JP2003110243A - プリント基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 層間接続の信頼性低下を防止できるプリント
基板およびプリント基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 （ａ）に示すように、ビアホール２４内
に錫粒子６１と銀粒子６２とを含む導電ペースト５０を
充填した銅パターン２２を有する絶縁基材２３を適宜積
層し、両面から加熱プレスする。これにより、（ｂ）に
示すように、錫粒子６１は融解し銀粒子６２と合金化す
るとともに焼結して一体化した導電性組成物５１とな
る。また、導電性組成物５１中の錫成分と銅パターン２
２とは相互に固相拡散して固相拡散層５２を形成し、複
数の導体パターン２２（下方の導体パターンは図示せ
ず）の層間を、接触導通によらない信頼性の高い接合に
より電気的接続を行なうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板およ
びその製造方法に関し、特に、両面プリント基板あるい
は多層プリント基板に形成される複数の導体パターン層
間を電気的に接続したプリント基板およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術として、例えば特開平７−１７
６８４６号公報に開示された技術がある。この技術は、
プリント基板のビアホール内に金属粒子とバインダ樹脂
を含有する導電ペーストを充填した後、加圧しつつ加熱
することによって、プリント基板の導体パターン層間の
電気的接続を行なうものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、導体パターンの層間の電気的接続は、ビ
アホール内の金属粒子同士の接触導通と導体パターンと
金属粒子との接触導通により行なわれる。従って、車載
用途等の厳しい温度条件下で使用されるプリント基板に
おいては、層間接続抵抗値が変化し易い。

【０００４】例えば、高温環境下においては、バインダ
樹脂の膨張により金属粒子同士の接触抵抗値や導体パタ
ーンと金属粒子との接触抵抗値が大きくなり、層間接続
抵抗値が増大し、層間接続の信頼性低下に繋がるという
問題がある。この問題は、プリント基板の高密度化が進
むとさらに深刻なものとなる。

【０００５】本発明は上記点に鑑みてなされたもので、
複数の導体パターン層の層間接続の信頼性低下を防止で
きるプリント基板およびプリント基板の製造方法を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、絶縁基材（２３）に、
導体パターン（２２）を複数層有するプリント基板（１
００）であって、絶縁基材（２３）に設けられたビアホ
ール（２４）中に、導体パターン（２２）を形成する金
属と合金を形成し得る第１の金属と、層間接続時の加熱
温度より高い融点を有する第２の金属との合金を含む一
体化した導電性組成物（５１）が充填され、導体パター
ン（２２）を形成する金属と導電性組成物（５１）中の
第１の金属との固相拡散層（５２）を介し、導体パター
ン（２２）間相互を導電性組成物（５１）により電気的
に接続しているプリント基板であることを特徴としてい
る。

【０００７】これによると、複数層の導体パターン（２
２）相互は、ビアホール（２４）中の一体化した導電性
組成物（５１）と、導電性組成物（５１）中の第１の金
属と導体パターン（２２）を形成する金属との固相拡散
層（５２）により電気的に接続される。従って、導体パ
ターン（２２）相互の電気的接続が接触導通により行な
われることはないので、層間接続抵抗値は変化し難い。
このようにして、層間接続の信頼性低下を防止できる。

【０００８】また、請求項２に記載の発明のように、第
１の金属は、具体的には、錫、インジウムから選ばれる
少なくとも１つの金属とすることができる。

【０００９】また、請求項３に記載の発明のように、第
２の金属は、具体的には、銀、銅、金、白金、パラジウ
ム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくとも１つの金属
とすることができる。

【００１０】また、請求項４に記載の発明では、第１の
金属が、導電性組成物（５１）中の金属成分の２０〜８
０重量％を占めることを特徴としている。

【００１１】これによると、導電性組成物（５１）中の
第１の金属と導体パターン（２２）を形成する金属との
固相拡散層（５２）を確実に形成することができる。従
って、層間接続の信頼性低下を確実に防止できる。

【００１２】また、請求項５に記載の発明では、導体パ
ターン（２２）を形成する金属が銅であることを特徴と
している。

【００１３】これによると、価格面等より一般的な導体
パターン材料である銅を導体パターン（２２）に用いた
プリント基板（１００）においても、導体パターン（２
２）を形成する銅と導電性組成物（５１）中の第１の金
属との固相拡散層（５２）を形成することができる。

【００１４】また、請求項６に記載の発明では、絶縁基
材（２３）は、熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂から
なることを特徴としている。

【００１５】これによると、複数の導体パターン（２
２）層の積層一体化と、複数の導体パターン（２２）層
間の層間接続とを、加圧しつつ加熱することにより、同
時に行なうことができる。

【００１６】また、請求項７に記載の発明では、絶縁基
材（２３）に形成されたビアホール（２４）内に、第１
の金属からなる第１の金属粒子（６１）と、層間接続時
の加熱温度より高い融点を有するとともに、第１の金属
と合金を形成し得る第２の金属からなる第２の金属粒子
（６２）とを含む層間接続材料（５０）を充填する充填
工程と、層間接続材料（５０）を複数の導体パターン
（２２）の層間で加圧しつつ加熱して、第１の金属粒子
（６１）を形成する第１の金属と第２の金属粒子（６
２）を形成する第２の金属とを合金化し、一体化した導
電性組成物（５１）を形成するとともに、導電性組成物
（５１）中の第１の金属と導体パターン（２２）を形成
する金属とを相互に固相拡散することで、複数の導体パ
ターン（２２）の層間を電気的に接続する層間接続工程
とを備えるプリント基板の製造方法であることを特徴と
している。

【００１７】これによると、請求項１に記載のプリント
基板（１００）を製造することができる。従って、導体
パターン（２２）相互の電気的接続が接触導通により行
なわれることはないので、層間接続抵抗値は変化し難
い。このようにして、層間接続の信頼性低下を防止でき
る。

【００１８】また、請求項８に記載の発明のように、第
１の金属は、具体的には、錫、インジウムから選ばれる
少なくとも１つの金属とすることができる。

【００１９】また、請求項９に記載の発明のように、第
２の金属は、具体的には、銀、銅、金、白金、パラジウ
ム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくとも１つの金属
とすることができる。

【００２０】また、請求項１０に記載の発明では、第１
の金属粒子（６１）が、層間接続材料（５０）中の金属
成分の２０〜８０重量％を占めることを特徴としてい
る。

【００２１】これによると、導電性組成物（５１）中の
第１の金属と導体パターン（２２）を形成する金属との
固相拡散を確実に行なうことができる。従って、層間接
続の信頼性低下を確実に防止できる。

【００２２】また、請求項１１に記載の発明では、絶縁
基材（２３）に形成されたビアホール（２４）内に、第
１の金属と層間接続時の加熱温度より高い融点を有する
第２の金属との合金粒子（１６２）を含む層間接続材料
（１５０）を充填する充填工程と、層間接続材料（１５
０）を複数の導体パターン（２２）の層間で加圧しつつ
加熱して、一体化した導電性組成物（５１）を形成する
とともに、導電性組成物（５１）中の第１の金属と導体
パターン（２２）を形成する金属とを相互に固相拡散す
ることで、複数の導体パターン（２２）の層間を電気的
に接続する層間接続工程を備えるプリント基板の製造方
法であることを特徴としている。

【００２３】これによると、請求項７に記載の発明と同
様に、請求項１に記載のプリント基板（１００）を製造
することができる。従って、導体パターン（２２）相互
の電気的接続が接触導通により行なわれることはないの
で、層間接続抵抗値は変化し難い。このようにして、層
間接続の信頼性低下を防止できる。

【００２４】また、請求項１２に記載の発明のように、
第１の金属は、具体的には、錫、インジウムから選ばれ
る少なくとも１つの金属とすることができる。

【００２５】また、請求項１３に記載の発明のように、
第２の金属は、具体的には、銀、銅、金、白金、パラジ
ウム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくとも１つの金
属とすることができる。

【００２６】また、請求項１４に記載の発明では、前記
第１の金属が、層間接続材料（１５０）中の金属成分の
２０〜８０重量％を占めることを特徴としている。

【００２７】これによると、導電性組成物（５１）中の
第１の金属と導体パターン（２２）を形成する金属との
固相拡散を確実に行なうことができる。従って、層間接
続の信頼性低下を確実に防止できる。

【００２８】また、請求項１５に記載の発明では、導体
パターン（２２）を形成する金属が銅であることを特徴
としている。

【００２９】これによると、価格面等より一般的な導体
パターン材料である銅を導体パターン（２２）に用いた
プリント基板（１００）の製造時においても、導体パタ
ーン（２２）を形成する銅と導電性組成物（５１）中の
第１の金属との固相拡散を行なうことができる。

【００３０】また、請求項１６に記載の発明では、絶縁
基材（２３）は、熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂か
らなることを特徴としている。

【００３１】これによると、層間接続工程において、基
板の両面から加圧しつつ加熱することにより、複数の導
体パターン（２２）層の積層一体化と、複数の導体パタ
ーン（２２）層間の層間接続とを、同時に行なうことが
できる。

【００３２】また、請求項１７に記載の発明では、層間
接続材料（５０）を加圧しつつ加熱するときの加熱温度
は、２２０℃以上であることを特徴としている。

【００３３】これによると、一体化した導電性組成物
（５１）の形成および固相拡散層（５２）の形成を良好
に行なうことができる。

【００３４】また、請求項１８に記載の発明では、請求
項１７に記載の発明において、層間接続材料（５０）を
加圧しつつ加熱するときの加圧力は、０．５ＭＰａ以上
であることを特徴としている。

