JP2003282609A - 指紋認識用半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
指紋認識用半導体装置及びその製造方法Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は指紋認識用半導体素子の指紋認識領
域上を指でなぞることにより指紋認識を行なう指紋認識
用半導体装置及びその製造方法に関し、指を指紋検出領
域に触れる際の操作性の向上を図ることを課題とする。 【解決手段】 指紋認識を行なう指紋認識領域１５を有
した半導体素子１１と、外部接続端子１３と、半導体素
子１１と外部接続端子１３とを電気的に接続する配線基
板１２とを有する指紋認識用半導体装置において、半導
体素子１１を配線基板１２にフリップチップ接合する。
また、配線基板１２に開口部１６を形成すると共に、こ
の開口部１６が指紋認識領域１５と対抗するよう構成す
る。
域上を指でなぞることにより指紋認識を行なう指紋認識
用半導体装置及びその製造方法に関し、指を指紋検出領
域に触れる際の操作性の向上を図ることを課題とする。 【解決手段】 指紋認識を行なう指紋認識領域１５を有
した半導体素子１１と、外部接続端子１３と、半導体素
子１１と外部接続端子１３とを電気的に接続する配線基
板１２とを有する指紋認識用半導体装置において、半導
体素子１１を配線基板１２にフリップチップ接合する。
また、配線基板１２に開口部１６を形成すると共に、こ
の開口部１６が指紋認識領域１５と対抗するよう構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は指紋認識用半導体装
置及びその製造方法に係り、特に指紋認識用半導体素子
の指紋認識領域上を指でなぞることにより指紋認識を行
なう指紋認識用半導体装置及びその製造方法に関する。
置及びその製造方法に係り、特に指紋認識用半導体素子
の指紋認識領域上を指でなぞることにより指紋認識を行
なう指紋認識用半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年、セキュリティへの関心が高くなって
きており、ラップトップタイプのパーソナルコンピュー
タや携帯端末等の小型電子機器においても、第三者の不
正使用を防止する装置が設けられるようになってきてい
る。
きており、ラップトップタイプのパーソナルコンピュー
タや携帯端末等の小型電子機器においても、第三者の不
正使用を防止する装置が設けられるようになってきてい
る。
【０００３】このような不正使用防止装置として、指紋
認識用半導体装置を用いて指紋を認識することにより適
正使用者か或いは不正使用者かを判別し、これにより不
正使用を防止する装置が提供されている。
認識用半導体装置を用いて指紋を認識することにより適
正使用者か或いは不正使用者かを判別し、これにより不
正使用を防止する装置が提供されている。
【０００４】上記のように指紋認識用半導体装置は小型
電子機器に組み込まれるものであるため小型化を図る必
要があり、また操作者の指紋を認識するものであるため
操作者の使用性も向上させる必要がある。
電子機器に組み込まれるものであるため小型化を図る必
要があり、また操作者の指紋を認識するものであるため
操作者の使用性も向上させる必要がある。
【０００５】
【従来の技術】従来、指紋照合システムを用いる指紋検
出方法には、光学式検出法と、静電容量式検出法があ
る。この内、静電容量式検出法は、指紋認識用の半導体
素子の指紋検出領域に形成された電極と指との間の静電
容量値を検知する方法である。この静電容量式検出法を
適用した指紋認識用半導体装置は、小型化を行ない易い
ため、小型電子機器等への適用が進められている。
出方法には、光学式検出法と、静電容量式検出法があ
る。この内、静電容量式検出法は、指紋認識用の半導体
素子の指紋検出領域に形成された電極と指との間の静電
容量値を検知する方法である。この静電容量式検出法を
適用した指紋認識用半導体装置は、小型化を行ない易い
ため、小型電子機器等への適用が進められている。
【０００６】この静電容量式の指紋認識用半導体装置
は、指を電極に接触させて一方向になぞる（スイープす
る）ため、半導体素子の指紋検出領域を外部に露出させ
る必要がある。このため、半導体素子を封止する封止樹
脂には開口部が形成されており、この開口部を介して上
記指紋検出領域は装置外部に露出した構成となってい
る。
は、指を電極に接触させて一方向になぞる（スイープす
る）ため、半導体素子の指紋検出領域を外部に露出させ
る必要がある。このため、半導体素子を封止する封止樹
脂には開口部が形成されており、この開口部を介して上
記指紋検出領域は装置外部に露出した構成となってい
る。
【０００７】また、指紋認識用半導体装置のパッケージ
構造としては、一般の半導体装置のパッケージ構造が利
用されており、具体的にはＢＧＡ(Ball Grid Array)タ
イプのパッケージ構造が多用されている。
構造としては、一般の半導体装置のパッケージ構造が利
用されており、具体的にはＢＧＡ(Ball Grid Array)タ
イプのパッケージ構造が多用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、静電
容量式の検出法では、指を半導体素子の指紋検出領域
（電極）に触れる必要があるため、指紋認識用半導体装
置に内設された半導体素子の指紋検出領域を封止樹脂よ
り露出させる必要がある。しかしながら、半導体素子の
指紋検出領域は、半導体素子の回路形成面側に形成され
ており、この回路形成面には電極も形成されている。
容量式の検出法では、指を半導体素子の指紋検出領域
（電極）に触れる必要があるため、指紋認識用半導体装
置に内設された半導体素子の指紋検出領域を封止樹脂よ
り露出させる必要がある。しかしながら、半導体素子の
指紋検出領域は、半導体素子の回路形成面側に形成され
ており、この回路形成面には電極も形成されている。
【０００９】ＢＧＡタイプのパッケージ構造の場合、半
導体素子とこれを搭載した基板とはワイヤを用いて電気
的に接続されている。このため、指紋検出領域を有した
半導体素子の回路形成面にワイヤを配設しようとした場
合、ワイヤループの高さ以上に（即ち、ワイヤが封止さ
れるよう）封止樹脂を形成する必要が生じる。
導体素子とこれを搭載した基板とはワイヤを用いて電気
的に接続されている。このため、指紋検出領域を有した
半導体素子の回路形成面にワイヤを配設しようとした場
合、ワイヤループの高さ以上に（即ち、ワイヤが封止さ
れるよう）封止樹脂を形成する必要が生じる。
【００１０】このため、従来の指紋認識用半導体装置
は、指が挿入される開口部が深く、指を指紋検出領域
（電極）に触れさせる際の操作性が悪いという問題点が
あった。これにより、指が指紋検出領域に適正にスイー
プできない場合が発生し、この場合には指紋検出精度が
低下するおそれがあるという問題点があった。
は、指が挿入される開口部が深く、指を指紋検出領域
（電極）に触れさせる際の操作性が悪いという問題点が
あった。これにより、指が指紋検出領域に適正にスイー
プできない場合が発生し、この場合には指紋検出精度が
低下するおそれがあるという問題点があった。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、指を指紋検出領域に触れる際の操作性の向上を図
りうる指紋認識用半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
あり、指を指紋検出領域に触れる際の操作性の向上を図
りうる指紋認識用半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
【００１３】請求項１記載の発明は、指紋認識を行なう
指紋認識領域を有した半導体素子と、外部接続端子と、
前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接続す
る接続部材とを有する指紋認識用半導体装置において、
前記接続部材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口
