JP2006091004A - 電子デバイスにおける漏れを検出するための方法及びシステム - Google Patents

Abstract

【課題】電子デバイスを水分のない環境内に保持するために、パッケージの完全性を試験するための正確でかつ好都合な方法を提供すること。
【解決手段】
電子デバイスにおける漏れの有無を試験するための方法及びシステムであり、該試験は、該電子デバイスを破壊しない。密封したパッケージ内における漏れを検出する１つの方法においては、密封したパッケージを試験ガス環境内に配置し、それによって、該試験ガスが該密封パッケージ内において形成されている漏れ部を通じて該密封パッケージの内部空間内に拡散できるようにする。その後に、試験ガスが実質的に存在しない環境内に該密封パッケージを配置し、該試験ガスが該内部空間から外部に拡散できるようにする。次に、該試験ガスが存在しない環境内における該試験ガスの量を検出する。次に、該検出によって得られた情報に基づき、該密封パッケージが１箇所以上の意図していない漏れ部を有しているかどうかを決定する。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、一般的には、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関するものである。本発明は、より具体的には、微小電気機械システム(MEMS)における漏れの検出に関するものである。

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータ、及び電子機器を含む。微小機械要素は、基板及び／又は蒸着させた材料層の一部をエッチングによって除去するか又は材料層を追加することによって電気デバイス及び電気機械デバイスを形成する、蒸着、エッチング、及び／又はその他の微細加工プロセスを用いて製造することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つの型はインターフェロメトリックモジュレータと呼ばれている。インターフェロメトリックモジュレータは、一対の伝導性プレートを具備しており、これらのプレートの１方又は両方は、全体又は一部が透明及び／又は反射性であり、適切な電気信号を加えると相対運動をする。一方のプレートは、基板上に蒸着した固定層を具備しており、他方のプレートは、エアギャップによって該固定層から分離された金属膜を具備している。

該デバイスは用途が非常に広範囲であり、当業においては、これらの型のデバイスの特性を利用すること、及び／又は、既存製品の品質を向上させるに当たって及びまだ開発されていない新製品を創造するに当たってこれらの型のデバイスの特長を利用できるようにその特性を改修すること、が有益になる。本MEMS技術を利用して商業製品を設計する際には、コスト、信頼性及び製造性の各要件を考慮してパッケージを開発する。しかしながら、いくつかの型のMEMSデバイスは、パッケージ内に水分が浸入することが可能である場合には性能が低下することになる。

従って、これらのデバイスを水分のない環境内に保持するために、パッケージの完全性を試験するための正確でかつ好都合な方法が必要とされていた。

本発明のシステム、方法、及びデバイスは各々がいくつかの側面を有しており、いずれの単一の側面も、望ましい属性を確保する役割を単独で果たしているわけではない。以下では、本発明の適用範囲を限定することなしに、本発明のより顕著な特長について概説する。当業者は、該説明を検討後に、そして特に「発明を実施するための最良の形態」の部分を読んだ後に、本発明の特長がその他のディスプレイデバイスよりもいかに優れているかを理解することになる。

１つの実施形態は、電子デバイスにおける漏れを検出する方法を具備する。該検出方法においては、試験対象となる電子デバイスは、内部空間を有している。該電子デバイスは、試験ガスが実質的に存在しておらず、さらに、試験ガスを具備する試験ガス環境内に設置する。その後に、該電子デバイスは、該試験ガスが実質的に存在していない非試験ガス環境内に配置する。次に、該電子デバイスを該非試験ガス環境内に配置した状態で該試験ガスを検出する。

もう１つの実施形態は、電子デバイスにおける漏れを検出する方法を具備する。該検出方法においては、試験ガスを含有する充填室内において電子デバイスを維持する。同時点においては、該電子デバイスにはガスが実質的に存在していない。次に、試験ガスが実質的に存在していない検査室内に該電子デバイスを移動させる。次に、該電子デバイスを該検査室内に維持した状態で該検査室内に存在する試験ガスを検出する。

もう1つの実施形態は、電子デバイスにおける漏れを検出する方法を具備する。該検出方法においては、電子デバイスを室内に設置する。次に、該室内に試験ガスを供給して該室内において試験ガス環境を形成する。その後に、該室内から該試験ガスを押し流し、非試験ガスを該室内に供給して該室内において非試験ガス環境を形成する。次に、該試験ガス環境内に存在する該試験ガスを検出する。

さらにもう１つの実施形態は、上記の漏れ検出方法のうちの少なくとも１つの漏れ検出方法によって検査した電子デバイスを具備する。

さらに別の実施形態は、電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムを具備する。該システムは、充填室、検査室及び試験ガスセンサーを具備する。該充填室は、該充填室内において試験ガス環境を形成するために試験ガス供給源に接続されている。該検査室は、該検査室内において非試験ガス環境を形成するために非試験ガス供給源に接続されている。該検査室は、該試験ガスの供給源には接続されていない。該試験ガスセンサーは、該検査室に接続されており、さらに、該検査室内に存在する該試験ガス又は該検査室から流出した該試験ガスを検出するように構成されている。

さらに別の実施形態は、電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムを具備する。該システムは、試験室、試験ガス供給源、非試験ガス供給源及び試験ガスセンサーを具備する。該試験ガス供給源は、該試験室に接続されており、さらに、該試験室内に試験ガスを供給するように構成されている。該試験ガス供給源は、該試験室に接続されており、さらに、該試験室内に非試験ガスを供給するように構成されている。該試験ガスセンサーは、該試験室に接続されており、さらに、該試験室内に存在する該試験ガス又は該試験室から流出した該試験ガスを検出するように構成されている。

さらにもう１つの実施形態は、電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムを具備する。該システムは、試験ガスを具備する試験ガス環境を提供するための手段を具備する。該システムは、試験ガスが実質的に存在していない非試験ガス環境を形成するための手段をさらに具備する。該システムは、試験対象デバイスが該非試験ガス環境内にあるときに該試験ガスを検出するための手段をさらに具備する。

以下に示した詳細な説明は、本発明のいくつかの具体的な実施形態を対象にしたものである。しかしながら、本発明は、数多くの異なった形で具体化することが可能である。本説明では図面を参照しており、同一のものについては図面全体に渡って同一の参照数字を付してある。以下の説明から明らかになるように、本発明は、動画（映像、等）又は静止画（静止画像、等）のいずれであるかにかかわらず、さらに、テキスト又は絵のいずれであるかにかかわらず、画像を表示するように構成されているあらゆる装置において実装することができる。さらに、これよりも重要なことであるが、本発明は、非常に様々な電子機器、例えば、移動電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、携帯式コンピュータ、ポータブルコンピュータ、GPS受信装置／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤー、カムコーダー、ゲームコンソール、腕時計、柱時計、計算器、テレビモニター、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、自動車の表示盤（オドメーターの表示盤、等）、コックピットの制御盤及び／又は表示盤、カメラのディスプレイ(車両内のリアビューカメラのディスプレイ、等)、電子写真、電子広告掲示板又は看板、プロジェクター、建築構造物、梱包、美的構造物（宝石上におけるイメージの表示、等）（但し、これらの電子機器に限定するものではない）の内部に又はこれらの電子機器と関連させて実装することができる。さらに、本出願明細書において説明しているＭＥＭＳデバイスと同様の構造を有するＭＥＭＳデバイスは、電子式開閉装置等の表示以外の用途においても使用することができる。

本出願明細書においては、パッケージに実装した電子デバイスに関する漏れ検出試験を対象にした様々な実施形態を示してある。１つの実施形態においては、試験ガスは、例えば真空内及び高圧のいずれでもない非破壊状態下において電子デバイス内に拡散することができる。次に、該試験ガスは、同じく非破壊状態下において該電子デバイス内から流出することができ、該電子デバイスの外部において該試験ガスを検出する。代替として、該電子デバイス内部に存在する該試験ガスを検出することができる。この技術においては、電子デバイスを破壊せずに及び電子デバイスのいずれの一部分も破壊せずに漏れを検出することができる。該漏れ検出試験は、実装工程の質を向上させるために及び信頼性に関する不具合を調査するために利用することができる。さらに、該漏れ検出試験は、品質管理目的のために使用することができる。

干渉型ＭＥＭＳ表示素子を具備する１つのインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの実施形態を図１に例示してある。これらのデバイスにおいて、画素は、明るい状態又は暗い状態のいずれかである。明るい（「オン」又は「開いた」）状態においては、該表示素子は、入射可視光の大部分をユーザーに対して反射させる。暗い（「オフ」又は「閉じた」）状態においては、表示素子は、ユーザーに対して入射可視光をほとんどまったく反射させない。該「オン」状態及び「オフ状態」の光反射特性は反転させることができ、実施形態に依存する。ＭＥＭＳ画素は、白黒に加えてカラーディスプレイを考慮して、主に選択された色において反射するように構成させることができる。

