JP2000077687A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄く
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
２３，２４があり、これらを封止する樹脂封止体２５
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝２７が形成され、ここに反射面２６を構成する。
その結果光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能とな
る。更には、吊りリードＴＬでアイランドを支えている
ので、光路の位置精度を向上できる。
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
２３，２４があり、これらを封止する樹脂封止体２５
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝２７が形成され、ここに反射面２６を構成する。
その結果光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能とな
る。更には、吊りリードＴＬでアイランドを支えている
ので、光路の位置精度を向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置およ
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図１５は、特公平７−
２８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レー
ザ１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形の
プリズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番
４は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向して
いるプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基
板２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
化が実現されていない。例えば、図１５は、特公平７−
２８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レー
ザ１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形の
プリズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番
４は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向して
いるプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基
板２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
【０００６】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
【０００７】一方、図１６は、赤外線データ通信モジュ
ール１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフ
ォトダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基
板に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。
ール１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフ
ォトダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基
板に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述のモジュールに於
いて、図１５では半導体基板の上方に光学機器が実装さ
れるため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価
となる問題があった。また図１６では、モールド体の上
で光の出し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光
半導体装置をセットする必要があるため、これらを組み
込んだセットは、厚みを有し小型化が実現できない問題
があった。
いて、図１５では半導体基板の上方に光学機器が実装さ
れるため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価
となる問題があった。また図１６では、モールド体の上
で光の出し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光
半導体装置をセットする必要があるため、これらを組み
込んだセットは、厚みを有し小型化が実現できない問題
があった。
【０００９】また図１６で光の出し入れを水平方向にし
ようとすれば、図１７のように光半導体装置１１のリー
ド１６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１
の曲げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、
安定性に問題があった。
ようとすれば、図１７のように光半導体装置１１のリー
ド１６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１
の曲げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、
安定性に問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、第１に、受光面を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂
線と所定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射
面とを有し、前記半導体チップを実装する基板を、リー
ドフレームの一構成要素であるアイランドより成し、こ
のアイランドの角部またはその近傍からアイランドの吊
