FR2637762A1 - Enroulement pour puce electronique et son procede de fabrication - Google Patents
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Abstract
Cet enroulement 10 comprend un substrat isolant 12 sur lequel sont formés un conducteur à enroulement en spirale 14 et des électrodes terminales 16a, 16b. On réalise le conducteur et les électrodes en formant un film conducteur sur les surfaces du substrat, puis en attaquant celui-ci. On forme un premier film d'isolation 18 (polyimide ou polyamide), sur le substrat, de façon à recouvrir le conducteur et les électrodes. Le film 18 est attaqué de telle sorte que les parties correspondant aux électrodes sont enlevées, et que l'on forme un trou de passage 20 au niveau d'une partie dont la position correspond à l'extrémité intérieure 15 du conducteur 14. On forme un nouveau film conducteur sur le film 18, et on l'attaque pour former un conducteur de liaison 22, dont les deux extrémités sont connectées respectivement à l'extrémité intérieure 15 du conducteur 14 et à la seconde électrode 16b par le trou de passage. En outre, on forme un second film d'isolation 24 sur le substrat puis on l'attaque, les électrodes 16a, 16b étant alors exposées.
Description
ENROULEMENT POUR PUCE ELECTRONIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
La présente invention porte sur un enroulement pour
puce et sur son procédé de fabrication. De façon plus spéci-
fique, la présente invention porte sur un enroulement pour puce qui comprend un conducteur en forme d'enroulement (ci-après désigné conducteur à enroulement) réalisé sur un substrat isolant et une paire
d'électrodes terminales formées aux deux extrémités du substrat iso-
lant et connectées aux deux extrémités du conducteur à enrou-
lement, et sur un procédé permettant de fabriquer cet enrou-
lement pour puce.
Dans un enroulement pour puce classique 1, tel que représenté sur la Figure 5, par sérigraphie à l'aide d'une pâte d'Ag, on forme un conducteur à enroulements en spirale 3 sur la surface d'un substrat 2 en alumine, et on forme des électrodes terminales 4a et 4b aux deux extrémités du substrat 2 en alumine. L'extrémité extérieure du conducteur à enroulement 3 est connectée à l'une (4a) des électrodes terminales, et l'extrémité intérieure du conducteur à enroulement 3 est connectée à l'électrode terminale 4b par une électrode de liaison 6, laquelle est formée sur la surface arrière du substrat 2 en alumine, par
un trou de passage 5 formé sur le substrat 2 en alumine.
Dans un enroulement pour puce classique 1, le conducteur à enroulement 3 et les électrodes terminales 4a et 4b sont formés par le procédé de sérigraphie. Par conséquent, il est impossible de rendre la largeur de ligne du conducteur à enroulement 3 inférieure à 150 Fm. En outre, il est impossible de rendre le diamètre du trou de passage 5 formé sur le substrat 2 en alumine inférieur à 200 "m, étant donné que, si et lorsque le diamètre du trou de passage 5 est inférieur à 200 pm, il est difficile de former une couche métallisée pour l'électrode de liaison 6 dans le trou de passage 5. Par conséquent, dans le procédé de fabrication classique, il est impossible d'obtenir un enroulement pour puce qui est miniaturisé et qui présente
une bonne fiabilité.
Un procédé capable de résoudre un tel problème est décrit dans la publication de la demande de brevet japonais n 110 009/1980 en date du 25 août 1980. Conformément à la technique antérieure décrite dans la publication de la demande de brevet japonais n 110 009/1980, on forme un film conducteur sur la totalité de la surface principale d'un substrat isolant par métallisation sous vide, et, par attaque du film conducteur, on forme une pluralité de conducteurs en rubans sur la surface principale avec un intervalle prédéterminé. Par peinture ou application d'un film d'isolation, réalisé en polyimide, sur des parties des conducteurs en rubans excepté leurs deux extrémités respectives, et par formation d'autres conducteurs en
rubans sur le film d'isolation, un conducteur à enrou-
lement, dans lequel les extrémités des conducteurs en rubans respectifs sont connectées entre elles, peut être formé. Par le procédé décrit dans la publication de la demande de brevet japonais no 110 009/1980, étant donné que l'on forme plusieurs conducteurs en rubans par une attaque, il est possible de rendre la largeur de ligne du conducteur à enroulement plus petite que dans le procédé classique, et il n'est pas nécessaire de former un trou de passage pour connecter les électrodes terminales au conducteur à enroulement, ni d'employer une technique de liaison par fils métalliques. Par conséquent, il y a l'avantage de
pouvoir obtenir un enroulement pour puce qui est miniatu-
risé. Cependant, dans le procédé décrit dans la publication de la demande de brevet japonais n 110 009/ 1980, il est nécessaire de peindre ou d'appliquer le film d'isolation seulement sur les parties médianes des conducteurs en rubans respectifs, de telle sorte que les deux extrémités des conducteurs en rubans respectifs puissent être exposées. Cependant, le travail de peinture ou d'application du film d'isolation de telle sorte que seules les deux extrémités des fins conducteurs en rubans puissent être exposées de façon précise, est très difficile, et, par conséquent, la précision dimensionnelle devient faible en raison d'une telle difficulté. Il se pose donc le problème de la fiabilité de l'enroulement pour puce. Le principal objectif de la présente invention est donc de proposer un enroulement pour puce susceptible d'être
miniaturisé et présentant une bonne fiabilité.
