JP2001253870A - イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体 - Google Patents
イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体Info
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Abstract
される様々な分野に使用されうるイミド化合物を製造す
る方法の提供。 【解決手段】 イミド化合物を製造する方法において、
9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェナン
スレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメータ
ー8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
160℃で反応させる方法。
Description
性および機械的特性が要求される様々な分野に使用され
うるイミド化合物を製造する方法に関する。
は、カルボン酸無水物とアミノ化合物を溶媒中で180
℃−400℃で反応させる方法が採用されてきた。ま
た、別の方方として、ピリジン、ジメチルアセトアミ
ド、フェノール中で脱水反応させる方法も提案されてい
る。
によると、180℃以下では反応が著しく遅くなること
が知られており、180℃以下で短時間で高品質のイミ
ド化合物を製造する方法を確立することが、各種の用途
への展開について大きな課題となっている。
系、エポキシ系、ポリエーテル系やポリエステル系が、
一般に知られている。しかし、これらの材料は、耐熱温
度が200℃程度であり、より耐熱性の優れた材料が要
求されている。具体的には、電子材料用のフォトレジス
ト材や層間絶縁膜としてより高い熱安定性が必要とされ
ている。更には、取扱い上溶解性に優れた材料も要求さ
れている。
芳香族基を表す)で示されるカルボン酸一無水物と、式
(2):
芳香族基を表し;Aは、カルボキシル基、ヒドロキシル
基、メルカプト基、シアノ基、C1〜C4の直鎖もしくは
分岐アルキル基を有するカルボン酸エステル基、メトキ
シ基、−Si(CH3)2−O−Si(CH3)3又はハロゲ
ン原子を表し;nは、0〜4の整数を表す)で示される
アミノ化合物とを反応させて、式(3):
である)で示されるイミド化合物を製造する方法におい
て、9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナ
ンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメー
ター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメータ
ー9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130
〜160℃で反応させることを特徴とする方法に関す
る。
されるカルボン酸二無水物と、式(2):
る)で示されるアミノ化合物とを反応させて、式
(5):
である)で示されるイミド化合物を製造する方法におい
て、9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェ
ナンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメ
ーター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメー
ター9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、13
0〜160℃で反応させることを特徴とする方法に関す
る。
は、1〜10を表す)で示される無水カルボン酸共重合
体と、式(2):
る)で示されるアミノ化合物とを反応させて、式
(7):
通りである)で示されるイミド化合物を製造する方法に
おいて、9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファ
フェナンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パ
ラメーター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラ
メーター9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、
130〜160℃で反応させることを特徴とする方法に
関する。
り;pは、0〜3の整数であり;R3は、水素又はメチ
ル基を表す)で示されるイミド化合物に関する。
の通りである)で示されるイミド化合物に関する。
前記の通りである)で示されるイミド化合物に関する。
の製造方法について説明するが、まずはじめに用語の意
味を述べる。
基」及び「芳香族基」は、特に限定されない。好ましく
は、炭素数2〜39の脂肪族、炭素数4〜39の脂環族
基及び芳香族基である。このような「脂肪族基」、「脂
環族基」及び「芳香族基」を含む、式(1)、式(4)
及び式(6)のカルボン酸無水物の例としては、炭素数
2〜39の脂肪族ジカルボン酸無水物及びテトラカルボ
ン酸無水物、炭素数4〜39の脂環族及び芳香族ジカル
ボン酸無水物及びテトラカルボン酸無水物、並びに、炭
素数2〜39のオレフィンと不飽和ジカルボン酸無水物
との共重合体が挙げられる。具体的には、無水フタル
酸、無水ハイミック酸、無水テトラブロモフタル酸、無
水トリメリット酸、テトラハイドロ無水フタル酸、ヘキ
サハイドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロ
ヘキセン1,2,3−トリカルボン酸1,2無水物、ナ
フタル酸無水物、無水ピロメリット酸、ジフェニルエー
テルテトラカルボン酸無水物、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸無水物、マレイン化シクロヘキセンテトラカル
ボン酸無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、4,4′−(1,4−フェニレンジオキシ)
フタリック無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、テトラ
リンジアンハイドライド、ペリレンテトラカルボキシ二
無水物、1,4−ジフルオロ−2,3,5,6−ベンゼ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボ
キシシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2.2.