部を形成すると共に、該接続部材に前記半導体素子をフ
リップチップ接合したことを特徴とするものである。
指紋認識領域を有した半導体素子と、外部接続端子と、
前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接続す
る接続部材とを有する指紋認識用半導体装置において、
前記接続部材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口
部を形成すると共に、該接続部材に前記半導体素子をフ
リップチップ接合したことを特徴とするものである。
【００１４】上記発明によれば、半導体素子を接続部材
にフリップチップ接合したことにより、半導体素子を接
続部材にワイヤーボンディングする構成に比べ、指紋認
識用半導体装置の低背化を図ることができる。また、半
導体素子に設けられた指紋認識領域と、接続部材に形成
されている開口部を近接できるため、操作者の指を指紋
認識領域に接触し易くなり、指紋認識時の操作性を向上
させることができる。
にフリップチップ接合したことにより、半導体素子を接
続部材にワイヤーボンディングする構成に比べ、指紋認
識用半導体装置の低背化を図ることができる。また、半
導体素子に設けられた指紋認識領域と、接続部材に形成
されている開口部を近接できるため、操作者の指を指紋
認識領域に接触し易くなり、指紋認識時の操作性を向上
させることができる。
【００１５】また、請求項１記載の指紋認識用半導体装
置において、前記接続部材を配線基板としてもよい。
置において、前記接続部材を配線基板としてもよい。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子を
封止する封止樹脂を更に設け、かつ、前記接続部材が該
封止樹脂から露出するよう構成したことを特徴とするも
のである。
載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子を
封止する封止樹脂を更に設け、かつ、前記接続部材が該
封止樹脂から露出するよう構成したことを特徴とするも
のである。
【００１７】上記発明によれば、半導体素子が封止樹脂
によりを封止されるため、信頼性の向上を図ることがで
きる。また、樹脂封止を行なう際、接続部材が封止樹脂
から露出する構成としたため、半導体素子に設けられた
指紋認識領域は外部に近接した位置となり、操作者の指
を指紋認識領域に接触し易くなり、よって指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
によりを封止されるため、信頼性の向上を図ることがで
きる。また、樹脂封止を行なう際、接続部材が封止樹脂
から露出する構成としたため、半導体素子に設けられた
指紋認識領域は外部に近接した位置となり、操作者の指
を指紋認識領域に接触し易くなり、よって指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
【００１８】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
をポスト状端子とすると共に前記封止樹脂内に位置する
よう配設し、かつ、該外部接続端子の一部が前記封止樹
脂から露出する構成としたことを特徴とするものであ
る。
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
をポスト状端子とすると共に前記封止樹脂内に位置する
よう配設し、かつ、該外部接続端子の一部が前記封止樹
脂から露出する構成としたことを特徴とするものであ
る。
【００１９】上記発明によれば、ポスト状端子とされた
外部接続端子は封止樹脂に支持されるため、外部接続端
子が封止樹脂から離脱するようなことはなく、指紋認識
用半導体装置の信頼性を向上することができる。尚、外
部接続端子の一部は封止樹脂から露出するため、この露
出部分において電気的接続を取ることができる。
外部接続端子は封止樹脂に支持されるため、外部接続端
子が封止樹脂から離脱するようなことはなく、指紋認識
用半導体装置の信頼性を向上することができる。尚、外
部接続端子の一部は封止樹脂から露出するため、この露
出部分において電気的接続を取ることができる。
【００２０】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
は、前記封止樹脂の前記基板が配設された面に対し反対
側の面から露出した構成であることを特徴とするもので
ある。
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
は、前記封止樹脂の前記基板が配設された面に対し反対
側の面から露出した構成であることを特徴とするもので
ある。
【００２１】上記発明によれば、外部接続端子は、封止
樹脂の基板が配設された面（即ち半導体素子の指紋検出
領域が設けられた面）ではなく、これと反対側の面に露
出した構成となる。よって、指紋認識時に指が触れる面
に外部接続端子やこれと接続される配線等が存在しない
ため、指紋認識用半導体装置の使用性を向上させること
ができる。
樹脂の基板が配設された面（即ち半導体素子の指紋検出
領域が設けられた面）ではなく、これと反対側の面に露
出した構成となる。よって、指紋認識時に指が触れる面
に外部接続端子やこれと接続される配線等が存在しない
ため、指紋認識用半導体装置の使用性を向上させること
ができる。
【００２２】また、請求項１記載の指紋認識用半導体装
置において、前記接続部材をリードフレームにより構成
とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的な
構成とすることができる。
置において、前記接続部材をリードフレームにより構成
とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的な
構成とすることができる。
【００２３】この構成とした場合には、接続部材を安価
なリードフレームで実現することができ、また外部接続
端子となるリード端子をリードフレーム成形時に一括的
に形成することができる。
なリードフレームで実現することができ、また外部接続
端子となるリード端子をリードフレーム成形時に一括的
に形成することができる。
【００２４】また、請求項５記載の発明は、請求項４記
載の指紋認識用半導体装置を製造する指紋認識用半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子の指紋認識を
行なう指紋認識領域と前記外部接続端子の先端部とを可
撓性部材により被覆し、該被覆状態でトランスファーモ
ールドを行ない、前記封止樹脂を形成する工程を有する
ことを特徴とするものである。
載の指紋認識用半導体装置を製造する指紋認識用半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子の指紋認識を
行なう指紋認識領域と前記外部接続端子の先端部とを可
撓性部材により被覆し、該被覆状態でトランスファーモ
ールドを行ない、前記封止樹脂を形成する工程を有する
ことを特徴とするものである。
【００２５】上記発明によれば、指紋認識領域を可撓性
部材で被覆しトランスファーモールドを実施するため、
封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損傷し、また不要樹
脂が付着することがなくなり、指紋認識用半導体装置の
歩留りを向上させることができる。
部材で被覆しトランスファーモールドを実施するため、
封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損傷し、また不要樹
脂が付着することがなくなり、指紋認識用半導体装置の
歩留りを向上させることができる。
【００２６】また、外部接続端子の先端部を可撓性部材
で被覆しトランスファーモールドを実施するため、外部
接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ、
