JP2000133822A

JP2000133822A - 光半導体装置

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Publication number: JP2000133822A
Application number: JP10305818A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kunii; 秀雄国井; Kiyoshi Takada; 清高田; Akira Ochiai; 公落合; Hiroshi Inoguchi; 浩井野口; Tsutomu Ishikawa; 勉石川; Satoshi Sekiguchi; 智関口; Hiroshi Kobori; 浩小堀
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1998-10-27
Filing date: 1998-10-27
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子や受光素子の外形をできる限り薄く
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。【解決手段】発光素子、受光素子として半導体チップ
２１があり、これらを封止する樹脂封止体２４は、光に
対して透明となる材料で成る。また光が素子から発光さ
れる領域上、光が素子に入射される領域上には、凹部２
５が形成され、ここに反射面２６を構成する。その結果
光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能となる。側面の
形状によって、広い感度領域を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置およ
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。

【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。

【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。

【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図９は、特公平７−２
８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形のプ
リズム３が半導体基板２に固定されている。なお４は、
光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向しているプ
リズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板２と
対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素子）７
以外の部分が、また面６と対向しているプリズム面８
は、共に反射面となっている。

【０００６】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。

【０００７】一方、図１０は、赤外線データ通信モジュ
ール１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフ
ォトダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基
板に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述のモジュールに於
いて、図９では半導体基板の上方に光学機器が実装され
るため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価と
なる問題があった。

【０００９】また図１０では、モールド体の上で光の出
し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光半導体装
置をセットする必要があるため、これらを組み込んだセ
ットは、厚みを有し小型化が実現できない問題があっ
た。

【００１０】また図１０で光の出し入れを水平方向にし
ようとすれば、図１１のように光半導体装置１１のリー
ド１６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１
の曲げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、
安定性に問題があった。

【００１１】また、従来の光半導体装置は半導体基板に
対して垂直方向のみにしか光の授受ができなかった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、受光素子もしくは／及び発光素子を有する
半導体チップを封止する、少なくとも所定波長の光に対
して透明な封止体とを有し、前記封止体は、前記半導体
チップの上方に、反射面が形成された凹部を有する円筒
部を有し、光の光路は、前記円筒部に入射、もしくは前
記円筒部から発射し、前記封止体内を通過し、前記反射
面で反射される光半導体装置である。

【００１３】また、円筒部の側面は、鏡面処理が成され
ていることを特徴とする光半導体装置である。

【００１４】また、封止体の円筒部ではない部分に、受
光素子もしくは／及び発光素子を駆動する駆動回路が封
止され、駆動回路に接続されるリードを有し、このリー
ドは受光素子もしくは／及び発光素子とは、駆動回路を
隔てて形成されていることを特徴とする光半導体装置で
ある。

【００１５】また、駆動回路は、受光素子もしくは／及
び発光素子と同心円状に形成され、駆動回路に接続され
るリードを有し、このリードは円筒部より放射状に形成
されていることを特徴とする光半導体装置である。

【００１６】また、駆動回路は、前記受光素子もしくは
／及び発光素子と同心円状に形成され、駆動回路に接続
される電極を有し、この電極は光半導体装置の下面に形
成されていることを特徴とする光半導体装置である。

【００１７】また、円筒部に、所定の曲率を有する曲面
が形成されていることを特徴とする光半導体装置であ
る。

【００１８】また、凹部には、前記封止体と屈折率の異
なる上面レンズが形成され、上面レンズの上方から入射
する光も前記受光面に入射する、もしくは前記発光素子
より発射された光の一部は前記上面レンズより発射され
ることを特徴とする光半導体装置である。

【００１９】また、凹部は、実質水平面である底面を有
することを特徴とする光半導体装置である。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施形態に
ついて、図１を参照しながら説明する。図１（ａ）は、
光半導体装置の平面図、図１（ｂ）は、前記平面図のＡ
−Ａ線に於ける断面図、図１（ｃ）は、前記平面図のＢ
−Ｂ線に於ける断面図である。図１（ｄ）は、本実施形
態の光半導体装置の形状を理解するための斜視図であ
る。

【００２１】２１と２２は半導体チップである。半導体
チップ２１には、フォトダイオードなどの受光素子であ
って、半導体チップ２２は半導体チップ２１の駆動回路
である。半導体チップ２１は、例えば赤外ＬＥＤの発光
素子であってもよく、また、受光素子と発光素子が両方
形成されていても良い。以下では、受光素子として説明
を行うが、発光素子であっても全く同様である。さら
に、受光素子２１とその駆動回路２２は一体で形成され
ていてももちろん良い。

