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JPH09121138A - フィルタ装置及びこれを用いた無線装置 - Google Patents

フィルタ装置及びこれを用いた無線装置

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Publication number
JPH09121138A
JPH09121138A JP8089632A JP8963296A JPH09121138A JP H09121138 A JPH09121138 A JP H09121138A JP 8089632 A JP8089632 A JP 8089632A JP 8963296 A JP8963296 A JP 8963296A JP H09121138 A JPH09121138 A JP H09121138A
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JP
Japan
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filter
filter device
side phase
package
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP8089632A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Hashimoto
和志 橋本
Osamu Igata
理 伊形
Hideki Omori
秀樹 大森
Masanori Ueda
政則 上田
Yoshiaki Fujiwara
嘉朗 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP8089632A priority Critical patent/JPH09121138A/ja
Priority to US08/700,099 priority patent/US6115592A/en
Priority to TW085110250A priority patent/TW366629B/zh
Priority to DE19633954A priority patent/DE19633954A1/de
Priority to FR9610394A priority patent/FR2738088B1/fr
Priority to KR1019960035292A priority patent/KR100240007B1/ko
Priority to CN96111940A priority patent/CN1099769C/zh
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 無線信号部の小型化、軽量化、高信頼性を可
能とする高性能なフィルタ装置を提供する。 【解決手段】 パッケージと、該パッケージ内に収容さ
れ、中心周波数の異なる帯域を有する少なくとも２つの
フィルタ素子と、前記フィルタ素子に共通に設けられた
入力端子及び出力端子とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ装置に関
し、より詳細には異なる周波数帯域で動作可能な無線装
置に適用して好適なフィルタ装置に関する。自動車電話
や携帯電話等の移動端末機器は小型化・軽量化も進み、
急速に普及してきている。近年は加入者増加に伴い、チ
ャネル数確保のため、無線周波数帯が従来より高い周波
数帯を使用する移動帯システムが開発されてきている。
例えば、日本では当初８００ＭＨｚ帯の無線周波数帯が
利用されてきたが、これに加え１．５ＧＨｚ帯システム
も実用化されている。
【０００２】より、具体的には８００ＭＨｚ帯システム
では、送信周波数帯域は９４０ＭＨｚから９６０ＭＨ
ｚ、受信周波数帯域は８１０ＭＨｚから８３０ＭＨｚの
周波数帯を使用し、１．５ＧＨｚ帯システムでは、送信
周波数は１．４２９ＧＨｚから１．４５３ＧＨｚ、受信
周波数帯は１．４７７ＧＨｚから１．５０１ＧＨｚの周
波数帯域を使用している。
【０００３】
【従来の技術】図３２は、８００ＭＨｚ又は１．５ＧＨ
ｚ等の単一周波数帯で動作する従来の移動端末機器（シ
ングルバンド機）の無線信号部の構成を示す図である。
図示するシングルバンド機は、アンテナ１、アンテナ共
用器２、送信側（ＴＸ）無線信号部３及び受信側（Ｒ
Ｘ）無線信号部４を有する。信号部３と４はそれぞれ、
図示しない変調部及び復調部に接続されている。送信側
無線信号部３は、変調部から送信信号を受取りフィルタ
５を介してパワーアンプ（ＰＡ）６で電力増幅し、更に
フィルタ７を介してアンテナ共用器２に送信信号を出力
する。受信側無線信号部４は、アンテナ共用器２を介し
て受信信号を受取り、フィルタ８を介して低雑音アンプ
（ＬＮＡ）９で増幅した後、フィルタ１０を介して受信
信号を復調部に出力する。
【０００４】通常、フィルタ５、７、８及び１０はバン
ドパスフィルタ（帯域通過フィルタ）で、その中心周波
数はそれぞれの周波数帯域の中心（ｆ0 ）に設定されて
いる。このような移動端末機器は、８００ＭＨｚ帯シス
テム及び１．５ＧＨｚ帯システムそれぞれ専用のものが
開発され、実用化されている。よって、８００ＭＨｚ帯
の移動端末機器は１．５ＧＨｚ帯を利用することはでき
ず、逆に１．５ＧＨｚ帯の移動端末機器は８００ＭＨｚ
帯を利用することはできない。
【０００５】しかしながら、両方の周波数帯を利用でき
る移動端末機器（デュアルバンド機）があれば、両方の
周波数帯域を利用できるので、ユーザーにとって好都合
の場合がある。このような移動端末機器では、相当部分
の内部回路を２つの周波数帯域で共通に用いることがで
きる一方で、ことなる周波数帯域専用に設ける必要があ
る、又は好ましい回路も存在する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】例えば、図３２に示す
無線信号部のパワーアンプ６及び低雑音増幅器９は共用
化可能であるが、フィルタ５、７、８及び１０は共用化
できない。よって、デュアルバンド機の無線信号部を構
成するためには、更に別のフィルタを各フィルタ５、
７、８及び１０に並列に設ける必要がある。通常、フィ
ルタ５、７、８及び１０はそれぞれ独立したパッケージ
化された部品であり、これを更にもう一組設けること
（２倍の数の部品が必要となる）はデュアルバンド機の
小型化・軽量化を妨げとなる。また、２組のフィルタを
接続する必要から組み立て工程も多くなり、接続信頼性
の低下及びコスト高につながる。更に、単純にもう一組
のフィルタを並列に接続しただけでは、好ましい通過帯
域特性が得られない。
【０００７】従って、本発明は上記問題点を解決し、無
線信号部の小型化、軽量化、高信頼性を可能とする高性
能なフィルタ装置及びこれを用いた無線装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、パッケージと、該パッケージ内に収容され、中心周
波数の異なる帯域を有する少なくとも２つのフィルタ素
子と、前記フィルタ素子に共通に設けられた入力端子及
び出力端子とを有することを特徴とするフィルタ装置で
ある。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記入力端子と少なくとも一方の前記フィルタ素子
との間に設けられる入力側位相調整回路、または少なく
とも一方の前記フィルタ素子と前記出力端子との間に設
けられる出力側位相調整回路の少なくとものいずれか一
方を有することを特徴とするフィルタ装置である。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項２におい
て、前記少なくとも２つのフィルタ素子の一方に接続さ
れる入力側及び出力側位相調整回路は伝送線路を有し、
前記少なくとも２つのフィルタ素子の他方に接続される
入力側及び出力側位相調整回路はインダクタ及びキャパ
シタを有することを特徴とするフィルタ装置である。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
において、前記少なくとも２つのフィルタ素子は弾性表
面波フィルタ素子を含むことを特徴とするフィルタ装置
である。請求項５に記載の発明は、請求項１において、
前記少なくとも２つのフィルタ素子は複数の弾性表面波
共振器をラダー型に配列した弾性表面波フィルタ素子を
含み、前記少なくとも２つのフィルタ素子の一方を構成
する弾性表面波フィルタ素子の入出力部は並列共振器を
有し、前記少なくとも２つのフィルタ素子の他方を構成
する弾性表面波フィルタ素子の入出力は直列共振器を有
することを特徴とするフィルタ装置である。
【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項１におい
て、前記第１の弾性表面波フィルタ素子は、前記第２の
弾性表面波フィルタ素子より、中心周波数が低いことを
特徴とするフィルタ装置である。請求項７に記載の発明
は、請求項１乃至６において、前記パッケージは導電層
及び絶縁層を交互に積層した積層体と、積層体に形成さ
れた凹部に収容された前記少なくとも２つのフィルタ素
子を封止するキャップとを有することを特徴とするフィ
ルタ装置である。
【００１３】請求項８に記載の発明は、請求項３におい
て、前記パッケージは導電層及び絶縁層を交互に積層し
た積層体を有し、前記伝送線路は、前記積層体の導電層
で形成されることを特徴とするフィルタ装置である。
【００１４】請求項９に記載の発明は、請求項３におい
て、前記伝送路はパッケージの外面に設けられているこ
とを特徴とするフィルタ装置である。請求項１０に記載
の発明は、請求項３において、前記伝送線路及び前記少
なくとも２つのフィルタ素子は、前記パッケージの同一
面上に設けられていることを特徴とするフィルタ装置で
ある。
【００１５】請求項１１に記載の発明は、請求項１にお
いて、前記入力側位相調整回路と前記出力側位相調整回
路の少なくとも一方を接続するための接続端子を有し、
前記入力側位相調整回路と前記出力側位相調整回路の少
なくとも一方は、コイルとコンデンサとを含む、 こと
を特徴とするフィルタ装置である。
【００１６】請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至
７のいずれか一項記載のフィルタ装置であって、前記入
力側位相調整回路または前記出力側位相調整回路及び前
記少なくとも２つのフィルタ素子は、前記パッケージの
同一面上に表面実装されていることを特徴とするフィル
タ装置である。
【００１７】請求項１３に記載の発明は、請求項１２記
載のフィルタ装置であって、前記キャップは、前記パッ
ケージは前記少なくとも２つのフィルタ素子を気密封止
するように構成されていることを特徴とするフィルタ装
置である。請求項１４に記載の発明は、請求項１３記載
のフィルタ装置であって、前記パッケージはリードレス
・チップ・キャリア構造を有し、前記フィルタ素子が設
けられた前記同一面の反対側の面に前記入力側位相調整
回路または前記出力側位相調整回路が表面実装されてい
るとともに、該フィルタ素子と該入力側位相調整回路ま
たは該出力側位相調整回路とが前記伝送線路を介して電
気的に接続されて構成されていることを特徴とするフィ
ルタ装置である。
【００１８】請求項１５に記載の発明は、請求項１２乃
至１４のいずれか一項記載のフィルタ装置であって、前
記パッケージの材料はセラミックであることを特徴とす
るフィルタ装置である。請求項１６に記載の発明は、前
記接続端子は、パッケージの外部に前記入力側位相調整
回路と前記出力側位相調整回路の少なくとも一方を設け
るための端子であることを特徴とする請求項１２乃至１
４のいずれか一項記載のフィルタ装置。
【００１９】請求項１７に記載の発明は、請求項１乃至
１６のいずれか一項記載のフィルタ装置を用いた無線装
置において、送信すべき無線信号及び受信した無線信号
を処理する無線信号部と、受信した無線信号を復調する
復調部と、送信すべき信号を変調する変調部と、復調さ
れた信号及び送信すべき信号をベースバンド処理するベ
ースバンド処理部とを有し、前記無線信号処理部の送信
系及び受信系のそれぞれに、前記フィルタ装置を有する
ことを特徴とする無線装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】始めに、図１〜図１３を参照し
て、本発明の第一実施例によるフィルタ装置を説明す
る。図１は、本発明の第一実施例によるフィルタ装置を
具備するデュアルバンドの無線装置の無線信号部を示す
図である。図１において、図３２に示す構成部品と同一
のものには同一の参照番号を付けてある。
【００２１】図示する無線装置は、アンテナ１１、アン
