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DE69828217T2 - Hochfrequenz-Schaltungselement - Google Patents

Hochfrequenz-Schaltungselement Download PDF

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DE69828217T2
DE69828217T2 DE69828217T DE69828217T DE69828217T2 DE 69828217 T2 DE69828217 T2 DE 69828217T2 DE 69828217 T DE69828217 T DE 69828217T DE 69828217 T DE69828217 T DE 69828217T DE 69828217 T2 DE69828217 T2 DE 69828217T2
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DE
Germany
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resonator
circuit element
frequency circuit
input
element according
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE69828217T
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English (en)
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DE69828217D1 (de
Inventor
Akira Nara-shi Enokihara
Kentaro Sakai-shi Setsune
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of DE69828217T2 publication Critical patent/DE69828217T2/de
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hochfrequenz-Schaltungselement wie einen Resonator, ein Filter oder dergleichen, wie dieses für Hochfrequenz-Signalprozessoren in Kommunikationssystemen usw. zum Einsatz kommt.
  • Ein Hochfrequenz-Schaltungselement wie ein Resonator, Filter oder dergleichen ist eine wesentliche Komponente in Hochfrequenz-Kommunikationssystemen. Als hauptsächliche Beispiele für derzeit eingesetzte Hochfrequenz-Schaltungselemente wie Resonatoren, Filter oder dergleichen sind diejenigen zu nennen, die sich eines dielektrischen Resonators, einer Leitungsstruktur (Mikrostreifen- oder Streifenleitungsstruktur) und eines akustischen Oberflächenwellenelements bedienen. Von diesen sind die Elemente in Leitungstechnik klein und für Frequenzen bis hin zum Mikro- oder Milliwellenbereich einsetzbar. Weiter besitzen sie eine zweidimensionale Struktur auf einem Substrat und sind sie problemlos mit anderen Schaltungselementen kombinierbar, so dass sie weitgehende Anwendung finden. Nach dem Stand der Technik wird ein Halbwellenresonator mit Übertragungsleitung für diese Resonatorausführung benutzt. Auch wird durch Koppeln mehrerer dieser Halbwellenresonatoren ein Hochfrequenz-Schaltungselement wie ein Filter oder dergleichen gebildet (Minute Explanation Examples/Exercises Microwaves Circuit Tokyo Electrical Engineering College Publishing Office).
  • Zu den weiteren konventionellen Beispielen einer Leitungsstruktur gehören diejenigen mit planarer Schaltungstechnik. Im Rahmen repräsentativer Beispiele werden verschiedene Hochfre quenzschaltungen unter Einsatz von Scheibenresonatoren gebildet (Veröffentlichungen des Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan, 72/8 Vol. 55-B No. 8, Analysis of Microwave Planar Circuit' Tanroku MIYOSHI; Takaaki OOKOSHI).
  • In einem Resonator mit Übertragungsleitungsstruktur wie ein Halbwellenresonator oder dergleichen wird jedoch Hochfrequenzstrom teilweise in einem Teil des Leiters konzentriert. Deshalb ist der durch den Leiterwiderstand bedingte Verlust relativ hoch mit dem Ergebnis, dass der Q-Wert im Resonator eine Beeinträchtigung erfährt und bei der Bildung eines Filters ein weiterer Verlust zu verzeichnen ist. Auch ist bei Verwendung eines Halbwellenresonators mit der üblicherweise eingesetzten Mikrostreifenstruktur die Auswirkung von Verlusten, die durch Abstrahlung aus einer Schaltung in den Raum entstehen, ein Problem.
  • Die SU 1679570-A1 offenbart einen mit entsprechenden Ein- und Ausgangsleitungen gekoppelten Mehrleiter-Ringresonator.
