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JP2004295077A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

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JP2004295077A
JP2004295077A JP2003382827A JP2003382827A JP2004295077A JP 2004295077 A JP2004295077 A JP 2004295077A JP 2003382827 A JP2003382827 A JP 2003382827A JP 2003382827 A JP2003382827 A JP 2003382827A JP 2004295077 A JP2004295077 A JP 2004295077A
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Abstract

【課題】 反射表示及び透過表示の双方において残像等の表示不良が抑えられ、さらには
高輝度化、高コントラスト化が可能な半透過反射型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、一対の基板１０Ａ，２５Ａ間に液晶層５０を挟
持してなり、１つのドット領域内に複数の透過表示領域Ｔ１，Ｔ２と、反射表示領域Ｒと
を具備してなる液晶表示装置であって、液晶層５０は初期配向状態が垂直配向を呈する誘
電異方性が負の液晶からなり、基板１０Ａと液晶層５０との間に、反射表示領域Ｒと透過
表示領域Ｔ１（Ｔ２）とで液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層２１が反射表示
領域Ｒに対応して設けられるとともに、各透過表示領域Ｔ１，Ｔ２毎に液晶分子の倒れる
方向を逆とし、反射表示領域Ｒにおいて液晶分子の配向する方向を一軸に規制する構成と
した。
【選択図】 図３

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に反射モードと透過モードの双方で
表示を行う半透過反射型の液晶表示装置において、高コントラスト、広視野角の表示が得
られる技術に関するものである。
反射モードと透過モードとを兼ね備えた半透過反射型液晶表示装置として、上基板と下
基板との間に液晶層が挟持されるとともに、例えばアルミニウム等の金属膜に光透過用の
開口部を形成した反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射板として機能さ
せる液晶表示装置が提案されている。この場合、反射モードでは上基板側から入射した外
光が、液晶層を通過した後に下基板の内面の反射膜で反射され、再び液晶層を通過して上
基板側から出射され、表示に寄与する。一方、透過モードでは下基板側から入射したバッ
クライトからの光が、反射膜の開口部から液晶層を通過した後、上基板側から外部に出射
され、表示に寄与する。したがって、反射膜の形成領域のうち、開口部が形成された領域
が透過表示領域、その他の領域が反射表示領域となる。
ところが、従来の半透過反射型液晶装置には、透過表示での視角が狭いという課題があ
った。これは、視差が生じないよう液晶セルの内面に半透過反射板を設けている関係で、
観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり
、光学設計の自由度が小さいためである。そこで、この課題を解決するために、特許文献
１では、垂直配向液晶を用いる新しい半透過反射型液晶表示装置が提案されている。その
特徴は、以下の３点である。（１）誘電異方性が負の液晶を基板に対して垂直に配向させ
、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Vertical Alignment）モード」を採用している点
。（２）透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャ
ップ構造」を採用している点。（３）透過表示領域を正八角形又は円とし、この領域内で
液晶が等方的に倒れるように対向基板上の透過表示領域の中央に突起を設けている点。す
なわち、「配向分割構造」を採用している点。
特開２００２−３５０８５３号公報
上述したように、特許文献１の液晶表示装置においては、透過表示領域の中央に突起を
設け、液晶の配向方向を制御している。ところで、現在携帯機器等への応用分野において
は、より明るく、コントラストの高い表示が求められており、反射表示よりも透過表示を
重視する傾向が強まっている。このような事情の下、一つのドット内で透過表示領域の占
める面積が大きくなってきている。このように透過表示領域の占める面積を大きくした場
合、上記特許文献１に開示された構成のように、透過表示領域の中央に突起を設けただけ
では配向制御が完全に行われない惧れがあり、ディスクリネーションと呼ばれる配向乱れ
が生じ、これが残像等の表示不良の原因になる場合がある。また、液晶の各々の配向領域
は異なる視角特性を有するため、斜め方向から液晶表示装置を見たときに、ざらざらとし
