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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung,
die durch ihre Zuleitungskonstruktion gekennzeichnet ist, und ein
Verfahren zu deren Herstellung.
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2. Beschreibung des Standes
der Technik
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Der zunehmende Leistungsverbrauch
von VLSIs (Very Large Scale Integrated circuits) und anderer Vorrichtungen
in letzter Zeit hat zu verstärkter Nachfrage
nach einem preiswerten Plastikgehäuse mit guten thermischen Abstrahlungseigenschaften geführt. Diverse
Verfahren sind in Betracht gezogen worden, um dieser Nachfrage zu
genügen.
Unter dem Werkstoffgesichtspunkt sind Untersuchungen betreffend
eine Steigerung der thermischen Leitfähigkeit des Zuleitungsrahmens
und des zum Vergießen
verwendeten Harzes durchgeführt
worden. Unter dem Strukturgesichtspunkt sind Untersuchungen zur
Verbesserung der thermischen Abstrahlungseigenschaften durch Verändern der
Zuleitungsrahmenkonstruktion und Hinzufügen einer Wärmesenke, mit anderen Worten,
eines Strahlers, vorgenommen worden. Als orthodoxeste Lösung wird
angesehen, die thermischen Abstrahlungseigenschaften des Gehäuses durch
Hinzufügen
eines Strahlers zu verbessern, um eine hochintegrierte Schaltung
(Large Scale Integrated circuit, LSI) mit einer Leistungsabgabe
von bis zu 2 Watt pro Chip zu erzeugen.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
haben bereits in JP-A-6-53390 eine Erfindung offenbart, die das
Problem der Wärmeabstrahlung
anspricht. Diese Erfindung nutzt einem Strahler mit guter thermischer
Leitfähigkeit
in einer Konfiguration, in der dieser Strahler anstelle eines Chipsockels
als Elementträger
dient. In diesem Fall sind die inneren Zuleitungen so konfiguriert,
dass sie auf einem auf dem Strahler angebrachten isolierenden Element
positioniert sind und von diesem isolierendem Element getragen sind.
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Eine hochintegrierte Halbleitervorrichtung wie
etwa ein Logic-VLSI hat eine große Zahl von Elektroden (Anschlußflächen) für die Eingabe,
Ausgabe und Energieversorgung des Halbleiterchips. Dies bedeutet,
dass die Verdrahtungskonstruktion der Drähte und Zuleitungen, die diese
Elektroden verbinden, sehr wichtig ist.
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Eine Technik zum Verringern der durch
diese Verdrahtungskonstruktion verursachten Probleme ist die in
JP-A-4-174551 offenbarte Halbleitervorrichtung. Diese Halbleitervorrichtung
hat eine gemeinsame innere Zuleitung, die über der Oberfläche des Halbleiterchips
angebracht ist, auf der die Schaltungen gebildet sind, mit einem
dazwischenliegenden isolierenden Klebstoff. Eine Mehrzahl von inneren
Signalleitungen ist außen
um den Halbleiterchip vorgesehen, elektrisch mit dem Halbleiterchip
verbunden, und der von dieser gemeinsamen inneren Zuleitung getragene
Halbleiterchip ist in Gießharz
vergossen.
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Diese Halbleitervorrichtung hat diverse
Vorteile. Einer ist das Fehlen einer Lasche zum Montieren des Halbleiterchips,
wodurch es möglich
ist, einen Kurzschluss zwischen den Bonddrähten und der Lasche zu verhindern.
Ein anderer Vorteil ist die Art, in der die gemeinsame innere Zuleitung
als Energiezuleitung verwendet werden kann, so dass die gemeinsame
Nutzung eines Anschlussstiftes einfach zu implementieren ist.
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Diese Halbleitervorrichtung verursacht
jedoch auch diverse Probleme. Die Anordnung der gemeinsamen inneren
Zuleitung über
der Oberfläche des
Halbleiterchips macht Einschränkungen
bezüglich
der Anordnung der Elektrodenanschlußflächen am Halbleiterchip erforderlich.
Außerdem
kann der Chip durch den Klebstoff verunreinigt werden, der zum Bonden
der gemeinsamen inneren Zuleitung an den Halbleiterchip verwendet
wird, und Bondfehler können
verursacht werden durch ein Weichwerden dieses Klebstoffs.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
haben in US-Patent Nr. 5 633 529 eine Erfindung zum Lösen dieser
Probleme offenbart. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung dieser Erfindung
ist ein Halbleiterchip auf einem Elementmontageteil montiert, das
als Wärmesenke
wirkt, und die Zuleitungen sind an diesem Elementmontageteil mit
einem dazwischenliegenden isolierenden Zuleitungsträger montiert.
Da kein Bedarf nach einer Lasche besteht und damit zusammenhängende Bondfehler
verhindert werden können,
ermöglicht
dies ein sehr zuverlässiges
Drahtbonden. Das Vorhandensein einer gemeinsamen Zuleitung (Rahmenzuleitung)
um den Halbleiterchip herum, aber von dem Elementmontageteil getrennt,
macht es möglich,
diese Zuleitung gemeinsam zu nutzen. Die Verwendung einer Wärmesenke als
Elementmontageteil macht es möglich,
die thermischen Abstrahlungseigenschaften zu verbessern.
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Bei der praktischen Anwendung von
US-Patent Nr. 5 633 529 wurden diverse Probleme bei dem Harzvergießprozess
festgestellt, wie unten beschrieben.
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Wie in 13 gezeigt,
werden während
des Harzvergießprozesses
Zuleitungen 212 einer Halbleitervorrichtung 210 zwischen
einer oberen Form 200 und einer unteren Form 202 vor
dem tatsächlichen
Harzvergießen
eingeklemmt, und die Zuleitungen 212 werden durch die obere
Form 200 nach unten gegen einen Zuleitungsträger 214 gedrückt. Dies geschieht,
um sicherzustellen, dass die Halbleitervorrichtung 210 in
engen Kontakt mit der unteren Form 202 gedrückt wird,
und um so ein exaktes Gießformen
an einer vorgegebenen Position zu gewährleisten.
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Wenn dies geschieht, werden jedoch
die Abschnitte der Zuleitungen 212, die unmittelbar innerhalb
der oberen Form 200 und der unteren Form 202 liegen,
schart gebogen. Da die Zuleitungen 212 im Inneren gerade
bleiben, sind die Anhaftungen an den Zuleitungsträger 214 steil
geneigt, so dass die Bondverbindung zwischen ihnen zum Abschälen neigt.
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Weitere Forschung der Erfinder hat
zu einer Halbleitervorrichtung und einem Herstellungsverfahren geführt, die
dieses Problem lösen
sollen.
