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JPH0651250A - モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ - Google Patents

モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ

Info

Publication number
JPH0651250A
JPH0651250A JP5115048A JP11504893A JPH0651250A JP H0651250 A JPH0651250 A JP H0651250A JP 5115048 A JP5115048 A JP 5115048A JP 11504893 A JP11504893 A JP 11504893A JP H0651250 A JPH0651250 A JP H0651250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
modulator
data rate
substrate
data
optical modulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5115048A
Other languages
English (en)
Inventor
Jeffrey B Sampsell
ビー．サンプセル ジェフレイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH0651250A publication Critical patent/JPH0651250A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】空間的光変調器とそれを駆動するプロセッサと
の間における効率的かつ効果的な通信を可能ならしめ
る、空間的光変調器アレイに対するパッケージであっ
て、２つの相異なるデータ率で動作しうる空間的光変調
器に隣接して取付けられたメモリを有する該空間的光変
調器パッケージを開示する。 【構成】この空間的光変調器パッケージ１０において、
第１データ率は、定常状態データ率で、プロセッサから
アレイ１２への最小数の線１６Ａ−１６Ｂを必要とす
る。第２データ率は、相異なる入力および出力データ率
と比較的に高いピンカウントを有する能力とをもつメモ
リバッファ１４Ａ−１４Ｄによって可能ならしめられ
る。この第２データ率は、バーストデータ率であり、こ
れは変調器１２が新しいデータのために更新されるのに
要する時間である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空間的光変調器に関
し、特にそのメモリおよびタイミングについての要件に
関する。
【０００２】
【従来の技術】空間的光変調器を使用すると、印刷およ
び高精細度テレビジョンなどの分野に用いられる装置に
おいて、速度、経費、および制御に関し、所望の利得が
得られる。空間的光変調器は、通常は、好ましくは個々
に制御可能であるセルのアレイからなる。それぞれのセ
ルは、そのセルのターンオンおよびオフを可能ならしめ
る、電極またはある種のアドレッシングノードを有す
る。通常は、オン状態にあるセルは、光を透過または反
射によって、ある表面へ向けて送る。このようにして、
得られる画像、印刷表面、またはフィルム上のそれぞれ
のドットは、装置の使用者によって制御されうる。
【０００３】そのようなアレイにおけるデータおよびタ
イミングに関する要件には、ある問題が存在する。例え
ば、高精細度テレビジョンにおいては、２０４８画素の
幅と１０２４画素の長さとを有するアレイは、稀ではな
い。そのような画素のアレイは、アレイが新しい情報に
よって更新される毎に２００万を超えるデータ点が電送
されることを要求する。単一アレイによって発生せしめ
られる画像をカラー画像とするためには、赤、緑、およ
び青の典型的な３色方式に応じて、該アレイが、それぞ
れのフレームについて３回更新されることを要求する。
【０００４】この点を説明するために、１フレームの１
／３（１色）が５．５６ミリ秒（５．５６×１０-3秒）
であるものと仮定する。その場合には、それぞれの色に
つき８ビットを有する２００万画素に対する定常状態の
データ率は、（２，０００，０００×８）／．００５５
６となり、これは約２．８×１０9 、すなわち２．８ギ
ガヘルツに等しい。データが変調器へ供給される最高率
であるバーストデータ率は、画素アレイに対するフレー
ムリフレッシュ率を考慮する。最も高率のフレーミング
変調器は、おそらくはディジタル・マイクロミラー・デ
バイス（ＤＭＤ）であり、これは、更新時間に対する最
悪の場合のシナリオを与える。このデバイスに対して６
０マイクロ秒のリフレッシュ率を仮定すると、バースト
データ率は、２，０００，０００／．００００６とな
り、これは３０ギガヘルツに等しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらのデータ率に係
る問題は、データの伝送において生じる。ほどほどの信
号伝送率、例えば２５メガヘルツ、において３０ギガヘ
ルツのデータ率を扱うために必要とされる線の数は、３
０×１０9 ／２５×１０6 、すなわち１２００本とな
る。遠隔位置のプロセッサから空間的光変調器への、１
２００本の線に沿ってのデータの伝送は、非効率的であ
り、また不経済である。もちろん、この問題を解消する
方法が所望される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ここに開示される本発明
の装置は、空間的光変調器とそれを駆動するプロセッサ
との間における効率的かつ効果的な通信を可能ならしめ
る、空間的光変調器アレイに対するパッケージを含む。
変調器に隣接してメモリ回路が取付けられており、この
回路は、より多くのデータ線が、従来存在していた雑音
および妨害なしに変調器を支援することを可能にする。
これは、変調器が、より多くの正確なデータによって動
作し、大ケーブルに伴う問題を解消し、また装置の大き
さおよび部品の数を減少させることを可能ならしめる。
【０００７】本発明および本発明の他の諸利点のさらに
完全な理解は、添付図面を参照しつつ以下の詳細な説明
を参照することによって得られる。
【０００８】
【実施例】空間的光変調器は、通常は非常に高いスイッ
チング速度はもたないが、それを有する変調器の出現は
始まっている。例えば、ディジタル・マイクロミラー
は、１０マイクロ秒のスイッチング速度を有する。１０
マイクロ秒のオンおよびオフを用いると、５０─６０マ
イクロ秒のフレーム時間が、極めて高解像度の変調器に
対し高い効率で実現されうる。本発明は、高いデータ率
要求を有するそのような変調器に対して、最大の利益を
与えるが、それは、スイッチング速度の遅い変調器が、
以下に説明される方法および構造から利益を受けえない
ことを意味するわけではない。さらに、ディジタル・マ