【００２２】２３はリードである。リード２３は、例え
ばＣｕよりなり、半導体チップ２１もしくは２２の所定
領域に設けられた図示しないボンディングパッドと、図
示しない金属細線または半田などによって結線されてい
る。

【００２３】半導体チップ２１、２２と、リード２３の
一端は、封止体２４によって封止されている。ここで封
止材としては、例えば透明なエポキシ樹脂のような、光
に対して透明な物質であればよく、材料は特に選ばな
い。また、ＬＥＤでは、一般的に赤外線を用いるので、
この赤外線を透過すればよく、可視光に対して必ずしも
透明である必要はない。つまり、所定の光に対して少な
くとも透明であればよい。そして、この封止体２４に
は、反射面２６を有する凹部２５が形成されている。

【００２４】本発明の特徴は、前記反射面２６にあり、
この反射面２６は封止体２４に凹部２５を形成すること
で構成され、これにより矢印で示すように封止体２４の
側面からの光の入射が可能となる。

【００２５】一般には、発光部や受光部を構成する半導
体チップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半
導体装置となるため、これを使用したモジュールやセッ
トは、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかもこ
の上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が
難しかった。しかし封止体の凹部２５の一部分である反
射面２６により、封止体の側面から光の出し入れが可能
となるため、プリズムは不要である。従って装置自身の
厚みを薄くすることができる。しかも従来の光半導体装
置はレンズの指向している方向のみ（レンズによっては
若干広くはなるが）にしか感度を有しない。

【００２６】これに対し本実施形態の光半導体装置は、
反射面２６の形状が、図示するように、凹部２５は円錐
をくりぬいた形、すり鉢状になっており、封止体２４の
凹部２５周辺は、円筒形に高く形成されている円筒部２
７になっている。円筒部２７の側面と、反射面２６は鏡
面処理がなされ、円筒部２７に入射した光は、反射面２
６に反射され、半導体チップ２１に入射する。従って、
光半導体装置の水平方向（図１（ａ）における紙面の方
向）より円筒部２７に入射する光は、どの方向から入射
しても半導体チップ２１に入射する。

【００２７】半導体チップ２１、２２を保持する基板の
厚さは、約１２５μｍで、半導体チップ２１、２２の厚
みは、例えば２５０μｍ〜３００μｍ程度である。また
封止体２４は、例えばトランスファーモールドにより成
され、全体の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であ
る。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる事
は言うまでもない。ここで凹部２５は、半導体チップを
露出することなく、反射面が構成されればよく、例えば
厚みの半分程度、ここでは７５０μｍ程度の深さを有
し、少なくとも反射面２６を構成する部分は４５°に成
っている。円筒部２７の高さは、凹部２５の深さと同程
度ないしは少し高く形成する。これにより、円筒部２７
に水平に入射した光は、反射面２６によって反射され、
半導体チップ２１に到達する。封止体２４の円筒部２７
が形成されていない領域は、半導体チップ２２が露出し
ない程度に薄く形成する。この場合は、全体の厚みの半
分程度、７５０μｍとした。

【００２８】反射面２６は、界面の両側の空気と透明樹
脂の屈折率の違いにより、反射面となる。しかし全ての
光が反射されるわけではないので、より反射率を高める
ために、反射面に金属被膜を形成しても良い。この被膜
方法としては、半導体技術で使用される蒸着、スパッタ
成膜が考えられ、またその他には、メッキが考えられ
る。ここで注意を要する所は、封止体２４に形成された
被膜材料との短絡である。前者の二つの被膜方法では、
リードの周辺や、光が入射する円筒部２７側面などに、
マスクを必要とする。また例えば無電解メッキで、溶液
の中に全体をディップする場合は、導出する部分のリー
ド２２、その導出部周囲の封止体２４の部分に樹脂を塗
り、その後でメッキし、この樹脂を取り除けばよい。ま
たディップ以外では、この溶液を凹部の部分のみに滴下
してメッキさせても良い。金属材料としては、金、Ａ
ｌ、ニッケル等が考えられる。

【００２９】また、上述のように、反射面２６は、光を
全反射するわけではなく、一部を透過する。このこと
は、逆に言えば、光半導体装置に垂直に入射した光も、
受光素子に入射させることができることを意味する。

