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JP2002118486A - 高周波複合スイッチモジュール - Google Patents

高周波複合スイッチモジュール

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Publication number
JP2002118486A
JP2002118486A JP2000307277A JP2000307277A JP2002118486A JP 2002118486 A JP2002118486 A JP 2002118486A JP 2000307277 A JP2000307277 A JP 2000307277A JP 2000307277 A JP2000307277 A JP 2000307277A JP 2002118486 A JP2002118486 A JP 2002118486A
Authority
JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
frequency band
switch module
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000307277A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Tsurunari
哲也 鶴成
Hiroki Satou
祐己 佐藤
Yoshiharu Omori
吉晴 大森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000307277A priority Critical patent/JP2002118486A/ja
Priority to US10/148,699 priority patent/US6856213B2/en
Priority to PCT/JP2001/008793 priority patent/WO2002032002A1/ja
Priority to EP01974707A priority patent/EP1235357A4/en
Publication of JP2002118486A publication Critical patent/JP2002118486A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H03H7/463Duplexers
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    • H04B1/40Circuits
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    • H04B1/48Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 携帯電話などの移動体通信機器に用いられる
アンテナ共用器と弾性表面波フィルタを一体化して、さ
らに、弾性表面波フィルタ実装時における寄生インダク
タンス成分を低減し、弾性表面波フィルタの下側減衰量
の特性を向上させた高性能な部品を提供することを目的
とする。 【解決手段】 通過帯域の異なる複数の送受信系の信号
を扱う高周波複合スイッチモジュールにおいて、分波・
合波回路、スイッチ回路、低域通過フィルタを主構成と
し、それらを電極パターンと誘電体層とからなる積層体
内に主形成するとともに、前記積層体上に複数の通過帯
域に対応する弾性表面波フィルタおよび前記スイッチ回
路の一部を構成するダイオードを配設し、前記積層体内
に形成されたグランド電極と前記弾性表面波フィルタの
グランド端子とをビアで直接接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話などの移
動体通信機器に用いられる高周波複合スイッチモジュー
ルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年のデジタル携帯電話などにおいて、
小型で高性能な分波回路およびスイッチ共用器の需要は
ますます増大している。このような部品の従来の回路ブ
ロックを図11に示す。本図は、ヨーロッパにおいてサ
ービスされている携帯電話で900MHz帯のGSMシス
テムと1.8GHz帯のDCSシステムの複合端末におけ
るアンテナスイッチ共用器の回路ブロック図となってい
る。
【0003】同図において、61はアンテナポート、6
2,64は送信ポート、63,65は受信ポート、6
6,67は制御端子、68は分波・合波回路、69,7
0はスイッチ回路、71,72は低域通過フィルタであ
る。分波・合波回路68は低域通過フィルタと高域通過
フィルタを組み合わせた回路で構成するのが一般的であ
り、これにより信号をGSM帯とDCS帯に振り分け
る。また、スイッチ回路69,70では、それぞれの帯
域で送信信号と受信信号の切り替えを行う。
【0004】また、それぞれの受信ポートは、受信帯域
制限用の帯域通過フィルタ、例えば73,74のような
弾性表面波フィルタに接続される。そのため、図12に
示すように携帯電話のマザー基板75上では、アンテナ
スイッチ共用器76と弾性表面波フィルタ77が個別部