【００３５】これによると、一体化した導電性組成物
（５１）の形成および固相拡散層（５２）の形成を確実
に行なうことができる。

【００３６】また、請求項１９に記載の発明では、層間
接続材料（５０）は、少なくとも有機溶剤を含有し、ペ
ースト状であることを特徴としている。

【００３７】これによると、層間接続材料（５０）がペ
ースト状であるため、充填工程において、ビアホール
（２４）内に層間接続材料（５０）が充填が容易にな
る。

【００３８】また、請求項２０に記載の発明では、層間
接続材料（５０）は、層間接続材料（５０）中の固形分
１００重量％に対し、さらに分散剤を０．０１〜１．５
重量％含有することを特徴としている。

【００３９】これによると、ペースト状の層間接続材料
（５０）中に金属粒子（６１、６２）を均一に分散させ
易くなる。

【００４０】また、請求項２１に記載の発明では、層間
接続材料（５０）は、層間接続材料（５０）中の金属粒
子（６１、６２）に拡散し得る金属からなるバインダ粒
子（６３）を含有し、充填工程後に、バインダ粒子（６
３）を加熱することにより、バインダ粒子（６３）を形
成する金属を介して層間接続材料（５０）中の金属粒子
（６１、６２）間相互を接続することを特徴としてい
る。

【００４１】従来から、ビアホール内に充填する層間接
続材料の保形性が良好でない場合、プリント基板製造
時、ビアホール内に層間接続材料を充填した絶縁基材を
取り扱っているときに、充填した層間接続材料が脱落す
る場合があるという問題がある。

【００４２】ところが、本発明によると、バインダ粒子
（６３）を形成する金属を加熱して拡散することで、こ
の金属を介して、ビアホール（２４）内に充填された層
間接続材料（５０）に含まれる他の金属粒子（６１、６
２）間相互を接続することができる。従って、ビアホー
ル（２４）内の層間接続材料（５０）の保形性を向上す
ることができる。このようにして、ビアホール（２４）
内から層間接続材料（５０）が脱落することを防止でき
る。

【００４３】また、請求項２２に記載の発明のように、
具体的には、バインダ粒子（６３）を第１の金属の融点
および第２の金属の融点より低い融点を有する金属によ
り形成し、充填工程後に、層間接続材料（５０）を第１
の金属の融点および第２の金属の融点より低い温度で加
熱することにより、バインダ粒子（６３）を形成する金
属を介して、層間接続材料（５０）中の金属粒子（６
１、６２）間相互を接続することができる。

【００４４】また、請求項２３に記載の発明のように、
具体的には、バインダ粒子（６４）を粒径が１〜１００
ｎｍの粒子とし、充填工程後に、層間接続材料（５０）
を第１の金属の融点および第２の金属の融点より低い温
度で加熱することにより、バインダ粒子（６４）を形成
する金属を介して、層間接続材料（５０）中の金属粒子
（６１、６２）間相互を接続することができる。これ
は、粒径が約１００ｎｍ以下の金属粒子は表面エネルギ
ーが大きく、加熱することで容易に拡散するためであ
る。

【００４５】また、請求項２４に記載の発明では、層間
接続材料（５０）中の金属粒子（６１、６２）は、平均
粒径が０．１〜２０μｍであるとともに、比表面積が
０．１〜２．５ｍ²／ｇであることを特徴としている。

【００４６】これによると、ペースト状の層間接続材料
（５０）を、ビアホール（２４）内への充填に適した粘
度に調整し易くなる。

【００４７】また、請求項２５に記載の発明では、絶縁
基材（２３）に形成されたビアホール（２４）内に、粒
径が１〜５００ｎｍである金属微粒子（７２）を含む層
間接続材料（２５０）を充填する充填工程と、層間接続
材料（２５０）を複数の導体パターン（２２）の層間で
加圧しつつ加熱して、一体化した導電性組成物（２５
１）を形成するとともに、導電性組成物（２５１）中の
前記金属微粒子（７２）を形成していた金属成分と前記
導体パターン（２２）を形成する金属とを相互に固相拡
散することで、前記複数の導体パターン（２２）の層間
を電気的に接続する層間接続工程とを備えることを特徴
としている。

【００４８】これによると、複数層の導体パターン（２
２）相互は、ビアホール（２４）中の一体化した導電性
組成物（２５１）と、導電性組成物（２５１）中に存在
する層間接続材料（２５０）中において金属微粒子（７
２）を形成していた金属成分と導体パターン（２２）を
形成する金属との固相拡散層（２５２）により電気的に
接続される。従って、導体パターン（２２）相互の電気
的接続が接触導通により行なわれることはないので、層
間接続抵抗値は変化し難い。このようにして、層間接続
の信頼性低下を防止できる。

【００４９】また、請求項２６に記載の発明のように、
金属微粒子（７２）を形成する金属は、具体的には、亜
鉛、アルミニウム、ニッケルから選ばれる少なくとも１
つの金属とすることができる。

【００５０】また、請求項２７に記載の発明のように、
層間接続材料（２５０）は、金属微粒子（７２）と同一
材質の金属大径粒子（７１）を含有することができる。

【００５１】また、請求項２８に記載の発明のように、
層間接続材料（２５０）は、金属微粒子（７２）を形成
する金属と合金を形成し得る金属からなる金属大径粒子
を含有することができる。

【００５２】これらの請求項２７および請求項２８に記
載の発明によると、層間接続材料（２５０）において、
一般的に高価である金属微粒子（７２）の含有量を抑え
ることが可能である。

【００５３】また、請求項２９に記載の発明では、絶縁
基材（２３）に形成されたビアホール（２４）内に、粒
径が１〜５００ｎｍである金属微粒子と、この金属微粒
子を形成する金属と合金を形成し得る金属からなる金属
大径粒子とを含む層間接続材料を充填する充填工程と、
層間接続材料を複数の導体パターン（２２）の層間で加
圧しつつ加熱して、一体化した導電性組成物を形成する
とともに、導電性組成物中の前記金属大径粒子を形成し
ていた金属成分と導体パターン（２２）を形成する金属
とを相互に固相拡散することで、複数の導体パターン
（２２）の層間を電気的に接続する層間接続工程とを備
えることを特徴としている。

【００５４】これによると、複数層の導体パターン（２
２）相互は、ビアホール（２４）中の一体化した導電性
組成物と、導電性組成物中に存在する層間接続材料中に
おいて金属大径粒子を形成していた金属成分と導体パタ
ーン（２２）を形成する金属との固相拡散層により電気
的に接続される。従って、導体パターン（２２）相互の
電気的接続が接触導通により行なわれることはないの
で、層間接続抵抗値は変化し難い。このようにして、層
間接続の信頼性低下を防止できる。

【００５５】また、請求項３０に記載の発明のように、
金属大径粒子（７１）を形成する金属は、具体的には、
亜鉛、アルミニウム、ニッケルから選ばれる少なくとも
１つの金属とすることができる。

【００５６】また、請求項３１に記載の発明では、導体
パターン（２２）を形成する金属が銅であることを特徴
としている。

【００５７】これによると、価格面等より一般的な導体
パターン材料である銅を導体パターン（２２）に用いた
プリント基板（２００）の製造時においても、導体パタ
ーン（２２）を形成する銅と導電性組成物（２５１）中
の金属成分との固相拡散を行なうことができる。

【００５８】また、請求項３２に記載の発明では、絶縁
基材（２３）は、熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性樹脂か
らなることを特徴としている。

【００５９】これによると、層間接続工程において、基
板の両面から加圧しつつ加熱することにより、複数の導
体パターン（２２）層の積層一体化と、複数の導体パタ
ーン（２２）層間の層間接続とを、同時に行なうことが
できる。

【００６０】また、請求項３３に記載の発明では、層間
接続材料（２５０）を加圧しつつ加熱するときの加熱温
度は、２２０℃以上であることを特徴としている。

【００６１】これによると、一体化した導電性組成物
（２５１）の形成および固相拡散層（２５２）の形成を
良好に行なうことができる。

【００６２】また、請求項３４に記載の発明では、請求
項３３に記載の発明において、層間接続材料（２５０）
を加圧しつつ加熱するときの加圧力は、０．５ＭＰａ以
上であることを特徴としている。

【００６３】これによると、一体化した導電性組成物
（２５１）の形成および固相拡散層（２５２）の形成を
確実に行なうことができる。

【００６４】また、請求項３５に記載の発明では、層間
接続材料（２５０）は、少なくとも有機溶剤を含有し、
ペースト状であることを特徴としている。

【００６５】これによると、層間接続材料（２５０）が
ペースト状であるため、充填工程において、ビアホール
（２４）内に層間接続材料（２５０）が充填が容易にな
る。

【００６６】また、請求項３６に記載の発明では、層間
接続材料（２５０）は、層間接続材料（２５０）中の固
形分１００重量％に対し、さらに分散剤を０．０１〜
１．５重量％含有することを特徴としている。

【００６７】これによると、ペースト状の層間接続材料
（２５０）中に金属粒子（７１、７２）を均一に分散さ
せ易くなる。

【００６８】なお、上記各手段に付した括弧内の符号
は、後述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を
示す。

【００６９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。

【００７０】（第１の実施形態）図１は、本実施形態に
おけるプリント基板の製造工程を示す工程別断面図であ
る。

【００７１】図１（ａ）において、２１は絶縁基材であ
る樹脂フィルム２３の片面に貼着された導体箔（本例で
は厚さ１８μｍの銅箔）をエッチングによりパターン形
成した導体パターン２２を有する片面導体パターンフィ
ルムである。本例では、樹脂フィルム２３としてポリエ
ーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエー
テルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる厚さ２５〜
７５μｍの熱可塑性樹脂フィルムを用いている。

