DE69600348T2

DE69600348T2 - Spannungs- und/oder Stromreferenzgenerator in integriertem Schaltkreis

Info

Publication number: DE69600348T2
Application number: DE69600348T
Authority: DE
Inventors: Tien-Dung Do; David Naura
Original assignee: SGS Thomson Microelectronics Inc
Current assignee: STMicroelectronics lnc USA
Priority date: 1995-07-25
Filing date: 1996-07-24
Publication date: 1998-10-08
Anticipated expiration: 2016-07-25
Also published as: DE69600348D1; EP0756223B1; FR2737319B1; FR2737319A1; EP0756223A1; US5841270A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Referenzgenerator im integrierten Schaltkreis zur temperaturstabilen und von der Spannungsversorgung unabhängigen Erzeugung einer konstanten Referenzspannung und/oder eines konstanten Referenzstroms während des Herstellungsverfahrens.
Die Referenzstrom- oder Referenzspannungsgeneratoren werden in integrierten Schaltkreisen insbesondere für das Lesen aus oder das Schreiben in Speicherzellen verwendet. Insbesondere verwendet man zwei MOS-Transistorpaare in einer Schaltung mit zwei Stromspiegeln, um einen Strom zu erzeugen, der von der Versorgungsspannung der Schaltung unabhängig ist. Jedoch ist der erzeugte Referenzstrom sehr stark von der Temperatur abhängig.
Die Erfindung hat zum Ziel, einen Referenzgenerator zu schaffen, der trotz der Toleranzen des Verfahrens, der Temperaturschwankungen oder der Schwankungen der Versorgungsspannung besonders stabil ist.
Wie gekennzeichnet, bezieht sich die Erfindung auf einen Referenzgenerator in einem integrierten Schaltkreis der MOS- Technologie, die eine Vorrichtung mit einem Stromspiegel enthält.
Diese Vorrichtung umfaßt:
einen ersten Stromquellenzweig mit einem ersten Transistor, der als Diode ist, in Reihe mit einem ursprünglichen zweiten Transistor, der einen Widerstand darstellt;
einen zweiten Zweig mit einem dritten Transistor, in Reihe mit einem vierten als Diode geschalteten Transistor.
Erfindungsgemäß umfaßt diese Vorrichtung noch einen dritten Zweig, der mit einem Mittelpunkt des zweiten Zweiges verbunden ist, mit einem fünften Transistor in Reihe mit einem sechsten Transistor, der als Diode geschaltet ist und mit dem Mittelpunkt verbunden ist;
wobei der erste, drittte und fünfte Transistor von demselben Leitfähigkeitstyp sind und ihr Gate zusammengeschlossen ist,
und der zweite, vierte und sechste Transistor von demselben Leitfähigkeitstyp sind und das Gate des zweiten und vierten Transistors zusammengeschlossen ist,
wobei der vierte Transitor eine Leitfähigkeitsschwelle hat, die größer als die des zweiten und des sechsten Transistors ist,
um eine stabile Spannung an dem Mittelpunkt des zweiten Zweiges zu erzeugen.
In einer Ausführungsform ermöglicht der erfindungsgemäße Referenzgenerator außerdem die Erzeugung eines stabilen Stromes. Der Generator umfaßt dazu einen vierten Zweig, der einen siebten Transistor mit der gleichen Leitfähigkeit wie der zweite Transistor mit niedrigerem Widerstand enthält, in Reihe mit einem Widerstand geschaltet,
wobei der siebte Transistor eine niedrigere Schwellenspannung als der vierte Transistor hat und eine stabile Spannung an seinem Gate erhält, um einen stabilen Strom in diesem vierten Zweig zu erzeugen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Beispielen, auf die die Erfindung nicht beschränkt ist, wobei Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen wird:
Fig. 1 zeigt schematisch eine elektronische Darstellung eines erfindungsgemäßen Referenzgenerators,
Fig. 2 zeigt schematisch eine elektronische Darstellung eines erfindungsgemäßen Referenzgenerators zum Erzeugen eines stabilen Stroms,
Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform des Generators in Fig. 2 und
Fig. 4 und 5 sind genauere schematische Darstellungen der Fig. 1 und 3 mit Generatorschaltkreisen.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Spannungsgenerators in einem integrierten Schaltkreis gemäß der Erfindung. In dem dargestellten Beispiel sind alle Transistoren in MOS Technologie.