品として別々に実装されており、実装面積が大きくなっ
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近頃の携帯電話は、更
なる利便性の向上を目指して、マルチバンド化や機能の
向上と平行して、小型化への市場要求が極めて大きく、
これに対応したアンテナ共用器の要望が高まっている。
【0006】上記の従来の構成によれば、アンテナスイ
ッチ共用器と帯域通過フィルタが個別部品であり、マザ
ー基板上でこれらを接続するためのランドや部品間隔が
必要で、小型化が困難なだけでなく、部品間を接続する
ために一度マザー基板上を信号が通過するため、損失が
大きくなる。そのため、受信感度が劣化し、利便性の向
上という点で大きな課題となっていた。
【0007】また、受信帯域制限用の帯域通過フィルタ
として用いられる弾性表面波フィルタは、グランドに接
続された弾性表面波共振子のグランド間に発生する寄生
インダクタンスの影響により、弾性表面波フィルタの通
過帯域に対して下側減衰極の周波数が低くなり、減衰量
が劣化するという問題がある。従って、弾性表面波フィ
ルタを積層体で構成されたアンテナスイッチ共用器と一
体化させる際に、弾性表面波フィルタのグランド端子が
積層体中のビアと引き回し線路を介してグランド端子に
接続されるため、引き回し線路による寄生インダクタン
スの影響により、下側減衰量の劣化が懸念される。
【0008】そこで、本発明では、携帯電話などの移動
体通信機器に用いられるアンテナ共用器と弾性表面波フ
ィルタを一体化して、さらに、弾性表面波フィルタ実装
時における寄生インダクタンス成分を低減し、弾性表面
波フィルタの下側減衰量の特性を向上させることを目的
とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】そしてこの課題を解決す
るために本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系の
信号を扱う高周波複合スイッチモジュールにおいて、分
波・合波回路、スイッチ回路、低域通過フィルタを主構
成とし、それらを電極パターンと誘電体層とからなる積
層体内に主形成するとともに、前記積層体上に複数の通
過帯域に対応する弾性表面波フィルタおよび前記スイッ
チ回路の一部を構成するダイオードを配設し、前記積層
体内に形成されたグランド電極と前記弾性表面波フィル
タのグランド端子とをビアで直接接続したことを特徴と
するものであり、これにより所期の目的を達成する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の高周波
複合スイッチモジュールは、通過帯域の異なる複数の送
受信系の信号を扱う高周波複合スイッチモジュールであ
って、分波・合波回路、スイッチ回路、低域通過フィル
タを主構成とし、それらを電極パターンと誘電体層とか
らなる積層体内に主形成するとともに、前記積層体上に
複数の通過帯域に対応する弾性表面波フィルタおよび前
記スイッチ回路の一部を構成するダイオードを配設し、
前記積層体内に形成されたグランド電極と前記弾性表面
波フィルタのグランド端子とをビアで直接接続したこと
を特徴とするものである。この構成により、積層体基板
の中にLC回路が構成され、その表層にダイオードおよ
び弾性表面波フィルタが構成されるので極めて小さく一
体化構成された部品とすることができる。また、前記弾
性表面波フィルタのグランド端子とマザー基板のグラン
ド間に発生する寄生インダクタンス成分を低減し、前記
弾性表面波フィルタの通過帯の下側減衰量の特性を向上
した、高周波複合スイッチモジュールとすることができ
る。
【0011】本発明の請求項2に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、積層基板中のグランド電極を積層体
の最下層またはその近傍に設けたことを特徴とするもの
である。グランド層を近傍に設けることにより、さらに
寄生インダクタンス成分を低減した、高周波複合スイッ
チモジュールとすることができる。
【0012】本発明の請求項3に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタのグランド端子
とグランド電極との接続を複数のビアで接続したことを
特徴とするものである。この構成により、さらに寄生イ
ンダクタンス成分を低減した、高周波複合スイッチモジ
ュールとすることができる。
【0013】本発明の請求項4に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタが少なくとも第
1の周波数帯域に対応する弾性表面波素子および第2の
周波数帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性
表面波フィルタを積層体上の略中央部に配置した際に、
前記積層体上の長手方向に対して略垂直に第1および第
2の弾性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第
1の弾性表面波素子側に第1の周波数帯に関連する実装
部品、送受信端子および電極パターンを設け、前記第2
の弾性表面波素子側に第2の周波数帯に関連する実装部
品、送受信端子および電極パターンを設けたことを特徴
