NL8001281A - Weergeefinrichting. - Google Patents
Weergeefinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8001281A NL8001281A NL8001281A NL8001281A NL8001281A NL 8001281 A NL8001281 A NL 8001281A NL 8001281 A NL8001281 A NL 8001281A NL 8001281 A NL8001281 A NL 8001281A NL 8001281 A NL8001281 A NL 8001281A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- electrodes
- layer
- display device
- support plate
- electrode
- Prior art date
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJSXWIZOWRQPPY-UHFFFAOYSA-N O=S=O.O=S=O.[Ni+2] Chemical compound O=S=O.O=S=O.[Ni+2] HJSXWIZOWRQPPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/37—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements
- G09F9/372—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements the positions of the elements being controlled by the application of an electric field
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Description
' t i. ί PHN 9694 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven. Weerqeefinrichtinq.
De uitvinding heeft betrekking op een weergeef-inrichting bevattende een doorzichtige eerste steunplaat voorzien van een transflektieve laag, en een gedeeltelijk reflekterende laag, welke in nagenoeg gelijke mate 5 reflekteert als de transflektieve laag ,en well<e bewee<£aar is bevestigd op korte afstand van de eerste steunplaat, zodanig dat bij invallend licht afhankelijk van de afstand tussen de transflektieve en gedeeltelijk reflekterende laag interferentie verschijnselen optreden.
10 De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke weergeef-inrichting. De uitvinding heeft voorts betrekking op een projektie-televisieinrichting voorzien van een dergelijke weergeefinrichting.
15 Een dergelijke weergeefinrichting is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 2,534,846. Hierbij wordt een invallende lichtbundel door de transflektieve laag gedeeltelijk gereflekteerd en gedeeltelijk doorgelaten, waarna het doorgelaten licht gedeeltelijk wordt gereflek-20 teerd door de gedeeltelijk reflekterende laag. De reflekties van de transflektieve en gedeeltelijk reflekterende laag zijn aan elkaar gelijk, zodat de beide lagen een zogenaamde Fabry-Perot interferometer vormen. Afhankelijk van de afstand en het medium tussen de transflektieve laag en 25 de gedeeltelijk reflekterende laag treedt interferentie op tussen het direct door de transflektieve laag ge-reflekteerde en het door de gedeeltelijk reflekterende laag gereflekteerde licht. De transflektieve en gedeeltelijke reflekterende laag zijn aan weerszijden van een " '' 30 piezo-elektrisch kristal aangebracht. De afstand tussen de transflektieve en reflekterende laag wordt geregeld met behulp van een over de lagen aangebrachte spanning, waardoor de dikte van het piezo-elektrische kristal in 800 1 2 81 V τ ΡΗΝ 9694 2 meer of mindere mate verandert. De opbouw en besturing van een dergelijke inrichting zijn echter niet geschikt om toegepast te worden bij een weergeefinrichting, waarbij het beeld is opgebouwd uit een groot aantal 5 afzonderlijk bestuurbare weergeefelementen.
Het is dan ook het doel van de uitvinding een weergeefinrichting aan te geven, welke op eenvoudige wijze met een groot aantal weergeefelementen is uit te voeren.
Een verder doel van de uitvinding is een weer-10 geefinrichting aan te geven, welke geschikt is voor het weergeven van alpha numerieke- en video-informatie.
Nog een verder doel van de uitvinding is een weergeefinrichting aan te geven, welke zowel spannings-gestuurd als ladingsgestuurd kan worden.
15 Nog een ander doel van de uitvinding is een weergeefinrichting aan te geven, waarmee gekleurde beelden kunnen worden waargenomen.
Een weergeefinrichting van een in de aanhef genoemde soort wordt volgens de uitvinding daartoe ge-20 kenmerkt, doordat de gedeeltelijk reflekterende laag een patroon van verend bevestigde elektroden vormt en de transflektieve laag in voor één of meer verend bevestigde elektroden gemeenschappelijke gebieden is verdeeld.
25 Een uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting waarbij deze als een zogenaamd crossbar display kan worden uitgevoerd, wordt gekenmerkt, doordat het patroon van verend bevestigde elektroden een eerste rooster van evenwijdige strippen vormt en de gemeenschappelijke 30 gebieden van de transflektieve laag een tweede rooster van evenwijdige strippen vormen, welke de strippen van het eerste rooster kruisen.
Een verdere uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting wordt gekenmerkt, doordat het patroon van 35 verend bevestigde elektroden een eerste stelsel van elektroden vormt en de gebieden van de transflektieve laag een tweede stelsel van elektroden vormen. Door het aanleggen van een spanning over de elektroden van 800 1 2 81 * ï PHN 9694 3 het eerste stelsel en de elektroden van het tweede stelsel wordt een verend bevestigde elektrode ten gevolge van de elektrostatische kracht naar een elektrode van de transflektieve laag getrokken, welke beweging echter 5 wordt tegengewerkt door de optredende veerkracht van de verend bevestigde elektrode. Beneden een bepaalde van de afstand tussen de elektroden afhankelijke spanning stelt zich een stabiel evenwicht in tussen de elektrostatische kracht en de veerkracht, zodat over een bepaald gebied 10 van de elektrodenafstand de afstand tussen een verende elektrode en een elektrode van de transflektieve laag kan worden ingesteld. Bij grotere waarden van de spanning wordt het evenwicht tussen de elektrostatische kracht en de veerkracht instabiel, zodat de verend bevestigde elektrode 15 naar de elektrode van de transflektieve laag wordt versneld. .
Nog een verdere uitvoeringsvorm van een weergeef inrichting wordt gekenmerkt, doordat het patroon van verend bevestigde elektroden een eerste stelsel van 2o elektroden vormt en op enige afstand van de eerste steun- plaat een tweede steunplaat is aangebracht, welke is voorzien van een tweede stelsel van elektroden dat in registratie is met de gebieden van de transflektieve laag. De afstand tussen een verend bevestigde elektrode en een gebied 25 van de transflektieve laag wordt gevarieerd door het aanleggen van een spanning over een elektrode van de tweede steunplaat en een verend bevestigde elektrode.
Doordat de afstand tussen de tweede steunplaat en de gedeeltelijk reflekterende laag van de verend bevestigde 30 elektroden groter gekozen kan worden dan de afstand tussen de eerste steunplaat en de gedeeltelijk reflekterende laag van verende elektroden, is het bereik waarin zich een stabiel evenwicht instelt tussen de elektrostatische kracht en de veerkracht groter dan bij de hierboven 35 beschreven vorige uitvoeringsvorm. Hierdoor kan voor het regelen van de waargenomen reflektie tussen maximale en minimale intensiteit geheel van nulde orde effecten gebruik worden gemaakt. Dit heeft het voordeel dat de 800 1 2 81 *'· » PHN 9694 4 hookonafhankelijkheid van de waargenomen verschijnselen groot is.
Weer een andere uitvoeringsvorm, waarbij de elektroden van het eerste stelsel onderling zijn doorver-5 bonden en de elektroden van het tweede stelsel stripvormig zijn, wordt gekenmerkt, doordat op enige afstand van de eerste steunplaat een tweede steunplaat is aangebracht, welke is voorzien van een derde stelsel van stripvormige elektroden, welke de stripvormige elektroden 10 van het tweede stelsel kruisen. Door het aanleggen van geschikte spanningen over elektroden van het eerste, tweede en derde stelsel kunnen de verend bevestigde elektroden ofwel tegen de eerste steunplaat ofwel tegen de tweede steunplaat aanliggen. Opgemerkt wordt dat 15 een weergeefinrichting met twee van elektroden voorziene steunplaten met verend bevestigde elektroden tussen de steunplaten op zich bekend is uit de Nederlandse octrooiaanvrage 7510103. Het betreft daar echter een met vloeistof gevulde weergeefinrichting, terwijl de afstand tussen de 20 steunplaten veel groter is dan de voor interferentie benodigde kleine afstand tussen de steunplaten bij een weergeefinrichting volgens de uitvinding.
