JPH0964247A - 金属の回路基板を有するチップスケールのパッケージ - Google Patents
金属の回路基板を有するチップスケールのパッケージInfo
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011805 ball Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011806 microball Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
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Abstract
ができるばかりではなく、チップの上部に位置した金属
回路基板を通じてチップの熱を容易に放出することにあ
る。 【解決手段】本発明は大きさが半導体ベアーチップの大
きさと類似であるながらも使用者にはノウングットダイ
に供給可能であり、表面の実装技術をそのままに適用す
ることができる、所謂チップスケールのパッケージ(C
hip Scale Package)として、その製
造費用が廉価であり、またその製造工程も簡単な構造を
有する新たな形態のチップスケールのパッケージを提供
するが、その中央に、またはチップ端部の部分にボンデ
ィングパッドを有する半導体チップと、半導体チップと
の電気的な連結のための回路パターンと実装パッドを有
する金属回路基板と、このような回路板を半導体チップ
と接着させるためのテープと、半導体チップのボンディ
ングパッドと回路板を電気的に連結するためのボンディ
ングワイヤと、半導体チップを外部から保護するための
封止を具備した構造となっていることを特徴とする。
Description
半導体パッケージに関するもので、より具体的には金属
リードフレーム、プラスチック組立工程を利用すること
ができる新たな形態のチップスケールのパッケージに関
するものである。
ip;ウェーハから分離されたが、まだパッケージされ
なかった半導体チップ)をモジュール化して特定の基板
に実装するマルチチップモジュール(Multi Ch
ip Module)から重要なことは実装の前に半導
体チップの特性を知らなければならないこと、即ち実装
する半導体チップがノウングッドダイ(KGD;Kno
wn Good Die)でなければならないことであ
る。ところが、KGDはベアーチップ状態から特性を検
査しなければならないので、KGDの保障方法や検査方
法およびその費用面においてもまだ問題点が多い。
念がこのCSP(Chip Scale Packag
eまたはChip Size Package)であ
る。このようなチップスケールパッケージ(CSP)の
パッケージ形態は主にボールグリッドアレイ(Ball
Grid Array)のパッケージであり、パッケ
ージの大きさは殆んどチップの大きさと等しくしたもの
である。このため、ベアーチップと殆んど同じ大きさで
あるにもかかわらず、使用者にはノウングッドダイに供
給可能であり、その上に従来の表面実装技術(SMT:
SurfaceMounting Technolog
y)をそのままに使用することができて電子機器の小形
化、薄型化、多機能化を推進することができる。また、
チップスケールのパッケージを個人用のコンピュータに
採用するとCD−ROMドライブ等も内装することがで
き、ノートブックPCにもマルチメディア機能を搭載す
ることができるという有利な点がある。
発したTCC(Tessera Compliant
Chip,以下TCCという)パッケージの断面図であ
る。これは、例えば「P.A. Gargini an
d G. H. Parker:″Microproc
essor Technology TowardsT
he Year 2000″, SEMICON/KA
NSAI−KYOTO TECHNOLOGY SEM
INAR 92 Processings,June
11−12,pp 16−12」に公知されているよう
な高密度の実装と多機能の応用のため、所謂マイクロボ
ールグリッドアレイパッケージ(μ−BGA)の一種と
して、その基本の構造は半導体チップ1のボンディング
パッド2とアレイバンプ3を電気的に連結するパターン
となっており、銅(Cu)とポリイミドからなったフレ
キシブル(flexible)回路基板5に弾性重合体
7を利用して半導体チップ1を接着したものである。チ
ップのパッドピッチは既存の基板に実装しやすいように
変換されて、素子の信号を外部または外部の信号を素子
に電気的に導通させる。弾性重合体7はシリコン樹脂か
ら構成される弾性体である。ボンディングリード8とチ
ップのボンディングパッド2をサーモソニックTAB
(Thermosonic Tape Automat
ed Bonding)と類似に内部リードボンディン
グ方法を使用して電気的に連結した後に、外部の環境か
ら保護するためにシリコン9によって封止する。
リイミドから構成されており、アレイバンプ3はニッケ
ルに金をコーティングして0.1mmの高さとなってい
る。TCCからは平均で電気的な連結の長さが1.0m
m〜1.5mmであるので、インダクタンスとキャパシ
タンスおよび信号の遅延が大変極小であり、基板の実装
時に高密度の実装が可能であるという長所がある。
CCにおいてはその価格が高価であるアレイバンプ3、
フレキシブル回路基板5等を使用しているので、その製
造費用が増加され、チップ1のボンディングパッド2と
ボンディングリード8を連結するための半導体チップの