1)ヘプタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ
(2.2.2)オクト7エン2,3,5,6−テトラカ
ルボキシリック二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無
水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、
スチレン無水マレイン酸共重合物、イソブチレン無水マ
レイン酸共重合物、エチレン無水マレイン酸共重合物、
ジイソブチレン無水マレイン酸共重合物、マレイン酸重
合物、イタコン酸重合物が例示される。
基」及び「芳香族基」を含む、式(2)のアミノ化合物
は、上記定義の範囲内であれば特に限定されない。具体
的には、アニリン、アミノ安息香酸、シアノアニリン、
アミノフェノール、アスパラギン酸、アミノクレゾー
ル、アミノ桂皮酸、4−フルオロアンスラニック酸、フ
ルオロフェニルグリシン、2,2−ビス−4−アミノフ
ェニル−3′−ヒドロキシフェニルプロパン、アミノサ
ルチル酸、アラニン、アミノカプロン酸、システアミ
ン、アリルアミン、モノエタノールアミン、フェニルア
ラニン、アミノアントラキノン、シクロヘキシルアミ
ン、2,5−ジメトキシアニリン、ラウリルアミン、ナ
フチルアミン、オキシフェニルアラニン、1−(3−ア
ミノプロピル)−1,1,3,3−ペンタメチルジシロ
キサンが例示される。
香族系溶媒」の例としては、トルエン、キシレン、エチ
ルベンゼン、クロロベンゼン等が挙げられ、また、一種
又は複数種の混合状態であってもよい。
極性溶媒」の例としては、ジメチルアセトアミド、ジエ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、イソホロン、N−メチルピロリドン等が挙
げられ、また、一種又は複数種の混合状態であってもよ
い。
香族系溶媒と溶解度パラメーター9.0〜12.1の極
性溶媒との混合溶媒」としては、芳香族系溶媒:極性溶
媒の比が、質量比で30−70%:70−30%である
ものが好ましい。
式(1)、式(4)又は式(6)のカルボン酸無水物
と、式(2)で示されるアミノ化合物とを反応させて、
式(3)、式(5)又は式(7)のイミド化合物を製造
する方法において、9,10−ジヒドロ−オキサ−10
−ホスファフェナンスレン−10−オキサイドの存在
下、溶解度パラメーター8.5〜9.5(好ましくは
8.5〜9.0)の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1(好ましくは10.0〜12.1)の
極性溶媒との混合溶媒中、130〜160℃(好ましく
は140〜160℃)で反応(脱水縮合反応)させる工
程を含む。その後、かかる脱水反応により、相当するイ
ミド化合物が生成するのに必要な水が留出したのを確認
した後、炭素数1〜4の直鎖又は分岐アルコール中、含
水アルコールなどの貧溶媒中或いは水中で、イミド化合
物を沈殿させ、ろ過し、必要に応じて再度貧溶媒で洗浄
ろ過し、80−150℃で乾燥させることにより、相当
するイミド化合物を得ることができる。
0−ホスファフェナンスレン−10−オキサイドの量
は、反応物の質量を基準として、0.2〜10部である
ことが好ましい。
ノ化合物は、一種でなくとも二以上の混合の状態のもの
を用いてもよい。
性ガス気流下で行なれるのが好ましい。不活性ガスとし
ては、窒素ガス、アルゴンガスが好ましい。
合物に(メタ)アクリレート基を導入して、新規な(メ
タ)アクリル化イミド化合物を得ることができる。特
に、式(8)、式(9)及び式(10)のイミド化合物
は、耐熱性や溶解性に特に優れており、電子材料用のフ
ォトレジスト材や層間絶縁膜として極めて有用である。
タ)アクリル化イミド化合物は、慣用手段により、それ
ぞれ、式(3)、式(5)及び式(7)のイミド化合物
から得ることができる。例えば、(メタ)アクリル酸ハ
ロゲン化物を、R2上の置換基の一つ(例えば、水酸
基)と反応させる方法を挙げることができる。
明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のでない。
下ロート、ガス吹き込み管をセットした反応フラスコ
に、オキシジフタル酸無水物31.0g、キシレン12
0g、ジメチルアセトアミド80gを入れ窒素ガスをガ
ス吹き込み管より通入し撹拌した。次いで、p−アミノ
フェノール21.8gを10〜30℃で添加した。これ
に、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファ
フェナンスレン−10−オキサイド1.2gを加え、1
30〜150℃で3時間反応させた。そして、生成した
水3.63g(計算値3.6g)を検水管より除いた。
溶媒120gを留去した後、メタノール100gを加え
10℃に冷却し結晶を濾過し130℃で乾燥し、下記式
(11)のイミド化合物を得た。
g、キシレン120g、9,10−ジヒドロ−9−オキ
サ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイド
1.2gを加えたものに窒素ガスを通入し、オキシジフ
タル酸無水物31gをジメチルアセトアミド80gに溶
解したものを30〜45℃で加え、140〜145℃で
3.5時間反応させ、生成した水3.55g(計算値
3.6g)を検水管より除いた。溶媒120gを留去し
たものに含水メタノール(50/50容量%)100ml
を加え、10℃に冷却し濾別し、80〜140℃で乾燥
し、下記式(12)のイミド化合物を得た。
1共重合体20.2gとキシレン100gとジメチルホ
ルムアミド50gを加え、アルゴンガスをガス吹き込み
管より通入し撹拌した。これにアリルアミン5.7gを
10〜30℃で加えた後、9,10−ジヒドロ−9−オ
キサ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイ
ド0.5gを加え、130〜140℃で2.5時間反応
させた。そして、生成した水1.78g(計算値1.8