Een andere uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting wordt gekenmerkt, doordat de weergeefinrichting 25 middelen bevat voor het aanbrengen van een lading op de verende elektroden. Het met behulp van een lading besturen van de weergeefinrichting heeft het voordeel, dat over de gehele afstand tussen een verend bevestigde elektrode en een elektrode van de transflektieve laag de ten gevolge van 30 de oplading optredende elektrostatische kracht evenwicht kan maken met de veerkracht van een verend bevestigde elektrode.
Een nadere uitvoeringsvorm van een ladings-gestuurde weergeefinrichting wordt gekenmerkt, doordat de 35 eerste steunplaat deel uitmaakt van een glazen omhulling, welke een elektronenkanon bevat voor het opwekken van een op de eerste steunplaat gerichte elektronenbundel, welke de eerste steunplaat volgens een regelmatig patroon 800 1 2 81 PHN 9694 5 if Jr aftast en de verend bevestigde elektroden oplaadt,
De verende elektroden worden van de gewenste lading voorzien door de elektronenbundel op bekende wijze te moduleren overeenkomstig de aangeboden informatie.
5 Een dergelijke weergeefinrichting is geschikt voor een informatie-verwerkingsinrichting, welke voorzien is van een lichtbron, eerste optische middelen voor het verkrijgen van een evenwijdige lichtbundel welke op de weergeefinrichting invalt, welke weergeefinrichting het invallende 10 licht moduleert.
Gekleurde beelden kunnen worden verkregen door gebruik te maken van een lichtbron, welke rood, groen en blauw licht uitzendt.
Een dergelijke weergeefinrichting is bijzonder 15 geschikt voor een projektietelevisieinrichting, welke is voorzien van tenminste twee weergeefinrichtingen en welke projek-tietelevisie-inrichting voor elke weergeefinrichting is voorzien van een lichtbron, welke licht van één kleur uitzendt, eerste optische middelen voor het verkrijgen van een evenwij-20 dige lichtbundel welke invalt op de weergeefinrichting, die het invallende licht moduleert en tweede optische middelen voor het projekteren van het gemoduleerde licht op een voor de weergeefinrichtingen gemeenschappelijk scherm. Elke weergeefinrichting wordt gebruikt voor het moduleren van licht 25 van êên kleur, waarbij de beelden van de weergeefinrichtingen overlappend op een scherm worden geprojekteerd, zodat een kleurenbeeld wordt waargenomen.
Opgemerkt wordt dat uit het Amerikaanse octrooi-schrift 3,746,911 een projektietelevisie-inrichting bekend 30 is, waarbij met behulp van een elektronenbundel deformeer-bare spiegeltjes worden opgeladen. Afhankelijk van de lading worden de spiegeltjes meer of minder gekromd. Met behulp van een Schlieren-optiek wordt het gereflekteerde licht op een scherm afgebeeld.
35 Bij een dergelijke projektietelevisie-inrichting treden echter hinderlijke diffractie-patronen op,welke veroorzaakt worden door de spleten tussen de spiegeltjes.
Bovendien is het benodige Schlieren-optiek een ingewikkeld optiek, daar dit het gereflekteerde licht van de gekromde 800 1 2 81 * ► PHN 9694 6 spiegeltjes moet afbeelden op het scherm, maar tevens het gereflekteerde licht van de niet gekromde spiegeltjes moet blokkeren.
Een eerste werkwijze voor het vervaardigen van 5 een weergeefinrichting wordt gekenmerkt door de volgende stappen: a) het aanbrengen van een patroon van een transflek-tief materiaal op een steunplaat, b) het aanbrengen van een laag aluminium, dat 10 etsbaar is met een eerste etsmiddel, c) het eloxeren van gebiedjes van de laag aluminium, welke aan de steunplaat bevestigd dienen te blijven, d) het galvanisch aangroeien van een laag van een elektrodemateriaal, dat etsbaar is met een tweede ets- 15 middel, e) het met behulp van een foto-etsmethode en het tweede etsmiddel aanbrengen van het elektrodenpatroon in de laag elektrodemateriaal, f) het verwijderen van de niet geëloxeerde gedeelten 20 van de aluminiumlaag, via de randen in de laag elektrodemateriaal, met het eerste etsmiddel.
Een tweede werkwijze voor het vervaardigen van een weergeefinrichting wordt gekenmerkt door de volgende stappen: 25 a) het aanbrengen van een patroon van een trans- flektief materiaal op een steunplaat, b) het aanbrengen van een laag aluminium, dat etsbaar is met een eerste etsmiddel, c) het met behulp van een foto-etsmethode en het 30 eerste etsmiddel verwijderen van gebiedjes in de laag aluminium, d) het galvanisch aangroeien van een laag van een elektrodemateriaal,dat etsbaar is met een tweede etsmiddel , 35 e) het met behulp van een foto-etsmethode en het tweede etsmiddel aanbrengen van een elektrodenpatroon in de laag elektrodemateriaal, f) het verwijderen van de laag aluminium via de 800 1 2 81 ΡΗΝ 9694 7 Λ' -Jr randen in de laag elektrodemateriaal met het eerste etsmiddel.
Om de evenwijdigheid van het voor het weergeven effektieve gedeelte van de verende elektroden met de 5 transflektieve laag te verzekeren en deze onafhankelijk te maken van de eigenlijke verende, flexibele gedeelten van de verende elektroden wordt volgens een verdere uitvoeringsvorm van de eerste of tweede werkwijze na stap e het effectieve gedeelte van de verende elektroden door 10 galvanisch aangroeien voorzien van een verstevigingslaag van elektrodemateriaal, dat etsbaar is met het tweede etsmiddel.
Op deze wijze is het mogelijk verend bevestigde elektroden te vervaardigen met een zeer grote vlakheid 15 welke nagenoeg zonder mechanische spanningen zich op zeer korte afstand van de steunplaat bevinden.
De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van bijgaande tekening, waarvan fig, la en lb schematische tekeningen zijn 20 voor het verklaren van het werkingsprincipe van de weergeef inrichting , fig. 2 een doorsnede van een eerste uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting toont, fig. 3 een bovenaanzicht van een verende 25 elektrode toont, fig. 4a, b en c de werking van de weergeef-inrichting nader verklaren, in het geval de weergeef-inrichting spanningsgestuurd wordt, fig. 5a en 5b een doorsnede van een tweede 30 resp. derde uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting tonen, fig. 6a en 6b de werking van de weergeefinrichting nader verklaren, in het geval de weergeefinrichting ladingsgestuurd wordt, 35 fig. 7a een doorsnede van een vierde uit voeringsvorm van een weergeefinrichting toont, fig. 7b een detail van de weergeefinrichting uit fig. 7a nader toont, 800 1 2 81 PHN 9694 8 fig. 8 een uitvoeringsvorm van een inrichting met een weergeefinrichting volgens de uitvinding toont, fig. 9 een uitvoeringsvorm van een projectie-televisieinrichting volgens de uitvinding toont, 5 fig. 10a, b, c en d de werkwijzen voor het vervaardigen van een weergeefinrichting volgens de uitvinding nader verklaren.
Aan de hand van figuur la zal het werkingsprincipe van een weergeefinrichting volgens de uitvinding worden 10 verklaard. Schematisch is een transflektieve laag 1 en een zich op een afstand d hiervan bevindende gedeeltelijk reflekterende laag 2 aangegeven. De reflekties van de laag 1 en de laag 2 zijn gelijk. Van een invallende lichtbundel 3 wordt door de transflektieve laag 1 een 15 deel gereflekteerd en een deel doorgelaten. Het doorgelaten licht wordt gedeeltelijk gereflekteerd door de gedeeltelijk reflekterende laag 2. Het niet door de laag 2 gereflekteerde licht kan door de laag 2 worden doorgelaten of worden geabsorbeerd. Door herhaalde interne 20 reflekties aan de lagen 1 en 2 ontstaan een aantal parallelle deelbundels 5a, 5b en 5c, met afnemende intensiteit.