図１は、ビジュアルディスプレイの一連の画素内の２個の隣接する画素を描いた等大図であり、各画素は、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを具備している。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータのロー／コラムアレイを具備している。各インターフェロメトリックモジュレータは、一対の反射層を含んでいる。これらの一対の反射層は、可変でかつ制御可能な距離に互いに配置されており、少なくとも１つの可変寸法を有する共鳴光学空洞を形成している。１つの実施形態においては、該反射層のうちの１つは、２つの位置の間を移動させることができる。第１の位置（本出願明細書では解放状態と呼んでいる）においては、該移動可能な反射層は、固定された部分的反射層から相対的に遠く離れた距離に配置されている。第２の位置においては、該移動可能な層は、該部分的反射層のほうにより近づけて配置されている。これらの２つの反射層から反射された入射光は、該移動可能な層の位置に依存して建設的に又は破壊的に干渉し、各画素に関して全体的な反射状態又は非反射状態を作り出す。

図１において、画素アレイのうちの描いた部分は、２つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ及び１２ｂを含んでいる。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａにおいては、移動可能で反射能力が非常に高い層１４ａが、固定された部分的反射層１６ａから予め決められた距離にある位置において解放された状態になっている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂにおいては、移動可能で反射能力が非常に高い層１４ｂが、固定された部分的反射層１６ｂに隣接した位置において作動された状態になっている。

上記の固定層１６ａ及び１６ｂは、電導性で、部分的に透明でさらに部分的反射性であり、例えば、各々がクロム及びインジウム−スズ酸化物から成る１つ以上の層を透明な基板２０上に蒸着することによって製造する。後述するように、これらの層は、平行なストリップから成るパターンが付けられており、ディスプレイデバイス内においてロー電極を形成している。移動可能層１４ａ及び１４ｂは、ポスト１８の頂部に蒸着した（ロー電極１６ａ及び１６ｂと直交の）蒸着金属層の一連の平行ストリップとして及びポスト１８間に蒸着した介在犠牲材料として形成することができる。該犠牲材料をエッチングによって取り除くと、変形可能な金属層が定められたエアギャップ１９よって固定金属層から分離される。変形可能な層には伝導性が高い反射性材料（アルミニウム、等）を用いることができ、これらのストリップは、ディスプレイデバイス内においてコラム電極を形成する。

図１において画素１２ａによって例示したように、電圧が印加されていない状態では、空洞１９は層１４ａ及び１６ａの間にとどまっており、変形可能層は、機械的に緩和された状態になっている。しかしながら、選択したロー及びコラムに電位差を印加すると、対応する画素におけるロー電極及びコラム電極の交差部において形成されているコンデンサが荷電され、静電力がこれらの電極を引き寄せる。図１内の右側の画素１２ｂによって例示したように、電圧が十分に高い場合は、移動可能層が変形されて固定層に押し付けられる（本図に示していない誘電材料を固定層に蒸着することによって短絡を防止すること及び分離距離を制御することができる）。この挙動は、印加した電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射性対非反射性画素状態を制御することができるロー／コラム作動は、従来のＬＣＤ及びその他の表示技術において用いられている作動と多くの点で類似している。

図２乃至５は、表示用途においてインターフェロメトリックモジュレータアレイを用いるための１つの典型的なプロセス及びシステムを例示した図である。図２は、本発明のいくつかの側面を組み入れることができる電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。この典型的実施形態においては、該電子デバイスはプロセッサ２１を含んでおり、該プロセッサ２１は、あらゆる汎用の単チップ又は多チップのマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、ＰｏｗｅｒＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）、等）、又は、あらゆる専用マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイ、等）にすることができる。当業においては従来の方法であるが、プロセッサ２１は、１つ以上のソフトウエアモジュールを実行するように構成することができる。プロセッサ２１は、オペレーティングシステムを実行することに加えて、１つ以上のソフトウエアアプリケーション（例えば、ウェブブラウザー、電話に関するアプリケーション、電子メールプログラム、又はその他のあらゆるソフトウエアアプリケーション）を実行するように構成することができる。

１つの実施形態においては、プロセッサ２１は、アレイコントローラ２２と通信するようにも構成されている。１つの実施形態においては、アレイコントローラ２２は、画素アレイ３０に信号を供給するロードライバ回路２４及びコラムドライバ回路２６を含む。図１に示した画素アレイの横断面は、図２では線１−１によって示してある。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータにおいては、ロー／コラム作動プロトコルは、図３に示したこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、移動可能層を解放状態から作動状態に変形させるためには１０Ｖの電位差が必要である。しかしながら、同値から電圧を減じたときには、移動可能層は、電圧が低下して再び１０Ｖよりも低くなる間にその状態を維持する。図３に示した典型的実施形態においては、移動可能層は、電圧が２Ｖよりも低くなるまで完全には解放されない。このため、図３に示した例においては、約３乃至７Ｖの電圧範囲が存在しており、デバイスが解放された状態又は作動された状態において安定している印加電圧の窓が存在している。本出願明細書では、この窓を「ヒステリシスウインドー」又は「安定ウインドー」と呼んでいる。図３に示したヒステリシス特性を有する表示アレイの場合は、ローストローブ中に、ストローブされたロー内の作動対象画素が約１０Ｖの電圧差にさらされ、さらに、解放対象画素が約ゼロＶの電圧差にさらされることになるようにロー／コラム作動プロトコルを設計することができる。ストローブ後は、画素は、約５Ｖの定常状態電圧差にさらされ、このため、ローストローブによって置かれたあらゆる状態にとどまる。本例においては、各画素は、書かれた後には、３乃至７Ｖの「安定ウィンドー」内において電位差にさらされる。この特長は、図１に示した画素設計を、作動状態又は先在する解放状態のいずれであるかにかかわらず同じ印加電圧状態の下で安定させることになる。インターフェロメトリックモジュレータの各画素は、作動状態又は解放状態のいずれであるかにかかわらず、本質的には、固定反射層および移動可能反射層によって形成されたコンデンサであるため、この安定状態は、電力散逸がほとんどゼロの状態でヒステリシスウインドー内のある１つの電圧において保持することができる。本質的に、印加電位が固定されている場合は、画素内には電流は流れ込まない。

典型的な用途においては、第１のロー内の駆動画素の所望の組に従ってコラム電極の組を選択(asserting)することによって表示フレームを製造する。次に、ローパルスをロー１電極に加え、選択したコラムラインに対応する画素を駆動する。次に、選択したコラム電極の組を変更し、第２ロー内の所望の駆動画素の組に対応させる。次に、ロー２電極にパルスを加え、選択したコラム電極に従ってロー２内の該当画素を駆動する。この際、ロー１の画素は、ロー２のパルスによる影響を受けず、ロー１のパルス中に設定された状態にとどまる。このプロセスを一連のロー全体に関して逐次的に繰り返すことによって表示フレームを生成する。一般的には、これらの表示フレームは、希望する何らかの１秒当たりのフレーム数の時点において、該プロセスを連続的に繰り返すことによって一新されるか及び／又は新しい表示データによって更新される。画素アレイのロー電極及びコラム電極を駆動して表示フレームを生成するためのプロトコルは非常に様々であることが良く知られており、これらのプロトコルを本発明と関連させて使用することができる。

図４及び５は、図２の３ｘ３のアレイ上において表示フレームを製造するための１つの可能な作動プロトコルを例示した図である。図４は、図３のヒステリシス曲線を示している画素に関して使用することができる一組のロー／コラム電圧レベルを示した図である。図４の実施形態において、画素を駆動することは、該当するコラムを−Ｖｂｉａｓに設定すること及び該当するローを＋ΔＶに設定することが関わっており、これらの電圧は、−５Ｖ及び＋５Ｖにそれぞれ該当する。画素の解放は、該当するコラムを＋Ｖ_ｂｉａｓに設定してさらに該当するローを同じ＋ΔＶに設定し、該画素においてゼロボルトの電位差を作り出すことによって達成させる。ロー電圧がゼロボルトに保持されているローにおいては、画素は、コラムが＋Ｖ_ｂｉａｓ又は−Ｖ_ｂｉａｓのいずれであるかにかかわらず、最初に置かれていた状態において安定している。同じく図４において、上記の電圧とは反対の極性の電圧を使用できること、例えば、画素を駆動することは、該当するコラムを＋Ｖ_ｂｉａｓに設定して該当するローを−ΔＶに設定することを関わらせることができる、という点が高く評価されることになる。本実施形態においては、画素の解放は、該当するコラムを−Ｖ_ｂｉａｓに設定してさらに該当するローを同じ−ΔＶに設定し、該画素においてゼロボルトの電位差を作り出すことによって達成させる。

図５Ｂは、図２の３ｘ３のアレイに加えた一連のロー信号及びコラム信号を示したタイミング図であり、結果的には、図５Ａに示した表示配置になる（同図における作動画素は非反射性である）。図５Ａに示したフレームを書く前においては、画素はあらゆる状態になることが可能であり、本例では、すべてのローが０Ｖ、すべてのコラムが＋５Ｖである。これらの電圧を印加した状態では、すべての画素は、印加以前における作動状態又は解放状態で安定している。

