[go: up one dir, main page]

JP2007262398A - エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007262398A
JP2007262398A JP2007050938A JP2007050938A JP2007262398A JP 2007262398 A JP2007262398 A JP 2007262398A JP 2007050938 A JP2007050938 A JP 2007050938A JP 2007050938 A JP2007050938 A JP 2007050938A JP 2007262398 A JP2007262398 A JP 2007262398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
group
general formulas
curing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007050938A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisanori Watanabe
尚紀 渡辺
Haruaki To
晴昭 陶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2007050938A priority Critical patent/JP2007262398A/ja
Publication of JP2007262398A publication Critical patent/JP2007262398A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】生産性に優れ、流動性や硬化性等の成形性、パッケージの放熱性やその他の信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B)特定の一般式(IIa)〜(IId)で表されるいずれかの構造を有する硬化剤、(C)無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物。
(化1)
Figure 2007262398

(R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。)
【選択図】なし

Description

本発明は、エポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
従来から、トランジスタ、IC、LSI等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂による封止が主流となり、エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性などの諸特性にバランスがとれている為である。
近年は、電子部品装置の高性能・高機能化を図る為に、素子の高密度実装化、配線の微細化、多層化、多ピン化、素子のパッケージに対する占有面積増大化等が進んでいる。また、自動車分野等の電子機器においては、大きな電力を消費するいわゆるパワー系素子の増加が見られ、前記素子の高密度実装化と併せ、素子の発熱の問題がクローズアップされることとなり、封止用エポキシ樹脂組成物にも高い放熱性が要求されるようになっている。
封止用エポキシ樹脂組成物の高放熱化の為には、無機充填剤として結晶性シリカやアルミナ、窒化アルミ等、封止用エポキシ樹脂組成物に通常使用されるシリカに比べて高い熱伝導性を有する物質を添加する手法が従来より報告されているが、充分な放熱性を得る為に結晶性シリカやアルミナ、窒化アルミニウム等を多量に添加すると、封止用エポキシ樹脂組成物の流動性や硬化性等の成形性の低下を招いたり、弾性率の上昇によるパッケージの信頼性の低下等を招くことが多い。封止用エポキシ樹脂組成物の無機充填材としてアルミナを用いた場合の成形性と放熱性の両立については、特定の粒度分布を有するアルミナを使用する手法(例えば特許文献1)等の報告もあるが、充填剤量の多い組成での微細アルミナの充填が困難である等の問題や、弾性率の上昇による信頼性の低下といった問題を充分に解決できていない。
上記無機充填剤からのアプローチに対し、最近は、樹脂の構造面から封止用エポキシ樹脂組成物の高放熱化を試みる報告等も散見されるようになってきた。例えば、ビフェニル骨格等を有するいわゆるメソゲン型樹脂等と、カテコール、レゾルシノール等のノボラック化樹脂を組み合わせ、樹脂骨格の配向性を高めることで内部熱抵抗を減少させ、エポキシ樹脂組成物の放熱性を高めることが可能である旨の報告等もあるが、カテコール、レゾルシノール等のノボラック化樹脂については、樹脂合成時にゲル化が起こり易い、軟化点が高く、封止用エポキシ樹脂組成物の製造に困難が伴う等の問題が存在する。
特許第2874089号公報
パッケージの放熱性を高める為に封止用エポキシ樹脂組成物にアルミナ等の無機充填剤を配合すると、一般に流動性や硬化性等の成形性、パッケージの信頼性等が低下し、この傾向はアルミナ等の無機充填剤の配合比率が高まるほど顕著となる。また、硬化樹脂骨格の配向性を高めることで(内部熱抵抗を減少させ)パッケージの高放熱化を図ろうとすると、原材料樹脂の合成や封止用エポキシ樹脂組成物の作製に困難が伴い、生産性に困難を伴うことになる。
本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、生産性に優れ、流動性や硬化性等の成形性、パッケージの放熱性やその他の信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の構造を有する硬化剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物を用いることにより上記の目的を達成しうることを見い出し、本発明を完成するに至った。
本発明は、(1)(A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B)下記一般式(IIa)〜(IId)で表されるいずれかの構造を有する硬化剤、(C)無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物に関する。
Figure 2007262398
(R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。)
Figure 2007262398
Figure 2007262398
Figure 2007262398
Figure 2007262398
(前記一般式(IIa)〜(IId)において、m,nは正の数を示し、Arは下記一般式(IIIa)または(IIIb)のいずれかを表す。)
Figure 2007262398
(前記一般式(IIIa)、(IIIb)のR11、R14は、水素原子あるいは水酸基からそれぞれ独立に選ばれ、R12、R13は、水素原子あるいは炭素数が1〜8のアルキル基からそれぞれ独立に選ばれる。一般式(IIIa)、(IIIb)における結合部位は限定しない。)
また、本発明は、(2)(A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B’)ヒドロキシベンゼン類とアルデヒド類との反応によって得られ、水酸基当量が平均値で65以上130以下であるフェノール樹脂組成物、(C)無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物に関する。
Figure 2007262398
(R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。)
また、本発明は、(3)前記(C)無機充填剤が、結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素から選ばれる少なくとも一種を含有する、前記(1)または(2)に記載のエポキシ樹脂組成物に関する。
また、本発明は、(4)前記(1)〜(3)のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部品装置に関する。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、生産性、成形性、パッケージの放熱性や信頼性等に優れ、このエポキシ樹脂組成物を用いてIC、LSI等の電子部品を封止すれば、放熱性や信頼性等に優れた電子品装置を得ることができ、その工業的価値は大である。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B)下記一般式(IIa)〜(IId)で表されるいずれかの構造を有する硬化剤、(C)無機充填剤、を含有してなる。
以下に各成分について説明する。
(A)エポキシ樹脂
本発明では下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂を用いることにより、樹脂の配向性を高めることが可能となり、高い放熱性を実現することができる。
Figure 2007262398
一般式(I)中、R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。前記炭素数1〜10の炭化水素基は、置換基を有していてもよい飽和または不飽和炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ビニル基、等が挙げられ、これらのなかでも、樹脂の配向性の観点からは、低級アルキル基が好ましい。前記炭素数1〜10のアルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ターシャリブトキシ基等が挙げられ、樹脂の配向性の観点からは、やはり低級アルコキシ基が好ましい。
