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JP2001253870A - イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体 - Google Patents

イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体

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Publication number
JP2001253870A
JP2001253870A JP2000068885A JP2000068885A JP2001253870A JP 2001253870 A JP2001253870 A JP 2001253870A JP 2000068885 A JP2000068885 A JP 2000068885A JP 2000068885 A JP2000068885 A JP 2000068885A JP 2001253870 A JP2001253870 A JP 2001253870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
group
solubility parameter
solvent
reacting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000068885A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Yanai
▲あきら▼ 谷内
Shinsuke Inoue
進介 井上
Shinichi Monno
晋一 門野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Manac Inc
Original Assignee
Manac Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Manac Inc filed Critical Manac Inc
Priority to JP2000068885A priority Critical patent/JP2001253870A/ja
Publication of JP2001253870A publication Critical patent/JP2001253870A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Indole Compounds (AREA)
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  • Pyrrole Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性、電気的特性および機械的特性が要求
される様々な分野に使用されうるイミド化合物を製造す
る方法の提供。 【解決手段】 イミド化合物を製造する方法において、
9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェナン
スレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメータ
ー8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
160℃で反応させる方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、電気的特
性および機械的特性が要求される様々な分野に使用され
うるイミド化合物を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、イミド化合物の製造方法として
は、カルボン酸無水物とアミノ化合物を溶媒中で180
℃−400℃で反応させる方法が採用されてきた。ま
た、別の方方として、ピリジン、ジメチルアセトアミ
ド、フェノール中で脱水反応させる方法も提案されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
によると、180℃以下では反応が著しく遅くなること
が知られており、180℃以下で短時間で高品質のイミ
ド化合物を製造する方法を確立することが、各種の用途
への展開について大きな課題となっている。
【0004】また、光硬化材料には、これまでウレタン
系、エポキシ系、ポリエーテル系やポリエステル系が、
一般に知られている。しかし、これらの材料は、耐熱温
度が200℃程度であり、より耐熱性の優れた材料が要
求されている。具体的には、電子材料用のフォトレジス
ト材や層間絶縁膜としてより高い熱安定性が必要とされ
ている。更には、取扱い上溶解性に優れた材料も要求さ
れている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、式(1):
【0006】
【化13】
【0007】(式中、R1は、脂肪族基、脂環族基又は
芳香族基を表す)で示されるカルボン酸一無水物と、式
(2):
【0008】
【化14】