これによっても指紋認識用半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。
で被覆しトランスファーモールドを実施するため、外部
接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ、
これによっても指紋認識用半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。
【００２７】また、請求項５記載の指紋認識用半導体装
置の製造方法において、前記可撓性部材として、緩衝フ
ィルムを用いることができる。
置の製造方法において、前記可撓性部材として、緩衝フ
ィルムを用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
て図面と共に説明する。
【００２９】図１は、本発明の第１実施例である指紋認
識用半導体装置１０Ａ（以下、単に半導体装置という）
を示している。同図に示す半導体装置１０Ａは例えばパ
ーソナルコンピュータや携帯端末等の小型電子機器に搭
載され、指紋認識を行なうことにより第三者の不正使用
を防止する機能を奏するものである。この半導体装置１
０Ａは、大略すると半導体素子１１,配線基板１２,外部
接続端子１３,及び封止樹脂１４等により構成されてい
る。
識用半導体装置１０Ａ（以下、単に半導体装置という）
を示している。同図に示す半導体装置１０Ａは例えばパ
ーソナルコンピュータや携帯端末等の小型電子機器に搭
載され、指紋認識を行なうことにより第三者の不正使用
を防止する機能を奏するものである。この半導体装置１
０Ａは、大略すると半導体素子１１,配線基板１２,外部
接続端子１３,及び封止樹脂１４等により構成されてい
る。
【００３０】半導体素子１１は静電容量式検出法に対応
した素子であり、よって指紋認識時に指をなぞる（スイ
ープする）ための指紋認識領域１５を有した構成とされ
ている。この指紋認識領域１５には静電容量検出用の電
極が形成されており、よって指紋認識領域１５は半導体
素子１１の回路形成面（図における上面）に形成されて
いる。この回路形成面には電極パッドが形成されてお
り、この電極パッドにはバンプ１７が形成されている。
このバンプ１７は、例えば金バンプにより形成されてい
る。
した素子であり、よって指紋認識時に指をなぞる（スイ
ープする）ための指紋認識領域１５を有した構成とされ
ている。この指紋認識領域１５には静電容量検出用の電
極が形成されており、よって指紋認識領域１５は半導体
素子１１の回路形成面（図における上面）に形成されて
いる。この回路形成面には電極パッドが形成されてお
り、この電極パッドにはバンプ１７が形成されている。
このバンプ１７は、例えば金バンプにより形成されてい
る。
【００３１】配線基板１２は、半導体素子１１と外部接
続端子１３とを電気的に接続する接続部材として機能す
るものである。前記した半導体素子１１は、配線基板１
２にフリップチップ接合される。
続端子１３とを電気的に接続する接続部材として機能す
るものである。前記した半導体素子１１は、配線基板１
２にフリップチップ接合される。
【００３２】この配線基板１２は、本実施例ではガラス
エポキシ基板を用いている。しかしながら、配線基板１
２はガラスエポキシ基板に限定されものではなく、他の
樹脂基板やセラミック基板を用いることも可能である。
エポキシ基板を用いている。しかしながら、配線基板１
２はガラスエポキシ基板に限定されものではなく、他の
樹脂基板やセラミック基板を用いることも可能である。
【００３３】この配線基板１２は、表面が後述する封止
樹脂１４から露出した構成となっており、また背面は半
導体素子１１と対峙した構成となっている。また、配線
基板１２は、開口部１６及び配線１８を有した構成とさ
れている。
樹脂１４から露出した構成となっており、また背面は半
導体素子１１と対峙した構成となっている。また、配線
基板１２は、開口部１６及び配線１８を有した構成とさ
れている。
【００３４】開口部１６は、半導体素子１１の指紋認識
領域１５と対向するよう形成されている。また、封止樹
脂１４は、開口部１６と指紋認識領域１５との間には形
成されていない。よって、指紋認識領域１５は、開口部
１６を介して外部に露出した構成となっている。従っ
て、指を開口部１６に挿入することにより、半導体素子
１１の指紋認識領域１５に指を接触することができ、指
紋の認識を行なうことができる。
領域１５と対向するよう形成されている。また、封止樹
脂１４は、開口部１６と指紋認識領域１５との間には形
成されていない。よって、指紋認識領域１５は、開口部
１６を介して外部に露出した構成となっている。従っ
て、指を開口部１６に挿入することにより、半導体素子
１１の指紋認識領域１５に指を接触することができ、指
紋の認識を行なうことができる。
【００３５】配線１８は、配線基板１２の半導体素子１
１と対向する側の面に形成されている。この配線１８は
配線基板１２にプリント配線されたものであり、一端に
前記した半導体素子１１がバンプ１７を用いてフリップ
チップ接合されると共に、他端には外部接続端子１３が
形成される。
１と対向する側の面に形成されている。この配線１８は
配線基板１２にプリント配線されたものであり、一端に
前記した半導体素子１１がバンプ１７を用いてフリップ
チップ接合されると共に、他端には外部接続端子１３が
形成される。
【００３６】外部接続端子１３は、本実施例ではポスト
状（柱状）とされており、半導体素子１１の外周位置に
配設されている。また、外部接続端子１３は、封止樹脂
１４に埋設されることにより支持されると共に、その先
端部１９が封止樹脂１４の背面１４ａから突出した構成
となっている。この背面１４ａから突出した先端部１９
が、半導体装置１０Ａが実装される実装基板に電気的に
接続される。このように本実施例では、ポスト状の外部
接続端子１３は封止樹脂１４に支持されるため、外部接
続端子１３が封止樹脂１４から離脱するようなことはな
く、半導体装置１０Ａの信頼性を向上することができ
る。
状（柱状）とされており、半導体素子１１の外周位置に
配設されている。また、外部接続端子１３は、封止樹脂
１４に埋設されることにより支持されると共に、その先
端部１９が封止樹脂１４の背面１４ａから突出した構成
となっている。この背面１４ａから突出した先端部１９
が、半導体装置１０Ａが実装される実装基板に電気的に
接続される。このように本実施例では、ポスト状の外部
接続端子１３は封止樹脂１４に支持されるため、外部接
続端子１３が封止樹脂１４から離脱するようなことはな
く、半導体装置１０Ａの信頼性を向上することができ
る。
【００３７】封止樹脂１４は例えばエポキシ系の樹脂で
あり、半導体素子１１を保護すると共に外部接続端子１
３を支持する機能を奏する。このように、半導体素子１
１が封止樹脂１４に封止され保護されることにより、半
導体装置１０Ａの信頼性の向上を図ることができる。こ
の封止樹脂１４は、前記したように半導体素子１１の指
紋認識領域１５と対向する位置には形成されていない。
あり、半導体素子１１を保護すると共に外部接続端子１
３を支持する機能を奏する。このように、半導体素子１
１が封止樹脂１４に封止され保護されることにより、半
導体装置１０Ａの信頼性の向上を図ることができる。こ
の封止樹脂１４は、前記したように半導体素子１１の指
紋認識領域１５と対向する位置には形成されていない。
【００３８】上記したように、本実施例に係る半導体装
置１０Ａは、半導体素子１１を配線基板１２にフリップ
チップ接合した構成としている。この構成とすることに
より、半導体素子１１と配線基板１２とをワイヤーボン
ディングする構成に比べ、半導体素子１１の回路形成面
上にワイヤループを形成するための空間を設ける必要が
なくなるため、半導体装置１０Ａの低背化を図ることが
できる。
置１０Ａは、半導体素子１１を配線基板１２にフリップ
チップ接合した構成としている。この構成とすることに
より、半導体素子１１と配線基板１２とをワイヤーボン
ディングする構成に比べ、半導体素子１１の回路形成面
上にワイヤループを形成するための空間を設ける必要が