【００３０】リード２３は前述のようにＣｕ等の金属で
形成されるため、光を反射する。この反射光による誤動
作を防止するため、リード２３は、受光部２１や、光が
入射する円筒部２７側面からはできるだけ離して設置す
ると良い。例えば、受光部２１とは、駆動回路２２をは
さみ、その反対側にリード２３を設置する。

【００３１】次に本発明の第２の実施形態について図２
を参照しながら説明する。図２の光半導体装置は、反射
面２６の角度が４５゜よりも浅く、例えば受光面に対し
て４０゜で形成されている点が第１の実施形態と異なっ
ている。反射面２６が４５゜であった場合、光半導体装
置に水平に入射した光は、反射面２６によって、垂直方
向に反射され、反射面２６の直下に位置する受光素子が
これを感知する。これに対して、反射面２６を浅く形成
することによって、反射面２６による反射光は、図中に
矢印で示すように、半導体チップ２１の中央部に集光さ
れるので、受光素子をより小さくすることができる。ま
た、一般的に反射面に対して光の入射角が浅くなると、
反射率が上がり、ある一定の角度を境界として全反射と
なる。全反射となっていない時は、入射光の一部は、反
射面２６を透過してしまい、受光素子には入射しない。
従って、反射面２６の角度を浅く形成することによっ
て、反射面２６の反射率をより高くすることができ、光
半導体装置の感度をより高くすることができる。また、
光半導体装置に垂直方向に入射する光に対しては、逆に
反射率が下がるので、より多くの光を透過し、垂直方向
の光に対しても感度を高くすることができる。

【００３２】次に本発明の第３の実施形態について図３
を参照しながら説明する。図３の光半導体装置は、反射
面２６を有する凹部２５の開口部が方形をしている点が
第１の実施形態と異なっている。凹部２５は４つの辺に
沿って反射面２６を有している。本実施形態の光半導体
装置は、反射面２６の方向、４方向に中心的な感度領域
を持っており、その他の方向には、感度が低い。本実施
形態の光半導体装置は、光半導体装置に入射する光が所
定方向に限定されている場合などに有用である。図は省
略するが、凹部２５の形状は、同様に、三角形、台形、
６角形など、感度領域を持たせたい方向によって、様々
に設定できる。これらの光半導体装置は、反射面２６の
向いていない方向から入射する不要な光ノイズの受光領
域への入射を防止することができる。また、封止体２４
の側面には曲面を設け、レンズとしての機能を追加して
もよく、また、従来の光半導体装置に設置されているよ
うなレンズを設けても良い。

【００３３】次に本発明の第４の実施形態について図４
を参照しながら説明する。図４の光半導体装置は、受光
部もしくは／及び発光部を有する半導体チップ２１の周
囲に同心円状に駆動回路２２を形成し、リード２３は光
半導体装置の周囲に放射状に配置したものである。もち
ろん半導体チップ２１、２２は、一体であっても良い。
封止体２４は、円筒形であり、光の入射もしくは発射
は、封止体２４の側面から放射状に成される。このよう
に形成することにより、光半導体装置がより小型化され
ると共に、全周の光の入射条件がほぼ等しくなるので、
入射方向による光半導体装置の感度のばらつきが少な
い。駆動回路に接続されるリード２３は、封止体の外周
から放射状に形成されており、リード２３による光の反
射の影響を分散すると共に、光半導体装置の感度のばら
つきを低減している。

【００３４】次に本発明の第５の実施形態について図５
を参照しながら説明する。図５の光半導体装置は、ＣＳ
Ｐ（Chip size package）、例えば、ＰＧＡ（Pin Grid
Array）や、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land
Grid Array）などの、半導体チップの下面から電極を
取り出すパッケージ方法を用いて形成するものである。
半導体チップ２１、２２は、第４の実施形態と同様に同
心円状に形成されている。光半導体装置下面には、リー
ド２３に代わって電極２８が形成され、半導体チップ２
１、２２の所定位置に電気的に接続されている。図で
は、ＢＧＡを例示して、半球状の電極２８を描いたが、
もちろんＰＧＡであれば電極はピン形状であり、ＬＧＡ
であれば格子状電極となる。図４のように、リード２３
を放射状に形成すると、ここにおける光の反射が光半導
体装置の誤動作を引き起こす場合がある。そこで、ＣＳ
Ｐを用いる利点は、リード２３を形成するよりも光半導
体装置が小型化できることはもちろんであるが、電極２
８を光半導体装置の下面に形成することによって、光の
反射による誤動作が防止される点にある。図４の光半導
体装置は、光の光路によって、リード２３上を通る場合
と、リード２３がない所を通る場合とがあり、これによ
って、侵入方向によって、光半導体装置の感度にばらつ
きが生じる恐れがある。これに対しＣＳＰを用いた図５
の光半導体装置は、どのような角度から来た光に対して
も同じ感度を有する。