整列とボンディングリードの連結方法がTABと類似で
あるので、ワイヤボンディングによる連結方式に比べそ
の量産性の側面から難しさが多大であるという問題点が
あった。
価で大量生産が可能なチップスケールのパッケージを提
供することにある。
るために請求項1記載の第1の発明からはボンディング
パッドをと有する半導体チップと、この半導体チップと
の電気的な連結のための回路パターンと外部との電気的
な連結のための実装パッドを有する回路板と、この回路
板を半導体チップと接着させるテープと、半導体チップ
のボンディングパッドと回路板を電気的に連結するワイ
ヤと、半導体チップを外部から保護するための封止樹脂
を具備しており、前記回路板の実装パッドを有する一つ
の面が封止樹脂の外部に露出されているチップスケール
のパッケージを具現して既存に使用してあった金属リー
ドフレーム、プラスチック組立工程をそのままに利用す
ることができる。従って、製造費用が廉価で大量生産が
可能にできる。
の実装パッドは前記パッケージを外部回路に実装すると
きソルダリングされることを要旨とする。
は熱伝導性が優秀な金属から構成されたことを要旨とす
る。従って、効率的な熱放出が行なわれる。
前記回路基板に形成されている実装パッドが半導体チッ
プの表面の一部が露出されるように形成されていること
を要旨とする。
はその端部が高く、その中央部が低いように段差が形成
され、上方向に段差が形成された端部領域に実装パッド
が具備されていることを要旨とする。従って、パッケー
ジを外部端子と電気的に連結できる。
の下方向に段差が形成された中央部には孔が開けられて
おり、回路パターンが具備されており、前記回路板と半
導体チップの電気的な連結は前記第1面の回路パターン
と前記半導体チップのボンディングパッドを前記孔を通
じて連結するワイヤによって行なわれることを要旨とす
る。従って、チップに電気的に連結できる。
はその端部が低く、その中央部が高いように段差が形成
されており、上方向に段差が形成された中央部の領域に
実装パッドが形成されており、前記回路板の大きさは前
記半導体チップの大きさよりもっと小さいことを要旨と
する。
の下方向に段差が形成された端部の領域には回路パター
ンが具備されており、前記回路板と半導体チップの電気
的な連結は前記第2面の回路パターンと前記半導体チッ
プのボンディングパッドを連結するワイヤによって行な
われることを要旨とする。
基づいて説明する。
ケージの一つの実施形態の断面図である。半導体チップ
10をポリイミドテープ14を利用して金属回路基板1
2に付着させてから、金またはアルミニウムワイヤ16
を利用して電気的に連結し外部環境から保護するために
封止樹脂18により封止する。このとき、封止は回路基
板の表面中の実装パッドが形成されている部分が外部に
露出されるように実施する。
12の電気的な連結は既存のプラスチックパッケージか
ら使用してあったワイヤボンディング方法と同様に金ま
たはアルミニウムワイヤを使用する。そして、封止樹脂
18に使用される物質は従来プラスチックパッケージか
ら使用するものと同一の熱硬化性樹脂であるエポキシモ
ールディングコンパウンド(EMC)を使用することが
でき、またはチップオンボード(COB;Chip O
n Board)も使用することもできる。
われるように金属薄膜となっており、例えば絶縁性の物
質を塗布した薄い銅板を使用することができる。
2は図1乃至図3に図示のような形態をもつことができ
る。即ち、基板12の端部に図中上方向に(図1)また
は下方向に(図3)段差を形成する。図中上方向に段差
が形成された領域にはパッケージを外部端子と電気的に
連結させるための実装パッド19が形成されており、封
止時にその部分が外部に露出されるように封止を行な
う。一方、図中下方向に段差が形成された領域にはワイ
ヤを通じて金属回路基板12をチップに連結させて回路
パターンがその表面に形成されている。
り詳細に説明する。
い銅板上に絶縁物質を塗布してから、その上にチップと
の電気的な連結のための回路パターン17と外部端子と
パッケージを電気的に連結させるための実装パッド19
を配線した形態からなっている。本発明による回路基板
の一つの具現によると、図2に図示のように、回路基板
12は、その端部面に図中上方向に段差が形成されてお
り、下方向に段差が形成されている中心部には孔が形成
されている。上方向に段差が形成された端部面にはパッ
ケージを外部端子と連結させるための実装パッド(図示
せず)がその表面に具備されており、下方向に段差が形
成された中心部にはホールおよび前記基板に対応するボ
ンディングパッドの有するチップ10に電気的に連結さ
せるための回路パターンが形成されている。フレキシブ
ル回路基板12は接着剤テープ14によってチップ10
に接着されている。
ィングコンパウンドを利用して、実装パッド19が形成
されている図中上方向に段差が形成された端部領域が露
出されるようにして封止を行なう。
されるときソルダリングされる部分として、本発明のC
SPを外部回路基板に実装する方法および既存のプラス
チックパッケージと同一に進行される。即ち、外部回路
基板のチップ実装位置にソルダペースト(solder
paste)を塗布した後、CSPを載置してからソ
ルダリフロー(solder reflow)すること
によってCSPの実装が行なわれる。
リイミドテープ24によって所定の回路パターンが形成
されている金属回路基板22に付着されている。図3に
図示のパッケージにおいて、金属回路基板はチップより
その大きさが小さい。チップ20と回路基板22の電気