たしみ状のむらが視認されるという不具合も生じ得る。一方、反射表示領域においても液
晶分子の倒れる方向を規制する必要があるが、上記特許文献１では透過表示領域の中央の
突起により反射表示領域においても配向制御がなされるとしているものの効果的に制御で
きるものとは言い難い。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、反射表示及び透過表示の双方
において残像等の表示不良が抑えられ、さらには高輝度化、高コントラスト化が可能であ
り、特に透過表示を重視した用途に好適な半透過反射型の液晶表示装置を提供することを
目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持
してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表
示領域とを具備してなる液晶表示装置であって、前記透過表示領域は、前記１つのドット
領域内に複数形成される一方、前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方
性が負の液晶からなり、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板と前記液晶層との
間に、前記反射表示領域と前記透過表示領域とで前記液晶層の層厚を異ならせる液晶層厚
調整層が少なくとも前記反射表示領域に設けられるとともに、前記１つのドット領域内で
隣り合う前記透過表示領域毎に液晶分子の倒れる方向を逆とし、前記反射表示領域におい
て液晶分子の配向する方向を一軸に規制する配向規制手段を具備してなることを特徴とす
る。
このような液晶表示装置によると、１つのドット領域内に透過表示領域を複数形成した
ため、１つのドット領域内に同一形状（同一面積）の透過表示領域を１つ形成した場合に
比して大きな透過率を得ることができ、透過用途に好適な表示装置となる。
また、本発明の液晶表示装置では、反射表示領域と透過表示領域とで液晶層の層厚を異
ならせる液晶層厚調整層を設けたため、反射表示領域と透過表示領域との間のリタデーシ
ョン差が低減されている。すなわち、反射表示においては表示面側から入射した光が液晶
層を２回通過して表示に供されるのに対し、透過表示においては背面側から入射した光が
液晶層を１回通過して表示に供されるため、各表示についてリタデーション差が生じるこ
ととなるが、本発明では液晶層厚調整層を形成することによってそのリタデーション差を
低減し、それに基づくコントラストの低下を解消している。
さらに、本発明の液晶表示装置では、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電率異方性が
負の液晶にて液晶層を構成し、その垂直配向した液晶の倒れる方向について上述のように
配向規制手段により規制するものとしたため、配向乱れが生じ難く、該配向乱れに基づく
残像等の表示不良が生じ難くいものとなっている。すなわち、１つのドット領域内で隣り
合う透過表示領域毎に液晶分子の倒れる方向を逆とし、反射表示領域において液晶分子の
配向する方向を一軸に規制するものとしたため、透過率を相対的に大きくした場合にも配
向分割を完全に行うことができ、反射表示領域及び透過表示領域の双方において配向不良
に基づく表示不良の発生を防止することができたのである。なお、本発明においては、各
透過表示領域の面積の合計を反射表示領域の面積よりも大きく構成することで、透過表示
の用途が高い電子機器の表示部に一層好適なものとなり得る。
本発明の液晶表示装置において、液晶層厚調整層が反射表示領域と透過表示領域との境
界付近に傾斜面を備える一方、一対の基板の内面側には液晶を駆動するための電極をそれ
ぞれ設けることができ、この場合、上記配向規制手段として、電極にスリット状の開口部
を設ける、及び／又は電極上に凸部を形成することで液晶分子の倒れる方向を規制するこ
とが可能となる。
電極にスリット状の開口部を設けることにより、双方の基板上の電極間に発生する電界
（ポテンシャル線）が開口部の近傍で斜めに歪み、この歪んだ斜め電界の作用によって液
晶の配向制御を容易に実現することができるのである。また、電極上に凸部（突起）を設
けた場合には、液晶層の中に突出した突起物の作用によって液晶の配向方向を制御するこ
とができる。そして、これらを適宜組み合わせることにより、上述したような１つのドッ
ト領域内で隣り合う透過表示領域毎に液晶分子の倒れる方向を逆とし、反射表示領域にお
いては液晶分子の配向する方向を一軸に規制することが可能となるのである。
ここで、本発明の構成においては、透過表示領域と反射表示領域の境界に液晶層厚調整
層の傾斜面が存在しているので、透過表示領域の周囲が液晶層厚調整層の傾斜面で囲まれ
る形となる。したがって、透過表示領域においては、該領域の略中央部及び境界部付近に
上記開口部及び／又は凸部を形成することが好ましい。
具体的には、１つのドット領域内で隣り合う透過表示領域のうちの第１透過表示領域に
おいて、液晶層厚調整層が形成された基板側であって該液晶層厚調整層の傾斜面上に電極
の開口部を形成し、また他方の基板側であって当該第１透過表示領域の略中央部に電極の
開口部又は電極上の凸部を形成することが好ましい。この場合、第１透過表示領域の略中