一般式(I)で表されるビフェニル構造は、ビフェニル骨格を構成するすべての炭素原子の外殻電子がsp混成軌道を形成することで二次元平面構造となり、z軸方向(分子構造面に対し垂直方向)への(樹脂骨格の)配向が容易であるという特徴を有する。こうした特徴は、エポキシ樹脂組成物硬化後の低熱抵抗化に有利に働き、結果として硬化物の熱放散性を高め、高い放熱性を与える。
一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂としては、例えば下記一般式(IV)で表される化合物等が例示可能である。
Figure 2007262398
(ここで、R〜Rは水素原子及び炭素数1〜10の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示す。)
流動性の点からは、上記一般式(IV)でnが0〜2であることが好ましく、nが0または1であることがより好ましく、nが0であることが特に好ましい。一般式(IV)で表されるエポキシ樹脂は、R、R、R、Rがメチル基、R、R、R、Rが水素、n=0を主成分とする「エピコ−ト YX4000H」(ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名)や、R、R、R、Rがメチル基、R、R、R、Rが水素、n=0を主成分とする化合物と、R〜Rが水素、n=0を主成分とする化合物との混合物である「エピコ−ト YL6121H」(ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名)等を市場で入手可能である。
本発明の効果を充分得る為には、一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂の配合量をエポキシ樹脂全体の60質量%以上とすることが好ましく、70質量%以上とすることがより好ましく、80質量%以上とすることが特に好ましい。
本発明では、(A)エポキシ樹脂として、一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂以外にも、本発明の効果を損なわない範囲において、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているエポキシ樹脂を併用して用いることが可能である。併用可能なエポキシ樹脂として、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ビスフェノールA/D等のジグリシジルエーテル、フェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂のエポキシ化物、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、シクロペンタジエンとフェノール類の共縮合樹脂のエポキシ化物であるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレン及び/又はジヒドロキシナフタレンの2量体等のエポキシ化物、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、及びこれらのエポキシ樹脂をシリコーン、アクリロニトリル、ブタジエン、イソプレン系ゴム、ポリアミド系樹脂等により変性したエポキシ樹脂などが挙げられる。
(B)硬化剤
本発明の効果、特にパッケージの放熱性を高める為には、硬化剤として(B)下記一般式(IIa)〜(IId)で表される少なくともいずれかの構造を有する硬化剤を単独、または併用して用いることが必要である。かかる硬化剤の水酸基当量は、好ましくは60〜130、より好ましくは65〜120、特に好ましくは70〜110である。また、硬化剤の軟化点は、好ましくは50〜120℃、より好ましくは60〜100℃、特に好ましくは70〜90℃である。
Figure 2007262398
Figure 2007262398
Figure 2007262398
Figure 2007262398
前記一般式(IIa)〜(IId)において、m,nは正の数を示し、Arは下記一般式(IIIa)または(IIIb)のいずれかを表す。
Figure 2007262398
前記一般式(IIIa)、(IIIb)のR11、R14は、水素原子あるいは水酸基からそれぞれ独立に選ばれ、R12、R13は、水素原子あるいは炭素数が1〜8のアルキル基からそれぞれ独立に選ばれる。一般式(IIIa)、(IIIb)における結合部位は限定しない。前記R12、R13の炭素数が1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられる。
一般式(IIa)〜(IId)のそれぞれについて、Arはすべて同一の原子団であっても良いし、2種以上の原子団を含んでいても良い。一般式(IIa)〜(IId)で表される構成要素は、(B)硬化剤の主鎖骨格または側鎖中にランダムに含まれていても良いし、規則的に含まれていても良いし、ブロック状に含まれていても良い。
本発明の効果、特に高い放熱性を実現する為には、一般式(IIa)〜(IId)のArがジヒドロキシベンゼン(一般式(IIIa)においてR11が水酸基、R12、R13が水素原子である)、またはジヒドロキシナフタレン(一般式(IIIb)においてR14が水酸基である)の少なくともいずれかであることが好ましく、エポキシ樹脂組成物の生産性や流動性の観点からは、Arがジヒドロキシベンゼンであることがより好ましく、1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)、または1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)の少なくともいずれかであることが特に好ましい。
また、放熱性や流動性等の成形性といった観点からは、一般式(IIa)〜(IId)で表される構造に特に優劣はなく、これら構造の少なくともいずれかを含んでいれば良い。また、一般式(IIa)〜(IId)のArについては、一般式(IIIa)、または(IIIb)で表される構造の1種でも良いし、複数種でも良い。
一般式(IIa)〜(IId)のm、nについては、m/n=20/1〜1/5であることが好ましく、10/1〜1/3であることがより好ましく、5/1〜1/2であることが特に好ましい。また、(m+n)は20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましく、10以下であることが特に好ましい。m/nが20/1より大きい、または(m+n)が20を超えると、化合物の粘度が上昇し、エポキシ樹脂組成物の流動性に悪影響を与える可能性があり、m/nが1/5より小さくなると、放熱性の点で不利となる可能性がある。
本発明の効果、特にパッケージの放熱性を高める為には、一般式(IIa)〜(IId)で表される構造を有する硬化剤の配合量を、硬化剤全体の60質量%以上とすることが好ましく、70質量%以上とすることがより好ましく、80質量%以上とすることが特に好ましい。前記硬化剤の配合量を硬化剤全体の60質量%以上とすることにより、エポキシ樹脂の配向を助け、その結果としてパッケージの放熱性を高め易くなる。
一般式(IIa)〜(IId)で表される構造を有する硬化剤は、特にArが置換または非置換のジヒドロキシベンゼンや、置換または非置換のジヒドロキシナフタレンの少なくともいずれかである場合、前記ジヒドロキシベンゼンやジヒドロキシナフタレンを単純にノボラック化した樹脂等と比較して、その合成が容易であり、軟化点の低い硬化剤が得られることからエポキシ樹脂組成物の製造も容易である等の利点を有する。
一般式(IIa)〜(IId)で表される構造を有する硬化剤を得る方法は、特に限定はされないが、例えば次のようなジヒドロキシベンゼンの自己酸化による分子内閉環反応を用いる方法が利用できる。すなわち、例えばカテコール(1,2−ジヒドロキシベンゼン。一般式(IIIa)においてR11が水酸基、R12、R13が水素である化合物)等を20〜90モル%含むフェノール類及びアルデヒド類とを、一般的なノボラック樹脂と同様、シュウ酸などの酸触媒下で反応させる。アルデヒド類としてホルマリンを用いる場合には、100℃前後で還流反応を行う。この反応を1〜8時間行い、その後、系内の水を抜きながら120〜180℃まで昇温する。このときの雰囲気は酸化性雰囲気(たとえば空気気流中)とする。2〜24時間この状態を続けることにより、系内には一般式(IIa)や(IIb)で表される化合物が生成する。その後系内の水等を除去することにより、所望の硬化剤を得ることができる。
上記ジヒドロキシベンゼンの自己酸化による分子内閉環反応を用い、レゾルシノールとカテコールとアルデヒド類とを、同様に反応させることにより、一般式(IIa)〜(IId)で表される化合物の混合物が生成する。また、レゾルシノールとアルデヒド類とを、同様に反応させることにより、一般式(IIa)、(IIc)、(IId)で表される化合物の混合物が生成する。また、ハイドロキノンとカテコールとアルデヒド類とを、同様に反応させることにより、一般式(IIa)、(IIb)で表される化合物の混合物が生成する。