g)を検水管より除いた。その後、溶媒100gを留去
し、100mlの水で洗浄、下層をイソプロパノール10
0mlで洗浄し、結晶を濾別し130℃で乾燥し、下記式
(13)のイミド化合物を得た。
g、キシレン120g、ジメチルフォルムアミド80g
を入れたものに窒素ガスを通入し、25℃でグリシン1
5.1gを加えたものに9,10−ジヒドロ−9−オキ
サ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイド
1gを加え、130〜143℃で3.5時間反応し、生
成した水3.6g(計算値3.6g)を検水管より除い
た。溶媒を留去した後、メタノール50gと水50gの
混合物で洗浄し、10℃に冷却後、結晶を135℃で乾
燥し、下記式(14)のイミド化合物を得た。
46.4g、キシレン180g、ジメチルアセトアミド
120gを入れたものに、窒素ガスを通入し45℃でp
−アミノフェノール10.9gを加えたものに9,10
−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナンスレ
ン−10−オキサイド1.6gを加え、130〜143
℃で3時間反応させた。生成した水1.81g(計算値
1.8g)を検水管より除いた。反応生成物を10℃に
冷却、濾別した結晶をメタノール200gで洗浄、濾別
後140℃で乾燥し、下記式(15)のイミド化合物を
得た。
ル)オキシジフタルイミド30gを冷却コンデンサー、
温度計、撹拌機、滴下ロート、ガス吹き込み管をセット
した反応管に入れた。更に、ジメチルアセトアミド20
0g、テトラエチルアミン12gを入れ窒素ガスをガス
吹き込み管に通入し撹拌した。0℃に冷却後、メタクリ
ル酸クロライド12.8gとハイドロキノン0.2gの
混合物を、滴下ロートより滴下した。滴下後、10℃以
下で3時間熟成し、氷水400g中へ注入、結晶化させ
た。ろ別後50℃以下で乾燥し、下記式(16)のメタ
クリル化イミド化合物を得た。
Claims (6)
- 【請求項1】 式(1): 【化1】 (式中、R1は、脂肪族基、脂環族基又は芳香族基を表
す)で示されるカルボン酸一無水物と、式(2): 【化2】 (式中、R2は、脂肪族基、脂環族基又は芳香族基を表
し;Aは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、メルカプ
ト基、シアノ基、C1〜C4の直鎖もしくは分岐アルキル
基を有するカルボン酸エステル基、メトキシ基、−Si
(CH3)2−O−Si(CH3)3又はハロゲン原子を表
し;nは、0〜4の整数を表す)で示されるアミノ化合
物とを反応させて、式(3): 【化3】 (式中、R1、R2、A、nは、上記の通りである)で示
されるイミド化合物を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナンス
レン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメーター
8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
160℃で反応させることを特徴とする方法。 - 【請求項2】 式(4): 【化4】 (式中、R1は、請求項1記載の通りである)で示され
るカルボン酸二無水物と、式(2): 【化5】 (式中、R2、A、nは、請求項1記載の通りである)
で示されるアミノ化合物とを反応させて、式(5): 【化6】 (式中、R1、R2、A、nは、請求項1記載の通りであ
る)で示されるイミド化合物を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナンス
レン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメーター
8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
160℃で反応させることを特徴とする方法。 - 【請求項3】 式(6): 【化7】 (式中、R1は、請求項1記載の通りであり;mは、1
〜10を表す)で示される無水カルボン酸共重合体と、
式(2): 【化8】 (式中、R2、A、nは、請求項1記載の通りである)
で示されるアミノ化合物とを反応させて、式(7): 【化9】 (式中、R1、R2、A、nは、請求項1記載の通りであ
り;mは、前記の通りである)で示されるイミド化合物
を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェナン
スレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメータ
ー8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
160℃で反応させることを特徴とする方法。 - 【請求項4】 式(8): 【化10】 (式中、R1、R2、Aは、上記の通りであり;pは、0
〜3の整数であり;R3は、水素又はメチル基を表す)
で示されるイミド化合物。 - 【請求項5】 式(9): 【化11】 (式中、R1、R2、Aは、請求項1記載の通りであり;
p、R3は、請求項4記載の通りである)で示されるイ
ミド化合物。 - 【請求項6】 式(10): 【化12】 (式中、R1、R2、Aは、請求項1記載の通りであり;
mは、請求項3記載の通りであり;p、R3は、請求項
4記載の通りである)で示されるイミド化合物。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000068885A JP2001253870A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体 |
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---|---|
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