図５Ａのフレームにおいては、画素（１、１）、（１、２）、（２、２）、（３、２）及び（３、３）を駆動する。該駆動するためには、ロー１に関する「ラインタイム」中に、コラム１及び２を−５Ｖに設定し、コラム３を＋５Ｖに設定する。この場合、すべての画素が３Ｖ乃至７Ｖの安定ウィンドー内にとどまっているためいずれの画素の状態も変化しない。次に、パルスを用いてロー１をストローブし、０から最高５Ｖまで上昇させて０に戻る。この動作は、画素（１、１）及び（１、２）を作動させ、画素（１、３）を解放する。画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。ロー２を希望どおりに設定するためには、コラム２を−５Ｖに設定し、コラム１及び３を＋５Ｖに設定する。これで、ロー２に加えられた同じストローブが、画素（２、２）を作動させ、画素（２，１）及び（２、３）を解放する。この場合も、画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。同様に、コラム２及び３を−５Ｖに設定し、コラム１を＋５Ｖに設定することによってロー３を設定する。ロー３のストローブは、ロー３の画素を図５Ａに示したように設定する。表示フレームを書いた後は、ロー電位はゼロであり、コラム電位は、＋５Ｖ又は−５Ｖのいずれかにとどまることができ、従って、図５Ａに示した配置において表示が安定する。この手順は、何十ものローとコラムのアレイさらには何百ものローとコラムのアレイに関しても採用できるという点が高く評価されることになる。さらに、ロー及びコラムの作動を実施するために用いるタイミング、順序、及び電圧レベルは、上述した一般原理内において大きく変化させることが可能である点、及び、上例は典型的な例であるにすぎず、本発明の適用範囲内においてあらゆる作動電圧方法を用いることができる点、も高く評価されることになる。

上記の原理に従って動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の細部は、大きく変更することができる。例えば、図６Ａ乃至６Ｃは、移動式鏡構造物の３つの異なった実施形態を示した図である。図６Ａは、図１の実施形態の横断面であり、直交的に延びている支持物１８の上に細長い金属材料１４が蒸着されている。図６Ｂにおいては、移動可能な反射材料１４が、支持物の角のみに取り付けられている（テザー３２の上）。図６Ｃにおいては、移動可能な反射材料１４は、変形可能な層３４から吊り下げられている。この実施形態においては、反射材料１４に関して用いられる構造設計および材料を光学的性質に関して最適化することができ、さらに、変形可能層３４に関して用いられる構造設計および材料を希望する機械的性質に関して最適化することができるためいくつかの利点を有している。尚、様々な出版物（例えば、U.S. Published Application 2004/0051929、等）において様々な型の干渉型デバイスの生産に関する説明が行われている。さらに、材料蒸着、パターン化、及びエッチングの一連の手順が関わる上記の構造物は、非常に様々な良く知られた技術を用いて生成することができる。

ＭＥＭＳ技術では、水分のない状態にすることが要求されない。このため、ＭＥＭＳデバイスを実装する際には、このような水分のない状態をパッケージ内において作り出す必要がなくさらには水分障壁を作り出す必要もない。さらに、ＭＥＭＳ技術では、ＭＥＭＳデバイスの動作の信頼性を保証するための特別な充填ガス環境も真空環境も要求されない。しかしながら、ＭＥＭＳデバイスのパッケージ内における湿度を相対的に低く維持することが有利である。

上記の懸念事項に鑑みて、ＭＥＭＳデバイスのパッケージは、密封すること、即ち実装したＭＥＭＳデバイス内に水蒸気が実質的にまったく入らないようにすること、ができる。代替として、より実際的なＭＥＭＳデバイスの実装は、該ＭＥＭＳデバイスの希望する使用寿命中にディスプレイの動作の信頼性に対して影響を及ぼさない浸透速度でシールを通じて水蒸気が浸透可能な状態で該ＭＥＭＳデバイスを密封することである。浸透可能なシールを用いるこの手法は、乾燥剤を用いることによってパッケージ内の水蒸気を吸収することと組み合わせることができる。

図７は、ＭＥＭＳデバイス７００の１つの典型的な実装構成の横断図である。基板７０３において、いくつかのインターフェロメトリックモジュレータ素子が配列されてＭＥＭＳ配列７０１を形成している。基板７０３は、図１の透明な器具２０に対応している。これらのインターフェロメトリックモジュレータ素子は、図１のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ及び１２ｂを具備している。各インターフェロメトリックモジュレータ素子は、互いに向かい合っていてその間に上記の干渉空洞を形成する２枚の鏡を含む。これらの２枚の鏡のうちの一方の鏡は、基板７０３の表面７０５上におけるカラー光の表示を干渉型変調によって制御するために、他方の鏡に対する位置を変えそれによって該空洞の奥行きを変えるように構成されている。

ＭＥＭＳ配列７０１の上方にはバックプレート７０７が配置されている。バックプレート７０７及び基板７０３は、シール７０９によって互いに接続されており、シール７０９は、その周縁部が基板７０３及びバックプレート７０７によって挟まれている。もう１つの実施形態においては、バックプレート７０７は、介在シールなしで直接基板７０３に接続することができる。この構成は、例えば、ＭＥＭＳ配列７０１の上に犠牲層を蒸着し(図示していない)、ＭＥＭＳ配列７０１の上にバックプレート７０７を蒸着し、次に該犠牲層を取り除くことによって形成することができる。例示した実施形態においては、バックプレート７０７の内面上に乾燥剤層７１１が形成されている。乾燥剤層７１１内の乾燥剤は、ＭＥＭＳ配列７０１内のインターフェロメトリックモジュレータ素子の適切な動作を保証するために、水の分子を吸収して低い湿度レベルを維持する。もう１つの実施形態においては、乾燥剤層を形成させない。

上述したように、基板７０３及びバックプレート７０７によって挟まれたシール７０９は、デバイス７００を実質的に密封することができる。この場合には、水の分子又は水蒸気は、シール７０９の材料内を通り抜けることができない。代替として、シール７０９は、水蒸気又は水の分子があるレベルで浸透して該シールを通り抜けるのを許容する。いずれの手法においても、デバイス７００は、多くの理由によって１つ以上の漏れ部を有している可能性がある。「漏れ部」とは、パッケージの壁又は継手内に存在する割れ又は孔のうちで、水蒸気が許容可能な浸透速度よりも高速の浸透速度でパッケージ中を拡散するのを可能にする意図していない割れ又は孔を指している。漏れ部は、デバイス７００を湿度のある状態下に置いた場合に水の分子又は水蒸気が許容されている浸透速度よりも高速の浸透速度でデバイス７００の内部まで拡散することを可能にする。デバイス７００の内部における湿度レベルの突然の上昇は、ＭＥＭＳ素子の動作と干渉するおそれがある。さらに、水の分子の拡散は、乾燥剤を急速に飽和させ、その結果デバイス７００が使用寿命よりも早期に故障することになるおそれがある。

図８において例示したように、漏れ部７１３及び７１４は、シール７０９自体における割れとして、又は、シール７０９及び基板７０３の間の界面又はシール７０９及びバックプレート７０７の間の界面における割れとして発生する（但し、これらの割れに限定するものではない）。これらの漏れ部７１３及び７１４は、デバイス７００の実装工程中に又は密封材料内の欠陥によって形成される可能性がある。様々な実施形態は、実装工程の質を向上させるため及び信頼性に関する不具合を調査するための漏れ検出試験を提供している。さらに、該漏れ検出試験は、品質管理目的のために使用することができる。

様々な実施形態は、漏れ検出試験方法及びシステムを提供している。いくつかの実施形態においては、漏れ検出試験は非破壊試験である。該非破壊試験は、試験対象デバイスの１箇所以上の部分を分解も破壊もせず、従って、試験実施後は、該デバイスは、欠陥に起因する漏れが発見されないかぎり製品の品質公差内にある。デバイスを高圧又は真空にさらすことは、デバイス７００の一部分が破壊されなくても変形した場合には破壊的であるみなすことができる。漏れ検出試験は、試験対象デバイスに加えられる圧力の下限値である約０．１ａｔｍ、０．２ａｔｍ、０．３ａｔｍ、０．４ａｔｍ、０．５ａｔｍ、０．６、０．７ａｔｍ、０．８ａｔｍ又は０．９ａｔｍよりも高い圧力下で実施することができる。さらに、漏れ検出試験は、試験対象デバイスに加えられる圧力の上限値である約１．１ａｔｍ、１．２ａｔｍ、１．３ａｔｍ、１．４ａｔｍ、１．５ａｔｍ、１．６ａｔｍ、１．７ａｔｍ、１．８ａｔｍ、１．９ａｔｍ、２ａｔｍ、２．１ａｔｍ、２．２ａｔｍ、２．３ａｔｍ、２．４ａｔｍ、２．５ａｔｍ、２．６ａｔｍ、２．７ａｔｍ、２．８ａｔｍ、２．９ａｔｍ又は３．０ａｔｍよりも低い圧力下で実施することができる。従って、試験対象デバイスは、充填段階および検査段階のうちのいずれかの段階中又はその両方の段階中には、下限値のうちの１つの値及び上限値のうちの１つの値の組合せによって定められた圧力範囲内にある圧力にさらされる。この点については以下において詳細に説明する。

図９は、１つの実施形態に従って漏れ検出試験を実施するためのシステム９００を示した図である。システム９００は、入口９０３及び出口９０５を有する試験室９０１を具備する。入口９０３は、クリーンガス制御弁９１１を通じてクリーンガス供給源に接続されている。さらに、入口９０３は、試験ガス制御弁９１１を通じて試験ガス供給源にも接続されている。代替として、２つの別個のガス供給入口（１方の入口がクリーンガス用及び他方の入口が試験ガス用）を入口９０３の代わりに使用することができる。以下では、クリーンガス及び試験ガスの選択について詳細に説明する。

