JP2000029072A - 高開口率及び高透過率液晶表示装置 - Google Patents
高開口率及び高透過率液晶表示装置Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 画質特性を改善し、高開口率及び高透過率を
得ることのできる高開口率及び高透過率液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 所定距離をおいて対向する上部及び下部
基板と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分
子を有する液晶層と、下部基板上にマトリクス状に配列
され、サブ画素を限定するゲートバスライン２１とデー
タバスライン２２と、下部基板のサブ画素内にそれぞれ
形成されるカウンタ電極２３と、下部基板のサブ画素内
に形成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電
極２４と、ゲートバスライン２１とデータバスライン２
２の交点近傍に形成され、ゲートバスライン２１の選択
時、データバスライン２２の信号を画素電極２４にスイ
ッチングする薄膜トランジスタ２５と、上部及び下部基
板の内側面に形成される水平配向膜とを備える。
得ることのできる高開口率及び高透過率液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 所定距離をおいて対向する上部及び下部
基板と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分
子を有する液晶層と、下部基板上にマトリクス状に配列
され、サブ画素を限定するゲートバスライン２１とデー
タバスライン２２と、下部基板のサブ画素内にそれぞれ
形成されるカウンタ電極２３と、下部基板のサブ画素内
に形成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電
極２４と、ゲートバスライン２１とデータバスライン２
２の交点近傍に形成され、ゲートバスライン２１の選択
時、データバスライン２２の信号を画素電極２４にスイ
ッチングする薄膜トランジスタ２５と、上部及び下部基
板の内側面に形成される水平配向膜とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に画質特性の改善された液晶表示装置に関する。
し、特に画質特性の改善された液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＴＮ
（twisted nematic）液晶表示装置の視野角特性を補償
するために提案されたものである（Principle and char
acteristic of electro-optical behaviour with in-pl
ane switching mode, Asia display 95, p577〜580）。
（twisted nematic）液晶表示装置の視野角特性を補償
するために提案されたものである（Principle and char
acteristic of electro-optical behaviour with in-pl
ane switching mode, Asia display 95, p577〜580）。
【０００３】この様なＩＰＳ液晶表示装置は、図１に示
すように、液晶分子３ａを駆動させる電極２ａ、２ｂを
共に下部基板１に設け、下部基板１と上部基板（図示せ
ず）の間の距離よりも電極２ａ、２ｂ間の距離を大きく
する。これにより、下部基板１面と平行な電界を形成す
るようにする。このとき、電極２ａ、２ｂはＭｏＷ、Ａ
ｌ等のような不透明金属膜で形成される。尚、図１にお
いて符号Ｒは、配向膜のラビング方向を示す。
すように、液晶分子３ａを駆動させる電極２ａ、２ｂを
共に下部基板１に設け、下部基板１と上部基板（図示せ
ず）の間の距離よりも電極２ａ、２ｂ間の距離を大きく
する。これにより、下部基板１面と平行な電界を形成す
るようにする。このとき、電極２ａ、２ｂはＭｏＷ、Ａ
ｌ等のような不透明金属膜で形成される。尚、図１にお
いて符号Ｒは、配向膜のラビング方向を示す。
【０００４】液晶内の液晶分子は、公知のように、長軸
と短軸の長さが相異して屈折率異方性Δｎを有し、見る
方向によって屈折率異方性Δｎが変化する。これによ
り、極角が０゜付近で方位角が０゜、９０゜、１８０
゜、２７０゜付近では白にも拘わらず所定の色相が現れ
る。こうした現象をカラーシフトといい、これは次の式
１によって詳細に説明される。 Ｔ≒Ｔ０ｓｉｎ２（２χ）・ｓｉｎ２（π・Δｎｄ/λ）・・・・（式１） Ｔ: 透過率 Ｔ０： 参照（reference）光に対する透過率 χ: 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角 Δｎ: 屈折率異方性 ｄ: 上部及び下部基板間の距離またはギャップ（液晶層
厚） λ: 入射される光波長 前記式１によれば、最大透過率Ｔを得るために、χがπ
/４であるか、あるいはΔｎｄ/λがπ/２となるべきで
ある。この時、Δｎｄが変化すると（液晶分子の屈折率
異方性値は見る方向によって変化する。）、λ値はπ/
２を満足させる為に変化する。これによって、変化した
光波長λに該当する色相が画面に現れる。
と短軸の長さが相異して屈折率異方性Δｎを有し、見る
方向によって屈折率異方性Δｎが変化する。これによ
り、極角が０゜付近で方位角が０゜、９０゜、１８０
゜、２７０゜付近では白にも拘わらず所定の色相が現れ
る。こうした現象をカラーシフトといい、これは次の式
１によって詳細に説明される。 Ｔ≒Ｔ０ｓｉｎ２（２χ）・ｓｉｎ２（π・Δｎｄ/λ）・・・・（式１） Ｔ: 透過率 Ｔ０： 参照（reference）光に対する透過率 χ: 液晶分子の光軸と偏光板の偏光軸がなす角 Δｎ: 屈折率異方性 ｄ: 上部及び下部基板間の距離またはギャップ（液晶層
厚） λ: 入射される光波長 前記式１によれば、最大透過率Ｔを得るために、χがπ
/４であるか、あるいはΔｎｄ/λがπ/２となるべきで
ある。この時、Δｎｄが変化すると（液晶分子の屈折率
異方性値は見る方向によって変化する。）、λ値はπ/
２を満足させる為に変化する。これによって、変化した
光波長λに該当する色相が画面に現れる。
【０００５】したがって、液晶分子の短軸に向かって見
る方向αでは、Δｎが減少するにつれて、最大透過率に
至るための入射光の波長は相対的に短くなる。これによ
り、視認者は白の波長よりも短い波長を有する青色を見
ることになる。
る方向αでは、Δｎが減少するにつれて、最大透過率に
至るための入射光の波長は相対的に短くなる。これによ
り、視認者は白の波長よりも短い波長を有する青色を見
ることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、液晶分子の短軸
に向かって見る方向βでは、Δｎが増大するにつれて、
入射光の波長は相対的に長くなる。これにより、視認者
は白の波長よりも長い波長を有する黄色を見ることにな
る。このため、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下してし
まう。
に向かって見る方向βでは、Δｎが増大するにつれて、
入射光の波長は相対的に長くなる。これにより、視認者
は白の波長よりも長い波長を有する黄色を見ることにな
る。このため、ＩＰＳ−ＬＣＤの画質特性が低下してし
まう。
【０００７】また、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、電
極２ａ、２ｂが不透明金属膜で形成されるので、開口面
積が減少し、透過率が低下する。この結果から適当な輝
度を得るためには、強いバックライトを使用すべきなの
で、消費電力が大きくなるという問題点が生じる。
極２ａ、２ｂが不透明金属膜で形成されるので、開口面
積が減少し、透過率が低下する。この結果から適当な輝
度を得るためには、強いバックライトを使用すべきなの
で、消費電力が大きくなるという問題点が生じる。
【０００８】この様な問題点を解決するため、電極２
ａ、２ｂを透明物質で形成する方法が提案された。この
方法では、開口率面を少し増大させることができても、
透過率面ではあまり優れない。
ａ、２ｂを透明物質で形成する方法が提案された。この