とするものである。この構成にすることにより、第1の
周波数帯と第2の周波数帯の回路間の結合および送受信
端子間の結合を低減することができ、また、積層体内の
引き回し線路を短くすることができ、高性能な高周波複
合スイッチモジュールとすることができる。
【0014】本発明の請求項5に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、第1および第2の周波数帯の送受信
端子について、それぞれ同じ端子を同じ側に形成したこ
とを特徴とするものである。この構成にすることによ
り、第1と第2の周波数帯の端子間の結合を低減するこ
とができ、アイソレーションの優れた高周波複合スイッ
チモジュールとすることができる。
【0015】本発明の請求項6に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタが少なくとも第
1の周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周
波数帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表
面波フィルタを積層体上の略中央部に配置した際に、前
記積層体上の長手方向に対して略平行に第1および第2
の弾性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第1
の弾性表面波素子側に第1の周波数帯の送受信端子をそ
れぞれ引き離して設け、前記第2の弾性表面波素子側に
第2の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引き離して設け
たことを特徴とするものである。この構成にすることに
より、第1の周波数帯と第2の周波数帯の端子間結合お
よび送受信端子間の結合を低減することができ、アイソ
レーションの優れた高周波複合スイッチモジュールとす
ることができる。
【0016】本発明の請求項7に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタが少なくとも第
1の周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周
波数帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表
面波フィルタを積層体上の略中央部に配置した際に、前
記積層体上の長手方向に対して略平行に第1および第2
の弾性表面波素子を並べて配置するとともに、第1の弾
性表面波素子側に第1の周波数帯に関連する実装部品お
よび電極パターンを設け、第2の弾性表面波素子側に第
2の周波数帯に関連する実装部品および電極パターンを
設けたことを特徴とするものである。この構成にするこ
とにより、第1の周波数帯と第2の周波数帯の回路間お
よび端子間の結合を低減することができ、また、積層体
内の引き回し線路を短くすることができ、高性能な高周
波複合スイッチモジュールとすることができる。
【0017】本発明の請求項8に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタが少なくとも第
1の周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周
波数帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表
面波フィルタを積層体上の片側に寄せて配置した際に、
前記積層体上の長手方向に対して略平行に第1および第
2の弾性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第
1の弾性表面波素子側に第1の周波数帯の送受信端子を
それぞれ引き離して設け、前記第2の弾性表面波素子側
に第2の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引き離して設
けたことを特徴とするものである。この構成にすること
により、第1の周波数帯と第2の周波数帯の端子間結合
および送受信端子間の結合を低減することができ、アイ
ソレーションの優れた高周波複合スイッチモジュールと
することができる。
【0018】本発明の請求項9に記載の高周波複合スイ
ッチモジュールは、弾性表面波フィルタが少なくとも第
1の周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周
波数帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表
面波フィルタを積層体上の片側に寄せて配置した際に、
前記積層体上の長手方向に対して略平行に第1および第
2の弾性表面波素子を並べて配置するとともに、第1の
弾性表面波素子側に第1の周波数帯に関連する実装部品
および電極パターンを設け、第2の弾性表面波素子側に
第2の周波数帯に関連する実装部品および電極パターン
を設けたことを特徴とするものである。この構成にする
ことにより、第1の周波数帯と第2の周波数帯の回路間
および端子間の結合を低減することができ、また、積層
体内の引き回し線路を短くすることができ、高性能な高
周波複合スイッチモジュールとすることができる。
【0019】本発明の請求項10に記載の高周波複合ス