  • Beim Einsatz eines runden Resonators oder dergleichen als Resonator in einem planaren Schaltungssystem ist es schwierig, einen hohen Kopplungsgrad zu erzielen, der einem Filter-Auslegungs-parameter in einem Kopplungsbereich zwischen einer Eingangs-/Ausgangsleitung und dem Resonator entspricht. Als Verfahren zur Sicherstellung eines hohen Grades an Eingangs-Ausgangskopplung (12 und 13) wird die nachstehend beschriebene Technik vorgeschlagen: Das heißt, dass wie aus 12 ersichtlich eine Kerbe 30a in einem Teil des Resonators 30 ausgebildet und die Spitze einer Eingangs-/Ausgangsleitung 31 in diese Kerbe 30a eingebracht wird. Hierdurch lässt sich der Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung durch Erhöhung der Koppelkapazität vergrößern (T. Hayashi et al, Electronic Letters, Vol. 30, No. 17 pp. 1424). Gemäß 13 wird die Leitungsbreite an der Spitze 31a einer Eingangs- /Ausgangsleitung 31 vergrößert und die Spitze 31a mit der größeren Leitungsbreite dem Umfang des Resonators 30 zugewandt angeordnet. Somit wird durch Erhöhung der Koppelkapazität der Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung vergrößert.
  • Bei der Anwendung dieser Verfahren sind der Erhöhung des Grades der Eingangs-/Ausgangskopplung jedoch Grenzen gesetzt. Da bei dem ersteren Verfahren (12) die Kerbe 30a in einem Teil des Resonators 30 ausgebildet ist, wird der Strom in eben diesem Teil konzentriert und dadurch ein größerer Verlust verursacht. Andererseits wird bei dem letzteren Verfahren (13) eine unregelmäßige Impedanz durch Vergrößerung der Leitungsbreite an der Spitze 31a der Eingangs-/Ausgangsleitung 31 bewirkt. Ist umgekehrt die Leitungsbreite der Spitze 31a zu groß, so nimmt der Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung ab.
  • Mit der vorliegenden Erfindung sollen die vorbeschriebenen Probleme des Stands der Technik ausgeschaltet werden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Hochfrequenz-Schaltungselements, bei dem ein hoher Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung erreicht werden kann, ohne dass ein größerer Verlust und eine größere Unregelmäßigkeit bei der Impedanz verursacht wird.
  • Diese Aufgabe wird durch das in den beiliegenden Ansprüchen definierte Hochfrequenz-Schaltungselement gelöst.
  • Nach einem Aspekt ist ein erfindungsgemäßes Hochfrequenz-Schaltungselement mit wenigstens einem Resonator in Planartechnik und wenigstens einer Eingangs-/Ausgangsleitung versehen und dadurch gekennzeichnet, dass die Eingangs-/Ausgangsleitung eine Seitenkante aufweist und ein Teil der Seitenkante entlang einem Kopplungsbereich auf dem Umfang des Resonators angeordnet sowie über einen Lückenbereich vom Resonator abgesetzt ist. Nach diesem Aspekt des Hochfrequenz-Schaltungselements lässt sich eine verteilte Kopplung herstellen, indem ein Teil der Seitenkante der Eingangs-/Ausgangs leitung entlang dem Kopplungsbereich auf dem Umfang des Resonators platziert und über den Lückenbereich von diesem abgesetzt wird. Dies hat zur Folge, dass anders als bei einem Hochfrequenz-Schaltungselement nach dem Stand der Technik ein hoher Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung erreicht werden kann, ohne dass die Umfangsform des Resonators und die Breite der Eingangs-/Ausgangsleitung im Koppelbereich ein Änderung erfährt, d. h. ohne dass eine größerer Verlust und eine unregelmäßige Impedanz verursacht werden.
  • Bei dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements weist die Eingangs-/Ausgangsleitung vorzugsweise eine im Wesentlichen gleichmäßige Breite auf.
  • Nach dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements kann der in einer planaren Schaltung eingesetzte Resonator in jeder beliebigen Form, beispielsweise rund, elliptisch, polygonal oder ähnlich, vorgesehen sein.
  • Bei dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements bestimmt die Länge des Koppelbereichs den Winkel relativ zur Mitte des Resonators. Vorzugsweise sollte der Winkel im Bereich zwischen 5° und 30° betragen.
  • Nach dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements wird der Abstand zwischen dem Koppelbereich auf dem Umfang des Resonators und der Eingangs-/Ausgangsleitung (Lückenbereich) zwischen 10 μm und 500 μm eingestellt.
  • Vorzugsweise weist das vorbeschriebene Hochfrequenz-Schaltungselement eine Mikrostreifen- oder Streifenleitungsstruktur auf. Die Mikrostreifenstruktur ist einfach aufgebaut und hat eine gute Kohärenz mit anderen Schaltungen. Mit der Streifenleitungsstruktur lässt sich ein verlustarmes Hochfrequenz- Schaltungselement herstellen, da der Strahlungsverlust sehr gering ist.