本発明で用いる硬化剤を別の観点から見ると、ジヒドロキシベンゼン類とアルデヒド類を酸性触媒下で反応させて得られるフェノール樹脂組成物であり、水酸基当量がジヒドロキシベンゼン類のノボラック樹脂の理論水酸基当量(60前後)と比較して大きいフェノール樹脂組成物である。このような樹脂組成物を硬化剤として用いることにより、エポキシ樹脂の配向を助け、結果としてエポキシ樹脂組成物の放熱性を高めるといった効果が得られる。水酸基当量はフェノール樹脂組成物の平均値で65以上130以下であることが好ましい。より好ましくは65〜120、特に好ましくは70〜110である。また、好ましくは前記一般式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)で示される構造のフェノール樹脂を少なくともいずれか含む。水酸基当量が理論値より大きくなる理由は、ジヒドロキシベンゼン類が反応中に分子内閉環反応を行い、前記一般式(IIa)〜(IId)の様なフェノール樹脂を含むためと考えられる。上記ジヒドロキシベンゼン類としては、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノン等の単環式ジヒドロキシアレーン、あるいは1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレンなどのジヒドロキシナフタレン類などの多環式ジヒドロキシアレーンが挙げられ、これらを併用しても良い。また、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒドなどフェノール樹脂合成に用いられるアルデヒド類が挙げられ、単独でも、2種以上を併用しても良い。これらのジヒドロキシベンゼン類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下化に、ジヒドロキシベンゼン類1モルに対してアルデヒド類を0.3〜0.9モル反応させることが好ましい。より好ましくは0.4〜0.8モル反応させる。アルデヒド類が0.3モル未満の時は、ノボラック樹脂は生成するが、ジベンゾキサンテン誘導体の含有率が低くさらに未反応ジヒドロキシベンゼン類の量が増え樹脂の生成量が少なくなる傾向がある。アルデヒド類が0.9モルを超える場合には、樹脂の生成量的には有利になるが、反応系中でのゲル化が起きやすく、非常に反応の制御が難しい傾向がある。触媒として使用される酸としては、シュウ酸、酢酸などの有機カルボン酸類、塩酸、硫酸、リン酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などの強酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸などの超強酸が挙げられる。これらの触媒は、単独あるいは2種以上併用しても良い。触媒量は、用いるジヒドロキシベンゼン類に対して0.0001モル〜0.1モルとすることが好ましい。より好ましくは、0.001〜0.05モル用いるのがよい。触媒量が0.0001モル未満の場合には、120〜180℃で分子内脱水閉環を行う工程が長時間になる傾向があり、0.1モルを超えて以上用いた場合には、半導体用途などでイオン性不純物を嫌う系では、触媒除去の工程がより煩雑となってしまう傾向がある。なお、例えば、アルデヒド類としてホルマリンを用いる場合には、100℃前後で還流反応を行い、この反応を1〜8時間行い、その後、系内の水を抜きながら、酸化性雰囲気下(たとえば空気気流中)で、120〜180℃まで昇温後、2〜24時間この状態を続けることで、水酸基当量が平均値で65以上130以下となるフェノール樹脂組成物を得ることができる。
本発明では、本発明の効果を損なわない範囲で、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用される硬化剤を併用して用いることができる。併用可能な硬化剤として、例えばフェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び/又はナフトール類とシクロペンタジエンから共重合により合成されるジシクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂等が挙げられる。
(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数/硬化剤中の水酸基数の比は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために0.5/1〜2/1の範囲に設定されることが好ましく、0.6/1〜1.5/1がより好ましい。成形性や信頼性に優れるエポキシ樹脂成形材料を得るためには0.8/1〜1.2/1の範囲に設定されることがさらに好ましい。
(C)無機充填剤
本発明では、パッケージの高放熱化の為以外にも、吸湿性、線膨張係数低減、強度向上等の為に、(C)無機充填剤を配合することが必要である。無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、合成シリカ等のシリカ類、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等が挙げられる。これら無機充填剤の形状は特に限定されず粉体、これらを球形化したビーズ、ガラス繊維などのいずれであっても良い。これら無機充填剤は単独で用いても2種以上を併用してもよい。
パッケージの高放熱化の観点からは、無機充填剤の一部、または全部を結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素の少なくともいずれかとすることが好ましい。パッケージの高放熱化の観点からは、前記無機充填剤の平均粒径を5〜20μmとすることが好ましく、10〜50μm程度の平均粒径を有する(C1)成分と、平均粒径0.5〜3μm程度の平均粒径を有する(C2)成分の、少なくとも2種成分を併用すると、より効果的である。流動性の観点からは、前記無機充填剤が球状、またはそれに類似した形状を有することが好ましい。エポキシ樹脂組成物の流動性の観点からは、無機充填剤の一部を結晶性シリカ、球状アルミナ、球状窒化アルミ、球状窒化ケイ素、球状窒化ホウ素の少なくともいずれかとした上で、球状溶融シリカ、球状合成シリカ等を併用することが好ましい。なお、本発明における結晶性シリカとは、結晶化度70%以上のシリカを指す。
エポキシ樹脂組成物の流動性や信頼性等の観点からは、(C)無機充填剤の配合量をエポキシ樹脂組成物全体の60〜97質量%とすることが好ましく、65〜96質量%とすることがより好ましく、70〜95質量%とすることが特に好ましい。(C)無機充填剤の配合量が60質量%未満だとパッケージの吸湿特性や機械的強度等が不充分となる可能性があり、逆に97質量%を超えると流動特性が不充分となる可能性がある。
パッケージの放熱性とその他信頼性とのバランスの観点からは、(C)無機充填剤全体の配合量を前記の範囲とした上で、結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素の少なくともいずれかの配合量を(C)成分の10〜100質量%とすることが好ましく、20〜100質量%とすることがより好ましく、30〜100質量%とすることが特に好ましい。結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素の少なくともいずれかの配合量が10%未満だとパッケージの高放熱化が不充分となる可能性がある。
本発明では、前記(A)〜(C)成分以外にも、生産性を向上させる等の目的で、封止用エポキシ樹脂組成物において通常使用される硬化促進剤を、特に制限なく用いることができる。硬化促進剤の例を挙げれば、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−ジアザ−ビシクロ(4,3,0)ノネン、5、6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン化合物及びこれらの誘導体、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン、及びこれらの有機ホスフィンに無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物等の有機リン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げられ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。信頼性や成形性の観点からは有機リン化合物が好ましい。
硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達成される量であれば特に制限されるものではないが、(A)エポキシ樹脂に対して0.1〜10質量%が好ましく、より好ましくは1〜5質量%である。硬化促進剤の配合量が、0.1質量%未満では短時間での硬化性に劣る傾向があり、10質量%を超えると硬化速度が速すぎて未充填等により良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂と硬化剤よりなる樹脂成分と無機充填剤との接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を添加することができる。これらは単独で用いても、2種以上を併用しても構わない。上記カップリング剤の配合量は、(B)無機充填剤に対して0.05〜5質量%であることが好ましく、0.1〜2.5質量%がより好ましい。無機充填剤の配合量が、0.05質量%未満では耐湿性が低下する傾向があり、5質量%を超えるとパッケージの成形性が低下する傾向がある。