なくなるため、半導体装置１０Ａの低背化を図ることが
できる。
【００３９】また、本実施例に係る半導体装置１０Ａで
は、配線基板１２に開口部１６を形成し、この開口部１
６が半導体素子１１の指紋認識領域１５と対向するよう
構成している。また、上記のように半導体素子１１と配
線基板１２をフリップチップ接合することにより、半導
体素子１１と配線基板１２は近接した構成となってい
る。従って、開口部１６と指紋認識領域１５とを近接さ
せることが可能となり、指紋認識を行なおうとする人の
指を指紋認識領域１５に接触し易くなり、指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
は、配線基板１２に開口部１６を形成し、この開口部１
６が半導体素子１１の指紋認識領域１５と対向するよう
構成している。また、上記のように半導体素子１１と配
線基板１２をフリップチップ接合することにより、半導
体素子１１と配線基板１２は近接した構成となってい
る。従って、開口部１６と指紋認識領域１５とを近接さ
せることが可能となり、指紋認識を行なおうとする人の
指を指紋認識領域１５に接触し易くなり、指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
【００４０】更に、本実施例に係る半導体装置１０Ａで
は、外部接続端子１３が封止樹脂１４の背面１４ａか
ら、即ち封止樹脂１４の配線基板１２が配設された面に
対し反対側の面から露出した構成としている。この構成
とすることにより、外部接続端子１３は、封止樹脂１４
の配線基板１２が配設された面（即ち半導体素子１１の
指紋検出領域１５が設けられた面）ではなく、これと反
対側の封止樹脂１４の背面１４ａに露出した構成とな
る。
は、外部接続端子１３が封止樹脂１４の背面１４ａか
ら、即ち封止樹脂１４の配線基板１２が配設された面に
対し反対側の面から露出した構成としている。この構成
とすることにより、外部接続端子１３は、封止樹脂１４
の配線基板１２が配設された面（即ち半導体素子１１の
指紋検出領域１５が設けられた面）ではなく、これと反
対側の封止樹脂１４の背面１４ａに露出した構成とな
る。
【００４１】よって、半導体装置１０Ａは、指紋認識領
域１５が形成された面側に外部接続端子１３やこれと接
続される配線等が存在しない構成となる。これにより、
指紋認識領域１５は配線基板１２の開口部１６に近接
し、指紋認識領域１５を外部に近い位置で露出できるた
め、半導体装置１０Ａの使用性を向上させることができ
る。
域１５が形成された面側に外部接続端子１３やこれと接
続される配線等が存在しない構成となる。これにより、
指紋認識領域１５は配線基板１２の開口部１６に近接
し、指紋認識領域１５を外部に近い位置で露出できるた
め、半導体装置１０Ａの使用性を向上させることができ
る。
【００４２】次に、本発明の第２乃至第４実施例につい
て説明する。図２は本発明の第２実施例である半導体装
置１０Ｂを示しており、図３は本発明の第３実施例であ
る半導体装置１０Ｃを示しており、図４は本発明の第４
実施例である半導体装置１０Ｄを示している。尚、図２
乃至図４において、第１実施例の説明に用いた図１と同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。また、図５以降においても同様とする。
て説明する。図２は本発明の第２実施例である半導体装
置１０Ｂを示しており、図３は本発明の第３実施例であ
る半導体装置１０Ｃを示しており、図４は本発明の第４
実施例である半導体装置１０Ｄを示している。尚、図２
乃至図４において、第１実施例の説明に用いた図１と同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。また、図５以降においても同様とする。
【００４３】図２に示す第２実施例に係る半導体装置１
０Ｂは、図１に示した半導体装置１０Ａに対し、外部接
続端子１３の先端部１９にはんだボール２０を形成した
ことを特徴とするものである。また、図３に示す半導体
装置１０Ｃは、図１に示した半導体装置１０Ａに対し、
外部接続端子１３の先端部１９にはんだプリコート部２
１を形成したことを特徴とするものである。この第２或
いは第３実施例の半導体装置１０Ｂ，１０Ｃによれば、
はんだボール２０或いははんだプリコート部２１が設け
られているため、各半導体装置１０Ｂ，１０Ｃを実装基
板に実装する際の実装性を向上させることができる。
０Ｂは、図１に示した半導体装置１０Ａに対し、外部接
続端子１３の先端部１９にはんだボール２０を形成した
ことを特徴とするものである。また、図３に示す半導体
装置１０Ｃは、図１に示した半導体装置１０Ａに対し、
外部接続端子１３の先端部１９にはんだプリコート部２
１を形成したことを特徴とするものである。この第２或
いは第３実施例の半導体装置１０Ｂ，１０Ｃによれば、
はんだボール２０或いははんだプリコート部２１が設け
られているため、各半導体装置１０Ｂ，１０Ｃを実装基
板に実装する際の実装性を向上させることができる。
【００４４】図４に示す第４実施例に係る半導体装置１
０Ｄは、第１実施例に係る半導体装置１０Ａで用いてい
た配線基板１２,外部接続端子１３に代えて、リードフ
レーム２２を用いたことを特徴とするものである。この
リードフレーム２２は、４２アロイ等の周知のリードフ
レーム材料よりなり、複数のアウターリード部２３とイ
ンナーリード部２４とを一体的に形成した構成とされて
いる。
０Ｄは、第１実施例に係る半導体装置１０Ａで用いてい
た配線基板１２,外部接続端子１３に代えて、リードフ
レーム２２を用いたことを特徴とするものである。この
リードフレーム２２は、４２アロイ等の周知のリードフ
レーム材料よりなり、複数のアウターリード部２３とイ
ンナーリード部２４とを一体的に形成した構成とされて
いる。
【００４５】半導体素子１１は、リードフレーム２２の
インナーリード部２４にフリップチップ接合されてい
る。また、アウターリード部２３は、封止樹脂１４の外
部に延出しており、表面実装に対応するためガルウイン
グ状に折り曲げられた構成とされている。更に、封止樹
脂１４には開口部１６が形成されており、この開口部１
６は半導体素子１１の指紋認識領域１５と対向するよう
構成されている。
インナーリード部２４にフリップチップ接合されてい
る。また、アウターリード部２３は、封止樹脂１４の外
部に延出しており、表面実装に対応するためガルウイン
グ状に折り曲げられた構成とされている。更に、封止樹
脂１４には開口部１６が形成されており、この開口部１
６は半導体素子１１の指紋認識領域１５と対向するよう
構成されている。
【００４６】更に、インナーリード部２４は封止樹脂１
４内に埋設された状態となるが、このインナーリード部
２４より上部の封止樹脂１４の厚さは、機械的強度を維
持できる範囲内において可能な限り薄く設定されてい
る。これにより、開口部１６の形成部位における封止樹
脂１４の厚さを小さくでき、指紋認識領域１５を外部に
近づけることができる。
４内に埋設された状態となるが、このインナーリード部
２４より上部の封止樹脂１４の厚さは、機械的強度を維
持できる範囲内において可能な限り薄く設定されてい
る。これにより、開口部１６の形成部位における封止樹
脂１４の厚さを小さくでき、指紋認識領域１５を外部に
近づけることができる。
【００４７】また、本実施例に係る半導体装置１０Ｄで
は、リードフレーム２２として４２アロイ等の安価なリ
ードフレーム材料を用いることができ、またインナーリ
ード部２４とアウターリード部２３はプレス加工により
一括的に加工することが可能である。このリードフレー
ム２２の加工技術は既に確立した技術であり、既存の半
導体製造設備を利用して安価に加工することができる。
よって、リードフレーム２２を用いることにより、半導
体装置１０Ｄの低コスト化を図ることができる。
は、リードフレーム２２として４２アロイ等の安価なリ
ードフレーム材料を用いることができ、またインナーリ
ード部２４とアウターリード部２３はプレス加工により
一括的に加工することが可能である。このリードフレー
ム２２の加工技術は既に確立した技術であり、既存の半