央部に形成した開口部又は凸部を中心として傾斜面に向かって液晶分子の倒れる方向が規
制されることとなる。なお、傾斜面における配向規制手段としては凸部を形成することが
製造上困難であるため開口部に限定される。
そしてこのような第１透過表示領域に対し、1つのドット領域内で隣り合う第２透過表
示領域においては、液晶層厚調整層が形成された基板側であって当該第２透過表示領域の
略中央部に位置して電極の開口部又は電極上の凸部を形成し、また他方の基板側であって
液晶層厚調整層の傾斜面に対応する部分に位置して電極の開口部又は電極上の凸部を形成
することができる。この場合、液晶分子の倒れる方向が隣り合う透過表示領域毎に逆とな
り（各領域の中心から見てそれぞれ倒れる方向が異なる）、また、各透過表示領域の間に
形成される反射表示領域においては、傾斜面に形成された開口部と、他方の傾斜面に対応
する位置に形成された開口部又は凸部とにより、液晶分子の倒れる方向が一方向に規制さ
れることとなる。したがって、高い透過率を確保しつつ、液晶分子の配向不良に基づく表
示不良を抑制することができ、その結果、高輝度、高コントラストの液晶表示装置を提供
することが可能となる。
なお、本発明において「液晶層厚調整層の傾斜面に対応する部分に位置して電極の開口
部又は電極上の凸部を設ける」とは、「平面視したときに液晶層厚調整層の傾斜面と少な
くとも一部重なる位置に開口部又は凸部を設ける」という意味である。
次に、本発明の電子機器は、上記本発明の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。こ
の構成によれば、使用環境によらずに明るく、高コントラスト、広視野角の液晶表示部を
備えた電子機器を提供することができ、特に透過表示を重視した電子機器としては好適と
なる。
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図３を参照して説明する。
本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装
置の例である。
図１は本実施の形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置され
た複数のドットの等価回路図、図２はＴＦＴアレイ基板のドット内の構造を示す平面図、
図３は同、液晶表示装置の構造を示す断面図であって、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図、
である。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
本実施の形態の液晶表示装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマ
トリクス状に配置された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９を制御するため
のスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給される
データ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き
込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接
する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３
０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、
…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦ
Ｔ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは
、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより
分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここ
で、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との
間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量
線である。
次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面構
造について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数の矩形状の画素電極９（点線部９
Ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々
沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態にお
いて、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３
ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が１つのドット領域であり、マトリクス状に配
置された各ドット領域毎に表示が可能な構造になっている。