本発明ではまた、エポキシ樹脂組成物を成形する際に金型からの円滑な離型性を確保する為に、ステアリン酸、モンタン酸等の高級脂肪酸系ワックス、ステアリン酸エステル、モンタン酸エステル等の高級脂肪酸エステル系ワックス、ポリエチレン系ワックス等、封止用エポキシ樹脂組成物に用いられる従来公知の離型剤を使用することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、IC等の半導体素子の耐湿性、高温放置特性を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することもできる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、例えば、ハイドロタルサイトや、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウム、アルミニウムから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物においてはまた、その必要に応じて、臭素化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン等のアンチモン系難燃剤、リン酸エステル等のリン系難燃剤、水酸化マグネシウムや水酸化アルミニウム等の金属水酸化物系難燃剤等、エポキシ樹脂組成物に従来公知の難燃剤等を添加することができる。
さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等の着色剤、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、トリアジン等及びこれらの誘導体、アントラニル酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、アミノフェノール、キノリン等及びこれらの誘導体、脂肪族酸アミド化合物、ジチオカルバミン酸塩、チアジアゾール誘導体等の密着促進剤、シリコーン系または非シリコーン系等の低応力化剤等を、必要に応じて配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、ニーダ、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うような寸法及び質量でタブレット化すると使いやすい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、各種有機溶剤に溶かして液状エポキシ樹脂組成物として使用することもでき、この液状エポキシ樹脂組成物を板又はフィルム上に薄く塗布し、樹脂の硬化反応が余り進まないような条件で有機溶剤を揮発させることによって得られるシート状あるいはフィルム状のエポキシ樹脂組成物として使用することもできる。
本発明で得られるエポキシ樹脂組成物により素子を封止して得られる電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明のエポキシ樹脂組成物で封止した電子部品装置などが挙げられる。このような電子部品装置としては、例えば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いてトランスファ成形などにより封止してなる、DIP(Dual Inline Package)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)、SOP(Small Outline Package)、SOJ(Small Outline J−lead package)、TSOP(Thin Small Outline Package)、TQFP(Thin Quad Flat Package)等の一般的な樹脂封止型IC、テープキャリアにバンプで接続した半導体チップを、本発明のエポキシ樹脂組成物で封止したTCP(Tape Carrier Package)、配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び/又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明のエポキシ樹脂組成物で封止したCOB(Chip On Board)モジュール、ハイブリッドIC、マルチチップモジュール、配線板接続用の端子を形成した有機基板に素子を搭載し、バンプまたはワイヤボンディングにより素子と有機基板に形成された配線を接続した後、本発明のエポキシ樹脂組成物で素子を封止したBGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Size Package)などが挙げられる。また、プリント回路板にも本発明のエポキシ樹脂組成物は有効に使用できる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。エポキシ樹脂組成物が常温で液状又はペースト状の場合は、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。また、素子を直接樹脂封止する一般的な封止方法ばかりではなく、素子に直接電子部品封止用エポキシ樹脂組成物が接触しない形態である中空パッケージの方式もあり、中空パッケージ用の封止用エポキシ樹脂組成物としても好適に使用できる。
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。
(実施例1〜10、比較例1〜9)
以下、各実施例及び各比較例で使用した各種原材料を示す。
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂1:エポキシ当量192、融点105℃のビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名 「エピコート YX4000H」)。
比較エポキシ樹脂1:エポキシ当量195、融点70℃のビスフェノールF型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名「YSLV−80XY」)。
比較エポキシ樹脂2:エポキシ当量245、融点115℃のイオウ含有型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名「YSLV−120TE」)。
(B)硬化剤
硬化剤1:前記一般式(IIa)、(IIb)の混合物であり、Arが前記一般式(IIIa)でR11=水酸基、R12=R13=水素である1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)である硬化剤(水酸基当量112、軟化点85℃、数平均分子量400、質量平均分子量550)を含む化合物
硬化剤2:前記一般式(IIa)〜(IId)の混合物であり、Arが前記一般式(IIIa)でR11=水酸基、R12=R13=水素である1,2−ジヒドロキシベンゼン(カテコール)または1,3−ジヒドロキシベンゼン(レゾルシノール)である硬化剤(水酸基当量108、軟化点72℃、数平均分子量540、質量平均分子量1,000)を含む化合物
比較硬化剤1:軟化点85℃、水酸基当量105のフェノールノボラック樹脂(明和化成株式会社製、商品名「H−100」)。
比較硬化剤2:軟化点85℃、水酸基当量180のナフトールノボラック樹脂(東都化成株式会社製、商品名「SN−170L」。
比較硬化剤3:カテコールノボラック樹脂(水酸基当量70、軟化点135℃)
比較硬化剤4:レゾルシノールノボラック樹脂(水酸基当量72、軟化点126℃)
(C)無機充填剤
C1成分:平均粒径40μmの球状アルミナ(電気化学工業株式会社製商品名「DAW−45」)。
C2成分:平均粒径5μmの球状アルミナ(電気化学工業株式会社製商品名「DAW−05」)。
C3成分:平均粒径0.4μmの球状アルミナ(株式会社アドマテックス製商品名「AO‐502」)。
C4成分:平均粒径1.8μmの球状窒化アルミ(株式会社トクヤマ製)。
C5成分:平均粒径15μmの結晶性シリカ(東海ミネラル株式会社製商品名「EC−15N」)。
C6成分:平均粒径12μm、比表面積5.0m/gの溶融球状シリカ(電気化学工業株式会社製、商品名「FB−105」)。
C7成分:平均粒径0.5μm、比表面積6.5m/gの合成球状シリカ(株式会社アドマテックス社製、商品名「SO−25R」)。
(その他添加剤等)
硬化促進剤:トリフェニルホスフィンとベンゾキノンとの付加物。
離型剤:酸化型ポリエチレン。
カップリング剤:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(エポキシシラン)。
着色剤:カーボンブラック。
難燃剤:ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン。
なお、硬化剤1、硬化剤2は、それぞれ以下の方法により合成した。
(硬化剤1)
撹拌機、冷却器、温度計を備えた2Lのセパラブルフラスコに、カテコール220g,37%ホルマリン81.1g、シュウ酸2.5g、水100gを入れ、オイルバスで加温しながら100℃に昇温した。104℃前後で還流し、還流温度で3時間反応を続けた。その後、水を留去しながらフラスコ内の温度を150℃に昇温した。150℃を保持しながら12時間反応を続けた。反応後、減圧下20分間濃縮を行い、系内の水等を除去して目的の樹脂を得た。合成時における、重量平均分子量の変化を図1に、単量体、2量体、3量体及びその他(4量体以上)の含有率(分子の核体数)の変化を図2に示した。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図3に示した。