出口９０５は、排出制御弁９０７を通じて排出部に接続されている。又、出口９０５の通路にはセンサー（即ちスニファ：sniffer）９１３が接続されており、該センサーは、出口９０５の該通路内に存在しているか又は該通路内を流れる試験ガスを検出し及び／又は該試験ガスの濃度を測定する。センサー９１３は、少量の試験ガスを検出できる感度を有していなければならない。例えば、センサー９１３の感度レベルは、約０．１ｐｐｍ乃至約１０ｐｐｍである。当業者は、システム９００において使用するのに適したセンサーを選択することができる。センサー９１３は、出口９０５の通路の代わりに試験室９０１に直接接続することができる。オプションとして、試験室９０１内の圧力をモニタリングするための圧力計９１５が試験室９０１に接続されている。試験室９０１は、システム９００の様々な要素との接続部を実質的に気密にすることができる。

次に、図１０に示したプロセス流れ図を参照しつつシステム９００の動作について説明する。同図においては、残りのステップを変更せずにステップを追加すること及び／又はいくつかのステップを省略することができ、特定の実施形態に依存する。尚、図示していないが、ステップ１００１を実施する前に試験室９０１を清浄化すること、フラッシングする（押し流す）こと又は真空化することができる。当業者は、試験室９０１の清浄化、フラッシング又は真空化に利用可能な方法または工程を高く評価することになる。ステップ１００１において、試験対象となるＭＥＭＳデバイス９１７を、開口部又はドア（図示していない）を通じて試験室９０１内に設置する。該開口部又はドアは、ステップ１００１において可逆的な形でＭＥＭＳデバイス９１７を設置後に気密状態にすることができ、該開口部又はドアの気密状態は、試験室９０１及び／又は該開口部又はドアを損傷させずに取り除くことができる。当業者は、該開口部又はドアを可逆的な形で気密状態にするために利用可能な技術を高く評価することになる。

ステップ１００２に進み、試験室９０１は、例えば試験ガス制御弁９１１を開けることによって試験ガスを充填する。１つの実施形態においては、排出制御弁９０７を開くこともできる。流入する試験ガスの圧力は、前述したように、試験対象デバイス９１７のいずれの部分も破壊せずかつ変形させないように調整する。デバイス９１７を破壊する圧力は、デバイス９１７内の各部及び接続部の構造上の強度に依存して異なる。当業者は、デバイス９１７にとって破壊的でない適切な圧力を高く評価することになる。試験ガスは、ほぼ大気圧で試験室９０１に供給する（但し、該大気圧に限定するものではない）。試験室９１７内に流入する試験ガスの圧力は、約１．０ａｔｍ乃至約１．５ａｔｍにすることができる。さらに、試験室９１７内に流入する試験ガスの圧力は、約１．１ａｔｍ乃至約１．２ａｔｍにすることができる
次に、ステップ１００３において、デバイス９１７は、試験ガスを充填した試験室９０１内にある一定の時間維持する。１つの実施形態においては、デバイス９１７は、試験ガスがデバイス９１７の内部空間内まで浸透又は拡散できるようにするために可能かぎり長時間にわたって維持する。しかしながら、実際上は、単一の試験に要する時間を短縮するために、該試験時間は、約５秒乃至約３０００秒にすることができる。もう１つの実施形態においては、該試験時間は、約３０秒乃至約３００秒にすることができる。さらに、該試験時間は、約６０秒乃至約１２０秒にすることができる。

デバイス９１７を試験室９０１内に提供する１つの実施形態においては、試験ガス制御弁９１１及び排出制御弁９０７は、ステップ１００２において希望する圧力で試験室９０１に試験ガスを充填後に閉じる。次に、デバイス９１７は、該閉じた試験室９０１内において適切な時間にわたって供給する。別の実施形態においては、ステップ１００２において希望する圧力で試験室９０１に試験ガスを充填した後にも、試験室９０１への試験ガスの供給を続ける。この実施形態においては、該試験ガスの供給を続けている間に、試験室９０１内の圧力が蓄積して試験デバイスを破壊することがないようにするために排出も続けることができる。１つの実施形態においては、試験室９０１への試験ガスの供給及び試験室９０１からの試験ガスの排出は、実質的に安定した状態で該当する時間にわたって継続させることができる。ステップ１００４に進む前に、該連続供給を停止させる。１つの実施形態においては、試験ガスの圧力は、約１．０ａｔｍ乃至約１．５ａｔｍにすることができる。別の実施形態においては、試験ガスの圧力は、約１．１ａｔｍ乃至約１．２ａｔｍにすることができる。さらに、該圧力は、実質的に一定のレベルで維持することができる。

水の分子が拡散してデバイス９１７内に入り込むことを可能にする１つ以上の漏れ部７１３及び７１４をデバイス９１７が有している場合は（図８）、試験ガスもデバイス９１７の内部に入り込むことになる。デバイス９１７の外部及び内部の間には試験ガスの濃度勾配が存在しているため、デバイス９１７の内部への試験ガスの拡散は自然発生的である。しかしながら、デバイス９１７は、密封しないかぎり、デバイス９１７の内部に試験ガスがある程度浸透することが依然として可能である。

次にステップ１００４に進み、デバイス９１７を引き続き試験室９０１に配置した状態で、試験室９０１内に充填した試験ガスを、出口９０５を通じて試験室９０１から押し出す。１つの実施形態においては、排出制御弁９０７を開けながら試験室９０１にクリーンガスを供給し、それによって、出口９０５を通じて試験室９０１から試験ガスを押し出す。１つの実施形態においては、クリーンガス供給圧力は、デバイス９１７のいずれの部分も破壊せずかつ変形させないように調整することができる。上述したように、デバイス９１７を破壊する圧力は、デバイス９１７内の各部及び接続部の構造上の強度に依存して異なる。当業者は、デバイス９１７にとって破壊的でない適切な圧力を高く評価することになる。クリーンガスは、ほぼ大気圧で試験室９０１に供給する（但し、該大気圧に限定するものではない）。１つの実施形態においては、試験室９０１に供給するクリーンガスの圧力は、約１．０ａｔｍ乃至約１．５ａｔｍにすることができる。もう１つの実施形態においては、クリーンガスの圧力は、約１．１ａｔｍ乃至約１．２ａｔｍである。さらに別の実施形態においては、試験ガスは、排出部内を真空にすることによって出口９０５を通じて吸い出すことができる。

次に、ステップ１００５において、センサー９１３は、試験ガスの存在を検出し及び／又は試験ガスの絶対量又は相対量を測定する。１つの実施形態においては、センサー９１３は、クリーンガスを試験室９０１内に連続的に供給しながら又はクリーンガスを試験室９０１内に供給せずに、出口９０５を通る排出ガスから試験ガスを検出する。もう１つの実施形態においては、センサー９１３は、排出制御弁９０７を閉じた状態で試験室９０１からの試験ガスを検出する。センサー９１３の動作は、クリーンガス制御弁９０９及び排出制御弁９０７の両方の制御弁を開けた状態で、クリーンガスを試験室９０１内に連続的に流入させながらさらに試験室９０１内に存在するガスを出口９０５から連続的に流出させながら行うことができる。さらに、センサー９１３の動作は、定常状態で、即ち、入口９０３及び出口９０５における流量が実質的に同じ状態で、行うことができる。

ステップ１００４において試験ガスのフラッシングを開始時に又はその後まもなく、デバイス９１７に１つ以上の漏れ部７１３及び７１４が存在しており（図８）さらに充填ステップ１００２中及び維持ステップ１００３中に漏れ部７１３及び７１４を通じて試験ガスがデバイス９１７の内部に侵入した場合には、デバイス９１７の内部からデバイス９１７の外部への逆拡散が生じる。この場合も、デバイス９１７の内部及び外部の間には濃度勾配が存在するため、デバイス９１７の内部からデバイス９１７の外部への試験ガスの拡散は自然発生的である。デバイス９１７内に漏れ部が存在しない場合でも、充填ステップ４０２中及び維持ステップ４０３中に試験ガスのうちのある程度の量がデバイス９１７の内部に浸透した場合には、デバイス９１７の内部からデバイス９１７の外部への何らかの試験ガスの逆浸透が生じる可能性がある。センサー９１３による検出は、フラッシングステップ１００４の開始時に又は該フラッシングの開始後まもなく始まる。

次に、ステップ１００６において、センサー９１３から入手した情報に基づいてデバイス９１７の漏れ特性を決定することができる。該漏れ特性は、漏れ部の存在、該漏れ部の大きさ、等を含む。この決定は、いずれかの要員又は該決定を行うようにプログラミングされた自動機械によって行うことができる。以下では、該漏れ特性の決定についてさらに詳細に説明する。

図１１は、図９に示した試験室９０１内及びデバイス９１７の内部における試験ガス圧の経時での典型的な状況を示した図である。Ｔ_０からＴ_１までの時間は、一般的には、ステップ１００２（即ち、試験室９０１内への試験ガスの充填）に該当する時間である。Ｔ_１からＴ_２までの時間は、一般的には、ステップ１００３（即ち、試験ガスを充填した試験室９０１内におけるデバイス９１７の維持）に該当する時間である。Ｔ_２からＴ_３までの時間は、一般的には、ステップ１００４（試験室９０１からの試験ガスのフラッシング）に該当する。センサーの動作は、Ｔ_２において又はその後のあらゆる時間において開始する。但し、これらの時間に限定するものではない。状況１１０１は、試験室９０１内の試験ガスの供給及びフラッシングによって試験室９０１内において生じる分圧の変化を表している。状況１１０３は、デバイス９１７内における分圧の変化を表している。