【００７２】図１（ａ）に示すように、導体パターン２
２の形成が完了すると、次に、図１（ｂ）に示すよう
に、樹脂フィルム２３側から炭酸ガスレーザを照射し
て、導体パターン２２を底面とする有底ビアホールであ
るビアホール２４を形成する。ビアホールの形成は、炭
酸ガスレーザの出力と照射時間等を調整することで、導
体パターン２２に穴を開けないようにしている。

【００７３】ビアホール２４の形成には、炭酸ガスレー
ザ以外にエキシマレーザ等が使用可能である。レーザ以
外のドリル加工等のビアホール形成方法も可能である
が、レーザビームで穴あけ加工すると、微細な径で穴あ
けでき、導体パターン２２にダメージを与えることが少
ないため好ましい。

【００７４】図１（ｂ）に示すように、ビアホール２４
の形成が完了すると、次に、図１（ｃ）に示すように、
ビアホール２４内に層間接続材料である導電ペースト５
０を充填する。

【００７５】導電ペースト５０は、平均粒径５μｍ、比
表面積０．５ｍ²／ｇの錫粒子（本実施形態の第１の金
属粒子）３００ｇと、平均粒径１μｍ、比表面積１．２
ｍ²／ｇの銀粒子（本実施形態の第２の金属粒子）３０
０ｇとに、有機溶剤であるテルピネオール６０ｇを加
え、これをミキサーによって混練しペースト化したもの
である。

【００７６】なお、錫は、本実施形態における第１の金
属であり、銀は、本実施形態における第２の金属であ
る。

【００７７】導電ペースト５０は、メタルマスクを用い
たスクリーン印刷機により、片面導体パターンフィルム
２１のビアホール２４内に印刷充填された後、１４０〜
１６０℃で３０分間テルピネオールを乾燥させる。ビア
ホール２４内への導電ペースト５０の充填は、本例では
スクリーン印刷機を用いたが、確実に充填ができるので
あれば、ディスペンサ等を用いる他の方法も可能であ
る。

【００７８】ここで、ペースト化のために添加する有機
溶剤として、テルピネオール以外を用いることも可能で
あるが、沸点が１５０〜３００℃の有機溶剤を用いるこ
とが好ましい。沸点が１５０℃未満の有機溶剤では、導
電ペースト５０の粘度の経時変化が大きくなるという不
具合を発生し易い。一方、沸点が３００℃を超える有機
溶剤では、乾燥に要する時間が長くなり好ましくない。

【００７９】また、本例では、導電ペースト５０を構成
する金属粒子として、平均粒径５μｍ、比表面積０．５
ｍ²／ｇの錫粒子と、平均粒径１μｍ、比表面積１．２
ｍ²／ｇの銀粒子とを用いたが、これらの金属粒子は、
平均粒径が０．１〜２０μｍであるとともに、比表面積
が０．１〜２．５ｍ²／ｇであることが好ましい。

【００８０】金属粒子の平均粒径が０．１μｍ未満であ
ったり、比表面積が２．５ｍ²／ｇを超える場合には、
ビアホール充填に適した粘度にペースト化するために多
量の有機溶剤を必要とする。多量の有機溶剤を含んだ導
電ペーストは乾燥に時間を要し、乾燥が不充分である
と、層間接続時の加熱により多量のガスを発生するた
め、ビアホール２４内にボイドが発生し易く、層間接続
信頼性を低下させる。

【００８１】一方、金属粒子の平均粒径が２０μｍを超
えたり、比表面積が０．１ｍ²／ｇ未満の場合には、ビ
アホール２４内に充填し難くなるとともに、金属粒子が
偏在し易くなり、加熱しても均一な合金からなる導電性
組成物５１を形成し難く、層間接続信頼性を確保し難い
という問題があり好ましくない。

【００８２】また、ビアホール２４内へ導電ペースト５
０を充填する前に、導体パターン２２のビアホール２４
に面する部位を薄くエッチング処理したり還元処理して
もよい。これによると、後述する層間接続時の固相拡散
が一層良好に行なわれる。

【００８３】ビアホール２４内への導電ペースト５０の
充填および乾燥が完了すると、図１（ｄ）に示すよう
に、片面導体パターンフィルム２１を複数枚（本例では
４枚）積層する。このとき、下方側の２枚の片面導体パ
ターンフィルム２１は導体パターン２２が設けられた側
を下側として、上方側の２枚の片面導体パターンフィル
ム２１は導体パターン２２が設けられた側を上側として
積層する。

【００８４】すなわち、中央の２枚の片面導体パターン
フィルム２１を導体パターン２２が形成されていない面
同士を向かい合わせて積層し、残りの２枚の片面導体パ
ターンフィルム２１は、導体パターン２２が形成された
面と導体パターン２２が形成されていない面とが向かい
合うように積層する。

【００８５】そしてさらに、積層された複数層の片面導
体パターンフィルム２１の上方側には、最上層の導体パ
ターン２２を覆うようにレジスト膜であるカバーレイヤ
ー３６ａを積層し、積層された複数層の片面導体パター
ンフィルム２１の下方側には、最下層の導体パターン２
２を覆うようにレジスト膜であるカバーレイヤー３６ｂ
を積層する。

【００８６】カバーレイヤー３６ａには、最上層の導体
パターン２２の電極となるべき位置に対応して、電極３
２を露出するように開口３９ａが穴あけ加工されてい
る。また、カバーレイヤー３６ｂには、最下層の導体パ
ターン２２の電極となるべき位置に対応して、電極３７
を露出するように開口３９ｂが穴あけ加工されている。
本例では、カバーレイヤー３６ａ、３６ｂには、樹脂フ
ィルム２３と同じ熱可塑性樹脂材料であるポリエーテル
エーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリエーテルイ
ミド樹脂３５〜６５重量％とからなる樹脂フィルムを用
いている。

【００８７】図１（ｄ）に示すように片面導体パターン
フィルム２１およびカバーレイヤー３６ａ、３６ｂを積
層したら、これらの上下両面から真空加熱プレス機によ
り加熱しながら加圧する。本例では、２４０〜３５０℃
の温度に加熱し２〜１０ＭＰａの圧力で１０〜２０分間
加圧した。

【００８８】これにより、図１（ｅ）に示すように、各
片面導体フィルムパターン２１およびカバーレイヤー３
６ａ、３６ｂ相互が接着される。樹脂フィルム２３およ
びカバーレイヤー３６ａ、３６ｂが熱融着して一体化す
るとともに、ビアホール２４内の導電ペースト５０によ
り隣接する導体パターン２２の層間接続が行なわれ、両
面に電極３２、３７を備える多層のプリント基板１００
が得られる。樹脂フィルム２３とカバーレイヤー３６
ａ、３６ｂとは同じ熱可塑性樹脂材料によって形成され
ているので、加熱により軟化し、加圧されることで確実
に一体化することができる。

【００８９】なお、上述の製造工程において、図１
（ｃ）に示す工程が本実施形態における充填工程であ
り、図１（ｄ）、（ｅ）に示す工程が本実施形態におけ
る層間接続工程である。

【００９０】ここで、層間接続のメカニズムを図２に基
づいて説明する。図２はビアホール２４内の状態を模式
的に示す部分拡大図である。ビアホール２４内に充填さ
れ乾燥されたペースト５０は、真空加熱プレス機により
加熱される前には、図２（ａ）に示す状態にある。すな
わち、第１の金属粒子である錫粒子６１と第２の金属粒
子である銀粒子６２とが混合された状態にある。

【００９１】そして、このペースト５０が２４０〜３５
０℃に加熱されると、錫粒子６１の融点は２３２℃であ
り、銀粒子６２の融点は９６１℃であるため、錫粒子６
１は融解し、銀粒子６２の外周を覆うように付着する。
この状態で加熱が継続すると、融解した錫は、銀粒子６
２の表面から拡散を始め、錫と銀との合金（融点４８０
℃）を形成する。このとき、導電ペースト５０には２〜
１０ＭＰａの圧力が加えられているため、錫と銀との合
金形成に伴い、図２（ｂ）に示すように、ビアホール２
４内には、焼結により一体化した合金からなる導電性組
成物５１が形成される。

【００９２】また、ビアホール２４内で導電性組成物５
１が形成されているときには、この導電性組成物５１は
加圧されているため、導体パターン２２のビアホール２
４の底部を構成している面に圧接される。これにより、
導電性組成物５１中の錫成分と、導体パターン２２を構
成する銅箔の銅成分とが相互に固相拡散し、導電性組成
物５１と導体パターン２２との界面に固相拡散層５２を
形成する。

【００９３】図２には図示していないが、ビアホール２
４の下方側の導体パターン２２と導電性組成物５１との
界面にも、導電性組成物５１中の錫成分と、導体パター
ン２２を構成する銅箔の銅成分との固相拡散層が形成さ
れる。従って、ビアホール２４の上下の導体パターン２
２間は、一体化した導電性組成物５１と固相拡散層５２
とにより電気的に接続される。

【００９４】上述の構成および製造方法によれば、プリ
ント基板１００の複数層の導体パターン２２相互は、ビ
アホール２４中の焼結により一体化した錫と銀との合金
からなる導電性組成物５１と、導体パターン２２と導電
性組成物５１との界面において形成された導電性組成物
５１中の錫成分と導体パターン２２を形成する銅との固
相拡散層５２により電気的に接続される。従って、導体
パターン２２相互の電気的接続が接触導通により行なわ
れることはないので、層間接続抵抗値は変化し難い。こ
のようにして、層間接続の信頼性低下を防止できる。