L'autre objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication qui permette d'obtenir un enroulement pour puce susceptible d'être miniaturisé et
présentant une bonne fiabilité.
Le procédé de fabrication conforme à la présente invention comprend les étapes suivantes consistant à: (a) préparer un substrat présentant une surface isolante; (b) former un film conducteur sur la totalité de la surface isolante du substrat par une technique à film mince; (c) former un conducteur à enroulement et une paire d'électrodes terminales sur la surface isolante du substrat en enlevant la partie non nécessaire du film conducteur par une attaque de celui-ci; (d) former un film d'isolation sur le substrat de façon à recouvrir le conducteur à enroulement et la paire d'électrodes terminales; et (e) exposer la paire d'électrodes terminales en enlevant la partie non-nécessaire du film d'isolation par une
attaque de celui-ci.
Conformément à la présente invention, étant donné que le conducteur à enroulement est formé par une attaque, il est possible de rendre fine la largeur de ligne et de
rendre fin l'intervalle de ligne du conducteur à enrou-
lement. On peut donc obtenir un enroulement pour puce qui est miniaturisé dans son ensemble. En outre, les électrodes terminales sont exposées par attaque du film d'isolation qui est formé sur la totalité de la surface, il est possible d'exposer les électrodes terminales avec une bonne précision dimensionnelle et, par conséquent, il est possible d'obtenir
un enroulement pour puce présentant une bonne fiabilité.
Un enroulement pour puce conforme à la présente invention comprend un substrat présentant une surface isolante; un conducteur à enroulement et une paire d'électrodes terminales formées sur la surface isolante du substrat; et un film d'isolation formé par la technique d'attaque de telle sorte que le film d'isolation puisse recouvrir le conducteur à enroulement, mais que la paire
d'électrodes terminales puisse être exposée.
Conformément à un mode de réalisation de la présente invention, le conducteur à enroulement est formé dans une configuration en spirale. Etant donné que le conducteur à enroulement et les première et seconde électrodes terminales peuvent être formés simultanément dans le même procédé d'attaque, l'extrémité extérieure du conducteur à enroulement en spirale est connectée à la première électrode terminale sur la surface isolante du substrat. Cependant, il est nécesssaire de connecter l'extrémité intérieure du conducteur à enroulement en spirale à la seconde électrode terminale dans une étape ultérieure ou dans un procédé ultérieur. Par conséquent, dans le mode de réalisation, après avoir formé le conducteur à enroulement et les première et seconde électrodes terminales, on forme un premier film d'isolation sur la totalité de la surface isolante, de façon à recouvrir le conducteur à enroulement et les première et seconde électrodes terminales. Ensuite, en attaquant le premier film d'isolation, on expose les première et seconde électrodes terminales, et on forme un trou de passage au niveau d'une partie dont la position correspond à l'extrémité intérieure du conducteur a enroulement en spirale. Ensuite, on forme, sur le premier film d'isolation, un conducteur de liaison qui connecte l'extrémite intérieure du conducteur a enroulement en spirale à la seconde électrode terminale par le trou de passage. On forme un second film d'isolation sur le substrat, de façon à recouvrir les première et seconde électrodes terminales, le premier film d'isolation et le
conducteur de liaison, et, en enlevant la partie non-
nécessaire du second film d'isolation au moyen d'une attaque, on peut exposer les première et seconde électrodes terminales. Conformément à ce mode de réalisation, pour connecter l'extrémité intérieure du conducteur à enroulement en spirale et la seconde électrode terminale, il n'est pas nécessaire de former un trou de passage. sur le substrat ni d'employer une technique de liaison par fils métalliques, comme cela est effectué dans le procédé classique, et, par conséquent, on peut s'attendre, non seulement à une miniaturisation de l'enroulement pour puce, mais également à une augmentation de sa fiabilité. De plus, étant donné qu'il n'est pas nécessaire de former une couche métallisée sur la paroi interne du trou de passage, il est possible de rendre très petit le diamètre du trou de passage
qui est formé sur le premier film d'isolation.