Hebben deze parallelle deelbundels 5 samen nagenoeg dezelfde intensiteit als de direkt aan de laag 1 gereflek-deelbundel 4, dan kan door het variëren van de afstand 25 d voor een bepaalde golflengte de intensiteit van het gereflekteerde licht ten gevolge van de optredende interferentie tussen nagenoeg 0 en een van de reflektie-coëfficiënt van de lagen 1 en 2 afhankelijke maximale waarde geregeld worden. Is de invallende lichtbundel uit 30 licht van meerdere golflengten samengesteld, dan worden bij het variëren van de afstand d gereflekteerd licht van de opeenvolgende golflengten waargenomen.
In figuur 1b is de relatieve inteisiteit van de hoeveelheid gereflekteerd licht weergegeven als funktie 35 van het door de afstand tussen de lagen 1 en 2 bepaalde faseverschil cK tussen het direct aan laag 1 en het aan laag 2 gereflekteerde licht voor een reflektie-coëfficiënt van de lagen 1 en 2 van 0,5.
800 1 2 81 j -i.
PHN 9694 9
In figuur 2 is schematische- een doorsnede van een uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting getekend. Op een glazen steunplaat 10 zijn een aantal stripvormige transflek- tieve elektroden 11 aangebracht. De elektroden 11 worden ge-δ vormd door een 0.05 ^um dikke laag 12 van indium- of tin-oxide waarop een 0,01 a 0,02yum dikke laag 13 van chroom is aangebracht. In plaats van de lagen 12 en 13 kan eventueel ook één laag alleen van chroom worden aangebracht. Op een afstand van 0,3 /Urn van de stripvormige elekroden 11 zijn 10 elektroden 14 verend bevestigd aan pilaartjes 15. De elektroden 14 zijn onderling doorverbonden, zodanig dat stripvormige elektroden 16 gevormd worden, welke nagenoeg loodrecht staan op de stripvormige elektroden 11. Op deze wijze wordt een zogenaamd cross-bar display verkregen, waarbij de elek-15 troden 14 de kolommen en de elektroden 16 de rijen van de weergeefinrichting vormen. De verende elektroden 14 zijn vervaardigd van nikkel en bezitten een dikte van 0,3^um. De pilaartjes 15 zijn vervaardigd van aluminium-oxide. De pilaartjes 15 kunnen ook uit de laag nikkel van de verende elek- 20 troden zelf vervaardigd worden hetgeen aan de hand van figuur 10d nader verklaard zal worden.
In figuur 3 is een bovenaanzicht getekend van een afzonderlijke verende elektrode 20. Elke elektrode 20 bevat een centraal gedeelte 21, dat via dunne stripjes 23 door 25 middel van de vlakjes 24is:be ifestigd aan de pilaartjes 25, welke gestippeld zijn weergegeven. De stripjes 23 vormen de verende elementen van het weergeefelement, waardoor het centrale gedeelte 21 van de elektroden 20 evenwijdig aan zichzelf verplaatsbaar is. De elektrode 20 heeft een oppervlakte van 200 x 200^um.
Aan de hand van de fiuren 4a en 4b zal de werking van een verende elektrode nader worden verklaard. In fig. 4a is schematisch één weergeefelement getekend, waarbij op een glazen steunplaat 30 een transHektieve elektrode 31 en op 35 afstand a hiervan door middel van de pilaartjes 32 een verende elektrode 33 is aangebracht. De verende elektrode 33 kan worden voorgesteld als een centraal versterkt gedeelte 34 800 1 2 81 PHN 9694 10 dat met behulp van de veren 36 met een gezamenlijke veerkon-stante C aan de vlakjes 35 is bevestigd. Wordt over de elektroden 31 en 33 een spanning V aangelegd, dan ondervindt het centrale gedeelte 34 een naar elektrode 31 gerichte elektro-5 statische kracht en een tegengesteld gerichte veerkracht. De elektrode 34 is in evenwicht als geldt: V = (a-x) (2 C x)%
E
o 10 In figuur 4b is bovenstaande vergelijking in V en ï weergegeven. Voor spanninge beneden
U - ( — £§. ) Λ x - —a is V1 " <27 20 ; 3’ Χ " 3a 1S
,. het evenwicht tussen de elektrostatische kracht en de veer-kracht stabiel. Voor spanningen boven V^ wordt het evenwicht labiel en klapt de elektrode 34 naar elektrode 31.
De weergeefinrichting kan nu op verschillend manieren bedreven worden. Volgens een eerste manier worden de elek-2Q troden gestuurd met spanningen welke kleiner zijn dan V^, zodat de elektrode 34 zich kan bewegen over een afstand X = ya, gerekend vanaf de positie waarbij de elektrode 34 zich bij een spanning V = 0 op een afstand a van de elektrode 31 bevindt. Valt op de weergeefinrichting een lichtbundel met een golflengte λ,, dus licht van één kleur, in onder een
Za J.
hoek eC met de normaal op de eerste steunplaat en is de afstand tussen de verende elektrode 33 en elektrode 31 bij V = o gelijk aan a = ~r λ /cos« dan kan door het variëren 4 1 ^ van afstand over een bereik van -ja de reflektie van het op- „„ vallende licht van nul tot maximale intensiteit worden ge-30 regeld. Bevat de invallende lichtbundel licht van meerdere golflengten, dan wordt bij het variëren van de afstand tussen de elektroden gereflekteerd licht van de respectievelijke golflengten en dus kleuren waargenomen. Het is eveneens mogelijk de bistabiele mode te gebruiken, waarbij de verende oö elektrode 34 zich slechts in twee uiterste standen kan bevinden. Hiervoor is een ten opzichte van figuur 4a iets 800 1 2 81 PHN 9694 11 gewijzigde uitvoeringsvorm nodig, welke in figuur 4c is weergegeven, waarbij overeenkomstige onderdelen met dezelfde verwijzingscijfers zijn aangeduid. Bij een spanning V = 0 bevindt de elektrode 34 zich op een afstand a van de elektrode 5 31. Deze afstand a is zo gekozen, dat naximale reflektie op treedt voor onder een hoek 04 invallend licht van een golflengte \ Bij een spanning groter dan klapt de verende elektrode 34 naar elektrode 31. Om kortsluiting te voorkomen is de elektrode 31 voorzien van een aantal isolerende pilaar-^ tjes 37 waarvan de hoogte zo gekozen is dat bij het aanliggen van de elektrode 34 tegen de pilaartjes 37 de afstand tussen de lerende elektrode 34 en elektrode 31 juist gelijk is aan de afstand waarvoor de reflektie van de invallende lichtbundel nul is. Wordt een invallende lichtbundel gebruikt met ^ licht van twee golflengten dan kunnen de uiterste standen van de verende elektrode 33 zo gekozen worden,dat in de ene stand de reflektie van licht van de eerste golflengte en in de andere stand van reflektie van licht van de tweede golflengte maximaal is. Het is eveneens mogelijk de weergeefin-20 richting te gebruiken bij omgevingslicht. Bij verandering van de hoek waaronder de weergeefinrichting wordt waargenomen, zal de golflengte en dus de kleur van het gereflekteerde licht weliswaar veranderen, maar het contrast van het waargenomen beeld bijft behouden.