  • Nach dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements werden vorzugsweise ein elliptischer Resonator in einer planaren Schaltung eingesetzt und zwei Eingangs-/Ausgangsleitungen mit dem Resonator gekoppelt, wobei die Koppelbereiche in der Nähe der Schnittpunkte des Resonatorumfangs mit der Haupt- bzw. Nebenachse der Ellipse liegen und relativ zum Mittelpunkt des Resonators um etwa 90° zueinander versetzt angeordnet sind. Dieses bevorzugte Beispiel ist als Bandpassfilter einsetzbar. Es versteht sich, dass durch Kopplung zwischen zwei Resonanzformen des elliptischen Resonators ein Einsatz als Filter mit Zweistufenresonator-Kopplung möglich ist.
  • Nach dem vorbeschriebenen Aspekt des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements wird vorzugsweise ein Supraleiter als Material für den Resonator verwendet. Mit diesem bevorzugten Beispiel lässt sich ein verlustarmes Hochfrequenz-Schaltungselement mit hervorragenden Dauerleistungseigenschaften herstellen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Hochfrequenz-Schaltungselement in einer ersten Ausführungsform;
  • 2 eine Querschnittsansicht auf der Linie II-II in 1;
  • 3 ein Diagramm der Reflexionscharakteristiken eines Hochfrequenz-Schaltungselements gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine Draufsicht auf das erfindungsgemäße Hochfrequenz-Schaltungselement der ersten Ausführungsform nach einem weiteren Aspekt;
  • 5 ein Diagramm der Reflexionseigenschaften eines erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements der ersten Ausführungsform nach einem weiteren Aspekt;
  • 6 ein Diagramm, aus dem das Verhältnis zwischen der Länge des Koppelbereichs und dem Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements der ersten Ausführungsform nach einem weiteren Aspekt hervorgeht;
  • 7(a) und (b) Draufsichten, die zusätzliche Aspekte eines Hochfrequenz-Schaltungselements zeigen, wobei 7(b) nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist;
  • 8 eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Hochfrequenz-Schaltungselement in einer zweiten Ausführungsform;
  • 9 ein Diagramm der Eingangs-/Ausgangscharakteristiken eines Hochfrequenz-Schaltungselements in der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 10 ein Diagramm der Einfügungsdämpfungscharakteristiken relativ zur Eingangsleistung in einem erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselement der zweiten Ausführungsform;
  • 11 eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements in Streifenleitungstechnik;
  • 12 eine Draufsicht auf ein Beispiels eines Hochfrequenz-Schaltungselements nach dem Stand der Technik;
  • 13 eine Draufsicht auf ein weiteres Beispiel eines Hochfrequenz-Schaltungselements nach dem Stand der Technik; und
  • 14 ein Diagramm eines Vergleichsbeispiels des Verhältnisses zwischen der Länge des Koppelbereichs und dem Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung in einem Hochfrequenz-Schaltungselement.
  • Es folgt eine weitergehende Beschreibung der vorliegenden Erfindung anhand konkreter Ausführungsformen.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Hochfrequenz-Schaltungselement in einer ersten Ausführungsform. 2 zeigt eine Querschnittsansicht auf der Linie II-II in 1. Wie aus 1 und 2 ersichtlich, ist ein runder Resonator 2 aus Leiterschichtmaterial in der Mitte eines Substrats 1 aus einem dielektrischen Monokristall oder dergleichen beispielsweise durch Vakuumverdampfung und Ätzung ausgebildet. Eine aus Leiterschichtmaterial bestehende Eingangs-/Ausgangsleitung 3 ist auf der gleichen Oberfläche des Substrats 1 wie der Resonator 2 beispielsweise durch Vakuumverdampfen und Ätzen vorgesehen. In diesem Falle weist die Eingangs-/Ausgangsleitung 3 eine Seitenkante und eine gleichmäßige Breite auf. Weiter ist ein Teil der Seitenkante der Eingangs-/Ausgangsleitung 3 entlang einem Koppelbereich 4 auf dem Umfang des Resonators 2 angeordnet und über einen Lückenbereich 5 vom Resonator abgesetzt. Eine Erdungsebene 6 aus Leiterschichtmaterial ist beispielsweise durch Vakuumverdampfen auf der gesamten Rückseite des Substrats 1 vorgesehen. Hiermit lässt sich ein Hochfrequenz-Schaltungselement in Mikrostreifentechnik herstellen.