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａ
のうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素
電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気
的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、チャネル領域（図中左上がりの斜線の
領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向
する部分でゲート電極として機能する。
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て
、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ
線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、デー
タ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で
示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
また、１つのドット領域内には、２つの開口部２０ａ，２０ａを備える反射膜２０が形
成されており、この反射膜２０が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、その内側の反
射膜２０が形成されていない領域（開口部２０ａの内側領域）が透過表示領域Ｔ１，Ｔ２
となる。また、平面視した際に反射膜２０の形成領域を内部に含むように矩形枠状の絶縁
膜２１（液晶層厚調整層）が形成されている。本実施の形態の場合、絶縁膜２１は傾斜面
２１ａ（図３参照）を有しており、本明細書では、この部分を反射表示領域Ｒと透過表示
領域Ｔ１，Ｔ２との境界領域と定義する。
次に、図３に基づいて本実施の形態の液晶表示装置の断面構造について説明する。図３
は図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図であるが、本発明は絶縁膜や電極の構成等に特徴があり
、ＴＦＴやその他の配線等の断面構造は従来のものと変わらないため、ＴＦＴや配線部分
の図示および説明は省略する。
図３に示すように、本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０とこれに対
向配置された対向基板２５との間に初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液
晶からなる液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透
光性材料からなる基板本体１０Ａの表面にアルミニウム、銀等の反射率の高い金属膜から
なる反射膜２０が形成されている。上述したように、反射膜２０の形成領域が反射表示領
域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域が透過表示領域Ｔ１，Ｔ２となる。
反射表示領域Ｒ内に位置する反射膜２０上、および透過表示領域Ｔ１，Ｔ２内に位置す
る基板本体１０Ａ上に、カラーフィルターを構成する色素層２２が設けられている。この
色素層２２は、隣接するドット領域毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の異なる色の色素
層が配置されており、隣接する３つのドット領域で１つの画素を構成する。あるいは、反
射表示と透過表示とで表示色の彩度が異なるのを補償すべく、反射表示領域Ｒと透過表示
領域Ｔ１（Ｔ２）とで色純度を変えた色素層を別個に設けてもよい。
カラーフィルターの色素層２２の上には反射表示領域Ｒに対応する位置に絶縁膜２１が
形成されている。絶縁膜２１は例えば膜厚が２μｍ±１μｍ程度のアクリル樹脂等の有機
膜からなり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔ１（Ｔ２）との境界付近において、自身の
層厚が連続的に変化するべく傾斜面２１ａを有している。ここで、絶縁膜２１が存在しな
い部分の液晶層５０の厚みが２〜６μｍ程度であるから、反射表示領域Ｒにおける液晶層
５０の厚みは透過表示領域Ｔ１（Ｔ２）における液晶層５０の厚みの約半分となる。つま
り、絶縁膜２１は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔ１（Ｔ２）との
液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能している。本実施の形態の場合
、絶縁膜２１の上部の平坦面の縁と反射膜２０（反射表示領域）の縁とが略一致しており
、傾斜面２１ａは透過表示領域Ｔに含まれることになる。
そして、絶縁膜２１の表面を含むＴＦＴアレイ基板１０の表面には、インジウム錫酸化
物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９が
形成されている。また、画素電極９上には、ポリイミド等からなる配向膜（図示略）が形