25 In figuur 5a is een tweede uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting in doorsnede getekend. Op een glazen steunpunt 40 zijn een aantal stripvormige transflectieve gebieden 41 aangebracht. Een aantal verende elektroden 42 is met behulp van pilaartjes 43 op een afstand a van de elek-30 troden 41 aangebracht. De verende elektroden 42 zijn onderling doorverbonden en vormen stripvormige elektroden, welke de stripvormige elektroden 41 kruisen. Op enige afstand van de eerste steunplaat 40 is een tweede steunplaat 44 aangebracht, welke op afstand gehouden wordt door een raam 45. Op de 25 steunplaat 44 zijn een aantal stripvormige elektroden 46 aangebracht, welke in registratie zijn met de stripvormige gebieden 41 op de steunplaat 40 en welke zich op een afstand 800 1 2 81 PHN 9694 12 / in geval van spanningsbesturing b van de verende elektroden 42 bevinden. De afstand tussen de verende elektroden 42 en de stripvormige transflectieve gebieden 41 wordt nu gevarieerd door het aanleggen van een spanning over de verende elektroden 42 en de stripvormige 5 elektroden 46 op de tweede steunplaat 44. Deze uitvoeringsvorm heeft het voordeel, dat de verende elektroden 42 over een groot bereik uitgestuurd / worden. De afstand b tussen de elektroden 46 en de verende elektroden 42 kan namelijk groter gekozen worden dan de afstand a tussen de verende 10 elektroden 42 en de stripvormige transflectieve gebieden 41.
De afstand van jb waarover de veerkracht stabiel evenwicht maakt met de elektrostatische kracht is zodoende groter dan de afstand ja, zoals bij de in figuur 2 getekende uitvoeringsvorm het geval is.
15
Bij de in figuur 2 getekende uitvoeringsvorm is / het/niet mogelijk van het nulde orde maxima in de intensiteit van het gerefld<teerde licht gebruik te maken, daar het verplaatsen van de verende elektrode over een afstand ja niet voldoende is om de afstand tussen de verende elektrode en 20 de transflektieve laag gelijk te maken aan de afstand waarvoor de reflektie van het licht gelijk aan nul is. Bij de onderhavige uitvoeringsvorm is het door de grotere afstand jb,waarover de verende elektrode bewogen kan worden.wel mogelijk om uitgaande van het nulde orde maximum de verende 25 elektrode zo te bewegen dat de reflektie van het licht gelijk aan nul is. Het gebruik van nulde orde effekten heeft het voordeel,dat het beeld onder een grote hoek kan worden waargenomen in tegenstelling tot hogere orde effekten waar bij variatie van de hoek, waaronder het beeld wordt gezien, 30 opeenvolgend maximale reflektie en geen reflektie wordt waargenomen. De afstand a bedraagt bijvoorbeeld 0,05^um en de afstand b bijvoorbeeld lO^um, zodat de maximale afstand tussen de verende elektroden 42 en de stripvormige gebieden 41 nagenoeg 3 ,um bedraagt.
35 /
In figuur 5b is een derde uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting in doorsnede getekend.Gelijke onderdelen hebben dezelfde verwijzingscijfers als in figuur 5a. Op de steunplaat 44 zijn een aantal stripvormige elektroden 46 800 1 2 81 PHN 9694 13 aangebracht, die nu de stripvormige elektroden 41 loodrecht kruisen. Op de elektroden 41 en 46 zijn een aantal pilaartjes 47 van isolerend materiaal aangebracht. Zoals op zich bekend uit de nederlandse octrooiaanvrage 7510103 is de in-5 richting bistabiel, dat wil zeggen de verende elektroden 42 kunnen zich slechts in twee uiterste standen bevinden.
Door het aanléggen van geschikte spanningen over de elektroden 41, 42 en 46 kunnen de verende elektroden 42 ofwel tegen de pilaartjes 47 op elektroden 41 ofwel tegen de pilaartjes 10 47 op de elektroden 46 aanliggen. De hoogte van de pilaartjes 47 wordt zo gekozen, dat bijvoorbeeld bij een invallende lichtbundel met licht van twee golflengten in de ene uiterste stand van de verende elektrode de reflektie van het licht van de eerste golflengte en in de andere uiterste stand 15 de reflektie van het licht van de tweede golflengte maximaal is. Het is eveneens mogelijk de weergeefinrichting te gebruiken bij omgevingslicht.
Aan de hand van figuur 6a en 6b zal het werkings-principe van een vierde uitvoeringsvorm van een weergeefin- 20 richting worden verklaard. Schematisch is slechts éen weer-geefelement aangegeven. Op een glazen steunplaat 50 is een transflektieve elektrode 51 aangebracht. Een verende elektrode 52, welke voorgesteld kan worden door een centraal versterkt gedeelte 53 dat met veertjes 55 aan vlakjes 54 is be-25 vestigd, is op een afstand a van de elektrode 51 aangebracht met behulp van pilaartjes 56. De verende elektrode 53 wordt opgeladen met behulp van een elektrcnenbundel 57. Ten gevolge van een oplading Q ondervindt elektrode 53 een elek- o trostatische kracht F = Q /2 E A, waarbij A het oppervlak 30 e o van de elektrode 53 is. Uit deze formule blijkt dat de kracht evenredig is met het kwa±aat van de lading en onafhankelijk is van de afstand tussen de verende elektrode 53 en de elektrode '51. Ten gevolge van de elektrostatische kracht ondervindt elektrode 53 tevens een tegengestelde ge-35 richte veerkracht Fy = CX .
In figuur 6b is weergegeven hoe de afstand van de 80 0 1 2 81 PHN 9694 14 verende elektrode 53 tot elektrode 51 afhankelijk is van de door de elektronenbundel 57 opgebrachte lading Q. Hieruit blijkt dat voor elke afstand tussen de verende elektrode 53 en de elektrode 51 de elektrostatische kracht stabiel even- 5 wicht maakt met de veerkracht, zodat de elektrode 53 over de gehele afstand a kan worden uitgestuurd.
In figuur 7a is een praktische uitvoeringsvorm weergegeven van een weergeefinrichting waarbij de verende elektroden opgeladen worden door middel van een elektronen- 10 bundel. Een glazen omhulling 60 bevat een beeldvenster 61, een conus 62 en een halsgedeelte 63. Op de binnenzijde van het beelvenster 61 is een matrix van weergeefelementen 64 aangebracht. In de hals 63 is een elektronenkanon 65 aangebracht van het opwekken van een elektronenbundel 66. Het 15 elektronenkanon 65 kan van een op zich bekende konstruktie zijn en behoeft geen nadere toelichting. Met behulp van een om de glazen omhulling geplaatst afbuigspoelenstelsel 67 wordt de elektrcrenbundel 66 afgebogen, waarbij de matrix 64 van weergeefelementen volgens een raster van evenwijdige 20 lijnen wordt afgetast. De elektronenbundel 66 wordt op bekende wijze gemoduleerd met de aangeboden video-informatie.
Op deze wijze worden de afzonderlijke beeldelementen van een lading voorzien, ten gevolge waarvan de verende elektroden in meer of mindere mate naar de vaste gemeenschappelijke 25 elektrode op het beeldvenster 61 worden getrokken, welke is geaard.
Voor het weergeven van lopende televisiebeelden dient door de elektronenbundel 25 maal per seconde het beeldvenster in zijn geheel te worden afgetast. De lading op elk 30 i- van de verende elektroden dient daarom in ongeveer /25 sec.
weg te lekken. Deze relaxatietijd van de verende elektroden wordt bewerkstelligd door de verende elektroden via een weerstand met de geaarde elektrode op het beeldvenster te verbinden .
In figuur 7b is schematisch een perspectivisch aanzicht getekend van een wijze waarop dit kan worden gerealiseerd. Een verende elektrode 64 is met behulp van pilaar- 35 800 1 2 81 PHN 9694 15 tjes 69 op enige afstand van het beeldvenster 61 aangebracht. Op het beeldvenster bevindt zich een van de pilaartjes 69 geïsoleerd aangebrachte elektrode 68, welke geaard is. De verende elektrode 64 is via de weerstand 70 met de elektrode 5 68 verbonden, zodat de lading op de verende elektrode 64 via de pilaartjes 69 en weerstanden 70 in een bepaalde tijd weg kan lekken.