テナ共用器２、送信側（ＴＸ）無線信号部１３及び受信
側（ＲＸ）無線信号部１４とを有する。無線装置は８０
０ＭＨｚ帯と１．５ＧＨｚ帯の両方で動作する。従っ
て、アンテナ１１は両方の無線信号を取り扱えるもので
ある。また、２つのアンテナも設け、スイッチ（図示な
し）で切り替える構成でも良い。
【００２２】送信側無線信号部１３は、前述のパワーア
ンプ６の入力側に設けられたフィルタ装置１５と出力側
に設けられたフィルタ装置１７とを有する。同様に、受
信側無線信号部１４は、前述の低雑音アンプ９の入力側
に設けられたフィルタ装置１８と出力側に設けられたフ
ィルタ装置２０とを有する。これらのフィルタ１５、１
７、１８及び２０はバンドパスフィルタで、パッケージ
化された単一の部品である。即ち、ブロック図上におけ
る部品点数は図１の構成と図３２の構成とで同一であ
る。各フィルタ装置１５、１７、１８及び２０はそれぞ
れ、異なる中心周波数ｆ1 及びｆ2 をもつ２つのフィル
タ素子を具備している。例えば、中心周波数ｆ1 は８０
０ＭＨｚの通過帯域の中心周波数であり、中心周波数ｆ
2 は１．５ＧＨｚ帯の通過帯域の中心周波数である。
【００２３】図２は、フィルタ装置１５の内部構成を示
す図である。他のフィルタ装置１７、１８及び２０も同
一構成である。フィルタ装置１５は第１のフィルタ素子
２１と第２のフィルタ素子２２を有する。第１のフィル
タ素子及び第２のフィルタ素子のそれぞれの中心周波数
はｆ1 及びｆ2 である。破線のブロックはフィルタ装置
１５を示しているのであるが、実際のフィルタ装置のパ
ッケージ（後述する）に相当する。更に、フィルタ装置
１５は４つの端子Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 及びＴ4 を有する。
換言すれば、フィルタ装置１５は４端子デュアルバンド
フィルタである。端子Ｔ1 とＴ2 はフィルタ素子２１と
２２に共通の入力端子であり、Ｔ3 とＴ4 はフィルタ素
子２１と２２に共通の出力端子である。なお、Ｔ2 とＴ
4 はグランド端子でもある。
【００２４】８００ＭＨｚ帯の通過領域内の信号が入力
するとフィルタ素子２１のみこの信号を通す。他方１．
５ＧＨ帯の通過帯域内の信号が入力するとフィルタ素子
２２のみこの信号を通す。フィルタ素子２１及び２２
は、例えば弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用いて構成
される。例えば、フィルタ素子２１及び２２をそれぞれ
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィルタで構
成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ共振器を
梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタである。図３
（Ａ）の構成では、入力及び出力に並列共振器（並列腕
にあるＳＡＷ共振器）Ｒp を配した構成である。また、
図３（Ｂ）の構成では、入力及び出力に直列共振器（直
列腕にあるＳＡＷ共振器）Ｒs を配した構成である。各
直列共振器Ｒs 及び各並列共振器Ｒp とも、１つの基板
（例えば、リチウムタンタレートＬＴの圧電結晶基板）
上にくし型のパターン（例えば、Ａｌ−Ｃｕ（２％）の
金属からなる）をインターディジタルに配した電極を設
けて構成される。
【００２５】なお、相対的に帯域中心周波数の低い（ｆ
1 ）フィルタ素子２１を図３（Ａ）の構成とし、帯域中
心周波数の高い（ｆ2 ）フィルタ素子２２を図３（Ｂ）
の構成とするのは、後述する位相調整を考慮したもので
ある。図４（Ａ）は、図３（Ａ）に示すフィルタ素子２
１を示す斜視図である。フィルタ素子２１は、例えば厚
さ０．３５ｍｍのリチウムタンタレート（タンタル酸リ
チウム）等の圧電結晶基板２４上に、Ａｌ−Ｃｕ（２
％）のくし型パターンをインターディジタルに配するこ
とで、図３（Ａ）中の直列共振器Ｒs 及び並列共振器Ｒ
p を構成する。なお、図４（Ａ）の共振器（ａ）〜
（ｅ）はそれぞれ図３（Ａ）中の共振器（ａ）〜（ｅ）
に相当する。また、図４（Ａ）中の端子ｔ1 〜ｔ4 はそ
れぞれ図３（Ａ）中の端子ｔ1 〜ｔ4 に相当する。
【００２６】図５は、直列共振器Ｒs の電極を示す拡大
図である。直列共振器Ｒs は中心電極（駆動電極）２５
とその両側に設けられた反射電極２６及び２７とを有す
る（１ポートＳＡＷ共振器）。並列共振器Ｒp も同様に
中心電極と２つの反射電極とを有する。但し、並列共振
器Ｒp の一方の電極はグランド電極を構成するため、反
射電極のパターンが直列共振器のそれとは異なる。
【００２７】図４（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示すフィルタ
素子２２を示す斜視図である。フィルタ素子２２は、リ
チウムタンタレート等の圧電結晶基板２４上に、Ａｌ−
Ｃｕ（２％）のくし型パターンをインターディジタルに
配することで、図３（Ｂ）中の直列共振器Ｒs 及び並列
共振器Ｒp を構成する。なお、図４（Ｂ）の共振器
（ｆ）〜（ｊ）はそれぞれ図３（Ｂ）中の共振器（ｆ）
〜（ｊ）に相当する。また、図４（Ｂ）中の端子ｔ11〜
ｔ14はそれぞれ図３（Ｂ）中の端子ｔ11〜ｔ14に相当す
る。
【００２８】なお、公知のように、共振器の特性に関係
するパラメータとしては、電極対数、電極指周期、電極
指幅、電極指長、開口長等があり、これらの値の設定は
設計事項に属するのでここでは詳述しない。ここで、図
６（Ａ）は図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示すフィルタ素
子の反射特性を示すスミスチャートであり、図６（Ｂ）
は図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すフィルタ素子の反射
特性を示すスミスチャートである。図６（Ａ）に示すよ
うに、入出力部に並列共振器Ｒp を有するフィルタ素子
２１は、周波数ｆ1 （ｆ1 ＜ｆ2 ）の帯域では実質的に
抵抗成分（例えば５０Ω程度）であり、ｆ2 の帯域では
高インピーダンスとなっている。逆に、図６（Ｂ）に示
すように、入出力部に直列共振器Ｒs を有するフィルタ
素子２２は、ｆ2 の帯域では実質的に抵抗成分（例えば
５０Ω程度）であり、ｆ1 の帯域では高インピーダンス
となっている。
【００２９】以上のことから、通過帯域周波数が低い方
のフィルタ素子を図３（Ａ）及び図４（Ａ）の構成と
し、通過帯域周波数が高い方のフィルタ素子を図３
（Ｂ）及び図４（Ｂ）の構成とすることで、図２に示す
ように単純に並列接続した構成であっても、それぞれ良
好な通過帯域を有する。
【００３０】以上説明したように、上記フィルタ素子２
１と２２を並列に接続して１つのパッケージ内に収容す
ることで、無線信号部の小型化、軽量化、高信頼性を可
能とする高性能なフィルタ装置が構成できる。しかしな
がら、より良好なフィルタ素子２１と２２のそれぞれの
通過帯域特性を得るためには、以下に説明する位相調整
回路を用いることが好ましい。位相調整回路は、図３
（Ａ）及び図４（Ａ）に示す構成のフィルタ２１では周
波数ｆ2の帯域を更に高インピーダンス方向に位相回転
（右位相回転）させる作用を有する。また、図３（Ｂ）
及び図４（Ｂ）に示す構成のフィルタ２２に帯する位相
調整回路は、周波数ｆ1 の帯域を更に高インピーダンス
方向に位相回転（左位相回転）させる作用を有する。な
お、フィルタ素子２１と２２とをそれぞれ図３（Ｂ）及
び図３（Ａ）に示す構成とした場合には、上記の位相調
整は極めて困難であることが、図６（Ａ）及び（Ｂ）の
スミスチャートから理解できる。
【００３１】図７は、図２に示す構成に対し、位相調整
回路をパッケージ内部に設けた構成のフィルタ装置であ
る。フィルタ装置のパッケージ３０内部には、前述した
フィルタ素子２１及び２２に加え、位相調整回路として
機能する伝送線路３１及び３２と、コイルを用いたイン
ダクタＬ1 とコンデンサを用いたキャパシタＣ1 、並び
にＬ2 とＣ2 とを有する。伝送線路３１は入力端子Ｔ1
とフィルタ素子２１の入力との間に設けられ、伝送線路
３２は出力端子Ｔ3 とフィルタ素子２１の出力との間に
設けられている。インダクタＬ1 とキャパシタＣ1 とか
らなる位相調整回路は入力端子Ｔ1 とフィルタ素子２２
の入力との間に設けられ、コイルを用いたインダクタＬ
2 とコンデンサを用いたキャパシタＣ2 とからなる位相
調整回路は出力端子Ｔ3 とフィルタ素子２２の出力との
間に設けられている。
【００３２】このような位相調整回路を設けることで、
フィルタ素子２１または２２は必要としない帯域に対し
ては高インピーダンス状態となるため、それぞれ良好な
通過帯域特性が得られる。図８は、図７に示すフィルタ
装置の断面図（Ａ）及び斜視図（Ｂ）である。フィルタ
装置は、積層体４０とキャップ４２とを有するパッケー
ジを有する（なお、積層体４０のみをパッケージと言う
場合もある）。積層体４０は、アルミナ等のセラミック
からなる絶縁層とパターニングされた導電層とを交互に
積層したものである。各導電層のパターンは、各絶縁層
に設けられたビアホール（内部に導電体が設けられてい
る）を介して電気的に接続可能である。図８に示す構成
では、この導電層のパターンを用いて位相調整回路とし
て機能する伝送線路３１（３２）を形成する。この伝送
線路は、上記ビアホールを介して図７の回路構成となる
ように接続されている。
【００３３】積層体４０は内部に凹部を有し、ここにフ
ィルタ素子２１及び２２が表面実装されている。フィル
タ素子２１及び２２の端子ｔ1 〜ｔ4 及びｔ11〜ｔ14
（図３、図４）は、アルミ（元素記号：Ａｌ）等のボン
ディングワイヤ４３で、凹部の中間断差に設けられたパ
ッドに接続可能である。このパッドは、端子Ｔ1 〜Ｔ4
やビアホールを介して内部の導電パターンに電気的に接
続されている。キャパシタＣ1 、Ｃ2 及びインダクタＬ
1 、Ｌ2 は図８には現われていないが、上記凹部の任意
の場所に設けられている。このように、ビアホール、パ
ッド、キャパシタ、インダクタ等を用いて図７に示す構
成が形成されている。なお、積層体の凹部は金属等のキ
ャップ４２で気密封止されている。また、入力端子Ｔ1
〜Ｔ4 はパッケージの表面（より特定すれば、底面及び
側面）に設けられている。
【００３４】図９は、図７に示すフィルタ装置の別の構
成の断面図（Ａ）及び斜視図（Ｂ）である。図９に示す
フィルタ装置は、積層体５０とキャップ４２とを有する
パッケージを有する。積層体５０は、アルミナ等のセラ
ミックからなる絶縁層とパターニングされた導電層とを
交互に積層したものである。各導電層のパターンは、各
絶縁層に設けられたビアホール（内部に導電体が設けら
れている）を介して電気的に接続可能である。積層体５
０中の最上部にある絶縁層５１はその表面に、図９
（Ｂ）に示すように位相線路３１と３２とを有する。ま
た、絶縁層５１の裏面にはフィルタ素子２１と２２が設
けられている。積層体５０は、フィルタ素子２１と２２
を収容する凹部を有する。この凹部はキャップ４２で気
密封止されている。各部品間の電気的接続は、内部に導
体を有するビアホール、積層体５０の導電層、凹部に設
けられたパッド、ボンディングワイヤ４３等で形成され
ている。図９（Ａ）には、入力端子Ｔ1 と出力端子Ｔ3
と内部導体層とを接続するビアホール５２が示されてい
る。なお、図９の構成でもキャパシタＣ1 、Ｃ2 及びイ
ンダクタＬ1 、Ｌ2 を積層体５０の凹部内に具備する
が、図９では現われていない。
【００３５】図１０は、図９に示す構成の変形例を示す
断面図（Ａ）及び斜視図（Ｂ）である。図１０の構成は
積層体５５を有し、最上部にある絶縁層５６はその表面
に、図９（Ｂ）に示すように位相線路３１と３２及びキ
ャパシタＣ1 とＣ2 及びインダクタＬ1 とＬ2 とを有す
る。すなわち、キャパシタＣ1 とＣ2 及びインダクタＬ
1 とＬ2 を表面に設けた点において、図９に示す構成と
は異なる。その他の構成は、図９に示す構成と同様であ
る。インダクタＬ1 、Ｌ2 及びキャパシタＣ1，Ｃ2 は
フィルタ装置を実装した後でも取り付けや交換が可能で
ある。
【００３６】図１１は、図７に示す構成の変形例６０で
ある。図１１に示す構成は、位相調整回路を構成するイ
ンダクタＬ1 とキャパシタＣ1 及びインダクタＬ2 とキ
ャパシタＣ2 とを設けた点で、図７に示す構成とは異な
る。このために、パッケージに端子Ｔ５とＴ６を設けて
ある。端子Ｔ５には、キャパシタＣ1 の一端が接続さ
れ、端子Ｔ６にはキャパシタＣ2 の一端が接続される。
このようにすることで、フィルタ素子２２の位相調整が
外部から行える。
【００３７】以上、ラダー型ＳＡＷフィルタ素子を用い
た場合を説明したが、図１２に示すようなトランスバー
サル型ＳＡＷフィルタ素子を用いてもよい。このフィル