  • Als Material für die Leiterschicht kann ein Hochtemperaturoxid-Supraleiter aus der Familie der Yttrium-Supraleiter (Y) wie YBa2Cu3Ox oder dergleichen, aus der Familie der Bismut-Supraleiter (Bi) wie Bi2Sr2Ca2Cu3Ox oder dergleichen, aus der Familie der Thallium-Supraleiter (Tl) wie Tl2Ba2CaCu2Ox oder dergleichen, oder ein Supraleiter aus Metall wie Nb oder dergleichen bzw. einem Metall wie Gold, Kupfer usw. eingesetzt werden.
  • Bei Eingabe eines Hochfrequenzsignals aus einem Anschlussteil 7 der Eingangs-/Ausgangsleitung 3 eines Hochfrequenz-Schaltungselements mit der vorbeschriebenen Struktur koppelt das Hochfrequenzsignal im Koppelbereich 4 am Resonator 2 an, so dass der Resonanzbetrieb angeregt wird. In diesem Falle lässt sich die einer Resonanzschaltung eigene Eigenschaft, dass eine hohe Absorption bei der Resonanzfrequenz des Resonators 2 stattfindet, erzielen, wie dies die 3 zeigt.
  • Wie in 12 und 13 dargestellt, bedient sich ein konventionelles Hochfrequenz-Schaltungselement allein der Wirkung der kapazitiven Kopplung in Abhängigkeit von der Kapazität im Koppelbereich. Bei dem Hochfrequenz-Schaltungselement der erfindungsgemäßen Ausführungsform jedoch kommt die Wirkung einer verteilten Kopplung durch ein Magnetfeld hinzu. Dies hat zur Folge, dass sich gegenüber einem konventionellen Hochfrequenz-Schaltungselement ein höherer Kopplungsgrad erzielen lässt. Das heißt, dass in der vorliegenden Ausführungsform die verteilte Kopplung durch Anordnen eines Teils der Seitenkante der Eingangs-/Ausgangsleitung 3 entlang dem Koppelbereich 4 auf dem Umfang des Resonators 2 und im Abstand hiervon über den Lückenbereich 5 erreicht werden kann. Im Ergebnis lässt sich ein höherer Kopplungsgrad für die Eingangs-/Ausgangsleitung erzielen, ohne die Umfangsform des Resonators 2 im Koppelbereich 4 und die Breite der Eingangs-/Ausgangsleitung 3 zu verändern oder anders ausgedrückt ohne einen größeren Verlust und eine größere Unregelmäßigkeit der Impedanz wie bei dem konventionellen Hochfrequenz-Schaltungselement gemäß 12 und 13 zu verursachen.
  • Es folgt eine detailliertere Beschreibung der vorliegenden Erfindung anhand von Beispielen der vorliegenden Ausführungsform.
  • 4 ist eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem weiteren Aspekt der ersten Ausführungsform. Wie aus 4 ersichtlich, ist ein runder Resonator 2 aus einem Hochtemperaturoxid-Supraleiter auf Thallium-Basis mit einer Dicke von 0,7 μm in der Mitte eines Substrats 1 aus einem Lanthan-Aluminiumoxid-Monokristall (La AlO3) mit einer Dicke von 0,5 mm ausgebildet. In diesem Falle liegt der Radius des Resonators 2 bei 9,53 mm. Eine ebenfalls aus einem Hochtemperaturoxid-Supraleiter auf Thallium-Basis mit einer Dicke von 0,7 μm und einer Leitungsbreite von 0, 175 mm hergestellte Eingangs-/Ausgangsleitung 3 ist auf der gleichen Oberfläche des Substrats 1 wie der Resonator 2 ausgebildet. Ein Teil der Seitenkante der Eingangs-/Ausgangsleitung 3 ist entlang des Koppelbereichs 4 auf dem Umfang des Resonators 2 und über den Lückenbereich 5 vom Resonator abgesetzt angeordnet. In diesem Falle beträgt der Abstand zwischen dem Koppelbereich auf dem Umfang des Resonators und der Eingangs-/Ausgangsleitung (der Lückenbereich 5) 20 μm. Die Länge des Koppelbereichs 4 ist auf die Mitte des Resonators 2 gesehen durch den Winkel θ bezeichnet. Eine ebenfalls aus einem Hochtemperaturoxid-Supraleiter auf Thallium-Basis mit einer Dicke von 0,7 μm hergestellte Erdungsebene (in der Figur nicht dargestellt) befindet sich auf der gesamten Rückseite des Substrats 1.