りリードを延在させることで解決するものである。
みて成され、第１に、受光面を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂
線と所定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射
面とを有し、前記半導体チップを実装する基板を、リー
ドフレームの一構成要素であるアイランドより成し、こ
のアイランドの角部またはその近傍からアイランドの吊
りリードを延在させることで解決するものである。
【００１１】第２に、発光面を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、前記半導体チップを実装する基板を、リードフレ
ームの一構成要素であるアイランドより成し、このアイ
ランドの角部またはその近傍からアイランドの吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
前記半導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、前記半導体チップを実装する基板を、リードフレ
ームの一構成要素であるアイランドより成し、このアイ
ランドの角部またはその近傍からアイランドの吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
【００１２】両者ともに封止体に反射面を有する手段を
別体または一体で設けることで、この光半導体装置を水
平に置いたまま、入射光または射出光を水平にすること
が出来るため、この光の光路の位置精度が向上し、しか
も対向位置にこれらの光半導体装置を置けば、光通信が
水平方向で可能となる。
別体または一体で設けることで、この光半導体装置を水
平に置いたまま、入射光または射出光を水平にすること
が出来るため、この光の光路の位置精度が向上し、しか
も対向位置にこれらの光半導体装置を置けば、光通信が
水平方向で可能となる。
【００１３】しかも、いわゆる４方向吊りリードでアイ
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
【００１４】第３、第４共に、半導体チップを実装する
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
【００１５】前述同様に、アイランドに吊りリードを設
けているため、樹脂を注入する際に、アイランド、この
上に実装される半導体チップの位置精度を向上させるこ
とができ、光の光路の精度を高めることができる。
けているため、樹脂を注入する際に、アイランド、この
上に実装される半導体チップの位置精度を向上させるこ
とができ、光の光路の精度を高めることができる。
【００１６】第５に、レンズの端部に前記吊りリードを
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
【００１７】第６に、アイランドから外部へ導出される
リードを、前記光が入射される（または射出される）側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
リードを、前記光が入射される（または射出される）側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照しながら説明する。
て、図１を参照しながら説明する。
【００１９】図は理解のために、三つの図を一体にした
もので、左上が光半導体装置の平面図、左下が前記平面
図のＡ−Ａ線に於ける断面図、右上が前記平面図のＢ−
Ｂ線に於ける断面図である。
もので、左上が光半導体装置の平面図、左下が前記平面
図のＡ−Ａ線に於ける断面図、右上が前記平面図のＢ−
Ｂ線に於ける断面図である。
【００２０】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、２点鎖線で示すアイランド２１、リード２２
および吊りリードＴＬにより構成され、ここではＣｕよ
り成り、この上に発光部となる一点鎖線で示す半導体チ
ップ２３、受光部となる一点鎖線で示す半導体チップ２
４が半田等の固着手段を介して固定されている。
レームは、２点鎖線で示すアイランド２１、リード２２
および吊りリードＴＬにより構成され、ここではＣｕよ
り成り、この上に発光部となる一点鎖線で示す半導体チ
ップ２３、受光部となる一点鎖線で示す半導体チップ２
４が半田等の固着手段を介して固定されている。
【００２１】また半導体チップ２３は、例えば赤外ＬＥ
Ｄ、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線ＬＥＤは、チップの上面から上に
出るため図１のようにアイランドに水平に配置される
が、半導体レーザの場合は、チップの側面から光が発射
されるため、図のような溝は必要としない。しかし製造
上図３のように溝を作るよりも図１２のように一側辺か
ら他側辺に渡り全面に設けた方が簡便な、この上にも溝
を形成しても良い。
Ｄ、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線ＬＥＤは、チップの上面から上に
出るため図１のようにアイランドに水平に配置される
が、半導体レーザの場合は、チップの側面から光が発射
されるため、図のような溝は必要としない。しかし製造
上図３のように溝を作るよりも図１２のように一側辺か
ら他側辺に渡り全面に設けた方が簡便な、この上にも溝
を形成しても良い。
【００２２】また半導体チップ２４は、フォトセンサで
あり、ＰＩＮダイオード等であり、やはりこのＰＩＮダ
イオードの駆動回路が一体のものでよし、更にはＬＥＤ
やレーザの駆動回路が一体で構成されても良い。これら
の半導体チップの周囲には、ボンディングパッドが形成
され、これに対応して、チップの周囲から外部へ複数の
リード２２が延在され、この間を金属細線で接続してい
る。ここで封止材としては光に対して透明で有ればよ
く、材料は特に選ばない。またＬＥＤから発射される光
は、赤外線であるので、この赤外線を透過する樹脂であ
ればよい。つまり所定の光に対して少なくとも透過であ
れば良く、リードの先端および半導体チップは、この光
に対して透明な封止体２５で封止されている。そしてこ
の封止体２５には、反射面２６を持つ溝２７が設けられ
ている。
あり、ＰＩＮダイオード等であり、やはりこのＰＩＮダ
イオードの駆動回路が一体のものでよし、更にはＬＥＤ
やレーザの駆動回路が一体で構成されても良い。これら
の半導体チップの周囲には、ボンディングパッドが形成