【００３５】また、半導体チップ２１、２２は、図５の
形状に限らず、例えば方形などでももちろん良い。さら
に、図６に示すように、受光部を有する半導体チップ２
１を上にして、駆動回路を有する半導体チップを下に、
立体的に配置してもよい。

【００３６】また、封止体２４には、図７に示すよう
に、光路上を曲面に形成し、側部レンズ２９とすると、
入射する光が集光され、より受光感度が向上する。側部
レンズ２９は、円筒部２７の周囲に均等に形成される。
なお、図７は、第５の実施形態に側部レンズ２９を形成
した図であるが、側部レンズ２９は、もちろん第１乃至
第４の実施形態の光半導体装置の円筒部２７の側面にも
形成できる。

【００３７】図８は、さらに上方からの光に対しても感
度を持つ光半導体装置である。前述したように、封止体
２４上に設けられた凹部２５の反射面２６は、封止体内
外の屈折率の違いによって、光を反射するものである。
図８の光半導体装置は、凹部２５を封止体２４とは異な
る反射率を有する透明物質で充填し、上部レンズ３０を
形成している。上部レンズ３０は封止体２４とは屈折率
が異なるので、側面から入射してきた光は、反射面２６
で反射される。反射面２６は第２の実施形態で説明した
ように、角度を浅く形成してあるので、側面から入射す
る光は、侵入角度が小さく、反射率が高い。一方、上方
から入射した光は、上面レンズ３０によって集光され、
反射面２６を透過して半導体チップ２１に入射する。上
方から入射した光の一部は、もちろん反射面２６によっ
て反射されるが、反射面２６は角度を浅くして形成して
あるので、上方から入射した光は、侵入角度が大きく、
反射率は低い。

【００３８】また、反射面２６の下端には、凹部の底部
２５ａが形成されている。凹部２５ａは実質水平である
ので、上方からの光があまり反射されず、従って、垂直
方向の光に対して、より感度が高い。

【００３９】上部レンズ３０及び底部２５ａは、上記第
１の実施形態乃至第５の実施形態の光半導体装置に形成
してもよく、その場合においても同様の効果を有する。

【００４０】本発明の光半導体装置の形状は、上記に例
示したものにとらわれず、様々に変形することが可能で
ある。また、それぞれの実施形態に例示した光半導体装
置の特徴を併せ持つ光半導体装置の実施ももちろん可能
である。

【００４１】

【発明の効果】以上に述べたように、本発明は、受光素
子もしくは／及び発光素子を有する半導体チップと、前
記半導体チップを封止する、少なくとも所定波長の光に
対して透明な封止体とを有し、前記封止体は、前記半導
体チップの上方に円筒部を有し、前記封止体の円筒部上
に設けられる凹部と、前記凹部に、前記受光素子の受光
面もしくは前記発光素子の発光面の垂線と所定の角度で
交差する反射面とを有し、前記受光素子に入射する、も
しくは前記発光素子から発射する光の少なくとも一部の
光路は、前記円筒部に入射、もしくは前記円筒部から発
射し、前記封止体内を通過し、前記反射面で反射される
光半導体装置であるので、水平方向より入射する光に対
し、全周にわたって感度を有する、もしくは、光を発射
できる光半導体装置である。

【００４２】さらに、請求項２に記載の発明は、円筒部
の側面は、鏡面処理が成されているので、円筒部側面に
おける光の乱反射が少なく、光の損失が少ないので、よ
り高い感度を有する、もしくは、より強い光を発射でき
る。

【００４３】さらに、請求項３に記載の発明は、封止体
の、円筒部ではない部分に、受光素子もしくは／及び前
記発光素子を駆動する駆動回路が封止され、駆動回路も
しくは、前記受光素子もしくは／及び発光素子に電気的
に接続されるリードは、前記受光素子もしくは／及び発
光素子とは、前記駆動回路を隔てて形成されているの
で、リードにおける光の反射による装置の誤動作もしく
は通信エラーを防止することができる。

【００４４】さらに、請求項４に記載の発明は、受光素
子もしくは／及び発光素子を駆動する駆動回路は、受光
素子もしくは／及び発光素子と同心円状に形成され、駆
動回路もしくは、受光素子もしくは／及び発光素子に電
気的に接続されるリードは、円筒部より放射状に形成さ
れているので、リードにおける光の反射を分散させ、装
置の誤動作もしくは通信エラーを防止することができ
る。