【００９５】また、片面導体パターンフィルム２１およ
びカバーレイヤー３６ａ、３６ｂの積層一体化と、導体
パターン２２層間の層間接続とを、加圧しつつ加熱する
ことにより、同時に行なうことができる。従って、プリ
ント基板１００の加工工数が低減でき、製造コストを低
減することができる。

【００９６】なお、本実施形態では、導電ペースト５０
中の金属成分は、錫が５０重量％、銀が５０重量％であ
ったが、金属成分中の錫の含有率は２０〜８０％である
ことが好ましい。

【００９７】図３は、本発明者らが行なった導体パター
ンを形成する銅箔と導電性組成物との密着性の評価結果
であり、導電ペースト中の錫と銀との比率を変化させた
ときの銅箔と導電性組成物との密着強度を示すグラフで
ある。

【００９８】評価方法を説明すると、まず、錫粒子およ
び銀粒子は本実施形態に前述した導電ペースト５０に加
えたものを用い、金属成分に対し１０重量％のテルピネ
オールを加えてペースト化したものを銅箔のシャイニー
面（光沢面）に印刷し、前述の乾燥条件で乾燥した。次
に、乾燥したペーストの表面に銅箔のマット面（非光沢
面）が接触するように銅箔を積層し、前述の条件で加熱
しながら加圧し、２枚の銅箔を導電性組成物を介して接
合した。

【００９９】なお、銅箔のシャイニー面とマット面とを
接合したのは、プリント基板製造時に片面導体パターン
フィルムを同一方向に積層した場合に、上記の両面間に
ビアホール内に導電性組成物が充填されたビアが形成さ
れるためである。そして、接合した２枚の銅箔を１０ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、このときのピール強度を密
着強度とした。

【０１００】錫の含有率が２０〜８０％であれば、絶縁
基材と銅箔との密着強度である１．０Ｎ／ｍｍ以上の良
好な密着強度が得られることがわかる。なお、錫の含有
率が２０〜８０％の場合の剥離による破壊モードは、銅
箔と導電性組成物との界面剥離でなく導電性組成物の母
材破壊であり、銅箔と導電性組成物との界面には、導電
性組成物よりも強固な固相拡散層が形成されていること
がわかる。

【０１０１】また、図４は、本発明者らが行なった層間
接続信頼性の評価結果であり、ビアホールに充填する導
電ペースト中の錫と銀との比率を変化させたときに、プ
リント基板のビア連結抵抗の初期値に対し、プリント基
板のリフロー半田付け工程通過後の抵抗値変化を示すグ
ラフである。

【０１０２】評価方法を説明すると、まず、錫粒子およ
び銀粒子は本実施形態に前述した導電ペースト５０に加
えたものを用い、金属成分に対し１０重量％のテルピネ
オールを加えてペースト化したものを片面導体パターン
フィルムのビアホール中に充填し、前述の乾燥条件で乾
燥した。次に、片面導体パターンフィルムの絶縁基材側
の面に銅箔を積層し、前述の条件で加熱しながら加圧し
て、ビア連結抵抗が測定できる導体パターンを形成した
両面基板を作製した。

【０１０３】そして、作製した両面基板のビア連結抵抗
と、この両面基板を２５０℃、５分間のリフロー工程を
通過させた後のビア連結抵抗を測定し、抵抗変化率を算
出した。

【０１０４】錫の含有率が２０〜８０％であれば、リフ
ロー後の抵抗変化率は、一般に接続信頼性が良好である
と言われる抵抗変化率の上限２０％以下を確保できるこ
とがわかる。

【０１０５】上記のように、金属成分中の錫の含有率が
２０〜８０％の導電ペースト５０を層間接続材料として
プリント基板を製造すれば、確実に接続信頼性の高いプ
リント基板を得ることができる。

【０１０６】なお、本実施形態では、層間接続工程にお
ける加熱温度は２４０〜３５０℃であったが、少なくと
も加熱温度は２２０℃以上であることが好ましい。

【０１０７】図５は、本発明者らが行なった導体パター
ンを形成する銅箔と導電性組成物との密着力の加熱温度
依存性の評価結果であり、加熱温度を変化させたときの
銅箔と導電性組成物との密着強度を示すグラフである。

【０１０８】評価方法を説明すると、まず、本実施形態
に前述した導電ペースト５０を銅箔のシャイニー面（光
沢面）に印刷し、前述の乾燥条件で乾燥した。次に、乾
燥したペーストの表面に銅箔のマット面（非光沢面）が
接触するように銅箔を積層し、試料毎に加熱温度を変
え、前述の条件で加圧し、２枚の銅箔を導電性組成物を
介して接合した。

【０１０９】なお、銅箔のシャイニー面とマット面とを
接合したのは、プリント基板製造時に片面導体パターン
フィルムを同一方向に積層した場合に、上記の両面間に
ビアホール内に導電性組成物が充填されたビアが形成さ
れるためである。そして、接合した２枚の銅箔を１０ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、このときのピール強度を密
着強度とした。

【０１１０】加熱温度が２２０℃以上であれば、絶縁基
材と銅箔との密着強度である１．０Ｎ／ｍｍ以上の良好
な密着強度が得られることがわかる。なお、加熱温度が
２２０℃以上の場合の剥離による破壊モードは、銅箔と
導電性組成物との界面剥離でなく導電性組成物の母材破
壊であり、銅箔と導電性組成物との界面には、導電性組
成物よりも強固な固相拡散層が形成されていることがわ
かる。

【０１１１】上記のように、層間接続工程における加熱
温度が２２０℃以上であれば、導電性組成物と固相拡散
層による良好な層間接続を行なうことができる。

【０１１２】なお、本実施形態では、層間接続工程にお
ける加圧力は２〜１０ＭＰａであったが、加圧力は０．
５ＭＰａ以上であることが好ましい。加圧力が０．５Ｍ
Ｐａ未満であると、金属粒子の焼結一体化が良好に行な
われないとともに、固相拡散層の形成も良好に行なわれ
ない。層間接続工程における加圧力を０．５ＭＰａ以上
にすることにより、良好な層間接続を確実に行なうこと
ができることを本発明者らは確認している。

【０１１３】上記各評価において、銅箔にはマット面に
防錆皮膜が形成されているものを用いたが、良好な層間
接続が行なえることが確認できた。

【０１１４】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
について図に基づいて説明する。

【０１１５】第２の実施形態は、第１の実施形態に対
し、導電ペースト５０の保形性を向上するために導電ペ
ースト５０の配合と充填工程後の加工条件が異なる。な
お、第１の実施形態と同様の部分については、同一の符
号をつけ、その説明を省略する。

【０１１６】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の
実施形態と同様に導体パターン２２とビアホール２４の
形成が完了すると、次に、図１（ｃ）に示すように、片
面導体パターンフィルム２１のビアホール２４内に層間
接続材料である導電ペースト５０を充填する。

【０１１７】導電ペースト５０は、平均粒径５μｍ、比
表面積０．５ｍ²／ｇの錫粒子（本実施形態の第１の金
属粒子）３００ｇと、平均粒径１μｍ、比表面積１．２
ｍ²／ｇの銀粒子（本実施形態の第２の金属粒子）３０
０ｇと、平均粒径３μｍ、比表面積０．８ｍ²／ｇのイ
ンジウム粒子（本実施形態のバインダ粒子）６ｇとに、
有機溶剤であるテルピネオール６０ｇを加え、これをミ
キサーによって混練しペースト化したものである。

【０１１８】なお、錫は、本実施形態における第１の金
属であり、銀は、本実施形態における第２の金属であ
る。

【０１１９】導電ペースト５０の充填が完了したら、１
４０〜１６０℃で３０分間テルピネオールを乾燥させ
る。そして、テルピネオールの乾燥が完了したら、片面
導体パターンフィルム２１を１８０〜２００℃で加熱す
る。

【０１２０】加熱する前には、図６（ａ）に示すよう
に、ビアホール２４内において錫粒子６１や銀粒子６２
とともに混在していたインジウム粒子６３は、融点が１
６０℃であるので、この加熱により融解し、図６（ｂ）
に示すように、錫粒子６１および銀粒子６２間相互をイ
ンジウム部６３ａが接続する。このとき、錫粒子６１お
よび銀粒子６２にはインジウム部６３ａの一部が拡散
し、冷却後は各粒子間を強固に接続する。

【０１２１】これにより、導電ペースト５０も保形性は
格段に向上し、この後の工程において、ビアホール２４
から脱落するような不具合は発生しない。

【０１２２】インジウム部６３ａによる各粒子間の接続
は、本例では１８０〜２００℃に加熱することによりお
こなったが、錫の融点（２３２℃）および銀の融点（９
６１℃）より低い温度（すなわち、錫の融点より低い温
度）であればよい。錫粒子６１および銀粒子６２を融解
することなく、各粒子間を接続することができる。ま
た、加熱のみでなく、加圧しつつ加熱することによって
インジウムにより各粒子間を接続するものであってもよ
い。例えば、加熱ロールの間等で、１４０〜１６０℃で
加熱しながら加圧することでもインジウムの一部を錫粒
子や銀粒子に拡散させ各粒子間を接続することが可能で
ある。

【０１２３】なお、本例では、バインダ粒子にインジウ
ム粒子６３を用いたが、錫の融点および銀の融点より低
い融点を有するとともに、錫粒子６１や銀粒子６２に拡
散可能な金属により形成される粒子であればよい。