され、これに対応して、チップの周囲から外部へ複数の
リード２２が延在され、この間を金属細線で接続してい
る。ここで封止材としては光に対して透明で有ればよ
く、材料は特に選ばない。またＬＥＤから発射される光
は、赤外線であるので、この赤外線を透過する樹脂であ
ればよい。つまり所定の光に対して少なくとも透過であ
れば良く、リードの先端および半導体チップは、この光
に対して透明な封止体２５で封止されている。そしてこ
の封止体２５には、反射面２６を持つ溝２７が設けられ
ている。
【００２３】本発明の特徴は、前記反射面２６にあり、
この反射面は封止体２５に溝を形成することで構成さ
れ、これにより点線矢印で示すように封止体２５の側面
Ｅから光の射出、側面Ｅへの入射が可能となる。
この反射面は封止体２５に溝を形成することで構成さ
れ、これにより点線矢印で示すように封止体２５の側面
Ｅから光の射出、側面Ｅへの入射が可能となる。
【００２４】従来、発光部や受光部を構成する半導体チ
ップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半導体
装置となるため、これを使用したモジュールやセット
は、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかもこの
上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が難
しかった。しかし封止体の溝の一部分である反射面２６
を採用する事により、封止体の側面Ｅから光の出し入れ
が可能となるため、プリズムは不要であるし、レンズが
必要で有れば、この側面Ｅに形成できる。つまり図３の
様に透明封止体の側面に凸状のレンズＬを一体成型する
ことも可能であるし、ここに別途レンズを取り付けても
良い。従って装置自身の厚みを薄くすることができる。
ップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半導体
装置となるため、これを使用したモジュールやセット
は、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかもこの
上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が難
しかった。しかし封止体の溝の一部分である反射面２６
を採用する事により、封止体の側面Ｅから光の出し入れ
が可能となるため、プリズムは不要であるし、レンズが
必要で有れば、この側面Ｅに形成できる。つまり図３の
様に透明封止体の側面に凸状のレンズＬを一体成型する
ことも可能であるし、ここに別途レンズを取り付けても
良い。従って装置自身の厚みを薄くすることができる。
【００２５】前記リードフレームはＣｕより成り、厚さ
は、約０．１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、例え
ば２５０〜３００μｍ程度である。また封止体２５は、
透明なエポキシ材料で、例えばトランスファーモールド
により成され、全体の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍで
ある。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる
事は言うまでもない。また金型にも溝を形成する部分が
設けられており、透明の樹脂封止体で半導体チップをト
ランスファーモールドした際に、溝が同時に形成され
る。
は、約０．１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、例え
ば２５０〜３００μｍ程度である。また封止体２５は、
透明なエポキシ材料で、例えばトランスファーモールド
により成され、全体の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍで
ある。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる
事は言うまでもない。また金型にも溝を形成する部分が
設けられており、透明の樹脂封止体で半導体チップをト
ランスファーモールドした際に、溝が同時に形成され
る。
【００２６】ここで溝２７は、半導体チップを露出する
ことなく、反射面が構成されればよく、例えば封止厚の
半分程度、ここでは７５０μｍ程度の深さを有し、少な
くとも反射面２６を構成する部分は４５°に成ってい
る。ここの反射面は、界面の両側の空気と透明樹脂の屈
折率の違いにより、反射面となる。しかし全ての光が反
射されないので、反射面に金属被膜を形成しても良い。
ことなく、反射面が構成されればよく、例えば封止厚の
半分程度、ここでは７５０μｍ程度の深さを有し、少な
くとも反射面２６を構成する部分は４５°に成ってい
る。ここの反射面は、界面の両側の空気と透明樹脂の屈
折率の違いにより、反射面となる。しかし全ての光が反
射されないので、反射面に金属被膜を形成しても良い。
【００２７】この被膜方法としては、半導体技術で使用
される蒸着、スパッタ成膜が考えられ、またその他に
は、メッキが考えられる。ここで注意を要する所は、封
止体２５に形成された被膜材料との短絡である。前者の
二つの被膜方法では、マスクを必要とする。また例えば
無電解メッキで、溶液の中に全体をディップする場合
は、導出する部分のリード２２、その導出部周囲の封止
体２５の部分に樹脂を塗り、その後でメッキし、この樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金属材
料としては、金、Ａｌ、ニッケル等が考えられる。
される蒸着、スパッタ成膜が考えられ、またその他に
は、メッキが考えられる。ここで注意を要する所は、封
止体２５に形成された被膜材料との短絡である。前者の
二つの被膜方法では、マスクを必要とする。また例えば
無電解メッキで、溶液の中に全体をディップする場合
は、導出する部分のリード２２、その導出部周囲の封止
体２５の部分に樹脂を塗り、その後でメッキし、この樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金属材
料としては、金、Ａｌ、ニッケル等が考えられる。
【００２８】また金型は、放電加工が施されて形成され
るため、また成型品の離型性が考慮されて梨地加工され
るため、反射面に対応する部分を鏡面研磨し、前述した
反射面の被膜の代わりにしても良いし、さらにこの表面
に被膜処理しても良い。また側面Ｅから入射または発光