イッチモジュールは、等価回路上でグランドに近いコン
デンサを積層体内に電極パターンで構成する際に、グラ
ンド電極に近い層に形成することを特徴とするものであ
る。このような構成にすることにより、コンデンサ電極
とグランド電極間に発生する寄生容量の影響を少なくし
た高性能な高周波複合スイッチモジュールとすることが
できる。
【0020】本発明の請求項11に記載の高周波複合ス
イッチモジュールは、積層体内においてコンデンサを構
成する電極パターンの一方を他方より大きくすることを
特徴とするものである。このような構成にすることによ
り、製造工程において起こる印刷ずれや積層ずれに対し
て安定した特性をもつ高周波複合スイッチモジュールと
することができる。
【0021】本発明の請求項12に記載の高周波複合ス
イッチモジュールは、積層体内においてコンデンサを構
成する電極パターンの一方を他方より大きくし、さらに
グランドに近い側の電極パターンを大きくすることを特
徴とするものである。このような構成にすることによ
り、製造工程において起こる印刷ずれや積層ずれに対し
て安定した特性をもつとともに、コンデンサ電極とグラ
ンド電極間に発生する寄生容量の影響を少なくした高周
波複合スイッチモジュールとすることができる。
【0022】本発明の請求項13に記載の高周波複合ス
イッチモジュールは、積層体内において隣接するスパイ
ラル形状の電極パターンの巻き方向を同じにすることを
特徴とするものである。このような構成にすることによ
り、スパイラル形状の電極パターン間の結合による影響
を少なくすることができ、高性能な高周波複合スイッチ
モジュールとすることができる。
【0023】本発明の請求項14に記載の高周波複合ス
イッチモジュールは、積層体内において送信系の電極パ
ターンを受信系の電極パターンよりも上に配設したこと
を特徴とするものである。このような構成にすることに
より、送受信回路間の結合を低減することができるとと
もにそれぞれの回路ループを短くすることができ、高性
能な高周波複合スイッチモジュールとすることができ
る。
【0024】以下に本発明における一実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【0025】本発明の一実施の形態における回路ブロッ
ク図を図1に示す。本発明の高周波複合スイッチモジュ
ールは、この回路ブロックをワンチップ化したものであ
る。本発明の高周波複合スイッチモジュールは、例え
ば、第1の周波数帯としてGSM帯、第2の周波数帯と
してDCS帯の2つの周波数帯に対応した構成として、
デュアルバンド携帯電話のアンテナとGSM系とDCS
系のそれぞれの送受信との振り分けに用いることができ
る。
【0026】この実施の形態は、通過帯域の異なる2つ
の送受信系(GSMとDCS)を扱う高周波複合スイッ
チモジュールであり、第1の周波数帯(GSM)と第2
の周波数帯(DCS)に切り分ける分波・合波回路8、
第1の送受信系(GSM)の送信信号と受信信号を切り
替えるスイッチ9、スイッチ9の送信ラインに接続され
る低域通過フィルタ11、受信ラインに接続される弾性
表面波フィルタ12、第2の送受信系(DCS)の送信
信号と受信信号を切り替えるスイッチ10、スイッチ1
0の送信ラインに接続される低域通過フィルタ13、受
信ラインに接続される弾性表面波フィルタ14から構成
される。
【0027】また同実施の形態における等価回路を図2
に示す。図2においてC1からC20はコンデンサ、L
1からL13はインダクタ、R1およびR2は電流制御
用の抵抗、D1からD4はダイオードである。コンデン
サC1からC3およびインダクタL1は低域通過フィル
タ11を構成しており、コンデンサC14、C15およ
びインダクタL8,L9は低域通過フィルタ13を構成
している。さらに、コンデンサC4からC8、インダク
タL2からL5およびダイオードD1,D2はスイッチ
9を構成しており、コンデンサC16からC20、イン
ダクタL10からL13およびダイオードD3,D4は
スイッチ10を構成している。また、コンデンサC9か
らC12およびインダクタL6,L7は分波・合波回路
8を構成している。
【0028】ここで、コンデンサC10とインダクタL
6の並列共振回路はほぼ第2の周波数帯域、インダクタ
L7とコンデンサC13の直列共振回路はほぼ第1の周
波数帯域でそれぞれ共振するように設定されている。
【0029】ダイオードD2とコンデンサC8は、第1
の送信周波数で直列共振するよう設定されており、コン
デンサC6,C7およびL4のπ型位相回路により位相
回転させることにより、アンテナ側から受信側を見たと
きのインピーダンスを極大にすることができるので、ダ
イオードD1およびD2を用いて送受信を切り替えるス
イッチ9を構成することができる。
【0030】ここで、コンデンサC4およびインダクタ
L3は、ダイオードD1のオフ時における容量成分を、
第1の受信周波数帯域においてキャンセルする回路であ
り、インダクタL2はチョーク素子、コンデンサC5は
バイパスコンデンサである。
【0031】また、ダイオードD4とコンデンサC20
は、第2の送信周波数で直列共振するよう設定されてお
り、コンデンサC18,C19およびL12のπ型位相
回路により位相回転させることにより、アンテナ側から