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Dieses Problem wird verursacht durch
die Konfiguration, in der die Zuleitungen an dem Elementmontageteil
mit einem dazwischenliegenden Zuleitungsträger befestigt sind. Die Verwendung
einer Wärmesenke
als Elementmontageteil und das Vorhandensein einer gemeinsamen Zuleitung
(Rahmenzuleitung) stehen in keinem direkten Zusammenhang mit diesem
Problem.
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Eine Halbleitervorrichtung vom harzvergossenem
Typ nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist offenbart in US-A-5
328 870. In diesem Stand der Technik sind zickzackförmige Entspannungsabschnitte
in einem Bereich der Zuleitungen zwischen dem isolierenden Zuleitungsträger und
dem äußeren Rand
des Harzgehäuses
vorgesehen. Der Zweck der Entspannungsabschnitte ist, als eine Feder
zu wirken, die Spannung aufhebt und so verhindert, dass die Zuleitung
anreißt,
bricht oder die Unversehrtheit der Befestigung der Zuleitungen der
Wärmesenke beeinträchtigen.
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Dünne
Bereiche, die ein kennzeichnendes Merkmal dieser Erfindung sind,
sind bereits in JP-A-63-179557
als ein dünner
Bereich offenbart worden, der in einem Teil der Zuleitung außerhalb des
Gießharzes
gebildet ist und vorgesehen ist, um ein bequemes Biegen der äußersten
Teile der Zuleitung zu ermöglichen,
die die Pins der Halbleitervorrichtung bilden. JP-A-02-018955 offenbart
einen Zuleitungsrahmen für
eine Halbleitervorrichtung, bei dem innere Zuleitungsabschnitte 1 eine
Erhebung an ihrem innersten Ende zum direkten Verbinden mit einer
Bondanschlußfläche eines
Halbleiterelements haben. Nahe diesem Ende ist eine Rille vorgesehen, die
sich über
die Breite der Zuleitung erstreckt, um eine Streckung und Schrumpfung
der Zuleitung zu absorbieren, die durch den Temperaturverlauf beim Bonden
oder in einem Vergießprozess
verursacht ist.
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Kurzbeschreibung
der Erfindung
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Ein Ziel dieser Erfindung ist, eine
Halbleitervorrichtung vom harzvergossenen Typ, die ein hochzuverlässiges Vergießen einer
Halbleitervorrichtung vom harzvergossenen Typ ermöglicht,
die eine Konfiguration hat, bei der die Zuleitungen an dem Elementmontageteil
mit einem dazwischenliegenden Zuleitungsträger (mit anderen Worten in
einer Konfiguration ohne Lasche) befestigt sind, bei dem eine Trennung
der Klebung zwischen den Zuleitungen und dem Zuleitungsträger verhindert
ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung anzugeben.
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Dieses Ziel wird erreicht durch eine
Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein
Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 7. Bevorzugte Ausgestaltungen
der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Bei der Erfindung sind dünne Bereiche
in einem Gebiet von paarweise angeordneten Zuleitungen gebildet,
das in dem Harz vergossen ist, und diese dünnen Bereiche sind leicht elastisch
zu verformen. Deswegen werden die Zuleitungen von der Form abwärts gedrückt, und
die in dem Harz zu vergießenden
Komponenten werden durch den Druck auf den Zuleitungen in eine geeignete Position
gebracht, bevor das Harzvergießen
durchgeführt
wird. Dadurch ist es möglich,
das Harzvergießen
mit den Komponenten in geeigneten Kompositionen durchzuführen. Dies
macht es auch möglich,
eine Trennung der Klebung zwischen den Zuleitungen und dem Zuleitungsträger zu verhindern,
indem der Druck auf die Zuleitungen abgeschwächt und auf die Zuleitungsträger übertragen
wird.
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In Anbetracht der Möglichkeit
eines Fehlers bei der Positionierung zwischen Zuleitungen und Zuleitungsträger sind
mehrere dünne,
schmale Bereiche in den Zuleitungen gebildet. Mit dieser Konfiguration
kann die Dicke jedes dünnen
Bereichs vergleichsweise groß gemacht
werden, so dass eine Verformung, ein Brechen und Verdrehen der Zuleitung
verhindert werden kann. Die Mehrzahl von dünnen Bereichen der Zuleitungen
kann jeden Fehler der Klebeposition der Zuleitung kompensieren,
der den zweiten dünnen
Bereich von dem äußeren Rand
des isolierenden Zuleitungsträgers
wegbewegen würde.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
ein Querschnitt, der das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
zeigt;
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2 ist
ein weiterer Querschnitt, der das Verfahren zum Herstellen einer
Halbleitervorrichtung zeigt,
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3 ist
eine Teilvergrößerung von 1;
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4 ist
eine Draufsicht, die schematisch wesentliche Bereiche einer mit
dem dargestellten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtung
zeigt;
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5 ist
ein schematischer Querschnitt entlang der Linie V-V in 4;
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6 ist
ein vergrößerter Querschnitt,
der die wesentlichen Bereiche von 4 zeigt;
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7 ist
eine veranschaulichende Darstellung des Schritts des Drahtbondens
der inneren Zuleitung;
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8 zeigt
den Zustand nach Beendigung des Drahtbondens von 7;
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9 ist
eine Draufsicht, die schematisch den bei der Herstellung der Halbleitervorrichtung
aus 4 verwendeten Zuleitungsrahmen
zeigt;
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10 ist
eine Darstellung des Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
gemäß dieser
Erfindung und der dadurch erhaltenen Vorrichtung;
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11A und 11B sind vergrößerte Darstellungen,
die den Befestigungszustand der Zuleitung aus
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10 zeigen;
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12 zeigt
eine Abwandlung der in 11A und 11B gezeigten Zuleitung;
und
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13 ist
eine veranschaulichende Darstellung der Gießtechnik, die eine Voraussetzung
dieser Erfindung ist.
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Zunächst behandelt die Beschreibung
die Konfiguration einer Halbleitervorrichtung, auf die die vorliegende
Erfindung angewendet wird, um die Voraussetzungen hinter dem Herstellungsverfahren
zu veranschaulichen.
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Eine schematische Draufsicht auf
eine betreffende Halbleitervorrichtung ist in 4 gezeigt, bevor sie in dem Harzgehäuse plaziert
ist, Ein Querschnitt entlang der Linie V-V aus 4 ist in 5 gezeigt.
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Die Halbleitervorrichtung 100 umfasst
einen Strahler 10, ein Halbleiterelement 20, das
an einer Montageoberfläche 12 des
Strahlers 10 befestigt ist, eine Mehrzahl von am Strahler 10 durch
einen Zuleitungsträger 50 befestigten
Zuleitungen 30 und eine außen um das Halbleiterelement 20 angeordnete Rahmenzuleitung 36.