されるためこの部分も鏡面処理された方が良い。
るため、また成型品の離型性が考慮されて梨地加工され
るため、反射面に対応する部分を鏡面研磨し、前述した
反射面の被膜の代わりにしても良いし、さらにこの表面
に被膜処理しても良い。また側面Ｅから入射または発光
されるためこの部分も鏡面処理された方が良い。
【００２９】本実施例では、光の出し入れ（射出や入
射）が行われる側面Ｅ、特にレンズを配置した領域を除
いた側面Ｆ、Ｇ、Ｈにリードを配置できる。
射）が行われる側面Ｅ、特にレンズを配置した領域を除
いた側面Ｆ、Ｇ、Ｈにリードを配置できる。
【００３０】本発明の特徴は、吊りリードＴＬにある。
本光半導体装置は、光路に精度を要するため、特にアイ
ランド２１の水平度を要求する。従って図のようにアイ
ランドの角部またはその近傍から吊りリードＴＬが設け
られていると、アイランドの水平性が保たれ、光路の精
度が維持でき、光の発射精度、光の取り込み精度が向上
される。
本光半導体装置は、光路に精度を要するため、特にアイ
ランド２１の水平度を要求する。従って図のようにアイ
ランドの角部またはその近傍から吊りリードＴＬが設け
られていると、アイランドの水平性が保たれ、光路の精
度が維持でき、光の発射精度、光の取り込み精度が向上
される。
【００３１】また図では、アイランドの裏面を露出させ
ているが、この裏面も樹脂で覆う場合、金型からアイラ
ンドを離間させる必要があるが、この場合も、樹脂の封
止圧で位置精度が悪化するが、いわゆる４吊りリードＴ
Ｌを採用しているため、アイランドの位置精度が向上で
き、光路の精度を高めることが出来る。
ているが、この裏面も樹脂で覆う場合、金型からアイラ
ンドを離間させる必要があるが、この場合も、樹脂の封
止圧で位置精度が悪化するが、いわゆる４吊りリードＴ
Ｌを採用しているため、アイランドの位置精度が向上で
き、光路の精度を高めることが出来る。
【００３２】また金属細線やリードによる反射を考える
と、側面Ｅは、出来るだけはじに吊りリードが配置され
るだけで、光の光路となる部分には、リードは、配置さ
れない。
と、側面Ｅは、出来るだけはじに吊りリードが配置され
るだけで、光の光路となる部分には、リードは、配置さ
れない。
【００３３】平面図に於いて、受光部である半導体チッ
プは、実質右側に受光素子領域（第１の領域）が形成さ
れ、左側にこれを駆動する駆動素子領域（第２の領域）
が形成される。つまり第２の半導体領域は、光の経路と
は成らないため、この領域をリードが導出される領域、
金属細線の領域として活用でき、光の反射等によるノイ
ズが第１の領域に浸入することを防止している。また第
１の領域が右側にずれているので、当然溝２７も右側に
ずれ、溝から左側の領域は、ワイヤを延在させる領域と
して確保できる。もし左側や中央に第１の領域があれ
ば、ワイヤは、溝から露出する可能性がある。
プは、実質右側に受光素子領域（第１の領域）が形成さ
れ、左側にこれを駆動する駆動素子領域（第２の領域）
が形成される。つまり第２の半導体領域は、光の経路と
は成らないため、この領域をリードが導出される領域、
金属細線の領域として活用でき、光の反射等によるノイ
ズが第１の領域に浸入することを防止している。また第
１の領域が右側にずれているので、当然溝２７も右側に
ずれ、溝から左側の領域は、ワイヤを延在させる領域と
して確保できる。もし左側や中央に第１の領域があれ
ば、ワイヤは、溝から露出する可能性がある。
【００３４】ここで、発光素子と受光素子の２チップ
は、それぞれのアイランドに個々に実装されているが、
一つのアイランドに実装されても良い。また前記２チッ
プ以外に、受動素子や能動素子が実装されても良い。
は、それぞれのアイランドに個々に実装されているが、
一つのアイランドに実装されても良い。また前記２チッ
プ以外に、受動素子や能動素子が実装されても良い。
【００３５】以上述べた光半導体装置を、例えばプリン
ト基板、セラミック基板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の
樹脂フィルムに実装する場合、図１の左下断面図の如
く、水平に配置されるので、薄型のモジュールや機器が
形成可能である。
ト基板、セラミック基板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の
樹脂フィルムに実装する場合、図１の左下断面図の如
く、水平に配置されるので、薄型のモジュールや機器が
形成可能である。
【００３６】例えばＩＣカード等に実装すれば、カード
自身の厚みを薄く且つ側辺方向で光信号のやりとりがで
きる。
自身の厚みを薄く且つ側辺方向で光信号のやりとりがで
きる。
【００３７】前述したように、アイランド２１は、２点
鎖線で示すように二つで成っているが、一体で構成して
も良い。また樹脂封止体２５は、二つの半導体チップを
一体でモールドしているが、個別でも良い。当然、一つ
のアイランドに二つの半導体チップを固着し、各々を個
別にモールドしても良いし、更には、リードフレームを
別にしてディスクリート部品のように個別モールドして
も良い。
鎖線で示すように二つで成っているが、一体で構成して
も良い。また樹脂封止体２５は、二つの半導体チップを
一体でモールドしているが、個別でも良い。当然、一つ
のアイランドに二つの半導体チップを固着し、各々を個
別にモールドしても良いし、更には、リードフレームを
別にしてディスクリート部品のように個別モールドして
も良い。
【００３８】なお点線で囲んだ最小の矩形は、光の照射
される、または光が射出される部分を示している。
される、または光が射出される部分を示している。
【００３９】一方、図２は、溝２７の反射面２６以外の
面３０を垂直にしたものである。この場合図１と比較し
溝から側面までの領域を確保でき、この部分にワイヤー
を延在させることも可能となるし、この近傍まで第２の
領域を拡大配置できる。しかし垂直な面であると金型か
らの離型性が悪化するので、若干左側に傾けた方がよ
い。
面３０を垂直にしたものである。この場合図１と比較し
溝から側面までの領域を確保でき、この部分にワイヤー
を延在させることも可能となるし、この近傍まで第２の
領域を拡大配置できる。しかし垂直な面であると金型か
らの離型性が悪化するので、若干左側に傾けた方がよ
い。
【００４０】図３は、実際に形成した光半導体装置の図
面で、中央左が上から見た平面図、中央右が前記平面図
を左側から見た図面、上段は、平面図のＡ−Ａ線の断面
図でホトＩＣ部分である。また下段は、平面図Ｂ−Ｂ線
断面図で、発光ダイオードの部分である。また図４は、