タ素子は多電極型ＳＡＷフィルタ素子とも呼ばれ、タン
タル酸リチウム等の圧電結晶基板６５上に図示のように
電極を設けた構成である。誘電体フィルタを用いるより
も、デュアルバンドフィルタを大幅に小型化することが
できる。勿論、ラダー型構成でも誘電体フィルタに比べ
大幅な小型化が可能である。
【００３８】図１３は、本発明の第一実施例によるフィ
ルタ装置を具備する無線信号部を有するデュアルバンド
無線装置の全体構成を示す図である。なお、前述した構
成要素と同一のものには同一の参照番号を付けてある。
無線装置は、ベースバンド信号処理部（プロセッサ）７
１、変調部７２、加算器７３、前述の送信側無線信号部
１３、アンテナ共用器２、アンテナ１１、前述の受信側
無線信号部１４、ミクサ７４、復調部７５、ＰＬＬ回路
７６及び局部発振器７７、マイクＭ及びスピーカＳＰを
有する。なお、バッテリー等の電源系の図示は省略して
ある。マイクＭからの音声信号はベースバンド信号処理
部７１でベースバンド処理されて、Ｉ信号及びＱ信号に
変換され、ＰＬＬ回路７６の発振周波数を用いて変調部
７２で直交振幅位相変調される。加算器７３は変調部７
２の２つの出力信号を合成して、前述の無線信号部１３
に出力する。無線信号部１３は前述したフィルタ装置を
有する。また受信側の無線信号部１４からの受信信号は
ミクサ７４でダウンコンバートされ、局部発振器７７の
発振周波数を用いて復調を行い、復調されたＩ信号及び
Ｑ信号をベースバンド信号処理部７１に出力する。ベー
スバンド信号処理部７１は音響信号に変換してスピーカ
ＳＰを駆動する。
【００３９】なお、８００ＭＨｚ帯と１．５ＧＨｚ帯と
の切り替えは、ベースバンド信号処理部７１に接続され
たスイッチＳＷで、手動で行うことができる。このスイ
ッチ操作は、ベースバンド信号処理部７１を介して、Ｐ
ＬＬ回路７６や局部発振器７７に伝えられ、発振周波数
の切り替え等の処理が行われる。
【００４０】なお、本発明のフィルタ装置は図１３に示
す構成の無線装置に限られず、他の構成の無線装置に適
用できる。また、周波数帯域は８００ＭＨｚ帯と１．５
ＧＨｚ帯に限定されない。また、３つ以上のフィルタ素
子をパッケージ内に収容することもできる。
【００４１】次に、図１４〜図１６を参照して、本発明
の第二実施例によるフィルタ装置を説明する。図１４は
リードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の第
二実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図１
５は本発明の入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂま
たは出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂを示す電気
回路図である。図１６（ａ）は図１４のフィルタ装置を
構成する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、
図１６（ｂ）は図１６（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図で
ある。
【００４２】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
１４に示すように、本発明の第二実施例のフィルタ装置
は、中心周波数の異なる帯域を有する２つのフィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）と、フィルタ素子（ｆ1
）の入力端子（則ち、接続端子）に接続された入力側
位相調整回路３０１Ａと、フィルタ素子（ｆ1 ）の出力
端子（則ち、接続端子）に接続された出力側位相調整回
路３０２Ａと、フィルタ素子（ｆ2 ）の入力端子（則
ち、接続端子）に接続された入力側位相調整回路３０１
Ｂと、フィルタ素子（ｆ2 ）の出力端子（則ち、接続端
子）に接続された出力側位相調整回路３０２Ｂとが同一
のパッケージ内に収容されてリードレス・チップ・キャ
リア構造を構成している。なお、フィルタ素子（ｆ1 ，
ｆ2 ）２１（２２）はフィルタ素子（ｆ1 ）とフィルタ
素子（ｆ2 ）とを並列にならべて構成されても良いし、
また共通の圧電基板上に構成されても良い。
【００４３】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【００４４】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂと
出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂの少なくとも一
方を接続するための接続端子を有し、入力側位相調整回
路３０１Ａ，３０１Ｂと出力側位相調整回路３０２Ａ，
３０２Ｂの少なくとも一方は、コイルとコンデンサとを
含んで構成されている。入力側位相調整回路３０１Ａ，
３０１Ｂ、出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂは周
波数フィルタであって、フィルタ素子（ｆ1 ）の通過帯
域の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯域の
周波数領域の反射係数は大きくなって電気信号がフィル
タ（ｆ1 ）を通過し、フィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯域
の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ1 ）の通過帯域領域
の反射係数が大きくなって電気信号がフィルタ素子（ｆ
2 ）のほうをを通過するように構成されている。このよ
うな入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ、出力側位
相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂは、図１５（ａ）に示す
ように、コイルを用いた１つのインダクタ（図中に示す
Ｌ）とコンデンサを用いた２つのキャパシタ（図中に示
すＣ）とをπ型に接続した回路構成によって実現するこ
とができる。また、コイルを用いた２つのインダクタと
コンデンサを用いた１つのキャパシタとをＬ型に接続し
た回路構成によって実現することもできる。
【００４５】フィルタ装置を構成する入力側位相調整回
路３０１Ａ，３０１Ｂおよび出力側位相調整回路３０２
Ａ，３０２Ｂを構成する具体的な部品（図中に示すＬ，
Ｃ）、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）、リー
ドレス・チップ・キャリア構造を構成するための信号端
子（図中に示すＳｇｎ）並びに接地端子（図中に示すＧ
ＮＤ）、およびこれらを電気的に接続する配線等は、図
１６（ａ）に示すように、パッケージ３０の一部である
セラミック基板３０３の同一面上に表面実装されてい
る。また、入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂとフ
ィルタ素子（ｆ1，ｆ2 ）２１（２２）とは各々、接続
端子を介して、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用
いたワイヤボンディング処理がされている。同様に、出
力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂとフィルタ素子
（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）との間も接続端子を介して
ワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００４６】さらに、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１
（２２）、セラミック基板３０３の周縁部３０３Ａに
は、セラミックキャップ３０４との十分な封止を実現す
るためにアルミナコートが施されている。同様に、図１
６（ｂ）に示すように、セラミックキャップ３０４の封
止面３０４Ａにもアルミナコートが施されている。セラ
ミックキャップ３０４におけるアルミナコートが施され
た封止面３０４Ａに低融点ガラス材等の封止材３１１を
塗布し、封止材３１１が塗布された封止面３０４Ａとア
ルミナコートが施された周縁部３０３Ａとを所定の温度
で融着させることにより、気密性の高い封止を実現する
ことができる。
【００４７】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【００４８】次に、図１７〜図１９を参照して、本発明
の第三実施例によるフィルタ装置を説明する。図１７は
リードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の第
三実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図１
８（ａ）および図１８（ｂ）は図１７のフィルタ装置を
構成する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、
図１８（ｃ）は図１８（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図で
ある。図１９（ａ）〜図１９（ｄ）は図１７のフィルタ
装置を構成する第一層３０７Ａ、第二層３０７Ｂ、第三
層３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄの構造を示す斜視図
であり、図１９（ｅ）は第一層３０７Ａ、第二層３０７
Ｂ、第三層３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄを積層させ
て構成されるリードレス・チップ・キャリア構造を有す
る図１７のフィルタ装置の斜視図である。
【００４９】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。入
力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ、出力側位相調整
回路３０２Ａ，３０２Ｂは、図１５（ａ）に示すよう
に、コイルを用いた１つのインダクタ（図中に示すＬ）
とコンデンサを用いた２つのキャパシタ（図中に示す
Ｃ）とをπ型に接続した回路構成によって実現すること
ができる。また、コイルを用いた２つのインダクタとコ
ンデンサを用いた１つのキャパシタとをＬ型に接続した
回路構成によって実現することもできる。
【００５０】図１８（ａ）に示すように、フィルタ素子
（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）、信号端子（図中に示すＳ
１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）、接地端子（図中に示すＧ）、
およびこれらを電気的に接続する配線等は、パッケージ
３０の一部であるセラミック基板３０３の表面の同一面
上に表面実装されている。
【００５１】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【００５２】信号端子（図中に示すＳ１，Ｓ２）、接地
端子（Ｇ）とフィルタ素子（ｆ1 ）とは各々、接続端子
を介して、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用いた
ワイヤボンディング処理がされている。同様に、信号端
子（図中に示すＳ３，Ｓ４）、接地端子（Ｇ）とフィル
タ素子（ｆ2 ）とは各々、接続端子を介して、アルミ製
のボンディングワイヤ４３を用いたワイヤボンディング
処理がされている。
【００５３】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子（図１８（ａ），（ｂ）中に示すＳ
ｇｎ）ならびに接地端子（図１８（ａ），（ｂ）中に示
すＧＮＤ）は、図１８（ｃ）に示すように、セラミック
基板３０３の側面を経由して表面と裏面とに共通して設
けられている。
【００５４】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂお
よび出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂを構成する
具体的な部品（図中に示すＬ，Ｃ）、およびこれらを電
気的に接続する配線等は、図１８（ｂ）に示すように、
パッケージ３０の一部であるセラミック基板３０３の裏
面の同一面上に表面実装されている。
【００５５】セラミック基板３０３の裏面上の信号端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、各々ビアホール３０５を介