導体製造設備を利用して安価に加工することができる。
よって、リードフレーム２２を用いることにより、半導
体装置１０Ｄの低コスト化を図ることができる。
【００４８】続いて、上記構成とされた半導体装置１０
Ａ〜１０Ｄの製造方法について説明する。尚、以下の説
明では、第２実施例である半導体装置１０Ｂの製造方法
を例に挙げて説明するものとする。
Ａ〜１０Ｄの製造方法について説明する。尚、以下の説
明では、第２実施例である半導体装置１０Ｂの製造方法
を例に挙げて説明するものとする。
【００４９】半導体装置１０Ｂを製造するには、先ず配
線基板１２を容易する。この配線基板１２は、例えばＦ
Ｒ−４等のガラスエポキシ製の基板であり、その厚さは
0.1mm程度のものが選定されている。この配線基板１２
は、予め開口部１６と配線１８が形成されている。
線基板１２を容易する。この配線基板１２は、例えばＦ
Ｒ−４等のガラスエポキシ製の基板であり、その厚さは
0.1mm程度のものが選定されている。この配線基板１２
は、予め開口部１６と配線１８が形成されている。
【００５０】開口部１６は、配線基板１２の製造時にプ
レス加工により打ち抜き加工される。また、配線１８は
銅配線であり、エッチング技術を用いることにより、前
記した半導体素子１１の接合位置（バンプ１７の接合位
置）と外部接続端子１３の形成位置とを接続する所定の
パターンで形成される。
レス加工により打ち抜き加工される。また、配線１８は
銅配線であり、エッチング技術を用いることにより、前
記した半導体素子１１の接合位置（バンプ１７の接合位
置）と外部接続端子１３の形成位置とを接続する所定の
パターンで形成される。
【００５１】尚、図示及び説明の便宜上、図５乃至図１
０では一つの半導体装置１０Ｂに対応する部分を拡大し
て示すが、実際はいわゆる多数個取りを行なうため、図
１１に示すダイシング処理を実施するまでは、一つの配
線基板に複数の半導体装置１０Ｂが同時に複数個形成さ
れる。
０では一つの半導体装置１０Ｂに対応する部分を拡大し
て示すが、実際はいわゆる多数個取りを行なうため、図
１１に示すダイシング処理を実施するまでは、一つの配
線基板に複数の半導体装置１０Ｂが同時に複数個形成さ
れる。
【００５２】上記の配線基板１２が容易されると、続い
てこの配線基板１２上にレジスト（図示せず）が塗布さ
れる。このレジストの高さは、後述するように半導体素
子１１が実装された際、この半導体素子１１の高さより
も高くなるよう設定されている。具体的には、接合され
た状態の半導体素子１１の高さよりも、例えば150μｍ
以上高くなるよう設定される。
てこの配線基板１２上にレジスト（図示せず）が塗布さ
れる。このレジストの高さは、後述するように半導体素
子１１が実装された際、この半導体素子１１の高さより
も高くなるよう設定されている。具体的には、接合され
た状態の半導体素子１１の高さよりも、例えば150μｍ
以上高くなるよう設定される。
【００５３】続いて、このレジストの露光現像処理が実
施され、外部接続端子１３の形成位置のみレジストが除
去される。続いて、このレジストをマスクとして、外部
接続端子１３の形成処理が実施される。この外部接続端
子１３の形成は、メッキ法を用いて実施される。尚、メ
ッキ法は電界メッキ法を用いても無電解メッキ法を用い
ても良い。電界メッキ法を適用する場合には、配線１８
を給電用の配線として使用する。
施され、外部接続端子１３の形成位置のみレジストが除
去される。続いて、このレジストをマスクとして、外部
接続端子１３の形成処理が実施される。この外部接続端
子１３の形成は、メッキ法を用いて実施される。尚、メ
ッキ法は電界メッキ法を用いても無電解メッキ法を用い
ても良い。電界メッキ法を適用する場合には、配線１８
を給電用の配線として使用する。
【００５４】上記のようにして外部接続端子１３が形成
されると、アッシング処理を行なうことによりレジスト
が除去される。上記処理を行なうことにより、図５に示
すように、配線基板１２の配線１８上に外部接続端子１
３が形成される。
されると、アッシング処理を行なうことによりレジスト
が除去される。上記処理を行なうことにより、図５に示
すように、配線基板１２の配線１８上に外部接続端子１
３が形成される。
【００５５】上記のように外部接続端子１３が形成され
ると、続いて半導体素子１１を配線基板１２に接合する
処理が実施される。具体的には、半導体素子１１の電極
部にバンプ１７を予め形成しておき、チップマウンター
を用いてこの半導体素子１１を配線基板１２にフリップ
チップ接合する。図６は半導体素子１１が配線基板１２
にフリップチップ接合される直前の状態を、また図７は
半導体素子１１が配線基板１２にフリップチップ接合さ
れた状態を示している。
ると、続いて半導体素子１１を配線基板１２に接合する
処理が実施される。具体的には、半導体素子１１の電極
部にバンプ１７を予め形成しておき、チップマウンター
を用いてこの半導体素子１１を配線基板１２にフリップ
チップ接合する。図６は半導体素子１１が配線基板１２
にフリップチップ接合される直前の状態を、また図７は
半導体素子１１が配線基板１２にフリップチップ接合さ
れた状態を示している。
【００５６】前記したように半導体素子１１は静電容量
式検出法に対応した素子であり、よって回路形成面に指
紋認識時に指をなぞるための指紋認識領域１５が形成さ
れた構成とされている。この指紋認識領域１５は、半導
体素子１１を配線基板１２にフリップチップ接合した
際、配線基板１２に形成された開口部１６と対向するよ
う構成されている。
式検出法に対応した素子であり、よって回路形成面に指
紋認識時に指をなぞるための指紋認識領域１５が形成さ
れた構成とされている。この指紋認識領域１５は、半導
体素子１１を配線基板１２にフリップチップ接合した
際、配線基板１２に形成された開口部１６と対向するよ
う構成されている。
【００５７】上記のように半導体素子１１の搭載処理が
終了すると、図８に示すように半導体素子１１が搭載さ
れた配線基板１２は金型２５に装着され、封止樹脂１４
を形成するためのトランスファーモールドが実施され
る。金型２５は、上型２６と下型２７とにより構成され
ており、また下型２７には入れ子２８が組み込まれた構
成とされている。この入れ子２８は、矢印で示すように
図中上下方向に移動可能な構成とされている。
終了すると、図８に示すように半導体素子１１が搭載さ
れた配線基板１２は金型２５に装着され、封止樹脂１４
を形成するためのトランスファーモールドが実施され
る。金型２５は、上型２６と下型２７とにより構成され
ており、また下型２７には入れ子２８が組み込まれた構
成とされている。この入れ子２８は、矢印で示すように
図中上下方向に移動可能な構成とされている。
【００５８】配線基板１２は、金型２５に装着される
際、半導体素子１１の指紋認識領域１５が開口部１６を
介して入れ子２８と対向するよう装着される。従って、
金型２５に装着された状態において、外部接続端子１３
は上方に延出した構成となる。
際、半導体素子１１の指紋認識領域１５が開口部１６を
介して入れ子２８と対向するよう装着される。従って、
金型２５に装着された状態において、外部接続端子１３
は上方に延出した構成となる。
【００５９】本実施例では、配線基板１２を金型２５内
に装着する際、上型２６のキャビティに第１の緩衝フィ
ルム３０を配設し、よって配線基板１２の装着状態にお
いて外部接続端子１３が第１の緩衝フィルム３０に当接
するよう構成されている。また、下型２７のキャビティ
には第２の緩衝フィルム３１が配設されており、よって
配線基板１２の装着状態において配線基板１２は第２の
緩衝フィルム３１に当接するよう構成されている。ま
た、配線基板１２が金型２５内に装着されると入れ子２
８は上動し、これにより第２の緩衝フィルム３１は開口
部１６を介して半導体素子１１の指紋認識領域１５に接
触する。
に装着する際、上型２６のキャビティに第１の緩衝フィ
ルム３０を配設し、よって配線基板１２の装着状態にお
いて外部接続端子１３が第１の緩衝フィルム３０に当接
するよう構成されている。また、下型２７のキャビティ
には第２の緩衝フィルム３１が配設されており、よって