リードフレームにホトダイオードとＬＥＤを実装した図
面である。
面で、中央左が上から見た平面図、中央右が前記平面図
を左側から見た図面、上段は、平面図のＡ−Ａ線の断面
図でホトＩＣ部分である。また下段は、平面図Ｂ−Ｂ線
断面図で、発光ダイオードの部分である。また図４は、
リードフレームにホトダイオードとＬＥＤを実装した図
面である。
【００４１】先ず図４から説明すれば、ここではアイラ
ンド２１の左側辺にのみリード２２が延在されている。
またアイランド水平度を維持させるために吊りリードＴ
Ｌがアイランド２１の角または角部の近傍から延在され
ている。
ンド２１の左側辺にのみリード２２が延在されている。
またアイランド水平度を維持させるために吊りリードＴ
Ｌがアイランド２１の角または角部の近傍から延在され
ている。
【００４２】またリードの先端にはボンディング用の拡
張部３０が形成され、ＩＣチップの左側辺と下側辺にボ
ンディシングパッドが形成され、拡張部３０とボンディ
ングパッドとの間をワイヤーボンディングで電気的に接
続している。
張部３０が形成され、ＩＣチップの左側辺と下側辺にボ
ンディシングパッドが形成され、拡張部３０とボンディ
ングパッドとの間をワイヤーボンディングで電気的に接
続している。
【００４３】符号３１は、光を上方に飛ばすために、図
３下段のようにカップ状になったものにチップは実装さ
れている。このカップは、側面が斜めに形成され、上方
以外に飛んだ光をこの傾斜部分で集光して効率よく上方
へ飛ばしている。例えば携帯用ランプの豆球の周囲に形
成されている反射板（コレクタ）の様なものである。
３下段のようにカップ状になったものにチップは実装さ
れている。このカップは、側面が斜めに形成され、上方
以外に飛んだ光をこの傾斜部分で集光して効率よく上方
へ飛ばしている。例えば携帯用ランプの豆球の周囲に形
成されている反射板（コレクタ）の様なものである。
【００４４】またこのカップは、吊りリードＴＬ´が設
けられたアイランドに固着されても良い。この場合、カ
ップは個別部品として用意され、アイランドの上に半田
付けされる。ここの吊りリードも、アイランドの水平精
度を維持するために設けられている。
けられたアイランドに固着されても良い。この場合、カ
ップは個別部品として用意され、アイランドの上に半田
付けされる。ここの吊りリードも、アイランドの水平精
度を維持するために設けられている。
【００４５】受光部２４には、ＰＩＮホトダイオードが
形成され、周囲にはこの駆動用のＩＣ回路が作り込まれ
ている。またＬＥＤから延在されている二本のワイヤー
の接続部近傍には、ＬＥＤの駆動回路が作り込まれてい
る。また点線で示す矩形は、樹脂封止領域を示す部分で
ある。
形成され、周囲にはこの駆動用のＩＣ回路が作り込まれ
ている。またＬＥＤから延在されている二本のワイヤー
の接続部近傍には、ＬＥＤの駆動回路が作り込まれてい
る。また点線で示す矩形は、樹脂封止領域を示す部分で
ある。
【００４６】図３を説明する。中央左を見れば判るよう
に、反射面２６が形成された溝が二つ形成され、この溝
の間は、間を遮るように壁体３２が形成されている。こ
の溝は、図１２に示すように、一方の側辺から他方の側
辺まで連続して形成しても良いが、この構造であると外
力が加わった際、溝の底部を中心に割れが発生するおそ
れがある。そのため、平面的に見たらホトＩＣとＬＥＤ
を囲むように枠が形成され、前記破壊に対する強度の向
上を図っている。また溝の反射面以外は、モールド後の
離型(光半導体装置の抜き特性)を向上させるためにある
角度を持たせている。当然外形形状もこの離型特性向上
のため、抜き方向と平行にならないように角度を持たせ
ている。
に、反射面２６が形成された溝が二つ形成され、この溝
の間は、間を遮るように壁体３２が形成されている。こ
の溝は、図１２に示すように、一方の側辺から他方の側
辺まで連続して形成しても良いが、この構造であると外
力が加わった際、溝の底部を中心に割れが発生するおそ
れがある。そのため、平面的に見たらホトＩＣとＬＥＤ
を囲むように枠が形成され、前記破壊に対する強度の向
上を図っている。また溝の反射面以外は、モールド後の
離型(光半導体装置の抜き特性)を向上させるためにある
角度を持たせている。当然外形形状もこの離型特性向上
のため、抜き方向と平行にならないように角度を持たせ
ている。
【００４７】また側面Ｅには、球面を切ったレンズＬが
設けられている。しかしレンズＬは、楕円レンズでも良
い。この光半導体装置は、ＩｒＤＡ様に形成されたもの
で、上の受光素子が形成されている所のレンズＬは、外
部からの光信号を効率よく、受光素子の光検出領域に光
が当たるように設計されている。また下のＬＥＤは、発
光された光を、別の光半導体装置の検出領域に到達する
ように設計されている。
設けられている。しかしレンズＬは、楕円レンズでも良
い。この光半導体装置は、ＩｒＤＡ様に形成されたもの
で、上の受光素子が形成されている所のレンズＬは、外
部からの光信号を効率よく、受光素子の光検出領域に光
が当たるように設計されている。また下のＬＥＤは、発
光された光を、別の光半導体装置の検出領域に到達する
ように設計されている。
【００４８】図５は、反射面の他の形成方法を説明した
もので、実質直方体の樹脂封止体（前述の如く離型性が
考えられ、テーパー面が形成されても良い。）に反射面
２６を有する手段（以下プリズム体４０と呼ぶ。）を固
着したものである。このプリズム体４０と樹脂封止体
は、少なくとも点線で示した光路が所定の光に対して透
過性を有する材料である必要がある。また屈折を考える
と図１の様に、両者が一体の構造が好ましい。しかし個
別部品にして固着しても良い。この場合、固着する接着
剤も含めて屈折率が実質同一のものが好ましい。
もので、実質直方体の樹脂封止体（前述の如く離型性が
考えられ、テーパー面が形成されても良い。）に反射面
２６を有する手段（以下プリズム体４０と呼ぶ。）を固
着したものである。このプリズム体４０と樹脂封止体
は、少なくとも点線で示した光路が所定の光に対して透
過性を有する材料である必要がある。また屈折を考える
と図１の様に、両者が一体の構造が好ましい。しかし個
別部品にして固着しても良い。この場合、固着する接着
剤も含めて屈折率が実質同一のものが好ましい。
【００４９】図６は、基板４１について述べたものであ
る。前述したよう例えばプリント基板、セラミック基
板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の樹脂フィルムに実装で
きると述べた。
る。前述したよう例えばプリント基板、セラミック基