【０１２４】ビアホール２４内への導電ペースト５０の
充填、乾燥および加熱による保形性向上が完了すると、
図１（ｄ）、（ｅ）に示すように、第１の実施形態と同
様の工程を実施し、多層のプリント基板１００が得られ
る。

【０１２５】なお、ビアホール２４内で導電性組成物５
１が形成されるときには、インジウムも導電性組成物５
１に拡散して取り込まれる。

【０１２６】上述の構成および製造方法によれば、第１
の実施形態と同様の効果が得られる。これに加えて、導
電ペースト５０のビアホール２４内への充填後の保形性
が向上し、脱落することはなくなるので、層間接続の信
頼性低下を確実に防止することができる。

【０１２７】また、導電ペースト５０の保形性向上のた
めにバインダ樹脂を添加する方法もあるが、バインダ樹
脂を多量に添加すると、層間接続時に層間の接続抵抗の
増大を招く可能性があり好ましくない。本発明では、バ
インダ樹脂を多量に必要としないので層間接続抵抗が大
きくなることもない。

【０１２８】なお、本実施形態において説明を省略した
各構成の材質や加工条件等は、第１の実施形態と同様で
ある。

【０１２９】（第３の実施形態）次に、第３の実施形態
について図に基づいて説明する。

【０１３０】第３の実施形態は、第１の実施形態に対
し、第２の実施形態と同様に、導電ペースト５０の保形
性を向上するために導電ペースト５０の配合と充填工程
後の加工条件が異なる。なお、第１の実施形態と同様の
部分については、同一の符号をつけ、その説明を省略す
る。

【０１３１】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の
実施形態と同様に導体パターン２２とビアホール２４の
形成が完了すると、次に、図１（ｃ）に示すように、片
面導体パターンフィルム２１のビアホール２４内に層間
接続材料である導電ペースト５０を充填する。

【０１３２】導電ペースト５０は、平均粒径５μｍ、比
表面積０．５ｍ²／ｇの錫粒子（本実施形態の第１の金
属粒子）３００ｇと、平均粒径１μｍ、比表面積１．２
ｍ²／ｇの銀粒子（本実施形態の第２の金属粒子）３０
０ｇと、粒径５〜７ｎｍの銀粒子（本実施形態のバイン
ダ粒子）０．６ｇとに、有機溶剤であるテルピネオール
６０ｇを加え、これをミキサーによって混練しペースト
化したものである。

【０１３３】なお、錫は、本実施形態における第１の金
属であり、銀は、本実施形態における第２の金属であ
る。

【０１３４】導電ペースト５０の充填が完了したら、１
４０〜１６０℃で３０分間テルピネオールを乾燥させ
る。そして、テルピネオールの乾燥が完了したら、片面
導体パターンフィルム２１を加熱ロールの間等で１４０
〜１６０℃で加熱しながら加圧する。

【０１３５】加圧しつつ加熱する前には、図７（ａ）に
示すように、ビアホール２４内において錫粒子６１や平
均粒径１μｍの銀粒子６２とともに混在していた粒径５
〜７ｎｍの銀粒子６４は、表面エネルギーが非常に大き
いので、この加熱により銀粒子６４の一部は、錫粒子６
１および銀粒子６２に容易に拡散し、図７（ｂ）に示す
ように、錫粒子６１および銀粒子６２間相互を接続す
る。

【０１３６】これにより、導電ペースト５０も保形性は
格段に向上し、この後の工程において、ビアホール２４
から脱落するような不具合は発生しない。

【０１３７】銀粒子６４による各粒子間の接続は、本例
では１４０〜１６０℃に加熱しつつ加圧することにより
行なったが、錫の融点（２３２℃）および銀の融点（９
６１℃）より低い温度（すなわち、錫の融点より低い温
度）であればよい。錫粒子６１および銀粒子６２を融解
することなく、各粒子間を接続することができる。ま
た、加熱のみで加圧することなく銀粒子６４により各粒
子間を接続するものであってもよい。

【０１３８】なお、本例では、バインダ粒子に粒径５〜
７ｎｍの銀粒子６４を用いたが、粒径が１〜１００ｎｍ
であるとともに、錫粒子６１や銀粒子６２に拡散可能な
金属により形成される粒子であればよい。粒径が１００
ｎｍを超えると表面エネルギーが小さくなり、錫の融点
より低い温度で各粒子を接続することが難しくなる。ま
た粒径が１ｎｍより小さな粒子は製造が非常に困難であ
り高価なため好ましくない。

【０１３９】ビアホール２４内への導電ペースト５０の
充填、乾燥および加熱しつつ加圧することによる保形性
向上が完了すると、図１（ｄ）、（ｅ）に示すように、
第１の実施形態と同様の工程を実施し、多層のプリント
基板１００が得られる。

【０１４０】なお、ビアホール２４内で導電性組成物５
１が形成されるときには、銀粒子６４も導電性組成物５
１に拡散して取り込まれる。

【０１４１】上述の構成および製造方法によれば、第１
の実施形態と同様の効果が得られる。これに加えて、導
電ペースト５０のビアホール２４内への充填後の保形性
が向上し、脱落することはなくなるので、層間接続の信
頼性低下を確実に防止することができる。

【０１４２】また、導電ペースト５０の保形性向上のた
めにバインダ樹脂を添加する方法もあるが、バインダ樹
脂を多量に添加すると、層間接続時に層間の接続抵抗の
増大を招く可能性があり好ましくない。本発明では、バ
インダ樹脂を多量に必要としないので層間接続抵抗が大
きくなることもない。

【０１４３】なお、本実施形態において説明を省略した
各構成の材質や加工条件等は、第１の実施形態と同様で
ある。

【０１４４】（第４の実施形態）次に、第４の実施形態
について図に基づいて説明する。

【０１４５】第４の実施形態は、第１の実施形態に対
し、導電ペーストの構成がが異なる。なお、第１の実施
形態と同様の部分については、同一の符号をつけ、その
説明を省略する。

【０１４６】図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の
実施形態と同様に導体パターン２２とビアホール２４の
形成が完了すると、次に、図１（ｃ）に示すように、片
面導体パターンフィルム２１のビアホール２４内に層間
接続材料である導電ペーストを充填する。図１（ｃ）で
は導電ペースト５０を充填した状態を図示しているが、
本実施形態では、図８（ａ）に示すように層間接続材料
である導電ペースト２５０を充填する。

【０１４７】導電ペースト２５０は、平均粒径１μｍ、
比表面積１．２ｍ²／ｇの亜鉛粒子（本実施形態の金属
大径粒子）３００ｇと、粒径５〜１０ｎｍの亜鉛粒子
（本実施形態の金属微粒子）３００ｇとに、有機溶剤で
あるテルピネオール６０ｇを加え、これをミキサーによ
って混練しペースト化したものである。

【０１４８】導電ペースト２５０の充填が完了したら、
１４０〜１６０℃で３０分間テルピネオールを乾燥させ
る。ビアホール２４内への導電ペースト２５０の充填お
よび乾燥が完了すると、図１（ｄ）、（ｅ）に示すよう
に、第１の実施形態と同様の工程を実施し、多層のプリ
ント基板が得られる。図１（ｅ）ではプリント基板１０
０を図示しているが、本実施形態では、図８（ｂ）に示
すように層間接続されたプリント基板２００が得られ
る。

【０１４９】ここで、層間接続のメカニズムを図８に基
づいて説明する。図８はビアホール２４内の状態を模式
的に示す部分拡大図である。ビアホール２４内に充填さ
れ乾燥されたペースト２５０は、真空加熱プレス機によ
り加熱される前には、図８（ａ）に示す状態にある。す
なわち、金属大径粒子である亜鉛粒子７１と金属微粒子
である亜鉛粒子７２とが混合された状態にある。

【０１５０】そして、このペースト２５０が２４０〜３
５０℃に加熱されると、亜鉛粒子７１の融点は４１９℃
であるため溶融することはないが、粒径５〜１０ｎｍの
亜鉛粒子７２は表面エネルギーが非常に大きいので、こ
の加熱により溶融し、亜鉛粒子７１間相互を接続する。

【０１５１】このとき、導電ペースト２５０には２〜１
０ＭＰａの圧力が加えられているため、亜鉛粒子７１間
の接続に伴い、図８（ｂ）に示すように、ビアホール２
４内には、一体化した亜鉛からなる導電性組成物２５１
が形成される。

【０１５２】また、ビアホール２４内で導電性組成物２
５１が形成されているときには、この導電性組成物２５
１は加圧されているため、導体パターン２２のビアホー
ル２４の底部を構成している面に圧接される。これによ
り、導電性組成物２５１を形成する亜鉛成分と、導体パ
ターン２２を構成する銅箔の銅成分とが相互に固相拡散
し、導電性組成物２５１と導体パターン２２との界面に
固相拡散層２５２を形成する。

【０１５３】図８には図示していないが、ビアホール２
４の下方側の導体パターン２２と導電性組成物２５１と
の界面にも、導電性組成物２５１を形成する亜鉛成分
と、導体パターン２２を構成する銅箔の銅成分との固相
拡散層が形成される。従って、ビアホール２４の上下の
導体パターン２２間は、一体化した導電性組成物２５１
と固相拡散層２５２とにより電気的に接続される。

【０１５４】上述の構成および製造方法によれば、導体
パターン２２相互の電気的接続が接触導通により行なわ
れることはないので、層間接続抵抗値は変化し難い。こ
のようにして、層間接続の信頼性低下を防止できる。ま
た、第１の実施形態と同様に、片面導体パターンフィル
ム２１およびカバーレイヤー３６ａ、３６ｂの積層一体
化と、導体パターン２２層間の層間接続とを、加圧しつ
つ加熱することにより、同時に行なうことができる。従
って、プリント基板２００の加工工数が低減でき、製造
コストを低減することができる。

