合パターン５とダミー接合パタ−ン５ａに分離して形成されている。メイン接合パターン５とダミー接合パターン５ａの間には隙間領域１５が設けられ、メイン接合パターン５の上面２１及びダミー接合パターン５ａの上面１３は夫々互いに平行な平坦面となっている。

放熱基板６はセラミック回路基板の接合される側が平面２２となっている。

そして、セラミック回路基板１のメイン接合パターン５と放熱基板６の平面２２が半田層１６を介して接合され、メイン接合部１７を形成している。同時に、セラミック回路基板１に形成されたダミー接合パターン５ａと放熱基板６の平面２２が半田層１６を介して接合され、ダミー接合部１８を形成している。

メイン接合部１７及びダミー接合部１８を構成する半田層１６は両接合部１７、１８に亘って平坦状に繋がっており、一体化された状態にある。メイン接合部とダミー接合部との間の領域には、半田層１６において、セラミック回路基板に接していない開放領域１６ａが形成されている。また、開放領域１６ａは、隙間領域１５に接している。

セラミック回路基板１のメイン接合パターン５の外形寸法は、ＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９をメイン接合パターン５側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさとなっている。これにより、ＬＥＤ素子４による発熱がセラミック回路基板１及び鉛フリー半田１６を介して効率よく放熱基板６に伝導される。

放熱基板６の材質はセラミック回路基板１のメイン接合パターン５を形成する金属材料と同等の熱膨張率を有する金属材料であることが好ましく、ダミー接合パターン５ａの材質は鉛フリー半田が濡れる性質を有する金属材料であればよい。そこで、金属材料としては銅やアルミニウム等が挙げられるが、そのうち銅は比較的硬度が低く、且つ窒化アルミニウム等からなるセラミックの熱膨張率に近いことから鉛フリー半田の耐クラック性に対して有効な材料である。本実施例２の構成とすることにより、クラックが発生する場合にも、当該クラックは、半田層端部（外縁部）からメイン接合部とダミー接合部間の開放領域１６ａにおよぶものとなり、メイン接合部へクラックが及ぶことがないものとすることができる。

図６は実施例３の概略断面図である。実施例３は実施例１と同様にダミーパターン１２を放熱基板６側に設け、セラミック回路基板１に複数個のＬＥＤ素子４を実装した場合に対応できる構成となっている。更に、隣り合うＬＥＤ素子４同士が、互いのＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側に向けて角度β＝４５°で拡大したときに放熱基板６上において互いに交わる程度の近距離に位置する場合を想定している。

本実施例は構造及び構成部材の材質共に実施例１と同様であり、放熱基板６の凸部７の上面９の大きさだけが実施例１と異なる。

放熱基板６の凸部７の上面９の外形寸法は、セラミック回路基板１に実装された複数個のＬＥＤ素子４のうち最外側に位置するＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさとなっている。これにより、複数個のＬＥＤ素子４による発熱がセラミック回路基板１及び鉛フリー半田１６を介して効率よく放熱基板６に伝導される。なお、凸部７の外周面１４とダミーパターン１２の間には隙間領域１５が設けられている。

この場合、メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７とダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２の位置関係は図２で示される。これは実施例１と同様であるので説明は省略する。なお、実施例１及び実施例３に関して図２のように、メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７の上面９の形状が長方形の場合は、ダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２を放熱基板６の凸部７の上面９の短手方向に沿って配置することが好ましい。

また、実施例１及び実施例３においては、メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７とダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２の位置関係を図７のように、放熱基板６の凸部７の全周を覆うようにダミーパターン１２を設けることも可能である。

図８は実施例４の概略断面図であり、図９は実施例４に係る放熱基板の概略上面図である。実施例４は実施例３と同様にダミーパターン１２を放熱基板６側に設け、セラミック回路基板１に複数個のＬＥＤ素子４を実装した場合に対応できる構成となっている。但し、実施例３と異なるのは、隣り合うＬＥＤ素子４同士が、互いのＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側に向けて角度β＝４５°で拡大したときに放熱基板６上において互いに交わらない程度の比較的遠距離に位置する場合を想定している。

本実施例は構造及び構成部材の材質共に実施例３と同様であり、放熱基板６の凸部７（メイン接合部１７）の数及びダミーパターン１２（ダミー接合部１８）の数だけが実施例３と異なる。

放熱基板６の凸部７の数はセラミック回路基板１に実装されたＬＥＤ素子４の数と同等であり、個々の凸部７の上面９の外形寸法は、個々のＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさとなっている。これにより、個々のＬＥＤ素子４による発熱がセラミック回路基板１及び鉛フリー半田１６を介して効率よく放熱基板６に伝導される。なお、夫々の凸部７の外周面１４と該外周面１４と隣り合うダミーパターン１２の間には隙間領域１５が設けられている。

この場合、メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７とダミー接合部１８を構成するダミーパターン１２の位置関係は、図９に示すように、上方に位置するセラミック回路基板１に実装された複数個のＬＥＤ素子４の夫々に対応する位置に凸部７が位置し、凸部７の外周面１４との間に隙間領域１５を設けてダミーパターン１２が位置している。