板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の樹脂フィルムに実装で
きると述べた。
【００５０】またこれらはいわゆるハイブリッド基板と
して採用するもので、半導体ベアチップ等の能動素子、
受動素子が半田等により固着され、光半導体装置も含め
て所定の機能が実現されている。またプリント基板で
は、モールドしたチップで構成されている場合もある。
して採用するもので、半導体ベアチップ等の能動素子、
受動素子が半田等により固着され、光半導体装置も含め
て所定の機能が実現されている。またプリント基板で
は、モールドしたチップで構成されている場合もある。
【００５１】例えば金属基板等は、枠部材が基板の周囲
に形成され、この中にエポキシ樹脂等が充填されている
のが一般的であるが、点線から右側の領域は、少なくと
も所定の光に対して透過である材料が好ましい。またこ
の場合、光の光路に該当する部分は、光に対して透過な
材料で構成する必要がある。またフルモールドで形成す
る場合は、全てが光に対して透過な材料で構成する必要
がある。
に形成され、この中にエポキシ樹脂等が充填されている
のが一般的であるが、点線から右側の領域は、少なくと
も所定の光に対して透過である材料が好ましい。またこ
の場合、光の光路に該当する部分は、光に対して透過な
材料で構成する必要がある。またフルモールドで形成す
る場合は、全てが光に対して透過な材料で構成する必要
がある。
【００５２】セラミック基板は、図２と同様にフルモー
ルドで封止されている場合が多く、この場合、全てが所
定の光に対して透過な材料が好ましい。更にプリント基
板等は、一般的モールドされたチップを使用するため、
点線から右側だけ封止しても良い。しかし、単に図１の
光半導体装置を図１２のように実装した方が合理的であ
る。
ルドで封止されている場合が多く、この場合、全てが所
定の光に対して透過な材料が好ましい。更にプリント基
板等は、一般的モールドされたチップを使用するため、
点線から右側だけ封止しても良い。しかし、単に図１の
光半導体装置を図１２のように実装した方が合理的であ
る。
【００５３】図７、図８は、セラミックパッケージ、金
属で構成されるカンタイプに応用したものであり、図番
４３がセラミックパッケージ、４４が金属より成るカン
であり、両者ともに光に対して非透過の材料であり、中
が中空構造である。従ってこの場合、蓋となる部分に反
射面を有する光に対して透過なプリズム体４５、４６が
設けられ、点線のように光は９０度曲げられ、水平方向
に射出または入射される。ここの図は、封止体の説明に
用いたため、具体的なリード、電極、金属細線等は省略
した。
属で構成されるカンタイプに応用したものであり、図番
４３がセラミックパッケージ、４４が金属より成るカン
であり、両者ともに光に対して非透過の材料であり、中
が中空構造である。従ってこの場合、蓋となる部分に反
射面を有する光に対して透過なプリズム体４５、４６が
設けられ、点線のように光は９０度曲げられ、水平方向
に射出または入射される。ここの図は、封止体の説明に
用いたため、具体的なリード、電極、金属細線等は省略
した。
【００５４】図４では、リードフレームについて説明し
たが、このリードフレーム以外にも半導体分野で使用さ
れているリードフレームは全て使用可能である。しかし
モールド時の樹脂圧によるアイランドの安定性を考えた
なら、吊りリードが相対向する側辺にあった方がよい。
またアイランドの四つの角部から延在されているいわゆ
る４方向吊りリードも、アイランドの安定性を向上さ
せ、製品の光の方向性を一定にさせるための重要な構造
である。
たが、このリードフレーム以外にも半導体分野で使用さ
れているリードフレームは全て使用可能である。しかし
モールド時の樹脂圧によるアイランドの安定性を考えた
なら、吊りリードが相対向する側辺にあった方がよい。
またアイランドの四つの角部から延在されているいわゆ
る４方向吊りリードも、アイランドの安定性を向上さ
せ、製品の光の方向性を一定にさせるための重要な構造
である。
【００５５】また封止構造も、いろいろ適用できる。例
えばエレクトロニクス(１９９７年１０月号、７４頁〜)
に述べているように、パッケージのリードを基板のスル
ーホールに挿入するタイプ、つまりリード挿入型として
は、インライン型ののＳＩＰ、ＨＳＩＰ、ＺＩＰ、デュ
アルライン型のＤＩＰ、ＨＤＩＰ、ＳＤＩＰ、ＷＤＩ
Ｐ、ＰＧＡ(ピングリッドアレイ)、また基板の表面に半
田クリーム等を用いて直接半田付けする表面実装型とし
ては、ＳＶＰ、ＳＯＰ、ＳＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＨＳＯ
Ｐ、ＱＦＰ、ＴＱＦＰ、ＨＱＦＰ、ＱＦＮ、ＳＯＪ、Ｑ
ＦＪ、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＤＴＰ、ＱＴＰ等が考えられ
る。
えばエレクトロニクス(１９９７年１０月号、７４頁〜)
に述べているように、パッケージのリードを基板のスル
ーホールに挿入するタイプ、つまりリード挿入型として
は、インライン型ののＳＩＰ、ＨＳＩＰ、ＺＩＰ、デュ
アルライン型のＤＩＰ、ＨＤＩＰ、ＳＤＩＰ、ＷＤＩ
Ｐ、ＰＧＡ(ピングリッドアレイ)、また基板の表面に半
田クリーム等を用いて直接半田付けする表面実装型とし
ては、ＳＶＰ、ＳＯＰ、ＳＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＨＳＯ
Ｐ、ＱＦＰ、ＴＱＦＰ、ＨＱＦＰ、ＱＦＮ、ＳＯＪ、Ｑ
ＦＪ、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＤＴＰ、ＱＴＰ等が考えられ
る。
【００５６】もちろんフェイスアップ、フェイスダウン
が採用できるし、最近特に話題を呼んでいるＣＳＰ、Ｂ
ＧＡでも可能である。
が採用できるし、最近特に話題を呼んでいるＣＳＰ、Ｂ
ＧＡでも可能である。
【００５７】図９、図１０、図１１は、ＩＣカードにつ
いて説明したものである。これは金属ケース４７の中に
回路素子が半田付けされたプリント基板４８が入ったも
ので、このケース４７からの光の出入り口は、口が開い
ているか、または透過な材料、例えばガラスやプラスチ
ックが設けられている。光半導体装置５０は、ここで
は、基板と一緒にモールドしたものが示されているが、
図１のような部品を実装したものでも良い。図１０は、
ＩＣカードの概略平面図を示したもので、右側より、光
が発光されて外部に発射され、また外部からの光を取り
入れ、光ＩＣで光信号を電気信号に変えている。この変