  • 5 zeigt die Reflexionskurve im Falle von θ = 10°. Aus 5 ist ersichtlich, dass bei der einer Resonanzschaltung eigenen Charakteristik eine große Absorption bei der Resonanzfrequenz des Resonators 2 erzielbar ist.
  • 6 zeigt die Änderung des Grades der Eingangs-/Ausgangskopplung bei einer Veränderung des Winkels θ. Es wird ein umso größerer Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung erreicht, je kleiner der äußere Q-Wert der Resonanzschaltung wird. Wie aus 6 für den Fall θ = 20° ersichtlich, wird ein äußerer Q-Wert von ca. 120 erzielt. Es ist erkennbar, dass bei einer Vergrößerung des Winkels bis auf ca. θ = 30° die Eingangs-/Ausgangskopplung zunimmt. Zum Vergleich ist die Änderung des Grades der Eingangs-/Ausgangskopplung in dem konventionellen Hochfrequenz-Schaltungselement 13 in 14 dargestellt. In diesem Falle ist der Öffnungswinkel der Spitze einer Eingangs-/Ausgangsleitung 31 durch einen Winkel ϕ relativ zur Mitte eines Scheibenresonators 30 gesehen bezeichnet. Der Abstand zwischen der Spitze der Eingangs-/Ausgangsleitung 31 und dem Scheibenresonator 30 (der Lückenbereich) ist wie in 4 mit 20 μm gewählt. Die Struktur ist mit Ausnahme des Eingangs-/Ausgangs-Koppelbereichs die gleiche wie in 4. Wie aus 14 ersichtlich, wird bei einer Vergrößerung des Winkels ϕ in dem konventionellen Hochfrequenz-Schaltungselement gemäß 13 der höchste Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung (ein äußerer Q-Wert von ca. 450) bei etwa 20° erreicht. Bei Wahl eines größeren Winkels ϕ wird hingegen der äußere Q-Wert höher. Das heißt, dass der Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung bei einem Winkel ϕ von mehr als 20° geringer wird. Hierdurch ergibt sich, dass der Grad der Eingangs-/Ausgangskopplung bei einer Vergrößerung des Winkels ϕ bis zu einem gewissen Grade gering wird, da sich die Eigenimpedanz der Eingangs-/Ausgangsleitung 31 schnell verändert, wenn die Breite der Spitze der Eingangs-/Ausgangsleitung 31 groß und damit ein Eingangs-Ausgangssignal reflektiert wird. Bei einem Vergleich unter gleichen Bedingungen besteht also die Möglichkeit, den äußeren Q-Wert in der Struktur eines Hochfrequenz-Schaltungselements der vorliegenden Ausführungsform bis auf ca. 100 zu verringern, doch ist es unmöglich, einen hohen Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung bei einem äußeren Q-Wert von 450 oder weniger in der Struktur des in 13 dargestellten konventionellen Hochfrequenz-Schaltungselements zu erreichen.
  • Wie vorbeschrieben, wird es möglich, mit der Struktur eines Hochfrequenz-Schaltungselements in der vorliegenden Ausführungsform einen so hohen Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung zu erzielen, wie er im Falle der konventionellen Struktur bisher nicht zu erreichen war. Die Struktur der vorliegenden Aus führungsform ist sehr effektiv, da generell ein relativ hoher Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung in Resonator koppelnden Hochfrequenzfiltern erforderlich ist.
  • Die vorliegende Ausführungsform wurde anhand eines Beispiels beschrieben, in dem ein runder Resonator 2 als Resonator in einer planaren Schaltung eingesetzt ist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht ausschließlich auf diese Konfiguration beschränkt. Ein Resonator in einer planaren Schaltung kann jede beliebige Form aufweisen, wobei zum Beispiel außer einem runden auch ein elliptischer Resonator wie in 7(a) dargestellt eingesetzt werden kann. Aus den vorbeschriebenen Gründen ist ein Hochfrequenz-Schaltungselement mit einem Resonator in dieser Form ebenfalls wirksam.