Een dergelijke weergeefinrichting is geschikt om toegepast te worden in een informatieverwerkingsinrichting 10 (data-display). In figuur 8 is een uitvoeringsvorm van een dergelijke inrichting weergegeven. Met verwijzingscijfer 75 is een weergeefinrichting zoals in figuur 7a is getekend aangeduid. Het beeldvenster 76 van de weergeefinrichting 75 wordt onder een bepaalde hoek uniform verlicht door een lichtbron 15 77, welke in het brandpunt is geplaatst van een parabolische spiegel 78. Het specturm van het door de lichtbron 7 uitgezonden licht bevat drie smalle banden rond de golflengten \1 = 0,6 ^um (rood), = 0.54 ^um (groen) en = 0,45 ^um (blauw). Afhankelijk van de afstand tussen de verende elek-20 troden en de elektroden op het beeldvenster, welke bepaald wordt door de hoeveelheid lading welke de elektronenbundel overeenkomstig de aangeboden informatie op de verende elektroden deponeert, wordt licht van een bepaalde golflengte en dus kleur gereflekteerd. Hiermee is het bijvoorbeeld mo-25 gelijk gekleurde letters tegen een verschillend gekleurde achtergrond weer te geven. Door een waarnemer 79 wordt een helder kleurenbeeld waargenomen, waarvan de helderheid grotendeels bepaald wordt door de intensiteit van de op het beeldscherm invallende lichtbundel.
30 In figuur 9 is een uitvoeringsvorm van een pro- jektietelevisie-inrichting volgens de uitvinding in bovenaanzicht getekend. De inrichting bevat drie weergeefinrichtingen 80, 81 en 82. Drie lichtbronnen 83, 84 en 85, welke in het brandpunt van parabolische spiegels 86, 87 en 88 zijn ge-35 plaatst, zorgen voor het verkrijgen van een evenwijdige lichtbundel op elk van de weergeefinrichtingen 80, 81 en 82. De lichtbronnen 83, 84 en 85 zenden respectievelijk rood, groen blauw licht uit, zodat door 800 1 2 81 PHN 9694 16 de weergeefinrichtingen 80, 81 en 82 een respektievelijk rood, groen en blauw beeld wordt gereflekteerd. De drie éên-kleurige beelden worden met behulp van de lenzen 89, 90 en 91 op het scherm 92 geprojekteerd, zodanig dat de drie 5 beelden elkaar overlappen. Op het scherm wordt dan een gekleurd beeld waargenomen.
Aan de hand van figuur 10 zal een uitvoeringsvorm van een werkwijze voor het vervaardigen van een weergeef- inrichting worden toegelicht. In figuur 10a is een glazen weergegeven 10 steunplaat 100/, waarop een patroon 101 van chroom is opgedampt met een dikte van 0,01 è 0,02^um. Hierover is een 0,4 yum dikke aluminium laag 102 aangebracht. Op de aluminium-laag 102 wordt vervolgens een laag 103 van een fotolak aangebracht. In de laag 103 worden op bekende wijze openingen 15 104 aangebracht. De openingen 104 corresponderen met de ge biedjes in de aluminiumlaag 102 welke aan de steunplaat 100 bevestigd dienen te blijven. Vervolgens wordt het aluminium ter plaatse van de openingen 104 geëloxeerd, waarna de laag 103 weer wordt verwijderd. In figuur 10b zijn deze 20 geëloxeerde gebiedjes met verwijzingscijfer 105 aangegeven.
Op de aluminiumlaag 102 wordt een nikkellaag 106 met een dikte van 0,15^um aangebracht. Het aanbrengen van de nikkellaag 106 geschiedt door het galvanisch aangroeien van deze laag uit een nikkelsulfanaatbad. Hierdoor wordt een nikkel-25 laag verkregen welke nagenoeg zonder mechanische spanningen aanligt tegen de aluminiumlaag 102. Met behulp van een op zich bekende fotoëtsmethode wordt de vorm van de verende elektrode zoals in figuur 3 is weergegeven, in de laag 106 uitgeëtst. Het etsmiddel is daarbij salpeterzuur dat de 30 onderliggende aluminiumlaag 102 en de geëloxeerde gebieden 1Q4 niet aantast. Om de evenwijdigheid van de centrale gedeelten van de verende elektroden (zie figuur 3) met de elektroden 101 te waarborgen en onafhankelijk te maken van de eigenlijk verende, flexibele gedeelten van de elektroden, 35 worden de centrale gedeelten van de verende elektroden van voorzien een verstevigingslaag 107 van Ni of Ag/ welke door galvanisch aangroeien wordt aangebracht. Vervolgens wordt er ge- 80 0 1 2 81 PHN 9694 17 etst met geconcenteerd H^PO^ bij 60°C dat de nikkelen laag 106 en de geëloxeerde gebieden 104 niet aantast, maar wel de aluminiumlaag 102. De aluminiumlaag 102 wordt door "zogenaamde" onderetsing via de randen van de elektroden verwij-5 derd, waarna de in figuur 10c getekende construktie wordt verkregen. Volgens een tweecfe uitvoeringvorm van een werkwijze voor het vervaardigen van een weergeefinrichting wordt bij het in figuur 10a weergegeven stadium het aluminium ter plaatse van de openingen 104 niet geëloxeerd maar weggeëtst.
10 Vervolgens wordt weer de nikkellaag 106 aangebracht, welke nu ook de wanden van de openingen in de aluminiumlaag 106 bedekt. In figuur lOd is het resultaat hiervan weergegeven.
De verende elektroden worden nu op afstand van de steunplaat 100 gehouden door pilaartjes van nikkel. De werkwijze ver-^ loopt verder op dezelfde wijze als het eerste uitvoerings-voorbeeld. De vlakheid van de verende elektroden is dankzij het galvanisch aangroeien van de laag 107 bijzonder goed.
De afstand tussen verende elektroden en de transflektieve gebieden 101 is met zeer groter nauwkeurigheid te bepalen 20 met behulp van de dikte van de laag opgedampt aluminium.
25 30 35 800 1 2 81
Claims (12)
1. Weergeefinrichting bevattende een doorzichtige eerste steunplaat voorzien van een transflektieve laag, en een gedeeltelijk reflekterende laag, welke in nagenoeg gelijke mate reflekteert als de transflektieve laag en welke beweegbaar is bevestigd op korte afstand van de eerste steunplaat, zodanig dat bij invallend licht afhankelijk van de afstand tussen de transflektieve en gedeeltelijk reflekterende laag interferentie verschijnselen optreden, met het kenmerk, dat de gedeeltelijk reflekterende laag een patroon van verend bevestigde elektroden vormt en de transflektieve laag in voor éên of meer verend bevestigde elektroden gemeenschappelijke gebieden is verdeeld.
2. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het patroon van verend bevestigde elektroden een eerste rooster van evenwijdige strippers vormt en de gemeenschappelijke gebieden van de transflektieve laag een tweede rooster van evenwijdige strippen vormen,welke de strippen van het eerste rooster kruisen.
^ 3. Weergeefinrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het patroon van verend bevestigde elektroden een eerste stelsel van elektroden vormt en de gebieden van de transflektieve laag een tweede stelsel van elektroden vormen.
^ 4. Weergeefinrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het patroon van verend bevestigde elektroden een eerste stelsel van elektroden vormt en op enige afstand van de eerste steunplaat een tweede steunplaat is aangebracht, welke is voorzien van een stelsel van elektroden, dat in ^ registratie is met de gebieden van de transflektieve laag.
5. Weergeefinrichting volgens conclusie 3, waarbij de elektroden van het eerste stelsel onderling zijn doorverbonden en de elektroden van het tweede stelsel stripvormig zijn, met het kenmerk, dat op enige afstand van de eerste steunplaat een tweede steunplaat is aangebracht, welke is voorzien van een derde stelsel van stripvormige elektroden, welke de stripvormige elektroden van het tweede stelsel kruisen. 800 1 2 81 PHN 9694 19
6. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat de weergeefinrichting middelen bevat voor het aanbrengen van een lading op de verende elektroden.