なお、セラミック回路基板１に複数個のＬＥＤ素子４が実装されている場合は、上記実施例４のように、放熱基板６の、個々のＬＥＤ素子４に対応する位置に凸部７（メイン接合部１７）を設けてもよいし、実施例１のように１つの凸部７（メイン接合部）によって全てのＬＥＤ素子４による発熱を伝導するようにしてもよい。ＬＥＤ素子の直下領域にメイン接合部が存在すれば、必ずしも、ＬＥＤ素子４の数とメイン接合部１７の数が一致する必要はない。

但し、メイン接合部１７を構成する放熱基板６の凸部７の上面９（実施例２の場合はセラミック回路基板１の接合パターン５）の大きさは、セラミック回路基板１に実装された複数個のＬＥＤ素子４のうち最外側に位置するＬＥＤ素子４のセラミック回路基板１との接合面における外周端１９を放熱基板６側（実施例２の場合は接合パターン５側）に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさとすることが好ましい。

また、放熱基板６の凸部７の外周面１４と該外周面１４と隣り合うダミーパターン１２の間に設けられる隙間領域（実施例２の場合はセラミック回路基板１の接合パターン５とダミーパターン１２の間に設けられる隙間領域）１５は０．３〜１．０ｍｍの範囲であることが、半田の濡れない部分をほぼ平坦に形成することができるため、好ましい。

更に、隙間領域１５の内部は空洞であってもよいし、半田濡れ性を有しない、例えば樹脂等の絶縁部材を充填しても構わない。

以上説明したように、ＬＥＤ素子を実装したセラミック回路基板を半田を介して放熱基板に接合するセラミック回路基板の放熱構造において、ＬＥＤ素子の直下近傍領域の位置にメイン接合部を設け、それ以外の位置にダミー接合部を設けると共に両者間に隙間領域を設けた。

そのため、ＬＥＤ素子の点灯時の発熱により半田層にクラックが発生してもクラックの進行は隙間領域があることによってメイン接合部までは至らない。その結果、ＬＥＤ素子による発熱がセラミック回路基板及び半田層を介して効率よく放熱基板に伝導され、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制されて光変換効率の低下が低減される。それと同時に、セラミック回路基板と放熱基板の接合強度が確保され、セラミック回路基板が放熱基板から脱落する不具合を防止することができる。

更に、半田層を介して接合される、セラミック回路基板の接合パターンと放熱基板の熱膨張率をほぼ等しくし且つ接合パターンの膜厚を０．０１ｍｍ以上にすることにより、セラミック回路基板に実装されたＬＥＤ素子の点灯時の発熱による鉛フリー半田に加わる応力が抑制され、半田層におけるクラックの発生を抑制することができる。

本発明の実施例１の概略断面図である。 本発明に係る放熱基板の概略上面図である。 実施例のヒートショック試験後の概略断面図である。 比較例１のヒートショック試験後の概略断面図である。 本発明の実施例２の概略断面図である。 本発明の実施例３の概略断面図である。 本発明に係る放熱基板の概略上面図である。 本発明の実施例４の概略断面図である。 本発明に係る放熱基板の概略上面図である。 従来例の概略断面図である。

符号の説明

１ セラミック回路基板
２ セラミック基板
３ 回路パターン
４ ＬＥＤ素子
５ 接合パターン
６ 放熱基板
７ 凸部
８ 凹部
９ 上面
１０ 底面
１１ 絶縁層
１２ ダミーパターン
１３ 上面
１４ 外周面
１５ 隙間領域
１６ 半田層
１７ メイン接合部
１８ ダミー接合部
１９ 外周端
２０ クラック
２１ 上面
２２ 平面
３０ セラミック回路基板
３１ セラミック基板
３２ 接合パターン
３３ 回路パターン
３４ ＬＥＤ素子
３５ 放熱基板
３６ 鉛フリー半田
３７ クラック

Claims (5)

1. 半導体発光素子が実装されたセラミック回路基板を放熱基板へ接合した半導体発光装置であって、
   前記セラミック回路基板の前記導体発光素子が実装された側と反対側の面に前記放熱基板と同一材料または熱膨張率が略同一の材料により形成された接合パターンが半田層を介して前記放熱基板と接合され、
   前記半田層は、前記半導体発光素子の直下領域の外側であって外縁に達しない位置に、前記接合パターンおよび／または前記放熱基板と接しない開放領域を有することを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記開放領域は、前記半導体発光素子の直下領域を含む凸部を有する前記放熱基板の前記凸部と、前記放熱基板の前記凸部以外の領域上の一部に絶縁層を介して形成されたダミーパターンとの間に形成される隙間領域に接して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記開放領域は、前記セラミック回路基板上の複数個所に分離して形成される前記接合パターン間に形成される隙間領域に接して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 前記接合パターンの外形寸法は、前記セラミック回路基板に実装された前記半導体発光素子のうち最外側に位置する半導体発光素子の前記セラミック回路基板との接合面における外周端を前記接合パターン側に向けて角度α＞４５°で拡大した大きさであることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体発光装置。
5. 前記接合パターンの膜厚が０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。

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