受信側を見たときのインピーダンスを極大にすることが
できるので、ダイオードD3およびD4を用いて送受信
を切り替えるスイッチ10を構成することができる。
【0032】ここで、コンデンサC16およびインダク
タL11は、ダイオードD3のオフ時における容量成分
を、第2の受信周波数帯域においてキャンセルする回路
であり、インダクタL10はチョーク素子、コンデンサ
C17はバイパスコンデンサである。
【0033】図3は同実施の形態における外観図であ
る。この実施の形態では、分波・合波回路、低域通過フ
ィルタ回路およびスイッチ回路の一部を積層体内に構成
し、ダイオード、チップインダクタなどのチップ部品1
6や第1および第2の受信周波数帯域を通過させる弾性
表面波フィルタ15を積層体17上に搭載して、ワンチ
ップ化した高周波複合スイッチモジュールである。
【0034】この積層体17は、比較的誘電率の低い
(εr<10)誘電体の積層体で、この中に電極パター
ンとしてインダクタはメアンダもしくはスパイラルパタ
ーンで構成され、コンデンサは対向電極でそれぞれ構成
されている。また、積層体の側面には入出力電極および
グランド電極18が構成されている。
【0035】図4は、図3の分解斜視図で、積層体17
を17aから17cに分解している。この図において、
弾性表面波フィルタを実装するグランド端子19から2
2はそれぞれ積層体17aおよび17b内のビアホール
23aから26aを介して、積層体17cに形成された
グランド電極28に直接接続されている。この構造によ
り、図6に示すような弾性表面波共振子29のグランド
間に付く寄生インダクタンス30を小さくすることがで
きる。そのため、弾性表面波共振子29の直列共振周波
数の低域側へのシフト量が少なくなり、その結果、弾性
表面波フィルタの特性として下側減衰極の周波数シフト
が少なくなり、減衰量の劣化を低減することができる。
【0036】また、図5では、最下層である積層体17
cに形成されていたグランド電極28を、表層の近傍で
ある積層体17d上に設けている。この構造により、ビ
ア23bから26bが積層体17aの厚さ分だけの長さ
と短くなるため、寄生インダクタンス成分をより小さく
することができ、弾性表面波フィルタの減衰量の劣化を
さらに低減することができる。
【0037】さらに、この前記グランド端子と前記グラ
ンド電極の接続に、一つのグランド端子につき複数のビ
アを用いることで、寄生インダクタンス成分をより小さ
くすることができ、弾性表面波フィルタの減衰量の劣化
をさらに低減することができる。
【0038】本発明における高周波複合スイッチモジュ
ールに用いられる弾性表面波フィルタは、少なくとも第
1の周波数帯と第2の周波数帯に対応する弾性表面波素
子からなる。図7から図9は、この弾性表面波フィルタ
および高周波チップ部品の実装形態と端子配置の実施の
形態を示した平面図である。
【0039】図7は、弾性表面波フィルタ31を積層体
38上の中央に配置しており、その際、第1の弾性表面
波素子32と第2の弾性表面波素子33を長手方向に対
して垂直に並べて配置するとともに、第1の弾性表面波
素子32側に第1の周波数帯に関連する実装部品のダイ
オードD1,D2、チップインダクタL2,L3、第1
の送受信端子である34,35および電極パターンのコ
ンデンサC1からC10、インダクタL1,L4からL
6を設けている。また、第2の弾性表面波素子33側に
第2の周波数帯に関連する実装部品のダイオードD3,
D4、チップインダクタL10,L11、第2の送受信
端子である36,37および電極パターンのコンデンサ
C11からC20、インダクタL7からL9,L12,
L13を設けている。このような構成により、2つの周
波数帯の回路における相互の干渉を防ぐことができ、ま
た、送受信端子間の結合を低減することができるため、
各端子間のアイソレーションが向上する。
【0040】図8は、弾性表面波フィルタ39を積層体
46上の中央に配置しており、その際、第1の弾性表面
波素子40と第2の弾性表面波素子41を長手方向に対
して平行に並べて配置するとともに、第1の弾性表面波
素子側に第1の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引き離
して42,43に形成している。一方、第2の弾性表面
波素子側は、第2の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引
き離して44,45に形成するという構成になってい
る。このような構成により、送受信端子間の結合を低減
することができ、アイソレーションが向上する。
【0041】また、図8では、第1の弾性表面波素子4
0側に第1の周波数帯に関連する実装部品のダイオード
D1,D2、チップインダクタL2,L3および電極パ
ターンのコンデンサC1からC10、インダクタL1,
L4からL6を設け、第2の弾性表面波素子41側に第
2の周波数帯に関連する実装部品のダイオードD3,D
4、チップインダクタL10,L11および電極パター
ンのコンデンサC11からC20、インダクタL7から
L9,L12,L13を設けている。このような構成に
より、2つの周波数帯の回路における相互の干渉を防ぐ
ことができ、アイソレーションが向上する。
【0042】図9は、弾性表面波フィルタ47を積層体