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Der Strahler 10 besteht
aus einem großen Bereich 10a und
einem kleinen Bereich 10b, der von dem großen Bereich 10a vorsteht
und so eine Querschnittsform im wesentlichen in Form eines umgekehrten
T bildet, wie in 5 gezeigt.
Die untere Oberfläche
des großen
Bereichs 10a bildet die Montageoberfläche 12, und eine obere
Oberfläche
des kleinen Bereichs 10b bildet eine freiliegende Oberfläche 14.
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Auf der Montageoberfläche 12 sind
eine erste leitende Schicht 18a, die eine Region hat, auf
der das Halbleiterelement 20 angeordnet ist, wobei die Ausdehnung
der Oberfläche
der ersten leitfähigen Schicht 18a größer als
die dieser Region ist, und eine Mehrzahl von fleckenförmigen zweiten
leitfähigen Schichten 18b gebildet,
die von der ersten leitfähigen Schicht 18a beabstandet
sind, wie in 4 gezeigt. Eine
isolierende Schicht 16 ist auf der Oberfläche des Strahlers 10 gebildet,
die nicht durch die leitfähigen Schichten 18a und 18b bedeckt
ist.
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Der Strahler 10 ist vorzugsweise
aus einem elektrisch leitfähigen
Material mit guter Wärmeleitfähigkeit
wie etwa Kupfer, Aluminium, Silber oder Gold oder aus einer Legierung,
die diese Materialien als Hauptbestandteile hat, gebildet und besteht,
wenn wirtschaftliche Gesichtspunkte berücksichtigt werden, vorzugsweise
aus Kupfer.
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Es gibt keine besonderen Einschränkungen hinsichtlich
des zum Bilden der leitfähigen
Schichten 18a und 18b verwendeten Materials, doch
können Silber,
Gold, Palladium und Aluminium als Beispiele genannt werden. Wenn
die Leitfähigkeit
und das Bonden mit dem Halbleiterelement 20 berücksichtigt werden,
ist Silber besonders bevorzugt. Diese leitfähigen Schichten 18a und 18b können durch
ein Verfahren wie etwa Plattieren oder Bonden gebildet werden und
werden als Masseoberflächen
genutzt, wie nachfolgend im Detail beschrieben.
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Auch hinsichtlich des für die isolierende Schicht 16 verwendeten
Materials gibt es keine besonderen Einschränkungen, solange es gute isolierende
Eigenschaften hat, doch ist es vorzugsweise ein Metalloxid, das
z. B. durch Oxidieren des den Strahler 10 bildenden Materials
erhalten wird. Wenn der Strahler 10 z. B. aus Kupfer besteht,
könnte
die isolierende Schicht 16 erhalten werden durch Anwenden
eines stark alkalischen Reagens zum Oxidieren von dessen Oberfläche. Das
Vorhandensein der isolierenden Schicht 16 macht es möglich, Kurzschlüsse von
den Zuleitungen 30 oder der Rahmenzuleitung 36 zum
Strahler 10 zu verhindern. Ein weiterer Vorteil einer isolierenden
Schicht 16 aus Kupferoxid liegt in dessen normalerweise
dunkler, etwa schwarzer oder brauner Farbe, durch die es leichter ist,
die Zuleitungen 30 mit Hilfe eines Bilderkennungssystems
während
des Drahtbondens zu unterscheiden. Kupferoxid hat auch gute Bondeigenschaften
in Bezug auf das zum Bilden eines Harzgehäuses 60 verwendete
Harz, wodurch die mechanische Festigkeit des Gehäuses verbessert wird.
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Das Halbleiterelement 20 ist
durch Mittel wie etwa eine Silberpaste an die erste leitfähige Schicht 18a gebondet,
die auf der Montageoberfläche 12 des Strahlers 10 gebildet
ist. Eine Mehrzahl von Elektrodenanschlußflächen 22 wird dann
in einer vorgegebenen Anordnung auf der Oberfläche des Halbleiterelements 20 gebildet.
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Der Zuleitungsträger 50 wird durchgehend um
die Peripherie der Montageoberfläche 12 herum angeheftet.
Dieser Zuleitungsträger 50 besteht
aus einem streifenförmigen
Element aus einem isolierenden Harz, das ein warmhärtendes
Harz wie etwa ein Polyimid oder Epoxyharz sein könnte.
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Der Zuleitungsträger 50 ist so angeordnet, dass
ein Teil des der Montageoberfläche 12 des Strahlers 10 zugewandten
Bereichs in jeder der Zuleitungen 30 befestigt ist, doch
könnte
der gesamte der Montageoberfläche 12 zugewandte
Bereich in jeder der Zuleitungen 30 befestigt sein.
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Innere Zuleitungen 32, die
jeweils Teil der Zuleitungen 30 sind, sind durch Bonden
an den Zuleitungsträger 50 in
einem vorgegebenen Abstand L von dessen Enden angeheftet. So sind
die inneren Zuleitungen 32 am Strahler 10 über den
Zuleitungsträger
befestigt, wobei dessen innere Enden frei bleiben, wie vergrößert in 6 gezeigt. Die inneren Zuleitungen 32 sind
mit den Elektrodenanschlußflächen 22 des
Halbleiterelements 20 durch Drähte 42, 44a, 44b und 47 aus
einem Metall wie Gold oder Silber elektrisch verbunden.
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Das charakteristische Merkmal der
oben beschriebenen Struktur liegt darin, dass ein dünner Bereich 30a in
jeder der Zuleitungen 30 gebildet ist. Diese dünnen Bereiche 30a sind
ausgelegt, um ein Abschälen
der Zuleitungen 30 vom Zuleitungsträger 50 während des
Harzvergießens
in dem Prozess der Herstellung der Halbleitervorrichtung 100 zu
verhindern. Dies wird später
mit dem Herstellungsverfahren im Detail beschrieben.
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Das Drahtbonden der inneren Zuleitungen 32 an
die Elektrodenanschlußflächen 22 ist
in 7 und
8 gezeigt. Zunächst drücken Zuleitungsandrücker 1A und 1B Endbereiche 32a der
inneren Zuleitung 32 abwärts. Diese Endbereiche 32a sind
frei beweglich, so dass sie um den als einen Drehpunkt wirkenden
Zuleitungsträger 50 nach
unten verformt werden und mit der Montageoberfläche 12 in Kontakt kommen,
wie in 7 gezeigt. In
diesem Zustand erfolgt das Drahtbonden, wodurch eine feste, zuverlässige Verbindung
der Drähte 42 ermöglicht ist.