して、セラミック基板３０３の表面上の信号端子Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と各々電気的に接続されている。これ
により、セラミック基板３０３の裏面上に表面実装され
た入力側位相調整回路３０１Ａと出力側位相調整回路３
０２Ａとをフィルタ素子（ｆ1 ）に接続端子を介して電
気的に接続することができる。
【００５６】同様に、セラミック基板３０３の表面上の
フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）も各々ビアホ
ール３０５を介してセラミック基板３０３の裏面上の電
極に電気的に接続されている。これにより、セラミック
基板３０３の裏面上に表面実装された入力側位相調整回
路３０１Ｂと出力側位相調整回路３０２Ｂとをフィルタ
素子（ｆ2 ）に接続端子を介して電気的に接続すること
ができる。このように表面実装することにより、フィル
タ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、お
よび信頼性の向上を図ることができる。
【００５７】キャップ４２は、後述する第二層３０７Ｂ
のキャップ接着面３０６に接着されることによって、気
密性の高い封止を実現している。フィルタ装置における
リードレス・チップ・キャリア構造は、図１８（ｃ）お
よび図１９（ｅ）に示すように、第一層３０７Ａ、第二
層３０７Ｂ、第三層３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄを
この順番で積層することによって構成されている。な
お、この様に構成されたリードレス・チップ・キャリア
構造を有するフィルタ装置は、ＰＣＢ等の基板に直接実
装することができる利点を有し、フィルタ装置及びこれ
を用いた無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向
上を図ることができる。
【００５８】次に、第三実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図１９（ａ）に示すよ
うに、第一層３０７Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための信号端子Ｓｇｎおよびラウン
ド端子ＧＮＤ（図１９（ａ）中ではＧと略記）とが形成
されている。第一層３０７Ａの基板材料としてはセラミ
ック基板３０３と同様にセラミックを用いることができ
る。
【００５９】第二層３０７Ｂには、図１９（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓｇｎ、およびリードレス・チップ・キ
ャリア構造を構成するための接地端子ＧＮＤ（図１９
（ｂ）中ではＧと略記）およびキャップ接着面３０６が
形成されている。第二層３０７Ｂの基板材料としては第
一層３０７Ａと同様にセラミックを用いることができ
る。
【００６０】第三層３０７Ｃには、図１９（ｃ）に示す
ように、ビアホール３０５が形成された信号端子Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリードレス・チップ・キャリ
ア構造を構成するためのラウンド端子ＧＮＤ（図１９
（ｃ）中ではＧと略記）とが形成されている。第三層３
０７Ｃの基板材料としては第二層３０７Ｂと同様にセラ
ミックを用いることができる。
【００６１】第四層３０７Ｄはセラミック基板３０３で
あって、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）２１（２２）が表
面実装される表面には、図１９（ｄ）に示すように、第
三層３０７Ｃの信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とセラ
ミック基板３０３の裏面との共通な導通を取るための所
定数のビアホール３０５、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）
２１（２２）が表面実装されるＳＡＷ チップ 搭載面
３０９、およびＳＡＷチップ 搭載面３０９とセラミッ
ク基板３０３の裏面の接地端子ＧＮＤとの電気的な導通
を取るための所定数のビアホール３０５（ＧＮＤ）が各
々形成されている。第四層３０７Ｄ（セラミック基板３
０３）の基板材料は前述したように、第三層３０７Ｃと
同様にセラミックを用いている。
【００６２】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【００６３】次に、図２０および図２１を参照して、本
発明の第四実施例によるフィルタ装置を説明する。図２
０はリードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明
の第四実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。
図２１（ａ）は図２０のフィルタ装置を構成する具体的
な部品の実装状態を示す上面図であり、図２１（ｂ）は
図２１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【００６４】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
２０に示すように、本発明の第四実施例のフィルタ装置
は、中心周波数の異なる帯域を有する２つのフィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）と、フィルタ素子（ｆ1
）の入力端子に接続された入力側位相調整回路３０１
Ａと、フィルタ素子（ｆ2 ）の入力端子に接続された入
力側位相調整回路３０１Ｂとが同一のパッケージ内に収
容されてリードレス・チップ・キャリア構造を構成して
いる。なお、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）
はフィルタ素子（ｆ1 ）とフィルタ素子（ｆ2 ）とを並
列にならべて構成されても良いし、また共通の圧電基板
上に構成されても良い。
【００６５】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【００６６】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ
は、図１５（ａ）に示すように、コイルを用いた１つの
インダクタ（図中に示すＬ）とコンデンサを用いた２つ
のキャパシタ（図中に示すＣ）とをπ型に接続した回路
構成によって実現することができる。また、コイルを用
いた２つのインダクタとコンデンサを用いた１つのキャ
パシタとをＬ型に接続した回路構成によって実現するこ
ともできる。
【００６７】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂは
周波数フィルタであって、フィルタ素子（ｆ1 ）の通過
帯域の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯域
の周波数領域の反射係数は大きくなって電気信号がフィ
ルタ（ｆ1 ）を通過し、フィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯
域の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ1 ）の通過帯域領
域の反射係数が大きくなって電気信号がフィルタ素子
（ｆ2 ）のほうをを通過するように構成されている。こ
のような入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂは、図
１５（ａ）に示すように、１つのインダクタ（図中に示
すＬ）と２つのキャパシタ（図中に示すＣ）とをπ型に
接続した回路構成によって実現することができる。ま
た、２つのインダクタと１つのキャパシタとをＬ型に接
続した回路構成によって実現することもできる。
【００６８】フィルタ装置を構成する入力側位相調整回
路３０１Ａ，３０１Ｂを構成する具体的な部品（図中に
示すＬ，Ｃ）、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２
２）、リードレス・チップ・キャリア構造を構成するた
めの信号端子Ｓｇｎ並びに接地端子（図中に示すＧＮ
Ｄ）、およびこれらを電気的に接続する配線等は、図２
１（ａ）に示すように、パッケージ３０の一部であるセ
ラミック基板３０３の同一面上に表面実装されている。
また、入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂとフィル
タ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）とは各々、接続端子
を介して、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用いた
ワイヤボンディング処理がされている。
【００６９】さらに、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１
（２２）、セラミック基板３０３の周縁部３０３Ａに
は、セラミックキャップ３０４との十分な封止を実現す
るためにアルミナコートが施されている。同様に、図２
１（ｂ）に示すように、セラミックキャップ３０４の封
止面３０４Ａにもアルミナコートが施されている。セラ
ミックキャップ３０４におけるアルミナコートが施され
た封止面３０４Ａに低融点ガラス材等の封止材３１１を
塗布し、封止材３１１が塗布された封止面３０４Ａとア
ルミナコートが施された周縁部３０３Ａとを所定の温度
で融着させることにより、気密性の高い封止を実現する
ことができる。
【００７０】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【００７１】次に、図２２〜図２４を参照して、本発明
の第五実施例によるフィルタ装置を説明する。図２２は
リードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の第
五実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図２
３（ａ）および２３（ｂ）は図２２のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図
２３（ｃ）は図２３（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。図２４（ａ）〜図２４（ｄ）は図２２のフィルタ装
置を構成する第一層３０７Ａ、第二層３０７Ｂ、第三層
３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄの構造を示す斜視図で
あり、図２４（ｅ）は第一層３０７Ａ、第二層３０７
Ｂ、第三層３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄを積層させ
て構成されるリードレス・チップ・キャリア構造を有す
る図２２のフィルタ装置の斜視図である。
【００７２】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
２２に示すように、本発明の第五実施例のフィルタ装置
は、中心周波数の異なる帯域を有する２つのフィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）と、フィルタ素子（ｆ1
）の入力端子に接続された入力側位相調整回路３０１
Ａと、フィルタ素子（ｆ2 ）の入力端子に接続された入
力側位相調整回路３０１Ｂとが同一のパッケージ内に収
容されてリードレス・チップ・キャリア構造を構成して
いる。なお、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）
はフィルタ素子（ｆ1 ）とフィルタ素子（ｆ2 ）とを並
列にならべて構成されても良いし、また共通の圧電基板
上に構成されても良い。
【００７３】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【００７４】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂは
周波数フィルタであって、フィルタ素子（ｆ1 ）の通過
帯域の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯域
の周波数領域の反射係数は大きくなって電気信号がフィ
ルタ（ｆ1 ）を通過し、フィルタ素子（ｆ2 ）の通過帯
域の周波数領域ではフィルタ素子（ｆ1 ）の通過帯域領
域の反射係数が大きくなって電気信号がフィルタ素子