図１２Ａは、充填時間中に、即ち、試験室９０１への試験ガスの充填開始（ステップ１００２）から試験室９０１からの試験ガスのフラッシング（ステップ１００４）前までに、異なった漏れ速度を有する３つのサンプルデバイスの内部における試験ガスの典型的な分圧状況を示した図である。曲線１２０１は、高い漏れ速度（約１０^−３ａｔｍ−ｃｃ／秒以上）を表している。該高い漏れ速度は、総漏れ量が大きいことであり、単一の大きな漏れ部又はそれよりも小さい複数の漏れ部が存在すると解釈される。試験ガスは、漏れ速度が高速であるため、試験ガスを試験室９０１に供給時点においてデバイス９１７の内部に急速に拡散する。曲線１２０３は、低い漏れ速度（約１０^−５ａｔｍ−ｃｃ／秒以下）を表している。漏れ速度が低速であるため、デバイス９１７内部の試験ガスの分圧は、時間の経過に従ってゆっくりと上昇する。曲線１２０２は、中間的な漏れ速度（約１０^−４ａｔｍ−ｃｃ／秒）を表している。

図１２Ｂは、センサー動作時間中又は検査時間中に、即ち、一般的にはフラッシング（ステップ１００４）の開始時から、異なった漏れ速度を有する３つのサンプルデバイスの内部における試験ガスの典型的な分圧状況を示した図である。曲線１２０４は、高い漏れ速度（約１０^−３ａｔｍ−ｃｃ／秒以上）を表している。試験ガスを試験室９０１から押し流すと、デバイス内部の試験ガスが急速に拡散して漏れ部７１３及び７１４を通じて流れ出る。このため。デバイス内部の試験ガスの分圧は、急速に低下する。曲線１２０６は、低い漏れ速度（約１０^−５ａｔｍ−ｃｃ／秒以下）を表しており、小さい漏れ部７１３及び７１４を有するデバイスであると解釈される。この場合は、総漏れ量が小さいため、試験ガスが漏れ部７１３及び７１４からデバイス外に拡散するのに要する時間はその他のサンプルデバイスよりも長くなる。このため、デバイス内部の試験ガスの分圧はゆっくり低下し、従って、試験ガスがデバイス外に拡散する時間はその他のサンプルデバイスより長くなる。曲線１２０５は、中間的な漏れ速度（約１０^−４ａｔｍ−ｃｃ／秒）を表している。

図１３Ａ及び図１３Ｂは、試験室９０１がデバイス９１７の内部空間の約１０００倍であるときの試験室９０１内部における試験ガス量又は試験室９０１の排出部における試験ガス量の典型的な状況を示した図である。該グラフにおいては、検査開始時には試験室９０１内には試験ガスが存在していないと想定している。図１３Ａは、検査中に試験室９０１内にガスが供給されずかつ試験室９０１からガスが排出されない閉鎖システムにおける試験ガス濃度（ｐｐｍ）状況を示した図である。時間は、デバイス９１７への充填終了時に始まり（ｔ＝０）、検査は、１００秒の時点で開始する。１００秒までの時間は、試験ガスを試験室９０１から押し流して試験室９０１にクリーンガスを充填することに該当する。代替として、１００秒までの時間は、後述する検査室９０１ｂ（図１４）までのデバイス９１７の移動に該当する。

曲線１３０１は、高い漏れ速度を表している（約１０^−３ａｔｍ−ｃｃ／秒以上）。試験ガスを試験室９０１から押し流すと、デバイス９１７内部の試験ガスが急速に拡散して漏れ部を通じて流出する。１００秒までの時間中に、大量の試験ガス（本モデルでは約２／３）がデバイス９１７から漏出する。さらに、試験ガスのうちの残りの量（１／３）も依然として急速に拡散してデバイス９１７から流出することになり、このため、検査開始後まもなく飽和する。曲線１３０２は、中間的な漏れ速度（約１０^−４ａｔｍ−ｃｃ／秒）を表しており、曲線１３０３は、低い漏れ速度（約１０^−５ａｔｍ−ｃｃ／秒以下）を表している。さらに、曲線１３０２及び１３０３は、約１０００ｐｐｍにおいて飽和する（但し図示していない）。

図１３Ｂは、検査中にクリーンガスを連続的に試験室９０１内に供給して同じ量のガスを連続的に排出させる開放システムにおける試験ガス濃度（ｐｐｍ）を示した図である。時間は、デバイス９１７への充填終了時に始まり（ｔ＝０）、検査は、６０秒の時点で開始する。６０秒までの時間は、試験ガスを試験室９０１から押し流してクリーンガスを試験室９０１に充填することに該当する。代替として、６０秒までの時間は、後述する検査室９０１ｂ（図１４）までのデバイス９１７の移動に該当する。曲線１３０４は、高い漏れ速度を表している（約１０^−３ａｔｍ−ｃｃ／秒以上）。デバイス９１７内の試験ガスは、該フラッシング又は移動の開始時から急速に拡散して大きな漏れ部から流れ出す。高い漏れ速度曲線１３０４において、試験室９０１内の試験ガス濃度は急速に低下し、試験ガスは、約６００秒の時点で試験室９０１において実質的に枯渇する。曲線１３０５は、中間的な漏れ速度（約１０^−４ａｔｍ−ｃｃ／秒）を表しており、曲線１３０６は、低い漏れ速度（約１０^−５ａｔｍ−ｃｃ／秒以下）を表している。さらに、低い漏れ速度に関する曲線１３０６は、全体を通じてゼロよりもわずかに上の位置にとどまっている。

センサー９１３は、試験ガスの濃度及び／又は分圧を検出することができる。さらに、センサー９１３は、試験室９０１内又は排出ガス内に存在する試験ガスとクリーンガスの混合物内における試験ガスの濃度／分圧の変化をモニタリングすることができる。該モニタリングは、読取システム又は読取機械においてセンサー９１３の読取値を連続的に記録することによって実現させることができる。いくつかの実施形態においては、センサー９１３及びその関係する記録システム（図示していない）は、時間の経過に伴う試験ガスの濃度及び／又は分圧の変化をモニタリングする。１つの実施形態においては、該モニタリングは、時間Ｔ_２、Ｔ_３（図１１）又はこれらの時間の間のあらゆる時間に開始する。該モニタリングは、漏れ特性を決定することができる十分な時間にわたって続けられる。もう１つの実施形態においては、該モニタリングは、約２００秒、４００秒、６００秒、８００秒、１０００秒、１２００秒又は１４００秒にわたって続けられる。

センサー９１３及びその関係する記録システムによってモニタリングされた濃度及び／又は分圧の変化に関するデータは、デバイス９１７の漏れ特性を決定するために処理する。例えば、該データ処理は、試験室９０１において試験ガスの供給及びフラッシングを行うことのみによって生み出すことができる試験ガスの分圧をシミュレーションすることによって得られた分圧１１０１（例えば図１１）を、モニタリングした分圧（例えば図１３）から減じることを含む。該減じた結果得られる値は、デバイス９１７内から外部に拡散又は浸出した試験ガスの分圧である。この結果は、デバイス９１７の内部における対応する分圧に変換することができ、該分圧は、基本的には図１２Ｂにおいて作図した分圧である。これらの処理はすべて、コンピュータソフトウエアによって自動化することができる。当業者は、同計算を行いさらにセンサー９１３によって収集されたデータに基づいて総漏れ量を決定するためのソフトウエアを開発することができることになる。

次に、漏れ速度を決定するために用いることができる典型的な条件を示す。即ち、試験室の体積は、デバイス９１７の内部空間よりもはるかに大きする、例えば１０００：１にする。又、試験ガスを充填しさらにデバイス９１７を試験ガス内に維持する時間（Ｔ_０からＴ_２まで）は、試験ガスが試験室９０１及びデバイス９１７内部の間で平衡状態に達することができる十分に長い時間にする。いくつかの実施形態においては、試験室９０１内に供給する試験ガスは、実質的に純粋（例えば純度９９％以上）である。試験室９０１をクリーンガスによってフラッシングする直前のデバイス９１７内部における試験ガスの分圧は、約１ａｔｍにする。試験ガス濃度の検出は、デバイス９１７の内部における試験ガスの分圧が該検出中に有意な変化をしないようにするため、デバイス９１７の漏れ速度との比較で十分に素早く実施する。センサー９１３は、試験ガス濃度をｐｐｍ範囲内で正確に測定することができる。モニタリング段階中における試験室９０１は、デバイス９１７よりも大幅には大きくせず、例えば約１０：１にする。モニタリング段階中には試験室９０１内のバックグラウンドガス内には試験ガスが存在していないため、デバイス９１７から試験ガスを押し出すための力は約１ａｔｍにする。上記の条件が満たされている場合には、例えば、試験ガスの漏れ速度及び試験ガス濃度の定常状態読取値の間の関係は以下のように表される。当業者は、以下の方程式を有意な形で変更することなく１つ以上の条件を修正できることを高く評価することになる。