イクロミラーのような光を受けた後に反射する反射形変
調器と、液晶デバイスのような透過形変調器との双方
が、下記の方法および構造から利益を受けうる。
【０００９】変調器のアドレッシング入力上の最適のピ
ン数と、ケーブル内の最適の線数とを見出すためには、
装置のバーストデータ率と、定常状態データ率との双方
が用いられる。もし、前述のように、フレーム時間が１
６．６７ミリ秒であり、装置が３色形のものであれば、
それぞれの色に対する時間が５．５６ミリ秒である。例
として２，０００，０００画素のアレイを使用すると、
定常状態データ率は、２，０００，０００／．００５６
となり、これは約２．８ギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）で
ある。もし、オフチップ線上の最大率が２５メガビット
毎秒（Ｍｂｐｓ）ならば、結果として得られる線数は、
（２．８×１０9 ビット毎秒）／（２５× １０6 ビッ
ト毎秒）となり、これは、１ケーブル上の約１１０線に
等しい。これを次の最大２進数に適合させると、ケーブ
ルは最終的には１２８線の広さを有す ることになる。
もちろん、これらの数は例として用いられているに過ぎ
ない。
【００１０】問題は、バーストデータ率にある。たとえ
設計者が所望したとしても、１２８線を経ての最大デー
タ率の走行は（３０×１０9 ／１２８）、すなわち２３
５Ｍｂｐｓ毎線となる。もちろんこれは、現在の通常の
商業上の相互接続に対して適度のものではない。しか
し、もし定常状態データ率がバーストデータ率から減結
合されうれば、装置はずっと実用的なものになる。
【００１１】先入れ先出し（ＦＩＦＯ）は、ビデオラン
ダムアクセスメモリ（ＶＲＡＭ）などの多くの他の形式
のメモリが与えるように、そのような減結合を与える。
ＦＩＦＯは、１つのデータ率で空にされつつある時、同
時に他のデータ率で満たされうる。さらに、ＦＩＦＯ
は、さまざまな大きさでデータ経路内に入る。もう１つ
の可能性は、この変調器のために特別に設計された注文
メモリ回路である。そのような装置の例は、図１に概略
的に示されている。
【００１２】上部基板１０は、変調器アレイ１２をその
関連のアドレッシング回路（図示されていない）と共
に、またＦＩＦＯ１４のアレイをも保持する。バス１６
は、ＦＩＦＯへのデータを通過させる。上述の構成にお
いては、このバスは、１２８線の広さを有する。バース
トデータ率を処理するためには、２０４８列が一緒にグ
ループ化される。グループの大きさは、選択されたＦＩ
ＦＯの広さと、データ率を処理するためのＦＩＦＯの出
力に対する公差とに依存する。もし、例えば１６ビット
のＦＩＦＯが選択されたものとすると、必要なピンは２
０４８／１６、すなわち１２８となる。
【００１３】これらが処理しなくてはならないデータ率
を見出すために、バーストデータ率をピン数で除算する
と、３０Ｇｂｐｓ／１２８＝２３５Ｍｂｐｓとなる。１
２８ピンは、明らかに約４倍程度不満足なものであるか
ら、再計算を試みると、３０Ｇｂｐｓ／５１２ピン＝５
８Ｍｂｐｓとなる。この数を、プリント回路ボード上の
チップ間相互接続に対して実現することは困難である
が、バッファがセルと同じ上部基板上に直接配置されて
いるので、それは可能である。図１の構造において、も
しＦＩＦＯのデータ経路１８が８ビットの広さのもので
あれば、変調器アレイにロードするために５１２／８、
すなわち６４個のＦＩＦＯが必要となる。これらのＦＩ
ＦＯは、２．８Ｇｂｐｓの定常状態データ率でロードさ
れるが、それぞれの５．５６ミリ秒内の８バースト中に
は、それらは３０Ｇｂｐｓのバーストデータ率で空にさ
れる。
【００１４】以上の議論は、このようなアーキテクチャ
の現実的な具体化のための基礎を与える。変調器にロー
ドするメモリを基板上に配置すると、前述のデータ率は
処理しやすくなるが、略述されたパッケージはそうでは
ない。図２は、搭載されたメモリを有する変調器パッケ
ージのさらに現実的な実施例を示す。
【００１５】図２において、変調器アレイは、頂部およ
び底部の双方からアドレスされる。これにより、データ
線は、より扱いやすい大きさのバス内へ分割されうる。
この実施例においては、バスはさらに側毎に分割されて
いる。この場合上部基板１０は、４つのバス、すなわち
デバイスの頂部左側の１６Ａからデバイスの底部右側の
１６Ｄまでを保持する。それらは、コネクタ２０Ａ−２
０Ｄにより、オフチップ・プロセッサに接続される。こ
の構成におけるそれぞれのバスは、この時３２ビットの
広さを有する。それぞれが１６個のＦＩＦＯから成るＦ
ＩＦＯアレイ１４Ａ−１４Ｄは、全部で６４個のＦＩＦ
Ｏを含む。この場合、それぞれのＦＩＦＯは、バスの８
線からデータを受け、１ワードにつき４つの８ビットＦ
ＩＦＯがデータを受ける。
【００１６】さらに、上部基板上には、光が窓２４を通
過しうるようにするとともに、窓２４を前記アレイから
離して保持しうるようにし、また同時に変調器を汚染か
ら保護するリング２２がある。このパッケージは、変調
器を、それとプロセッサとの間の最小数の線により使用
されうるようにして、しかも適正な通信データ率を保持
し、さらに極めて高いバーストデータ率を可能ならしめ
る。
【００１７】図３および図４には、このパッケージの製
造工程が詳細に示されている。図３は工程の諸ステップ
を示し、図４は工程の諸段階における上部基板を示して
いる。図３を参照すると、上部基板はステップ２８にお
いて準備される。このようなパッケージのためには、耐
衝撃性および安定性によって、セラミックが上部基板と
して適している。１実施例においては、上部基板は次に
ステップ３０において、バス線およびボンドパッドをメ
タライズされる。次に、ステップ３２において、コネク
タのための穴あけが行われる。次に、バス線およびボン
ドパッドを画定するために、金属がパターン形成され
る。箱２６内の全てのステップは、取り替えられうる。
これは設計者の要求および使用される材料による。
【００１８】ステップ３６は、ＦＩＦＯの取付けを要求
する。チップは表面取付けパッケージ内に取付けられう
るが、この方法はかなりの上部基板面積を使用する。ス
ペースを最小化するためには、チップのダイのみが用い
られうる。これらは、上部基板に対し個々にタブ取付
け、またはボンディングされる。ボンディングは、接着
剤により、またはリフローソルダリングにより行われう
る。図４Ａには、この段階における上部基板が示されて
いる。ボンドパッド５４、ＦＩＦＯ１４、およびバス線
１６は、全て上部基板１０上にある。図３のステップ３
８において、ＦＩＦＯは、線（図４Ｂの５６）によりボ
ンドパッドにボンディングされる。
【００１９】ステップ４２、４４、４６、および４８
は、箱４０によって示されているように、使用される装
置により取り替えられうる。上部基板は、たぶん取付け
リングの取付けの前に、試験されなくてはならない。不
良なＦＩＦＯの取り出し、または線の再ボンディング
は、リングの取り付けられる前の方が容易である。しか
し、リングを取付ければ緩い接続が固定されて、上部基
板は試験を通過しうるようになる。もし試験が最初に行