【０１５５】なお、本例では、金属微粒子である亜鉛粒
子に粒径５〜１０ｎｍの亜鉛粒子７２を用いたが、粒径
は１〜５００ｎｍであることが好ましい。粒径が５００
ｎｍを超えると表面エネルギーが小さくなり、亜鉛の融
点より低い温度で亜鉛粒子７１を接続することが難しく
なる。また粒径が１ｎｍより小さな粒子は製造が非常に
困難であり高価なため好ましくない。さらに、金属微粒
子である亜鉛粒子の粒径は１〜１００ｎｍであればより
好ましい。

【０１５６】また、本実施形態では、層間接続工程にお
ける加熱温度は２４０〜３５０℃であったが、少なくと
も加熱温度は２２０℃以上であることが好ましい。加熱
温度が２２０℃以上であれば、導電性組成物２５１およ
び固相拡散層２５２が良好に形成され、良好な層間接続
が行なうことが可能なことを本発明者らは確認してい
る。

【０１５７】さらに、本実施形態では、層間接続工程に
おける加圧力は２〜１０ＭＰａであったが、加圧力は
０．５ＭＰａ以上であることが好ましい。加圧力が０．
５ＭＰａ未満であると、亜鉛粒子の一体化が良好に行な
われないとともに、固相拡散層の形成も良好に行なわれ
ない。層間接続工程における加圧力を０．５ＭＰａ以上
にすることにより、良好な層間接続を確実に行なうこと
ができることを本発明者らは確認している。

【０１５８】なお、本実施形態において説明を省略した
各構成の材質や加工条件等は、第１の実施形態と同様で
ある。

【０１５９】（他の実施形態）上記第１、第２および第
３の実施形態では、第１の金属粒子として錫粒子を用い
たが、導体パターンを形成する金属（上記各例では銅）
と相互に拡散し合金を形成できる金属からなる粒子であ
ればよい。採用できる金属としては、インジウム等があ
る。第１の金属粒子として、これらを単独で用いてもよ
いし、適宜混合して用いてもよい。

【０１６０】また、上記第１、第２および第３の実施形
態では、第２の金属粒子として銀粒子を用いたが、層間
接続時に溶融せず第１の金属（上記各例では錫）と合金
を形成できる金属からなる粒子であればよい。採用でき
る金属としては、銅（融点１０８３℃）、金（融点１０
６３℃）、白金（融点１７６９℃）、パラジウム（融点
１５５２℃）、ニッケル（融点１４５３℃）、亜鉛（融
点４１９℃）等がある。第２の金属粒子として、これら
を単独で用いてもよいし、適宜混合して用いてもよい。

【０１６１】また、上記第１、第２および第３の実施形
態において、第１の金属粒子と第２の金属粒子とを含む
導電ペースト５０を用いたが、第１の金属粒子を構成す
る金属（請求項１１に記載の第１の金属に相当）と第２
の金属粒子を構成する金属（請求項１１に記載の第２の
金属に相当）との合金粒子を含む導電ペーストを用いて
もよい。

【０１６２】例えば、図９（ａ）に示すように、片面導
体パターンフィルム２１のビアホール２４内に、錫５０
重量％、銀５０重量％の合金粒子１６２と有機溶剤とか
らなる導電ペースト１５０を充填し乾燥した後、片面導
体パターンフィルム２１を適宜積層し、これらの上下両
面から加熱しながら加圧することで、図９（ｂ）に示す
ように、ビアホール２４内に、合金粒子の焼結により一
体化した導電性組成物５１を形成する。

【０１６３】そして、ビアホール２４内で導電性組成物
５１が形成されているときには、この導電性組成物５１
は加圧されているため、導体パターン２２のビアホール
２４の底部を構成している面に圧接される。これによ
り、導電性組成物５１中の錫成分と、導体パターン２２
を構成する銅箔の銅成分とが相互に固相拡散し、導電性
組成物５１と導体パターン２２との界面に固相拡散層５
２を形成するものであってもよい。これによっても、上
記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

【０１６４】またこのとき、第１の金属は錫に限らず、
上記したように、インジウム等を単独あるいは混合して
用いることが可能である。さらに、第２の金属は銀に限
らず、上記したように、銅、金、白金、パラジウム、ニ
ッケル、亜鉛等を単独あるいは混合して用いることが可
能である。

【０１６５】また、導電ペースト１５０中の金属成分
は、錫が５０重量％、銀が５０重量％であったが、上記
第１、第２および第３の実施形態と同様に、金属成分中
の錫の含有率は２０〜８０％であることが好ましい。

【０１６６】また、上記第４の実施形態において、導電
ペースト２５０は、金属成分として金属大径粒子である
亜鉛粒子７１と金属微粒子である亜鉛粒子７２とを含有
していたが、導体パターンを形成する金属（上記例では
銅）と相互に拡散し合金を形成できる金属からなる粒子
であればよい。採用できる金属としては、アルミニウ
ム、ニッケル等がある。金属大径粒子および金属微粒子
として、これらを単独で用いてもよいし、適宜混合して
用いてもよい。

【０１６７】また、導電ペースト２５０は、金属成分と
して金属大径粒子を含まず、導体パターンを形成する金
属と相互に拡散し合金を形成できる金属からなる金属微
粒子のみを含むものであってもかまわない。層間接続工
程において金属微粒子が溶融することにより、ビアホー
ル内において導電性組成物を形成し、形成された導電性
組成物と導体パターンとの間で相互固相拡散層が形成で
きる構成であればよい。

【０１６８】すなわち、金属微粒子を形成する金属が導
体パターンを形成する金属と相互に拡散し合金を形成で
きる金属でなくても、金属大径粒子が、金属微粒子を形
成する金属と合金を形成できるとともに、導体パターン
を形成する金属と相互に拡散し合金を形成できる金属で
あればよい。また、金属微粒子を形成する金属が導体パ
ターンを形成する金属と相互に拡散し合金を形成できる
金属である場合には、金属大径粒子は、金属微粒子を形
成する金属と合金を形成できる金属であれば、導体パタ
ーンを形成する金属と合金を形成できる金属に限られる
ものではない。

【０１６９】言い換えれば、金属微粒子を形成する金属
と金属大径粒子を形成する金属とが合金を形成できる組
み合わせであれば、金属微粒子を形成する金属と金属大
径粒子を形成する金属との少なくとも片方が導体パター
ンを形成する金属と相互固相拡散して合金を形成できる
金属であればよい。従って、例えば、金属大径粒子に亜
鉛、アルミニウム、ニッケルから選ばれる少なくとも１
つの金属を採用し、金属微粒子に銀、銅、金、白金、パ
ラジウムから選ばれる少なくとも１つの金属を採用する
構成であってもよい。また、金属大径粒子に採用される
金属と金属微粒子に採用される金属とを上記と逆の組み
合わせとしてもかまわない。

【０１７０】また、上記第１の実施形態において、導電
ペースト５０中の金属成分は、第１の金属粒子および第
２の金属粒子のみであり、第２および第３の実施形態に
おいては、第１の金属粒子、第２の金属粒子およびバイ
ンダ粒子のみであったが、第１の金属である錫と合金を
形成しない金属粒子等を含むものであってもよい。例え
ば、導電性組成物５１の熱膨張率を絶縁基材である樹脂
フィルム２３の熱膨張率近傍に調節することを目的に他
の金属粒子や非導電性無機フィラ等を混合してもよい。
ただし、導電性組成物５１の一体化を阻害するほど多量
に混入することは好ましくない。

【０１７１】また、上記第４の実施形態において、導電
ペースト２５０中の金属成分は、金属大径粒子および金
属微粒子のみであったが、これらの粒子を形成する金属
と合金を形成しない金属粒子等を含むものであってもよ
い。例えば、導電性組成物２５１の熱膨張率を絶縁基材
である樹脂フィルム２３の熱膨張率近傍に調節すること
を目的に他の金属粒子や非導電性無機フィラ等を混合し
てもよい。ただし、導電性組成物２５１の一体化を阻害
するほど多量に混入することは好ましくない。

【０１７２】また、上記各実施形態において、プリント
基板製造時に、図１（ｄ）に示すように片面導体パター
ンフィルム２１を積層したが、層間接続が必要な多層プ
リント基板もしくは両面プリント基板を得るための構成
であれば、この積層パターンに限定されるものではな
い。

【０１７３】例えば、図１０に示すように、導体パター
ンが全面銅箔である片面導体パターンフィルム７１と片
面導体パターンフィルム２１と銅箔８１とを積層し、加
熱プレスした後両面の銅箔をパターニングして多層プリ
ント基板を得るものであってもよいし、図１１に示すよ
うに、片面導体パターンフィルム２１と両面基板９１を
積層し、加熱プレスして多層プリント基板を得るもので
あってもよいし、図１２に示すように、両面基板９１の
両面に樹脂フィルム２３を積層し、さらにその両面に銅
箔８１を積層し、加熱プレスした後両面の銅箔をパター
ニングして多層プリント基板を得るものであってもよ
い。

【０１７４】また、図１３に示すように、樹脂フィルム
２３の両面に銅箔を積層し、加熱プレスした後両面の銅
箔をパターニングして両面プリント基板を得るものであ
ってもよいし、図１４に示すように、導体パターンが全
面銅箔である片面導体パターンフィルム７１と銅箔８１
とを積層し、加熱プレスした後両面の銅箔をパターニン
グして両面プリント基板を得るものであってもよい。