Nach Beendigung dieses Drahtbondens werden die Zuleitungsandrücker 1A und 1B entfernt,
so dass die inneren Zuleitungen 32 durch ihre eigene Elastizität in eine
unterstützte
horizontale Position zurückkehren, wie
in 8 gezeigt. Die inneren
Zuleitungen 32 sind durch den Zuleitungsträger 50 gegen
den Strahler 10 elektrisch isoliert.
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Wenn man diesen Bondprozess und die
mechanische Stabilität
der inneren Zuleitungen 32 betrachtet, liegt auf der Hand,
dass bestimmte Anforderungen erfüllt
sein müssen.
Zum Beispiel müssen
die Endbereiche 32a lang genug sein, um innerhalb der Grenzen
ihrer elastischen Verformung in Kontakt mit der Montageoberfläche 12 zu
kommen, und sie müssen
auch ausreichende mechanische Festigkeit haben, so dass sie nach
Beendigung des Bondens in ihre ursprüngliche horizontale Position
zurückkehren können. Die
Länge und
die mechanische Festigkeit der Endbereiche 32a der inneren
Zuleitungen 32 sollte so eingestellt sein, dass diese Bedingungen
erfüllt sind.
Diese Bedingungen können
in unterschiedlichen Formen erreicht werden, je nach Faktoren wie etwa
der Größe der Vorrichtung,
den Konstruktionsmerkmalen des Halbleiterelements und der Stärke der
Zuleitungen. Der Zuleitungsträger 50 muss
auch bestimmte Anforderungen erfüllen.
Zum Beispiel muss er in der Lage sein, die inneren Zuleitungen 32 stabil
zu unterstützen,
er muss eine ausreichende Dicke haben, um eine elektrische Isolation
der Endbereiche 32a der inneren Zuleitungen 32 vom Strahler 10 zu
ermöglichen,
und er darf bei Wärmebehandlung
nur minimale Verformungen oder Qualitätseinbußen erleiden.
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In Anbetracht der obigen Punkte können die folgenden
Konstruktionsregeln als Zahlenbeispiele für die in 6 gezeigten Parameter gegeben werden,
wobei W die Breite des Zuleitungsträgers 50, T die Dicke
des Zuleitungsträgers 50,
L die Länge
jedes freien Endes 32a der inneren Zuleitungen 32 und t
die Dicke der inneren Zuleitungen 32 ist:
- W: 0,5
mm bis 2 mm
- T: 0,025 mm bis 0,125 mm
- t: 0,10 mm bis 0,30 mm
- L: wenigstens 2,0 mm und mehr.
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Die Verbindung der Erddrähte wird
nun mit Bezug auf 4 und 6 beschrieben.
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Die leitfähigen Schichten 18a und 18b auf dem
Strahler 10 wirken als Erdungsoberflächen. Genauer gesagt kann die
erste leitfähige
Schicht 18a gemeinsam gemacht werden, indem eine Mehrzahl von
Elektrodenanschlußflächen 22 mit
der freiliegenden Oberfläche
der ersten leitfähigen
Schicht 18a durch Erdungsdrähte 44a verbunden
wird. Entsprechend können
die zweiten leitfähigen
Schichten 18b als Erdungsoberflächen für die inneren Zuleitungen 32 verwendet
werden, indem die Zuleitungen mit den zweiten leitfähigen Schichten 18b durch
Erdungsdrähte 44b verbunden
werden. Auf diese Weise wirken die leitfähigen Schichten 18a und 18b als
eine gemeinsame Erdungsschicht für die
Elektrodenanschlußflächen 22 bzw.
als getrennte Erdungsschichten für
die inneren Zuleitungen 32. Dies ermöglicht eine Verringerung der
Zahl der zum Erden zusammengelegten Zuleitungen, wodurch sich die
Zahl der für
andere Anwendungen wie etwa Signalleitungen verfügbaren Zuleitungen erhöht, wodurch
sich die Flexibilität
der Verdrahtungskonstruktion erhöht.
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Die durch die leitfähigen Schichten 18a und 18b geschaffene
Erdung kann viele Formen annehmen, wie in den nachfolgenden Beispielen.
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- a) Wenn keine Masse auf Seiten der Elektrodenanschlußflächen 22 des
Halbleiterelements 20 vorhanden ist, wird ein Weg von der
Rückseite des
Halbleiterelements 20 durch den Strahler 10 zu
den leitfähigen
Schichten 18a und 18b geschaffen, und wenigstens
eine der inneren Zuleitungen 32 wird mit den leitfähigen Schichten 18a und 18b verbunden.
Dadurch ist es möglich,
das Potential an der Rückseite
des Halbleiterelements 20 an das Potential der inneren
Zuleitungen 32 anzugleichen. Wenn der Strahler 10 auf
Erdpotential ist, sind auch die Rückseite des Halbleiterelements 20 und
die inneren Zuleitungen 32 auf Erdpotential.
- b) Eine große
Zahl von Elektrodenanschlußflächen 22 des
Halbleiterelements 20 sind mit den leitfähigen Schichten 18a und 18b verbunden
und einige wenige der inneren Zuleitungen 32 sind mit den
leitfähigen
Schichten 18a und 18b verbunden. Wenn der Strahler 10 auf
Erdpotential ist, sind auch die Potentiale der Elektrodenanschlußflächen 22 und
der inneren Zuleitungen 32 auf Erdpotential. Dadurch wird
durch eine kleine Zahl von inneren Zuleitungen 32 eine
große
Zahl von Erdungspunkten für
das Halbleiterelement 20 erhalten, und ein stabiles Erdpotential
wird erhalten.
- c) Ein Weg ist von der Rückseite
des Halbleiterelements 20 durch den Strahler 10 zu
den leitfähigen
Schichten 18a und 18b gebildet. Eine der Elektrodenanschlußflächen 22 des
Halbleiterelements 20 ist mit den leitfähigen Schichten 18a und 18b verbunden;
und eine innere Zuleitung 32, die geerdet ist, ist mit
den leitfähigen
Schichten 18a und 18b verbunden. Wenn der Strahler 10 auf Erdpotential
ist, sind auch die Potentiale der Rückseite des Halbleiterelements 20,
der Elektrodenanschlußflächen 22 und
der inneren Zuleitungen 32 auf Erdpotential. Da dadurch
die Potentiale von Komponenten wie etwa der Rückseite des Halbleiterelements,
der Elektrodenanschlußflächen 22 und
der inneren Zuleitungen 32 auf das gleiche Potential gesetzt
werden können,
ist das Potential des Halbleiterelements 20 stabilisiert, und
dadurch ist der Betrieb stabilisiert.