配線基板１２の装着状態において配線基板１２は第２の
緩衝フィルム３１に当接するよう構成されている。ま
た、配線基板１２が金型２５内に装着されると入れ子２
８は上動し、これにより第２の緩衝フィルム３１は開口
部１６を介して半導体素子１１の指紋認識領域１５に接
触する。
【００６０】第１及び第２の緩衝フィルム３０，３１
は、可撓性及び耐熱性を有した樹脂フィルムである。よ
って、金型２５内に第１及び第２の緩衝フィルム３０，
３１配設しても、第１及び第２の緩衝フィルム３０，３
１が損傷するようなことはない。また、第１及び第２の
緩衝フィルム３０，３１は上記のように可撓性を有する
ため、上型２６と下型２７とをクランプする際に緩衝効
果を発揮する。このため、上記クランプ時において、配
線基板１２及び外部接続端子１３が損傷することを防止
することができる。
は、可撓性及び耐熱性を有した樹脂フィルムである。よ
って、金型２５内に第１及び第２の緩衝フィルム３０，
３１配設しても、第１及び第２の緩衝フィルム３０，３
１が損傷するようなことはない。また、第１及び第２の
緩衝フィルム３０，３１は上記のように可撓性を有する
ため、上型２６と下型２７とをクランプする際に緩衝効
果を発揮する。このため、上記クランプ時において、配
線基板１２及び外部接続端子１３が損傷することを防止
することができる。
【００６１】また、第１の緩衝フィルム３０の厚さは、
上記のクランプ時において、外部接続端子１３が100μ
ｍ程度食い込む厚さに設定されている。このように、外
部接続端子１３の先端部が第１の緩衝フィルム３０に食
い込んだ状態で、樹脂が金型２５内に圧縮注入されトラ
ンスファーモールドが行なわれる。これにより、半導体
素子１１を保護すると共に、外部接続端子１３を支持す
る封止樹脂１４が形成される。
上記のクランプ時において、外部接続端子１３が100μ
ｍ程度食い込む厚さに設定されている。このように、外
部接続端子１３の先端部が第１の緩衝フィルム３０に食
い込んだ状態で、樹脂が金型２５内に圧縮注入されトラ
ンスファーモールドが行なわれる。これにより、半導体
素子１１を保護すると共に、外部接続端子１３を支持す
る封止樹脂１４が形成される。
【００６２】図９は、封止樹脂１４が形成された配線基
板１２を示している。図８を用いて説明したように、外
部接続端子１３の先端部は第１の緩衝フィルム３０に食
い込んだ状態で封止樹脂１４が形成される。いま、外部
接続端子１３の第１の緩衝フィルム３０に食い込み量を
ｈとすると、この外部接続端子１３の第１の緩衝フィル
ム３０に食い込んだ部分ｈは封止樹脂１４に埋設されな
い。このため、外部接続端子１３の先端部１９は、封止
樹脂１４の背面１４ａから寸法ｈだけ突出する。
板１２を示している。図８を用いて説明したように、外
部接続端子１３の先端部は第１の緩衝フィルム３０に食
い込んだ状態で封止樹脂１４が形成される。いま、外部
接続端子１３の第１の緩衝フィルム３０に食い込み量を
ｈとすると、この外部接続端子１３の第１の緩衝フィル
ム３０に食い込んだ部分ｈは封止樹脂１４に埋設されな
い。このため、外部接続端子１３の先端部１９は、封止
樹脂１４の背面１４ａから寸法ｈだけ突出する。
【００６３】また、封止樹脂１４の形成時において、指
紋認識領域１５は第２の緩衝フィルム３１に接触した状
態となっている。このため、トランスファーモールド時
において、指紋認識領域１５は第２の緩衝フィルム３１
により確実に保護されるため、半導体装置１０Ｂの製造
歩留りの向上を図ることができる。また、第２の緩衝フ
ィルム３１により指紋認識領域１５が覆われた状態で封
止樹脂１４の形成を行なうため、この形成時に不要樹脂
が指紋認識領域１５に付着することを防止できる。
紋認識領域１５は第２の緩衝フィルム３１に接触した状
態となっている。このため、トランスファーモールド時
において、指紋認識領域１５は第２の緩衝フィルム３１
により確実に保護されるため、半導体装置１０Ｂの製造
歩留りの向上を図ることができる。また、第２の緩衝フ
ィルム３１により指紋認識領域１５が覆われた状態で封
止樹脂１４の形成を行なうため、この形成時に不要樹脂
が指紋認識領域１５に付着することを防止できる。
【００６４】続いて、図１０に示すように、外部接続端
子１３の封止樹脂１４から露出した先端部１９にはんだ
ボール２０が形成される。この際、外部接続端子１３に
コプラナリティにバラツキが存在していても、はんだボ
ール２０によりコプラナリティの均一化を図ることがで
きる。尚、はんだボール２０を形成する前に、外部接続
端子１３に対して研磨処理を実施し、これによりコプラ
ナリティの均一化を図る構成としてもよい。
子１３の封止樹脂１４から露出した先端部１９にはんだ
ボール２０が形成される。この際、外部接続端子１３に
コプラナリティにバラツキが存在していても、はんだボ
ール２０によりコプラナリティの均一化を図ることがで
きる。尚、はんだボール２０を形成する前に、外部接続
端子１３に対して研磨処理を実施し、これによりコプラ
ナリティの均一化を図る構成としてもよい。
【００６５】上記のようにはんだボール２０の形成処理
が終了すると、配線基板１２はダイシング装置に装着さ
れ、図１１に示されるようにダイシングブレード３２を
用いて個片化処理が行なわれる。これにより、配線基板
１２は個々の半導体装置１０Ｂに個片化され、これによ
り図２に示す半導体装置１０Ｂが製造される。
が終了すると、配線基板１２はダイシング装置に装着さ
れ、図１１に示されるようにダイシングブレード３２を
用いて個片化処理が行なわれる。これにより、配線基板
１２は個々の半導体装置１０Ｂに個片化され、これによ
り図２に示す半導体装置１０Ｂが製造される。
【００６６】尚、上記した製造方法では外部接続端子１
３をメッキ法により形成した構成としたが、外部接続端
子１３の形成はメッキ法に限定されるものではなく、他
の方法を適用することも可能である。例えば、ポール状
の外部接続端子１３を予め製造しておき、これを配線１
８に溶接することにより固定する構成としてもよい。
３をメッキ法により形成した構成としたが、外部接続端
子１３の形成はメッキ法に限定されるものではなく、他
の方法を適用することも可能である。例えば、ポール状
の外部接続端子１３を予め製造しておき、これを配線１
８に溶接することにより固定する構成としてもよい。
【００６７】以上の説明に関し、更に以下の項を開示す
る。
る。
【００６８】（付記１） 指紋認識を行なう指紋認識領
域を有した半導体素子と、外部接続端子と、前記半導体
素子と前記外部接続端子とを電気的に接続する接続部材
とを有する指紋認識用半導体装置において、前記接続部
材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口部を形成す
ると共に、該接続部材に前記半導体素子をフリップチッ
プ接合したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
域を有した半導体素子と、外部接続端子と、前記半導体
素子と前記外部接続端子とを電気的に接続する接続部材
とを有する指紋認識用半導体装置において、前記接続部
材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口部を形成す
ると共に、該接続部材に前記半導体素子をフリップチッ
プ接合したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００６９】（付記２） 付記１記載の指紋認識用半導
体装置において、前記接続部材を配線基板により構成し
たことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
体装置において、前記接続部材を配線基板により構成し
たことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７０】(付記３) 付記２記載の指紋認識用半導体
装置において、前記半導体素子を封止する封止樹脂を更
に設け、かつ、前記接続部材が該封止樹脂から露出する
よう構成したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