L'enroulement pour puce conforme à ce mode de réalisation comprend un substrat présentant une surface isolante; un conducteur à enroulement en spirale et des première et seconde électrodes terminales formées sur la surface isolante du substrat par une attaque, l'extrémité extérieure dudit conducteur à enroulement en spirale étant connectée à la première électrode terminale et l'extrémité intérieure du conducteur à enroulements en spirale étant ouverte; un premier film d'isolation formé par une attaque defaçon à recouvrir le conducteur à enroulement en spirale, mais à ne pas recouvrir les première et seconde électrodes terminales; un trou de passage formé par une attaque au niveau d'une partie dont la position correspond a l'extrémité intérieure du conducteur à enroulement en spirale; un conducteur de liaison formé sur le premier film d'isolation par une attaque, dont les deux extrémités sont connectées à
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l'extrémité intérieure du conducteur a enroulement en spirale et à la seconde électrode terminale, par le trou de passage; et un second film d'isolation formé sur le premier film d'isolation par une attaque, de telle sorte que les première et seconde électrodes terminales puissent être exposées. Les objectifs, caractéristiques, aspects et avantages de la présente invention qui viennent d'être
indiqués, ainsi que d'autres, ressortiront de la description
détaillée suivante des modes de réalisation de la présente
invention, faite avec référence au dessin annexé.
Sur ce dessin: - Fig.l est une vue en coupe transversale selon I-I de Fig. 2E, représentant un mode de réalisation conforme à la présente invention; - Fig.2A - 2E sont des vues explicatives montrant un procédé de fabrication d'un enroulement pour puce du mode réalisation de Fig.1; Fig.3A - Fig.3J sont des vues explicatives montrant un procédé de fabrication spécifique d'un enroulement pour puce du mode de réalisation de Fig.l; - Fig.4 est une vue en perspective montrant un exemple modifié du mode de réalisation de Fig.l; - Fig.5 est une vue en perspective montrant un exemple
d'enroulement pour puce classique.
Si l'on se réfère à Fig.l, on voit que l'on a représenté un enroulement pour puce 10 qui comprend un substrat 12, qui est fait d'un verre isolant et qui présente une surface isolante. Comme représenté sur Fig. 2A, un conducteur à enroulement en spirale 14 est formé sur la surface supérieure du substrat 12. L'extrémité extérieure du conducteur à enroulement 14 s'étend jusqu'à l'une des extrémités du substrat 12 et est connectée à une première électrode terminale 16a qui est formée au niveau de cette partie. Une seconde électrode terminale 16b est formée à l'autre extrémité du substrat 12. Sur la surface supérieure du substrat 12, comprenant le conducteur à enroulement 14, un film d'isolation 18 est formé excepté sur les parties
des première et seconde électrodes terminales 16a et 16b.
Un trou de passage 20 est formé au niveau d'une partie du film d'isolation 18, dont la position correspond à
l'extrémité intérieure 15 du conducteur à enroulement 14.
Un conducteur de liaison 22 est formé sur le film d'isola-
tion 18, de façon à connecter l'une à l'autre l'extrémité intérieure 15 du conducteur à enroulement 14 et la seconde électrode terminale 16b, par le trou de passage 20. Sur le film d'isolation 18 et le conducteur de liaison 22, un film protecteur d'isolation 24 est formé de telle sorte que les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b
puissent être exposées.
De plus, sur les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b, des films de Ni 26a et 26b sont formés par placage électrolytique. Puis, des films de brasage 28a et 28b sont formés sur les films de Ni 26a et
26b. Ainsi, l'enroulement pour puce 10 est achevé.
On va maintenant décrire, avec référence aux Fig.2A - Fig.2E et Fig.3A Fig.3J, un procédé de fabrication de l'enroulement pour puce 10 du mode de
réalisation de Fig.l.