Der Generator umfaßt eine Vorrichtung mit einem Stromspiegel mit drei Zweigen.
Ein erster Zweig bildet eine Stromquelle. Sie umfaßt einen ersten Transistor T1 als Diode in Durchlaß geschaltet (das heißt mit seinem Gate und Drain verbunden) und in Reihe mit einem zweiten, einen Widerstand darstellenden Transistor T2 (W/L « 1).
Ein zweiter Zweig umfaßt einen dritten Transistor T3 in Reihe mit einem vierten Transistor T4, der als Diode in Durchlaß geschaltet ist.
Ein dritter Zweig umfaßt einen fünften Transistor T5 in Reihe mit einem sechsten Transistor T6, der als Diode in Durchlaß geschaltet ist und an einen Mittelpunkt B des zweiten Zweiges angeschlossen ist.
Der dritte Transistor und der fünfte Transistor sind entsprechend als Stromspiegel in Bezug zum ersten Transistor geschaltet.
Der zweite Transistor ist in Bezug zum vierten Transistor als Stromspiegel geschaltet.
Der Transistor T4 hat eine höhere Schwellenspannung Vtn als die Transistoren T2 und T6. In dem Beispiel ist der Transistor T4 angereichert und die Transistoren T2 und T6 ursprünglich (das heißt mit einer positiven Schellenspannung Vtna nahe null Volt).
Es sei daran erinnert, daß eine Schaltung eines Stromspiegels darin besteht, das Gate eines Transistors über einen Transistor des gleichen Leitfähigkeitstyps, der als Diode in Durchlaß (mit Drain verbundenes Gate) geschaltet ist, zu steuern. Auf diese Weise wird der Stromfluß in dem ersten Transistor gesteuert. Die Beziehung der Ströme in den beiden Transistoren hängt im wesentlichen von der Beziehung ihrer Geometrien W/L ab. Der erste, dritte und fünfte Transistor verfügen somit über den gleichen Leitfähigkeitstyp, wie auch der zweite, vierte und sechste Transistor den gleichen Leitfähigkeitstyp haben.
In den Figuren ist der erfindungsgemäße Referenzgenerator in CMOS-Technologie dargestellt. Somit sind der erste, der dritte und der fünfte Transistor vom P-Leitfähigkeitstyp. Ihre Source ist mit der logischen Versorgungsspannung Vcc verbunden. Der zweite, vierte und sechste Transistor sind vom Leitfähigkeitstyp N. Die Source des zweiten und vierten Transistors ist mit der elektrischen Masse verbunden. Die Source des sechsten Transistors ist an den Knotenpunkt B des zweiten Zweiges angeschlossen, das heißt an die Drains des dritten und vierten Transistors.
Die Funktionsweise des Referenzgenerators im allgemein üblichen Arbeitsbereich wird im folgenden beschrieben.
Es wird angenommen, daß:
Vtp = Vt&sub1; = Vt&sub3; = Vt&sub5; und
Vtna = Vt&sub2; = Vt&sub6;
und damit:
Vtn = Vt&sub4;,
wobei Vtp die Schwellenspannung des Transistors vom P-Typ ist und in der Größeordnung von 1 Volt liegt und Vtna die Schwellenspannung des ursprünglichen Transistors vom N-Typ in der Größenordnung von 0,2 Volt und Vtn die Schwellenspannung eines angereicherten Transistors vom N-Typ in der Größenordnung von 0,8 Volt ist. Die Werte sind als nicht einschränkendes Beispiel angegeben bei einer 1,2u- und 1,0u-Technologie und Zimmertemperatur (25º).