【００４５】さらに、請求項５に記載の発明は、受光素
子もしくは／及び発光素子を駆動する駆動回路は、受光
素子もしくは／及び発光素子と同心円状に形成され、駆
動回路もしくは、前記受光素子もしくは／及び発光素子
に電気的に接続される電極は光半導体装置の下面に形成
されているので、リードにおける光の反射による装置の
誤動作もしくは通信エラーを防止することができる。ま
た、装置の実相面積を縮小することができる。

【００４６】さらに、請求項６に記載の発明は、円筒部
の側面で、光路上にある部分に、所定の曲率を有する曲
面が形成されているので、光が集光され、より高い感度
を有する、もしくは、より強い光を発射できる。

【００４７】さらに、請求項７に記載の発明は、凹部に
封止体と屈折率の異なる上面レンズが形成され、上面レ
ンズの上方から入射する光も受光面に入射する、もしく
は発光素子より発射された光の一部は上面レンズより発
射されるので、装置上面に対して、より高い感度を有す
る、もしくは、より強い光を発射できる。

【００４８】さらに、請求項８に記載の発明は、凹部
は、実質水平面である底面を有するので、装置上面に対
して、より高い感度を有する、もしくは、より強い光を
発射できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図２】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図３】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図４】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図５】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図６】本発明の実施の形態である光半導体装置の断面
図である。

【図７】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図８】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図９】従来の光半導体装置の説明図である。

【図１０】従来の光半導体装置の概略図である。

【図１１】従来の光半導体装置をサーキットボードに取
り付けた図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者落合公大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者井野口浩大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者石川勉大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者関口智大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者小堀浩大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA06 AA14 AA31 AA47 CB32 CB33 DA17 DA44 DA57 DA83 FF14 5F088 AA03 BA01 BA03 BA15 BA20 BB01 CB06 CB07 CB20 EA07 EA09 JA02 JA06 JA20 KA01 KA02 LA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】受光素子もしくは／及び発光素子を有す
る半導体チップと、前記半導体チップを封止する、少な
くとも所定波長の光に対して透明な封止体とを有し、前
記封止体は、前記半導体チップの上方に円筒部を有し、
前記封止体の円筒部上に設けられる凹部と、前記凹部
に、前記受光素子の受光面もしくは前記発光素子の発光
面の垂線と所定の角度で交差する反射面とを有し、前記
受光素子に入射する、もしくは前記発光素子から発射す
る光の少なくとも一部の光路は、前記円筒部に入射、も
しくは前記円筒部から発射し、前記封止体内を通過し、
前記反射面で反射される光半導体装置。
【請求項２】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記円筒部の側面は、鏡面処理が成されていること
を特徴とする光半導体装置。
【請求項３】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記封止体の、前記円筒部ではない部分に、前記受
光素子もしくは／及び前記発光素子を駆動する駆動回路
が封止され、前記駆動回路もしくは、前記受光素子もし
くは／及び発光素子に電気的に接続されるリードを有
し、前記リードは、前記受光素子もしくは／及び発光素
子とは、前記駆動回路を隔てて形成されていることを特
徴とする光半導体装置。
【請求項４】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記受光素子もしくは／及び発光素子を駆動する駆
動回路は、前記受光素子もしくは／及び発光素子と同心
円状に形成され、前記駆動回路もしくは、前記受光素子
もしくは／及び発光素子に電気的に接続されるリードを
有し、前記リードは、前記円筒部より放射状に形成され
ていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記受光素子もしくは／及び発光素子を駆動する駆
動回路は、前記受光素子もしくは／及び発光素子と同心
円状に形成され、前記駆動回路もしくは、前記受光素子
もしくは／及び発光素子に電気的に接続される電極を有
し、前記電極は光半導体装置の下面に形成されているこ
とを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記円筒部の側面で、光路上にある部分に、所定の
曲率を有する曲面が形成されていることを特徴とする光
半導体装置。
【請求項７】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記凹部には、前記封止体と屈折率の異なる上面レ
ンズが形成され、前記上面レンズの上方から入射する光
も前記受光面に入射する、もしくは前記発光素子より発
射された光の一部は前記上面レンズより発射されること
を特徴とする光半導体装置。
【請求項８】請求項１に記載の光半導体装置であっ
て、前記凹部は、実質水平面である底面を有することを
特徴とする光半導体装置。