Tout d'abord, on prépare une carte mère 12a (Fig.3A), qui n'a pas été découpée suivant un substrat pour puce 12 représenté sur Fig.2A. Cette carte mère 12a est faite d'un matériau isolant, tel que le verre, le verre cristallisé, l'alumine ou similaires, par exemple. Ensuite, après avoir réalisé une finition brillant des deux principales surfaces de la carte mère 12a, on lave cette dernière. Puis, on forme un film de Ti 14a sur la totalité des deux principales surfaces de la carte mère 12a, par un procédé de pulvérisation cathodique. Ensuite, par une pulvérisation cathodique à deux éléments Ti et Ag, on
forme un film de Ti-Ag 14b sur la surface du film de Ti 14a.
Ensuite, on forme un film d'Ag 14c sur la surface du film de Ti-Ag 14k par pulvérisation cathodique. On forme ainsi un film conducteur 14A, présentant une structure à trois couches, sur les deux principales surfaces de la carte mère 12a, comme représenté sur Fig.3B. Le film conducteur 14A devient le conducteur a enroulement en spirale et les électrodes terminales représentés sur Fig.l ou sur Fig.2A. De plus, le film de Ti 14a et le film de Ti-Ag 14b augmentent l'adhérence entre la carte mère 12a et
le film d'Ag 14c.
Ensuite, on forme un film de réserve (photo-
résiste) 30 sur la surface du film conducteur 14A décrit ci-dessus, et on expose le film de réserve 30 dans des conditions o il est recouvert par un masque qui est réalisé à l'avance conformément aux formes et aux positions du conducteur à enroulement 14 et des première et seconde électrodes terminales 16a et 16b. De façon plus spécifique, la partie du film de réserve 30, qui est destinée à être conservée, est irradiée par une lumière, et, par conséquent,
en développant le film de réserve 30, la partie non-
nécessaire de celui-ci est enlevée. Ainsi, comme représenté sur Fig.3C, le film de réserve 30 est formé sur les parties correspondant au conducteur à enroulement 14 et aux
première et seconde électrodes 16a et 16k (Fig.1 ou Fig.2).
Ensuite, dans ces conditions, la carte mère 12a est soumise à un procédé d'attaque. Par conséquent, comme représenté sur Fig.3D, on enlève le film conducteur 14A de la partie o le film de réserve 30 a été enlevé. Ensuite, on enlève le film de réserve 30. Ainsi, comme représenté sur Fig. 2A (Fig.l) ou Fig.3D, le conducteur à enroulement en
spirale 14 et les première et seconde électrodes termi-
nales 16a et 16b sont formés simultanément.
Ensuite, comme représenté sur Fig.2B ou Fig.3E, on forme un film d'isolation 18a, fait d'une résine polyimide photosensible, sur la surface supérieure de la carte
mère 12a.
Dans les conditions o les parties correspondant aux première et seconde électrodes terminales 16a et 16b et la partie correspondant à l'extrémité intérieure 15 du conducteur à enroulement 14 sont recouvertes par un masque,
le film d'isolation 18a est exposé puis développé (attaqué).
Par conséquent, comme représenté sur Pig.2C et Fig.3F, le film d'isolation 18 est formé de telle sorte que les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b sont exposées et que le trou de passage 20 est formé. Au niveau
de la partie du trou de passage 20, l'extrémité inté-
rieure 15 du conducteur à enroulement 14 est exposée.
Ensuite, la carte mère 12a est chauffée dans une atmosphère
de N2 gazeux, à 400 C, pour faire durcir le film d'isola-
tion 18.
En outre, dans le cas o le film d'isolation 18 est fait d'un polyimide non-photosensible, après la formation d'un film de réserve (photorésiste) d'un type positif, la partie du film d'isolation destinée a être
enlevée peut être exposée et développée.
On forme un film conducteur sur la surface du film d'isolation 18 décrit ci-dessus par pulvérisation cathodique. Ensuite, par une attaque, on forme le conducteur de liaison 22, tel que représenté sur Fig.l, Fig.2D, ou Fig.3G, sur le film d'isolation 18. L'une des extrémités du conducteur de liaison 22 est connectée à l'extrémité intérieure du conducteur à enroulement 14 par le trou de passage 20, et l'autre extrémité du conducteur de
liaison 22 est connectée à la seconde électrode termi-
nale 16b.
Ensuite, comme représenté sur Fig.2E ou Fig.3H, on forme un film protecteur d'isolation 24a, fait d'une résine de polyimide, sur la surface supérieure de la carte mère 12a. Ensuite, les parties du film protecteur d'isolation 24a correspondant aux première et seconde
électrodes terminales 16a et 16b sont attaquées et enlevées.