装置において、前記半導体素子を封止する封止樹脂を更
に設け、かつ、前記接続部材が該封止樹脂から露出する
よう構成したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７１】(付記４) 付記３記載の指紋認識用半導体
装置において、前記外部接続端子をポスト状端子とする
と共に前記封止樹脂内に位置するよう配設し、かつ、該
外部接続端子の一部が前記封止樹脂から露出する構成と
したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
装置において、前記外部接続端子をポスト状端子とする
と共に前記封止樹脂内に位置するよう配設し、かつ、該
外部接続端子の一部が前記封止樹脂から露出する構成と
したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７２】(付記５) 付記４記載の指紋認識用半導体
装置において、前記外部接続端子は、前記封止樹脂の前
記基板が配設された面に対し反対側の面から露出した構
成であることを特徴とする指紋認識用半導体装置。
装置において、前記外部接続端子は、前記封止樹脂の前
記基板が配設された面に対し反対側の面から露出した構
成であることを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７３】(付記６) 付記１記載の指紋認識用半導体
装置において、前記接続部材をリードフレームにより構
成とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的
な構成としたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
装置において、前記接続部材をリードフレームにより構
成とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的
な構成としたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７４】(付記７) 付記１乃至６のいずれか１項に
記載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子
は、静電容量式検出法にて指紋認識を行なう構成である
ことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
記載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子
は、静電容量式検出法にて指紋認識を行なう構成である
ことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
【００７５】(付記８) 付記５記載の指紋認識用半導体
装置を製造する指紋認識用半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体素子の指紋認識を行なう指紋認識領域と
前記外部接続端子の先端部とを可撓性部材により被覆
し、該被覆状態でトランスファーモールドを行ない、前
記封止樹脂を形成する工程を有することを特徴とする指
紋認識用半導体装置の製造方法。
装置を製造する指紋認識用半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体素子の指紋認識を行なう指紋認識領域と
前記外部接続端子の先端部とを可撓性部材により被覆
し、該被覆状態でトランスファーモールドを行ない、前
記封止樹脂を形成する工程を有することを特徴とする指
紋認識用半導体装置の製造方法。
【００７６】(付記９) 付記８記載の指紋認識用半導体
装置の製造方法において、前記可撓性部材は、緩衝フィ
ルムであることを特徴とする指紋認識用半導体装置の製
造方法。
装置の製造方法において、前記可撓性部材は、緩衝フィ
ルムであることを特徴とする指紋認識用半導体装置の製
造方法。
【００７７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
種々の効果を実現することができる。
【００７８】請求項１記載の発明によれば、指紋認識用
半導体装置の低背化を図ることができると共に、操作者
の指を指紋認識領域に接触し易くなるため操作性を向上
させることができる。
半導体装置の低背化を図ることができると共に、操作者
の指を指紋認識領域に接触し易くなるため操作性を向上
させることができる。
【００７９】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体素子に設けられた指紋認識領域が外部に近接するた
め、操作者の指を指紋認識領域に接触し易くなり、よっ
て指紋認識時の操作性を向上させることができる。
体素子に設けられた指紋認識領域が外部に近接するた
め、操作者の指を指紋認識領域に接触し易くなり、よっ
て指紋認識時の操作性を向上させることができる。
【００８０】また、請求項３記載の発明によれば、ポス
ト状端子とされた外部接続端子は封止樹脂に支持される
ため、外部接続端子が封止樹脂から離脱するようなこと
はなく、指紋認識用半導体装置の信頼性を向上すること
ができる。
ト状端子とされた外部接続端子は封止樹脂に支持される
ため、外部接続端子が封止樹脂から離脱するようなこと
はなく、指紋認識用半導体装置の信頼性を向上すること
ができる。
【００８１】また、請求項４記載の発明によれば、指紋
認識時に指が触れる面に外部接続端子やこれと接続され
る配線等が存在しない構成にできるため、指紋認識用半
導体装置の使用性を向上させることができる。
認識時に指が触れる面に外部接続端子やこれと接続され
る配線等が存在しない構成にできるため、指紋認識用半
導体装置の使用性を向上させることができる。
【００８２】また、接続部材をリードフレームにより構
成とすると共に、この接続部材と外部接続端子とを一体
的な構成とした場合には、接続部材を安価なリードフレ
ームで実現することができ、また外部接続端子となるリ
ード端子をリードフレーム成形時に一括的に形成するこ
とができる。
成とすると共に、この接続部材と外部接続端子とを一体
的な構成とした場合には、接続部材を安価なリードフレ
ームで実現することができ、また外部接続端子となるリ
ード端子をリードフレーム成形時に一括的に形成するこ
とができる。
【００８３】また、請求項５記載の発明によれば、指紋
認識領域を可撓性部材で被覆しトランスファーモールド
を実施するため、封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損
傷し、また不要樹脂が付着することがなくなり、また外
部接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ
るため、指紋認識用半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができる。
認識領域を可撓性部材で被覆しトランスファーモールド
を実施するため、封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損
傷し、また不要樹脂が付着することがなくなり、また外
部接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ
るため、指紋認識用半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、外部接続端子を形成する工程を説明す
るための図である。
の製造方法の内、外部接続端子を形成する工程を説明す
るための図である。
【図６】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である（その１）。
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である（その１）。
【図７】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である（その２）。