方法では、開口率面を少し増大させることができても、
透過率面ではあまり優れない。
【０００９】すなわち、横電界（in-plane field）を形
成するには、前述したように、電極２ａ、２ｂ間の距離
ｌを上部及び下部基板間の距離より大きくし、適当な強
さの電界を得るため、電極２ａ、２ｂの幅Ｗを、例えば
１０〜２０μｍ程度とする。しかし、この様な構造を有
するため、電極２ａ、２ｂ間には基板と略平行な電界が
形成されるが、広い幅を有する電極２ａ、２ｂの上部の
大部分にある液晶分子には、電界が達することなく、等
電位面が生じるようになる。これにより、電極上部の液
晶分子が、電界印加時にも初期配列状態を維持するの
で、透過率は殆ど改善されない。
成するには、前述したように、電極２ａ、２ｂ間の距離
ｌを上部及び下部基板間の距離より大きくし、適当な強
さの電界を得るため、電極２ａ、２ｂの幅Ｗを、例えば
１０〜２０μｍ程度とする。しかし、この様な構造を有
するため、電極２ａ、２ｂ間には基板と略平行な電界が
形成されるが、広い幅を有する電極２ａ、２ｂの上部の
大部分にある液晶分子には、電界が達することなく、等
電位面が生じるようになる。これにより、電極上部の液
晶分子が、電界印加時にも初期配列状態を維持するの
で、透過率は殆ど改善されない。
【００１０】そこで、本発明は、前記問題点に着目して
なされたものであり、その目的は、画質特性を改善し、
開口率及び透過率を得ることのできる開口率及び透過率
液晶表示装置を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、画質特性を改善し、
開口率及び透過率を得ることのできる開口率及び透過率
液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
本発明は、所定距離をおいて対向する上部及び下部基板
と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を
有する液晶層と、前記下部基板上にマトリクス状に配列
され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバ
スラインと、前記下部基板のサブ画素内にそれぞれ形成
されるカウンタ電極と、前記下部基板のサブ画素内に形
成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電極
と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近
傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバ
スラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トラ
ンジスタと、前記上部及び下部基板の内側面に形成され
る水平配向膜とを備え、前記サブ画素の中で選択される
いずれかのサブ画素のカウンタ電極と画素電極の間に
は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜
線形の第１電界が形成され、前記サブ画素の隣接したサ
ブ画素のカウンタ電極と画素電極の間には、前記第１電
界と対称をなす斜線形の第２電界が形成されることを特
徴とする。
本発明は、所定距離をおいて対向する上部及び下部基板
と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を
有する液晶層と、前記下部基板上にマトリクス状に配列
され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバ
スラインと、前記下部基板のサブ画素内にそれぞれ形成
されるカウンタ電極と、前記下部基板のサブ画素内に形
成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電極
と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近
傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバ
スラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トラ
ンジスタと、前記上部及び下部基板の内側面に形成され
る水平配向膜とを備え、前記サブ画素の中で選択される
いずれかのサブ画素のカウンタ電極と画素電極の間に
は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜
線形の第１電界が形成され、前記サブ画素の隣接したサ
ブ画素のカウンタ電極と画素電極の間には、前記第１電
界と対称をなす斜線形の第２電界が形成されることを特
徴とする。
【００１２】さらに、本発明は、所定距離をおいて対向
する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在さ
れ、複数の液晶分子を有する液晶層と、前記下部基板上
にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲート
バスラインとデータバスラインと、前記サブ画素内に形
成される長方形枠状の本体と、前記本体に囲まれた部分
を区画する少なくとも一つ以上の斜線形ブランチとを有
するカウンタ電極と、前記カウンタ電極の本体の所定部
分とオーバーラップするように形成される第１電極部
と、前記第１電極部から該サブ画素内に形成される斜線
形ブランチと平行に延長される第２電極部とを有する画
素電極と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの
交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、デ
ータバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄
膜トランジスタと、前記上部及び下部基板の内側面に形
成される水平配向膜とを備え、前記サブ画素の中で選択
されるいずれかのサブ画素の斜線形ブランチと第２電極
部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して
斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接した
サブ画素に形成される斜線形ブランチと第２電極部は、
前記選択された斜線形ブランチ及び第２電極部と対称を
なすように配列され、前記カウンタ電極と画素電極は透
明な導電体で形成され、前記カウンタ電極の斜線形ブラ
ンチと前記画素電極の第２電極部の幅は、電極間に形成
される電界が電極全部分に達する程度の幅であることを
特徴とする。
する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在さ
れ、複数の液晶分子を有する液晶層と、前記下部基板上
にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲート
バスラインとデータバスラインと、前記サブ画素内に形
成される長方形枠状の本体と、前記本体に囲まれた部分
を区画する少なくとも一つ以上の斜線形ブランチとを有
するカウンタ電極と、前記カウンタ電極の本体の所定部
分とオーバーラップするように形成される第１電極部
と、前記第１電極部から該サブ画素内に形成される斜線
形ブランチと平行に延長される第２電極部とを有する画
素電極と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの
交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、デ
ータバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄
膜トランジスタと、前記上部及び下部基板の内側面に形
成される水平配向膜とを備え、前記サブ画素の中で選択
されるいずれかのサブ画素の斜線形ブランチと第２電極
部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して
斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接した
サブ画素に形成される斜線形ブランチと第２電極部は、