Par conséquent, les première et seconde électrodes
terminales 16a et 16b peuvent être exposées.
Ensuite, comme représenté sur Fig.3I, la carte mère 12a est découpée à l'aide d'un appareil de découpage de tranches de puces, de telle sorte que l'on puisse obtenir le substrat
pour puce 12 tel que représenté sur Fig.2E.
Ensuite, comme représenté sur Fig.3J, des électro-
des latérales sont formées sur les deux surfaces latérales de chaque substrat pour puce 12 avec même matériau que le conducteur à enroulement 14 et les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b. Par conséquent, les premières électrodes terminales 16a se trouvant sur les deux surfaces principales du substrat 12 sont connectées entre elles, et les secondes électrodes terminales 16b se trouvant sur les deux surfaces principales du substrat 12 sont connectées entre elles. Ensuite, sur les surfaces des première et seconde électrodes terminales 16a et 16b qui sont formées pour être continues aux deux extrémités du substrat 12 et à ses surfaces latérales, on forme les films de Ni 26a et 26b, puis on forme les films de brasage ou films de Sn 28a et 28b sur les surfaces des films de Ni 26a et 26b. On obtient ainsi l'enroulement pour puce 10, tel
que représenté sur Fig.l ou sur Fig.3J.
Dans un procédé de fabrication conforme à ce mode de réalisation, étant donné que l'on forme le conducteur à enroulement 14 par pulvérisation cathodique et attaque, il est possible de rendre fine la largeur de ligne du
conducteur à enroulement 14 jusqu'à concurrence de 10 >m.
En outre, étant donné que le trou de passage 20 est formé par une attaque, son diamètre peut être rendu petit jusqu'à concurrence de quelques ?m ou de plusieurs ym, et, par conséquent, il est possible de rendre le substrat 12 petit en considération de ces points. En outre, étant donné qu'il est possible de rendre importante l'épaisseur du conducteur à enroulement 14 jusqu'à concurrence de 5 um, on peut s'attendre à une augmentation de Q. En outre, le film conducteur 14A décrit ci-dessus peut être formé par une technique à film mince, telle qu'un dépôt sous vide ou un placage ionique autre qu'une
pulvérisation cathodique.
En outre, les raisons pour lesquelles une résine de polyimide ou de polyamide est utilisée pour le film d'isolation 18 et le film protecteur d'isolation 24 sont les suivantes: (1) La résine de polyimide ou de polyamide présente une constante diélectrique inférieure à celle d'une matière minérale, telle que SiO2, SiN4, PSG, SOG ou similaires, et une bonne aptitude au façonnage. En
d'autres termes, par une technique photo-litho-
graphique, il est possible de travailler finement de façon aisée, non seulement une résine de polyimide ou de polyamide présentant une photosensibilité, mais également une résine de polyimide ou de polyamide ne
présentant pas de photosensibilité.
(2) Pour rendre importante la valeur de Q de l'enrou-
lement, l'épaisseurdu conducteur à enroulement doit être rendue importante de telle sorte que la résistance du conducteur devienne faible. Par ailleurs, lorsque l'épaisseur du conducteur à enroulement est importante, un gradin ou des inégalités sont formés par la surface du conducteur à enroulement et la surface du substrat. Cependant, en recouvrant un tel gradin ou de telles inégalités par la résine de polyimide ou de polyamide, il est possible d'aplanir les inégalités de la surface. Par conséquent, l'épaisseur du conducteur à enroulement peut être rendue suffisamment importante. En outre, étant donné que la surface est
aplanie, la fiabilité de la connexion entre les -
conducteurs sur le;ubstrat augmente.
(3) Etant donné que la résine de polyimide ou de polyamide présente une résistance à la chaleur et une résistance aux produits chimiques, il est possible de former facilement un film conducteur sur celle-ci par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou similaires. En outre, une telle résine n'est pas sevèrement affectée par une solution de placage autocatalytique, placage électrolytique ou attaque, ou par un solvant organique. Par conséquent, le conducteur à enroulement n'est jamais attaqué lors de l'attaque du film d'isolation, et le film d'isolation n'est jamais attaqué lors de l'attaque du film conducteur
pour le conducteur de liaison.