Der Transistor T2 stellt einen Widerstand dar (W/L « 1), und zwar derart, daß die Drainspannung des Transistors T1 nahe bei Vcc - Vtp liegt. Das ist die Spannung VA an dem Knotenpunkt A. Der Transistor T3 stellt einen Widerstand dar, und zwar derart, daß an seinem Drain eine Spannung VB nahe der Schwellenspannung des Transistors T4 liegt.
Außerdem wird die Spannung VA = Vcc-Vtp an das Gate des Transistors T3 angelegt, der wiederum an der Grenze der Leitfähigkeit vorgespannt ist (die Spannung Gate-Source hat die Größenordnung der Schwellenspannung). Das betont die Eigenschaft als Widerstand, so daß VB gleich Vtn = Vt&sub4; gehalten wird.
Wenn der Transistor T2 als Stromspiegel in Bezug zu Transistor T4 geschaltet ist, liegt die Spannung VB an dem Gate des Transistors T2 an. Nun aber hat man gesehen, daß die Schwellenspannung des Transistors T2 unterhalb der Schwellenspannung des Transistors T4 liegt. Im Beispiel ist Vtn = 0,8V und Vtna = 0,2V.
Der Transistor T2 ist daher eindeutig im Leitfähigkeitsbereich. Wenn er ausreichend hochohmig gewählt wird, so daß an dem Drain VA = Vcc - Vtp liegt, dann hat der Transistor T2 auch eine deutlich höhere Drain-Source-Spannung VDS = Vcc - Vtp als Gate-Source-Spannung VGS = Vt&sub4;. Der Transistor T2 ist also gesättigt, was einen relativ konstanten Strom in den Zweigen T1, T2 sicherstellt und daher auch in dem Zweig T3, T4, selbst wenn die Versorgungsspannung schwankt.
Der Transistor T5 ist wie der Transistor T3 vorgespannt, das heißt an der Grenze der Leitfähigkeit.
Der Transistor T6 ist als Diode in Durchlaß geschaltet. Wenn seine Schwellenspannung niedrig und nahe Null ist, dann tendiert der Zweig (T5,T6) parallel zu dem Transistor T3 dazu, den äquivalenten Widerstand (T3//T5+T6), der den Transistor T4 lädt, sinken zu lassen und daher die Spannung VB wieder leicht ansteigen zu lassen.
Was passiert, wenn es Temperaturschwankungen, Toleranzen des Verfahrens oder Schwankungen der Versorgungsspannung gibt?
Wenn die Temperatur steigt, weiß man, daß die Schwellenspannung sinkt, ungefähr um 2 Millivolt pro Grad Celsius. Die Spannung VA steigt daher, wodurch der Transistor T3 einen höheren Widerstand darstellen würde; das gilt auch für den Transistor T5; doch nehmen deren Schwellenspannungen auch ab. Wenn die Schwellenspannung des Transistors T4 abnimmt, nimmt die Spannung VB daher tendenziell ab. Doch die Schwellenspannung des Transistors T6 nimmt auch ab (der Transistor entspricht fast einem Kurzschluß): der Widerstand, der T3/T5+T6 entspricht, nimmt deshalb ab, was VB steigen läßt und stabilisiert.
In der Praxis konnte bewiesen werden, daß die Schwankung mit der Temperatur von VB schlimmstenfalls der der Schwellenspannung des Transistors folgen würde. Man konnte somit die Schwankung zwischen 25ºC und 90ºC auf 13% beschränken, was äußerst zufriedenstellend ist.
Beim Herstellungsprozeß haben die Transistoren ein Intervall von Schwellenspannungswerten, wobei zwei benachbarte Transistoren praktisch die gleiche Schwellenspannung haben.
In einem Beispiel erhält man für Vtp das Intervall [0,9V - 1,3V] und für Vtn das Intervall [0,7V - 1,0V].