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Die Rahmenzuleitung 36 ist
so angeordnet, dass sie weder mit dem Halbleiterelement 20 noch mit
den inneren Zuleitungen 32 in Kontakt ist, und sie ist
vorzugsweise in einer solchen Position vorgesehen, dass sie von
den leitfähigen
Schichten 18a und 18b in dieser Ebene beabstandet
ist, um einen Kurzschluss zu vermeiden. Diese Rahmenzuleitung 36 ist von
vier Trägerzuleitungen 38 stabil
unterstützt.
Ein Bereich jeder der Trägerzuleitungen 38 ist
durch den Zuleitungsträger 50 fixiert.
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Die Rahmenzuleitung 36 hat
eine Mehrzahl von Identifizierungsvorsprüngen 36a, die daran
an vorgegebenen Positionen gebildet sind, wie in 4 gezeigt. Diese Identifizierungsvorsprünge 36a erleichtern
die Identifizierung von Bondpositionen während des Drahtbondprozesses.
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Mit anderen Worten findet das Drahtbonden wie
nachfolgend beschrieben statt. Bezugskoordinaten für die Elektrodenanschlußflächen 22 auf
dem Halbleiterelement 20 und die Bondpositionen der Rahmenzuleitung 36 werden
vorab gespeichert. Bilderkennung wird benutzt, um eventuelle Abweichungen
von den tatsächlichen
Koordinaten der zu bondenden Elektrodenanschlußflächen 22 und der Rahmenzuleitung 36 zu
erfassen, und diese werden verwendet, um korrigierte Koordinaten
zu berechnen. Das Drahtbonden wird dann automatisch und kontinuierlich
durchgeführt.
Während
dieses Prozesses dienen die Identifizierungsvorsprünge 36a als
Marke zur Erfassung der Bondpositionen durch das Bilderkennungssystem.
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Diese Rahmenzuleitung 36 wird
als eine Zuleitung für
die Versorgungsspannung (Vcc) oder eine Bezugsspannung (Vss) verwendet.
Wenn die Rahmenzuleitung 36 z. B. als Vcc-Zuleitung verwendet wird,
wird eine Mehrzahl von Energieversorgungs-Elektrodenanschlußflächen 22 und
eine kleine Zahl von inneren Zuleitungen 32 mit der Rahmenzuleitung 36 über entsprechende
Energieversorgungsdrähte 46 verbunden.
Dies ermöglicht
eine starke Verringerung der Anzahl der zur Energieversorgung verwendeten
Zuleitungen. Dadurch wird es möglich, die
relative Anzahl von als Signalleitungen verwendeten Zuleitungen
zu vergrößern, was
eine Erhöhung der
Flexibilität
der Verdrahtung zwischen den Elektrodenanschlußflächen 22 des Halbleiterelements 20 und
den inneren Zuleitungen 32 ermöglicht, was unter dem Konstruktionsgesichtspunkt
vorteilhaft ist.
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Durch die Bereitstellung der Rahmenzuleitung 36 ist
es auch möglich,
entweder eine vorgegebene Versorgungsspannung oder eine Referenzspannung
einer beliebigen Elektrodenanschlußfläche 22 an beliebiger
Position des Halbleiterelements 20 zuzuführen und
so eine Steigerung der Verarbeitungsgeschwindigkeit bei gleichzeitiger
Verringerung des Stromversorgungsrauschens zu ermöglichen.
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Da die Rahmenzuleitung 36 außerhalb
des Halbleiterelements 20 positioniert ist, gibt es wenig räumliche
Einschränkungen,
und so kann die Rahmenzuleitung 36 breit genug gemacht
werden. Wenn also die Rahmenzuleitung 36 als Energieversorgungszuleitung
verwendet wird, kann deren elektrischer Widerstand verringert werden
und so eine stabile Spannung einer beliebigen Position auf dem Halbleiterelement 20 zugeführt werden.
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Da außerdem die leitfähigen Schichten 18a und 18b der
Rahmenzuleitung zugewandt sind, wirkt die gesamte Anordnung als
ein Kondensator, wenn die Rahmenzuleitung 36 als Energieversorgungszuleitung
benutzt wird, wodurch nicht nur Energieversorgungsrauschen verringert,
sondern auch eine schnelle Antwort ermöglicht wird.
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Die Hauptfunktionen und Operationen
der Halbleitervorrichtung 100 sind nachfolgend zusammengefasst.
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- 1. Die von dem Halbleiterelement 20 erzeugte Wärme wird
durch den gut wärmeleitenden
Strahler 10 der Halbleitervorrichtung 100 verteilt
und wird dann über
die freiliegende Oberfläche 14,
die aus dem Harzgehäuse 60 herausschaut,
nach außen
abgegeben. Die Gestaltung des Strahlers 10 mit einem Querschnitt
in Form eines umgekehrten T macht es möglich, die Oberflächenausdehnung des
Strahlers 10 zu vergrößern und
damit dessen Wärmeabstrahlungswirkung
zu verstärken.
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Der Abstand von der freiliegenden
Oberfläche 14 zur
Montageoberfläche 12 kann
stark vergrößert werden,
indem eine gestufte Konfiguration für die Oberfläche vorgesehen
wird, die der Montageoberfläche 12,
die das Halbleiterelement 20 trägt, gegenüberliegt, so dass eine Beeinträchtigung
der Eigenschaften der resultierenden Vorrichtung durch den Einfluss
von Gasen, Wasser oder anderem Fremdmaterial minimiert werden kann.
Zusätzlich können Kurzschlüsse von
den inneren Zuleitungen 32 oder der Rahmenzuleitung 36 zum
Strahler 10 durch das Vorhandensein der Isolierschicht 16 auf der
Oberfläche
des Strahlers 10 verhindert werden. Die dunkle Farbe der
Isolierschicht 16 erleichtert die Erkennung der Zuleitungen
während
des Drahtbondprozesses, und die Isolierschicht 16 verstärkt auch den
Zusammenhalt mit dem Harzgehäuse 60.
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- 2. Die Rahmenzuleitung 36 ist zwischen
dem Halbleiterelement 20 und den inneren Zuleitungen 32 vorgesehen,
und diese Rahmenzuleitung 36 kann als eine Energieversorgungszuleitung
(Vcc- oder Vss-Zuleitung) verwendet werden. Dies bedeutet, dass
eine kleine Zahl von inneren Zuleitungen 32 verwendet werden
kann, um eine vorgegebene Spannung stabil Energieversorgungs-Elektrodenanschlußflächen 22 zuzuführen, die
an beliebigen gewünschten
Stellen auf dem Halbleiterelement gebildet sind, wodurch das Energieversorgungsrauschen
verringert wird und eine Erhöhung
der Arbeitsgeschwindigkeit möglich
wird.
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Die Rahmenzuleitung 36 erlaubt
es auch, eine gemeinsame Energieversorgungszuleitung vorzusehen,
so dass die Zuleitung, die durch die Verwendung dieser gemeinsamen
Zuleitung freiwerden, als Signalzuleitungen verwendet werden können, was
die Flexibilität
der Verdrahtungskonstruktion verbessert.