【0009】(式中、R2は、脂肪族基、脂環族基又は
芳香族基を表し;Aは、カルボキシル基、ヒドロキシル
基、メルカプト基、シアノ基、C1〜C4の直鎖もしくは
分岐アルキル基を有するカルボン酸エステル基、メトキ
シ基、−Si(CH3)2−O−Si(CH3)3又はハロゲ
ン原子を表し;nは、0〜4の整数を表す)で示される
アミノ化合物とを反応させて、式(3):
【0010】
【化15】
【0011】(式中、R1、R2、A、nは、上記の通り
である)で示されるイミド化合物を製造する方法におい
て、9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナ
ンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメー
ター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメータ
ー9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130
〜160℃で反応させることを特徴とする方法に関す
る。
【0012】また、本発明は、式(4):
【0013】
【化16】
【0014】(式中、R1は、前記の通りである)で示
されるカルボン酸二無水物と、式(2):
【0015】
【化17】
【0016】(式中、R2、A、nは、前記の通りであ
る)で示されるアミノ化合物とを反応させて、式
(5):
【0017】
【化18】
【0018】(式中、R1、R2、A、nは、前記の通り
である)で示されるイミド化合物を製造する方法におい
て、9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェ
ナンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメ
ーター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメー
ター9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、13
0〜160℃で反応させることを特徴とする方法に関す
る。
【0019】更に、本発明は、式(6):
【0020】
【化19】
【0021】(式中、R1は、前記の通りであり;m
は、1〜10を表す)で示される無水カルボン酸共重合
体と、式(2):
【0022】
【化20】
【0023】(式中、R2、A、nは、前記の通りであ
る)で示されるアミノ化合物とを反応させて、式
(7):
【0024】
【化21】
【0025】(式中、R1、R2、A、n、mは、前記の
通りである)で示されるイミド化合物を製造する方法に
おいて、9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファ
フェナンスレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パ
ラメーター8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラ
メーター9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、
130〜160℃で反応させることを特徴とする方法に
関する。
【0026】また、本発明は、式(8):
【0027】
【化22】
【0028】(式中、R1、R2、Aは、前記の通りであ
り;pは、0〜3の整数であり;R3は、水素又はメチ
ル基を表す)で示されるイミド化合物に関する。
【0029】更に、本発明は、式(9):
【0030】
【化23】
【0031】(式中、R1、R2、A、p、R3は、前記
の通りである)で示されるイミド化合物に関する。
【0032】また、本発明は、式(10):
【0033】
【化24】
【0034】(式中、R1、R2、A、m、p、R3は、
前記の通りである)で示されるイミド化合物に関する。
【0035】
【発明の実施の態様】以下、本発明に係るイミド化合物
の製造方法について説明するが、まずはじめに用語の意
味を述べる。
【0036】R1及びR2に係る「脂肪族基」、「脂環族
基」及び「芳香族基」は、特に限定されない。好ましく
は、炭素数2〜39の脂肪族、炭素数4〜39の脂環族
基及び芳香族基である。このような「脂肪族基」、「脂
環族基」及び「芳香族基」を含む、式(1)、式(4)
及び式(6)のカルボン酸無水物の例としては、炭素数
2〜39の脂肪族ジカルボン酸無水物及びテトラカルボ
ン酸無水物、炭素数4〜39の脂環族及び芳香族ジカル
ボン酸無水物及びテトラカルボン酸無水物、並びに、炭
素数2〜39のオレフィンと不飽和ジカルボン酸無水物
との共重合体が挙げられる。具体的には、無水フタル
酸、無水ハイミック酸、無水テトラブロモフタル酸、無
水トリメリット酸、テトラハイドロ無水フタル酸、ヘキ
サハイドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロ
ヘキセン1,2,3−トリカルボン酸1,2無水物、ナ
フタル酸無水物、無水ピロメリット酸、ジフェニルエー
テルテトラカルボン酸無水物、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸無水物、マレイン化シクロヘキセンテトラカル
ボン酸無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、4,4′−(1,4−フェニレンジオキシ)
フタリック無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、テトラ
リンジアンハイドライド、ペリレンテトラカルボキシ二
無水物、1,4−ジフルオロ−2,3,5,6−ベンゼ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボ
キシシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2.2.
1)ヘプタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ
(2.2.2)オクト7エン2,3,5,6−テトラカ
ルボキシリック二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無
水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、
スチレン無水マレイン酸共重合物、イソブチレン無水マ
レイン酸共重合物、エチレン無水マレイン酸共重合物、
ジイソブチレン無水マレイン酸共重合物、マレイン酸重
合物、イタコン酸重合物が例示される。
【0037】また、このような「脂肪族基」、「脂環族
基」及び「芳香族基」を含む、式(2)のアミノ化合物
は、上記定義の範囲内であれば特に限定されない。具体
的には、アニリン、アミノ安息香酸、シアノアニリン、
アミノフェノール、アスパラギン酸、アミノクレゾー
ル、アミノ桂皮酸、4−フルオロアンスラニック酸、フ
ルオロフェニルグリシン、2,2−ビス−4−アミノフ
ェニル−3′−ヒドロキシフェニルプロパン、アミノサ
ルチル酸、アラニン、アミノカプロン酸、システアミ
ン、アリルアミン、モノエタノールアミン、フェニルア
ラニン、アミノアントラキノン、シクロヘキシルアミ
ン、2,5−ジメトキシアニリン、ラウリルアミン、ナ
フチルアミン、オキシフェニルアラニン、1−(3−ア
ミノプロピル)−1,1,3,3−ペンタメチルジシロ
キサンが例示される。
【0038】「溶解度パラメーター8.5〜9.5の芳
香族系溶媒」の例としては、トルエン、キシレン、エチ
ルベンゼン、クロロベンゼン等が挙げられ、また、一種
又は複数種の混合状態であってもよい。
【0039】「溶解度パラメーター9.0〜12.1の
極性溶媒」の例としては、ジメチルアセトアミド、ジエ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、イソホロン、N−メチルピロリドン等が挙
げられ、また、一種又は複数種の混合状態であってもよ
い。
【0040】「溶解度パラメーター8.5〜9.5の芳
香族系溶媒と溶解度パラメーター9.0〜12.1の極
性溶媒との混合溶媒」としては、芳香族系溶媒:極性溶
媒の比が、質量比で30−70%:70−30%である
ものが好ましい。
【0041】本発明に係るイミド化合物の製造方法は、
式(1)、式(4)又は式(6)のカルボン酸無水物
と、式(2)で示されるアミノ化合物とを反応させて、
式(3)、式(5)又は式(7)のイミド化合物を製造
する方法において、9,10−ジヒドロ−オキサ−10
−ホスファフェナンスレン−10−オキサイドの存在
下、溶解度パラメーター8.5〜9.5(好ましくは
8.5〜9.0)の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
9.0〜12.1(好ましくは10.0〜12.1)の
極性溶媒との混合溶媒中、130〜160℃(好ましく
は140〜160℃)で反応(脱水縮合反応)させる工
程を含む。その後、かかる脱水反応により、相当するイ
ミド化合物が生成するのに必要な水が留出したのを確認
した後、炭素数1〜4の直鎖又は分岐アルコール中、含
水アルコールなどの貧溶媒中或いは水中で、イミド化合
物を沈殿させ、ろ過し、必要に応じて再度貧溶媒で洗浄
ろ過し、80−150℃で乾燥させることにより、相当
するイミド化合物を得ることができる。
【0042】ここで、9,10−ジヒドロ−オキサ−1
0−ホスファフェナンスレン−10−オキサイドの量
は、反応物の質量を基準として、0.2〜10部である
ことが好ましい。
【0043】原料として用いるカルボン酸無水物やアミ
ノ化合物は、一種でなくとも二以上の混合の状態のもの
を用いてもよい。
【0044】本発明のイミド化合物の製造方法は、不活
性ガス気流下で行なれるのが好ましい。不活性ガスとし
ては、窒素ガス、アルゴンガスが好ましい。
【0045】本発明の製造方法に従い得られたイミド化
合物に(メタ)アクリレート基を導入して、新規な(メ
タ)アクリル化イミド化合物を得ることができる。特
に、式(8)、式(9)及び式(10)のイミド化合物
は、耐熱性や溶解性に特に優れており、電子材料用のフ
ォトレジスト材や層間絶縁膜として極めて有用である。
【0046】式(8)、式(9)及び式(10)の(メ
タ)アクリル化イミド化合物は、慣用手段により、それ
ぞれ、式(3)、式(5)及び式(7)のイミド化合物
から得ることができる。例えば、(メタ)アクリル酸ハ
ロゲン化物を、R2上の置換基の一つ(例えば、水酸
基)と反応させる方法を挙げることができる。
【0047】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のでない。
【0048】実施例1 検水管を付けた冷却コンデンサー、温度計、撹拌機、滴
下ロート、ガス吹き込み管をセットした反応フラスコ
に、オキシジフタル酸無水物31.0g、キシレン12
0g、ジメチルアセトアミド80gを入れ窒素ガスをガ
ス吹き込み管より通入し撹拌した。次いで、p−アミノ
フェノール21.8gを10〜30℃で添加した。これ
に、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファ
フェナンスレン−10−オキサイド1.2gを加え、1
30〜150℃で3時間反応させた。そして、生成した
水3.63g(計算値3.6g)を検水管より除いた。
溶媒120gを留去した後、メタノール100gを加え
10℃に冷却し結晶を濾過し130℃で乾燥し、下記式
(11)のイミド化合物を得た。
【0049】
【化25】
【0050】収量 47.3g(収率 96%) OHV 229.5(計算値 228.0)
【0051】実施例2 実施例1と同様の装置に、p−アミノ安息香酸27.4
g、キシレン120g、9,10−ジヒドロ−9−オキ
サ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイド
1.2gを加えたものに窒素ガスを通入し、オキシジフ
タル酸無水物31gをジメチルアセトアミド80gに溶
解したものを30〜45℃で加え、140〜145℃で
3.5時間反応させ、生成した水3.55g(計算値
3.6g)を検水管より除いた。溶媒120gを留去し
たものに含水メタノール(50/50容量%)100ml
を加え、10℃に冷却し濾別し、80〜140℃で乾燥
し、下記式(12)のイミド化合物を得た。
【0052】
【化26】
【0053】収量52.9g(収率96.5%) 分解温度416℃ 酸価 205.1(計算値204.7)
【0054】実施例3 実施例1と同様の装置にスチレン−無水マレイン酸1:
1共重合体20.2gとキシレン100gとジメチルホ
ルムアミド50gを加え、アルゴンガスをガス吹き込み
管より通入し撹拌した。これにアリルアミン5.7gを
10〜30℃で加えた後、9,10−ジヒドロ−9−オ
キサ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイ
ド0.5gを加え、130〜140℃で2.5時間反応
させた。そして、生成した水1.78g(計算値1.8
g)を検水管より除いた。その後、溶媒100gを留去
し、100mlの水で洗浄、下層をイソプロパノール10
0mlで洗浄し、結晶を濾別し130℃で乾燥し、下記式
(13)のイミド化合物を得た。
【0055】
【化27】
【0056】収量23.2g(収率96.3%) 分解温度393℃
【0057】実施例4 実施例1と同様の装置に、オキシジフタル酸無水物31
g、キシレン120g、ジメチルフォルムアミド80g
を入れたものに窒素ガスを通入し、25℃でグリシン1
5.1gを加えたものに9,10−ジヒドロ−9−オキ
サ−10−ホスファフェナンスレン−10−オキサイド
1gを加え、130〜143℃で3.5時間反応し、生
成した水3.6g(計算値3.6g)を検水管より除い
た。溶媒を留去した後、メタノール50gと水50gの
混合物で洗浄し、10℃に冷却後、結晶を135℃で乾
燥し、下記式(14)のイミド化合物を得た。
【0058】
【化28】
【0059】収量 40.7g(収率95.8%) 酸価 264.1(計算値264.0) 分解温度 385℃
【0060】実施例5 実施例1と同様の装置に、テトラブロモ無水フタール酸
46.4g、キシレン180g、ジメチルアセトアミド
120gを入れたものに、窒素ガスを通入し45℃でp
−アミノフェノール10.9gを加えたものに9,10
−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナンスレ
ン−10−オキサイド1.6gを加え、130〜143
℃で3時間反応させた。生成した水1.81g(計算値
1.8g)を検水管より除いた。反応生成物を10℃に
冷却、濾別した結晶をメタノール200gで洗浄、濾別
後140℃で乾燥し、下記式(15)のイミド化合物を
得た。
【0061】
【化29】
【0062】収量 54.7g(計算値55.5g) 収率 98.6% OHV 100.9(計算値101.08) 分解温度 362℃
【0063】実施例6 実施例1で得られたN,N−ビス(ヒドロキシフェニ
ル)オキシジフタルイミド30gを冷却コンデンサー、
温度計、撹拌機、滴下ロート、ガス吹き込み管をセット
した反応管に入れた。更に、ジメチルアセトアミド20
0g、テトラエチルアミン12gを入れ窒素ガスをガス
吹き込み管に通入し撹拌した。0℃に冷却後、メタクリ
ル酸クロライド12.8gとハイドロキノン0.2gの
混合物を、滴下ロートより滴下した。滴下後、10℃以
下で3時間熟成し、氷水400g中へ注入、結晶化させ
た。ろ別後50℃以下で乾燥し、下記式(16)のメタ
クリル化イミド化合物を得た。
【0064】
【化30】
【0065】収量 35.6g(計算値 39.5g) 収率 90.0% 臭素価 44.5(計算値 45.9) 分解温度 330℃
フロントページの続き Fターム(参考) 4C069 AC31 BB03 BC12 4C204 AB04 BB03 CB04 DB30 EB03 FB17 FB23 GB25 GB40 4J100 AA02Q AA06Q AA08P AA09P AA15Q AB02Q AK31P AK32P AK33P BA03H BA16H BA40H BB03P BB07H BC43H CA01 CA04 HA45 JA38 JA43 JA44

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(1): 【化1】 (式中、R1は、脂肪族基、脂環族基又は芳香族基を表
    す)で示されるカルボン酸一無水物と、式(2): 【化2】 (式中、R2は、脂肪族基、脂環族基又は芳香族基を表
    し;Aは、カルボキシル基、ヒドロキシル基、メルカプ
    ト基、シアノ基、C1〜C4の直鎖もしくは分岐アルキル
    基を有するカルボン酸エステル基、メトキシ基、−Si
    (CH3)2−O−Si(CH3)3又はハロゲン原子を表
    し;nは、0〜4の整数を表す)で示されるアミノ化合
    物とを反応させて、式(3): 【化3】 (式中、R1、R2、A、nは、上記の通りである)で示
    されるイミド化合物を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナンス
    レン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメーター
    8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
    9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
    160℃で反応させることを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 式(4): 【化4】 (式中、R1は、請求項1記載の通りである)で示され
    るカルボン酸二無水物と、式(2): 【化5】 (式中、R2、A、nは、請求項1記載の通りである)
    で示されるアミノ化合物とを反応させて、式(5): 【化6】 (式中、R1、R2、A、nは、請求項1記載の通りであ
    る)で示されるイミド化合物を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−0−ホスファフェナンス
    レン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメーター
    8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
    9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
    160℃で反応させることを特徴とする方法。
  3. 【請求項3】 式(6): 【化7】 (式中、R1は、請求項1記載の通りであり;mは、1
    〜10を表す)で示される無水カルボン酸共重合体と、
    式(2): 【化8】 (式中、R2、A、nは、請求項1記載の通りである)
    で示されるアミノ化合物とを反応させて、式(7): 【化9】 (式中、R1、R2、A、nは、請求項1記載の通りであ
    り;mは、前記の通りである)で示されるイミド化合物
    を製造する方法において、 9,10−ジヒドロ−オキサ−10−ホスファフェナン
    スレン−10−オキサイドの存在下、溶解度パラメータ
    ー8.5〜9.5の芳香族系溶媒と溶解度パラメーター
    9.0〜12.1の極性溶媒との混合溶媒中、130〜
    160℃で反応させることを特徴とする方法。
  4. 【請求項4】 式(8): 【化10】 (式中、R1、R2、Aは、上記の通りであり;pは、0
    〜3の整数であり;R3は、水素又はメチル基を表す)
    で示されるイミド化合物。
  5. 【請求項5】 式(9): 【化11】 (式中、R1、R2、Aは、請求項1記載の通りであり;
    p、R3は、請求項4記載の通りである)で示されるイ
    ミド化合物。
  6. 【請求項6】 式(10): 【化12】 (式中、R1、R2、Aは、請求項1記載の通りであり;
    mは、請求項3記載の通りであり;p、R3は、請求項
    4記載の通りである)で示されるイミド化合物。
JP2000068885A 2000-03-13 2000-03-13 イミド化合物の製造方法及びその新規誘導体 Pending JP2001253870A (ja)

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