なお、図2の含有率の変化は、一定時間毎に生成物を取り出し、ゲル濾過し図3のようなチャートから求めたもので、単量体、2量体、3量体及び4量体以上とは図3に示すGPCチャートの最後のピークを単量体、最後から2番目のピークを2量体、最後から3番目のピークを3量体、それ以前を4量体以上として、ピーク面積から含有率を求めたものである。よって、2量体、3量体と言っても全て同じ成分というわけではなく、フェノール樹脂混合物と考えられる。
反応が進むと図1の通り重量平均分子量が低下している点、図2の通り安定な2量体、3量体が生成している点、そして水酸基当量が理論値(60前後)に対して大きい点、カテコールを用いた点等から、前記一般式(IIa)および式(IIb)の構造を有するフェノール樹脂が得られたと考えられる。前記一般式(IIa)の構造を有する化合物ができ、更に脱水反応することで前記一般式(IIb)の構造を有する化合物が得られる。
(硬化剤2)
撹拌機、冷却器、温度計を備えた3Lのセパラブルフラスコにレゾルシノール462g、カテコール198g,37%ホルマリン316.2g、シュウ酸15g、水300gを入れ、オイルバスで加温しながら100℃に昇温した。104℃前後で還流し、還流温度で4時間反応を続けた。その後、水を留去しながらフラスコ内の温度を170℃に昇温した。170℃を保持しながら8時間反応を続けた。反応後、減圧下20分間濃縮を行い、系内の水等を除去して目的の樹脂を得た。
上述の各種原材料をそれぞれ下記表1及び表2に示す質量部で配合し、混練温度80℃、混練時間10分の条件下でロール混練を行い、実施例1〜10及び比較例1〜9に該当するエポキシ樹脂組成物をそれぞれ調製した。なお、比較硬化剤3及び比較硬化剤4は軟化点が高く、ロール混練による材料作製に困難が予想された為、その全量を、予め(A)成分のエポキシ樹脂の全量と予備混合を行った上で用いた。予備混合は、フラスコ中にて、150℃/30分の攪拌混合とした。
合成時における、重量平均分子量の変化を図4に、単量体、2量体、3量体及び4量体以上の含有率の変化を図5に示した。得られたフェノール樹脂のGPCチャートを図6に示した。
カテコール及びレゾルシノールを用いているため、一般式(IIa)〜(IId)の構造を有するフェノール樹脂が得られたと考えられる。一般式(IIa)の構造を有する化合物ができ、更に脱水反応することで一般式(IIb)〜(IId)の構造を有する化合物が得られる。
なお、上記硬化剤の測定は次のように行った。数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)の測定は、株式会社日立製作所製高速液体クロマトグラフィL6000及び島津製作所製データ解析装置C−R4Aを用いて行なった。分析用GPCカラムは、東ソー株式会社製G2000HXLおよびG3000HXLを使用した。試料濃度は0.2%、移動相はテトラハイドロフランを用い、流速1.0ml/minで測定を行った。ポリスチレン標準サンプルを用いて検量線を作成し、それを用いてポリスチレン換算値で数平均分子量等を計算した。
水酸基当量は、塩化アセチル−水酸化カリウム滴定法により測定した。尚、滴定終点は溶液の色が暗色の為、指示薬による呈色法ではなく、電位差滴定によって行った。具体的には、測定樹脂の水酸基をピリジン溶液中塩化アセチル化した後その過剰の試薬を水で分解し、生成した酢酸を水酸化カリウム/メタノール溶液で滴定したものである。
Figure 2007262398
Figure 2007262398
作製した実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を、次の各試験により評価した。評価結果を表3及び表4に示す。
なお、エポキシ樹脂組成物の成形は、特に明記しないものはトランスファ成形機により、金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件で行った。また、後硬化は175℃で6時間行った。
(1)スパイラルフロー(流動性の指標)
EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形し、流動距離(cm)を求めた。
(2)熱時硬度(硬化性の指標)
中央部に直径30mm、深さ4mmのカル部分を持った三富金属株式会社製バリ金型を用いて、エポキシ樹脂組成物を上記条件で直径30mm×厚さ4mmの円板に成形し、成形後直ちに(トランスファプレスの下型が開き始めてから5秒後に金型を取リ出し、その直後に)、成形品(金型中央部のカル部分)のショアD硬度を測定した。
(3)曲げ弾性率(室温時)(曲げ特性の指標)
エポキシ樹脂組成物を上記条件で成形及び後硬化して得た試験片を用いて、JIS K 7171(3点曲げ試験)に順じて測定を行った。試験片寸法は127mm×12.7mm×4.0mmt、N=4での測定平均値より曲げ弾性率を求めた。
(4)熱伝導度(放熱性の指標)
エポキシ樹脂組成物を上記条件で成形して50mm×100mm×15mmtの試験片を作製し、後硬化後、京都電子工業株式会社製QTM‐500(装置名)を用いて熱伝導度の測定を行った。
Figure 2007262398
Figure 2007262398
本発明の(A)成分を含まない比較例6〜9または(B)成分を含まない比較例1〜5は、放熱性、流動性、硬化性、または機械特性(曲げ特性)のいずれか、あるいは複数項目に劣る。これに対し、本発明の(A)成分及び(B)成分をともに含む実施例1〜10は、放熱性や曲げ特性等の機械特性に優れるとともに、流動性や硬化性等の成形性にも優れることがわかる。
図1は、硬化剤1の反応におけるフェノール樹脂の重量平均分子量の変化を表すグラフである。 図2は、硬化剤1における、フェノール樹脂の分子の核体数(含有率)の変化を表すグラフである。 図3は、硬化剤1で得られたフェノール樹脂のGPCチャートのグラフである。 図4は、硬化剤2の反応におけるフェノール樹脂の重量平均分子量の変化を表すグラフである。 図5は、硬化剤2における、フェノール樹脂の分子の核体数(含有率)の変化を表すグラフである。 図6は、硬化剤2で得られたフェノール樹脂のGPCチャートのグラフである。

Claims (4)

  1. (A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B)下記一般式(IIa)〜(IId)で表されるいずれかの構造を有する硬化剤、(C)無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物。
    Figure 2007262398
    (R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。)
    Figure 2007262398
    Figure 2007262398
    Figure 2007262398
    Figure 2007262398
    (前記一般式(IIa)〜(IId)において、m,nは正の数を示し、Arは下記一般式(IIIa)または(IIIb)のいずれかを表す。)
    Figure 2007262398
    (前記一般式(IIIa)、(IIIb)のR11、R14は、水素原子あるいは水酸基からそれぞれ独立に選ばれ、R12、R13は、水素原子あるいは炭素数が1〜8のアルキル基からそれぞれ独立に選ばれる。一般式(IIIa)、(IIIb)における結合部位は限定しない。)
  2. (A)下記一般式(I)で表される構造を有するエポキシ樹脂、(B’)ヒドロキシベンゼン類とアルデヒド類との反応によって得られ、水酸基当量が平均値で65以上130以下であるフェノール樹脂組成物、(C)無機充填剤、を含有するエポキシ樹脂組成物。
    Figure 2007262398
    (R〜Rは、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシ基のいずれかよりそれぞれ独立に選ばれ、互いに同じであっても異なっていても良い。)
  3. 前記(C)無機充填剤が、結晶性シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素から選ばれる少なくとも一種を含有する、請求項1または2に記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物により封止された素子を備えた電子部品装置。
JP2007050938A 2006-03-01 2007-03-01 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 Pending JP2007262398A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007050938A JP2007262398A (ja) 2006-03-01 2007-03-01 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006054761 2006-03-01
JP2007050938A JP2007262398A (ja) 2006-03-01 2007-03-01 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007262398A true JP2007262398A (ja) 2007-10-11

Family