De plus, dans le mode de réalisation décrit ci-
dessus, un conducteur à enroulement en spirale est formé en tant que conducteur à enroulement 14. Cependant, la forme du conducteur.à enroulement à laquelle la présente invention peut être appliquée n'est pas limitée. Par exemple, comme représenté sur Fig.4, un conducteur à enroulement 32 du type à méandres peut être formé. Plus spécifiquement, sur la surface d'isolation du substrat 12, on forme un conducteur à enroulement 32 du type à méandres et les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b
par la technique à film mince et l'attaque décrites ci-
dessus. Ensuite, on forme un film protecteur d'isolation (non représenté) sur la totalité des surfaces du substrat 12, de telle sorte que le film protecteur d'isolation puisse recouvrir le conducteur à enroulement 32 et les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b, et on soumet ensuite ledit film à une attaque. Par conséquent, il est possible d'obtenir un enroulement pour puce 10' dans lequel le conducteur à enroulement 32 du type à méandres est recouvert par le film protecteur d'isolation, alors que les première et seconde électrodes terminales 16a
et 16b sont exposées.
En attendant, dans le mode de réalisation de Fig.4, étant donné que le conducteur à enroulement 32 et les première et seconde électrodes terminales 16a et 16b ont été connectées entre eux à un moment o ceux-ci étaient formes simultanément, on comprendra aisément qu'il n'est pas nécessaire de former le film d'isolation 18, le trou de passage 20, le conducteur de liaison 22 du mode de
réalisation précédent.
De plus, en ce qui concerne le matériau pour le conducteur, celui-ci n'est pas limité & Ti et Ag qui ont été utilisés dans ce mode de réalisation, et Cu, Al, Ni, Cr, Pd
ou similaires peuvent être utilisés.
Ainsi, la présente invention peut être appliquée à ce que l'on appelle un "enroulement multicouche", dans lequel plusieurs conducteurs à enroulement et films d'isolation sont disposés en couches alternées. Dans ce cas, les différents conducteurs à enroulement sont connectés entre eux dans un mode en série ou dans un mode en parallèle par un trou de passage qui est formé sur chacun
des films d'isolation par une attaque.
Exemple expérimental I Les surfaces d'une plaque de verre cristallisé (épaisseur: 0,6 mm) de la famille MgO: A1203: SiO2 sont soumises à une finition brillant, et un film conducteur
composé d'un film de Ti de 10 nanomètres (100 angstroms -
A), un film de Ti-Ag de 100 nanomètres (1000 angstrôms) et un film d'Ag de 1000 nanomètres (10000 angstroms - 1 pm) est formé sur la totalité des deux surfaces principales de la plaque par pulvérisation cathodique. Ensuite, par un procédé d'attaque, on forme un conducteur à enroulement en spirale de 8 spires présentant une forme carrée (1520 x 1520 pm), une largeur de ligne et un intervalle de ligne qui sont de respectivement 40 pm, et des première et seconde électrodes terminales. Ensuite, on revêt la surface supérieure de la plaque par un polyimide photosensible, pour former un film d'isolation présentant une épaisseur de 2 pm, puis, par attaque du film d'isolation, on expose les première et seconde électrodes terminales, et on forme un trou de passage présentant un diamètre de 140 lim. Ensuite, on chauffe la plaque dans un courant de N2 gazeux à 400 C pour faire durcir le film d'isolation. Puis, de la même manière que celle décrite ci-dessus, on forme un conducteur de liaison, dont la largeur de ligne est de 40 jm, sur le film d'isolation, afin de connecter le conducteur à enrou- lement et la seconde électrode terminale. Ensuite, on forme à nouveau un film protecteur d'isolation présentant une épaisseur de 2 "m, puis on découpe la plaque à l'aide d'un appareil à découper des tranches de puces, afin d'obtenir une puce de 1,6 x 3,2 mm. Ensuite, on exécute le procédé représenté sur Fig 3J, et on obtient un enroulement pour puce 10 (Fig.1). Comme résultat de mesure, on a obtenu un enroulement pour puce présentant des caractéristiques d'inductance: 60 nH, de fréquence de résonance: 2 GHz, et
de Q: 89 (à 800 MHz).
Exemple expérimental II On forme un film conducteur composé d'un film de Ti de 10 nanomètres (100 angstroms), un film de Ti-Ag de nanomètres (1000 angstrôms), et un film d'Ag de 3 pm, sur la totalité des deux surfaces de la même carte mère que celle de l'Exemple expérimental I, par pulvérisation cathodique. Ensuite, par un procéde d'attaque, on forme un conducteur à enroulement en spirale de 4 spires présentant une forme carrée (1400 x 1400 rm), une largeur de ligne et un intervalle de ligne qui sont de respectivement 80 Fm, et des première et seconde électrodes terminales. Ensuite, on forme un film d'isolation présentant une épaisseur de 5 ?m sur la surface supérieure de la carte, puis, le film d'isolation est attaqué de telle sorte que les première et seconde électrodes terminales sont exposées et que l'on
forme un trou de passage présentant un diamètre de 140 >m.