【０１７５】また、上記各実施形態において、樹脂フィ
ルム２３およびカバーレイヤー３６ａ、３６ｂとしてポ
リエーテルエーテルケトン樹脂６５〜３５重量％とポリ
エーテルイミド樹脂３５〜６５重量％とからなる樹脂フ
ィルムを用いたが、これに限らず、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂とポリエーテルイミド樹脂に非導電性フィ
ラを充填したフィルムであってもよいし、ポリエーテル
エーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリエーテルイミ
ド（ＰＥＩ）を単独で使用することも可能である。

【０１７６】さらに樹脂フィルムやカバーレイヤーとし
て、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン
（ＰＥＳ）や熱可塑性ポリイミド、または所謂液晶ポリ
マー等を用いてもよい。あるいは、ポリイミドフィルム
にＰＥＥＫ、ＰＥＩ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、ＰＥＳ、熱可塑
性ポリイミド、液晶ポリマーの少なくともいずれかの熱
可塑性樹脂からなる層を積層した構造のものを使用して
もよい。加熱プレスにより接着が可能であり、後工程で
ある半田付け工程等で必要な耐熱性を有する樹脂フィル
ムであれば好適に用いることができる。

【０１７７】なお、ポリイミドフィルムに熱可塑性樹脂
層を積層したものを用いた場合には、ポリイミドの熱膨
張係数が１５〜２０ｐｐｍ程度で、配線として利用され
ることが多い銅の熱膨張係数（１７〜２０ｐｐｍ）と近
いため、剥がれや基板の反り等の発生を防止することが
できる。

【０１７８】また、プリント基板が両面プリント基板で
ある場合には、例えば、Ｂステージ状態のエポキシ樹
脂、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ）、ポリフェニレン
エーテル（ＰＰＥ）、ポリイミド（ＰＩ）等の熱硬化性
樹脂を用いることもできる。また、プリント基板が多層
プリント基板であっても、順次加熱プレスにより積層し
ていく所謂ビルドアップ工法の場合には、Ｂステージ状
のエポキシ樹脂、ＢＴ、ＰＰＥ、ＰＩ等の熱硬化性樹脂
を用いることも可能である。

【０１７９】また、上記各実施形態において、導体パタ
ーン２２を構成する金属として銅を用いたが、上記第
１、第２および第３の実施形態においては、導電性組成
物５１中の第１の金属（上記各例では錫）と相互に固相
拡散できるものであればこれに限らない。また、導体パ
ターン２２がすべて導電性組成物５１中の第１の金属と
相互固相拡散できる金属である必要もなく、表面に例え
ば銀や金のような導電性組成物５１中の第１の金属と相
互固相拡散できる金属めっき層が設けられた導体パター
ンであってもよい。導体パターン２２のビアホール２４
に対応する位置に、導電性組成物５１中の第１の金属と
相互固相拡散できる金属が配置されているものであれば
よい。

【０１８０】また、上記第４の実施形態においては、導
電性組成物２５１中の金属成分（上記例では亜鉛）と相
互に固相拡散できるものであればこれに限らない。ま
た、導体パターン２２がすべて導電性組成物２５１中の
金属成分と相互固相拡散できる金属である必要もなく、
表面に例えば銀や金のような導電性組成物２５１中の金
属成分と相互固相拡散できる金属めっき層が設けられた
導体パターンであってもよい。導体パターン２２のビア
ホール２４に対応する位置に、導電性組成物２５１中の
金属成分と相互固相拡散できる金属が配置されているも
のであればよい。

【０１８１】また、上記第１の実施形態において、導電
ペースト５０は金属粒子６１、６２および有機溶剤によ
り構成し、上記第２の実施形態においては、金属粒子６
１、６２、６３および有機溶剤により構成し、上記第３
の実施形態においては、金属粒子６１、６２、６４およ
び有機溶剤により構成し、上記第４の実施形態において
は、導電ペースト２５０は金属粒子７１、７２および有
機溶剤により構成したが、導電ペースト５０、２５０の
固形分（例えば上記第１の実施形態では金属粒子６１、
６２）１００重量％に対し分散剤を０．０１〜１．５重
量％添加してもよい。これによると、導電ペースト５
０、２５０中に金属粒子を均一に分散させ易くなる。た
だし、分散剤の添加量が０．０１％未満では分散効果が
得られ難く、１．５重量％を超えると焼結により導電性
組成物が一体化することを妨げやすい。なお、分散剤と
しては、例えば、リン酸エステルやステアリン酸エステ
ル等を用いることができる。

【０１８２】また、上記各実施形態において、層間接続
用材料は導電ペースト５０もしくは導電ペースト２５０
であったが、ビアホール内に充填が可能であれば、ペー
スト状ではなく粒状等であってもよい。

【０１８３】また、上記各実施形態において、プリント
基板１００、２００は４層基板であったが、複数の導体
パターン層を有するものであれば、層数が限定されるも
のではないことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１の実施形態のプリント基板
の概略の製造工程を示す工程別断面図である。

【図２】本発明における第１の実施形態のビアホール２
４内の状態を模式的に示す部分拡大図であり、（ａ）は
導電ペースト５０充填後の状態、（ｂ）は層間接続後の
状態を示す。

【図３】導体パターンを形成する銅箔と導電性組成物と
の密着性の評価結果を示すグラフである。

【図４】プリント基板のリフロー半田付け工程通過後の
ビア連結抵抗変化率を示すグラフである。

【図５】導体パターンを形成する銅箔と導電性組成物と
の密着性の評価結果を示すグラフである。

【図６】本発明における第２の実施形態のビアホール２
４内の状態を模式的に示す部分拡大図であり、（ａ）は
導電ペースト５０充填後の状態、（ｂ）は粒子間接続に
よる保形性向上後の状態を示す。

【図７】本発明における第３の実施形態のビアホール２
４内の状態を模式的に示す部分拡大図であり、（ａ）は
導電ペースト５０充填後の状態、（ｂ）は粒子間接続に
よる保形性向上後の状態を示す。

【図８】本発明における第４の実施形態のビアホール２
４内の状態を模式的に示す部分拡大図であり、（ａ）は
導電ペースト２５０充填後の状態、（ｂ）は層間接続後
の状態を示す。

【図９】本発明における他の実施形態のビアホール２４
内の状態を模式的に示す部分拡大図であり、（ａ）は導
電ペースト１５０充填後の状態、（ｂ）は層間接続後の
状態を示す。

【図１０】他の実施形態における多層プリント基板製造
のための要素積層構成を示す図である。

【図１１】他の実施形態における多層プリント基板製造
のための要素積層構成を示す図である。

【図１２】他の実施形態における多層プリント基板製造
のための要素積層構成を示す図である。

【図１３】他の実施形態における両面プリント基板製造
のための要素積層構成を示す図である。

【図１４】他の実施形態における両面プリント基板製造
のための要素積層構成を示す図である。

【符号の説明】

２１ 片面導体パターンフィルム ２２ 導体パターン ２３ 樹脂フィルム（絶縁基材） ２４ ビアホール（有底ビアホール） ５０、１５０、２５０ 導電ペースト（層間接続材料） ５１、２５１ 導電性組成物 ５２、２５２ 固相拡散層 ６１ 錫粒子（第１の金属粒子） ６２ 銀粒子（第２の金属粒子） ６３ インジウム粒子（第２の実施形態におけるバイン
ダ粒子） ６４ 銀粒子（第３の実施形態におけるバインダ粒子） ７１ 亜鉛粒子（金属大径粒子） ７２ 亜鉛粒子（金属微粒子） １００、２００ プリント基板 １６２ 合金粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 宏司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 原田 敏一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 横地 智宏 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4E351 AA02 AA16 BB01 BB24 BB26 BB31 BB35 BB49 CC11 DD04 DD05 DD06 DD08 DD10 DD12 DD19 DD20 DD52 EE03 EE11 GG06 5E317 AA24 BB01 BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 CC25 CC52 CD21 CD31 CD32 GG11 5E346 AA05 AA12 AA15 AA22 AA35 AA38 AA43 BB01 BB16 CC02 CC08 CC31 DD02 DD33 EE02 EE06 EE07 EE42 FF18 FF35 FF36 GG19 GG28 HH07