的な連結はワイヤ26によって行なわれており、封止樹
脂28によって半導体チップは外部から保護される。図
1と関連させて説明したように、チップ20と回路板2
2の電気的な連結はプラスチックパッケージ工程から使
用したものと同一のワイヤボンディング方法を使用して
行なうことができ、封止樹脂およびエポキシモールディ
ングコンパウンドを使用するとか、COBから使用した
ことをそのままに適用することができる。
実装パッドが形成されている基板の表面部分が露出され
るようにして行なう。
ルのパッケージに使用される金属回路基板の平面図であ
る。金属回路基板22は熱放出を極大化するために薄い
銅板上に絶縁物質として薄い膜を塗布してから、その上
に回路パターン34を配線し実装パッド36を形成させ
た状態からなっている。実装パッド36は前記実施形態
のように外部回路に実装されるときソルダリングされる
部分である。
スケールのパッケージは既存に使用中である組立工程を
そのままに利用することができ、チップと金属回路基板
を付着する工程、金線連結工程、封止工程によって完了
されて、その工程が大変簡単にして大量生産および歩留
り向上に寄与することができる。
式から使用するフレキシブル回路、アレイバンパ、TA
Bボンディング等その単価が高価である材料および工程
が必要ではないので、廉価に製造することができるとい
う長所がある。
板を通じてチップから発生した熱を容易に放出すること
ができてパッケージの熱放出の能力を極大化することが
できる。
つの実施形態の断面図である。
用される金属回路基板の平面図である。
た他の実施形態の断面図である。
用される金属回路基板の平面図である。
ある。
Claims (8)
- 【請求項1】 ボンディングパッドを有する半導体チッ
プと、 前記半導体チップとの電気的な連結のための回路パター
ンと外部端子との接続のための実装パッドとを有する回
路板と、 前記回路板を前記半導体チップと接着させるテープと、 前記半導体チップのボンディングパッドと前記回路板を
電気的に連結するワイヤと、 前記半導体チップを外部から保護するための封止を具備
したチップスケールのパッケージ。 - 【請求項2】 前記回路板の実装パッドは前記パッケー
ジを外部回路に実装するときソルダリングされることを
特徴とする請求項1記載のチップスケールのパッケー
ジ。 - 【請求項3】 前記回路板は熱伝導性が優秀な金属から
構成されたことを特徴とする請求項1記載のチップスス
ケールのパッケージ。 - 【請求項4】 前記封止は前記回路基板に形成されてい
る実装パッドが半導体チップの表面の一部が露出される
ように形成されていることを特徴とする請求項1記載の
チップスケールのパッケージ。 - 【請求項5】 前記回路板はその端部が高く、その中央
部が低いように段差が形成され、上方向に段差が形成さ
れた端部領域に実装パッドが具備されていることを特徴
とする請求項1または請求項4記載のチップスケールの
パッケージ。 - 【請求項6】 前記回路板の下方向に段差が形成された
中央部には孔が開けられて、回路パターンが具備されて
おり、前記回路板と半導体チップの電気的な連結は前記
第1面の回路パターンと前記半導体チップのボンディン
グパッドを前記孔を通じて連結するワイヤによって行な
われることを特徴とする請求項5記載のチップスケール
のパッケージ。 - 【請求項7】 前記回路板はその端部が低く、その中央
部が高いように段差が形成されており、上方向に段差が
形成された中央部の領域に実装パッドが形成されてお
り、前記回路板の大きさは前記半導体チップの大きさよ
りもっと小さいことを特徴とする請求項1または請求項
4記載のチップスケールのパッケージ。 - 【請求項8】 前記回路板の下方向に段差が形成された
端部の領域には回路パターンが具備されており、前記回
路板と半導体チップの電気的な連結は前記第2面の回路
パターンと前記半導体チップのボンディングパッドを連
結するワイヤによって行なわれることを特徴とする請求
項7記載のチップスケールのパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1995-25959 | 1995-08-22 | ||
KR1019950025959A KR0169820B1 (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 금속 회로 기판을 갖는 칩 스케일 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964247A true JPH0964247A (ja) | 1997-03-07 |
JP2644711B2 JP2644711B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=19424094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7310873A Expired - Lifetime JP2644711B2 (ja) | 1995-08-22 | 1995-11-29 | 金属の回路基板を有するチップスケールのパッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5684330A (ja) |
JP (1) | JP2644711B2 (ja) |
KR (1) | KR0169820B1 (ja) |
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