7. Weergeefinrichting volgens conclusie 6, met het 5 kenmerk, dat de eerste steunplaat deel uitmaakt van een glazen omhulling, welke een elektronenkanon bevat voor het opwekken van een op de eerste steunplaat gerichte elektronenbundel, welke de eerste steunplaat volgens een regelmatig patroon aftast en de verend bevestigde elektroden oplaadt.
8. Informatieverwerkings-inrichting voorzien van een weergeefinrichting volgens conclusie 6 of 7, een lichtbron, en eerste optische middelen voor het verkrijgen van een evenwijdige lichtbundel, welke op de weergeefinrichting invalt, en welke weergeefinrichting het invallende licht 15 moduleert.
9. Projektietelevisie-inrichting voorzien van ten minste twee weergeefinrichtingen volgens conclusie 6 of 7 en welke voor elke weergeefinrichting is voorzien van een lichtbron, welke licht van één kleur uitzendt, eerste optische 20 middelen vooor het verkrijgen van een evenwijdige lichtbundel welke invalt op de weergeefinrichting, welke het invallende licht moduleert en tweede optische middelen voor het projek-teren van het gemoduleerde licht op een voor de weergeefin-richtingen gemeenschappelijk scherm.
10. Werkwijze voor het vervaardigen van een weer- geeinrichting volgens één der voorgaande conclusies gekenmerkt door, a) het aanbrengen van een patroon van een trans-flektief materiaal op een steunplaat, 30 b) het aanbrengen van een laag aluminium, dat etsbaar is met een eerst etsmiddel, c) het eloxeren van gebiedjes van de laag aluminium, welke aan de steunplaat bevestigd dienen te blijven, d) het galvanisch aangroeien van een laag van 35 een elektrodenmateriaal, dat etsbaar is met een tweede etsmiddel , e) het met behulp van een foto-etsmethode en 800 1 2 81 PHN 9694 20 het tweede etsmiddel van een elektrodepatroon in de laag elektrodemateriaal, f) het verwijderen van de niet geëloxeerde gedeelten van de aluminiumlaag via de randen in de laag elektrode-5 materiaal met het eerste etsmiddel.
11. Werkwijze voor het vervaardigen van een weergeef-inrichting volgens éên der voorgaande conclusies 1 t/m 9 gekenmerkt door: a) het aanbrengen van een patroon van een trans-10 flektief materiaal op een steunplaat, b) het aanbrengen van een laag aluminium, dat ets-baar is met een eerste etsmiddel, c) het met behulp van een foto-etsmethode en het eerste etsmiddel verwijderen van gebiedjes in de laag alumi- 15 nium, d) het galvanisch aangroeien van een laag van een elektrodemateriaal, dat etsbaar is met een tweede etsmiddel, e) het met behulp van een foto-etsmethode en het tweede etsmiddel aanbrengen van een elektroden-patroon 20 in de laag elektrodemateriaal, « f) Het verwijderen van de laag aluminium via de randen in de laag elektrodemateriaal met het eerste etsmiddel .
12. Werkwijze volgens conclusie 10 of 11 met het ken-25 merk, dat na stap e) het effectieve gedeelte van de elektroden van het elektrodenpatroon van een verstevigingslaag wordt voorzien. 30 35 80 0 1 2 ei
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8001281A NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1980-03-04 | Weergeefinrichting. |
DE8181200186T DE3160906D1 (en) | 1980-03-04 | 1981-02-18 | Display device |
EP81200186A EP0035299B1 (en) | 1980-03-04 | 1981-02-18 | Display device |
CA000371839A CA1158436A (en) | 1980-03-04 | 1981-02-26 | Display device |
ES499962A ES8201739A1 (es) | 1980-03-04 | 1981-03-02 | Un dispositivo de visualizacion |
JP3041981A JPS56137384A (en) | 1980-03-04 | 1981-03-03 | Display unit |
US06/240,540 US4403248A (en) | 1980-03-04 | 1981-03-04 | Display device with deformable reflective medium |
US06/487,782 US4459182A (en) | 1980-03-04 | 1983-04-22 | Method of manufacturing a display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8001281A NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1980-03-04 | Weergeefinrichting. |
NL8001281 | 1980-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8001281A true NL8001281A (nl) | 1981-10-01 |
Family
ID=19834928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8001281A NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1980-03-04 | Weergeefinrichting. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4403248A (nl) |
EP (1) | EP0035299B1 (nl) |
JP (1) | JPS56137384A (nl) |
CA (1) | CA1158436A (nl) |
DE (1) | DE3160906D1 (nl) |
ES (1) | ES8201739A1 (nl) |
NL (1) | NL8001281A (nl) |
Families Citing this family (287)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8103377A (nl) * | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
NL8200354A (nl) * | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
NL8201222A (nl) * | 1982-03-24 | 1983-10-17 | Philips Nv | Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer. |
US4680579A (en) * | 1983-09-08 | 1987-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Optical system for projection display using spatial light modulator device |
NL8402201A (nl) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
US4617608A (en) * | 1984-12-28 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Variable gap device and method of manufacture |
US5835255A (en) * | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
EP0290093A1 (en) * | 1987-05-07 | 1988-11-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroscopic fluid display and method of manufacturing thereof |
DE8717791U1 (de) * | 1987-06-16 | 1990-02-15 | Binder, Helmut, 8720 Schweinfurt | Farbbildschirm |
US4878122A (en) * | 1987-09-04 | 1989-10-31 | New York Institute Of Technology | Light modulator video display apparatus |
US4879602A (en) * | 1987-09-04 | 1989-11-07 | New York Institute Of Technology | Electrode patterns for solid state light modulator |
US4954789A (en) * | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5233459A (en) * | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7830587B2 (en) * | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
US7852545B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7550794B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US7297471B1 (en) | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
US7826120B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
US8014059B2 (en) | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
US7460291B2 (en) * | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US7800809B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-09-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US20010003487A1 (en) * | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
US7738157B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-06-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US7776631B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and method of forming a MEMS device |
US6680792B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7619810B2 (en) * | 1994-05-05 | 2009-11-17 | Idc, Llc | Systems and methods of testing micro-electromechanical devices |
US8081369B2 (en) * | 1994-05-05 | 2011-12-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US6710908B2 (en) | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US7839556B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7808694B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7138984B1 (en) | 2001-06-05 | 2006-11-21 | Idc, Llc | Directly laminated touch sensitive screen |
US5636052A (en) * | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
US5640214A (en) * | 1994-09-30 | 1997-06-17 | Texas Instruments Incorporated | Printer and display systems with bidirectional light collection structures |
US5612753A (en) * | 1995-01-27 | 1997-03-18 | Texas Instruments Incorporated | Full-color projection display system using two light modulators |
US7898722B2 (en) * | 1995-05-01 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with restoring electrode |
US6046840A (en) | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
US7907319B2 (en) | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
US5829870A (en) * | 1995-12-04 | 1998-11-03 | Ford Global Technologies, Inc. | Variable headlamp system for an automotive vehicle using an electrostatic shutter |
US5681103A (en) * | 1995-12-04 | 1997-10-28 | Ford Global Technologies, Inc. | Electrostatic shutter particularly for an automotive headlamp |
US7929197B2 (en) * | 1996-11-05 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for a MEMS device |
US7830588B2 (en) | 1996-12-19 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof |
US7471444B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
DE19709798A1 (de) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Clariant Gmbh | Pigmentzubereitungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6473220B1 (en) | 1998-01-22 | 2002-10-29 | Trivium Technologies, Inc. | Film having transmissive and reflective properties |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US7532377B2 (en) | 1998-04-08 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Movable micro-electromechanical device |
US8023724B2 (en) * | 1999-07-22 | 2011-09-20 | Photon-X, Inc. | Apparatus and method of information extraction from electromagnetic energy based upon multi-characteristic spatial geometry processing |
WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US7099065B2 (en) * | 2000-08-03 | 2006-08-29 | Reflectivity, Inc. | Micromirrors with OFF-angle electrodes and stops |
US6962771B1 (en) * | 2000-10-13 | 2005-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dual damascene process |
FR2824643B1 (fr) * | 2001-05-10 | 2003-10-31 | Jean Pierre Lazzari | Dispositif de modulation de lumiere |
JP4945059B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2012-06-06 | クアルコム メムス テクノロジーズ インコーポレイテッド | フォトニックmems及び構造 |
US6589625B1 (en) | 2001-08-01 | 2003-07-08 | Iridigm Display Corporation | Hermetic seal and method to create the same |
US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
US6574033B1 (en) | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
US7345824B2 (en) * | 2002-03-26 | 2008-03-18 | Trivium Technologies, Inc. | Light collimating device |
US7595934B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-09-29 | Brilliant Film Llc | Integrated sub-assembly having a light collimating or transflecting device |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
US7405860B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas |
TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
TW200413810A (en) | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
TW594360B (en) | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7573550B2 (en) * | 2003-05-20 | 2009-08-11 | Brilliant Film, Llc | Devices for use in non-emissive displays |
TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7221495B2 (en) | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TW593127B (en) * | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
TWI231865B (en) | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
CN100367080C (zh) * | 2003-08-27 | 2008-02-06 | 高通Mems科技公司 | 光干涉式显示面板以及其制造方法 |