前記選択された斜線形ブランチ及び第２電極部と対称を
なすように配列され、前記カウンタ電極と画素電極は透
明な導電体で形成され、前記カウンタ電極の斜線形ブラ
ンチと前記画素電極の第２電極部の幅は、電極間に形成
される電界が電極全部分に達する程度の幅であることを
特徴とする。
【００１３】さらに、本発明は、所定距離をおいて対向
する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在さ
れ、複数の液晶分子を有する液晶層と、前記下部基板上
にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲート
バスラインとデータバスラインと、前記サブ画素内に形
成される長方形板状のカウンタ電極と、前記カウンタ電
極の所定部分とオーバーラップするように形成される第
１電極部と、前記第１電極部から斜線形に延長される第
２電極部とを有する画素電極と、前記ゲートバスライン
とデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲート
バスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極
にスイッチングする薄膜トランジスタと、及び前記上部
及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜とを備
え、前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素
の第２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスライ
ンに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素
の隣接したサブ画素に形成される第２電極部は、前記選
択されたサブ画素の第２電極部と対称をなすように配列
され、前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形
成されることを特徴とする。
する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在さ
れ、複数の液晶分子を有する液晶層と、前記下部基板上
にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲート
バスラインとデータバスラインと、前記サブ画素内に形
成される長方形板状のカウンタ電極と、前記カウンタ電
極の所定部分とオーバーラップするように形成される第
１電極部と、前記第１電極部から斜線形に延長される第
２電極部とを有する画素電極と、前記ゲートバスライン
とデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲート
バスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極
にスイッチングする薄膜トランジスタと、及び前記上部
及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜とを備
え、前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素
の第２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスライ
ンに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素
の隣接したサブ画素に形成される第２電極部は、前記選
択されたサブ画素の第２電極部と対称をなすように配列
され、前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形
成されることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
の好適実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図２は実施の形態１に係る液晶表示装
置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示
装置を示す平面図、図３は実施の形態１に係る液晶表示
装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表
示装置を示す平面図である。
の好適実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図２は実施の形態１に係る液晶表示装
置であって、誘電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示
装置を示す平面図、図３は実施の形態１に係る液晶表示
装置であって、誘電率異方性が負の液晶を用いた液晶表
示装置を示す平面図である。
【００１５】図２を参照すると、下部ガラス基板１０上
に赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂが限定される。サブ画
素Ｒ、Ｇ、Ｂの各々には液晶駆動用第１電極１１が形成
される。このとき、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂに形成される第１
電極１１は斜線形である。ここで、赤及び青サブ画素
Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃは、同方向に指向する
ように配列され、緑サブ画素Ｇの第１電極１１ｂは、赤
及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃと対称
な方向に配列される。各第１電極１１ａ、１１ｂ、１１
ｃは透明導電膜で形成され、所定幅Ｗ１を有する。
に赤、緑、青サブ画素Ｒ、Ｇ、Ｂが限定される。サブ画
素Ｒ、Ｇ、Ｂの各々には液晶駆動用第１電極１１が形成
される。このとき、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂに形成される第１
電極１１は斜線形である。ここで、赤及び青サブ画素
Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃは、同方向に指向する
ように配列され、緑サブ画素Ｇの第１電極１１ｂは、赤
及び青サブ画素Ｒ、Ｂの第１電極１１ａ、１１ｃと対称
な方向に配列される。各第１電極１１ａ、１１ｂ、１１
ｃは透明導電膜で形成され、所定幅Ｗ１を有する。
【００１６】第２電極１２も赤、緑、青サブ画素Ｒ、
Ｇ、Ｂにそれぞれ形成される。第２電極１２ａ、１２
ｂ、１２ｃは該サブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内の第１電極１
１ａ、１１ｂ、１１ｃとそれぞれ所定距離をおいて離隔
されながら平行に配列される。第２電極１２も透明導電
膜で形成される。このとき、第２電極１２は所定幅Ｗ２
を有する。ここで、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及
び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔ｌは、第１
及び第２電極の幅Ｗ１、Ｗ２より狭く、上下基板間の距
離より狭く形成される。また、第１電極１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃの幅Ｗ
１、Ｗ２は、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２
電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間に発生する電界が電極１
１、１２上部まで十分に達する程度である。
Ｇ、Ｂにそれぞれ形成される。第２電極１２ａ、１２
ｂ、１２ｃは該サブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ内の第１電極１
１ａ、１１ｂ、１１ｃとそれぞれ所定距離をおいて離隔
されながら平行に配列される。第２電極１２も透明導電
膜で形成される。このとき、第２電極１２は所定幅Ｗ２
を有する。ここで、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及