  • Die vorliegende Ausführungsform wurde anhand des Beispiels eines Hochfrequenz-Schaltungselements mit einem Resonator 2 und einer Eingangs-/Ausgangsleitung 3 beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht ausschließlich auf diese Konfiguration beschränkt. So ist die vorliegende Erfindung beispielsweise auf ein Hochfrequenz-Schaltungselement wie ein Mehrstufenfilter mit mehreren Resonatoren und mehreren Eingangs-/Ausgangsleitungen sowie ein Hochfrequenz-Schaltungselement mit einem Resonator und einer Eingangs-/Ausgangsleitung als Bestandteil desselben anwendbar, wobei die gleiche Wirkung erzielt werden kann.
  • Zweite Ausführungsform
  • 8 ist eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements. Wie aus 8 ersichtlich, ist ein aus Leiterschichtmaterial bestehender elliptischer Resonator 9 in der Mitte eines aus einem dielektrischen Monokristall oder dergleichen hergestellten Substrats beispielsweise durch Vakuumverdampfen und Ätzen ausgebildet. Die Länge der Hauptachse 12 und der Nebenachse 13 des elliptischen Resonators 9 sind mit 19,07 mm bzw. 18,93 mm festgelegt. Beispielsweise durch Vakuumverdampfen und Ätzen werden Eingangs-/Ausgangsleitungen 10a und 10b aus Leiterschichtmaterial auf der gleichen Oberfläche des Substrats 8, auf der auch der Resonator 9 angeordnet ist, vorgesehen. In diesem Falle weisen die Eingangs-/Ausgangsleitungen 10a und 10b Seitenkanten sowie gleichmäßige Leitungsbreiten auf. Weiterhin ist ein Teil der Seitenflanken der Eingangs-/Ausgangsleitungen 10a und 10b entlang den Koppelbereichen 11a und 11b auf dem Umfang des Resonators 9 und über die Lückenbereiche 14a bzw. 14b von diesem abgesetzt vorgesehen. In diesem Falle liegen die Koppelbereiche 11a und 11b in der Nähe der Schnittpunkte des Umfangs des Resonators 9 mit der Hauptachse 12 bzw. der Nebenachse 13 und in Positionen, die auf die Mitte des Resonators 9 gesehen um 90° gegeneinander versetzt sind. Beide Längen der Koppelbereiche 11a und 11b sind von der Mitte des Resonators 9 aus gesehen einem Winkel von 18° entsprechend gewählt. Auf der gesamten Rückseite des Substrats 8 ist eine Erdungsebene (in der Figur nicht dargestellt) aus Leiterschichtmaterial beispielsweise durch Vakuumverdampfen und Ätzen vorgesehen. Damit wird ein Hochfrequenz-Schaltungselement in Mikrostreifentechnik bereitgestellt.
  • 9 zeigt die Eingangs-Ausgangs-Kurven eines Hochfrequenz-Schaltungselements mit der vorbeschriebenen Struktur. Wie aus 9 ersichtlich, ergibt sich in diesem Element eine flache Übertragungscharakteristik in der Nähe von 1,9 GHz. Damit lässt sich feststellen, dass das Element als Bandpassfilter arbeitet. Dies zeigt, dass das Element als über Zweistufenresonator gekoppeltes Filter betrieben werden kann, indem eine Kopplung zwischen zwei Resonanzformen eines elliptischen Resonators benutzt wird. Bei dieser Filterausführung ist der Umfang des elliptischen Resonators sehr glatt und ist die Wirkung der Stromkonzentration im Resonator gering. Damit ist bei Verwendung eines gewöhnlichen Metalls als Material für den Resonator der Verlust geringer als bei der Ausführung nach dem Stand der Technik.
  • 10 zeigt die Abhängigkeit der Einfügungsdämpfung von der Eingangsleistung in einem Durchgangsband eines wie vorbeschrieben aufgebauten Hochfrequenz-Schaltungselements. Ein Impuls-Hochfrequenz-Netzwerkanalysatorsystem des Typs HP85108A Hewlett Packard wurde für die Messung benutzt. In diesem Falle erfolgte die Messung mit einem Impulsstromsignal mit einer Impulsbreite von 2 μsec, um eine Beeinträchtigung durch Wärmebildung in einem Kabel zur Eingabe/Ausgabe von Signalen in das bzw. aus dem Element zu vermeiden. Die Umgebungstemperatur betrug 20 Kelvin. Wie aus 10 ersichtlich, wurde keine eindeutige Veränderung der Einfügungsdämpfung bei Eingangsleistungen bis zu +50 dBm (100 W) festgestellt. In konventionell aufgebauten supraleitenden Filtern geht die Supraleitfähigkeit bereits bei Eingangssignalen mit einem Pegel im Zehner-mW-Bereich (ca. +15 dBm) verloren, so dass die Funktionsfähigkeit nicht mehr gegeben ist. Damit lässt sich feststellen, dass die Dauerleistungskapazität des vorliegenden Hochfrequenz-Schaltungselements extrem gut ist. Dies wird aus folgenden Gründen erreicht: bei dem vorliegenden Hochfrequenz-Schaltungselement wird die Stromkonzentration im Eingangs-/Ausgangsleitungsbereich sowie im Resonatorbereich auf einem sehr niedrigen Niveau gehalten; da der Verlust im gesamten Element sehr gering ist, ist die Wirkung einer Wärmebildung entsprechend dem Verlust sehr klein; usw. Dies zeigt klar die Wirksamkeit des erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselements.
  • Andererseits ist bei Verwendung der in 13 dargestellten konventionellen Eingangs-/Ausgangs-Koppelstruktur als Koppelbereich in dem Hochfrequenz-Schaltungselement der vorliegenden Ausführungsform der erforderliche Grad an Eingangs- /Ausgangs-Kopplung (äußerer Q-Wert = ca. 130) nicht erreichbar. Dies hat zur Folge, dass die in 9 dargestellten Eingangs-Ausgangs-Kurven nicht erzielt werden können. Dies ist leicht verständlich beim Vergleich von 6 mit 14. Bei Einsatz der in 12 aufgezeigten Eingangs-/Ausgangs-Koppelstruktur erfährt der Umfang des Resonators eine abrupte Veränderung mit dem Ergebnis, dass eine örtliche Stromkonzentration stattfindet und dadurch eine Verlustzunahme verursacht wird.
  • Aufgrund der vorbeschriebenen Ergebnisse lässt sich feststellen, dass der Aufbau des Hochfrequenz-Schaltungselements der vorliegenden Ausführungsform gemäß 8 sehr effektiv ist.
  • Der vorbeschriebenen Ausführungsform liegt ein Hochfrequenz-Schaltungselement in Mikrostreifentechnik zugrunde. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht ausschließlich auf Hochfrequenz-Schaltungselemente dieser Art anwendbar. So ist beispielsweise die Konfiguration gemäß der vorliegenden Erfindung auch bei Hochfrequenz-Schaltungselementen in Streifenleitungstechnik wie in 11 dargestellt wirksam. In 11 bezeichnen die Bezugsziffern 15a und 15b jeweils ein Substrat, die Bezugsziffer 16 einen Resonator und die Bezugsziffern 17a und 17b jeweils eine Erdungsebene. Die Streifenleitungsstruktur ist gegenüber der Mikrostreifentechnik sehr komplex. Der Strahlungsverlust wird jedoch gering, so dass die Charakteristiken des Elements verbessert werden können.
  • Die vorstehende Ausführungsform wurde anhand eines Beispiels beschrieben, bei dem gewöhnliches Metall als Material für den Resonator eingesetzt wurde, doch ist neben gewöhnlichen Metallen auch ein Supraleiter einsetzbar. Bei Verwendung eines Supraleiters als Resonatormaterial lässt sich ein Hochfrequenz-Schaltungselement mit geringem Verlust und hervorragenden Dauerleistungseigenschaften herstellen. Andererseits führt die Verwendung eines Supraleiters als Material für den Resonator und der in 12 dargestellten herkömmlichen Eingangs-/Ausgangs-Koppelstruktur zu einer Beeinträchtigung der Dauerleistungseigenschaften.
  • Ein Material auf Metallbasis (beispielsweise auf Pb-Basis wie Pb, PbIn oder dergleichen, und auf Nb-Basis wie Nb, NbN, Nb3Ge oder dergleichen) ist als Supraleiter verwendbar. Im praktischen Einsatz sollte jedoch ein Hochtemperaturoxid-Supraleiter (beispielsweise Ba2YCu3O7) eingesetzt werden, dessen Temperaturzustand relativ gemäßigt ist.