TW593126B (en) | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
US7012726B1 (en) | 2003-11-03 | 2006-03-14 | Idc, Llc | MEMS devices with unreleased thin film components |
US7161728B2 (en) | 2003-12-09 | 2007-01-09 | Idc, Llc | Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators |
US7142346B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
US7532194B2 (en) | 2004-02-03 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Driver voltage adjuster |
US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
US7119945B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
US7706050B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated modulator illumination |
US7855824B2 (en) * | 2004-03-06 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for color optimization in a display |
US7476327B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
US7060895B2 (en) | 2004-05-04 | 2006-06-13 | Idc, Llc | Modifying the electro-mechanical behavior of devices |
US7164520B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
US7787170B2 (en) * | 2004-06-15 | 2010-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror array assembly with in-array pillars |
US7113322B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-09-26 | Reflectivity, Inc | Micromirror having offset addressing electrode |
US7256922B2 (en) | 2004-07-02 | 2007-08-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators with thin film transistors |
KR101255691B1 (ko) | 2004-07-29 | 2013-04-17 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
US7515147B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-04-07 | Idc, Llc | Staggered column drive circuit systems and methods |
US7889163B2 (en) | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
US7499208B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-03-03 | Udc, Llc | Current mode display driver circuit realization feature |
US7560299B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7551159B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-06-23 | Idc, Llc | System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator |
US7602375B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-10-13 | Idc, Llc | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7813026B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of reducing color shift in a display |
US7161730B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-01-09 | Idc, Llc | System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7343080B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-11 | Idc, Llc | System and method of testing humidity in a sealed MEMS device |
US7327510B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7460246B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Method and system for sensing light using interferometric elements |
US7130104B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7916103B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with end-of-life phenomena |
US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
US8878825B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
US7573547B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-08-11 | Idc, Llc | System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device |
US7420728B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material |
US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
US7417783B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7355780B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-08 | Idc, Llc | System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting |
US7424198B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
US7259449B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-08-21 | Idc, Llc | Method and system for sealing a substrate |
US7701631B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
US20060176487A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-08-10 | William Cummings | Process control monitors for interferometric modulators |
US7345805B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-18 | Idc, Llc | Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches |
US7675669B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
US7321456B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
US8004504B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-08-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reduced capacitance display element |
US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
US7299681B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | Method and system for detecting leak in electronic devices |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US8124434B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
US7612932B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-11-03 | Idc, Llc | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
WO2006037044A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7417735B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices |
US7679627B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7446927B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | MEMS switch with set and latch electrodes |
US7136213B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-11-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators having charge persistence |
US7564612B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US7369294B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7808703B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for implementation of interferometric modulator displays |
US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7920135B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving a bi-stable display |
US7289256B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Electrical characterization of interferometric modulators |
US7310179B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-18 | Idc, Llc | Method and device for selective adjustment of hysteresis window |
US7668415B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
US7653371B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
US7184202B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
US7807488B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display element having filter material diffused in a substrate of the display element |
US7317568B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-08 | Idc, Llc | System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors |
US7626581B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-01 | Idc, Llc | Device and method for display memory using manipulation of mechanical response |
US7586484B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-08 | Idc, Llc | Controller and driver features for bi-stable display |
US7492502B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-02-17 | Idc, Llc | Method of fabricating a free-standing microstructure |
US7692839B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
US7630119B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
US7545550B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-09 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
US7527995B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
US7405924B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate |
US7302157B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
US7710632B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters |
US7554714B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Device and method for manipulation of thermal response in a modulator |
US7446926B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device |
US7535466B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-19 | Idc, Llc | System with server based control of client device display features |
US7368803B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion |
US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
US7415186B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-19 | Idc, Llc | Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects |
US7710629B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7349136B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-03-25 | Idc, Llc | Method and device for a display having transparent components integrated therein |
US7553684B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
US7453579B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-11-18 | Idc, Llc | Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators |
US7359066B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-15 | Idc, Llc | Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators |
US7304784B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US20060176241A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-08-10 | Sampsell Jeffrey B | System and method of transmitting video data |
US7092143B2 (en) * | 2004-10-19 | 2006-08-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array device and a method for making the same |
TW200628877A (en) | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
US7295363B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Optical coating on light transmissive substrates of micromirror devices |
KR20080027236A (ko) * | 2005-05-05 | 2008-03-26 | 콸콤 인코포레이티드 | 다이나믹 드라이버 ic 및 디스플레이 패널 구성 |
US7948457B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7920136B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
US7884989B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
EP1910216A1 (en) * | 2005-07-22 | 2008-04-16 | QUALCOMM Incorporated | Support structure for mems device and methods therefor |
WO2007013992A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-02-01 | Qualcomm Incorporated | Support structure for mems device and methods therefor |
US7355779B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-04-08 | Idc, Llc | Method and system for driving MEMS display elements |
JP2009509786A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | Mems装置及びmems装置における相互接続 |
US7460293B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display system |
GB0521251D0 (en) | 2005-10-19 | 2005-11-30 | Qinetiq Ltd | Optical modulation |
US7630114B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
US8391630B2 (en) | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7636151B2 (en) | 2006-01-06 | 2009-12-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing residual stress test structures |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
US8194056B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7530696B2 (en) * | 2006-02-13 | 2009-05-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Projectors and operation thereof |
US7582952B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-09-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof |
US7547568B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US7550810B2 (en) | 2006-02-23 | 2009-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having a layer movable at asymmetric rates |