び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間の間隔ｌは、第１
及び第２電極の幅Ｗ１、Ｗ２より狭く、上下基板間の距
離より狭く形成される。また、第１電極１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ及び第２電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃの幅Ｗ
１、Ｗ２は、第１電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び第２
電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ間に発生する電界が電極１
１、１２上部まで十分に達する程度である。
【００１７】第１電極１１及び第２電極１２の形成され
た下部ガラス基板１０の上部には、液晶分子１３の初期
配列を決定する配向膜（図示せず）が形成される。この
とき、配向膜は水平配向膜であって、水平配向膜は図の
ｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビング処理され、電界
の形成以前に、液晶分子１３の長軸がｘ軸方向（または
ｙ軸方向）に指向するように配列される。
た下部ガラス基板１０の上部には、液晶分子１３の初期
配列を決定する配向膜（図示せず）が形成される。この
とき、配向膜は水平配向膜であって、水平配向膜は図の
ｘ軸方向（またはｙ軸方向）にラビング処理され、電界
の形成以前に、液晶分子１３の長軸がｘ軸方向（または
ｙ軸方向）に指向するように配列される。
【００１８】このように配列された第１電極１１及び第
２電極１２間に電圧差が発生すると、電界Ｅ１、Ｅ２が
形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は第１及び第２
電極１１、１２が斜線形に配列されて斜線形に形成され
る。また、赤及び青サブ画素に形成される電界Ｅ１と緑
サブ画素に形成される電界Ｅ２は互いに対称をなす。
２電極１２間に電圧差が発生すると、電界Ｅ１、Ｅ２が
形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は第１及び第２
電極１１、１２が斜線形に配列されて斜線形に形成され
る。また、赤及び青サブ画素に形成される電界Ｅ１と緑
サブ画素に形成される電界Ｅ２は互いに対称をなす。
【００１９】又、 液晶は電界Ｅ１、Ｅ２とラビング軸
のなす角θによって選定される。すなわち、電界とラビ
ング軸のなす角が、４５°〜９０°の場合、誘電率異方
性が正の液晶を用い、０°〜４５°の場合、誘電率異方
性が負の物質を用いる。
のなす角θによって選定される。すなわち、電界とラビ
ング軸のなす角が、４５°〜９０°の場合、誘電率異方
性が正の液晶を用い、０°〜４５°の場合、誘電率異方
性が負の物質を用いる。
【００２０】このように、電界とラビング軸のなす角に
よって液晶の誘電率異方性を選択することは最大透過率
を得るためである。例えば、θが４５°〜９０°であれ
ば、誘電率異方性が正の液晶を用い、図２のように、液
晶分子１３はその長軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるよ
うに配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上
捻れるので、最大透過率が達成される。
よって液晶の誘電率異方性を選択することは最大透過率
を得るためである。例えば、θが４５°〜９０°であれ
ば、誘電率異方性が正の液晶を用い、図２のように、液
晶分子１３はその長軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるよ
うに配列される。このとき、液晶分子１３は４５°以上
捻れるので、最大透過率が達成される。
【００２１】また、θが０°〜４５°であれば、誘電率
異方性が負の液晶を用い、図３のように、液晶分子１３
はその短軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列さ
れる。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるの
で、最大透過率が達成される。
異方性が負の液晶を用い、図３のように、液晶分子１３
はその短軸と電界Ｅ１、Ｅ２が平行となるように配列さ
れる。このとき、液晶分子１３は４５°以上捻れるの
で、最大透過率が達成される。
【００２２】しかも、前述した電界が形成されると、図
２または図３のように、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂでは液
晶分子１３が時計方向（図３では反時計方向）に捻れ、
緑サブ画素Ｇでは液晶分子１３が反時計方向（図３では
時計方向）に捻れる。このとき、人間の目は一つのサブ
画素だけが認知できないため、ユニット画素側面で見れ
ば、液晶分子が二方向に分れて配列されたように見え
る。これにより、液晶分子１３の屈折率異方性が補償さ
れ、カラーシフトが発生しない。
２または図３のように、赤及び青サブ画素Ｒ、Ｂでは液
晶分子１３が時計方向（図３では反時計方向）に捻れ、
緑サブ画素Ｇでは液晶分子１３が反時計方向（図３では
時計方向）に捻れる。このとき、人間の目は一つのサブ
画素だけが認知できないため、ユニット画素側面で見れ
ば、液晶分子が二方向に分れて配列されたように見え
る。これにより、液晶分子１３の屈折率異方性が補償さ
れ、カラーシフトが発生しない。
【００２３】また、第１及び第２電極１１、１２の上部
にも十分に電界が達するので、電極上部にある液晶分子
がともに動作して透過率及び開口率が改善される。
にも十分に電界が達するので、電極上部にある液晶分子
がともに動作して透過率及び開口率が改善される。
【００２４】（実施の形態２）図４は、実施の形態２に
係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部
基板を示す平面図である。図４を参照すれば、下部基板
上に複数のゲートバスライン２１がｘ軸方向に配列さ
れ、複数のデータバスライン２２はｘ軸方向と実質的に
垂直なｙ軸方向に配列され、それぞれのサブ画素Ｒ、
Ｇ、Ｂを限定する。図４では、三つのサブ画素空間Ｒ、
Ｇ、Ｂからなる一つのメーン画素空間を示すために、一
対のゲートバスライン２１と三つのデータバスライン２
２だけが図示されている。なお、一番目のサブ画素を赤
サブ画素Ｒ、二番目のサブ画素を緑サブ画素Ｇ、三番目
のサブ画素を青サブ画素Ｂという。
係るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部
基板を示す平面図である。図４を参照すれば、下部基板
上に複数のゲートバスライン２１がｘ軸方向に配列さ
れ、複数のデータバスライン２２はｘ軸方向と実質的に
垂直なｙ軸方向に配列され、それぞれのサブ画素Ｒ、
Ｇ、Ｂを限定する。図４では、三つのサブ画素空間Ｒ、
Ｇ、Ｂからなる一つのメーン画素空間を示すために、一
対のゲートバスライン２１と三つのデータバスライン２
２だけが図示されている。なお、一番目のサブ画素を赤
サブ画素Ｒ、二番目のサブ画素を緑サブ画素Ｇ、三番目
のサブ画素を青サブ画素Ｂという。
【００２５】ゲートバスライン２１及びデータバスライ
ン２２間には、これら両ラインを絶縁させるためのゲー
ト絶縁膜（図示せず）が介在される。また、前記ゲート
バスライン１１とデータバスライン１２ａ、１２ｂ、１
２ｃは、導電特性に優れた不透明な金属膜、例えばＭｏ
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉの一つの金属膜で形成されてい
る。
ン２２間には、これら両ラインを絶縁させるためのゲー
ト絶縁膜（図示せず）が介在される。また、前記ゲート
バスライン１１とデータバスライン１２ａ、１２ｂ、１
２ｃは、導電特性に優れた不透明な金属膜、例えばＭｏ
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉの一つの金属膜で形成されてい
る。
【００２６】カウンタ電極２３はそれぞれのサブ画素に
形成される。カウンタ電極２３はゲートバスライン２１