われれば、リングの取付けの前に変調器をダイ取付け
し、ボンディングすることが望ましい。
【００２０】図４Ｃは、変調器が取付けられ、ボンディ
ングされる前に、リング２２が取付けられたものを示
す。図４Ｄにおいては変調器１２が取付けられており、
図４Ｅにおいてはそれが線５６とボンディングされてい
る。再び図３へ帰ると、ステップ５０において窓が付加
され、ステップ５２においてパッケージ全体が試験され
る。図４Ｆには、出来上がったパッケージが示されてい
る。
【００２１】
【発明の効果】このパッケージ構成は、プロセッサから
変調器への過度の線量を要することなく、変調器が比較
的に高いバーストデータ率で容易に動作することを可能
ならしめる。
【００２２】これまでモノリシックな空間的光変調器パ
ッケージの特定の実施例を説明してきたが、この特定の
内容は、特許請求の範囲の記載内容以外に、本発明の範
囲を制限するものではない。
【００２３】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）ａ．上部基板と、 ｂ．該上部基板上の少なくとも１つのデータバスと、 ｃ．該バスに電気的に接続された前記上部基板上の少な
くとも１つのコネクタと、 ｄ．前記バスに接続され該バスから第１データ率でデー
タを受ける前記上部基板上 の少なくとも１つのバッ
ファメモリと、 ｅ．該バッファメモリから第２データ率でデータを受け
るように電気的に接続されたアドレッシング回路を有す
る前記上部基板上の空間的光変調器アレイと、 ｆ．該変調器アレイを取り巻く前記上部基板上のリング
と、 ｇ．前記変調器からの光を通過せしめる前記リング上の
窓と、を含む、空間的光変調器パッケージ。
【００２４】（２）前記上部基板がセラミックである、
第１項記載のパッケージ。 （３）前記上部基板が複数のデータバスを保持する、第
１項記載のパッケージ。
【００２５】（４）前記バッファメモリが先入れ先出し
メモリ（ＦＩＦＯ）である、第１項記載のパッケージ。 （５）前記バッファメモリがビデオランダムアクセスメ
モリ（ＶＲＡＭ）である、第１項記載のパッケージ。
【００２６】（６）前記バッファメモリが注文メモリ回
路である、第１項記載のパッケージ。 （７）前記空間的光変調器が反射形変調器である、第１
項記載のパッケージ。
【００２７】（８）前記反射形変調器がディジタル・マ
イクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）である、第７項記載
のパッケージ。 （９）前記空間的光変調器が透過形変調器である、第１
項記載のパッケージ。
【００２８】（１０）ａ．上部基板を準備するステップ
と、 ｂ．該上部基板上にバス線およびボンドパッドを画定す
るステップと、 ｃ．前記上部基板にバッファメモリを取付けるステップ
と、 ｄ．該バッファメモリを前記ボンドパッドに電気的に接
続するステップと、 ｅ．前記バッファメモリを試験するステップと、 ｆ．前記上部基板に空間的光変調器を取付けるステップ
と、 ｇ．該空間的光変調器を前記ボンドパッドに電気的に接
続するステップと、 ｈ．前記上部基板の少なくとも一部を窓によって覆うス
テップと、 ｉ．前記上部基板上の前記接続を試験するステップと、
を含む、空間的光変調器のパッケージ方法。
【００２９】（１１）前記準備するステップが、後の取
付けのための穴をあけるステップを含む、第１０項記載
の方法。 （１２）前記準備するステップが、前記上部基板をメタ
ライズするステップを含む、第１０項記載の方法。
【００３０】（１３）前記バッファメモリがＦＩＦＯで
ある、第１０項記載の方法。 （１４）前記バッファメモリがＶＲＡＭである、第１０
項記載の方法。 （１５）前記バッファメモリが注文メモリ回路である、
第１０項記載の方法。
【００３１】（１６）前記バッファメモリの取付けステ
ップが、該バッファメモリを接着するステップを含む、
第１０項記載の方法。 （１７）前記バッファメモリの前記電気的接続ステップ
が、該バッファメモリからの線を前記ボンドパッドに接
続するステップを含む、第１０項記載の方法。
【００３２】（１８）前記空間的光変調器の取付けステ
ップが、該変調器を接着するステップを含む、第１０項
記載の方法。 （１９）前記空間的光変調器の前記電気的接続ステップ
が、該変調器からの線を前記ボンドパッドに接続するス
テップを含む、第１０項記載の方法。
【００３３】（２０）前記窓が前記変調器を取り巻くリ
ング上に置かれる、第１０項記載の方法。 （２１）２つの相異なるデータ率で動作しうる変調器に
隣接して取付けられたメモリを有する変調器パッケージ
１０である。第１データ率は、定常状態データ率で、プ
ロセッサからアレイへの最小数の線１６Ａ−１６Ｂを必
要とする。第２データ率は、相異なる入力および出力デ
ータ率と比較的に高いピンカウントを有する能力とをも
つメモリバッファによって可能ならしめられる。この第
２データ率は、バーストデータ率であり、これは、変調
器が新しいデータのために更新されるのに要する時間で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】データ処理構成の概略図。
【図２】空間的光変調器パッケージの概略図。
【図３】パッケージ工程の１実施例のフローチャート。
【図４】ＡからＦまでは、パッケージ工程の諸ステップ
を経る途中の変調器を示す。
【符号の説明】
１０ 上部基板 １２ 変調器アレイ １４Ａ ＦＩＦＯ １４Ｂ ＦＩＦＯ １４Ｃ ＦＩＦＯ １４Ｄ ＦＩＦＯ １６Ａ バス １６Ｂ バス １６Ｃ バス １６Ｄ バス ２２ リング ２０Ａ コネクタ ２０Ｂ コネクタ ２０Ｃ コネクタ ２０Ｄ コネクタ ２４ 窓 ５４ ボンドパッド

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ．基板と、 ｂ．該基板上の少なくとも１つのデータバスと、 ｃ．該バスに電気的に接続された前記基板上の少なくと
    も１つのコネクタと、 ｄ．前記バスに接続され該バスから第１データ率でデー
    タを受ける前記基板上の少なくとも１つのバッファメモ
    リと、 ｅ．該バッファメモリから第２データ率でデータを受け
    るように電気的に接続されたアドレッシング回路を有す
    る前記基板上の空間的光変調器アレイと、 ｆ．該変調器アレイを取り巻く前記基板上のリングと、 ｇ．前記変調器からの光を通過せしめる前記リング上の
    窓と、を含む、空間的光変調器パッケージ。
  2. 【請求項２】 ａ．基板を準備するステップと、 ｂ．該基板上にバス線およびボンドパッドを画定するス
    テップと、 ｃ．前記基板にバッファメモリを取付けるステップと、 ｄ．該バッファメモリを前記ボンドパッドに電気的に接
    続するステップと、 ｅ．前記バッファメモリを試験するステップと、 ｆ．前記基板に空間的光変調器を取付けるステップと、 ｇ．該空間的光変調器を前記ボンドパッドに電気的に接
    続するステップと、 ｈ．前記基板の少なくとも一部を窓によって覆うステッ
    プと、 ｉ．前記基板上の前記接続を試験するステップと、を含
    む、空間的光変調器のパッケージ方法。
JP5115048A 1992-05-20 1993-05-17 モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ Pending JPH0651250A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88607792A 1992-05-20 1992-05-20
US886077 1992-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0651250A true JPH0651250A (ja) 1994-02-25

Family

ID=25388328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5115048A Pending JPH0651250A (ja) 1992-05-20 1993-05-17 モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5610625A (ja)
EP (1) EP0570960B1 (ja)
JP (1) JPH0651250A (ja)
KR (1) KR930023746A (ja)
DE (1) DE69312165T2 (ja)
TW (1) TW271007B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004287215A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 透過型光変調装置及びその実装方法

Families Citing this family (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US8014059B2 (en) * 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7471444B2 (en) * 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US6268908B1 (en) 1999-08-30 2001-07-31 International Business Machines Corporation Micro adjustable illumination aperture
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7012731B2 (en) * 2000-08-30 2006-03-14 Reflectivity, Inc Packaged micromirror array for a projection display
US6962771B1 (en) * 2000-10-13 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual damascene process
AU2002363793A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-26 Movaz Networks, Inc. Multi-chip module integrating mems mirror array with electronics
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7781850B2 (en) * 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW594360B (en) * 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
US8619352B2 (en) * 2003-07-29 2013-12-31 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Projection display system using laser light source
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US20100046061A1 (en) * 2003-11-01 2010-02-25 Hirotoshi Ichikawa Mems package having inclined surface
US8194305B2 (en) * 2003-11-01 2012-06-05 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Package for micromirror device
US7012726B1 (en) 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7142346B2 (en) * 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7532194B2 (en) * 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7706050B2 (en) * 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7720148B2 (en) * 2004-03-26 2010-05-18 The Hong Kong University Of Science And Technology Efficient multi-frame motion estimation for video compression
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7060895B2 (en) * 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7164520B2 (en) * 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7256922B2 (en) * 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
KR101313117B1 (ko) * 2004-07-29 2013-09-30 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7499208B2 (en) 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7889163B2 (en) * 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7560299B2 (en) * 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7551159B2 (en) 2004-08-27 2009-06-23 Idc, Llc System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator
US7515147B2 (en) * 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7602375B2 (en) * 2004-09-27 2009-10-13 Idc, Llc Method and system for writing data to MEMS display elements
US7916103B2 (en) 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7424198B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7535466B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7446927B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7653371B2 (en) * 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7420725B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7675669B2 (en) 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7136213B2 (en) * 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US7161730B2 (en) 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7317568B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US8124434B2 (en) * 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7349136B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7405924B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7417735B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7936497B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7564612B2 (en) * 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7359066B2 (en) * 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7259449B2 (en) * 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US20060067650A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US7304784B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7630119B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7289256B2 (en) * 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7724993B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7808703B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7369294B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7701631B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7368803B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7586484B2 (en) * 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US20060066596A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US20060076634A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7692839B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US20060103643A1 (en) * 2004-09-27 2006-05-18 Mithran Mathew Measuring and modeling power consumption in displays
US7843410B2 (en) * 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7415186B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7299681B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7492502B2 (en) * 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7532195B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7679627B2 (en) 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US20060066594A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Karen Tyger Systems and methods for driving a bi-stable display element
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7626581B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
CN100439967C (zh) * 2004-09-27 2008-12-03 Idc公司 用于多状态干涉光调制的方法和设备
US20060065622A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
US7668415B2 (en) * 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7405861B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7545550B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7373026B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US7372613B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7710629B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7554714B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7310179B2 (en) 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7420728B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7813026B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US7920135B2 (en) * 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US20060065366A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Cummings William J Portable etch chamber
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US8878825B2 (en) * 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US7345805B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US7920136B2 (en) * 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
EP1878001A1 (en) 2005-05-05 2008-01-16 QUALCOMM Incorporated, Inc. Dynamic driver ic and display panel configuration
US7948457B2 (en) * 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
US20060277486A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Skinner David N File or user interface element marking system
EP1910216A1 (en) * 2005-07-22 2008-04-16 QUALCOMM Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
US7355779B2 (en) * 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US8391630B2 (en) * 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7636151B2 (en) * 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8194056B2 (en) * 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7582952B2 (en) * 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) * 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7643203B2 (en) 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7903047B2 (en) * 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US20070249078A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7527996B2 (en) * 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US8049713B2 (en) * 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7405863B2 (en) * 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7471442B2 (en) * 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7385744B2 (en) * 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7388704B2 (en) * 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7566664B2 (en) * 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US20080043315A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Cummings William J High profile contacts for microelectromechanical systems
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
WO2009102641A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for sensing, measurement or characterization of display elements integrated with the display drive scheme, and system and applications using the same
US20100103389A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Mcvea Kenneth Brian Multi-MEMS Single Package MEMS Device
US8736590B2 (en) * 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
US9134301B2 (en) 2010-11-22 2015-09-15 Bio-Rad Laboratories, Inc. Sorting of adherent cells by selective transformation of labels
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4271410A (en) * 1978-08-10 1981-06-02 Rockwell International Corporation LCD Data processor driver and method
US4368467A (en) * 1980-02-29 1983-01-11 Fujitsu Limited Display device
US4409724A (en) * 1980-11-03 1983-10-18 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating display with semiconductor circuits on monolithic structure and flat panel display produced thereby
US4346124A (en) * 1981-05-04 1982-08-24 Laurier Associates, Inc. Method of applying an adhesive to a circuit chip
US4689300A (en) * 1983-07-18 1987-08-25 The Upjohn Company Antibiotic producing Streptomyces thiolactonus
US4638309A (en) * 1983-09-08 1987-01-20 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator drive system
US4652977A (en) * 1984-09-13 1987-03-24 Schlumberger Technology Corporation Microelectronics module
JPS61276484A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Citizen Watch Co Ltd 液晶テレビ受信装置
JPS6337394A (ja) * 1986-08-01 1988-02-18 株式会社日立製作所 マトリクス表示装置
JP2527766B2 (ja) * 1986-10-09 1996-08-28 沖電気工業株式会社 液晶表示装置
JPH0750389B2 (ja) * 1987-06-04 1995-05-31 セイコーエプソン株式会社 液晶パネルの駆動回路
JPH01271725A (ja) * 1987-07-25 1989-10-30 Alps Electric Co Ltd 液晶素子
DE68924823T2 (de) * 1988-08-23 1996-05-02 Citizen Watch Co Ltd Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
US5010325A (en) * 1988-12-19 1991-04-23 Planar Systems, Inc. Driving network for TFEL panel employing a video frame buffer
US5225821A (en) * 1988-12-22 1993-07-06 Seiko Epson Corporation Method for driving an active matrix display and active matrix display
US5150109A (en) * 1989-02-13 1992-09-22 Touchstone Computers, Inc. VGA controller card
DE69031477T2 (de) * 1989-02-27 1998-02-05 Texas Instruments Inc Apparat und Verfahren für ein digitales 3D Videosystem
DE3910963A1 (de) * 1989-04-05 1990-10-11 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung
US5148301A (en) * 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
US5159598A (en) * 1990-05-03 1992-10-27 General Electric Company Buffer integrated circuit providing testing interface
US5065227A (en) * 1990-06-04 1991-11-12 International Business Machines Corporation Integrated circuit packaging using flexible substrate
JPH1028618A (ja) * 1996-07-18 1998-02-03 Chitose Kk 机用サイドチェスト

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004287215A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 透過型光変調装置及びその実装方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69312165T2 (de) 1998-01-08
EP0570960A1 (en) 1993-11-24
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US5610625A (en) 1997-03-11
TW271007B (ja) 1996-02-21
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EP0570960B1 (en) 1997-07-16

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