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基材（２３）に、導体パターン（２
   ２）を複数層有するプリント基板（１００）であって、 前記絶縁基材（２３）に設けられたビアホール（２４）
   中に、前記導体パターン（２２）を形成する金属と合金
   を形成し得る第１の金属と、層間接続時の加熱温度より
   高い融点を有する第２の金属との合金を含む一体化した
   導電性組成物（５１）が充填され、 前記導体パターン（２２）を形成する金属と前記導電性
   組成物（５１）中の前記第１の金属とが相互に固相拡散
   して形成された固相拡散層（５２）を介し、前記導体パ
   ターン（２２）間相互を前記導電性組成物（５１）によ
   り電気的に接続していることを特徴とするプリント基
   板。
2. 【請求項２】 前記第１の金属は、錫、インジウムから
   選ばれる少なくとも１つの金属であることを特徴とする
   請求項１に記載のプリント基板。
3. 【請求項３】 前記第２の金属は、銀、銅、金、白金、
   パラジウム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくとも１
   つの金属であることを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載のプリント基板。
4. 【請求項４】 前記第１の金属が、前記導電性組成物
   （５１）中の金属成分の２０〜８０重量％を占めること
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに
   記載のプリント基板。
5. 【請求項５】 前記導体パターン（２２）を形成する金
   属が銅であることを特徴とする請求項１ないし請求項４
   のいずれか１つに記載のプリント基板。
6. 【請求項６】 前記絶縁基材（２３）は、熱可塑性樹脂
   あるいは熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項
   １ないし請求項５のいずれか１つに記載のプリント基
   板。
7. 【請求項７】 絶縁基材（２３）に形成されたビアホー
   ル（２４）内に、第１の金属からなる第１の金属粒子
   （６１）と、層間接続時の加熱温度より高い融点を有す
   るとともに、前記第１の金属と合金を形成し得る第２の
   金属からなる第２の金属粒子（６２）とを含む層間接続
   材料（５０）を充填する充填工程と、 前記層間接続材料（５０）を複数の導体パターン（２
   ２）の層間で加圧しつつ加熱して、前記第１の金属粒子
   （６１）を形成する前記第１の金属と前記第２の金属粒
   子（６２）を形成する前記第２の金属とを合金化し、一
   体化した導電性組成物（５１）を形成するとともに、前
   記導電性組成物（５１）中の前記第１の金属と前記導体
   パターン（２２）を形成する金属とを相互に固相拡散す
   ることで、前記複数の導体パターン（２２）の層間を電
   気的に接続する層間接続工程とを備えることを特徴とす
   るプリント基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１の金属は、錫、インジウムから
   選ばれる少なくとも１つの金属であることを特徴とする
   請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２の金属は、銀、銅、金、白金、
   パラジウム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくとも１
   つの金属であることを特徴とする請求項７または請求項
   ８に記載のプリント基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１の金属粒子（６１）が、前記
    層間接続材料（５０）中の金属成分の２０〜８０重量％
    を占めることを特徴とする請求項７ないし請求項９のい
    ずれか１つに記載のプリント基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 絶縁基材（２３）に形成されたビアホ
    ール（２４）内に、第１の金属と層間接続時の加熱温度
    より高い融点を有する第２の金属との合金粒子（１６
    ２）を含む層間接続材料（１５０）を充填する充填工程
    と、 前記層間接続材料（１５０）を複数の導体パターン（２
    ２）の層間で加圧しつつ加熱して、一体化した導電性組
    成物（５１）を形成するとともに、前記導電性組成物
    （５１）中の前記第１の金属と前記導体パターン（２
    ２）を形成する金属とを相互に固相拡散することで、前
    記複数の導体パターン（２２）の層間を電気的に接続す
    る層間接続工程とを備えることを特徴とするプリント基
    板の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１の金属は、錫、インジウムか
    ら選ばれる少なくとも１つの金属であることを特徴とす
    る請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第２の金属は、銀、銅、金、白
    金、パラジウム、ニッケル、亜鉛から選ばれる少なくと
    も１つの金属であることを特徴とする請求項１１または
    請求項１２に記載のプリント基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記第１の金属が、前記層間接続材料
    （１５０）中の金属成分の２０〜８０重量％を占めるこ
    とを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか
    １つに記載のプリント基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記導体パターン（２２）を形成する
    金属が銅であることを特徴とする請求項７ないし請求項
    １４のいずれか１つに記載のプリント基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記絶縁基材（２３）は、熱可塑性樹
    脂あるいは熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求
    項７ないし請求項１５のいずれか１つに記載のプリント
    基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記層間接続材料（５０）を前記加圧
    しつつ加熱するときの加熱温度は、２２０℃以上である
    ことを特徴とする請求項７ないし請求項１６のいずれか
    １つに記載のプリント基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記層間接続材料（５０）を前記加圧
    しつつ加熱するときの加圧力は、０．５ＭＰａ以上であ
    ることを特徴とする請求項１７に記載のプリント基板の
    製造方法。
19. 【請求項１９】 前記層間接続材料（５０）は、少なく
    とも有機溶剤を含有し、ペースト状であることを特徴と
    する請求項７ないし請求項１８のいずれか１つに記載の
    プリント基板の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記層間接続材料（５０）は、前記層
    間接続材料（５０）中の固形分１００重量％に対し、さ
    らに分散剤を０．０１〜１．５重量％含有することを特
    徴とする請求項１９に記載のプリント基板の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記層間接続材料（５０）は、前記層
    間接続材料（５０）中の金属粒子（６１、６２）に拡散
    し得る金属からなるバインダ粒子（６３）を含有し、 前記充填工程後に、前記バインダ粒子（６３）を加熱す
    ることにより、前記バインダ粒子（６３）を形成する金
    属を介して前記層間接続材料（５０）中の前記金属粒子
    （６１、６２）間相互を接続することを特徴とする請求
    項１９または請求項２０に記載のプリント基板の製造方
    法。
22. 【請求項２２】 前記バインダ粒子（６３）は、前記第
    １の金属の融点より低くかつ前記第２の金属の融点より
    低い融点を有する金属により形成されており、 前記充填工程後に、前記層間接続材料（５０）を、前記
    第１の金属の融点より低くかつ前記第２の金属の融点よ
    り低い温度で加熱することにより、前記層間接続材料
    （５０）中の前記金属粒子（６１、６２）間相互を接続
    することを特徴とする請求項２１に記載のプリント基板
    の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記バインダ粒子（６４）は、粒径が
    １〜１００ｎｍの粒子であり、 前記充填工程後に、前記層間接続材料（５０）を、前記
    第１の金属の融点より低くかつ前記第２の金属の融点よ
    り低い温度で加熱することにより、前記層間接続材料
    （５０）中の前記金属粒子（６１、６２）間相互を接続
    することを特徴とする請求項２１に記載のプリント基板
    の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記層間接続材料（５０）中の金属粒
    子（６１、６２）は、平均粒径が０．１〜２０μｍであ
    るとともに、比表面積が０．１〜２．５ｍ²／ｇである
    ことを特徴とする請求項１９ないし請求項２２のいずれ
    か１つに記載のプリント基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 絶縁基材（２３）に形成されたビアホ
    ール（２４）内に、粒径が１〜５００ｎｍである金属微
    粒子（７２）を含む層間接続材料（２５０）を充填する
    充填工程と、 前記層間接続材料（２５０）を複数の導体パターン（２
    ２）の層間で加圧しつつ加熱して、一体化した導電性組
    成物（２５１）を形成するとともに、前記導電性組成物
    （２５１）中の前記金属微粒子（７２）を形成していた
    金属成分と前記導体パターン（２２）を形成する金属と
    を相互に固相拡散することで、前記複数の導体パターン
    （２２）の層間を電気的に接続する層間接続工程とを備
    えることを特徴とするプリント基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記金属微粒子（７２）を形成する金
    属は、亜鉛、アルミニウム、ニッケルから選ばれる少な
    くとも１つの金属であることを特徴とする請求項２５に
    記載のプリント基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記層間接続材料（２５０）は、前記
    金属微粒子（７２）と同一材質の金属大径粒子（７１）
    を含有することを特徴とする請求項２５または請求項２
    ６に記載のプリント基板の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記層間接続材料（２５０）は、前記
    金属微粒子（７２）を形成する金属と合金を形成し得る
    金属からなる金属大径粒子を含有することを特徴とする
    請求項２５または請求項２６に記載のプリント基板の製
    造方法。
29. 【請求項２９】 絶縁基材（２３）に形成されたビアホ
    ール（２４）内に、粒径が１〜５００ｎｍである金属微
    粒子と、この金属微粒子を形成する金属と合金を形成し
    得る金属からなる金属大径粒子とを含む層間接続材料を
    充填する充填工程と、 前記層間接続材料を複数の導体パターン（２２）の層間
    で加圧しつつ加熱して、一体化した導電性組成物を形成
    するとともに、前記導電性組成物中の前記金属大径粒子
    を形成していた金属成分と前記導体パターン（２２）を
    形成する金属とを相互に固相拡散することで、前記複数
    の導体パターン（２２）の層間を電気的に接続する層間
    接続工程とを備えることを特徴とするプリント基板の製
    造方法。
30. 【請求項３０】 前記金属大径粒子を形成する金属は、
    亜鉛、アルミニウム、ニッケルから選ばれる少なくとも
    １つの金属であることを特徴とする請求項２９に記載の
    プリント基板の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記導体パターン（２２）を形成する
    金属が銅であることを特徴とする請求項２５ないし請求
    項３０のいずれか１つに記載のプリント基板の製造方
    法。
32. 【請求項３２】 前記絶縁基材（２３）は、熱可塑性樹
    脂あるいは熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求
    項２５ないし請求項３１のいずれか１つに記載のプリン
    ト基板の製造方法。
33. 【請求項３３】 前記層間接続材料（２５０）を前記加
    圧しつつ加熱するときの加熱温度は、２２０℃以上であ
    ることを特徴とする請求項２５ないし請求項３２のいず
    れか１つに記載のプリント基板の製造方法。
34. 【請求項３４】 前記層間接続材料（２５０）を前記加
    圧しつつ加熱するときの加圧力は、０．５ＭＰａ以上で
    あることを特徴とする請求項３３に記載のプリント基板
    の製造方法。
35. 【請求項３５】 前記層間接続材料（２５０）は、少な
    くとも有機溶剤を含有し、ペースト状であることを特徴
    とする請求項２５ないし請求項３４のいずれか１つに記
    載のプリント基板の製造方法。
36. 【請求項３６】 前記層間接続材料（２５０）は、前記
    層間接続材料（２５０）中の固形分１００重量％に対
    し、さらに分散剤を０．０１〜１．５重量％含有するこ
    とを特徴とする請求項３５に記載のプリント基板の製造
    方法。