及びデータバスライン２２とそれぞれ所定間隔をおいて
離隔されて配置される。ここで、それぞれのカウンタ電
極２３は、図５に示すように、全体的に長方形枠状を持
つ本体２３ａと、本体２３ａに囲まれた空間を所定個に
区画する斜線形ブランチ２３ｂとを有する。
形成される。カウンタ電極２３はゲートバスライン２１
及びデータバスライン２２とそれぞれ所定間隔をおいて
離隔されて配置される。ここで、それぞれのカウンタ電
極２３は、図５に示すように、全体的に長方形枠状を持
つ本体２３ａと、本体２３ａに囲まれた空間を所定個に
区画する斜線形ブランチ２３ｂとを有する。
【００２７】ここで、斜線形ブランチ２３ｂの延長方向
はサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ別に異なるが、各画素空間
Ｒ、Ｇ、Ｂ内での斜線形ブランチ２３ｂはともに平行で
ある。ある一つのサブ画素空間内の斜線形ブランチ２３
ｂの延長方向と、そのサブ画素空間の上下左右隣接した
サブ画素空間内のブランチ２３ｂの延長方向とは互いに
対称に配置するのが望ましい。例えば、図５のように、
赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂ内のブランチ２３ｂはｘ軸
とθだけの角度をなし、緑サブ画素空間Ｇ内のブランチ
２３ｂはｘ軸にθ+９０だけの角度をなす。カウンタ電
極２３の斜線形ブランチ２３ｂは等間隔に配置され、そ
れらの幅は約２〜４μm程度になるようにする。
はサブ画素空間Ｒ、Ｇ、Ｂ別に異なるが、各画素空間
Ｒ、Ｇ、Ｂ内での斜線形ブランチ２３ｂはともに平行で
ある。ある一つのサブ画素空間内の斜線形ブランチ２３
ｂの延長方向と、そのサブ画素空間の上下左右隣接した
サブ画素空間内のブランチ２３ｂの延長方向とは互いに
対称に配置するのが望ましい。例えば、図５のように、
赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂ内のブランチ２３ｂはｘ軸
とθだけの角度をなし、緑サブ画素空間Ｇ内のブランチ
２３ｂはｘ軸にθ+９０だけの角度をなす。カウンタ電
極２３の斜線形ブランチ２３ｂは等間隔に配置され、そ
れらの幅は約２〜４μm程度になるようにする。
【００２８】画素電極２４はカウンタ電極２３の上部に
オーバーラップする。画素電極２４は、カウンタ電極２
３の本体２３ａの所定部分とオーバーラップする第１電
極部２４ａと、第１電極部２４ａからカウンタ電極２３
の斜線形ブランチ２３ｂ間に配置されるように延長され
る斜線形の第２電極部２４ｂとを有する。ここで、第２
電極部２４ｂは各サブ画素に該カウンタ電極２３の斜線
形ブランチ２３ｂと平行に配列される。
オーバーラップする。画素電極２４は、カウンタ電極２
３の本体２３ａの所定部分とオーバーラップする第１電
極部２４ａと、第１電極部２４ａからカウンタ電極２３
の斜線形ブランチ２３ｂ間に配置されるように延長され
る斜線形の第２電極部２４ｂとを有する。ここで、第２
電極部２４ｂは各サブ画素に該カウンタ電極２３の斜線
形ブランチ２３ｂと平行に配列される。
【００２９】このとき、画素電極２４の第１電極部２４
ａは全て、同一サブ画素空間内の第２電極部２４ｂとコ
ンタクトされる。よって、第１電極部２４ａは、例えば
実施の形態において、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂでは
Ｌ字形状に形成され、緑サブ画素空間ＧではＬ字形状を
時計方向に９０°だけ回転させた形状に形成される。こ
こで、画素電極２４の第１電極部２４ａの幅はカウンタ
電極２３の本体２３ａの幅より狭いか同一であり、第２
電極部２４ｂの幅はカウンタ電極２３の斜線形ブランチ
２３ｂと同一であるのが望ましい。しかも、斜線形ブラ
ンチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂ間の距離は、約０.５
〜３μmとなるようにし、実施の形態では１μmとする。
また、斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの間の
距離は、前記斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂ
の幅より小さく形成される。
ａは全て、同一サブ画素空間内の第２電極部２４ｂとコ
ンタクトされる。よって、第１電極部２４ａは、例えば
実施の形態において、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂでは
Ｌ字形状に形成され、緑サブ画素空間ＧではＬ字形状を
時計方向に９０°だけ回転させた形状に形成される。こ
こで、画素電極２４の第１電極部２４ａの幅はカウンタ
電極２３の本体２３ａの幅より狭いか同一であり、第２
電極部２４ｂの幅はカウンタ電極２３の斜線形ブランチ
２３ｂと同一であるのが望ましい。しかも、斜線形ブラ
ンチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂ間の距離は、約０.５
〜３μmとなるようにし、実施の形態では１μmとする。
また、斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂの間の
距離は、前記斜線形ブランチ２３ｂと第２電極部２４ｂ
の幅より小さく形成される。
【００３０】画素電極２４の第２電極部２４ｂの端部は
カウンタ電極２３の本体２３ａと鈍角をなす方向に曲げ
られる。これは、エッジ部に発生する寄生電界をなくす
ためである。ここで、カウンタ電極２３と画素電極２４
はともに透明導電膜、例えばＩＴＯ（indium tin oxid
e）物質で形成されるのが望ましい。
カウンタ電極２３の本体２３ａと鈍角をなす方向に曲げ
られる。これは、エッジ部に発生する寄生電界をなくす
ためである。ここで、カウンタ電極２３と画素電極２４
はともに透明導電膜、例えばＩＴＯ（indium tin oxid
e）物質で形成されるのが望ましい。
【００３１】ゲートバスライン２１とデータバスライン
２２との交点部分には薄膜トランジスタ２５を備える。
このとき、薄膜トランジスタ２５は、スイッチング素子
であって、ゲートバスライン２１の選択時、データバス
ライン２２の信号を画素電極２４に伝達する役割を果た
す。
２２との交点部分には薄膜トランジスタ２５を備える。
このとき、薄膜トランジスタ２５は、スイッチング素子
であって、ゲートバスライン２１の選択時、データバス
ライン２２の信号を画素電極２４に伝達する役割を果た
す。
【００３２】共通電極線２６はカウンタ電極２３の所定
部分とコンタクトするように配列される。このとき、共
通電極線２６はゲートバスライン２１と平行に配置され
る。ここで、共通電極線２６は、信号遅延が発生しない
ように、導電性に優れた不透明金属からなり、カウンタ
電極２３のそれぞれに共通信号を伝達する。
部分とコンタクトするように配列される。このとき、共
通電極線２６はゲートバスライン２１と平行に配置され
る。ここで、共通電極線２６は、信号遅延が発生しない
ように、導電性に優れた不透明金属からなり、カウンタ
電極２３のそれぞれに共通信号を伝達する。
【００３３】水平配向膜（図示せず）は下部基板の結果
物上部に塗布される。このとき、配向膜はｘ軸方向（ま
たはｙ軸方向）にラビングされる。ここで、符号２７は
ラビング軸方向を示す。
物上部に塗布される。このとき、配向膜はｘ軸方向（ま
たはｙ軸方向）にラビングされる。ここで、符号２７は
ラビング軸方向を示す。
【００３４】上部基板（図示せず）は下部基板と所定距
離をおいて対向するように設置され、上部基板及び下部
基板間には液晶層（図示せず）が介在される。ここで、
上部基板及び下部基板間のセルギャップは６μm以下程
度である。また、液晶層の誘電率異方性は、前記実施の
形態１で説明したように、電界の方向によって決定され
る。実施の形態では、電界とｘ軸のなす角が４５°以下
になるように電極を配置し、誘電率異方性が負の液晶を
用いる。上部基板（図示せず）の内側表面にも配向膜
（図示せず）が形成されるが、この上部基板側配向膜
（以下、上部配向膜という）は、前記下部基板側配向膜
（以下、下部配向膜という）のラビング軸と逆平行（an
ti-parallel）なラビング軸を持つ。
離をおいて対向するように設置され、上部基板及び下部
基板間には液晶層（図示せず）が介在される。ここで、