ID=38635679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007050938A Pending JP2007262398A (ja) 2006-03-01 2007-03-01 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007262398A (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011184507A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 高熱伝導性フィラー
JP2011208007A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂複合組成物及びその用途
WO2012002546A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 日立化成工業株式会社 Bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板、及びled基板
JP2012031401A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板及びled基板
WO2012046814A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート及びその製造方法、樹脂シート積層体及びその製造方法、多層樹脂シート硬化物、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
WO2012102212A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 日立化成工業株式会社 樹脂組成物シート、金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、及びled光源部材
WO2012132691A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
WO2013065759A1 (ja) * 2011-11-02 2013-05-10 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物、半硬化エポキシ樹脂組成物、硬化エポキシ樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、積層板、金属基板、配線板、半硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法及び硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP2013133437A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂シート、樹脂付金属箔、樹脂硬化物、金属基板、led基板、及び、樹脂付金属箔の製造方法
JP2013151655A (ja) * 2011-12-28 2013-08-08 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物、樹脂組成物シート及び樹脂組成物シートの製造方法、金属箔付樹脂組成物シート、bステージシート、半硬化の金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、led光源部材、並びにパワー半導体装置
WO2014007068A1 (ja) 2012-07-05 2014-01-09 日立化成株式会社 フェノール樹脂組成物
US20150376202A1 (en) * 2013-02-08 2015-12-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
WO2016047539A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
JP2016155953A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 デンカ株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート及びそれを用いた金属ベース回路基板
JP2017190425A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 京セラ株式会社 粉粒状半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
US9828355B2 (en) 2013-02-08 2017-11-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
US20170349564A1 (en) 2014-12-25 2017-12-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method
WO2018181600A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
US10377734B2 (en) 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition
WO2020105215A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 太陽インキ製造株式会社 高耐電圧放熱絶縁性樹脂組成物、およびそれを用いた電子部品
JP2021046518A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2021046517A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US11137686B2 (en) 2015-08-31 2021-10-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method
US11143962B2 (en) 2015-08-31 2021-10-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method
US11243467B2 (en) 2015-09-10 2022-02-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method
US11256170B2 (en) 2015-03-31 2022-02-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it
US11480877B2 (en) 2015-03-31 2022-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein
JP2023105016A (ja) * 2017-12-28 2023-07-28 株式会社レゾナック ボールグリッドアレイパッケージ封止用エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置

Cited By (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011184507A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 高熱伝導性フィラー
JP2011208007A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂複合組成物及びその用途
JP2016047932A (ja) * 2010-07-02 2016-04-07 日立化成株式会社 樹脂組成物、bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板及びled基板
JP2012031401A (ja) * 2010-07-02 2012-02-16 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板及びled基板
JPWO2012002546A1 (ja) * 2010-07-02 2013-08-29 日立化成株式会社 Bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板、及びled基板
WO2012002546A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 日立化成工業株式会社 Bステージシート、樹脂付金属箔、金属基板、及びled基板
CN102959005B (zh) * 2010-07-02 2015-07-15 日立化成工业株式会社 B阶片材、带有树脂的金属箔、金属基板和led基板
CN102959005A (zh) * 2010-07-02 2013-03-06 日立化成工业株式会社 B阶片材、带有树脂的金属箔、金属基板和led基板
TWI462947B (zh) * 2010-07-02 2014-12-01 Hitachi Chemical Co Ltd B階片、附樹脂金屬箔、金屬基板、及led基板