成されている。
一方、対向基板２５側は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａ上に、
ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極３１、ポリイミド等からなる配向膜（図示略）が
順次形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２５の双方の配向膜（図示略）に
は、ともに垂直配向処理が施されているが、ラビングなどのプレチルトを付与する手段は
施されていない。
また、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側、および対向基板２５の外面側には、それぞれ基
板本体側から位相差板４３，４１、偏光板４４，４２が設けられている。位相差板４３，
４１は可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つものであり、この位相差板４３
，４１と偏光板４４，４２との組み合わせによりＴＦＴアレイ基板１０側および対向基板
２５側の双方から液晶層５０に略円偏光が入射されるようになっている。また、ＴＦＴア
レイ基板１０の外面側にあたる液晶セルの外側には、光源６１、リフレクタ６２、導光板
６３などを有するバックライト６４が設置されている。
ここで、本実施の形態の液晶表示装置においては、液晶層５０の液晶分子を配向規制す
るために画素電極９及び共通電極３１の所定位置にスリットを設けている。具体的には、
画素電極９には、透過表示領域Ｔ１であって絶縁膜２１の傾斜面２１ａに対応した領域Ｄ
にスリットが形成され、また透過表示領域Ｔ２の中央部付近Ｂにおいてもスリットが形成
されている。一方、共通電極３１には、透過表示領域Ｔ１の中央部付近Ｃにおいてスリッ
トが形成され、また透過表示領域Ｔ２であって絶縁膜２１の傾斜面２１ａに対応した領域
（傾斜面２１ａの上方に位置する領域）Ａにスリットが形成されている。従って、透過表
示領域Ｔ１,Ｔ２の中心付近に配置されたスリットの作用により液晶分子が透過表示領域
の内方から外方に向けてスリットを基準に例えば放射状に傾斜している。
このような液晶表示装置によれば、反射表示領域Ｒに絶縁膜２１を設けたことによって
反射表示領域Ｒの液晶層５０の厚みを透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みの略半分と小さ
くすることができるので、反射表示に寄与するリタデーションと透過表示に寄与するリタ
デーションを略等しくすることができ、これによりコントラストの向上を図ることができ
る。
さらに、透過表示領域を１つの画素内に複数形成したため、十分な透過率を得ることが
可能となり得る。そして、このように透過表示領域を複数形成した場合において、1つの
ドット領域内で隣接する透過表示領域Ｔ１，Ｔ２について、上述のように領域中央部Ｂ，
Ｃ及び傾斜面２１ａの対応部Ａ，Ｄに、各領域Ｔ１、Ｔ２それぞれ互い違いの基板側に電
極スリットを形成した。したがって、図４に示すように１つのドット内で隣接する透過表
示領域Ｔ１，Ｔ２毎に液晶分子５０ｂの倒れる方向が逆となり、例えば対向基板２５を基
準にして観た場合、透過表示領域Ｔ２においては当該領域の内方（中心方向）に向かって
液晶分子が立つように配向し、他方の透過表示領域Ｔ１においては当該領域の外方に向か
って液晶分子が立つように配向している。さらに、反射表示領域においては液晶分子の配
向する方向が一方向に規制されることとなる。すなわち、電極に対してスリットを形成し
たために、上下の電極間に加わる電界が斜めに歪み、斜め電界の作用によって液晶分子の
配向方向を制御することができたのである。そして、そのスリットを各領域Ｔ１、Ｔ２毎
に、スリットを形成する位置（領域中央部及び傾斜面）と、スリットを形成する電極（画
素電極及び共通電極）との関係を互い違いにしたため、各領域Ｔ１，Ｔ２の間に位置する
反射表示領域Ｒにおいて液晶分子の倒れる方向を一方向に定めることができたのである。
したがって、本実施の形態の液晶表示装置によると、ディスクリネーションの発生が抑
制されるため、ディスクリネーションの発生に伴う残像や斜め方向から観察したときのざ
らしみ，ムラ等の少ない高品質な表示が得られる。そして、このような作用により、光抜
け等の表示不良がなく、高コントラスト、広視野角（１６０°コーンで１：１０以上のコ
ントラスト）の表示を実現することができた。
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図５を参照して説明する。
図５は本実施の形態の液晶表示装置を示す断面図である。本実施の形態の液晶表示装置
の基本構成は第１の実施の形態と略同様であるため、図５において図３と共通の構成要素
には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
本実施の形態の場合、図５に示すように、透過表示領域Ｔ２の中央部付近Ｂの画素電極
９上に断面が三角形状の突起（凸部）が形成されており、また透過表示領域Ｔ１の中央部
付近Ｃの共通電極３１上にも断面が三角形状の突起（凸部）が形成されている。この突起