54上の片側に寄せて配置しており、その際、第1の弾
性表面波素子48と第2の弾性表面波素子49を長手方
向に対して平行に並べて配置するとともに、第1の弾性
表面波素子48側に第1の周波数帯の送受信端子をそれ
ぞれ引き離して形成しており、端子50が送信端子、端
子51が受信端子となっている。一方、第2の弾性表面
波素子49側は、第2の周波数帯の送受信端子をそれぞ
れ引き離して形成しており、端子52が送信端子、端子
53が受信端子となっている。このような構成により、
送受信端子間の結合を低減することができ、アイソレー
ションが向上する。
【0043】また、図9では、第1の弾性表面波素子4
8側に第1の周波数帯に関連する実装部品のダイオード
D1,D2、チップインダクタL2,L3および電極パ
ターンのコンデンサC1からC10、インダクタL1,
L4からL6を設け、第2の弾性表面波素子47側に第
2の周波数帯に関連する実装部品のダイオードD3,D
4、チップインダクタL10,L11および電極パター
ンのコンデンサC11からC20、インダクタL7から
L9,L12,L13を設けている。このような構成に
より、2つの周波数帯の回路における相互の干渉を防ぐ
ことができ、アイソレーションが向上する。
【0044】以下に、図10に本発明の実施の形態にお
ける積層体内部構造の一部を示す。
【0045】コンデンサC4はコンデンサ電極56,5
7間の容量によって形成され、図2の等価回路上でグラ
ンドに近いコンデンサC4aの端子をコンデンサ電極5
6よりもグランド電極60に近いコンデンサ電極57の
方に形成している。この構造により、コンデンサ電極5
6とグランド電極60の間に寄生容量が発生することを
防ぎ、高性能な高周波複合スイッチモジュールとするこ
とができる。
【0046】また、グランド電極60に近いコンデンサ
電極57は、56よりも電極の面積が一回り大きくなる
よう形成されている。この構造により、コンデンサ電極
56とグランド電極60の間に寄生容量が発生すること
を防ぐとともに、製造工程における印刷ずれや積層ずれ
に対しても安定した容量値を得ることができる。
【0047】積層体内で隣接するスパイラル電極58お
よび59は、それぞれ図2の等価回路上のインダクタL
5およびL1を構成している。本発明では、この隣接す
るスパイラルインダクタの信号通過経路を考慮して巻き
方向が同じ向きになるように形成されている。このよう
な構造により、スパイラル電極パターン間の結合による
影響を少なくすることができる。
【0048】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、携帯電話
などの移動体通信機器において、分波・合波回路、スイ
ッチ回路、低域通過フィルタ、さらには複数の通過帯域
に対応する弾性表面波フィルタを複合化して、小型で高
性能な部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における回路ブロック図
【図2】同実施の形態における等価回路図
【図3】同実施の形態における外観図
【図4】同実施の形態における分解斜視図
【図5】本発明の変形例における分解斜視図
【図6】(a)本発明における弾性表面波フィルタの等
価回路図 (b)同特性図
【図7】本発明における実装形態および端子配置を示し
た平面図
【図8】本発明における実装形態および端子配置を示し
た平面図
【図9】本発明における実装形態および端子配置を示し
た平面図
【図10】本発明の実施の形態における内部構造図
【図11】従来部品の回路ブロック図
【図12】従来部品の基板実装図
【符号の説明】
1,2,3,4,5 入出力ポート 6,7 制御端子 55a,55b,55c,55d,55e,55f,5
5g,55h 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03H 9/72 H01L 23/12 B (72)発明者 大森 吉晴 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5J097 AA30 BB15 HA04 JJ01 JJ08 LL08 5K011 BA03 BA10 DA02 DA22 FA01 JA01 KA02 KA05 KA18

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通過帯域の異なる複数の送受信系の信号
    を扱う高周波複合スイッチモジュールであって、分波・
    合波回路、スイッチ回路、低域通過フィルタを主構成と
    し、それらを電極パターンと誘電体層とからなる積層体
    内に主形成するとともに、前記積層体上に複数の通過帯
    域に対応する弾性表面波フィルタおよび前記スイッチ回
    路の一部を構成するダイオードを配設し、前記積層体内
    に形成されたグランド電極と前記弾性表面波フィルタの
    グランド端子とをビアで直接接続したことを特徴とする
    高周波複合スイッチモジュール。
  2. 【請求項2】 グランド電極を積層体の最下層またはそ
    の近傍に設けたことを特徴とする請求項1記載の高周波
    複合スイッチモジュール。
  3. 【請求項3】 弾性表面波フィルタのグランド端子とグ
    ランド電極との接続を複数のビアで接続したことを特徴
    とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  4. 【請求項4】 弾性表面波フィルタは少なくとも第1の
    周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周波数
    帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表面波
    フィルタを積層体上の略中央部に配置した際に、前記積
    層体上の長手方向に対して略垂直に第1および第2の弾
    性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第1の弾
    性表面波素子側に第1の周波数帯に関連する実装部品、
    送受信端子および電極パターンを設け、前記第2の弾性
    表面波素子側に第2の周波数帯に関連する実装部品、送
    受信端子および電極パターンを設けたことを特徴とする
    請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  5. 【請求項5】 第1および第2の周波数帯の送受信端子
    について、それぞれ同じ端子を同じ側に形成したことを
    特徴とする請求項4記載の高周波複合スイッチモジュー
    ル。
  6. 【請求項6】 弾性表面波フィルタは少なくとも第1の
    周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周波数
    帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表面波
    フィルタを積層体上の略中央部に配置した際に、前記積
    層体上の長手方向に対して略平行に第1および第2の弾
    性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第1の弾
    性表面波素子側に第1の周波数帯の送受信端子をそれぞ
    れ引き離して設け、前記第2の弾性表面波素子側に第2
    の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引き離して設けたこ
    とを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジ
    ュール。
  7. 【請求項7】 第1の弾性表面波素子側に第1の周波数
    帯に関連する実装部品および電極パターンを設け、第2
    の弾性表面波素子側に第2の周波数帯に関連する実装部
    品および電極パターンを設けたことを特徴とする請求項
    6記載の高周波複合スイッチモジュール。
  8. 【請求項8】 弾性表面波フィルタは少なくとも第1の
    周波数帯に対応する弾性表面波素子および第2の周波数
    帯に対応する弾性表面波素子からなり、前記弾性表面波
    フィルタを積層体上の片側に寄せて配置した際に、前記
    積層体の長手方向に対して略平行に第1および第2の弾
    性表面波素子を並べて配置するとともに、前記第1の弾
    性表面波素子側に第1の周波数帯の送受信端子をそれぞ
    れ引き離して設け、前記第2の弾性表面波素子側に第2
    の周波数帯の送受信端子をそれぞれ引き離して設けたこ
    とを特徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジ
    ュール。
  9. 【請求項9】 第1の弾性表面波素子側に第1の周波数
    帯に関連する実装部品および電極パターンを設け、第2
    の弾性表面波素子側に第2の周波数帯に関連する実装部
    品および電極パターンを設けたことを特徴とする請求項
    8記載の高周波複合スイッチモジュール。
  10. 【請求項10】 等価回路上でグランドに近いコンデン
    サは、積層体内においてコンデンサを構成する電極パタ
    ーンをグランド電極に近い層で形成することを特徴とす
    る請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  11. 【請求項11】 積層体内においてコンデンサを構成す
    る電極パターンの一方を他方より大きくすることを特徴
    とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  12. 【請求項12】 グランドに近い側の電極パターンを大
    きくすることを特徴とする請求項11記載の高周波複合
    スイッチモジュール。
  13. 【請求項13】 積層体内において隣接するスパイラル
    形状の電極パターンの巻き方向を同じにすることを特徴
    とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュール。
  14. 【請求項14】 積層体内において送信系の電極パター
    ンを受信系の電極パターンよりも上に配設したことを特
    徴とする請求項1記載の高周波複合スイッチモジュー
    ル。
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