KR101437756B1 (ko) * 2010-07-02 2014-09-03 히타치가세이가부시끼가이샤 B 스테이지 시트, 수지가 부착된 금속박, 금속 기판, 및 led 기판
WO2012046814A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート及びその製造方法、樹脂シート積層体及びその製造方法、多層樹脂シート硬化物、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP5348332B2 (ja) * 2010-10-06 2013-11-20 日立化成株式会社 多層樹脂シート及びその製造方法、樹脂シート積層体及びその製造方法、多層樹脂シート硬化物、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
WO2012102212A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 日立化成工業株式会社 樹脂組成物シート、金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、及びled光源部材
WO2012132691A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP2013039834A (ja) * 2011-03-28 2013-02-28 Hitachi Chemical Co Ltd 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP2019014261A (ja) * 2011-03-28 2019-01-31 日立化成株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP2017019291A (ja) * 2011-03-28 2017-01-26 日立化成株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
JP5141853B2 (ja) * 2011-03-28 2013-02-13 日立化成工業株式会社 多層樹脂シート、樹脂シート積層体、多層樹脂シート硬化物及びその製造方法、金属箔付き多層樹脂シート、並びに半導体装置
CN107312161A (zh) * 2011-11-02 2017-11-03 日立化成株式会社 环氧树脂组合物、半固化或固化环氧树脂组合物及它们的制造方法、使用这些组合物的产品
WO2013065759A1 (ja) * 2011-11-02 2013-05-10 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物、半硬化エポキシ樹脂組成物、硬化エポキシ樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、積層板、金属基板、配線板、半硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法及び硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法
CN107312161B (zh) * 2011-11-02 2021-10-26 日立化成株式会社 环氧树脂组合物、半固化或固化环氧树脂组合物及它们的制造方法、使用这些组合物的产品
JPWO2013065759A1 (ja) * 2011-11-02 2015-04-02 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物、半硬化エポキシ樹脂組成物、硬化エポキシ樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、積層板、金属基板、配線板、半硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法及び硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP2017160440A (ja) * 2011-11-02 2017-09-14 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物、半硬化エポキシ樹脂組成物、硬化エポキシ樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグ、積層板、金属基板、配線板、半硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法及び硬化エポキシ樹脂組成物の製造方法
TWI485174B (zh) * 2011-11-02 2015-05-21 Hitachi Chemical Co Ltd 環氧樹脂組成物、半硬化環氧樹脂組成物、硬化環氧樹脂組成物、樹脂薄片、預浸體、積層板、金屬基板、線路板、半硬化環氧樹脂組成物的製造方法及硬化環氧樹脂組成物的製造方法
KR20140099870A (ko) * 2011-11-02 2014-08-13 히타치가세이가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물, 반경화 에폭시 수지 조성물, 경화 에폭시 수지 조성물, 수지 시트, 프리프레그, 적층판, 금속 기판, 배선판, 반경화 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 경화 에폭시 수지 조성물의 제조 방법
CN103906785A (zh) * 2011-11-02 2014-07-02 日立化成株式会社 环氧树脂组合物、半固化环氧树脂组合物、固化环氧树脂组合物、树脂片、预浸料坯、层叠板、金属基板、配线板、半固化环氧树脂组合物的制造方法以及固化环氧树脂组合物的制造方法
JP2013133437A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂シート、樹脂付金属箔、樹脂硬化物、金属基板、led基板、及び、樹脂付金属箔の製造方法
JP2017141464A (ja) * 2011-12-28 2017-08-17 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物シート及び樹脂組成物シートの製造方法、金属箔付樹脂組成物シート、bステージシート、半硬化の金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、led光源部材、並びにパワー半導体装置
JP2013151655A (ja) * 2011-12-28 2013-08-08 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物、樹脂組成物シート及び樹脂組成物シートの製造方法、金属箔付樹脂組成物シート、bステージシート、半硬化の金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、led光源部材、並びにパワー半導体装置
KR102073402B1 (ko) * 2012-07-05 2020-02-05 히타치가세이가부시끼가이샤 페놀 수지 조성물
CN104428340A (zh) * 2012-07-05 2015-03-18 日立化成株式会社 酚醛树脂组合物
WO2014007068A1 (ja) 2012-07-05 2014-01-09 日立化成株式会社 フェノール樹脂組成物
US10000679B2 (en) 2012-07-05 2018-06-19 Hitachi Chemical Company, Ltd. Phenolic resin composition
TWI619738B (zh) * 2012-07-05 2018-04-01 日立化成股份有限公司 酚樹脂組成物
JPWO2014007068A1 (ja) * 2012-07-05 2016-06-02 日立化成株式会社 フェノール樹脂組成物
KR20150035769A (ko) * 2012-07-05 2015-04-07 히타치가세이가부시끼가이샤 페놀 수지 조성물
US20150376202A1 (en) * 2013-02-08 2015-12-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
US9809601B2 (en) * 2013-02-08 2017-11-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
US9828355B2 (en) 2013-02-08 2017-11-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method
US10377734B2 (en) 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition
JPWO2016047539A1 (ja) * 2014-09-24 2017-07-06 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
KR20170060117A (ko) * 2014-09-24 2017-05-31 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치 및 구조체