上部基板及び下部基板間のセルギャップは６μm以下程
度である。また、液晶層の誘電率異方性は、前記実施の
形態１で説明したように、電界の方向によって決定され
る。実施の形態では、電界とｘ軸のなす角が４５°以下
になるように電極を配置し、誘電率異方性が負の液晶を
用いる。上部基板（図示せず）の内側表面にも配向膜
（図示せず）が形成されるが、この上部基板側配向膜
（以下、上部配向膜という）は、前記下部基板側配向膜
（以下、下部配向膜という）のラビング軸と逆平行（an
ti-parallel）なラビング軸を持つ。
【００３５】偏光子（図示せず）は下部基板の外側面に
付着され、検光子（図示せず）は上部基板の外側面に付
着される。ここで、偏光子の偏光軸は下部基板の配向膜
のラビング軸と一致するように付着され、検光子の偏光
軸は下部偏光板の偏光軸と交叉する方向に付着される。
付着され、検光子（図示せず）は上部基板の外側面に付
着される。ここで、偏光子の偏光軸は下部基板の配向膜
のラビング軸と一致するように付着され、検光子の偏光
軸は下部偏光板の偏光軸と交叉する方向に付着される。
【００３６】この様な液晶表示装置の動作は次の通りで
ある。まず、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に電
界が形成されない場合には、液晶分子の長軸が一律的に
ラビング軸に沿って配列される。偏光子を通過した光は
液晶を通過するようになって偏光状態が変化しない。こ
れにより、液晶を通過した光は偏光軸と交叉配置された
偏光軸を持つ検光子が通過できなくなるので、画面は黒
となる。
ある。まず、カウンタ電極２３及び画素電極２４間に電
界が形成されない場合には、液晶分子の長軸が一律的に
ラビング軸に沿って配列される。偏光子を通過した光は
液晶を通過するようになって偏光状態が変化しない。こ
れにより、液晶を通過した光は偏光軸と交叉配置された
偏光軸を持つ検光子が通過できなくなるので、画面は黒
となる。
【００３７】一方、カウンタ電極２３及び画素電極２４
間に所定の電圧差が発生されると、カウンタ電極２３の
ブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間
に電界が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は該サ
ブ画素空間のブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂと法
線形に形成される。すなわち、赤及び青サブ画素空間
Ｒ、Ｂにはｘ軸とθ１+９０°だけの角度をなす電界Ｅ
１が形成され、緑サブ画素空間Ｇにはｘ軸とθ１だけの
角度をなす電界Ｅ２が形成される。
間に所定の電圧差が発生されると、カウンタ電極２３の
ブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間
に電界が形成される。このとき、電界Ｅ１、Ｅ２は該サ
ブ画素空間のブランチ２３ｂ及び第２電極部２４ｂと法
線形に形成される。すなわち、赤及び青サブ画素空間
Ｒ、Ｂにはｘ軸とθ１+９０°だけの角度をなす電界Ｅ
１が形成され、緑サブ画素空間Ｇにはｘ軸とθ１だけの
角度をなす電界Ｅ２が形成される。
【００３８】このため、赤サブ画素空間Ｒと緑サブ画素
空間Ｇとは、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成さ
れ、さらに緑サブ画素空間Ｇと青サブ画素空間Ｂとも、
ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成される。する
と、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂの液晶分子は反時計方
向に捻れ、緑サブ画素空間Ｇの液晶分子は時計方向に捻
れる。このとき、電界と短軸が平行に捻れると、液晶分
子は偏光板の偏光軸と４５°をなすことになり、最大透
過率となり、光の漏れを起こす。よって、画面は白とな
る。
空間Ｇとは、ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成さ
れ、さらに緑サブ画素空間Ｇと青サブ画素空間Ｂとも、
ｙ軸を中心にして左右対称な電界が形成される。する
と、赤及び青サブ画素空間Ｒ、Ｂの液晶分子は反時計方
向に捻れ、緑サブ画素空間Ｇの液晶分子は時計方向に捻
れる。このとき、電界と短軸が平行に捻れると、液晶分
子は偏光板の偏光軸と４５°をなすことになり、最大透
過率となり、光の漏れを起こす。よって、画面は白とな
る。
【００３９】それぞれのサブ画素別に見ると、液晶分子
は一律的に一方に働くが、人間の目は単位サブ画素が識
別できる程敏感ではない。従って、Ｒ、Ｇ、Ｂメイン画
素側面で見る時、液晶分子の捻れの方向が互いに異なる
ので、液晶分子の屈折率異方性が補償される。これによ
り、側面方位角で画面を見る時のカラーシフト現像が補
償される。
は一律的に一方に働くが、人間の目は単位サブ画素が識
別できる程敏感ではない。従って、Ｒ、Ｇ、Ｂメイン画
素側面で見る時、液晶分子の捻れの方向が互いに異なる
ので、液晶分子の屈折率異方性が補償される。これによ
り、側面方位角で画面を見る時のカラーシフト現像が補
償される。
【００４０】又、カウンタ電極２３と画素電極２４は透
明な金属で形成し、フリンジフィールドを形成するよう
にし、既存のＩＰＳモードよりも透過率を向上させる。
さらに、実質的に電界の形成されるカウンタ電極２３の
ブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間
の距離が電極幅に比べて狭く、ブランチ２３ｂ及び第２
電極部２４ｂは、その上部にある液晶分子が前記電界Ｅ
１、Ｅ２によって十分に動作される程の幅を持つので、
透過率は増大する。
明な金属で形成し、フリンジフィールドを形成するよう
にし、既存のＩＰＳモードよりも透過率を向上させる。
さらに、実質的に電界の形成されるカウンタ電極２３の
ブランチ２３ｂ及び画素電極２４の第２電極部２４ｂ間
の距離が電極幅に比べて狭く、ブランチ２３ｂ及び第２
電極部２４ｂは、その上部にある液晶分子が前記電界Ｅ
１、Ｅ２によって十分に動作される程の幅を持つので、
透過率は増大する。
【００４１】（実施の形態３）図６は実施の形態３に係
るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基
板を示す平面図である。実施の形態３では、ゲートバス
ライン、データバスライン、薄膜トランジスタ、共通電
極線、第１及び第２配向膜、並びに第１及び第２偏光板
の配置は前記実施の形態１と同様であるが、カウンタ電
極と画素電極の配置は異なる。すなわち、図６に示すよ
うに、実施の形態３におけるカウンタ電極２３０は板状
で形成される。このカウンタ電極２３０は透明な導電
体、例えばＩＴＯ金属膜で形成される。
るアクティブマトリックス方式の液晶表示装置の下部基
板を示す平面図である。実施の形態３では、ゲートバス
ライン、データバスライン、薄膜トランジスタ、共通電
極線、第１及び第２配向膜、並びに第１及び第２偏光板
の配置は前記実施の形態１と同様であるが、カウンタ電
極と画素電極の配置は異なる。すなわち、図６に示すよ
うに、実施の形態３におけるカウンタ電極２３０は板状
で形成される。このカウンタ電極２３０は透明な導電
体、例えばＩＴＯ金属膜で形成される。
【００４２】画素電極２４はカウンタ電極２３０の上部
にオーバーラップする。画素電極２４は、前述した実施
の形態２と同様に、カウンタ電極２３０の端部の所定部
分に沿って形成される第１電極部２４ａと、第１電極部
２４ａから斜線形に延長される複数の第２電極部２４ｂ
とを有する。この第２電極部２４ｂは等間隔例えば１〜
４μm以下の間隔に配置される。第２電極部２４ｂとｘ
軸は所定角度θ２、例えば２〜３０°とし、これによ
り、液晶層は誘電率異方性が負の物質を選択する。
にオーバーラップする。画素電極２４は、前述した実施
の形態２と同様に、カウンタ電極２３０の端部の所定部
分に沿って形成される第１電極部２４ａと、第１電極部
２４ａから斜線形に延長される複数の第２電極部２４ｂ
とを有する。この第２電極部２４ｂは等間隔例えば１〜
４μm以下の間隔に配置される。第２電極部２４ｂとｘ
軸は所定角度θ２、例えば２〜３０°とし、これによ
り、液晶層は誘電率異方性が負の物質を選択する。