換された信号は、例えばフラッシュメモリ、ＦＲＡＭ等
のメモリに記憶される。
いて説明したものである。これは金属ケース４７の中に
回路素子が半田付けされたプリント基板４８が入ったも
ので、このケース４７からの光の出入り口は、口が開い
ているか、または透過な材料、例えばガラスやプラスチ
ックが設けられている。光半導体装置５０は、ここで
は、基板と一緒にモールドしたものが示されているが、
図１のような部品を実装したものでも良い。図１０は、
ＩＣカードの概略平面図を示したもので、右側より、光
が発光されて外部に発射され、また外部からの光を取り
入れ、光ＩＣで光信号を電気信号に変えている。この変
換された信号は、例えばフラッシュメモリ、ＦＲＡＭ等
のメモリに記憶される。
【００５８】図１１は、ＩＣカードの使用方法を説明し
たもので、パーソナルコンピュータ４８とＩＣカード４
９のＩｒＤＡを実現させたものである。ＩＣカードの電
源としては、ＩＣカード内に電池を内蔵させたもの、コ
イルを用いて電磁誘導したもの等が考えられる。また光
は、データー量が多くスピードも早いため、高速の光通
信が可能となる。更には、電気信号のやりとりと違い、
信号のための電気的接続は不要となるため、電気的接続
不良による信頼性低下が全くなくなる。
たもので、パーソナルコンピュータ４８とＩＣカード４
９のＩｒＤＡを実現させたものである。ＩＣカードの電
源としては、ＩＣカード内に電池を内蔵させたもの、コ
イルを用いて電磁誘導したもの等が考えられる。また光
は、データー量が多くスピードも早いため、高速の光通
信が可能となる。更には、電気信号のやりとりと違い、
信号のための電気的接続は不要となるため、電気的接続
不良による信頼性低下が全くなくなる。
【００５９】図１２は、サーキットボード５０、５１に
本光半導体装置５２、５３を実装したもので、ボード間
の信号のやりとりを実現した構造を示している。また図
１の反射面をハーフミラーとして光信号を上方にも透過
させたものである。ボード５４にも光半導体装置５５が
実装され、ボード裏面の光半導体装置５６と上下方向で
光通信を実現している。従って、水平、上下に配置され
たサーキットボードの信号のやりとりに必要な電気的配
線は、不要となる。
本光半導体装置５２、５３を実装したもので、ボード間
の信号のやりとりを実現した構造を示している。また図
１の反射面をハーフミラーとして光信号を上方にも透過
させたものである。ボード５４にも光半導体装置５５が
実装され、ボード裏面の光半導体装置５６と上下方向で
光通信を実現している。従って、水平、上下に配置され
たサーキットボードの信号のやりとりに必要な電気的配
線は、不要となる。
【００６０】図１３は、図１５の光学媒体の読みとりを
再現したものである。レーザ６０から出た光は、本光半
導体装置６１のハーフミラーの反射面を介して一端記録
媒体６２に飛び、この光が反射してハーフミラーの反射
面を介して光半導体装置の光ＩＣに入り、記録媒体の
１、０の状況を判断する。
再現したものである。レーザ６０から出た光は、本光半
導体装置６１のハーフミラーの反射面を介して一端記録
媒体６２に飛び、この光が反射してハーフミラーの反射
面を介して光半導体装置の光ＩＣに入り、記録媒体の
１、０の状況を判断する。
【００６１】図１４は、光半導体装置６３は、封止体に
レーザ６４も一体封止されたものであり、発光面、受光
面および媒体は、直線上に配置されたものである。ま
た、図１の左上の様にレーザと受光素子が取り付けら
れ、紙面に対して上方に媒体が取り付けられたトライア
ングル構造では、反射面の角度の調整が必要となる。
レーザ６４も一体封止されたものであり、発光面、受光
面および媒体は、直線上に配置されたものである。ま
た、図１の左上の様にレーザと受光素子が取り付けら
れ、紙面に対して上方に媒体が取り付けられたトライア
ングル構造では、反射面の角度の調整が必要となる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、 第１に、受光面を有
する半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止
体と、前記受光面の垂線と所定の角度で交差して前記封
止体に設けられる反射面とを有し、光の光路は、前記封
止体の側面より入射し、前記反射面を介して曲折され、
前記受光面に入射する事で、また、発光面を有する半導
体チップと、前記前記半導体チップを封止する封止体
と、前記発光面と所定の角度で交差して前記封止体に設
けられる反射面とを有し、前記光の光路は、前記反射面
を介して前記封止体の側面から射出される事で、封止体
に反射面を有する手段を別体または一体で設けること
で、この光半導体装置を水平に置いたまま、入射光また
は射出光を水平にすることが出来るため、この光の光路
の位置精度が向上し、しかも対向位置にこれらの光半導
体装置を置けば、光通信が水平方向で可能となる。
する半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止
体と、前記受光面の垂線と所定の角度で交差して前記封
止体に設けられる反射面とを有し、光の光路は、前記封
止体の側面より入射し、前記反射面を介して曲折され、
前記受光面に入射する事で、また、発光面を有する半導
体チップと、前記前記半導体チップを封止する封止体
と、前記発光面と所定の角度で交差して前記封止体に設
けられる反射面とを有し、前記光の光路は、前記反射面
を介して前記封止体の側面から射出される事で、封止体
に反射面を有する手段を別体または一体で設けること
で、この光半導体装置を水平に置いたまま、入射光また
は射出光を水平にすることが出来るため、この光の光路
の位置精度が向上し、しかも対向位置にこれらの光半導
体装置を置けば、光通信が水平方向で可能となる。
【００６３】しかも、いわゆる４方向吊りリードでアイ
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
【００６４】第３、第４共に、半導体チップを実装する
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
【００６５】第５に、レンズの端部に前記吊りリードを
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
【００６６】第６に、アイランドから外部へ導出される
リードを、前記光が入射される（または射出される）側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