（ｆ2 ）のほうを通過するように構成されている。この
ような入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂは、図１
５（ａ）に示すように、１つのインダクタ（図中に示す
Ｌ）と２つのキャパシタ（図中に示すＣ）とをπ型に接
続した回路構成によって実現することができる。また、
２つのインダクタと１つのキャパシタとをＬ型に接続し
た回路構成によって実現することもできる。
【００７５】図２３（ａ）に示すように、フィルタ素子
（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）、信号端子（図中に示すＳ
１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）、接地端子（図中に示すＧ）、
およびこれらを電気的に接続する配線等は、パッケージ
３０の一部であるセラミック基板３０３の表面の同一面
上に表面実装されている。
【００７６】信号端子（図中に示すＳ１，Ｓ２）、接地
端子（Ｇ）とフィルタ素子（ｆ1 ）とは各々、接続端子
を介して、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用いた
ワイヤボンディング処理がされている。同様に、信号端
子（図中に示すＳ３，Ｓ４）、接地端子（Ｇ）とフィル
タ素子（ｆ2 ）とは各々、接続端子を介して、アルミ製
のボンディングワイヤ４３を用いたワイヤボンディング
処理がされている。
【００７７】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子Ｓｇｎ（図２３（ａ），（ｂ）中に
示すＳｇｎ１，Ｓｇｎ２，Ｓｇｎ４，）ならびに接地端
子（図２３（ａ），（ｂ）中に示すＧＮＤ）は、図２３
（ｃ）に示すように、セラミック基板３０３の側面を経
由して表面と裏面とに共通して設けられている。
【００７８】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂを
構成する具体的な部品（図中に示すＬ（コイル）、Ｃ
（コンデンサ））、およびこれらを電気的に接続する配
線等は、図２３（ｂ）に示すように、パッケージ３０の
一部であるセラミック基板３０３の裏面の同一面上に表
面実装されている。このように表面実装することによ
り、フィルタ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、
軽量化、および信頼性の向上を図ることができる。
【００７９】セラミック基板３０３の裏面上の信号端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、各々ビアホール３０５を介
して、セラミック基板３０３の表面上の信号端子Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と各々電気的に接続されている。これ
により、セラミック基板３０３の裏面上に表面実装され
た入力側位相調整回路３０１Ａをフィルタ素子（ｆ1）
に接続端子を介して電気的に接続することができる。
【００８０】同様に、セラミック基板３０３の表面上の
フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）も各々ビアホ
ール３０５を介してセラミック基板３０３の裏面上の電
極に電気的に接続されている。これにより、セラミック
基板３０３の裏面上に表面実装された入力側位相調整回
路３０１Ｂをフィルタ素子（ｆ2 ）に接続端子を介して
電気的に接続することができる。
【００８１】キャップ４２は、後述する第二層３０７Ｂ
のメタルキャップ搭載面３１３に接着されることによっ
て、気密性の高い封止を実現している。フィルタ装置に
おけるリードレス・チップ・キャリア構造は、図２３
（ｃ）に示すように、第一層３０７Ａ、第二層３０７
Ｂ、第三層３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄをこの順番
で積層することによって構成されている。なお、この様
に構成されたリードレス・チップ・キャリア構造を有す
るフィルタ装置は、ＰＣＢ等の基板に直接実装すること
ができる利点を有し、フィルタ装置及びこれを用いた無
線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図るこ
とができる。
【００８２】次に、第五実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２４（ａ）に示すよ
うに、第一層３０７Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための信号端子Ｓｇｎおよびラウン
ド端子ＧＮＤ（図２４（ａ）中ではＧと略記）とが形成
されている。第一層３０７Ａの基板材料としてはセラミ
ック基板３０３と同様にセラミックを用いることができ
る。
【００８３】第二層３０７Ｂには、図２４（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓｇｎ、リードレス・チップ・キャリア
構造を構成するための接地端子ＧＮＤ（図２４（ｂ）中
ではＧと略記）、およびメタルキャップ搭載面３１３が
形成されている。第二層３０７Ｂの基板材料としては第
一層３０７Ａと同様にセラミックを用いることができ
る。
【００８４】第三層３０７Ｃには、図２４（ｃ）に示す
ように、ビアホール３０５が形成された信号端子Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリードレス・チップ・キャリ
ア構造を構成するためのラウンド端子ＧＮＤ（図２４
（ｃ）中ではＧと略記）とが形成されている。第三層３
０７Ｃの基板材料としては第二層３０７Ｂと同様にセラ
ミックを用いることができる。
【００８５】第四層３０７Ｄはセラミック基板３０３で
あって、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）２１（２２）が表
面実装される表面には、図２４（ｄ）に示すように、第
三層３０７Ｃの信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とセラ
ミック基板３０３の裏面との共通な導通を取るための所
定数のビアホール３０５、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）
２１（２２）が表面実装されるＳＡＷ チップ 搭載面
３０９、およびＳＡＷチップ 搭載面３０９とセラミッ
ク基板３０３の裏面の接地端子ＧＮＤとの電気的な導通
を取るための所定数のビアホール３０５（ＧＮＤ）が各
々形成されている。第四層３０７Ｄ（セラミック基板３
０３）の基板材料は前述したように、第三層３０７Ｃと
同様にセラミックを用いている。
【００８６】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【００８７】次に、図２５〜図２８を参照して、本発明
の第六実施例によるフィルタ装置を説明する。図２５は
リードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の第
六実施例のフィルタ装置本を示すブロック図である。図
２６（ａ）〜図２６（ｃ）は図２５のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図である。図
２７（ａ）は図２５のフィルタ装置を構成する具体的な
部品の実装状態を示す上面図であり、図２７（ｂ）は図
２７（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。図２８
（ａ）〜図２８（ｄ）は図２５のフィルタ装置のリード
レス・チップ・キャリア構造を構成する第一層、第二
層、第三層、および第四層の構造を示す斜視図である。
【００８８】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
２５に示すように、本発明の第六実施例のフィルタ装置
は、中心周波数の異なる帯域を有する２つのフィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）と、フィルタ素子（ｆ1
）の入力端子に接続された入力側位相調整回路３０１
Ａと、フィルタ素子（ｆ2 ）の入力端子に接続された入
力側位相調整回路３０１Ｂと、フィルタ素子（ｆ1 ）の
出力端子に接続された出力側位相調整回路３０２Ａとフ
ィルタ素子（ｆ2 ）の出力端子に接続された出力側位相
調整回路３０２Ｂとが同一のパッケージ内に収容されて
リードレス・チップ・キャリア構造を構成している。な
お、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）はフィル
タ素子（ｆ1 ）とフィルタ素子（ｆ2 ）とを並列になら
べて構成されても良いし、また共通の圧電基板上に構成
されても良い。
【００８９】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【００９０】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂお
よび出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂは、図１５
（ａ）に示すように、１つのインダクタ（図中に示す
Ｌ）と２つのキャパシタ（図中に示すＣ）とをπ型に接
続した回路構成によって実現することができる。また、
２つのインダクタと１つのキャパシタとをＬ型に接続し
た回路構成によって実現することもできる。
【００９１】図２６（ａ）に示すように、フィルタ装置
を構成する入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ、お
よび出力側位相調整回路３０２Ａ，３０２Ｂを構成する
具体的な部品（図中に示すＬ，Ｃ）、フィルタ素子（ｆ
1 ，ｆ2 ）２１（２２）、信号端子（図２７（ａ）中に
示すＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）並びに接地端子（図中に
示すＧ）、およびこれらを電気的に接続する配線や電極
パターン（図２６（ａ））等は、パッケージ３０の一部
であるセラミック基板３０３の同一面上に表面実装され
ている。また、入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ
とフィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）とは各々、
接続端子を介して、接続端子を介して、アルミ製のボン
ディングワイヤ４３を用いたワイヤボンディング処理が
されている。このように表面実装することにより、フィ
ルタ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、
および信頼性の向上を図ることができる。
【００９２】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子Ｓｇｎ（図２７（ａ）中に示すＳｇ
ｎ１，Ｓｇｎ２，Ｓｇｎ３，Ｓｇｎ４）ならびに接地端
子（図２７（ａ）中に示すＧＮＤ）は、図２７（ｂ）に
示すように、セラミック基板３０３の側面を経由して表
面と裏面とに共通して設けられている。
【００９３】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子Ｓｇｎ１，Ｓｇｎ２，Ｓｇｎ３，Ｓ
ｇｎ４ならびに接地端子ＧＮＤは、図２７（ｂ）に示す
ように、セラミック基板３０３の側面を経由して表面と
裏面とに共通して設けられている。
【００９４】セラミック基板３０３の裏面上の電極（具
体的には、接地電極）面は、図２６（ｂ），（ｃ）に示
すように、ビアホール３０５（ＧＮＤ）を介して、セラ
ミック基板３０３の表面上の電極（具体的には、接地電
極）面と電気的に接続されている。これにより、セラミ
ック基板３０３の裏面上の電極面とセラミック基板３０
３の表面上の電極面とをに電気的に接続することができ
る。
【００９５】キャップ４２は、後述する第一層３０７Ａ
に設けられたキャップ接着部３１６とを金と錫とを主材
とする封止材３１１を用いて接着されることによって、
気密性の高い封止を実現している。フィルタ装置におけ
るリードレス・チップ・キャリア構造は、図２７（ｂ）
に示すように、第一層３０７Ａ、第二層３０７Ｂ、およ
び第三層３０７Ｃをこの順番で積層することによって構
成されている。なお、この様に構成されたリードレス・
チップ・キャリア構造を有するフィルタ装置は、ＰＣＢ
等の基板に直接実装することができる利点を有し、フィ