は、例えばアクリル樹脂等の誘電体材料から形成されており、その平面形状は、第１の実
施形態のスリットの平面形状と略同様に形成されている。なお、各電極９，３１及び突起
を覆うように配向膜（図示略）が形成されている。一方、透過表示領域Ｔ１であって傾斜
面２１ａに対応した領域Ｄには第１の実施形態と同様に画素電極９にスリットが形成され
、また、透過表示領域Ｔ２であって傾斜面２１ａの上方の領域Ａには第１の実施形態と同
様に共通電極３１にスリットが形成されている。
本実施の形態の液晶表示装置によれば、領域Ｂ，Ｃにおいて、第１の実施形態のスリッ
トとは異なり、液晶層５０中に突出した突起を形成したが、この場合も図６に示すように
、この突起の斜面に沿って液晶分子５０ｂが配向制御されることとなる。すなわち、本実
施の形態の場合にも、第１の実施形態と同様に液晶分子５０ｂの配向方向が制御され、こ
れにより、光抜け等の表示不良がなく、高コントラスト、広視野角の表示を実現すること
ができる。
以上、本発明に係る第１の実施の形態及び第２の実施の形態を示したが、図３に示した
領域Ａ，Ｃにおいては、共通電極３１にスリットを形成した場合、或いは突起を形成した
場合のいずれであっても、液晶分子５０ｂ（図４又は図６参照）を同様の方向に配向規制
することが可能である。また、図３に示した領域Ｂにおいても、画素電極９にスリットを
形成した場合、或いは突起を形成した場合のいずれであっても、液晶分子５０ｂ（図４又
は図６参照）を同様の方向に配向規制することが可能である。なお、図３に示した領域Ｄ
には、傾斜面上に突起を形成することが困難であるため、画素電極９にスリットを形成す
るものとした。
このように図３に示した領域Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、電極に対してスリット又は突起のい
ずれを形成しても、上述した光抜け防止、コントラスト向上、広視野角化等の効果を実現
することができる。すなわち、図７に示すように、領域Ａ，Ｂ，Ｃに対するスリット又は
突起の選択により、本発明に係る実施例１〜実施例８の液晶表示装置を実現することがで
き、いずれの場合も上述した各実施の形態と同様の効果を発現することができた。なお、
上述した第１の実施の形態は図７中実施例１に相当するものであり、第２の実施の形態は
実施例４に相当するものである。
また、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態では、一つの画素電極９内において
好適に液晶分子を配向規制する手段を示したが、隣接する画素電極９，９の間には隙間（
電極非形成部）が形成されているため、共通電極３１として全面ベタ状のものを用いれば
、該画素電極９の非形成部において共通電極３１との間で斜め電界が生じることとなる。
特に、図４に示した反射表示領域Rにおいては、液晶分子の傾倒方向と交わる方向に配向
規制力が及ぶような斜め電界が生じると、本実施の形態の目的とする配向規制、すなわち
反射表示領域において液晶分子の配向する方向を一方向にする配向規制が好適に実現でき
ない惧れがある。
そこで、第１の実施の形態及び第２の実施の形態のそれぞれにおいて、反射表示領域Ｒ
における画素電極９，９間に形成される隙間（電極非形成部）に平面的に重畳する位置に
、共通電極３１にスリット（開口部）を設けている。具体的には、図９に示すような態様
の電極スリットを形成している。
図９（ａ）は画素電極９の平面模式図であり、図９（ｂ）は共通電極３１の平面模式図
である。なお、図９（ｂ）においては共通電極３１に平面的に重畳する画素電極９を破線
にて示している。また、各実施の形態の反射表示領域Ｒにおいては、図９に示した画素電
極９の長手方向に液晶分子を配向規制している。
図９（ｂ）に示すように、上記各実施の形態の共通電極３１には部分的にスリット（開
口部）３１ａが形成されている。このスリット３１ａは反射表示領域Ｒに形成され、しか
も画素電極９，９の間の隙間（電極非形成部）に平面的に重畳する形にて形成されている
。
以上のような構成により、反射表示領域Ｒにおいては、画素電極９，９間に形成された
隙間（電極非形成部）による斜め電界が生じ難くなり、配向規制を乱す斜め電界が生じな
いこととなる。したがって、画素間の隙間に基づく斜め電界により、図９（ａ）の画素電
極９の長手方向に沿った反射表示領域Ｒの液晶分子の配向方向と交わる方向（図９（ａ）
の画素電極９の幅方向）に配向規制力が及んでしまう不具合が生じ難いものとされている
。
［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明
する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号５００は携帯電話
本体を示し、符号５０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。
図８に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているの
で、使用環境によらずに明るく、コントラストが高く、広視野角の液晶表示部を備えた電
子機器を実現することができる。なお、特に透過表示の際には明るく高コントラストの表
示を得ることができるため、透過表示を重視した電子機器として提供可能となる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を
逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態で
はＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用
した例を示したが、薄膜ダイオード（Thin Film Diode,ＴＦＤ）スイッチング素子とした
アクティブマトリクス型液晶表示装置、パッシブマトリクス型液晶表示装置などに本発明
を適用することも可能である。その他、各種構成要素の材料、寸法、形状等に関する具体
的な記載は、適宜変更が可能である。
また、上記実施形態では、位相差板４１，４２を単板で構成したが、この代わりに、１
／２波長板と１／４波長板との積層体として構成してもよい。この積層体は広帯域円偏光
板として機能し、黒表示をより無彩色化にすることができる。さらに、この積層体に負の
Ｃプレートを積層させることで更に広視野角化を図ることもできる。なお、Ｃプレートと
は、膜厚方向に光軸を有する位相差板である。
さらに、上記実施形態では、液晶層厚調整層として絶縁膜２１をＴＦＴアレイ基板１０
側の基板本体（下基板）１０Ａ上に形成したが、対向基板２５側の基板本体（上基板）２
５Ａ上に形成することも可能である。また、カラーフィルタ（着色層２２）についても、
上記実施形態ではＴＦＴアレイ基板１０側の基板本体（下基板）１０Ａ上に形成したが、
対向基板２５側の基板本体（上基板）２５Ａ上に形成することも可能である。
第１実施形態の液晶表示装置の等価回路図。 同、液晶表示装置のドットの構造を示す平面図。 同、液晶表示装置の要部を示す断面模式図。 第１実施形態の液晶表示装置の作用を示す説明図。 第２実施形態の液晶表示装置について要部を示す断面模式図。 第２実施形態の液晶表示装置の作用を示す説明図。 本発明に係る幾つかの実施例を示す説明図。 本発明の電子機器の一例を示す斜視図。 画素電極及び共通電極の平面構成を示す模式図。
符号の説明
９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…反射膜、２１…絶縁膜（液晶層厚調整
層）、２５…対向基板、５０…液晶層、Ｒ…反射表示領域、Ｔ１，Ｔ２…透過表示領域

Claims (4)

  1. 一対の基板間に液晶層を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示
    領域と、反射表示を行う反射表示領域とを具備してなる液晶表示装置であって、
    前記透過表示領域は、前記１つのドット領域内に複数形成される一方、前記液晶層は、
    初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなり、前記一対の基板のうち
    の少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に、前記反射表示領域と前記透過表示領域と
    で前記液晶層の層厚を異ならせる液晶層厚調整層が少なくとも前記反射表示領域に設けら
    れるとともに、
    前記１つのドット領域内には少なくとも２つの前記透過表示領域が配置され、各前記透
    過表示領域において液晶分子は当該透過表示領域の内方から外方に向けて傾斜した配向を
    するとともに、一方の前記基板を基準とした前記液晶分子の傾斜する向きが隣り合う前記
    透過表示領域において逆向きの関係とされ、前記反射表示領域において液晶分子の配向す
    る方向を一軸に規制する配向規制手段を具備してなることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記液晶層厚調整層が、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界付近において傾
    斜面を備える一方、
    前記一対の基板の内面側には前記液晶を駆動するための電極がそれぞれ設けられ、
    前記配向規制手段として、前記電極にはスリット状の開口部及び／又は前記電極上に凸
    部が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記１つのドット領域内で隣り合う前記透過表示領域のうちの第１透過表示領域におい
    て、前記液晶層厚調整層が形成された基板側には該液晶層厚調整層の傾斜面上に前記電極
    の開口部が形成され、また他方の基板側には当該第１透過表示領域の略中央部に位置して
    前記電極の開口部又は電極上の凸部が形成される一方、
    前記１つのドット領域内で隣り合う前記透過表示領域のうちの第２透過表示領域におい
    て、前記液晶層厚調整層が形成された基板側には当該第２透過表示領域の略中央部に位置
    して前記電極の開口部又は電極上の凸部が形成され、また他方の基板側には前記液晶層厚
    調整層の傾斜面に対応する部分に位置して前記電極の開口部又は電極上の凸部が形成され
    ていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。
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