リードを、前記光が入射される（または射出される）側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
【図１】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図２】図１の溝の説明をする図である。
【図３】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図４】図３に用いたリードフレームを説明する図であ
る。
る。
【図５】反射面を構成する手段を説明したものである。
【図６】ハイブリッド基板に応用した際の図である。
【図７】セラミックパッケージに応用した際の図面であ
る。
る。
【図８】カンタイプのパッケージに応用した際の図面で
ある。
ある。
【図９】ＩＣカードに応用したときの図である。
【図１０】図９の概略平面図を説明したものである。
【図１１】ＩＣカードとコンピュータの関係を説明した
図である。
図である。
【図１２】三次元に配置したサーキットボードに本光半
導体装置を実装した図である。
導体装置を実装した図である。
【図１３】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。
用した図である。
【図１４】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。
用した図である。
【図１５】従来の光半導体装置と光学機器を組んだ概略
図である。
図である。
【図１６】従来の光半導体装置の概略図である。
【図１７】従来の光半導体装置をサーキットボードに取
り付けた図である。
り付けた図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 新井 政至 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA37 DA03 DA07 DA17 DA22 DA25 DA26 DA43 DA55 DA57 DA83 EE17 5F088 AA03 BA20 JA06 JA10
Claims (6)
- 【請求項１】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂線と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、このアイランド
の角部またはその近傍からアイランドの吊りリードが延
在されている事を特徴とした光半導体装置。 - 【請求項２】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所定の角
度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、このアイランド
の角部またはその近傍からアイランドの吊りリードが延
在されている事を特徴とした光半導体装置。 - 【請求項３】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂線と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、前記アイランド
の相対向する側辺に吊りリードが延在されている事を特
徴とした光半導体装置。 - 【請求項４】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所定の角
度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、前記アイランド
の相対向する側辺に吊りリードが延在されている事を特
徴とした光半導体装置。 - 【請求項５】 前記光半導体装置の光が入射および／ま
たは発射する前記封止体の側面にレンズが設けられ、こ
のレンズの端部に前記吊りリードが延在される請求項
１、２、３または４記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 前記アイランドから外部へ導出されるリ
ードは、前記光が入射される（または射出される）側面
との対向面から導出される請求項１、２、３、４または
５記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245242A JP2000077687A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245242A JP2000077687A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077687A true JP2000077687A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17130781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10245242A Pending JP2000077687A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502133A (ja) * | 2004-06-03 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光ダイオードを有する回路 |
| JP2018074067A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10245242A patent/JP2000077687A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502133A (ja) * | 2004-06-03 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光ダイオードを有する回路 |
| US9060398B2 (en) | 2004-06-03 | 2015-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Lighting device employing ac-driven light-emitting diodes |
| JP2018074067A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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