ルタ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、
および信頼性の向上を図ることができる。
【００９６】次に、第六実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２８（ａ）に示すよ
うに、第一層３０７Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための電極３１５およびキャップ接
着部３１６が形成されている。電極３１５は、第一層３
０７Ａの四隅の側面に所定量の厚みを持って設けられて
いる。第一層３０７Ａの基板材料としてはセラミック基
板３０３と同様にセラミックを用いることができる。
【００９７】第二層３０７Ｂには、図２８（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリード
レス・チップ・キャリア構造を構成するための接地端子
Ｇがワイヤボンディングパッド部３１４上に形成されて
いる。第二層３０７Ｂの基板材料としては第一層３０７
Ａと同様にセラミックを用いることができる。信号端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、および接地端子Ｇは、図２７
（ｂ）に示すように、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１
（２２）とアルミ製のボンディングワイヤ４３を用いた
ワイヤボンディング処理がされている。
【００９８】第三層３０７Ｃはセラミック基板３０３で
あって、その表面には、図２８（ｃ）に示すように、フ
ィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）が表面実装され
るＳＡＷ チップ 搭載面３０９、リードレス・チップ
・キャリア構造を構成するための信号端子Ｓ、およびリ
ードレス・チップ・キャリア構造を構成するための接地
端子Ｇが形成されている。同様に、裏面には、図２８
（ｄ）に示すように、リードレス・チップ・キャリア構
造を構成するための信号端子Ｓ、およびリードレス・チ
ップ・キャリア構造を構成するための接地端子Ｇがその
上に形成されている。
【００９９】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【０１００】最後に、図２９〜図３１を参照して、本発
明の第七実施例によるフィルタ装置を説明する。図２９
はリードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の
第七実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図
２９（ａ）〜図２９（ｃ）は図２９のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図である。図
３０（ａ）〜図３０（ｃ）は図２９のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図である。図
３１（ａ）は図２９のフィルタ装置を構成する具体的な
部品の実装状態を示す上面図であり、図３１（ｂ）は図
３１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【０１０１】なお、既に記述したものと同一の部分につ
いては、同一符号を付し、重複した説明は省略する。図
２９に示すように、本発明の第七実施例のフィルタ装置
は、中心周波数の異なる帯域を有する２つのフィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）と、フィルタ素子（ｆ1
）の入力端子に接続された入力側位相調整回路３０１
Ａと、フィルタ素子（ｆ2 ）の入力端子に接続された入
力側位相調整回路３０１Ｂとが同一のパッケージ内に収
容されてリードレス・チップ・キャリア構造を構成して
いる。なお、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）
はフィルタ素子（ｆ1 ）とフィルタ素子（ｆ2 ）とを並
列にならべて構成されても良いし、また共通の圧電基板
上に構成されても良い。
【０１０２】フィルタ素子２１及び２２は、具体的には
第一実施例に示した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを用
いて構成される。例えば、フィルタ素子２１及び２２を
それぞれ図３（Ａ）及び（Ｂ）に示す構成のＳＡＷフィ
ルタで構成する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は複数のＳＡＷ
共振器を梯子型に配列した構成のＳＡＷフィルタであ
る。
【０１０３】入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂ
は、図１５（ａ）に示すように、１つのインダクタ（図
中に示すＬ）と２つのキャパシタ（図中に示すＣ）とを
π型に接続した回路構成によって実現することができ
る。また、２つのインダクタと１つのキャパシタとをＬ
型に接続した回路構成によって実現することもできる。
【０１０４】図３０（ａ）に示すように、フィルタ装置
を構成する入力側位相調整回路３０１Ａ，３０１Ｂを構
成する具体的な部品（図中に示すＬ，Ｃ）、フィルタ素
子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）、信号端子（図３１
（ａ）中に示すＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）並びに接地端
子（図中に示すＧ）、およびこれらを電気的に接続する
配線や電極パターン（図３０（ａ））等は、パッケージ
３０の一部であるセラミック基板３０３の同一面上に表
面実装されている。また、入力側位相調整回路３０１
Ａ，３０１Ｂとフィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２
２）とは各々、接続端子を介して、アルミ製のボンディ
ングワイヤ４３を用いたワイヤボンディング処理がされ
ている。このように表面実装することにより、フィルタ
装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、およ
び信頼性の向上を図ることができる。
【０１０５】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子（図３１（ａ）中に示すＳｇｎ１，
Ｓｇｎ２，Ｓｇｎ３，Ｓｇｎ４）ならびに接地端子（図
３１（ａ）中に示すＧＮＤ）は、図３１（ｂ）に示すよ
うに、セラミック基板３０３の側面を経由して表面と裏
面とに共通して設けられている。
【０１０６】リードレス・チップ・キャリア構造を構成
するための信号端子Ｓｇｎ１，Ｓｇｎ２，Ｓｇｎ３，Ｓ
ｇｎ４ならびに接地端子ＧＮＤは、図３１（ｂ）に示す
ように、セラミック基板３０３の側面を経由して表面と
裏面とに共通して設けられている。
【０１０７】セラミック基板３０３の裏面上の電極（具
体的には、接地電極）面は、図３０（ｂ），（ｃ）に示
すように、ビアホール３０５（ＧＮＤ）を介して、セラ
ミック基板３０３の表面上の電極（具体的には、接地電
極）面と電気的に接続されている。これにより、セラミ
ック基板３０３の裏面上の電極面とセラミック基板３０
３の表面上の電極面とをに電気的に接続することができ
る。
【０１０８】キャップ４２は、後述する第一層３０７Ａ
に設けられたキャップ接着部３１６とを金と錫とを主材
とする封止材３１１を用いて接着されることによって、
気密性の高い封止を実現している。フィルタ装置におけ
るリードレス・チップ・キャリア構造は第六実施例と同
様であって、図２３（ｃ）に示すように、第一層３０７
Ａ、第二層３０７Ｂ、および第三層３０７Ｃをこの順番
で積層することによって構成されている。なお、この様
に構成されたリードレス・チップ・キャリア構造を有す
るフィルタ装置は、ＰＣＢ等の基板に直接実装すること
ができる利点を有し、フィルタ装置及びこれを用いた無
線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図るこ
とができる。
【０１０９】次に、第七実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２８（ａ）に示すよ
うに、第一層３０７Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための電極３１５およびキャップ接
着部３１６が形成されている。電極３１５は、第一層３
０７Ａの四隅の側面に所定量の厚みを持って設けられて
いる。第一層３０７Ａの基板材料としてはセラミック基
板３０３と同様にセラミックを用いることができる。
【０１１０】第二層３０７Ｂには、図２８（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリード
レス・チップ・キャリア構造を構成するための接地端子
Ｇがワイヤボンディングパッド部３１４上に形成されて
いる。第二層３０７Ｂの基板材料としては第一層３０７
Ａと同様にセラミックを用いることができる。信号端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、および接地端子Ｇは、図３１
（ｂ）に示すように、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１
（２２）と、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用い
たワイヤボンディング処理がされている。
【０１１１】第三層３０７Ｃはセラミック基板３０３で
あって、その表面には、図２８（ｃ）に示すように、フ
ィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）が表面実装され
るＳＡＷ チップ 搭載面３０９、リードレス・チップ
・キャリア構造を構成するための信号端子Ｓ、およびリ
ードレス・チップ・キャリア構造を構成するための接地
端子Ｇが形成されている。同様に、裏面には、図２８
（ｄ）に示すように、リードレス・チップ・キャリア構
造を構成するための信号端子Ｓ、およびリードレス・チ
ップ・キャリア構造を構成するための接地端子Ｇがその
上に形成されている。
【０１１２】この様に、中心周波数の異なる帯域を有す
る少なくとも２つのフィルタ素子を一つのパッケージ内
に収容することにより、フィルタ装置及びこれを用いた
無線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図る
ことができる。さらにこのようなリードレス・チップ・
キャリア構造を有するフィルタ装置により、小型化、軽
量化、高信頼性の無線装置を得ることができる。
【０１１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果が得られる。請求項１に記載の発明によれば、
パッケージと、該パッケージ内に収容され、中心周波数
の異なる帯域を有する少なくとも２つのフィルタ素子
と、前記フィルタ素子に共通に設けられた入力端子及び
出力端子とを有するので、無線信号部の小型化、軽量
化、高信頼性を可能とする高性能なフィルタ装置が得ら
れる。
【０１１４】請求項２及び３に記載の発明によれば、前
記入力端子と少なくとも一方の前記フィルタ素子との間
に設けられる入力側位相調整回路と、少なくとも一方の
前記フィルタ素子と前記出力端子との間に設けられる出
力側位相調整回路とを有するので、当該フィルタ素子の
特性に影響を与えることを回避することができる。
【０１１５】請求項４、５及び６に記載の発明によれ
ば、弾性表面波フィルタ素子を用いたフィルタ装置とし
て、無線信号部の小型化、軽量化、高信頼性を可能とす
るものが得られる。請求項７、８、９及び１０に記載の
発明によれば、異なる周波数帯域のフィルタ素子を内蔵
する表面実装型のフィルタ装置が得られる。
【０１１６】請求項１１に記載の発明によれば、このよ
うな回路を設けることにより、位相調整を行うことがで
きる。請求項１２乃至１７に記載の発明によれば、中心
周波数の異なる帯域を有する少なくとも２つのフィルタ
素子を一つのパッケージ内に収容することにより、フィ
ルタ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、
および信頼性の向上を図ることができる。さらにこのよ
うなリードレス・チップ・キャリア構造を有するフィル
タ装置により、小型化、軽量化、高信頼性の無線装置を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例によるフィルタ装置を具備
する無線装置の無線信号部を示すブロック図である。