Ensuite, on chauffe la carte dans le courant de N2 gazeux à 400 C, afin de faire durcir le film d'isolation. Ensuite, par le même procédé que celui décrit ci-dessus, on forme un conducteur de liaison présentant une largeur de ligne de jm, sur la surface supérieure du film d'isolation, afin de connecter ensemble le conducteur à enroulement et la seconde électrode terminale. Ensuite, on forme un film protecteur d'isolation présentant uneépaisseur de 5 pm, puis on découpe la carte à l'aide d'un appareil à découper ses tranches de puces pour obtenir une puce de 1,6 x 3,3 mm. Apres avoir conduit un procédé tel que représenté sur Fig.3J, on
obtient un enroulement pour puce 10 (Fig.l).
Comme résultat de mesure, on obtient un enroulement pour puce présentant des caractéristiques d'inductance: 21 nH, de fréquence de résonance: 3 GHz, et
de Q: 95 (à 1000 MHz).
Exemple expérimental III Les surfaces d'une plaque de verre (épaisseur: 0, 6 mm) de la famille Na20: B203: SiO2 sont soumises à une finition brillant, et on forme un film conducteur, composé d'un film de Ti de 110 nanomètres (1100 angstràms), un film de Ti-Ag de 100 nanomètres (1000 angstrôms), et un film d'Ag de 5 Pm, sur la totalité des deux surfaces principales de la plaque, par pulvérisation cathodique. Ensuite, par un procédé d'attaque, on forme un conducteur à enroulement de 6,5 créneauxprésentant une configuration à méandres, une largeur de ligne qui est de 40 pm et un intervalle de ligne qui est de 80 pm, et des première et seconde électrodes terminales. Ensuite, on revêt la surface supérieure de la plaque par un polyimide photosensible, pour former un film protecteur d'isolation présentant une épaisseur de 5)m, et, par conséquent, par l'attaque du film protecteur d'isolation, les première et seconde électrodes terminales sont exposées. Apres que l'on ait conduit un procédé tel que présenté sur Fig.3J, on obtient un enroulement pour
puce 10' (Fig.4).
Comme résultat de mesure, on obtient un enroulement pour puce présentant des caractéristiques d'inductance: 8,2 nH, de fréquence de résonance: 5 GHz, et
de Q: 50 (à 1,5 GHz).
Bien que la présente invention ait été décrite et illustrée en détail, il est bien entendu que les modes de réalisation ont été décrits a titre illustratif et d'exemple seulement et non à titre limitatif, l'esprit et le domaine de la présente invention n'étant limités que par la portée
des revendications annexées.
Claims (10)
- 2 - Procédé de fabrication selon la revendica-tion 1, caractérisé par le fait que ladite étape (c) comprend une étape de formation d'un conducteur à enroulement en spirale (14), dont l'extrémité extérieure est connectée à l'une (16a) des électrodes terminales etdont l'extrémité intérieure est ouverte.
- 3 - Procédé de fabrication selon la revendica-tion 2, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre les étapes consistant à: (f) attaquer ledit film d'isolation (18) pour former un trou de passage (20) au niveau d'une partie dont la position correspond à ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14); et (g) former un conducteur de liaison (22) qui connecte ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) à l'autre électrode terminale (16b) par ledit trou de passage (20) surledit film d'isolation (18).
- 4 - Procédé de fabrication selon la revendica-tion 3, caractérisé par le fait que ladite étape (g) comprend les étapes consistant a: (g-l) former un nouveau film conducteur sur la totalité de la surface dudit film d'isolation (18); et (g-2) attaquer ledit nouveau film conducteur pour formerledit conducteur de liaison (22).
- 5 - Procédé de fabrication selon la revendica-tion 4, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre les étapes consistant à: (h) former un nouveau film d'isolation (24) sur ledit substrat (12), de façon à recouvrir lesdites électrodes terminales (16a, 16b), ledit film d'isolation (18) et ledit conducteur de liaison (22); et (i) enlever la partie non-necessaire dudit nouveau film d'isolation (24), afin d'exposer lesdites première etseconde électrodes terminales (16a, 16b).