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Da außerdem die Rahmenzuleitung 36 die Identifizierungsvorsprünge 36a hat,
ist die Überprüfung der
Bondpositionen durch ein Bilderkennungssystem während des Drahtbondprozesses
zuverlässig
und einfach.
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- 3. Die leitfähigen Schichten 18a und 18b,
die mit dem leitfähigen
Strahler 10 elektrisch verbunden sind, sind auf der Montageoberfläche 12 des Strahlers 10 vorgesehen,
und entweder die Erdelektrodenanschlußflächen 22 des Halbleiterelements 20 oder
die inneren Zuleitungen 32 sind mit den leitfähigen Schichten 18a oder 18b durch
entsprechende Erdungsdrähte 44a oder 44b verbunden.
Dies bedeutet, dass eine beliebige Region nach Bedarf geerdet werden
kann. Da es so möglich
ist, die Anzahl der Erdungszuleitungen zu verringern, sind mehr
Zuleitungen zur Verwendung beispielsweise als Signalzuleitungen
verwendbar, wodurch die Flexibilität der Verdrahtungskonstruktion
weiter verbessert wird.
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Es wird nun das Verfahren zur Herstellung dieser
Halbleitervorrichtung 100 beschrieben.
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Die Beschreibung betrifft zunächst mit
Bezug auf 9 einen Zuleitungsrahmen
1000. Der Zuleitungsrahmen 1000 ist beispielsweise aufgebaut aus den
Zuleitungen 30 (bestehend aus den inneren Zuleitungen 32 und
den äußeren Zuleitungen 34),
der Rahmenzuleitung 36 und den Trägerzuleitungen 38, die
alle in einem vorgegebenen Muster einteilig mit einem Substratrahmen 70 und
von diesem getragen ausgebildet sind. Die äußeren Zuleitungen 34 sind auch
durch einen Riegelbereich 72 miteinander verbunden und
verstärkt.
Die inneren Zuleitungen 32 erstrecken sich von den äußeren Zuleitungen 34 aus, wobei
sie eine vorgegebene zentrale Region (das Vorrichtungsloch) freilassen.
Die Rahmenzuleitung 36 ist in dieser Region angeordnet,
die vier Ecken der Rahmenzuleitung 36 sind von den Trägerzuleitungen 38 getragen,
und jede der Trägerzuleitungen 38 ist mit
dem Riegelbereich 72 verbunden.
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Die Rahmenzuleitung 36 ist
zwar von vier Trägerzuleitungen 38 getragen,
doch genügt
es, dass die Trägerzuleitungen 38 die
Rahmenzuleitung 36 stabil tragen, und andere Anordnungen
und Zahlen von Trägerzuleitungen
sind möglich,
so etwa zwei einander gegenüberliegend
angeordnete Zuleitungsträger.
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Die leitfähigen Schichten 18a und 18b werden
dann durch ein Verfahren wie etwa Silberplattieren auf vorgegebenen
Regionen des Strahlers 10 gebildet, der den großen Bereich 10a und
den kleinen Bereich 10b umfasst, wie in 4 und 5 gezeigt.
Diese leitfähigen
Schichten 18a und 18b werden maskiert, und der
Strahler 10 wird in ein Fluid wie etwa „Ebonol" (eingetragenes Warenzeichen), hergestellt von
Meltex Co., mehrere Sekunden eingetaucht, um die Oberfläche zu oxidieren
und so die Isolierschicht 16 zu bilden. Eine auf diese
Weise gebildete Isolierschicht hat z.B, eine Dicke von 2 μm bis 3 μm und einen
spezifischen elektrischen Widerstand von 1013 Ωcm und mehr und weist folglich
eine anerkannt Isolationseigenschaften auf.
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Es ist auch möglich, die obige Prozedur umzukehren
und die leitfähigen
Schichten 18a und 18b zu bilden, nachdem die Isolierschicht 16 gebildet
worden ist.
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Das Halbleiterelement 20 wird
auf der Montageoberfläche 12 des
auf diese Weise erhaltenen Strahlers 10 an einer vorgegebenen
Position unter Verwendung eines leitfähigen Klebstoffs wie etwa Silberpaste
gebondet. Anschließend
werden der Strahler 10, der Zuleitungsträger 50 und
der Zuleitungsrahmen 1000 ausgerichtet und übereinander plaziert, und diese
drei Komponenten werden zusammen durch Heißkompressionsbonden unter Verwendung eines
Klebstoffs wie etwa Epoxyharz fixiert. Eine Drahtbondmaschine wird
dann verwendet, um Signaldrähte 42,
Erdungsdrähte 44a und 44b und
Energieversorgungsdrähte 46 in
einem vorgegebenen Muster durch ein herkömmliches Verfahren zu befestigen.
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Während
dieses Drahtbondprozesses ist es möglich, Probleme wie etwa solche,
die durch Kontakte zwischen benachbarten Drähten verursacht werden, zu
vermeiden und so ein zuverlässiges Drahtbonden
zu gewährleisten,
indem das Drahtbonden so ausgeführt
wird, dass Positionen mit kürzeren Bondabständen zuerst
bearbeitet werden. Die Abfolge könnte
also sein: Bonden der Erdungsdrähte 44b, dann
Bonden der Energieversorgungsdrähte 46 und schließlich Bonden
der Signaldrähte 42.
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Der Strahler 10, auf dem
das Halbleiterelement 20 und die Zuleitungen 30 bereitgestellt
sind, wird dann in einer oberen Form 200 und einer unteren
Form 202 plaziert, wie in 1 gezeigt,
und ein Gießformen
wird unter Verwendung eines Harzes wie etwa Epoxyhair durchgeführt, um
das Harzgehäuse 60 zu
bilden (siehe 5). Dieses
Gießformen
wird vorzugsweise mit aus dem Harzgehäuse 60 herausschauender
freiliegender Oberfläche 14 des Strahlers 10 durchgeführt.
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Um sicherzustellen, dass dies geschieht, muss
der Strahler 10 in engen Kontakt mit der unteren Form 202 gebracht
werden, um zu verhindern, dass das Harz zwischen den Strahler 10 und
die untere Form 202 eindringt.
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Aus diesem Grund wird jede Zuleitung 30 von
der oberen Form 200 in Richtung ihrer am Zuleitungsträger 50 haftenden
Oberfläche
gedrückt,
wie in 2 gezeigt, so
dass der Strahler 10 in engen Kontakt mit der unteren Form
gebracht wird. Eine Vorbedingung für diese Prozedur ist, dass
die untere Form 202 so konstruiert sein muss, dass die
Zuleitung 30 über
einem Klemmbereich 202a der unteren Form 202 aufgehängt sind,
wie in 1 gezeigt.