US7450295B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7643203B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
US7746537B2 (en) * | 2006-04-13 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices and processes for packaging such devices |
US7903047B2 (en) | 2006-04-17 | 2011-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mode indicator for interferometric modulator displays |
US7623287B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-11-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US7527996B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
US7417784B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface |
US8049713B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
US7369292B2 (en) | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
US7405863B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-07-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports |
US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7471442B2 (en) | 2006-06-15 | 2008-12-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures |
US7702192B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods for driving MEMS display |
US7385744B2 (en) | 2006-06-28 | 2008-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7777715B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passive circuits for de-multiplexing display inputs |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US7388704B2 (en) | 2006-06-30 | 2008-06-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7566664B2 (en) | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
WO2008045200A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical loss structure integrated in an illumination apparatus of a display |
WO2008045207A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light guide |
US7629197B2 (en) | 2006-10-18 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spatial light modulator |
US7545552B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7535621B2 (en) | 2006-12-27 | 2009-05-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications |
US8115987B2 (en) | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
US7733552B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7742220B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
US7643202B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7715085B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7643199B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
US7782517B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Infrared and dual mode displays |
US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
WO2009015231A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mems display devices and methods of fabricating the same |
CN101809471B (zh) | 2007-07-31 | 2013-12-25 | 高通Mems科技公司 | 用于增强干涉式调制器的色彩偏移的装置 |
US7570415B2 (en) | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US8072402B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics |
US7773286B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
US7847999B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
KR20100084518A (ko) * | 2007-09-17 | 2010-07-26 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 반투명/반투과반사형 광 간섭계 변조기 장치 |
US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
EP2212926A2 (en) * | 2007-10-19 | 2010-08-04 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Display with integrated photovoltaics |
CN101836137A (zh) | 2007-10-23 | 2010-09-15 | 高通Mems科技公司 | 基于微机电系统的可调整透射装置 |
US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US8068710B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
US7715079B2 (en) | 2007-12-07 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices requiring no mechanical support |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
WO2009108896A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Brilliant Film, Llc | Concentrators for solar power generating systems |
US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US7898723B2 (en) | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
US7969638B2 (en) | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
US7851239B2 (en) | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US7746539B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for packing a display device and the device obtained thereof |
US8023167B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7768690B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-08-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US20090323170A1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Groove on cover plate or substrate |
US7859740B2 (en) | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
US7855826B2 (en) | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
US7719754B2 (en) | 2008-09-30 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same |
US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
US8736590B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
BRPI1011614A2 (pt) | 2009-05-29 | 2016-03-15 | Qualcomm Mems Technologies Inc | aparelhos de iluminação e respectivo método de fabricação |
US7990604B2 (en) | 2009-06-15 | 2011-08-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator |
US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
US8379392B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-02-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light-based sealing and device packaging |
US20110235156A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for pressure detection |
JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
US8848294B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and structure capable of changing color saturation |
CN103109315A (zh) | 2010-08-17 | 2013-05-15 | 高通Mems科技公司 | 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准 |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
JP5987573B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2016-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール、電子機器、及び駆動方法 |
US20140192060A1 (en) * | 2013-01-08 | 2014-07-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling movable layer shape for electromechanical systems devices |
US10230928B2 (en) | 2014-10-27 | 2019-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Color recapture using polarization recovery in a color-field sequential display system |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH159709A (de) * | 1931-05-19 | 1933-01-31 | Carl Dr Mueller | Vorrichtung zur Beeinflussung von Strahlen durch Formänderung einer spiegelnden Fläche und Verfahren zur Herstellung derselben. |
DE665978C (de) * | 1934-06-03 | 1938-10-07 | Hans Joachim Pabst Von Ohain | Verfahren zur Umwandlung mechanischer oder elektrischer Schwingungen in Lichtschwankungen |
US2534846A (en) * | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
US3001447A (en) * | 1957-08-29 | 1961-09-26 | Zeiss Ikon A G Stuttgart | Image reproducing device for visible and invisible radiation images |
US3567847A (en) * | 1969-01-06 | 1971-03-02 | Edgar E Price | Electro-optical display system |
US3600798A (en) * | 1969-02-25 | 1971-08-24 | Texas Instruments Inc | Process for fabricating a panel array of electromechanical light valves |
US3982890A (en) * | 1971-03-18 | 1976-09-28 | Cyclamatic, Inc. | Method and apparatus for curing concrete products |
DE2242438A1 (de) * | 1972-08-29 | 1974-03-07 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator |
US3902012A (en) * | 1973-07-16 | 1975-08-26 | Ibm | Color deformographic storage target |
DE2336930A1 (de) * | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
NL7510103A (nl) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Philips Nv | Elektrostatisch bestuurde beeldweergeefinrichting. |
JPS5228856A (en) * | 1975-08-29 | 1977-03-04 | Westinghouse Electric Corp | Method of manufacturing light valve |
US4124494A (en) * | 1978-01-11 | 1978-11-07 | Uop Inc. | Treating a petroleum distillate with a supported metal phthalocyanine and an alkanolamine hydroxide |
US4205428A (en) * | 1978-02-23 | 1980-06-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Planar liquid crystal matrix array chip |
JPS6019608B2 (ja) * | 1978-10-03 | 1985-05-17 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
-
1980
- 1980-03-04 NL NL8001281A patent/NL8001281A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-02-18 EP EP81200186A patent/EP0035299B1/en not_active Expired
- 1981-02-18 DE DE8181200186T patent/DE3160906D1/de not_active Expired
- 1981-02-26 CA CA000371839A patent/CA1158436A/en not_active Expired
- 1981-03-02 ES ES499962A patent/ES8201739A1/es not_active Expired
- 1981-03-03 JP JP3041981A patent/JPS56137384A/ja active Pending
- 1981-03-04 US US06/240,540 patent/US4403248A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-04-22 US US06/487,782 patent/US4459182A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0035299B1 (en) | 1983-09-21 |
CA1158436A (en) | 1983-12-13 |
DE3160906D1 (en) | 1983-10-27 |
US4459182A (en) | 1984-07-10 |
ES499962A0 (es) | 1981-12-16 |
EP0035299A3 (en) | 1981-09-23 |
EP0035299A2 (en) | 1981-09-09 |
ES8201739A1 (es) | 1981-12-16 |
JPS56137384A (en) | 1981-10-27 |
US4403248A (en) | 1983-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8001281A (nl) | Weergeefinrichting. | |
US5508841A (en) | Spatial light modulator based phase contrast image projection system | |
US4698602A (en) | Micromirror spatial light modulator | |
US5126836A (en) | Actuated mirror optical intensity modulation | |
US5185660A (en) | Actuated mirror optical intensity modulation | |
US4728185A (en) | Imaging system | |
US6215579B1 (en) | Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image | |
JP3810107B2 (ja) | 空間的光変調器ディスプレイ内に存在する欠陥の視覚的影響を減少させる方法およびディスプレイ装置 | |
US6825969B2 (en) | MEMS-actuated color light modulator and methods | |
US6479811B1 (en) | Method and system for calibrating a diffractive grating modulator | |
KR100919537B1 (ko) | 스펙클을 저감하기 위한 복수의 광원을 구비하는 회절형광변조기를 이용한 디스플레이 장치 | |
US7248408B2 (en) | Color display apparatus using one panel diffractive-type optical modulator | |
EP1377073A2 (en) | Illumination unit employing dichroic mirror wheel and image display system including the illumination unit | |
US7116380B2 (en) | Video projector and optical light valve therefor | |
US7206118B2 (en) | Open hole-based diffractive light modulator | |
JP4343393B2 (ja) | 光変調素子、および該光変調素子を用いたプロジェクション光学系 | |
KR100947145B1 (ko) | 정전기 기계 소자, 광 회절 변조 소자 및 화상 표시 장치 | |
WO2008072376A1 (ja) | 空間位相変調素子および空間位相変調素子を用いた映像表示方法と空間位相変調素子を備えた投影装置 | |
KR100892339B1 (ko) | 요철형 투명기판을 포함한 영상 왜곡 보정 디스플레이 장치 | |
KR20070070829A (ko) | 회절형 광변조기를 이용한 래스터 스캐닝 방식의디스플레이 장치 | |
KR100251112B1 (ko) | 액튜에이티드 미러 어레이 광학계 및 이를 이용한 투사 방법 | |
GB2425613A (en) | Display device comprising open hole-based diffractive light modulator | |
KR19990004785A (ko) | 액츄에이티드 미러 어레이 광학계 및 이를 이용한 투사 방 | |
KR20030060299A (ko) | 회절격자 일체형 투사형 화상 표시장치의 광학 시스템 | |
JPH04115214A (ja) | ライトバルブ素子及び投射型表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |