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JP2000150967A - 表面実装可能なledパッケ―ジ - Google Patents

表面実装可能なledパッケ―ジ

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Publication number
JP2000150967A
JP2000150967A JP11303910A JP30391099A JP2000150967A JP 2000150967 A JP2000150967 A JP 2000150967A JP 11303910 A JP11303910 A JP 11303910A JP 30391099 A JP30391099 A JP 30391099A JP 2000150967 A JP2000150967 A JP 2000150967A
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aluminum
silver
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gold
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JP11303910A
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ジュリアン・エー・カレイ
Iii William D Collins
ウィリアム・ディー・コリンズ,サード
Ban Poh Loh
バン・ポー・ロー
Gary D Sasser
ゲイリー・ディー・ササー
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Agilent Technologies Inc
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
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Publication date
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

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  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】信頼性が高く、発光効率の高い動作が実現でき
るLEDパッケージを提供する。 【解決手段】LEDダイ16は、副基台18を介してス
ラグ10に支持される。スラグ10及び副基台18は熱
伝導性が良好なので、LEDダイ16の動作による熱が
効果的に拡散される。従って、LEDダイ16は熱によ
る特性劣化を生じにくい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードの
パッケージ化に関し、特に表面実装に好適な構造を含む
パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】多くの発光ダイオード(LED)はコヒ
ーレントでない光を発光する。LEDの性能の一つの尺
度は、例えば入力エネルギーの可視光への変換等の光度
測定から導かれるような発光効率である。発光効率は、
LEDの接合部の温度に反比例する。LEDパッケージ
の設計者の主要関心事は、LEDダイを比較的低い温度
に維持して全体の性能を改善することである。
【0003】例えば、消費電力が200mW以下である
か又は面積の小さいLEDダイによる低消費電力のLE
Dでは、光学キャビティの寸法が大きいために所望の信
頼性条件に合致しない。キャビティ寸法が最適値より小
さいと、光抽出効率、即ち装置からの発光量が減少す
る。従来技術のパッケージ、例えばT1-3/4及びスナッ
プLEDは、硬いカプセル材として成形エポキシ材料を
使用している。成形エポキシ材料は、光学的及び構造的
に有効である。LEDパッケージの従来技術による装置
を図1に示す。LEDダイは光学キャビティの基台上に
載置される。硬いカプセル材、例えば、剛性を有する未
充填エポキシ材料が光学キャビティを埋めている。LE
Dダイ、光学キャビティ、及びカプセル材の熱膨張係数
は互いに異なるので、動作中にそれらは異なる割合で膨
張し収縮する。このためLEDに対して比較的大きな機
械的応力が加わる。加えて、従来技術のパッケージは、
電気導線が主な熱伝導経路であるため熱伝導経路と電気
経路との間で熱的経路が分離されていない。その結果、
パッケージ化されたLEDダイは、特に最終製品への組
立の工程で温度サイクルによる熱的応力を受けやすい。
【0004】これらの問題は、ダイの面積又は入力側電
力が増大するにつれて更に悪化する。接合面積が大きい
(例えば、0.25mm2より大きい)LEDダイは、
同等の光抽出効率を与えるのに、接合面積が小さい(例
えば、0.25mm2より小さい)LEDダイより、大
きな光学素子部品を必要とするので、必要とされる光学
キャビティも大きくなる。LEDに加わる機械的応力
は、カプセル材の体積と共に増大する。加えて、応力は
パッケージ化されたLEDが温度サイクル及び高湿度状
態にさらされるにつれて増大する。機械的応力が蓄積す
るとLEDの全体としての信頼性が低下する。
【0005】従来技術のパッケージは主要熱伝導経路と
してそれらの電気導線を使用しているから、これらの経
路は熱伝導に対して高い抵抗を有し、電力消費が増大
(例えば、200mW以上)するとき、外部装置の高い
熱伝導抵抗の影響を受けてその接合温度が高くなってし
まう。高い接合温度は、LEDチップの発光効率の不可
逆的劣化を加速する原因となり、またLEDパッケージ
の機械的一体性を損なう原因となるプロセスを加速す
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】特に高い(35%)デ
ューティ係数で又は長いパルス幅(1秒より長い)で動
作するとき、LED平均入力側電力が0.2W程度で、
信頼性が高く、光学的に高い効率の動作が実現できるL
EDパッケージは存在しない。本発明はこのようなLE
Dパッケージを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、光学的機能と
構造的機能とが別々になっているLEDパッケージを提
供する。ヒートシンクとなるスラグがインサートモール
ドされたリードフレームに挿入される。インサートモー
ルドされたリードフレームは、構造的一体性を与えるよ
うに打ち抜きによりパターン形成された金属部品を埋め
込みプラスチック材料によってオーバーモールドして構
成している。スラグは、随意選択の反射カップを備える
ことができる。LEDダイは、電気絶縁性を有し且つ良
好な熱伝導性を有する副基台を介して直接的又は間接的
にスラグに取り付けられている。ボンディングワイヤ
は、LEDから延びてスラグに対して電気的及び熱的に
分離された金属リードまで延長される。光学レンズは、
熱可塑性材料によって予備成形された光学的に透明なレ
ンズ及び柔らかい光学的に透明なカプセル材を取付ける
ことにより、又はLEDを覆うように光学的に透明なエ
ポキシ材料を成形することにより、又は柔らかい光学的
に透明なカプセル材の上に光学的に透明のエポキシを成
形することにより製造可能である。柔らかい光学的に透
明なカプセル材は、LEDダイに与える応力を小さくで
き又は衝撃吸収を提供できるような柔らかい材料であ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】図2は、本発明によるLEDパッ
ケージ、即ち光学的機能及び構造的機能を分離したLE
Dパッケージの一実施形態を示す。ヒートシンクとなる
スラグ10はインサートモールドされたリードフレーム
12に挿入される。インサートモールドされたリードフ
レーム12は、電気的パスを与える金属フレームの周り
に成形された埋め込みプラスチック材料を有する。スラ
グ10は、随意選択の反射カップ14を備えることがで
きる。発光ダイオード(LED)ダイ16は熱伝導性の
良好な副基台18を介して、直接的に又は間接的に、ス
ラグ10に取付けられている。ボンディングワイヤがL
ED16及び副基台18から延び、スラグ10に対して
電気的に且つ熱的に分離されたリードフレーム12の金
属リードまで達する。熱可塑性材料によって予備成形さ
れるレンズ及びカプセル材(図示せず)を取付けること
により、又はLEDを覆うようにエポキシ材を成形する
ことにより、又はカプセル材(図示せず)の上にエポキ
シ材によるレンズを成形することにより、光学レンズ2
0を付加することができる。カプセル材は、好適にはL
EDダイに加わる応力を小さくできるか又は衝撃吸収を
与えることのできる柔らかい材料である。LEDダイ
は、ヒートシンクとなるスラグに熱的に結合しているの
で、ダイは従来のパッケージより低い接合温度に維持さ
れ得る。動作温度が低くなれば、ダイは大きな熱応力を
受けないので、大電力動作によっても信頼性及び良好な
特性を維持できる。
【0009】ヒートシンクとなるスラグ10は、リード
フレーム12から熱的に分離される。絶縁体から成る副
基台18を使用すれば、スラグ10は電気的に絶縁さ
れ、従って、スラグ10は最小の熱抵抗で外部ヒートシ
ンク(図示せず)に結合されるのでパッケージ内の熱の
蓄積を防止することができる。体積の大きなスラグ10
は、LEDダイ16から遠くに熱を伝導させるための熱
抵抗の小さなパスを提供する。好適実施形態では銅のス
ラグを使用しているが、他の適切な材料にはダイヤモン
ド、シリコン、アルミニウム、モリブデン、窒化アルミ
ニウム、酸化アルミニウム、又はそれらの複合物及び合
金等がある。更に、モリブデン・銅及びタングステン・
銅の複合物も使用可能である。
【0010】副基台18は、スラグ材料とLEDダイと
の間の熱伝導経路及び熱膨張の緩衝(バッファ)として
も機能する。好ましくは、副基台18はLEDダイと同
等の熱膨張係数を備える。副基台18は導電性又は絶縁
性のいずれの材料であっても良い。
【0011】インサートモールドされたリードフレーム
12は、打ち抜き加工されてパターン形成された金属部
品であり、高い導電率を与えるがその熱伝導率は低い。
リードフレーム12は低い熱伝導率及び電気的絶縁性を
与えるプラスチック構造部品によりオーバーモールドさ
れ得る。リードフレームの絶縁部分は構造的一体性を与
える埋込みプラスチック材料である。強度の大きなプラ
スチック本体は、パッケージの構造的一体性を与え、ジ
ュロ硬度がショア約50乃至90Dである。光学的及び
構造的機能を分離することによりパッケージがその構造
的一体性を犠牲にせずに光学的特性を維持することがで
きる。
【0012】カプセル材は、屈折率が1.3より大きな
柔らかい光学的に透明な材料、例えば、シリコーン、液
状又はゼラチン質の光学化合物材料であり、LEDダイ
16と光学レンズ20との間の光路を埋める。柔らかい
光学的に透明な材料は、LEDダイ16を保護する。柔
らかいカプセル材のジュロ硬度はショア10Aより小さ
い。
【0013】随意選択の反射カップ14は、反射率を上
げるためにめっきされる熱伝導性の良好な材料から作ら
れている。随意選択の反射カップ14は反射率を高める
ために被覆してある熱伝導性の良好な材料から作ること
ができる。反射カップの光学面が構成できる適切な熱伝
導材料は、スラグ10と同様に、銀、銅、アルミニウ
ム、モリブデン、ダイアモンド、シリコン、アルミナ、
窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、及びそれらの複
合物がある。スラグ10と異なり、反射カップの壁は、
熱的絶縁材料、例えば、反射被膜付きプラスチック材料
から製造可能である。他の場合には、壁は、外部の光学
表面がチップから表面への光線の入射角及び表面におけ
る高い屈折率から低い屈折率への階段状変化のために生
じる内部全反射(TIR)によって反射面を与えるよう
に配置された、光学プラスチックレンズシェルの被覆さ
れない表面で形成してもよい。屈折率の階段状変化は
0.3以上とされる。
【0014】多数の好適実施形態においてカップは銀で
被覆される。しかしながら、アルミニウム、金、プラチ
ナ、及びアルミニウム、銀、金、又は純粋な誘電体のス
タック構造のような他の反射材料被膜を使用してもよ
い。
【0015】本発明を上記の実施形態に沿って説明する
と、本発明は、キャビティを有し、構造的一体性を与え
るよう作用するリードフレーム(12)、前記キャビテ
ィの基台に配置された、熱伝導性材料からなるスラグ
(10)、前記リードフレーム(12)の内部で前記キ
ャビティに対向して配置され、光学的機能を提供するレ
ンズ(20)を備えることを特徴とするLEDダイ用の
パッケージを提供する。
【0016】好ましくは、スラグ(10)に結合され
た、熱伝導性材料から成る副基台(18)を更に備え
る。
【0017】好ましくは、副基台(18)のための熱伝
導性材料は、銀、銅、ダイアモンド、シリコン、アルミ
ニウム、タングステン、モリブデン、及びベリリウムの
純粋材料、化合物、及び複合物から成る群から選択され
る。
【0018】好ましくは、スラグ(10)のための熱伝
導性材料は、銀、銅、ダイアモンド、シリコン、アルミ
ニウム、タングステン、モリブデン、及びベリリウムの
純粋材料、化合物、及び複合物から成る群から選択され
る。
【0019】好ましくは、スラグ(10)に熱的に結合
されるLEDダイ(16)、及びショア10Aより小さ
い硬度を有し、LEDダイをカプセル封入する光学的に
透明な材料を更に備える。
【0020】好ましくは、スラグ(10)に熱的に結合
されるLEDダイ(16)、及び少なくともショア50
Dの硬度を有する光学的に透明なカプセル材を更に備え
る。
【0021】好ましくは、LEDダイ(16)とスラグ
(10)との間に結合された、熱伝導性の副基台(1
8)を備える。
【0022】好ましくは、反射面を有し、スラグ(1
0)の近くに配置された、反射カップ(14)を備え
る。
【0023】好ましくは、反射カップは、リードフレー
ムに組み込まれている。
【0024】好ましくは、反射カップ(14)は、銀、
アルミニウム、金、誘電体被覆された銀、誘電体被覆さ
れた金、及び誘電体被覆されたアルミニウムから成る群
から選択される材料を含む。
【0025】好ましくは、反射カップの反射面は、銀、
アルミニウム、金、誘電体被覆された銀、誘電体被覆さ
れた金、及び誘電体被覆されたアルミニウムから成る群
から選択される材料を含む。
【0026】好ましくは、反射面は、0.3より大きな
屈折率の階段状変化によって形成される少なくとも一つ
の内部全反射面を備える。
【0027】好ましくは、反射面を有し、スラグの近く
に配置された、反射カップ(14)を更に備える。
【0028】本実施形態で示したLEDパッケージは、
あくまでも例示的なものであり、本発明を制限するもの
ではなく、当業者によって更に様々な変形、変更が可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のLEDパッケージを示す頂側及び側
方から見た断面図である。
【図2】本発明のLEDパッケージの一実施形態を示す
斜視図である。
【符号の説明】
10 スラグ 12 リードフレーム 14 反射カップ 16 LEDダイ 18 副基台 20 レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399117121 395 Page Mill Road P alo Alto,California U.S.A. (72)発明者 ウィリアム・ディー・コリンズ,サード アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼ ケイリーン ドライブ 3435 (72)発明者 バン・ポー・ロー アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼ ケイプ タウン プレイス 823 (72)発明者 ゲイリー・ディー・ササー アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼ マクダニエル アベニュー 1510

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】キャビティを有し、構造的一体性を与える
    よう作用するリードフレーム、 前記キャビティの基台に配置された、熱伝導性材料から
    なるスラグ、及び前記リードフレームの内部で前記キャ
    ビティに対向して配置され、光学的機能を提供するレン
    ズを備えることを特徴とするLEDダイ用のパッケー
    ジ。
  2. 【請求項2】前記スラグに結合された、熱伝導性材料か
    ら成る副基台を更に備えることを特徴とする請求項1に
    記載のパッケージ。
  3. 【請求項3】前記副基台のための前記熱伝導性材料は、
    銀、銅、ダイアモンド、シリコン、アルミニウム、タン
    グステン、モリブデン、及びベリリウムの純粋材料、化
    合物、及び複合物から成る群から選択される材料を含む
    ことを特徴とする請求項2に記載のパッケージ。
  4. 【請求項4】前記スラグのための前記熱伝導性材料は、
    銀、銅、ダイアモンド、シリコン、アルミニウム、タン
    グステン、モリブデン、及びベリリウムの純粋材料、化
    合物、及び複合物から成る群から選択される材料を含む
    ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  5. 【請求項5】前記スラグに熱的に結合されるLEDダ
    イ、及びショア10Aより小さい硬度を有し、前記LE
    Dダイをカプセル封入する光学的に透明な材料を更に備
    えることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  6. 【請求項6】前記スラグに熱的に結合されるLEDダ
    イ、及び少なくともショア50Dの硬度を有する光学的
    に透明なカプセル材を更に備えることを特徴とする請求
    項1に記載のパッケージ。
  7. 【請求項7】前記LEDダイと前記スラグとの間に結合
    された、熱伝導性材料から成る副基台を備えることを特
    徴とする請求項5に記載のパッケージ。
  8. 【請求項8】前記副基台のための熱伝導性材料は、銀、
    銅、ダイアモンド、シリコン、アルミニウム、タングス
    テン、モリブデン、及びベリリウムの純粋材料、化合
    物、及び複合物から成る群から選択されることを特徴と
    する請求項7に記載のパッケージ。
  9. 【請求項9】前記スラグのための熱伝導性材料は、銀、
    銅、ダイアモンド、シリコン、アルミニウム、タングス
    テン、モリブデン、及びベリリウムの純粋材料、化合
    物、及び複合物から成る群から選択されることを特徴と
    する請求項5に記載のパッケージ。
  10. 【請求項10】反射面を有し、前記スラグの近くに配置
    された、反射カップを備えることを特徴とする請求項5
    に記載のパッケージ。
  11. 【請求項11】前記反射カップは、前記リードフレーム
    に組み込まれていることを特徴とする請求項10に記載
    のパッケージ。
  12. 【請求項12】前記反射カップは、銀、アルミニウム、
    金、誘電体被覆された銀、誘電体被覆された金、及び誘
    電体被覆されたアルミニウムから成る群から選択される
    材料を含むことを特徴とする請求項11に記載のパッケ
    ージ。
  13. 【請求項13】前記反射カップの反射面は、銀、アルミ
    ニウム、金、誘電体被覆された銀、誘電体被覆された
    金、及び誘電体被覆されたアルミニウムから成る群から
    選択される材料を含むことを特徴とする請求項12に記
    載のパッケージ。
  14. 【請求項14】前記反射面は、0.3より大きな屈折率
    の階段状変化によって形成される少なくとも一つの内部
    全反射面を備えることを特徴とする請求項12に記載の
    パッケージ。
  15. 【請求項15】反射面を有し、前記スラグの近くに配置
    された、反射カップを更に備えることを特徴とする請求
    項1に記載のパッケージ。
  16. 【請求項16】前記反射カップは、前記リードフレーム
    に組み込まれていることを特徴とする請求項15に記載
    のパッケージ。
  17. 【請求項17】前記反射カップは、銀、アルミニウム、
    金、誘電体被覆された銀、誘電体被覆された金、及び誘
    電体被覆されたアルミニウムから成る群から選択される
    材料を含むことを特徴とする請求項16に記載のパッケ
    ージ。
  18. 【請求項18】前記反射面は、銀、アルミニウム、金、
    誘電体被覆された銀、誘電体被覆された金、及び誘電体
    被覆されたアルミニウムから成る群から選択される材料
    を含むことを特徴とする請求項17に記載のパッケー
    ジ。
  19. 【請求項19】反射面は0.3より大きな屈折率の階段
    状変化により形成される少なくとも一つの内部全反射面
    を備えることを特徴とする請求項17に記載のパッケー
    ジ。
JP30391099A 1998-11-05 1999-10-26 表面実装可能なledパッケージ Expired - Lifetime JP5116909B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US187547 1998-11-05
US09/187,547 US6274924B1 (en) 1998-11-05 1998-11-05 Surface mountable LED package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000150967A true JP2000150967A (ja) 2000-05-30
JP5116909B2 JP5116909B2 (ja) 2013-01-09

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ID=22689416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30391099A Expired - Lifetime JP5116909B2 (ja) 1998-11-05 1999-10-26 表面実装可能なledパッケージ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6274924B1 (ja)
JP (1) JP5116909B2 (ja)
KR (1) KR100505308B1 (ja)
DE (2) DE19964501B4 (ja)
GB (1) GB2343548A (ja)
TW (1) TW441045B (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004221598A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Lumileds Lighting Us Llc Ledアセンブリの正確なアラインメント
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
US6943433B2 (en) 2002-03-06 2005-09-13 Nichia Corporation Semiconductor device and manufacturing method for same
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100643582B1 (ko) 2004-04-26 2006-11-10 루미마이크로 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2006529058A (ja) * 2003-05-28 2006-12-28 ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ 少なくとも2個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム
KR100678848B1 (ko) 2004-10-07 2007-02-06 서울반도체 주식회사 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100707958B1 (ko) * 2004-07-20 2007-04-18 두림시스템 주식회사 표면실장형 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
JP2008098600A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Alti Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
US7391153B2 (en) 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
JP2010028149A (ja) * 2005-05-30 2010-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ledパッケージの製造方法
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7855395B2 (en) 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
CN101521256B (zh) * 2004-09-10 2011-04-13 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
JP2012019239A (ja) * 2003-12-19 2012-01-26 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ledパッケージ組立体
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
KR101161396B1 (ko) * 2004-12-07 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101186644B1 (ko) 2005-06-27 2012-09-28 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
JP2014030051A (ja) * 2006-04-21 2014-02-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 集積電子構成要素を有する半導体発光装置
JP2020537360A (ja) * 2017-10-16 2020-12-17 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 電子及び光電子デバイスのための窒化アルミニウム基板の電気化学的除去

Families Citing this family (323)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700692B2 (en) * 1997-04-02 2004-03-02 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror assembly incorporating a display/signal light
US6525386B1 (en) 1998-03-10 2003-02-25 Masimo Corporation Non-protruding optoelectronic lens
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6561680B1 (en) * 2000-11-14 2003-05-13 Kelvin Shih Light emitting diode with thermally conductive structure
US7095101B2 (en) * 2000-11-15 2006-08-22 Jiahn-Chang Wu Supporting frame for surface-mount diode package
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
US6569698B2 (en) * 2000-12-07 2003-05-27 Harvatek Corp. Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package
US6639360B2 (en) 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
DE10117890B4 (de) * 2001-04-10 2007-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder -emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE10122002A1 (de) * 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
ITMI20012579A1 (it) 2001-12-06 2003-06-06 Fraen Corp Srl Modulo illuminante ad elevata dissipazione di calore
US6974234B2 (en) * 2001-12-10 2005-12-13 Galli Robert D LED lighting assembly
US7055989B2 (en) * 2001-12-10 2006-06-06 Robert Galli LED lighting assembly
US6888723B2 (en) * 2001-12-26 2005-05-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp apparatus
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
US6688719B2 (en) * 2002-04-12 2004-02-10 Silverbrook Research Pty Ltd Thermoelastic inkjet actuator with heat conductive pathways
DE10392669T5 (de) 2002-05-17 2005-07-07 Ccs Inc. Lichtemissionsdiodeneinheit und Verfahren zum Herstellen einer Lichtemissionsdiodeneinheit
USRE47011E1 (en) 2002-05-29 2018-08-28 Optolum, Inc. Light emitting diode light source
US6573536B1 (en) * 2002-05-29 2003-06-03 Optolum, Inc. Light emitting diode light source
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
DE10234995A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit thermischem Chipanschluß und Leuchtdiodenmodul
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
TWI237546B (en) * 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
DE10307800A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-02 Vishay Semiconductor Gmbh Halbleiterbauteil
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
EP2270887B1 (en) * 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
WO2004100220A2 (en) * 2003-05-05 2004-11-18 Optolum, Inc Light emitting diode light source
KR100566140B1 (ko) * 2003-05-14 2006-03-30 (주)나노팩 발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
DE10329081A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
US20040240209A1 (en) * 2003-06-02 2004-12-02 Snow Paul Raymond LED navigation lights
KR100550856B1 (ko) * 2003-06-03 2006-02-10 삼성전기주식회사 발광 다이오드(led) 소자의 제조 방법
EP1484802B1 (en) * 2003-06-06 2018-06-13 Stanley Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device
US6995389B2 (en) * 2003-06-18 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Heterostructures for III-nitride light emitting devices
US7019330B2 (en) * 2003-08-28 2006-03-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity light emitting device
US7482638B2 (en) * 2003-08-29 2009-01-27 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package for a semiconductor light emitting device
US8610145B2 (en) * 2003-09-30 2013-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
US6819506B1 (en) 2003-09-30 2004-11-16 Infinity Trading Co. Ltd. Optical lens system for projecting light in a lambertion pattern from a high power led light source
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
KR20050035638A (ko) * 2003-10-14 2005-04-19 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지
US6933535B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
WO2005059436A1 (en) * 2003-12-16 2005-06-30 1662801 Ontario Inc. Lighting assembly, heat sink and heat recovery system therefor
DE10361801A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI275189B (en) * 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
US7081644B2 (en) * 2004-02-06 2006-07-25 Barnes Group Inc. Overmolded lens on leadframe and method for overmolding lens on lead frame
US7210957B2 (en) * 2004-04-06 2007-05-01 Lumination Llc Flexible high-power LED lighting system
US7429186B2 (en) * 2004-04-06 2008-09-30 Lumination Llc Flexible high-power LED lighting system
WO2005109529A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting-diode chip package and a collimator
US6956247B1 (en) 2004-05-26 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
EP1751806B1 (de) * 2004-05-31 2019-09-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
TWM258416U (en) 2004-06-04 2005-03-01 Lite On Technology Corp Power LED package module
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US20050280016A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Mok Thye L PCB-based surface mount LED device with silicone-based encapsulation structure
JP2008504711A (ja) * 2004-06-29 2008-02-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
CN100569194C (zh) 2004-07-02 2009-12-16 迪斯卡斯牙科有限责任公司 具有改进的散热器的牙科发光装置
US7273369B2 (en) * 2004-07-02 2007-09-25 Discus Dental, Llc Curing light
US20060018123A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-26 Rose Eric P Curing light having a reflector
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7201495B2 (en) * 2004-08-03 2007-04-10 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting device package with cover with flexible portion
US8733966B2 (en) 2004-08-20 2014-05-27 Mag Instrument, Inc. LED flashlight
DE102004051379A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung
KR100604469B1 (ko) * 2004-08-25 2006-07-25 박병재 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
DE102004042186B4 (de) * 2004-08-31 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7081667B2 (en) * 2004-09-24 2006-07-25 Gelcore, Llc Power LED package
JP4166206B2 (ja) * 2004-09-30 2008-10-15 共立エレックス株式会社 反射板及び発光ダイオード用パッケージ並びに発光ダイオード
DE102004051362A1 (de) * 2004-10-21 2006-04-27 Harvatek Corp. Gehäuseaufbau fotoelektrischer Halbleiter
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7119422B2 (en) * 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
CN1298059C (zh) * 2004-11-29 2007-01-31 深圳市淼浩高新科技开发有限公司 一种镶嵌式功率型led光源的封装结构
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
KR100579397B1 (ko) * 2004-12-16 2006-05-12 서울반도체 주식회사 리드프레임과 직접 연결된 히트싱크를 채택하는 발광다이오드 패키지
RU2355068C1 (ru) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTING COMBUSTION WITH A REFRIGERATOR BODY HOLDERING, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT DIODE SEALING THEREFOR AND BY THE PROCESS MANUFACTURED LIGHT DIODE SEALING
KR100646093B1 (ko) * 2004-12-17 2006-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same
US7296916B2 (en) * 2004-12-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
TWI287607B (en) * 2004-12-24 2007-10-01 Dawson Liu LED lighting device for AC power and the light-emitting unit therein
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
TW200635085A (en) * 2005-01-20 2006-10-01 Barnes Group Inc LED assembly having overmolded lens on treated leadframe and method therefor
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型led
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
KR100631903B1 (ko) 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법
US7405433B2 (en) * 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7804100B2 (en) * 2005-03-14 2010-09-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarization-reversed III-nitride light emitting device
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
TWD120108S1 (zh) * 2005-03-31 2007-11-21 首爾半導體股份有限公司 發光二極體
CA2614803C (en) 2005-04-05 2015-08-25 Tir Technology Lp Electronic device package with an integrated evaporator
US20080278954A1 (en) * 2005-04-05 2008-11-13 Tir Systems Ltd. Mounting Assembly for Optoelectronic Devices
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
US20060261359A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Hsien-Jung Huang Heat sink for light emitting diode bulb
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
TWI260798B (en) * 2005-05-02 2006-08-21 Ind Tech Res Inst Highly heat-dissipating light-emitting diode
TWD114617S1 (zh) * 2005-05-10 2006-12-21 首爾半導體股份有限公司 發光二極體
WO2006127100A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 Dow Corning Corporation Process and silicone encapsulant composition for molding small shapes
US7105863B1 (en) 2005-06-03 2006-09-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source with improved life
CN100421269C (zh) * 2005-06-03 2008-09-24 邢陈震仑 一种低热阻的发光二极管封装装置
US7348212B2 (en) * 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
US7736945B2 (en) * 2005-06-09 2010-06-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
JP2009502024A (ja) * 2005-06-27 2009-01-22 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US20060292747A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
TWI287300B (en) * 2005-06-30 2007-09-21 Lite On Technology Corp Semiconductor package structure
KR100628987B1 (ko) * 2005-07-28 2006-09-27 금산전자 주식회사 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법
KR100632003B1 (ko) * 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지
JP4945106B2 (ja) * 2005-09-08 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US7535031B2 (en) 2005-09-13 2009-05-19 Philips Lumiled Lighting, Co. Llc Semiconductor light emitting device with lateral current injection in the light emitting region
US7986112B2 (en) 2005-09-15 2011-07-26 Mag Instrument, Inc. Thermally self-stabilizing LED module
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
US20070076412A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Light source with light emitting array and collection optic
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
US7543959B2 (en) * 2005-10-11 2009-06-09 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
TWI313072B (en) * 2005-10-18 2009-08-01 Young Lighting Technology Corporatio Light emitting diode package
US20070102718A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Akira Takekuma Lens in light emitting device
WO2007058438A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Amosense Co., Ltd. Electronic parts packages
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
WO2007075143A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Lam Chiang Lim High power led housing removably fixed to a heat sink
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
US20070165392A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Edison Opto Corporation Light emitting diode structure
RU2008133603A (ru) * 2006-01-16 2010-02-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Светоизлучающее устройство с eu-содержащим кристаллофосфором
WO2007080555A1 (en) 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
US20090146175A1 (en) * 2006-01-17 2009-06-11 Maneesh Bahadur Thermal stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
US7528422B2 (en) * 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7705365B2 (en) * 2006-01-24 2010-04-27 Denso Corporation Lighting device and light emitting module for the same
WO2007089340A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-09 Dow Corning Corporation Impact resistant optical waveguide and method of manufacture thereof
EP1816688B1 (en) * 2006-02-02 2016-11-02 LG Electronics Inc. Light emitting diode package
KR101235460B1 (ko) * 2006-02-14 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
WO2007100445A2 (en) * 2006-02-24 2007-09-07 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
TWI289947B (en) * 2006-03-17 2007-11-11 Ind Tech Res Inst Bendable solid state planar light source, a flexible substrate therefor, and a manufacturing method therewith
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20070236956A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Gelcore, Llc Super bright LED power package
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US20070259576A1 (en) * 2006-05-03 2007-11-08 Brandt Bruce B Metal carrier for LEDs in composite lamps
US7805048B2 (en) * 2006-05-10 2010-09-28 Cree, Inc. Methods and apparatus for directing light emitting diode output light
US7906357B2 (en) * 2006-05-15 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. P-type layer for a III-nitride light emitting device
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
WO2007144809A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP2010502014A (ja) * 2006-08-23 2010-01-21 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
TW200814362A (en) * 2006-09-13 2008-03-16 Bright Led Electronics Corp Light-emitting diode device with high heat dissipation property
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US8067778B2 (en) 2006-09-28 2011-11-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode package
DE102006046301A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements
US20090086491A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ruud Lighting, Inc. Aerodynamic LED Floodlight Fixture
US7952262B2 (en) * 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US7686469B2 (en) 2006-09-30 2010-03-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
KR100803161B1 (ko) * 2006-09-30 2008-02-14 서울반도체 주식회사 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를채용한 발광 소자
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Led 시스템 및 방법
TWI311824B (en) * 2006-10-02 2009-07-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package structure
DE102006048230B4 (de) * 2006-10-11 2012-11-08 Osram Ag Leuchtdiodensystem, Verfahren zur Herstellung eines solchen und Hinterleuchtungseinrichtung
TWD124443S1 (zh) * 2006-10-30 2008-08-21 首爾半導體股份有限公司 發光二極體
JP2010508652A (ja) 2006-10-31 2010-03-18 ティーアイアール テクノロジー エルピー 照明デバイスパッケージ
CN101622493A (zh) * 2006-12-04 2010-01-06 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
KR100947454B1 (ko) * 2006-12-19 2010-03-11 서울반도체 주식회사 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지
US7663148B2 (en) * 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
US20080149946A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light
DE102007002916A1 (de) 2007-01-19 2008-07-24 High Power Lighting Corp., Zhonghe Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur und deren Herstellungsverfahren
TWI367573B (en) * 2007-01-31 2012-07-01 Young Lighting Technology Inc Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TW200834968A (en) * 2007-02-13 2008-08-16 Harvatek Corp Method of making light-emitting diode structure with high heat dissipation effect and structure made thereby
US20080218998A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
US7618163B2 (en) * 2007-04-02 2009-11-17 Ruud Lighting, Inc. Light-directing LED apparatus
US20080258167A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Liu Ming-Dah Package structure for light-emitting elements
US20080295522A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 David Allen Hubbell Thermo-energy-management of solid-state devices
DE102007025749A1 (de) * 2007-06-01 2008-12-11 Wacker Chemie Ag Leuchtkörper-Silicon-Formteil
USD576575S1 (en) * 2007-06-14 2008-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source of light emitting diode
WO2008152563A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Accurate light source - optics positioning system and method
US7638814B2 (en) * 2007-06-19 2009-12-29 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Solderless integrated package connector and heat sink for LED
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
USD576574S1 (en) * 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
USD576569S1 (en) * 2007-07-25 2008-09-09 Prolight Opto Technology Corporation Light emitting diode
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
TWI352439B (en) * 2007-09-21 2011-11-11 Lite On Technology Corp Light emitting diode packaging device, heat-dissip
TWI358110B (en) * 2007-10-26 2012-02-11 Lite On Technology Corp Light emitting diode
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光元件及其製作方法
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
CN101431132B (zh) * 2007-11-07 2012-04-25 光宝科技股份有限公司 发光二极管
KR20090055272A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 Led패키지, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 백라이트어셈블리
US7928448B2 (en) 2007-12-04 2011-04-19 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device including porous semiconductor layer
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US20090173956A1 (en) 2007-12-14 2009-07-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact for a semiconductor light emitting device
US8692286B2 (en) 2007-12-14 2014-04-08 Philips Lumileds Lighing Company LLC Light emitting device with bonded interface
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
TW200928203A (en) * 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD586765S1 (en) * 2008-01-31 2009-02-17 Lg Electronics Inc. Light-emitting diode
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US20090208894A1 (en) * 2008-02-18 2009-08-20 Discus Dental, Llc Curing Light
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ledランプモジュール
CN101547544A (zh) * 2008-03-24 2009-09-30 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 照明装置
DE102008016534A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US9423096B2 (en) 2008-05-23 2016-08-23 Cree, Inc. LED lighting apparatus
US8348475B2 (en) 2008-05-23 2013-01-08 Ruud Lighting, Inc. Lens with controlled backlight management
US8388193B2 (en) 2008-05-23 2013-03-05 Ruud Lighting, Inc. Lens with TIR for off-axial light distribution
US7766514B2 (en) * 2008-06-05 2010-08-03 Hon-Wen Chen Light emitting diode lamp with high heat-dissipation capacity
US7841750B2 (en) 2008-08-01 2010-11-30 Ruud Lighting, Inc. Light-directing lensing member with improved angled light distribution
US9022612B2 (en) * 2008-08-07 2015-05-05 Mag Instrument, Inc. LED module
TWI384651B (zh) * 2008-08-20 2013-02-01 Au Optronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20100058837A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US7841747B2 (en) * 2008-12-11 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
MY154281A (en) * 2008-12-17 2015-05-29 Mass Technology Hk Ltd Led reflector lamp
KR101053049B1 (ko) * 2008-12-17 2011-08-01 삼성엘이디 주식회사 엘이디 패키지
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8169165B2 (en) 2009-01-14 2012-05-01 Mag Instrument, Inc. Multi-mode portable lighting device
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US9247598B2 (en) * 2009-01-16 2016-01-26 Mag Instrument, Inc. Portable lighting devices
DE102009007496A1 (de) * 2009-02-05 2010-08-19 E:Cue Control Gmbh Lampe
US8106403B2 (en) * 2009-03-04 2012-01-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. III-nitride light emitting device incorporation boron
US8084777B2 (en) * 2009-03-24 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light emitting diode source with protective barrier
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
US20110084612A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 General Led, Inc., A Delaware Corporation Hybrid chip-on-heatsink device and methods
TW201117428A (en) * 2009-11-12 2011-05-16 Ind Tech Res Inst Method of manufacturing light emitting diode packaging
US8410512B2 (en) * 2009-11-25 2013-04-02 Cree, Inc. Solid state light emitting apparatus with thermal management structures and methods of manufacturing
EP2854187B1 (en) * 2010-01-29 2018-03-07 Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. LED device, method of manufacturing the same, and light-emitting apparatus
TWI413742B (zh) * 2010-02-09 2013-11-01 Ambrite Internation Co With the promotion of luminous and thermal efficiency of the light-emitting diode structure and its LED lamps
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
TW201207568A (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Heat dissipation structure of LED light source
US8079139B1 (en) * 2010-08-27 2011-12-20 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Method for producing electro-thermal separation type light emitting diode support structure
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI423489B (zh) * 2010-10-29 2014-01-11 Foshan Nationstar Optoelectronics Co Ltd Surface mount power type LED bracket manufacturing method and product thereof
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
US8257988B1 (en) 2011-05-17 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of making light emitting diodes
US8258636B1 (en) 2011-05-17 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc High refractive index curable liquid light emitting diode encapsulant formulation
JP5682497B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
US8455607B2 (en) 2011-08-17 2013-06-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Curable liquid composite light emitting diode encapsulant
US8450445B2 (en) 2011-08-17 2013-05-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Light emitting diode manufacturing method
CN102324426A (zh) * 2011-09-30 2012-01-18 深圳市灏天光电有限公司 一种新型大功率led封装结构
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
EP2620988A1 (de) * 2012-01-26 2013-07-31 Basf Se Transparente Polyurethane als Einbettung für opto-elektronische Bauteile
US9541258B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for wide lateral-angle distribution
US10408429B2 (en) 2012-02-29 2019-09-10 Ideal Industries Lighting Llc Lens for preferential-side distribution
US9541257B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for primarily-elongate light distribution
USD697664S1 (en) 2012-05-07 2014-01-14 Cree, Inc. LED lens
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
US9062873B2 (en) 2012-07-30 2015-06-23 Ultravision Technologies, Llc Structure for protecting LED light source from moisture
US8870410B2 (en) 2012-07-30 2014-10-28 Ultravision Holdings, Llc Optical panel for LED light source
USD686364S1 (en) * 2012-10-19 2013-07-16 So Bright Electronics Co., Ltd. LED lens
CN103077663A (zh) * 2013-01-05 2013-05-01 王知康 一种全天候适用的高亮度单片式led显示芯片
USD718490S1 (en) 2013-03-15 2014-11-25 Cree, Inc. LED lens
EP3022249A1 (en) 2013-07-19 2016-05-25 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Encapsulation material for light emitting diodes
US9523479B2 (en) 2014-01-03 2016-12-20 Cree, Inc. LED lens
US10385234B2 (en) 2014-07-29 2019-08-20 AZ Electronics Materials (LUXEMBOURG) S.Á.R.L. Hybrid material for use as coating means in optoelectronic components
US10516084B2 (en) 2014-10-31 2019-12-24 eLux, Inc. Encapsulated fluid assembly emissive elements
JP2016162725A (ja) * 2015-03-05 2016-09-05 株式会社東芝 照明装置
JP2018534400A (ja) 2015-10-30 2018-11-22 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ シラザン−シロキサンコポリマーを製造する方法、およびそのコポリマーの使用
MY190543A (en) 2016-02-15 2022-04-27 Merck Patent Gmbh Silazane-siloxane random copolymers, their production and use
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
TWI730145B (zh) 2016-07-18 2021-06-11 德商馬克專利公司 Led 封裝材料配方
CN109564961A (zh) 2016-07-18 2019-04-02 Az电子材料(卢森堡)有限公司 用于led封装材料的制剂
CN106374333B (zh) * 2016-11-07 2019-01-15 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种二极管泵浦激光模块封装方法
WO2018138546A1 (en) * 2017-01-25 2018-08-02 Afinitica Technologies, S. L. Article comprising a batteryless light source and a photocurable composition
US10468566B2 (en) 2017-04-10 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Hybrid lens for controlled light distribution
US20190049512A1 (en) * 2017-08-09 2019-02-14 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd SYSTEMS AND METHODS FOR SIMPLIFYING INTEGRATION OF LEDs INTO MULTIPLE APPLICATIONS
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
WO2019233945A1 (en) 2018-06-05 2019-12-12 Merck Patent Gmbh Method and polymer composition for preparing optoelectronic devices
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
CN118339666A (zh) 2021-09-28 2024-07-12 亮锐有限责任公司 具有分离的散热器和参考部分的led模块、前灯以及制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154483A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 Nec Corp 光半導体装置
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JPH09270537A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Nichia Chem Ind Ltd 光電変換装置
JPH10261821A (ja) * 1997-01-15 1998-09-29 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3019239A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Umhuellung fuer halbleiterbauelement
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
JPH01253288A (ja) * 1988-04-01 1989-10-09 Hitachi Ltd 光モジュール用ledコリメータ
ES2150409T3 (es) * 1989-05-31 2000-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedimiento para montar un opto-componente que se puede montar sobre una superficie.
DE69124822T2 (de) * 1990-04-27 1997-10-09 Omron Tateisi Electronics Co Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Fresnel-Linse
US5327443A (en) * 1991-10-30 1994-07-05 Rohm Co., Ltd. Package-type semiconductor laser device
US5608267A (en) * 1992-09-17 1997-03-04 Olin Corporation Molded plastic semiconductor package including heat spreader
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
US5514627A (en) * 1994-01-24 1996-05-07 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes
JPH07297479A (ja) * 1994-04-27 1995-11-10 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP3187280B2 (ja) * 1995-05-23 2001-07-11 シャープ株式会社 面照明装置
JPH08330635A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Canon Inc 発光装置
JP2885745B2 (ja) * 1996-12-17 1999-04-26 新潟日本電気株式会社 静電式インクジェット記録ヘッド
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JPH11103097A (ja) * 1997-07-30 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154483A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 Nec Corp 光半導体装置
JPH07202271A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JPH09270537A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Nichia Chem Ind Ltd 光電変換装置
JPH10261821A (ja) * 1997-01-15 1998-09-29 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943433B2 (en) 2002-03-06 2005-09-13 Nichia Corporation Semiconductor device and manufacturing method for same
JP2004221598A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Lumileds Lighting Us Llc Ledアセンブリの正確なアラインメント
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
US7994526B2 (en) 2003-05-28 2011-08-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
US8823036B2 (en) 2003-05-28 2014-09-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
JP2006529058A (ja) * 2003-05-28 2006-12-28 ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ 少なくとも2個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム
DE102004063978B4 (de) 2003-07-17 2019-01-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
US7391153B2 (en) 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
JP2012019239A (ja) * 2003-12-19 2012-01-26 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ledパッケージ組立体
KR100643582B1 (ko) 2004-04-26 2006-11-10 루미마이크로 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100707958B1 (ko) * 2004-07-20 2007-04-18 두림시스템 주식회사 표면실장형 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
CN101521256B (zh) * 2004-09-10 2011-04-13 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
US7855395B2 (en) 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
KR100678848B1 (ko) 2004-10-07 2007-02-06 서울반도체 주식회사 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7901113B2 (en) 2004-10-07 2011-03-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7748873B2 (en) 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
KR101161396B1 (ko) * 2004-12-07 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
JP2010028149A (ja) * 2005-05-30 2010-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ledパッケージの製造方法
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR101186644B1 (ko) 2005-06-27 2012-09-28 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
JP2014030051A (ja) * 2006-04-21 2014-02-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 集積電子構成要素を有する半導体発光装置
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
US8674380B2 (en) 2006-08-29 2014-03-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and plural phosphors for emitting different wavelengths of light
JP2008098600A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Alti Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
JP2020537360A (ja) * 2017-10-16 2020-12-17 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 電子及び光電子デバイスのための窒化アルミニウム基板の電気化学的除去

Also Published As

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