【００４３】実施の形態３において、カウンタ電極２３
０及び画素電極２４間の間隔は、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）厚さだけであり、ゲート絶縁膜の厚さは電極幅に比
べて小さい。また、電界は、画素電極２４の第２電極部
２４ｂと、画素電極２４の第２電極部２４ｂによって露
出したカウンタ電極２３０との間で形成される。この様
な実施の形態３に係る液晶表示装置は実施の形態２の液
晶表示装置と同様に動作する。
０及び画素電極２４間の間隔は、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）厚さだけであり、ゲート絶縁膜の厚さは電極幅に比
べて小さい。また、電界は、画素電極２４の第２電極部
２４ｂと、画素電極２４の第２電極部２４ｂによって露
出したカウンタ電極２３０との間で形成される。この様
な実施の形態３に係る液晶表示装置は実施の形態２の液
晶表示装置と同様に動作する。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ある一つのサブ画素に形成される電界と、そ
の画素と隣接するサブ画素に形成される電界は、ともに
斜線形を取りながら、互いに対称をなすように形成され
る。これにより、電界印加時、液晶分子が対称な二方向
にツイストされる。従って、液晶分子の屈折率異方性が
補償されてカラーシフトが防止されることにより、画質
特性が改善される。
によれば、ある一つのサブ画素に形成される電界と、そ
の画素と隣接するサブ画素に形成される電界は、ともに
斜線形を取りながら、互いに対称をなすように形成され
る。これにより、電界印加時、液晶分子が対称な二方向
にツイストされる。従って、液晶分子の屈折率異方性が
補償されてカラーシフトが防止されることにより、画質
特性が改善される。
【００４５】さらに、カウンタ電極と画素電極が透明な
物質で形成され、カウンタ電極と画素電極間の距離がカ
ウンタ電極や画素電極の電極幅よりも狭いので、電極上
部でも電界が達するようにする。このため、液晶表示装
置の開口率及び透過率がより改善される。
物質で形成され、カウンタ電極と画素電極間の距離がカ
ウンタ電極や画素電極の電極幅よりも狭いので、電極上
部でも電界が達するようにする。このため、液晶表示装
置の開口率及び透過率がより改善される。
【００４６】また、一般的にコントラスト分布はラビン
グ方向でより優れている。本発明のラビング方向は視認
者の見慣れた方向の９０°、１８０°（ゲート、データ
バスライン構造）であるから、視認者の見慣れた方向で
のコントラストはより改善される。
グ方向でより優れている。本発明のラビング方向は視認
者の見慣れた方向の９０°、１８０°（ゲート、データ
バスライン構造）であるから、視認者の見慣れた方向で
のコントラストはより改善される。
【００４７】尚、本発明は、その要旨から逸脱しない範
囲内で多様に変更・実施できることは勿論である。
囲内で多様に変更・実施できることは勿論である。
【図１】従来のＩＰＳ液晶表示装置の駆動原理を説明す
るための図である。
るための図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘
電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面
図である。
電率異方性が正の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面
図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置であって、誘
電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面
図である。
電率異方性が負の液晶を用いた液晶表示装置を示す平面
図である。
【図４】実施の形態２に係るアクティブマトリックス方
式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置のカウンタ電
極を示す平面図である。
極を示す平面図である。
【図６】実施の形態３に係るアクティブマトリックス方
式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
式の液晶表示装置の下部基板を示す平面図である。
２１ ゲートバスライン ２２ データバスライン ２３ カウンタ電極 ２３ａ 本体 ２３ｂ 斜線形ブランチ ２４ 画素電極 ２４ａ 第１電極部 ２４ｂ 第２電極部 ２５ 薄膜トランジスタ
Claims (17)
- 【請求項１】所定距離をおいて対向する上部及び下部基
板と、 上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有す
る液晶層と、 前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を
限定するゲートバスラインとデータバスラインと、 前記下部基板のサブ画素内にそれぞれ形成されるカウン
タ電極と、 前記下部基板のサブ画素内に形成され、カウンタ電極と
共に電界を形成する画素電極と、 前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に
形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラ
インの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジ
スタと、 前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜
とを備え、 前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素のカ
ウンタ電極と画素電極の間には、ゲートバスライン及び
データバスラインに対して斜線形の第１電界が形成さ
れ、 前記サブ画素の隣接したサブ画素のカウンタ電極と画素
電極の間には、前記第１電界と対称をなす斜線形の第２
電界が形成されることを特徴とする、高開口率及び高透
過率液晶表示装置。 - 【請求項２】前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電
体で形成されることを特徴とする請求項１記載の高開口
率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項３】前記カウンタ電極及び画素電極の間隔は、
カウンタ電極及び画素電極の幅より小であることを特徴
とする請求項２記載の高開口率及び高透過率液晶表示装
置。 - 【請求項４】前記カウンタ電極及び画素電極の幅は、前
記カウンタ電極及び画素電極間に形成される電界によっ
て、カウンタ電極及び画素電極の上部にある液晶分子が
十分に動作できる程度であることを特徴とする請求項３
記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項５】前記下部基板に形成される水平配向膜は、
ゲートバスライン（またはデータバスライン）と平行な
方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水平配
向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な（anti-paral
lel）方向にラビングされることを特徴とする請求項１
記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項６】前記下部基板の外側面には偏光子がさらに
配置され、前記上部基板の外側面には検光子がさらに配
置され、前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビン
グ軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸は
前記偏光子の偏光軸と垂直であることを特徴とする請求
項５記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項７】前記電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９
０°であれば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜
４５°であれば、誘電率異方性が負の液晶を用いること
を特徴とする請求項１記載の高開口率及び高透過率液晶
表示装置。 - 【請求項８】所定距離をおいて対向する上部及び下部基
板と、 上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有す
る液晶層と、 前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を
限定するゲートバスラインとデータバスラインと、 前記サブ画素内に形成される長方形枠状の本体と、前記
本体に囲まれた部分を区画する少なくとも一つ以上の斜
線形ブランチとを有するカウンタ電極と、 前記カウンタ電極の本体の所定部分とオーバーラップす
るように形成される第１電極部と、前記第１電極部から
該サブ画素内に形成された斜線形ブランチと平行に延長
される第２電極部とを有する画素電極と、 前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に
形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラ
インの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジ
スタと、 前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜
とを備え、 前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の斜
線形ブランチと第２電極部は、ゲートバスライン及びデ
ータバスラインに対して斜線形に延長され、 前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成され
る斜線形ブランチと第２電極部は、前記選択された斜線
形ブランチ及び第２電極部と対称をなすように配列さ
れ、 前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成さ
れ、前記カウンタ電極の斜線形ブランチと前記画素電極
の第２電極部の幅は、電極間に形成される電界が電極全
部分に達する程度の幅であることを特徴とする、高開口
率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項９】前記斜線形ブランチ及び第２電極部間の距
離は、電極幅より狭いことを特徴とする請求項８記載の
高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記下部基板に形成される水平配向膜
は、ゲートバスライン（またはデータバスライン）と平
行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水
平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラ
ビングされることを特徴とする請求項８記載の高開口率
及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記下部基板の外側面には偏光子がさら
に配置され、前記上部基板の外側面には検光子がさらに
配置され、前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビ
ング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸
は前記偏光子の偏光軸と垂直であることを特徴とする請
求項８記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１２】前記選択されたサブ画素空間のカウンタ
電極のブランチと前記画素電極の第２電極部の間に形成
される電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９０°であれ
ば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°であ
れば、誘電率異方性が負の液晶を用いることを特徴とす
る請求項８記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１３】所定距離をおいて対向する上部及び下部
基板と、 上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有す
る液晶層と、 前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を
限定するゲートバスラインとデータバスラインと、 前記サブ画素内に形成される長方形板状のカウンタ電極
と、 前記カウンタ電極の所定部分とオーバーラップするよう
に形成される第１電極部と、前記第１電極部から斜線形
に延長される第２電極部とを有する画素電極と、 前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に
形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラ
インの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジ
スタと、 前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜
とを備え、 前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の第
２電極部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに
対して斜線形に延長され、 前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成され
る第２電極部は、前記選択されたサブ画素の第２電極部
と対称をなすように配列され、 前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成され
ることを特徴とする、高開口率及び高透過率液晶表示装
置。 - 【請求項１４】前記画素電極の第２電極部及び第２電極
部によって露出するカウンタ電極の幅は、電極間に形成
される電界が電極全部分に達する程度の幅であることを
特徴とする請求項１３記載の高開口率及び高透過率液晶
表示装置。 - 【請求項１５】前記下部基板に形成される水平配向膜
は、ゲートバスライン（またはデータバスライン）と平
行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水
平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラ
ビングされることを特徴とする請求項１３記載の高開口
率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１６】前記下部基板の外側面には偏光子がさら
に配置され、前記上部基板の外側面には検光子がさらに
配置され、前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビ
ング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸
は前記偏光子の偏光軸と垂直であることを特徴とする請
求項１３記載の高開口率及び高透過率液晶表示装置。 - 【請求項１７】前記選択されたサブ画素空間のカウンタ
電極のブランチと前記画素電極の第２電極部の間に形成
される電界と偏光軸がなす角が、４５°〜９０°であれ
ば、誘電率異方性が正の液晶を用い、０°〜４５°であ
れば、誘電率異方性が負の液晶を用いることを特徴とす
る請求項１３記載の高開口率及び高透過率液晶表示装
置。
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|---|---|
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Family
ID=19537879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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