漏れ速度（ａｔｍ−ｃｃ／秒）＝試験ガス濃度（ｐｐｍ）ｘ１０^−６ｘ試験室の体積＝試験ガス濃度（ｐｐｍ）ｘ１０^−５ｘ試験対象デバイスの体積

デバイス９１７が高速の漏れ速度(例えば約１０^−５ａｔｍ−ｃｃ／秒以上)を有している場合は（図１３の１３０１）、定常状態においては漏れを容易に検出することはできないことに注目すべきである。該漏れ速度は高速であるため、クリーンガスの供給及び排出ガスが定常状態に達する前であるフラッシング時間中に（図１１のＴ_２とＴ_３の間）試験ガスがデバイス９１７の外に拡散してしまう。しかしながら、入口９０３及び出口９０５の両方を閉じた流れのない閉鎖状態においてモニタリングを行えば、デバイス９１７内から漏出する試験ガス量を検出することができる。従って、定常状態でのモニタリングにおいて目立った漏れ特性が発見されない場合は、デバイスに大量の漏れが存在しているかどうかを決定するために、試験ガスの濃度／分圧の無流検出をさらに実施する。

試験ガスを選択する際には、デバイス９１７を組み立てている間に存在していないガスの中から選択することができる。この理由は、デバイス９１７の組立工程中に試験ガスが存在してる場合には、該試験ガスは、デバイス９１７の内部に閉じ込められるおそれがあり、その結果デバイス９１７における漏れの正確な検出を妨げることになるためである。従って、組立工程中に存在する空気の主要成分は、試験ガスとして適しないことになる。試験ガスは安定したガスであり、ＭＥＭＳデバイス内及び漏れ検出装置内に存在している空気及びその他の表面と反応しない。試験ガスは不活性ガスにすることができる。即ち、それ自体ではＭＥＭＳデバイス及びその表面を損傷させない。さらに、試験ガスは、デバイス９１７内に含有されている乾燥剤と反応しないガスの中から選択する。さらに加えて、試験ガスは、常温では気体相にとどまっているガスの中から選択する。例えば、上記の判定基準を満たしているガスは、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、等）及びいくつかのハロゲン化合物（ＳＦ_６、等）である。１つの実施形態においては、試験ガスは、分子が非常に小さいため非常に小さい漏れ部を通り抜けることができるＨｅにすることができる。ＭＥＭＳデバイスは、水蒸気の漏れによる影響を最も受けやすいため、試験ガスは、水の分子とほぼ同じ大きさであるガスの中から選択する。

１つの実施形態においては、試験ガスは、気体組成形態である１つ以上のその他のガスとともに試験室９０１に供給することができる。試験ガスは、その他のガスとともに供給するが、デバイス９１７の内部及び外部の間における試験ガスのみの分圧勾配が、デバイス９１７内への及びデバイス９１７外への試験ガスの拡散に対して影響を及ぼす。さらに、センサー９１３は、試験ガスのみの分圧及び／又は濃度を検出することができ、その他の成分ガスの分圧及び濃度は検出できない。

クリーンガスは、試験ガス以外のいずれかのガス又は試験ガスを含有していない混合ガスである。クリーンガスは安定しており、試験ガスと反応しない。いくつかの実施形態においては、クリーンガスは、Ｎ_２、Ａｒ、濾過した乾燥空気、等である。

図１４は、２つの部屋を利用した別の漏れ検出システム１４００を例示した図である。例示した実施形態においては、システム１４００は、試験ガス室９０１ａ及び検査室９０１ｂを具備する。試験ガス室９０１ａは、試験ガス制御弁９１１を通じて試験ガス供給源に接続された入口９０３ａを有している。検査室９０１ｂは、クリーンガス制御弁９０７を通じてクリーンガス供給源に接続された入口９０３ｂ、及び、排出制御弁９０９を通じて排出部に接続された出口９０５を有している。又、試験ガスの濃度を検出及び測定するためのセンサー（即ち嗅臭装置）９１３が出口９０５に接続されている。さらに、試験ガス室９０１ａには圧力計９１５ａが接続されており、検査室９０１ｂには圧力計９１５ｂが接続されている。尚、システム９００及びその要素に関する説明はすべて、その他の特別の説明がない限り、システム１４００及びその要素に対しても当てはまる。

試験ガス室９０１ａ及び検査室９０１ｂは、ほぼ同じ大きさで描かれているが、異なった大きさにすることができる。例えば、試験ガス室９０１ａは、検査室９０１ｂよりもかなり大きくすることができる。ある実施形態においては、試験ガス室９０１ａの体積は、検査室９０１ｂの体積の約１０倍乃至約５００倍である。その他の実施形態においては、試験ガス室９０１ａと検査室９０１ｂの比率は、約５０倍乃至約２００倍である。さらにその他の実施形態においては、該比率は、約８０倍乃至約１２０倍である。

図１５は、システム１４００を利用した漏れ検出試験プロセス流れ図である。図１５においては、残りのステップを変更せずにステップを追加すること及び／又は既存のいくつかのステップを省略することができ、実施形態に依存する。ステップ１５０１において、試験対象となるＭＥＭＳデバイス９１７を試験ガス室９０１ａ内に配置する。次に、ステップ１５０２において、試験ガス室９０１ａに試験ガスを充填する。ステップ１５０３に進み、試験ガスがデバイス９１７内に拡散又は浸透するようにするためにデバイス９１７を試験ガス室９０１ａ内に維持する。次に、ステップ１５０４において、デバイス９１７を検査室９０１ｂに移動させる。デバイス９１７を該移動後は、検査室９０１ｂは、可逆的な形で気密にすることができる。試験ガス室９０１ａから検査室９０１ｂへの該移動は敏速に行い、移動時間は、約３０秒乃至約２分以内である。次に、ステップ１５０５において、センサー９１３は、デバイス９１７から漏れ出た試験ガスを検出及び／又は測定する。センサー９１３によって収集された情報に基づき、漏れの存在及び／又は漏れ速度を決定する（ステップ１５０６）。図１５に示したプロセスステップは、本質的には図１０のプロセスと同じであり、相違点は、システム構成の違いに対処するために、試験室からの試験ガスのフラッシング（ステップ１００４）の代わりに検査室９０１ｂへのデバイス９１７の移動（ステップ１５０４）が用いられている点である。尚、システム９００に関するプロセスについての説明はすべて、その他の特別の説明がない限り、システム１４００に関するプロセス対しても当てはまる。
上記の実施形態は、一度に単一のデバイスを試験することに基づいて説明している。しかしながら、単一のシステム９００又は１４００を利用して同じ技術を用いて複数のデバイスを同時に試験することも可能である。試験を１回実施する際に複数のデバイスを試験することは、気密又は水密が要求されるＭＥＭＳデバイス又はその他の電子デバイスの密封品質を保証する上で特に有用である。例えば、上述したように、システム９００又は１４００において、無流状態及び定常状態の両方の状態下で複数のデバイスを試験する。無流状態下における試験結果では大量の試験ガス漏れが存在することが示されず、定常状態下における試験結果では低速の漏れのみが存在する（試験ガスの濃度がゆっくりと変化する）ことが示された場合には、該複数のデバイスは、低速の漏れを有する１つ以上のデバイスを含んでいると決定することができる。無流状態下における試験結果では大量の試験ガス漏れが存在することが示されず、定常状態下における試験結果では低速の漏れが存在することが示されない場合には、該複数のデバイスは、高速の漏れを有するデバイス及び低速の漏れを有するデバイスのいずれのデバイスも含んでいないと決定することができる。さらに、無流状態下における試験結果では大量の試験ガス漏れが存在することが示され、定常状態下における試験結果では低速の漏れが存在することがまったく示されない場合には、該複数のデバイスは、高速の漏れを有する１つ以上のデバイスを含んでいると決定することができる。

図１６は、さらにもう１つの実施形態を例示した図であり、同図においては、漏れ検出システム１６００は、試験ガス室９０１ａ及び試験ガス検出サブシステム１６０１を具備する。試験ガス室９０１ａは、図１４に示した試験ガス室とまったく同じにすることができる。図１４に示した試験ガス室９０１ａ及びその要素に関する説明はすべて、図１６に示した試験ガス室９０１ａ及びその要素に対しても当てはまる。以下では、試験ガス検出サブシステム１６０１についてさらに詳細に説明する。図１６では単一のデバイス９１７を例示してあるが、システム１６００は、試験を一回実施する際に複数のデバイスの漏れ検出試験を行うために使用することができる。当業者は、複数のデバイスの漏れ検出を一度に行う際にシステム１６００を用いるために必要な改修について高く評価することになる。

図１７は、システム１６００を利用した漏れ検出試験プロセス流れ図である。図１７においては、残りのステップを変更せずにステップを追加すること及び／又は既存のいくつかのステップを省略することができ、実施形態に依存する。ステップ１７０１において、試験１２９の対象となっているデバイス９１７を試験ガス室９０１ａ内に配置する。次に、ステップ１７０２において、試験ガス室９０１ａに試験ガスを充填する。ステップ１７０３に進み、試験ガスがデバイス９１７内に拡散又は浸透するようにするためにデバイス９１７を試験ガス室９０１ａ内に維持する。次に、ステップ１７０４において、デバイス９１７を試験ガス検出サブシステム１６０１に移動させる。次に、ステップ１７０５において、ステップ１１０２中及び／又はステップ１１０３中にデバイス９１７内に入った試験ガスを、試験ガス検出サブシステム１６０１において検出又は測定する。図１７に示したプロセスステップは、本質的には図１５のプロセスと同じであり、相違点は、検査室（ステップ１５０４）の代わりに試験ガス検出サブシステムを使用している点、及び、図１７はステップ１５０６に相当するステップを含んでいない点である。しかしながら、いくつかの実施形態においては、システム１６００を利用した漏れ検出試験プロセスは、検出ステップ１７０５において収集した情報に基づいて、デバイス９１７内に残存している試験ガスの量又はレベルを決定するためのステップを含むことができる。尚、システム１４００を利用した漏れ検出試験プロセスに関する説明はすべて、その他の特別の説明がない限り、システム１６００に関するプロセスに対しても当てはまる。

サブシステム１６０１の１つの実施形態においては、ある１つの範囲の波長の光をデバイス９１７に照射して可視光線の放出を検出する。この実施形態においては、試験ガスは、これらの波長の光にさらされたときに蛍光性又は燐光性を有するガスの中から選択する。この実施形態とともに使用する試験ガスは、例えば、ＳＯ_２、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ_２、等である。１つの実施形態においては、試験ガスは、紫外線（ＵＶ）に露光時に白熱するガスである。この実施形態が有する１つの利点は、ＵＶをデバイス９１７に照射する上で及び試験ガスから可視光線を放出させる上で基板７０３（図７及び８）が透明であることである。当業者は、この実施形態において試験ガスとして利用可能なガスについて高く評価することになる。

サブシステム１６０１に関する上記の実施形態において、デバイス９１７内における試験ガスの存在は、試験ガスからの可視光線の放出が環境と識別可能である限りにおいて人間の目で検出することができる。代替策として又は追加策として、可視光線の放出を検出する装置を採用することができる。この実施形態においては、試験ガス検出サブシステム１６０１は、光の波長を生み出すための光源（ＵＶ光源、等）を具備する。さらに、サブシステム１６０１は、試験ガスからの可視光線の放出を検出するための検出装置を具備することができる。当業者は、サブシステム１６０１及びその構成要素が有する様々な構造を高く評価することになる。

サブシステム１６０１のもう１つの実施形態においては、レーザービーム又はその他の光ビームをデバイス９１７に照射し、該レーザービーム又はその他の光ビームから放出された光子の吸収を検出する。試験ガスは、レーザービーム又はその他の光ビームとともに出て行くことができるエネルギーレベルにおいて光学上の遷移をするガスの中から選択する。説明した性質を有するガスは、例えばＮｅ及びＲｎである。当業者は、この実施形態において試験ガスとして利用可能なガスについて高く評価することになる。デバイス９１７内における試験ガスの存在は、レーザービーム又は光ビームから放出された光子を試験ガスが吸収することによって生じる該ビームの強度低下を測定することによって知ることができる。この実施形態の感度は、レーザービーム又はその他の光ビームの選択及び試験ガスの光学遷移強度に依存する。１つの実施形態においては、感度は、レーザービーム又は光ビームの経路がデバイス９１７内を複数回通るようにすることによって向上させることができ、この場合は、より大量の吸収が行われて強度低下が強まることになる可能性がある。

上記の実施形態においては、レーザービーム又はその他の光ビームは、試験デバイス９１７の透明な部分を通過させる。１つの実施形態においては、デバイス９１７は、レーザービーム又はその他の光ビームがデバイス９１７の前面及び裏面（図示していない）を通過するようにするための窓を具備する。透明な基板７０３の一部分（図７）は、デバイス９１７の前側７０５における窓として機能する。代替として、デバイス９１７は、鏡でできたセル（例えば反射性の金属面）に加えて、光ビームを通過させるための単一の窓を有することができる。当業者は、この実施形態におけるサブシステム１６０１及びその構成要素が有する様々な構造を高く評価することになる。

さらに別の実施形態においては、サブシステム１６０１は、試験ガスの原子物理学上の性質を利用する。この場合は、放射性ガスを試験ガスとして使用する。放射性ガスを使用すると健康上及び安全上の懸念が生じることになるため、非放射性同位体を代わりに使用することができる。試験ガスは、非常に選択的な核反応を用いて励起させる。例えば、ヘリウムの^３Ｈｅ同位体は、中性子によって励起させることができ、ガンマ線を生成することができる。この場合の核反応は、“ｎ＋^３Ｈｅ→^４Ｈｅ＋γ”である。該ガンマ線は、バックグラウンド放射線と区別することができる高いエネルギー精度を有する従来の核検出装置によって測定することができる。当業者は、ガンマ線を生成する試験ガス及びその他の中性子の捕獲反応のためにその他の非放射性同位体を利用可能であることを高く評価することになる。

本実施形態においては、サブシステム１６０１は、中性子源（例えば密封した放射性熱中性子源、等）及びガンマ線検出装置が必要である。本実施形態において測定されるガンマ線量は、試験１２９の対象となっているデバイス９１７内に含有されている試験ガス量に比例する。このため、デバイス９１７内に残存する試験ガス量を計算及び使用することで、デバイス９１７における漏れの規模を決定することができる。本実施形態においては、上記の実施形態とは異なり、熱中性子及びガンマ線はデバイス９１７の基板７０３（図１）及び／又はバックプレート７０７を合理的な効率で透過することができるためデバイス９１７内に窓又は領域が存在する必要がない。

漏れ検出試験に関する上記の実施形態は、ＭＥＭＳデバイスに基づいて説明したものである。しかしながら、これらの実施形態は、ＭＥＭＳデバイスの漏れ検出試験に限定されるものではない。即ち、これらのすべての実施形態及びその変形は、ＭＥＭＳデバイスを参照して上述したように気密又は水密にすべき要素を有するあらゆる電子デバイス又は電気デバイスの漏れ検出試験に対しても当てはめることができる。いくつかの実施形態においては、漏れ検出試験は、微小電気機械システムを内蔵する電子パッケージに関して実施される。該電子パッケージは、反射型ディスプレイを含むディスプレイデバイスの電子パッケージにすることができる。

当業者は、本出願明細書において説明した本発明の好ましい結果を依然として達成させながら本発明を変更できることを理解すべきである。従って、上記の説明は、本発明を限定するものであると理解すべきではなく、当業者を対象にした広範な教示であると理解するようにすべきである。

インターフェロメトリックモジュレータの１つの実施形態の一部分を描いた等大図であり、第１のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能な反射層が解放位置にあり、第２のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能な反射層が作動位置にある。 ３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。 図１に示したインターフェロメトリックモジュレータの１つの典型的な実施形態に関する移動可能な鏡の位置及び印加電圧の関係を示した概略図である。 インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用する一組のロー電圧及びコラム電圧を示した図である。 図２に示した３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイに表示データフレームを書くために使用するロー信号及びコラム信号に関する１つの典型的なタイミング図である（その１）。 図２に示した３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイに表示データフレームを書くために使用するロー信号及びコラム信号に関する１つの典型的なタイミング図である（その２）。 図１に示したデバイスの横断面を示した図である。 インターフェロメトリックモジュレータの１つの代替実施形態の横断面を示した図である。 インターフェロメトリックモジュレータの別の代替実施形態の横断面を示した図である。 実装ＭＥＭＳデバイス及びパッケージ内への水の浸透を示した側部横断面図である。 漏れ部を有する実装ＭＥＭＳデバイスを例示した側部横断面図である。 １つの実施形態に従った漏れ検出試験のためのシステムを示した図である。 図９のシステムを利用した試験手順を示した流れ図である。 図９のシステムを利用した試験における試験対象デバイス内及び試験室内での試験ガスの分圧状況を示したグラフの一部である。 図９のシステムを利用した試験における試験対象デバイス内及び試験室内での試験ガスの分圧状況を示したグラフの一部である。 図９のシステムを利用した試験における試験対象デバイス内及び試験室内での試験ガスの分圧状況を示したグラフの一部である。 図９のシステムを利用した試験における試験対象デバイス内及び試験室内での試験ガスの分圧状況を示したグラフの一部である。 図９のシステムを利用した試験における試験対象デバイス内及び試験室内での試験ガスの分圧状況を示したグラフの一部である。 もう１つの実施形態に従った漏れ検出試験システムを示した図である。 図１４に示したシステムを利用した試験手順流れ図である。 さらにもう１つの実施形態に従った漏れ検出試験システムを示した図である。 図１６示したシステムを利用した試験手順流れ図である。

Claims (47)

1. 電子デバイスにおける漏れを検出する方法であって、
   内部空間を有する電子デバイスを準備することと、
   試験ガスを具備する試験ガス環境内に前記電子デバイスを配置することであって、前記電子デバイスには前記試験ガスが実質的に存在しないことと、
   前記試験ガスが実質的に存在しない非試験ガス環境内に前記電子デバイスを配置することと、
   前記電子デバイスを前記非試験ガス環境内に配置した状態で前記試験ガスを検出すること、とを具備する方法。
2. 前記電子デバイスは、漏れ部を具備し、前記試験ガスは、前記電子デバイスが前記試験ガス環境内に配置されているときに前記内部空間内に拡散され、前記試験ガスは、前記電子デバイスが前記非試験ガス環境内に配置されているときに前記内部空間から外部に拡散される、請求項１に記載の方法。
3. 前記試験ガス環境は、前記電子デバイスに対して非破壊的な圧力を有する、請求項１に記載の方法。
4. 前記非破壊的な圧力は、約０．８ａｔｍ乃至約１．２ａｔｍである、請求項２に記載の方法。
5. 前記非試験ガス環境は、前記電子デバイスに対して非破壊的な圧力を有する、請求項１に記載の方法。
6. 前記非破壊的な圧力は、約０．８ａｔｍ乃至約１．２ａｔｍである、請求項５に記載の方法。
7. 前記漏れを検出することは、前記電子デバイスの外部に漏出した前記試験ガスが前記非試験ガス環境内に存在することを検知することを具備する、請求項１に記載の方法。
8. 前記漏れを検出することは、前記非試験ガス環境内に存在する前記試験ガスの量を測定することを具備する、請求項１に記載の方法。
9. 前記漏れを検出することは、前記非試験ガス環境内における経時での前記試験ガスの相対量をモニタリングすることを具備する、請求項１に記載の方法。
10. 前記漏れを検出することは、前記電子デバイス内における前記試験ガスの存在を検知することを具備する、請求項１に記載の方法。
11. 前記電子デバイス内における前記試験ガスの存在を前記検知することは、
    前記電子デバイスに光線を照射することと、
    前記光線に対する前記試験ガスの反応を検出すること、とを具備する、請求項１０に記載の方法。
12. 前記光線はＵＶであり、前記試験ガスは、前記ＵＶにさらされたときに可視光線を放出する請求項１１に記載の方法。
13. 前記光線はレーザービームであり、前記試験ガスは、前記レーザービームを吸収する請求項１１に記載の方法。
14. 前記反応を検出することは、前記レーザービームの強度の低下を測定することを具備する、請求項１３に記載の方法。
15. 前記電子デバイスのうちで光線が透過する部分に前記光線を照射する請求項１１に記載の方法。
16. 前記電子デバイス内における前記試験ガスの存在を検知することは、
    前記電子デバイスにエネルギー粒子を照射することであって、前記試験ガスは、前記エネルギー粒子との核反応に関わることと、
    前記核反応の結果発生した放射線を検出すること、とを具備する、請求項１０に記載の方法。
17. 前記漏れを検出することは、前記電子デバイス内における前記試験ガスの相対量を測定することを具備する、請求項１０に記載の方法。
18. 前記電子デバイスは意図されていない漏れ部を有しているかどうかを、前記検出することに基づいて決定することをさらに具備する、請求項１に記載の方法。
19. 前記試験ガス環境は、前記電子デバイスが配置されている領域全体に前記試験ガスを流すことによって形成される請求項１に記載の方法。
20. 前記非試験ガス環境は、前記試験ガスが実質的に存在していない閉鎖された室内において形成される請求項１に記載の方法。
21. 前記非試験ガス環境は、前記電子デバイスが配置されている領域全体に非試験ガスを流すことによって形成される請求項１に記載の方法。
22. 前記試験ガス環境及び前記非試験ガス環境は、単一の室内において形成される請求項１に記載の方法。
23. 前記試験ガス環境は、第１の室内において形成され、前記非試験ガス環境は、第２の室内において形成される請求項１に記載の方法。
24. 前記試験ガスは、Ｎ_２及びＯ_２のいずれも具備しない、請求項１に記載の方法。
25. 電子デバイスにおける漏れを検出する方法であって、
    試験ガスを含有する充填室内において電子デバイスを維持することであって、前記電子デバイスにはガスが実質的に存在していないことと、
    前記試験ガスが実質的に存在していない検査室内に前記電子デバイスを移動させることと、
    前記電子デバイスを前記検査室内に維持した状態で前記検査室内に存在する前記試験ガスを検出すること、とを具備する方法。
26. 前記試験ガス環境内における前記試験ガスの分圧は、長時間にわたって実質的に一定である、請求項２５に記載の方法。
27. 前記試験ガスは、常温において気相である、請求項２５に記載の方法。
28. 前記試験ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ及びＳＦ_６のうちの少なくとも１つである、請求項２５に記載の方法。
29. 電子デバイスにおける漏れを検出する方法であって、
    電子デバイスを室内に配置することと、
    前記室内に試験ガスを供給して前記室内において試験ガス環境を形成することと、
    前記室内から前記試験ガスを押し流すことと、
    前記室内に非試験ガスを供給して前記室内において非試験ガス環境を形成することと、
    前記非試験ガス環境内に存在する前記試験ガスを検出すること、とを具備する方法。
30. 前記試験ガスは希ガスを具備する請求項２９に記載の方法。
31. 前記試験ガスは、乾燥剤とは実質的に反応しない請求項２９に記載の方法。
32. 前記電子デバイスは、水蒸気の侵入に関して実質的に密封されている請求項２９に記載の方法。
33. 前記電子デバイスは、水蒸気の浸透に関して実質的に密封されている請求項２９に記載の方法。
34. 漏れを検出する方法によって検査する電子デバイスであって、前記方法は、
    試験ガスを具備する試験ガス環境内に前記電子デバイスを配置することであって、前記電子デバイスには前記試験ガスが実質的に存在しないことと、
    前記試験ガスが実質的に存在しない非試験ガス環境内に前記電子デバイスを配置することと、
    前記電子デバイスを前記非試験ガス環境内に配置した状態で前記試験ガスを検出すること、とを具備する電子デバイス。
35. 電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムであって、
    内部において試験ガス環境を形成するために試験ガス供給源に接続するように構成されている充填室と、
    内部において非試験ガス環境を形成するために非試験ガス供給源に接続するように構成されている検査室であって、前記検査室は前記試験ガスの供給源には接続されていない検査室と、
    前記検査室に接続されておりさらに前記検査室内に存在する前記試験ガス又は前記検査室から流出した前記試験ガスを検出するように構成されている試験ガスセンサーと、を具備するシステム。
36. 前記充填室は、前記充填室内における前記試験ガスの分圧を実質的に一定に維持するための前記試験ガス供給源に関するコントローラを具備する、請求項３５に記載のシステム。
37. 前記センサーによって検出された前記試験ガスのデータに基づいて試験対象電子デバイス内に漏れ部が存在するかどうかを決定するように構成されたプロセッサをさらに具備する、請求項３５に記載のシステム。
38. 電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムであって、
    試験室と、
    前記試験室に接続されており、前記試験室内に前記試験ガスを供給するように構成されている試験ガス供給源と、
    前記試験室に接続されており、前記試験室内に前記非試験ガスを供給するように構成されている非試験ガス供給源と、
    前記試験室に接続されており、前記試験室内に存在する前記試験ガス又は前記試験室から流出した前記試験ガスを検出するように構成されている試験ガスセンサーと、を具備するシステム。
39. 前記センサーによって検出された前記試験ガスのデータに基づいて試験対象電子デバイス内に漏れ部が存在するかどうかを決定するように構成されたプロセッサをさらに具備する請求項３８に記載のシステム。
40. 前記試験室内への前記試験ガス及び前記非試験ガスの供給を制御するためのコントローラをさらに具備し、前記コントローラは、前記試験室内の気体成分を前記試験室から流し出すように構成されている請求項３８に記載のシステム。
41. 電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムであって、
    試験ガスを具備する試験ガス環境を提供するための手段と、
    前記試験ガスが実質的に存在しない非試験ガス環境を形成するための手段と、
    試験対象デバイスが前記非試験ガス環境内にあるときに前記試験ガスを検出するための手段と、を具備するシステム。
42. 前記試験ガス環境を提供するための手段は、その内部において試験ガス環境を形成するために試験ガス供給源に接続するように構成されている充填室を具備する、請求項４１に記載のシステム。
43. 前記非試験ガス環境を提供するための手段は、その内部において非試験ガス環境を形成するために非試験ガス供給源に接続するように構成されている検査室を具備し、前記検査室は、前記試験ガスの供給源に接続されていない、請求項４１に記載のシステム。
44. 前記試験ガスを検出するための手段は、前記検査室に接続されており、前記検査室内に存在する前記試験ガス又は前記検査室から流出した前記試験ガスを検出するように構成されている試験ガスセンサーを具備する、請求項４１に記載のシステム。
45. 電子デバイスにおける漏れの有無を試験するためのシステムを製造する方法であって、
    その内部において試験ガス環境を形成するために試験ガス供給源に接続する充填室を構成することと、
    その内部において非試験ガス環境を形成するために非試験ガス供給源に接続する検査室を構成することであって、前記検査室は、前記試験ガスの供給源に接続されないことと、
    試験ガスセンサーを前記検査室に接続することであって、前記センサーは、前記検査室内に存在する前記試験ガス又は前記検査室から流出した前記試験ガスを検出するように構成されていること、とを具備する方法。
46. 前記充填室内における前記試験ガスの分圧を実質的に一定に維持するために前記試験ガス供給源用のコントローラを前記充填室に接続することをさらに具備する、請求項４５に記載の方法。
47. 前記センサーによって検出された前記試験ガスのデータに基づいて試験対象電子デバイス内に漏れ部が存在するかどうかを決定するように構成されたプロセッサを前記センサーに接続することをさらに具備する、請求項４５に記載の方法。

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