- 6 - Enroulement pour puce, caractérisé par le fait qu'il comprend: - un substrat (12) présentant une surface isolante; - un conducteur à enroulement (14, 32) et une paire d'électrodes terminales (16a, 16b) formés sur ladite surface isolante dudit substrat (12); et - un film d'isolation (18) qui recouvre ledit conducteur à enroulement (14, 32), mais ne recouvre pas lesdites paire d'électrodes terminales (16a, 16b) et est forméau moyen d'une technique d'attaque.
- 7 - Enroulement pour puce selon la revendica-tion 6, caractérisé par le fait que ledit le conducteur à enroulements (32) est formé suivant configuration à méandres.
- 8 - Enroulement pour puce selon la revendica-tion 6, caractérisé par le fait que ledit conducteur à enroulements (14) est formé suivant configuration en spirale.
- 9 - Enroulement pour puce selon la revendica-tion 8, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre: - un trou de passage (20) formé au niveau d'une partie dont la position correspond à ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) par attaque dudit film d'isolation (18); et - un conducteur de liaison (22) formé sur ledit film d'isolation (18) pour connecter ensemble ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) et l'une des électrodesterminales (16b) par ledit trou de passage (20).- Enroulement pour puce selon la revendica-tion 9, caractérisé par le fait que ledit conducteur de liaison (22) est formé par attaque d'un nouveau film conducteur qui est formé sur la totalité de la surface duditfilm d'isolation (18).
- 11 - Enroulement pour puce selon la revendica-tion 10, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre un nouveau film d'isolation (24) formé sur ledit substrat (12),de façon à recouvrir ladite paire d'électrodes termi-nales (16a, 16b), ledit film d'isolation (18) et ledit conducteur de liaison (22), ladite paire d'électrodes terminales (16a, 16k) étant exposée par attaque et enlèvement de la partie non-necessaire dudit nouveau filmd'isolation (24).
- 12 - Enroulement pour puce, caractérisé par le fait qu'il comprend: - un substrat (12) présentant une surface isolante; - un conducteur à enroulement en spirale (14) et des première et seconde électrodes terminales (16a, 16b) formé sur ladite surface isolante dudit substrat (12) par une attaque, l'extrémité extérieure dudit conducteur à enroulement en spirale (14) étant connectée à ladite première électrode terminale (16â) et l'extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) étant ouverte; - un premier film d'isolation (18) formé par une attaque, de telle sorte que le premier film d'isolation (18) recouvre ledit conducteur à enroulement en spirale (14), mais ne recouvre pas lesdites première et seconde électrodes terminales (16a, 16b); - un trou de passage (20) formé sur ledit premier film d'isolation (18) au niveau d'une partie dont la position correspond à ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) au moyen d'une attaque; - un conducteur de liaison (22) formé sur ledit premier film d'isolation (18) au moyen d'une attaque, les deux extrémités dudit conducteur de liaison (22) étant connectées à ladite extrémité intérieure (15) dudit conducteur à enroulement en spirale (14) et à ladite seconde électrode terminale (16k), par ledit trou de passage (20); et - un second film d'isolation (24) formé sur ledit premier film d'isolation (18) par une attaque, de telle sorteque lesdites première et seconde électrodes termi-nales (16a, 16b) puissent être exposées.
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- 1989-08-17 DE DE3927181A patent/DE3927181C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-18 FR FR898911030A patent/FR2637762B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-19 US US07/671,670 patent/US5071509A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-16 US US08/341,681 patent/US5598136A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3913219A (en) * | 1974-05-24 | 1975-10-21 | Lichtblau G J | Planar circuit fabrication process |
| JPS60246605A (ja) * | 1985-02-26 | 1985-12-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | コイル体 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 108 (E-398)(2165) 23 avril 1986, & JP-A-60 246605 (NIPPON GAKKI SEIZO K.K.) 06 décembre 1985, * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2615151B2 (ja) | 1997-05-28 |
| GB8918716D0 (en) | 1989-09-27 |
| GB2223624A (en) | 1990-04-11 |
| FR2637762B1 (fr) | 1992-11-27 |
| GB2223624B (en) | 1993-03-24 |
| US5598136A (en) | 1997-01-28 |
| US5071509A (en) | 1991-12-10 |
| DE3927181C2 (de) | 1993-11-11 |
| JPH0254903A (ja) | 1990-02-23 |
| DE3927181A1 (de) | 1990-03-01 |
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