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である（その２）。
【図８】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である（その１）。
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である（その１）。
【図９】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である（その２）。
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である（その２）。
【図１０】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装
置の製造方法の内、はんだボールを外部接続端子に配設
する工程を説明するための図である。
置の製造方法の内、はんだボールを外部接続端子に配設
する工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装
置の製造方法の内、半導体装置を個片化する工程を説明
するための図である。
置の製造方法の内、半導体装置を個片化する工程を説明
するための図である。
１０Ａ〜１０Ｄ 半導体装置
１２ 配線基板
１３ 外部接続端子
１４ 封止樹脂
１５ 指紋認識領域
１６ 開口部
１７ バンプ
１８ 配線
２０ はんだボール
２１ はんだプリコート部
２２ リードフレーム
２５ 金型
２８ 入れ子
３０ 第１の緩衝フィルム
３１ 第２の緩衝フィルム
３２ ダイシングブレード
Claims (5)
- 【請求項１】 指紋認識を行なう指紋認識領域を有した
半導体素子と、 外部接続端子と、 前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接続す
る接続部材とを有する指紋認識用半導体装置において、 前記接続部材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口
部を形成すると共に、該接続部材に前記半導体素子をフ
リップチップ接合したことを特徴とする指紋認識用半導
体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の指紋認識用半導体装置に
おいて、 前記半導体素子を封止する封止樹脂を更に設け、 かつ、前記接続部材が該封止樹脂から露出するよう構成
したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の指紋認識用半導体装置に
おいて、 前記外部接続端子をポスト状端子とすると共に前記封止
樹脂内に位置するよう配設し、 かつ、該外部接続端子の一部が前記封止樹脂から露出す
る構成としたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。 - 【請求項４】 請求項２または３記載の指紋認識用半導
体装置において、 前記外部接続端子は、前記封止樹脂の前記基板が配設さ
れた面に対し反対側の面から露出した構成であることを
特徴とする指紋認識用半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の指紋認識用半導体装置を
製造する指紋認識用半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の指紋認識を行なう指紋認識領域を有し
た指紋認識領域と前記外部接続端子の先端部とを可撓性
部材により被覆し、該被覆状態でトランスファーモール
ドを行ない、前記封止樹脂を形成する工程を有すること
を特徴とする指紋認識用半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089533A JP2003282609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 指紋認識用半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089533A JP2003282609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 指紋認識用半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282609A true JP2003282609A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29235090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002089533A Pending JP2003282609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 指紋認識用半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282609A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005346271A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Fujitsu Ltd | 指紋センサーパッケージ |
| JP2006128625A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008235488A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 電子部品の樹脂封止方法、樹脂封止用金型及び半導体装置の製造方法 |
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| WO2013172604A1 (ko) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 크루셜텍(주) | 지문센서 패키지 및 그 제조방법 |
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| JP2015133388A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
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| US10824835B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-11-03 | Fujitsu Connected Technologies Limited | Electronic device |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002089533A patent/JP2003282609A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20180116918A (ko) * | 2017-04-18 | 2018-10-26 | 하나 마이크론(주) | 정전기 및 충격 보호 구조를 갖는 반도체 패키지 |
| KR102452631B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2022-10-11 | 하나 마이크론(주) | 정전기 및 충격 보호 구조를 갖는 반도체 패키지 |
| US10824835B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-11-03 | Fujitsu Connected Technologies Limited | Electronic device |
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