【図２】図１に示すフィルタ装置の内部構成を示すブロ
ック図である。
【図３】図２に示すフィルタ装置内部のフィルタ素子の
構成を示す回路図である。
【図４】図３に示すフィルタ素子の斜視図である。
【図５】図４に示すフィルタ素子中の直列共振器の電極
構成を示す図である。
【図６】図３に示すフィルタ素子の特性を示すスミスチ
ャートである。
【図７】図２に示すフィルタ装置の別の内部構成を示す
ブロック図である。
【図８】図７に示すフィルタ素子の構成を示す図であ
る。
【図９】図７に示すフィルタ素子の別の構成を示す図で
ある。
【図１０】図７に示すフィルタ素子の更に別の構成を示
す図である。
【図１１】図７に示すフィルタ装置の変形例を示す図で
ある。
【図１２】本発明の第一実施例によるフィルタ素子の別
の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の第一実施例によるフィルタ装置を具
備する無線装置を示すブロック図である。
【図１４】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第二実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。
【図１５】本発明の入力側位相調整回路または出力側位
相調整回路を示す電気回路図である。
【図１６】図１６（ａ）は図１４のフィルタ装置を構成
する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図１
６（ｂ）は図１６（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図１７】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第三実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は図１７の
フィルタ装置を構成する具体的な部品の実装状態を示す
上面図であり、図１８（ｃ）は図１８（ａ）におけるＡ
−Ａ線断面図である。
【図１９】図１９（ａ）〜図１９（ｄ）は図１７のフィ
ルタ装置を構成する第一層、第二層、第三層、および第
四層の構造を示す斜視図であり、図１９（ｅ）は第一
層、第二層、第三層、および第四層を積層させて構成さ
れるリードレス・チップ・キャリア構造を有する図１７
のフィルタ装置の斜視図である。
【図２０】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第四実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。
【図２１】図２１（ａ）は図２０のフィルタ装置を構成
する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図２
１（ｂ）は図２１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図２２】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第五実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。
【図２３】図２３（ａ）および２３（ｂ）は図２２のフ
ィルタ装置を構成する具体的な部品の実装状態を示す上
面図であり、図２３（ｃ）は図２３（ａ）におけるＡ−
Ａ線断面図である。
【図２４】図２４（ａ）〜図２４（ｄ）は図２２のフィ
ルタ装置を構成する第一層、第二層、第三層、および第
四層の構造を示す斜視図であり、図２４（ｅ）は第一
層、第二層、第三層、および第四層を積層させて構成さ
れるリードレス・チップ・キャリア構造を有する図２２
のフィルタ装置の斜視図である。
【図２５】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第六実施例のフィルタ装置本を示すブロック図
である。
【図２６】図２６（ａ）〜図２６（ｃ）は図２５のフィ
ルタ装置を構成する具体的な部品の実装状態を示す上面
図である。
【図２７】図２７（ａ）は図２５のフィルタ装置を構成
する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図２
７（ｂ）は図２７（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図２８】図２８（ａ）〜図２８（ｄ）は図２５のフィ
ルタ装置のリードレス・チップ・キャリア構造を構成す
る第一層、第二層、第三層、および第四層の構造を示す
斜視図である。
【図２９】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第七実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。図２９（ａ）〜図２９（ｃ）は図２９のフィルタ
装置を構成する具体的な部品の実装状態を示す上面図で
ある。
【図３０】図３０（ａ）〜図３０（ｃ）は図２９のフィ
ルタ装置を構成する具体的な部品の実装状態を示す上面
図である。
【図３１】図３１（ａ）は図２９のフィルタ装置を構成
する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図３
１（ｂ）は図３１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図３２】従来のフィルタ装置を具備する無線装置の無
線信号部を示す図である。
【符号の説明】
１３ 送信側無線信号部 １４ 受信側無線信号部 １５，１７，１８、２０ フィルタ装置 ２１，２２ フィルタ素子
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】図１６（ａ）は図１４のフィルタ装置を構成
する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図１
６（ｂ）は図１６（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
り、図１６（ｃ）は位相調整回路の回路図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２４】図２４（ａ）〜図２４（ｄ）は図２２のフィ
ルタ装置を構成する第一層、第二層、第三層および第四
層の構造を示す斜視図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２９】リードレス・チップ・キャリア構造を有する
本発明の第七実施例のフィルタ装置を示すブロック図で
ある。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７１】次に、図２２〜図２４を参照して、本発明
の第五実施例によるフィルタ装置を説明する。図２２は
リードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の第
五実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図２
３（ａ）および２３（ｂ）は図２２のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図であり、図
２３（ｃ）は図２３（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。図２４（ａ）〜図２４（ｄ）は図２２のフィルタ装
置を構成する第一層３０７Ａ、第二層３０７Ｂ、第三層
３０７Ｃ、および第四層３０７Ｄの構造を示す斜視図で
ある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８１】キャップ４２は、後述する第二層３１２Ｂ
のメタルキャップ搭載面３１６に接着されることによっ
て、気密性の高い封止を実現している。フィルタ装置に
おけるリードレス・チップ・キャリア構造は、図２３
（ｃ）に示すように、第一層３１２Ａ、第二層３１２
Ｂ、第三層３１２Ｃ、および第四層３１２Ｄをこの順番
で積層することによって構成されている。なお、この様
に構成されたリードレス・チップ・キャリア構造を有す
るフィルタ装置は、ＰＣＢ等の基板に直接実装すること
ができる利点を有し、フィルタ装置及びこれを用いた無
線装置の小型化、軽量化、および信頼性の向上を図るこ
とができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８２】次に、第五実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２４（ａ）に示すよ
うに、第一層３１２Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための信号端子Ｓｇｎおよびラウン
ド端子ＧＮＤ（図２４（ａ）中ではＧと略記）とが形成
されている。第一層３１２Ａの基板材料としてはセラミ
ック基板３０３と同様にセラミックを用いることができ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８３】第二層３１２Ｂには、図２４（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓｇｎ、リードレス・チップ・キャリア
構造を構成するための接地端子ＧＮＤ（図２４（ｂ）中
ではＧと略記）、およびメタルキャップ搭載面３１３が
形成されている。第二層３１２Ｂの基板材料としては第
一層３１２Ａと同様にセラミックを用いることができ
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８４】第三層３１２Ｃには、図２４（ｃ）に示す
ように、ビアホール３０５が形成された信号端子Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリードレス・チップ・キャリ
ア構造を構成するためのラウンド端子ＧＮＤ（図２４
（ｃ）中ではＧと略記）とが形成されている。第三層３
１２Ｃの基板材料としては第二層３１２Ｂと同様にセラ
ミックを用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８５】第四層３１２Ｄはセラミック基板３０３で
あって、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）２１（２２）が表
面実装される表面には、図２４（ｄ）に示すように、第
三層３０７Ｃの信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とセラ
ミック基板３０３の裏面との共通な導通を取るための所
定数のビアホール３０５、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2）
２１（２２）が表面実装されるＳＡＷ チップ 搭載面
３０９、およびＳＡＷチップ 搭載面３０９とセラミッ
ク基板３０３の裏面の接地端子ＧＮＤとの電気的な導通
を取るための所定数のビアホール３０５（ＧＮＤ）が各
々形成されている。第四層３１２Ｄ（セラミック基板３
０３）の基板材料は前述したように、第三層３１２Ｃと
同様にセラミックを用いている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】削除
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９５】キャップ４２は、後述する第一層３１３Ａ
に設けられたキャップ接着部３１６とを金と錫とを主材
とする封止材３１１を用いて接着されることによって、
気密性の高い封止を実現している。フィルタ装置におけ
るリードレス・チップ・キャリア構造は、図２７（ｂ）
に示すように、第一層３１３Ａ、第二層３１３Ｂ、およ
び第三層３１３Ｃをこの順番で積層することによって構
成されている。なお、この様に構成されたリードレス・
チップ・キャリア構造を有するフィルタ装置は、ＰＣＢ
等の基板に直接実装することができる利点を有し、フィ
ルタ装置及びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、
および信頼性の向上を図ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９６】次に、第六実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２８（ａ）に示すよ
うに、第一層３１３Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための電極３１５およびキャップ接
着部３１６が形成されている。電極３１５は、第一層３
