[go: up one dir, main page]

JP2005276542A - 有機発光表示装置 - Google Patents

有機発光表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005276542A
JP2005276542A JP2004085897A JP2004085897A JP2005276542A JP 2005276542 A JP2005276542 A JP 2005276542A JP 2004085897 A JP2004085897 A JP 2004085897A JP 2004085897 A JP2004085897 A JP 2004085897A JP 2005276542 A JP2005276542 A JP 2005276542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
organic light
upper electrode
layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004085897A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005276542A5 (ja
JP4628690B2 (ja
Inventor
Hajime Murakami
元 村上
Masao Shimizu
政男 清水
Sukekazu Araya
介和 荒谷
Etsuko Nishimura
悦子 西村
Masahiro Tanaka
政博 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Displays Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Displays Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2004085897A priority Critical patent/JP4628690B2/ja
Priority to TW093137197A priority patent/TWI283145B/zh
Priority to CNB2005100045183A priority patent/CN100420063C/zh
Priority to US11/056,447 priority patent/US7943963B2/en
Priority to KR1020050011834A priority patent/KR101121640B1/ko
Publication of JP2005276542A publication Critical patent/JP2005276542A/ja
Publication of JP2005276542A5 publication Critical patent/JP2005276542A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4628690B2 publication Critical patent/JP4628690B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D15/00—Printed matter of special format or style not otherwise provided for
    • B42D15/0053—Forms specially designed for commercial use, e.g. bills, receipts, offer or order sheets, coupons
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42F—SHEETS TEMPORARILY ATTACHED TOGETHER; FILING APPLIANCES; FILE CARDS; INDEXING
    • B42F7/00—Filing appliances without fastening means
    • B42F7/02—Filing appliances comprising only one pocket or compartment, e.g. single gussetted pockets
    • B42F7/025—Filing appliances comprising only one pocket or compartment, e.g. single gussetted pockets made of transparent material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】
本発明の目的は、上部透明電極形成時に有機膜が酸化することを防止し、低い電圧で発光可能な上部光取出し型有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】
有機発光層と、この有機発光層を挟む上部電極，下部電極を有し、かつ上部電極側から発光光を取り出す構造の有機発光表示装置において、有機発光層と上部電極の間に上部電極材料よりも成膜時に分解生成する酸素の量が少ない酸化物を主成分とするバッファ層を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機発光表示装置に係る。
近年、有機発光表示装置が次世代平面型表示装置として注目されている。この有機発光表示装置は、自発光，広視野角，高速応答特性といった優れた特性を有する。
従来の有機発光素子の構造は、ガラス基板上にＩＴＯ等の第１電極，正孔輸送層，発光層，電子輸送層等からなる有機層、及び低仕事関数の上部電極が形成されて構成され、発光光は透明性を有する第１電極を透過して基板側裏面から取出している。
しかし、単純マトリクスに比べ高精細，大画面化において有利であるアクティブマトリクスを用いた場合、発光光を基板裏側から取出す有機発光表示装置では、開口率が制限される。特に大型のディスプレイにおいては、電源線の電圧降下による画素間の輝度ばらつきを低減するために、電源線の幅を広げる必要があり、開口率が極端に小さくなる。
このような事情から、上部電極を透明化し、発光光の取出しを上部電極側から行う試みがある。
上部電極を透明化する場合、上部電極はＩＴＯやＩＺＯ等の酸化インジウムを主成分とした酸化物をスパッタ成膜法により形成する。
このような上部光取出し型の有機発光素子においては、陰極を高エネルギー堆積する際のダメージに対する保護層として、有機発光構造体の上に有機陰極バッファ層を有する下記特許文献１が開示されている。
特開２０００−５８２６５号公報
上部光取出し構造の有機発光素子では、上部電極と有機膜の間に挿入される層は、低透過率あるいは低導電率等の問題から膜厚を薄くする必要があり、上部電極を形成する際に有機膜が酸化することを防止することはできず、発光電圧が上昇することが問題となる。
上記の特許文献１によると、有機のバッファ層は、高エネルギー堆積の際のダメージから保護することはできるものの、バッファ層自体が上部電極形成時に酸化し、発光電圧が上昇することは回避しがたい。
本発明の目的は、上部透明電極形成時に有機膜が酸化することを防止し、低い電圧で発光可能な上部光取出し型有機発光表示装置を提供することにある。
本発明は、上記した目的を達成するため、例えば以下の手段を採用する。
本出願の一実施形態は、有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記有機発光層と前記上部電極との間に、前記上部電極材料よりも成膜時に分解生成する酸素が少ない酸化物を主成分とするバッファ層を有する
有機発光表示装置である。
有機発光素子は、電子注入層，電子輸送層，有機発光層，有機正孔輸送層，正孔注入層，上部電極及び下部電極を有して構成される。
ここで言う正孔注入層とは、陽極と正孔輸送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。具体的には、鋼フタロシアニン，スターパーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン等が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。