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Genauer gesagt muss die Summe (h
+ T) aus der Höhe
h des Strahlers 10 und der Dicke T des Zuleitungsträgers 50 größer als
die Tiefe h1 der unteren Form 202 sein, das heißt: h +
T > h1. Wenn z. B. die
Tiefe h1 der unteren Form 202 1,6 mm ist, die Höhe h des Strahlers 1,635 mm
ist und der Fehler von h ± 0,035
mm ist, ist die Dicke des Zuleitungsträgers 50 vorzugsweise
0,1 mm. Deshalb ist auch im schlechtesten Falle, in dem der Fehler
h – 0,035
mm ist, h + T = 1.635 – 0,035 + 0,1 = 1,7 mm > h1,so dass die
Beziehung h + T > h1
erfüllt
ist.
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Da die Zuleitungen 30 so
in einem Zustand positioniert sind, in dem sie über der unteren Form 202 aufgehängt sind,
wirkt die auf die Zuleitungen 30 von der oberen Form 200 ausgeübte externe
Kraft auch auf den Strahler 10. Diese von der oberen Form 200 ausgeübte externe
Kraft drückt
den Strahler 10 ständig
nach unten, so dass der Strahler 10 so gehalten ist, dass
er auch der Kraft des in die Form fließenden Harzes widersteht.
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Ein charakteristisches Merkmal der
oben beschriebenen Konfiguration ist die Bildung eines dünnen Bereichs 30a in
jeder der Zuleitungen 30. Mit anderen Worten, wenn die
Zuleitungen 30 in einer gleichförmigen Dicke gebildet werden,
könnten
sich die Zuleitungen 30 von dem Zuleitungsträger 50 unter
der Einwirkung des oben erwähnten
Drucks abschälen,
wie in 13 gezeigt. Die
Bildung des dünnen
Bereichs 30a macht es jedoch für jede Zuleitung einfach, sich
elastisch zu verformen und dieses Problem zu vermeiden. Eine Vergrößerung der
Umgebung eines der dünnen
Bereiche 30a ist in 3 gezeigt.
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Genauer gesagt ist der dünne Bereich 30a durch
ein Nassätzverfahren
in der Oberfläche
jeder Zuleitung 30 gebildet, die deren am Zuleitungsträger 50 befestigter
Oberfläche
gegenüberliegt.
Dies bedeutet, dass der dünne
Bereich 30a gebildet ist durch die Erzeugung eines konkaven
Bereichs mit abgerundeten Kanten. Da dieser dünne Bereich 30a als ein
konkaver Bereich mit abgerundeten Kanten gebildet ist, ist es für einen
Riss schwierig, sich auszubreiten, wenn die Zuleitung 30 elastisch
verformt wird.
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Die Region, in der der dünne Bereich 30a gebildet
ist, ist ca. 1 mm innerhalb der zwischen der oberen Form 200 und
der unteren Form 202 eingeklemmten Position angesiedelt.
Dadurch wird verhindert, dass der dünne Bereich 30a zwischen
der oberen Form 200 und der unteren Form 202 eingeklemmt
wird, und das eindringende Harz kann nicht an dem dünnen Bereich 30a ausströmen.
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Außerdem ist der dünne Bereich 30a vorzugsweise
recht lang ausgebildet, so dass ein großer Bereich der Zuleitung 30 sich
elastisch verformen kann. In dieser Konfiguration ist der dünne Bereich 30a so
ausgebildet, dass der sich bis zu einer Position oberhalb des Zuleitungsträgers 50 erstreckt.
In der Praxis betrüge
die Länge
dieses dünnen
Bereiches 30a ca. 1 mm.
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Wenn dieser Zustand in dem in den
Zuleitungsrahmen 1000 integriertem Stadium gezeigt wird (siehe 9), ist der dünne Bereich 30a über eine Länge von
1 mm in einem Abstand von 1 mm von der 0,2 mm langen Fläche ab der
Innenseite des Riegelbereiches 72 gebildet, der zwischen
der oberen Form 200 und der unteren Form 202 eingeklemmt
ist.
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Wenn die Dicke der Zuleitungen ca.
0,15 mm beträgt,
ist die Dicke des dünnen
Bereichs 30a ungefähr
halb so groß:
ca. 0,075 mm.
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Diese dünnen Bereiche 30a können in
allen Zuleitungen 30 gebildet sein, aber auch nur in Zuleitungen,
die der größten Kraft
in einer Richtung ausgesetzt sind, die sie von dem Zuleitungsträger 50 abzieht,
wenn Druck von der oberen Form 200 ausgeübt wird.
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Genauer gesagt, wenn die Gesamtzahl
von Zuleitungen 30 208 ist, sind je 52 dieser
Zuleitungen 30 an jeder Seite eines quadratischen Zuleitungsrahmens
1000 gebildet, doch müssen
die dünnen
Bereiche 30a nur in ca. 30 dieser Zuleitungen
im zentralen Bereich jeder Seite gebildet sein.
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Diese dünnen Bereiche 30a sind
auf diese Regionen begrenzt, weil die Zuleitungen 30 jeweils vom
Rand zur Mitte hin ausgebildet sind, die Zuleitungen 30 im
zentralen Bereich kürzer
als jene in den Eckbereichen sind und daher weniger in der Lage sind,
sich elastisch zu verformen und stärker Gefahr laufen, sich vom
Zuleitungsträger 50 abzuschälen.
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Genauer gesagt wird aus dem vergrößerten Detail
in 9 deutlich, dass
wenn die Längen
von zwei Zuleitungen zwischen den gestrichelten Linien verglichen
werden, wobei l die Länge
einer Zuleitung im zentralen Bereich ist und l' die Länge einer Zuleitung im Eckbereich
ist, l < l' gilt. Es ist auch
offensichtlich, dass die Länge
l der Zuleitung 30 im zentralen Bereich weniger in der
Lage ist, sich elastisch zu verformen als die Länge l' der Zuleitung im Eckbereich und dadurch
stärker
Gefahr läuft,
sich vom Zuleitungsträger 50 abzuschälen.
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Wenn also die dünnen Bereiche 30a nur
in einer vorgegebenen Zahl der Zuleitungen 30 im zentralen Bereich
jeder Seite gebildet sind, können
die Zuleitungen 30 in diesen Gebieten daran gehindert werden,
sich vom Zuleitungsträger 50 abzuschälen. Die
Zuleitungen 30 in den Eckbereichen sind inhärent länger und
können
sich daher leicht elastisch verformen, so dass es weniger nötig ist,
in diesen die dünnen
Bereiche 30a zu bilden. Wenn es einfacher ist, dünne Bereich 30a in
allen Zuleitungen 30 zu bilden, kann dies natürlich so
gemacht werden.
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So werden dünne Bereiche 30a in
den Zuleitungen 30 gebildet. Während des Harzgießprozesses
wird der Strahler 10, der mit dem Halbleiterelement 20 und
den Zuleitungen 30 versehen ist, in der unteren Form 202 angeordnet,
wie in 1 gezeigt. Zu
diesem Zeitpunkt sind die Zuleitungen 30 über dem
Klemmbereich 202a der unteren Form 202 aufgehängt.
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Als nächstes schließt sich
die obere Form 200 abwärts
gegen die untere Form 202, und ein Klemmbereich 200a der
oberen Form 200 drückt
die Zuleitungen 30 abwärts,
wie in 2 gezeigt. Dies bewirkt
eine elastische Verformung der Zuleitungen 30, insbesondere
ihrer dünnen
Bereiche 30a, und deren elastische Kraft bringt den Strahler 10 in
engen Kontakt mit der unteren Form 202.
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In diesem Zustand wird ein herkömmlicher Gießformprozess
durchgeführt.
So wird das Harz daran gehindert, unter den Strahler 10 einzudringen, und
das Harzgehäuse 60 kann
mit herausschauender freiliegender Oberfläche 14 gebildet werden
(siehe 5).
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Der Substratrahmen 70 (siehe 9) und der Riegelbereich 72 werden
dann abgeschnitten, und die äußeren Zuleitungen 34 werden
nach Bedarf gebogen.
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Mit dem obigen Prozess ist es möglich, eine harzgedichtete
Halbleitervorrichtung herzustellen.
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Ein Verfahren zum Herstellen einer
Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung
und die damit erhaltene Vorrichtung werden nun unter Bezug auf 10 beschrieben. Zuleitungen 300 in
dieser Figur haben drei dünne
Bereiche 300a, 300b und 300c. An allen
anderen Punkten sind die in 10 gezeigten Komponenten
die gleichen wie die in 1,
so dass sie gleiche Bezugszeichen tragen und eine weitere Beschreibung
fortgelassen wird. Vergrößerte Details der
Befestigung der Zuleitungen 300 von 10 am Strahler 10 sind in 11A und 11B gezeigt.
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Die dünnen Bereiche 300a, 300b und 300c der
Zuleitungen 300 haben die Form von vergleichsweise engen
Rillen, die z. B. mit einer Breite von 0,1 mm und in einem Abstand
von 0,2 mm ausgebildet sind, wie in 11
A gezeigt.
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Wenn die breiten dünnen Bereiche 30a aus 1 durch Nassätzen erzeugt
werden, wird es für möglich gehalten,
dass ein Teil eines dünnen
Bereiches 30a zu dünn
werden könnte,
weil ein solches Ätzen
isotrop ist. Aus diesem Grund werden drei schmale dünne Bereiche 300a, 300b und 300c in
den Zuleitungen 300 dieser Ausgestaltung gebildet. Dies verhindert,
dass die dünnen
Bereiche 300a, 300b und 300c zu dünn werden
und kann eine Verformung, ein Brechen und Verdrehen der Zuleitungen 300 verhindern.
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Wie in 11A gezeigt,
ist der zweite dünne Bereich 300b so
konstruiert, dass er am äußeren Rand
des Zuleitungsträgers 50 liegt.
Wie oben erwähnt,
ist das Ziel der Erzeugung der dünnen
Bereiche, zu verhindern, dass sich die Zuleitungen 300 vom
Zuleitungsträger 50 abschälen. Deshalb
ist es besonders bevorzugt, dünne
Bereiche so zu bilden, dass sich die Zuleitungen 300 am
Rand der Position der gegenseitigen Anhaftung biegen, wie in 11A gezeigt.
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Die dünnen Bereiche 300a und 300c sind beiderseits
des dünnen
Bereiches 300b gebildet. Dadurch ist gewährleistet,
dass die dünnen
Bereiche 300a und 300c eine Abweichung in der
Position in der Anhaftung zwischen den Zuleitungen 300 und dem
Zuleitungsträger 50 kompensieren
können, durch
die der dünne
Bereich 300b über
der Position der Anhaftung am Zuleitungsträger 50 zu liegen kommt,
was ihn daran hindern würde,
in gewünschter Weise
zu wirken.
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Wenn z. B. der dünne Bereich 300b nach rechts
verschoben ist, wie in 11B gezeigt,
befindet sich der dünne
Bereich 300a am äußeren Rand der
linken Seite des Zuleitungsträgers 50,
während sich
der dünne
Bereich 300c am äußeren Rand
der rechten Seite des Zuleitungsträgers 50 befindet.
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Indem der Abstand der dünnen Bereiche 300a, 300b und 300c auf
0,2 mm gesetzt wird, soll ein Fehler von ±0,3 mm in der Anhaftungsposition
der Zuleitungen 300 und des Zuleitungsträgers 50 tolerierbar
gemacht werden. Mit anderen Worten ist, da die Breite jedes dünnen Bereiches
0,1 mm und deren Abstand 0,2 mm ist, die Länge von Mitte zu Mitte dieser
dünnen
Bereiche 0,3 mm, so dass Positionierfehler von ±0,3 mm abgefangen werden
können.
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Eine Abwandlung der Zuleitungen 300 aus 11A und 11B ist in 12 gezeigt.
In dieser Figur sind zusätzlich
zu dünnen
Bereichen 400a, 400b, 400c, die an einer
Oberfläche
jeder Zuleitung 400 gebildet sind, dünne Bereiche 400d, 400e und 400f an deren
anderer Oberfläche
gebildet. Genauer gesagt befinden sich die dünnen Bereiche an einer Oberfläche an anderen
Positionen als die dünnen
Bereiche in der anderen Oberfläche.
Deshalb kann jede Oberfläche
der Zuleitungen 400 als Befestigungsoberfläche verwendet
werden, wenn die Zuleitungen 400 am Zuleitungsträger 50 befestigt
werden. Allerdings verschlechtert jeder Spalt zwischen dem dünnen Bereich 400f an
der Rückseite
und dem Zuleitungsträger 50 die
Anhaftung zwischen beiden.
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Diese Erfindung ist eine Verbesserung
an einer harzvergossenen Halbleitervorrichtung und einem Verfahren
zu deren Herstellung, wie in US-Patent Nr. 5 633 529 offenbart und
kann auf die Herstellung der vollständigen Halbleitervorrichtung,
wie in Beschreibung und Zeichnungen dieses Dokuments offenbart,
angewandt werden, dessen gesamte Offenbarung hier durch Verweis
einbezogen ist.