１３Ａの四隅の側面に所定量の厚みを持って設けられて
いる。第一層３１３Ａの基板材料としてはセラミック基
板３０３と同様にセラミックを用いることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９７】第二層３１３Ｂには、図２８（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリード
レス・チップ・キャリア構造を構成するための接地端子
Ｇが形成されている。第二層３１３Ｂの基板材料として
は第一層３１３Ａと同様にセラミックを用いることがで
きる。信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、および接地端
子Ｇは、図２７（ｂ）に示すように、フィルタ素子（ｆ
1 ，ｆ2 ）２１（２２）とアルミ製のボンディングワイ
ヤ４３を用いたワイヤボンディング処理がされている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９８】第三層３１３Ｃはセラミック基板３０３で
あって、その表面には、図２８（ｃ）に示すように、フ
ィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）が表面実装され
るＳＡＷ チップ 搭載面３０９、リードレス・チップ
・キャリア構造を構成するための信号端子Ｓ、およびリ
ードレス・チップ・キャリア構造を構成するための接地
端子Ｇが形成されている。同様に、裏面には、図２８
（ｄ）に示すように、リードレス・チップ・キャリア構
造を構成するための信号端子Ｓ、およびリードレス・チ
ップ・キャリア構造を構成するための接地端子Ｇがその
上に形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１００】最後に、図２９〜図３１を参照して、本発
明の第七実施例によるフィルタ装置を説明する。図２９
はリードレス・チップ・キャリア構造を有する本発明の
第七実施例のフィルタ装置を示すブロック図である。図
３０（ａ）〜図３０（ｃ）は図２９のフィルタ装置を構
成する具体的な部品の実装状態を示す上面図である。図
３１（ａ）は図２９のフィルタ装置を構成する具体的な
部品の実装状態を示す上面図であり、図３１（ｂ）は図
３１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０８】キャップ４２は、後述する第一層３１３Ａ
に金と錫とを主材とする封止材３１１を用いて接着され
ることによって、気密性の高い封止を実現している。フ
ィルタ装置におけるリードレス・チップ・キャリア構造
は第六実施例と同様であって、図２３（ｃ）に示すよう
に、第一層３１３Ａ、第二層３１３Ｂ、および第三層３
１３Ｃをこの順番で積層することによって構成されてい
る。なお、この様に構成されたリードレス・チップ・キ
ャリア構造を有するフィルタ装置は、ＰＣＢ等の基板に
直接実装することができる利点を有し、フィルタ装置及
びこれを用いた無線装置の小型化、軽量化、および信頼
性の向上を図ることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０９】次に、第七実施例におけるリードレス・チ
ップ・キャリア構造を説明する。図２８（ａ）に示すよ
うに、第一層３１３Ａには、リードレス・チップ・キャ
リア構造を構成するための電極３１５およびキャップ接
着部３１６が形成されている。電極３１５は、第一層３
１３Ａの四隅の側面に所定量の厚みを持って設けられて
いる。第一層３１３Ａの基板材料としてはセラミック基
板３０３と同様にセラミックを用いることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１０】第二層３１３Ｂには、図２８（ｂ）に示す
ように、リードレス・チップ・キャリア構造を構成する
ための信号端子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、およびリード
レス・チップ・キャリア構造を構成するための接地端子
Ｇがワイヤボンディングパッド部３１４上に形成されて
いる。第二層３１３Ｂの基板材料としては第一層３０７
Ａと同様にセラミックを用いることができる。信号端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４、および接地端子Ｇは、図３１
（ｂ）に示すように、フィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１
（２２）と、アルミ製のボンディングワイヤ４３を用い
たワイヤボンディング処理がされている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１１】第三層３１３Ｃはセラミック基板３０３で
あって、その表面には、図２８（ｃ）に示すように、フ
ィルタ素子（ｆ1 ，ｆ2 ）２１（２２）が表面実装され
るＳＡＷ チップ 搭載面３０９、リードレス・チップ
・キャリア構造を構成するための信号端子Ｓ、およびリ
ードレス・チップ・キャリア構造を構成するための接地
端子Ｇが形成されている。同様に、裏面には、図２８
（ｄ）に示すように、リードレス・チップ・キャリア構
造を構成するための信号端子Ｓ、およびリードレス・チ
ップ・キャリア構造を構成するための接地端子Ｇがその
上に形成されている。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２４】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２９】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 秀樹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 上田 政則 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤原 嘉朗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージと、 該パッケージ内に収容され、中心周波数の異なる帯域を
    有する少なくとも２つのフィルタ素子と、 前記フィルタ素子に共通に設けられた入力端子及び出力
    端子とを有することを特徴とするフィルタ装置。
  2. 【請求項２】 前記入力端子と少なくとも一方の前記フ
    ィルタ素子との間に設けられる入力側位相調整回路、ま
    たは少なくとも一方の前記フィルタ素子と前記出力端子
    との間に設けられる出力側位相調整回路の少なくともの
    いずれか一方を有することを特徴とする請求項１記載の
    フィルタ装置。
  3. 【請求項３】 前記少なくとも２つのフィルタ素子の一
    方に接続される入力側及び出力側位相調整回路は伝送線
    路を有し、前記少なくとも２つのフィルタ素子の他方に
    接続される入力側及び出力側位相調整回路はインダクタ
    及びキャパシタを有することを特徴とする請求項２記載
    のフィルタ装置。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも２つのフィルタ素子は弾
    性表面波フィルタ素子を含むことを特徴とする請求項１
    乃至３のいずれか一項記載のフィルタ装置。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも２つのフィルタ素子は複
    数の弾性表面波共振器をラダー型に配列した弾性表面波
    フィルタ素子を含み、 前記少なくとも２つのフィルタ素子の一方を構成する弾
    性表面波フィルタ素子の入出力部は並列共振器を有し、 前記少なくとも２つのフィルタ素子の他方を構成する弾
    性表面波フィルタ素子の入出力は直列共振器を有するこ
    とを特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
  6. 【請求項６】 前記第１の弾性表面波フィルタ素子は、
    前記第２の弾性表面波フィルタ素子より、中心周波数が
    低いことを特徴とする請求項５記載のフィルタ装置。
  7. 【請求項７】 前記パッケージは導電層及び絶縁層を交
    互に積層した積層体と、積層体に形成された凹部に収容
    された前記少なくとも２つのフィルタ素子を封止するキ
    ャップとを有することを特徴とする請求項１乃至６のい
    ずれか一項記載のフィルタ装置。
  8. 【請求項８】 前記パッケージは導電層及び絶縁層を交
    互に積層した積層体を有し、 前記伝送線路は、前記積層体の導電層で形成されること
    を特徴とする請求項３記載のフィルタ装置。
  9. 【請求項９】 前記伝送路は、パッケージの外面に設け
    られていることを特徴とする請求項３記載のフィルタ装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記伝送線路及び前記少なくとも２つ
    のフィルタ素子は、前記パッケージの同一面上に設けら
    れていることを特徴とする請求項３記載のフィルタ装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記フィルタ装置は、前記入力端子と
    前記少なくとも２つのフィルタ素子の一方との間に設け
    られる入力側位相調整回路と前記出力端子と該フィルタ
    素子との間に設けられる出力側位相調整回路の少なくと
    も１つを有し、 更に前記フィルタ装置は、前記入力側位相調整回路と前
    記出力側位相調整回路の少なくとも一方を接続するため
    の接続端子を有し、 前記入力側位相調整回路と前記出力側位相調整回路の少
    なくとも一方は、コイルとコンデンサとを含む、ことを
    特徴とする請求項１記載のフィルタ装置。
  12. 【請求項１２】 前記入力側位相調整回路または前記出
    力側位相調整回路及び前記少なくとも２つのフィルタ素
    子は、前記パッケージの同一面上に表面実装されている
    ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載の
    フィルタ装置。
  13. 【請求項１３】 前記キャップは、前記パッケージは前
    記少なくとも２つのフィルタ素子を気密封止するように
    構成されていることを特徴とする請求項１２記載のフィ
    ルタ装置。
  14. 【請求項１４】 前記パッケージはリードレス・チップ
    ・キャリア構造を有し、前記フィルタ素子が設けられた
    前記同一面の反対側の面に前記入力側位相調整回路また
    は前記出力側位相調整回路が表面実装されているととも
    に、該フィルタ素子と該入力側位相調整回路または該出
    力側位相調整回路とが前記伝送線路を介して電気的に接
    続されて構成されていることを特徴とする請求項１３記
    載のフィルタ装置。
  15. 【請求項１５】 前記パッケージの材料はセラミックで
    あることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一
    項記載のフィルタ装置。
  16. 【請求項１６】 前記接続端子は、パッケージの外部に
    前記入力側位相調整回路と前記出力側位相調整回路の少
    なくとも一方を設けるための端子であることを特徴とす
    る請求項１１に記載のフィルタ装置。
  17. 【請求項１７】 送信すべき無線信号及び受信した無線
    信号を処理する無線信号部と、 受信した無線信号を復調する復調部と、 送信すべき信号を変調する変調部と、 復調された信号及び送信すべき信号をベースバンド処理
    するベースバンド処理部とを有し、 前記無線信号処理部の送信系及び受信系のそれぞれに、
    前記フィルタ装置を有することを特徴とする請求項１乃
    至１６のいずれか一項記載のフィルタ装置を用いた無線
    装置。
JP8089632A 1995-08-24 1996-04-11 フィルタ装置及びこれを用いた無線装置 Pending JPH09121138A (ja)

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KR1019960035292A KR100240007B1 (ko) 1995-08-24 1996-08-24 필터장치 및 이를 사용한 무선장치(filter device and dual-band radio system in which the filter device is used)
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