KR101902137B1 (ko) * 2014-09-24 2018-09-27 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치 및 구조체
CN106715580A (zh) * 2014-09-24 2017-05-24 住友电木株式会社 半导体密封用树脂组合物、半导体装置和结构体
WO2016047539A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
US10745372B2 (en) 2014-12-25 2020-08-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method
US20170349564A1 (en) 2014-12-25 2017-12-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method
JP2016155953A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 デンカ株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート及びそれを用いた金属ベース回路基板
US11256170B2 (en) 2015-03-31 2022-02-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it
US11480877B2 (en) 2015-03-31 2022-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein
US11137686B2 (en) 2015-08-31 2021-10-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method
US11143962B2 (en) 2015-08-31 2021-10-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method
US11572430B2 (en) 2015-09-10 2023-02-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method
US11243467B2 (en) 2015-09-10 2022-02-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method
JP2017190425A (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 京セラ株式会社 粉粒状半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
CN115785621A (zh) * 2017-03-31 2023-03-14 日立化成株式会社 密封用环氧树脂组合物和电子部件装置
JP7060011B2 (ja) 2017-03-31 2022-04-26 昭和電工マテリアルズ株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN110461939A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 日立化成株式会社 密封用环氧树脂组合物和电子部件装置
WO2018181600A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JPWO2018181600A1 (ja) * 2017-03-31 2020-02-13 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2023105016A (ja) * 2017-12-28 2023-07-28 株式会社レゾナック ボールグリッドアレイパッケージ封止用エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置
WO2020105215A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 太陽インキ製造株式会社 高耐電圧放熱絶縁性樹脂組成物、およびそれを用いた電子部品
JPWO2020105215A1 (ja) * 2018-11-20 2021-10-14 太陽インキ製造株式会社 高耐電圧放熱絶縁性樹脂組成物、およびそれを用いた電子部品
CN112823188A (zh) * 2018-11-20 2021-05-18 太阳油墨制造株式会社 高耐电压散热绝缘性树脂组合物和使用其的电子部件
CN112823188B (zh) * 2018-11-20 2023-08-11 太阳控股株式会社 高耐电压散热绝缘性树脂组合物和使用其的电子部件
TWI819033B (zh) * 2018-11-20 2023-10-21 日商太陽控股股份有限公司 高耐電壓散熱絕緣性樹脂組成物,及使用其之電子零件
JP7394782B2 (ja) 2018-11-20 2023-12-08 太陽ホールディングス株式会社 高耐電圧放熱絶縁性樹脂組成物、およびそれを用いた電子部品
JP2021046518A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2021046517A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP7351161B2 (ja) 2019-09-20 2023-09-27 株式会社レゾナック エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007262398A (ja) エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
KR102013533B1 (ko) 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치
JP6380456B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
KR20120040183A (ko) 반도체 밀봉용 수지 조성물, 및 반도체 장치
JP2023105016A (ja) ボールグリッドアレイパッケージ封止用エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置
KR100893022B1 (ko) 경화 촉진제, 경화성 수지 조성물 및 전자 부품 장치
JP2001131393A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2007023273A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2013249458A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
WO2017188455A1 (ja) エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2001279057A (ja) 封止材組成物及び電子部品装置
JP5176075B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いて封止された素子を備えてなる電子部品装置
JP6171274B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2002047391A (ja) 封止用熱硬化性樹脂組成物および電子部品装置
JP2006028264A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP6277611B2 (ja) 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006002040A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2012107209A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2006077096A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2005325159A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006182913A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006016525A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2005350500A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP6519600B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2005255791A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100227

A072 Dismissal of procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073

Effective date: 20110630