ここで言う正孔輸送層とは、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移動度が高いことが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−(１−ナフチル)−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル(α−ＮＰＤ)、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う発光層とは、注入された正孔，電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーバント材料が発光する場合がある。異体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するべリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），べリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリバラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリバラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
次に、具体的なドーバント材料としては、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルプレン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う電子輸送層とは、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う電子注入層とは、陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させるために用いる。具体的には、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
上記構成において、電子注入層、或いは正孔注入層を有さない構造も考えられる。また、電子輸送層、或いは正孔輸送層を有さない構造も考えられる。
ここで言う上部電極，下部電極とは、有機発光層を挟む一対の電極のうち、有機発光層と基板の間にある電極を下部電極，有機発光層から基板と反対側にある電極を上部電極としたものである。
有機発光素子としては、大きく分けて以下の２通りの構造をとる。
まず、下部電極が陽極、上部電極が陰極の構成である。この場合、下部電極，正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層，上部電極の順に積層される。上記構成において、電子注入層、或いは正孔注入層を有さない構造も考えられる。また、電子輸送層、或いは正孔輸送層を有さない構造も考えられる。
すなわちバッファ層は、有機発光層と接する場合、電子輸送層に接する場合、電子注入層に接する場合の３通りある。
下部電極に用いられる陽極材料は、正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、モリブデン，ニッケル，クロム等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコン，錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系導電膜では、スパッタ法において、基板温度を２００℃程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒内と結晶粒界面において、エッチング速度が異なるため、下部電極に用いる場合はアモルファス状態が望ましい。
次に、下部電極が陰極、上部電極が陽極の構成である。この場合、下部電極，電子注入層，電子輸送層，発光層，正孔輸送層，正孔注入層，上部電極の順に積層される。上記構成において、電子注入層、或いは正孔注入層を有さない構造も考えられる。また、電子輸送層、或いは正孔輸送層を有さない構造も考えられる。
すなわちバッファ層は、有機発光層と接する場合、正孔輸送層に接する場合、正孔注入層に接する場合の３通りある。
下部電極に用いられる陰極材料は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、アルミニウム，アルミニウム・ネオジウム合金，マグネシウム・銀合金，アルミニウム・リチウム合金，アルミニウム・カルシウム合金，アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウム，セリウム化合物等が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
上部電極に用いられる材料は、酸化インジウムを主原料とする酸化物が上げられる。特にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系透明導電膜，Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電膜が望ましい。透明導電膜の製造法は、スパッタ法，対向ターゲット式スパッタ法，ＥＢ蒸着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。
上部電極成膜時に上部電極材料である酸化物が一部分解し、生成された酸素ラジカルが有機膜を酸化し、発光電圧を上昇させる。詳細に検討した結果上部電極よりも酸素結合力が強い導電性酸化物を主成分としたバッファ層を有機膜と上部電極の間に設けることで、上部電極形成時における有機膜酸化による発光電圧上昇を低減できる。
上部電極よりも酸素結合力が強い導電性酸化物を主成分としたバッファ層は、例えば酸化インジウムを主成分とした上部電極を用いる場合、酸化バナジウム，酸化モリブデン，酸化タングステン，酸化タンタル，酸化チタニウム，酸化ニオブ，酸化クロム等を主成分とした材料が挙げられる。一方、酸化ゲルマニウム，酸化銅，酸化ルテニウム等を主成分とした材料は酸化インジウムよりも酸素との結合力が弱く、バッファ層成膜時に上部電極成膜時よりも多く酸素ラジカルを生成してしまうため、発光電圧上昇を抑制できない。
本出願の別の実施態様は、有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記有機発光層と前記上部電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが前記上部電極材料よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する有機発光表示装置である。
融点付近での生成ギブズエネルギーが上部電極材料の主原料よりも低い材料をバッファ層用いることで、成膜前および成膜初期に分解生成される酸素ラジカル量も減らすことができ、有機膜酸化をより低減できる。
本出願の別の実施態様は、有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記有機発光層と前記上部電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが−300ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する有機発光表示装置である。
生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol 以下の材料をバッファ層として用いることで電圧上昇は１Ｖ以下に抑えることができる。
本出願の別の実施態様は、複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、該有機発光素子は、有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記上部電極は補助電極に接続されており、前記有機発光層と前記上部電極との間及び前記上部電極と前記補助電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する有機発光表示装置である。
ここで、アクティブ駆動するための回路は２〜４個の薄膜トランジスタと容量で構成されるのが一般的であるが、薄膜トランジスタの数は限定されるわけではなく、４つ以上であってもかまわない。
ここで述べる、画素とは、表示装置の画面の縦横に多数配置されており、文字やグラフィックを表示する最小単位のことを指す。
カラー表示を行う表示装置の場合は、画素は、緑，赤，青の３色のサブ画素で画素が構成される構造が一般的である。
ここで補助電極材料としては、アルミニウムや銅、あるいはこれらを含む合金等の低抵抗材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
上部電極と補助電極との間に有機発光層と上部電極との間と同じバッファ層を同時に設けることで、補助電極と上部電極とのコンタクト抵抗を低下させるための新たな層は不要となり、プロセスを低減できる。
本出願の別の実施態様によれば、上部電極は酸化インジウムを主成分とする透明電極である。
高導電性の酸化インジウムを主成分とする透明電極と前記バッファ層を組み合わせることにより低電圧での発光が可能となる。
本出願の別の実施態様によれば、前記バッファ層は比抵抗が１×１０7Ω・cm 以下の酸化物を主成分とする材料からなり、膜厚は５ｎｍ〜５０ｎｍである。
バッファ層に比抵抗が１×１０7Ω・cm 以上の材料を用いた場合、高輝度発光時のバッファ層での電圧降下は０.１Ｖ 以上と大きくなり、酸化防止の効果が相殺されてしまい、また膜厚を５ｎｍ以上にすることで、有機膜酸化を抑制できるが、５０ｎｍ以上厚くすると透過率低下による効率低下が無視できなくなるため、このような構成としたものである。
本出願の別の実施態様によれば、上部電極は陽極であり、前記バッファ層はバナジウム酸化物を主成分とするものである。上部電極を陽極とし、バナジウム酸化物を、バッファ層を用いることで電圧上昇はほぼ０Ｖに抑えることができる。バナジウム酸化物の組成は、バナジウムに対し、酸素が２〜５の割合であることが望ましい。
本出願の別の実施態様は、複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、該有機発光素子は、電子注入層，電子輸送層，有機発光層，有機正孔輸送層，上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記有機正孔輸送層と前記上部電極との間に、バナジウム酸化物を主成分とするバッファ層を有する有機発光表示装置である。
上部電極を陽極とし、バッファ層に酸化バナジウムを用いた場合、酸化バナジウムは正孔輸送層の機能も有するため、有機正孔輸送層，有機正孔注入層なしに、直接発光層に正孔を供給することが可能となる。
また、本発明において、上部電極上に保護層をもうけることができる。ここで言う保護層とは、上部電極上に形成され、大気内Ｈ2Ｏ ，Ｏ2 が上部電極、或いはその下の有機層に入りこむことを防ぐことを目的とする。
具体的に、ＳｉＯ2，ＳｉＮX，ＳｉＯxＮy，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料やポリクロロビレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
このような表示装置では、上部電極形成時に有機膜酸化を低減することができ、従来構造でみられた発光電圧の上昇を抑制することができる。
本発明の実施例を以下に示す。
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。図１は本実施例の有機発光表示装置の断面図である。下部電極１１５はＥＢ蒸着により成膜したＡｌである。パターン形成はシャドウマスクを用い、膜厚は１００ｎｍとした。
次に、下部電極１１５上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を真空蒸着法により0.5ｎｍ形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑと略記）膜を形成した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０
ｎｍのＡｌｑとキナクリドン（以下Ｑｃと略記）の共蒸着膜を形成した。蒸着速度を、
４０：１に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２ 倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの銅フタロシアニンを形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２ 倍とした。この銅フタロシアニン膜は正孔注入層１２９として機能する。
バッファ層１２７は、図３に示す材料をＥＢ蒸着により成膜した。パターン形成はシャドウマスクを用い、膜厚は全て１５ｎｍとした。
上部電極はスパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、IZO膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３ であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタリング出力を０.２Ｗ／cm2とした。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。
図２はバッファ層の効果を確かめるために作製した下部光取出し型の表示装置である。下部電極は、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、IZO膜と略記）を形成した。同膜は下部電極１１５として機能し、非晶酸化物膜である。成膜条件は図１に示す実施例と同様である。下部電極上に、バッファ層１２７，正孔注入層
１２９，正孔輸送層１２１，発光層１２２，電子輸送層１２３，電子注入層１２４の順に各層を積層した。各層の材料，成膜条件，膜厚は図１に示す実施例と同様である。上部電極はＥＢ蒸着により成膜したＡｌである。パターン形成はシャドウマスクを用い、膜厚は１００ｎｍとした。下部光取出し型表示装置は、上部電極１２５が金属電極であるため上部電極形成時の有機膜酸化による発光電圧の上昇はない。
図３にバッファ層材料による１００ｃｄ／ｍ2 発光時の電圧変化を示す。電圧変化は同じバッファ層材料を用い作製した、下部光取出し型との差である。インジウム酸化物よりも酸素との結合力強く、融点近傍での生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol よりも小さい材料をバッファ層として用いた場合、下部光取出し型と比較し電圧上昇は僅かである。一方、インジウム酸化物よりも酸素との結合力が弱く、融点近傍での生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol 以上の材料をバッファ層として用いた場合、有機膜の酸化により下部光取出し型と比較し発光電圧は大きく上昇した。
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。構成は実施例１と同じであるが、バッファ層の厚さの異なる有機発光表示装置を作製した。
バッファ層１２７は、酸化バナジウムをＥＢ蒸着により成膜した。パターン形成はシャドウマスクを用い、膜厚は１，５，２５，５０，７５ｎｍとした。また比較のためにバッファ層がない装置を作製した。成膜した酸化バナジウムの組成は、Ｖ：Ｏ＝１：２.４５ であった。
図４にバッファ層膜厚による１００ｃｄ／ｍ２ 発光時の電圧変化および電流効率比を示す。電圧変化はバッファ層がない装置に対する電圧変化を示す。電流効率比は、バッファ層がない装置の効率を１とした場合の比を示す。
バッファ層が５ｎｍより薄いと、有機膜酸化を防止することができないため、発光電圧上昇を低減できない。また５０ｎｍよりも厚いと透過率が低下し、電流効率が落ちる。本発明のバッファ層厚さ５〜５０ｎｍの構成は、電流効率を低下することなく、電圧上昇を低減することができる。
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。図５は本実施例の有機発光表示装置の断面図である。
本実施例における有機発光表示装置の特徴は、複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、該有機発光素子は、有機発光層及び該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、前記上部電極は、低抵抗材料からなる補助電極に接続されており、該有機発光素子は、前記下部電極，前記有機発光層，前記上部電極の順に形成され、前記有機発光層と前記上部電極との間及び前記上部電極と前記補助電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有することを特徴とする。
以下、この実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。次に、膜全面をレーザアニールした。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、ｐ−
Ｓｉ膜を、ドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタの活性層，第２トランジスタの活性層、及び容量下部電極１０５を形成した。
次に、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）を用いゲート絶縁膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成した。
次に、ゲート電極として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングした。併せて、走査線及び容量上部電極１０８もバターニングした。
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層にＮイオンを注入した。上部にゲート電極がある領域にはＮイオンが注入されず、活性領域となる。
次に、基板１１６を不活性Ｎ2 雰囲気下で、加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにした。その上に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン(ＳｉＮX)膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
次に、活性層の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクト正孔を形成した。さらに、第２トランジスタのゲート電極上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクト正孔を形成した。
その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９，電源線１１０を形成する。また、第１トランジスタのソース電極及びドレイン電極，第２トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する。
容量下部電極１０５と第１トランジスタのドレイン電極を接続する。また、第１トランジスタのソース電極と信号線１０９を接続する。
また、第１トランジスタのドレイン電極を第２トランジスタのゲート電極に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極を電源線１１０に接続する。また、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
次に、第２層間絶縁膜１１９としてＳｉＮX 膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。第２トランジスタのドレイン電極上部にコンタクト正孔を設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
次に、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法を用い、ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理を行った。
ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを３μｍ覆った。
次に、画素となる有機発光素子の構造を図１を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行った。洗浄後、スピン乾燥させた。
次に、下部電極１１５上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を真空蒸着法により0.5ｎｍ形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれ、Ａｌｑ，Ｑｃと略記）を形成した。蒸着速度を、４０：１に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２ 倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの銅フタロシアニンを形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２ 倍とした。この銅フタロシアニン膜は正孔注入層１２９として機能する。
次に、ＥＢ蒸着法により膜厚１５ｎｍの酸化バナジウムを蒸着した。同膜はバッファ層１２７として機能する。パターン形成は、シャドーマスクを用い、発光層上および補助電極と上部電極のコンタクト部に成膜した。蒸着後の酸化バナジウムの組成は、バナジウム１に対し酸素が２.２の比率であり、透過率は９５％であった。
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３ であるターゲットを用いた。成膜条件は、
Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタリング出力を０.２Ｗ／cm2とした。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯxＮy膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。
本実施例の有機発光表示装置では、発光電圧上昇を低減するだけでなく、図３に示したように、補助電極上に新たにコンタクト層を設けなくとも低抵抗で上部電極と接合することが可能である。
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。図６は本実施例の有機発光表示装置の断面図である。
本実施例における有機発光表示装置の特徴は、複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、該有機発光素子は、電子注入層，電子輸送層，有機発光層，有機正孔輸送層，上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、該有機発光素子は、前記下部電極，前記電子注入層，前記電子輸送層，前記有機発光層，前記有機正孔輸送層，前記上部電極の順に形成され、前記有機正孔輸送層と前記上部電極との間に、バナジウム酸化物を主成分とするバッファ層を有することを特徴とする。
以下、この実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。次に、膜全面をレーザアニールした。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、ｐ−
Ｓｉ膜を、ドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタの活性層，第２トランジスタの活性層、及び容量下部電極１０５を形成した。
次に、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）を用いゲート絶縁膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。
次に、ゲート電極として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングした。併せて、走査線及び容量上部電極１０８もバターニングした。
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層にＮイオンを注入した。上部にゲート電極がある領域にはＮイオンが注入されず、活性領域となる。
次に、基板１１６を不活性Ｎ2雰囲気下で、加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにした。その上に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン(ＳｉＮX) 膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
次に、活性層の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホールを形成した。さらに、第２トランジスタのゲート電極上部の第１層間絶縁膜118にコンタクトホールを形成した。
その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９，電源線１１０を形成する。また、第１トランジスタのソース電極及びドレイン電極，第２トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する。
容量下部電極１０５と第１トランジスタのドレイン電極を接続する。また、第１トランジスタのソース電極と信号線１０９を接続する。
また、第１トランジスタのドレイン電極を第２トランジスタのゲート電極に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極を電源線１１０に接続する。また、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
次に、第２層間絶縁膜１１９としてＳｉＮX 膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。第２トランジスタのドレイン電極上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
次に、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法を用い、ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理を行った。
ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを３μｍ覆った。
次に、画素となる有機発光素子の構造を図１を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行った。洗浄後、スピン乾燥させた。
次に、下部電極１１５上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を真空蒸着法により0.5ｎｍ形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれ、Ａｌｑ，Ｑｃと略記）を形成した。蒸着速度を、４０：１に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２ 倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
次に、ＥＢ蒸着法により膜厚１５ｎｍの酸化バナジウムを蒸着した。同膜はバッファ層１２７として機能する。パターン形成は、シャドーマスクを用い、発光層上および補助電極と上部電極のコンタクト部に成膜した。蒸着後の酸化バナジウムの組成は、バナジウム１に対し酸素が２.２ の比率であり、透過率は９０％であった。
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３ であるターゲットを用いた。成膜条件は、
Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタクリング出力を０.２Ｗ／cm2とした。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。
次に、スパッタング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯxＮy膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。
本実施例の有機発光表示装置では、正孔注入層がなくとも効率よく発光し、１００ｃｄ／ｍ2 発光時の電圧は実施例２と比較し０.２Ｖ 低下した。
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。図７は本実施例の有機発光表示装置の断面図である。
本実施例における有機発光表示装置の特徴は、複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、該有機発光素子は、電子注入層，電子輸送層，有機発光層，有機正孔輸送層，上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、該有機発光素子は、前記下部電極，前記電子注入層，前記電子輸送層，前記有機発光層，前記有機正孔輸送層，前記上部電極の順に形成され、前記有機正孔輸送層と前記上部電極との間に、バナジウム酸化物を主成分とするバッファ層を有することを特徴とする。
以下、この実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。次に、膜全面をレーザアニールした。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、ｐ−
Ｓｉ膜を、ドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタの活性層，第２トランジスタの活性層、及び容量下部電極１０５を形成した。
次に、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）を用いゲート絶縁膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。
次に、ゲート電極として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングした。併せて、走査線及び容量上部電極１０８もバターニングした。
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層にＮイオンを注入した。上部にゲート電極がある領域にはＮイオンが注入されず、活性領域となる。
次に、基板１１６を不活性Ｎ2 雰囲気下で、加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにした。その上に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン(ＳｉＮX) 膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
次に、活性層の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホールを形成した。さらに、第２トランジスタのゲート電極上部の第１層間絶縁膜118にコンタクトホールを形成した。
その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９，電源線１１０を形成する。また、第１トランジスタのソース電極及びドレイン電極，第２トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する。
容量下部電極１０５と第１トランジスタのドレイン電極を接続する。また、第１トランジスタのソース電極と信号線１０９を接続する。
また、第１トランジスタのドレイン電極を第２トランジスタのゲート電極に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極を電源線１１０に接続する。また、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
次に、第２層間絶縁膜１１９としてＳｉＮX 膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。第２トランジスタのドレイン電極上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
次に、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法を用い、ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理を行った。
ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを３μｍ覆った。
次に、画素となる有機発光素子の構造を図１を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行った。洗浄後、スピン乾燥させた。
次に、下部電極１１５上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を真空蒸着法により0.5ｎｍ形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれ、Ａｌｑ，Ｑｃと略記）を形成した。蒸着速度を、４０：１に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。
次に、ＥＢ蒸着法により膜厚１５ｎｍの酸化バナジウムを蒸着した。同膜はバッファ層１２７として機能する。パターン形成は、シャドーマスクを用い、発光層上および補助電極と上部電極のコンタクト部に成膜した。蒸着後の酸化バナジウムの組成は、バナジウム１に対し酸素が２.２の比率であり、透過率は９５％であった。
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３ であるターゲットを用いた。成膜条件は、
Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタクリング出力を０.２Ｗ／cm2とした。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。
次に、スパッタング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯxＮy膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。
本実施例の有機発光表示装置では、正孔注入層，正孔注入層がなくとも効率よく発光し、１００ｃｄ／ｍ2 発光時の電圧は実施例２と比較し０.４Ｖ低下した。
本発明を用いれば、高効率の薄型自発光表示装置が実現可能であり、テレビや各種情報端末等の表示装置に利用可能である。
本発明の実施例１を示す有機発光装置における画素領域の断面図である。 本発明の実施例１と比較するために作製した下部光取出し型有機発光装置の断面図である。 本発明の実施例１で作製した有機発光装置の１００ｃｄ／ｍ2 における下部光取出し型有機発光装置に対する電圧上昇を示した表である。 本発明の実施例２を示す有機発光装置における画素領域の断面図である。 本発明の実施例３を示す有機発光装置における画素領域の断面図である。 本発明の実施例４を示す有機発光装置における画素領域の断面図である。 本発明の実施例５を示す有機発光装置における画素領域の断面図である。
符号の説明
１０５…容量下部電極、１０８…容量上部電極、１０９…信号線、１１０…電源線、
１１５…下部電極、１１６…基板、１１７…ゲート絶縁膜、１１８…第１層間絶縁膜、
１１９…第２層間絶縁膜、１２０…第３層間絶縁膜、１２１…正孔輸送層、１２２…発光層、１２３…電子輸送層、１２４…電子注入層、１２５…上部電極、１２６…保護層、
１２７…バッファ層、１２８…補助電極、１２９…正孔注入層。

Claims (8)

  1. 有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、
    前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
    前記有機発光層と前記上部電極との間に、前記上部電極材料よりも成膜時に分解生成する酸素が少ない酸化物を主成分とするバッファ層を有する
    有機発光表示装置。
  2. 有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、
    前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
    前記有機発光層と前記上部電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが前記上部電極材料よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する
    有機発光表示装置。
  3. 有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、
    前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
    前記有機発光層と前記上部電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが
    −３００ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する有機発光表示装置。
  4. 複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、
    前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、
    該有機発光素子は、有機発光層と、該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極とを有して構成され、
    前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
    前記上部電極は補助電極に接続されており、
    前記有機発光層と前記上部電極との間及び前記上部電極と前記補助電極との間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とするバッファ層を有する
    有機発光表示装置。
  5. 請求項１，２，３，４に記載の有機発光表示装置において、前記上部電極は酸化インジウムを主成分とする透明電極である
    有機発光表示装置。
  6. 請求項１，２，３，４に記載の有機発光表示装置において、前記バッファ層は比抵抗が１×１０7Ω・cm 以下の酸化物からなり、膜厚は５ｎｍ〜５０ｎｍである
    有機発光表示装置。
  7. 請求項１，２，３，４に記載の有機発光表示装置において、前記バッファ層はバナジウム酸化物を主成分とする
    有機発光表示装置。
  8. 複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置において、
    前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、
    該有機発光素子は、電子注入層，電子輸送層，有機発光層，有機正孔輸送層，上部電極及び下部電極を有して構成され、
    前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
    前記有機正孔輸送層と前記上部電極との間に、バナジウム酸化物を主成分とするバッファ層を有する
    有機発光表示装置。
JP2004085897A 2004-03-24 2004-03-24 有機発光表示装置 Expired - Lifetime JP4628690B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004085897A JP4628690B2 (ja) 2004-03-24 2004-03-24 有機発光表示装置
TW093137197A TWI283145B (en) 2004-03-24 2004-12-02 Organic light-emitting display device
CNB2005100045183A CN100420063C (zh) 2004-03-24 2005-01-14 有机发光显示装置
US11/056,447 US7943963B2 (en) 2004-03-24 2005-02-10 Organic light-emitting display device
KR1020050011834A KR101121640B1 (ko) 2004-03-24 2005-02-14 유기 발광 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004085897A JP4628690B2 (ja) 2004-03-24 2004-03-24 有機発光表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005276542A true JP2005276542A (ja) 2005-10-06
JP2005276542A5 JP2005276542A5 (ja) 2006-03-16
JP4628690B2 JP4628690B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=34988734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004085897A Expired - Lifetime JP4628690B2 (ja) 2004-03-24 2004-03-24 有機発光表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7943963B2 (ja)
JP (1) JP4628690B2 (ja)
KR (1) KR101121640B1 (ja)
CN (1) CN100420063C (ja)
TW (1) TWI283145B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040193A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 株式会社アルバック 有機ｅｌ及び有機ｅｌの電極形成方法
JP2011249540A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌ素子
US9093664B2 (en) 2006-07-31 2015-07-28 Sony Corporation Organic light emitting device and display unit
JP2015222730A (ja) * 2013-09-02 2015-12-10 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20160051754A (ko) * 2013-09-02 2016-05-11 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164808A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Hitachi Ltd 発光素子，照明装置及びこれを有する表示装置
JP4596976B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP2006344774A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子、これを用いた有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ素子の製造方法
KR101269227B1 (ko) 2006-06-29 2013-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101254589B1 (ko) * 2006-06-29 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101276662B1 (ko) 2006-06-30 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
GB0617381D0 (en) * 2006-09-04 2006-10-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electrical device
KR100838088B1 (ko) * 2007-07-03 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
US8536611B2 (en) * 2008-06-17 2013-09-17 Hitachi, Ltd. Organic light-emitting element, method for manufacturing the organic light-emitting element, apparatus for manufacturing the organic light-emitting element, and organic light-emitting device using the organic light-emitting element
JP2010153127A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sony Corp 表示装置
TWI515936B (zh) 2011-12-15 2016-01-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
CN103872090B (zh) * 2014-03-03 2017-04-12 青岛海信电器股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板
KR102273654B1 (ko) * 2014-10-08 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102491880B1 (ko) 2016-06-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108649131B (zh) * 2018-05-11 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN110323348A (zh) * 2019-07-01 2019-10-11 南方科技大学 一种顶发射量子点发光器件、其制备方法及显示装置
CN110165067A (zh) * 2019-07-01 2019-08-23 南方科技大学 一种全透明倒置量子点发光器件、其制备方法及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0963771A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機薄膜発光素子
JP2000021572A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2001527688A (ja) * 1996-12-23 2001-12-25 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 保護層を含有する有機発光デバイス
JP2003272867A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子およびアクティブマトリクス型表示装置
JP2005135706A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2005259550A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子及び表示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI92897C (fi) * 1993-07-20 1995-01-10 Planar International Oy Ltd Menetelmä kerrosrakenteen valmistamiseksi elektroluminenssikomponentteja varten
JP3571171B2 (ja) * 1997-05-08 2004-09-29 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6218280B1 (en) * 1998-06-18 2001-04-17 University Of Florida Method and apparatus for producing group-III nitrides
US6137223A (en) 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
EP1133803A1 (en) * 1998-10-14 2001-09-19 Uniax Corporation Thin metal-oxide layer as stable electron-injecting electrode for light emitting diodes
US20020030439A1 (en) * 1998-12-23 2002-03-14 Michael Gurvitch High speed solid state optical display
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
US6489638B2 (en) * 2000-06-23 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7153592B2 (en) * 2000-08-31 2006-12-26 Fujitsu Limited Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material
US6436604B1 (en) * 2001-01-30 2002-08-20 Eastman Kodak Company Photographic label suitable for packaging
US6787249B2 (en) * 2001-03-28 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the same
JP2003068472A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Hitachi Ltd 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置
US6951694B2 (en) * 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
US6875320B2 (en) * 2003-05-05 2005-04-05 Eastman Kodak Company Highly transparent top electrode for OLED device
US7622863B2 (en) * 2003-06-30 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements
KR20060135801A (ko) 2004-03-05 2006-12-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치
JP4596977B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0963771A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機薄膜発光素子
JP2001527688A (ja) * 1996-12-23 2001-12-25 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 保護層を含有する有機発光デバイス
JP2000021572A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2003272867A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子およびアクティブマトリクス型表示装置
JP2005135706A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2005259550A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子及び表示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093664B2 (en) 2006-07-31 2015-07-28 Sony Corporation Organic light emitting device and display unit
US9461274B2 (en) 2006-07-31 2016-10-04 Sony Corporation Organic light emitting device and display unit
US9786869B2 (en) 2006-07-31 2017-10-10 Sony Corporation Organic light emitting device and display unit
US9985250B2 (en) 2006-07-31 2018-05-29 Sony Corporation Organic light emitting device and display unit
WO2011040193A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 株式会社アルバック 有機ｅｌ及び有機ｅｌの電極形成方法
JPWO2011040193A1 (ja) * 2009-09-30 2013-02-28 株式会社アルバック 有機ｅｌ及び有機ｅｌの電極形成方法
JP2011249540A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌ素子
JP2015222730A (ja) * 2013-09-02 2015-12-10 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20160051754A (ko) * 2013-09-02 2016-05-11 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법
US9698388B2 (en) 2013-09-02 2017-07-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Top-emission organic electroluminescence display device and production method therefor
JP2017123342A (ja) * 2013-09-02 2017-07-13 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102174663B1 (ko) * 2013-09-02 2020-11-05 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200536434A (en) 2005-11-01
KR101121640B1 (ko) 2012-02-28
JP4628690B2 (ja) 2011-02-09
CN100420063C (zh) 2008-09-17
KR20060042945A (ko) 2006-05-15
CN1674749A (zh) 2005-09-28
TWI283145B (en) 2007-06-21
US7943963B2 (en) 2011-05-17
US20050212003A1 (en) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4596977B2 (ja) 有機発光表示装置
JP4628690B2 (ja) 有機発光表示装置
JP4555727B2 (ja) 有機発光表示装置
US8158969B2 (en) Organic light emitting display device
JP4310984B2 (ja) 有機発光表示装置
US7211949B2 (en) Organic light-emitting display device
EP1587154B1 (en) Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same
US8227816B2 (en) Organic light emitting display device
JP2007287354A (ja) 有機ｅｌ表示装置
US20180040843A1 (en) Organic light emitting diode and display device including the same
JP4165145B2 (ja) 有機発光表示装置
EP3125330B1 (en) Organic light emitting display device
CN113964279A (zh) 顶发射有机电致发光元件和顶发射有机电致发光器件
JP2006324537A (ja) 表示装置
KR101577833B1 (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR100592274B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
JP2009004368A (ja) 有機発光表示装置
US9806288B2 (en) Organic light emitting diode, manufacturing method thereof, and organic light emitting display device having organic light emitting diode
JP2001100653A (ja) シフトレジスタおよび画像表示装置
JP4228021B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP2005026240A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003308981A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051219

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051219

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060509

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091221

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100127

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101110

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4628690

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term