  • Bei Verwendung eines Supraleiters als Material für den Resonator ist jedoch eine Supraleitung von Strom über dem Wert der kritischen Stromdichte nicht möglich. Bei der Handhabung eines Hochfrequenzsignals von größerer Stärke jedoch führt dies zu einem Problem. In einem erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Schaltungselement wird ein Resonator in planarer Schaltungstechnik benutzt, der effektiv die Konzentration von Hochfrequenzstrom im Umfangbereich des Resonator, wo bei der konventionellen Struktur eine äußerst extreme Stromkonzentration zu verzeichnen ist, mindert. Weiterhin lässt sich ein hoher Grad an Eingangs-/Ausgangskopplung ohne Veränderung der Umfangsform erreichen. Deshalb wird die maximale elektrische Stromdichte bei der Handhabung eines Hochfrequenzsignals gleicher Stärke kleiner als beim Stand der Technik. Dementsprechend wird mit dem erfindungsgemäß unter Verwendung eines Supraleiters mit der gleichen kritischen Stromdichte hergestellten Hochfrequenz-Schaltungselement die Handhabung eines Hochfrequenzsignals mit weiter höherer Stärke ermöglicht. Damit ist die Wirksamkeit der vorliegenden Erfindung äußerst hoch.
  • Bei Verwendung eines Hochfrequenz-Schaltungselements mit der erfindungsgemäßen Konfiguration kann im Vergleich zu einem Element nach dem Stand der Technik ein höherer Grad an Eingangs-Ausgangs-Kopplung für den Resonator in planarer Schal tungstechnik erreicht werden und wird der Freiheitsgrad bei der Auslegung einer Hochfrequenzschaltung größer, also ein Hochfrequenz-Schaltungselement im Hochleistungsbereich bereitgestellt.

Claims (10)

  1. Hochfrequenz-Schaltungselement mit wenigstens einem Scheibenresonator (2) in planarer Schaltungstechnik und wenigstens einer Eingangs-/Ausgangsleitung (3), wobei die Eingangs-/Ausgangsleitung (3) eine Einfachleitung mit einer Seitenkante ist und sich ein Teil der Seitenkante im vorderen Bereich der Eingangs-/Ausgangsleitung entlang einem Koppelbereich (4) auf dem Umfang des Resonators (2) erstreckt und über einen Lückenbereich (5) vom Resonator abgesetzt ist, und wobei der Resonator (2) aus Leiterschichtmaterial besteht und eine kreisförmige oder elliptische Form aufweist.
  2. Hochfrequenz-Schaltungselement nach Anspruch 1, wobei die Eingangs-/Ausgangsleitung (3) eine im Wesentlichen gleichmäßige Breite aufweist.
  3. Hochfrequenz-Schaltungselement nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein runder Resonator als Resonator in planarer Schaltungstechnik eingesetzt wird.
  4. Hochfrequenz-Schaltungselement nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein elliptischer Resonator als Resonator in planarer Schaltungstechnik verwendet wird.
  5. Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Länge des Koppelbereichs einen Winkel re lativ zur Mitte des Resonators bildet und der Winkel eine Größe im Bereich 5 bis 30° aufweist.
  6. Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Abstand zwischen dem Koppelbereich auf dem Umfang des Resonators und der Eingangs-/Ausgangsleitung zwischen 10 und 500 μm beträgt.
  7. Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 6 mit Mikrostreifenstruktur.
  8. Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 7 mit Streifenleitungsstruktur.
  9. Hochfrequenz-Schaltungselement nach Anspruch 1, wobei ein elliptischer Resonator als Resonator in planarer Schaltungstechnik eingesetzt wird und zwei Eingangs-/Ausgangsleitungen mit dem Resonator gekoppelt sind und wobei die Koppelbereiche in der Nähe der Schnittpunkte des Resonatorumfangs mit der Haupt- bzw. Nebenachse der Ellipse und relativ zur Resonatormitte an ca. 90° voneinander abgesetzten Positionen liegen.
  10. Hochfrequenz-Schaltungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Supraleiter als Material für den Resonator verwendet wird.
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