Wenn man für alle Transistoren Schwellenspannungen erhält, die den Maximalwerten des Verfahrens entsprechen, dann nimmt die Spannung VA tendenziell ab, was den Strom im Transistor T3 zunehmen läßt. Doch zur gleichen Zeit steigt die Schwellenspannung des Transistors auch, was den Strom im Transistor T3 abnehmen läßt. Zur gleichen Zeit steigt die Schwellenspannung des Transistors T4, und tendenziell steigt die Spannung VB. Wenn die Schwellenspannung des Transistors T6 auch steigt, steigt der äquivalente Widerstand von T3/T5+T6, was dazu führt, daß sich die Spannung VB stabilisiert. In der Praxis konnte man bestätigen, daß die Spannung VB schlimmstenfalls der Schwankung der Schwellenspannung eines Transistors vom N-Typ (T4) folgte.
Die umgekehrte Schlußfolgerung gilt für den Fall, wo die Schwellenspannungen minimal sind.
Man kann auch gegenläufige Schwankungen haben, zum Beispiel maximale Vtn und minimale Vtp. In diesem Fall gibt es eine Autokompensation in dem Transistor T3, wie man vorher gesehen hat. VB nimmt daher tendenziell zu, wie die Schwellenspannung des Transistors T4. Aber wenn der Transistor T6 eine viel größere Schwellenspannung hat, nimmt der äquivalente Widerstand T3/T5+T6 ab, was verhindert, daß die Spannung VB zunimmt.
Die umgekehrte Schlußfolgerung gilt für minimale Vtn und maximale Vtp.
Diese Stabilität der Spannung VB während des Verfahrens ermöglicht die Schaffung eines Referenzgenerators, der perfekt von einem integrierten Schaltkreis auf den anderen reproduziert werden kann. Man muß keine Anpassung vornehmen. Es gibt weniger Ausschuß bei der Herstellung.
Wenn die Versorgungsspannung schwankt, dann schwankt der Eingangswiderstand Ron der Transistoren. Insbesondere wenn Vcc zunimmt, nimmt der Eingangswiderstand der Spannung des Transistors T1 zu, und VA nimmt ab. Wird VA an das Gate des Transistors T3 angelegt, dann nimmt die Spannung VB tendenziell zu, aber wenn zur gleichen Zeit der Eingangswiderstand des Transistors T3 zunimmt, gleichen sich die Effekte aus.
Die Struktur mit drei Zweigen entsprechend der Erfindung erlaubt in der Praxis die Erzeugung einer Spannung VB, die schlimmstenfalls in demselben Maße wie die Schwellenspannung eines Transistors schwankt.
In einer Weiterentwicklung, die in Fig. 1 dargestellt ist, sieht man einen vierten Zweig vor, der mit dem Knotenpunkt B verbunden ist, um die Schwankung der Spannung VB mit der Schwellenspannung Vtn auszugleichen.
Die Theorie und die Erfahrung zeigen tatsächlich, daß die verschiedenen Schwellenspannungen der beiden Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp, bei denen unterschiedliche Ionen implantiert wurden, mit der Temperatur und der Methode schwanken, daß aber ihre Differenz nicht verschieden ist, weder im Hinblick auf die Temperatur noch auf das Verfahren.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, diese Eigenschaft auszunützen, um eine Referenzspannung VC zu erhalten, die sich nicht mit der Temperatur und dem Verfahren verändert.
Der vierte Zweig umfaßt daher einen Transistor T7 vom N-Typ in Reihe mit einem Transistor T8 vom N-Typ und angereichert (normal dotiert). Und der Transistor T7 hat eine niedrigere Schwellenspannung als der Transistor T8. Im Beispiel ist der Transistor T7 ursprünglich.
Am Gate des Transistors T7 liegt die Spannung VB an. Der Transistor T8 ist als Diode in Durchlaß geschaltet (sein Gate ist mit seinem Drain verbunden).
Man erhält eine Referenzspannung VC am Punkt C zwischen den beiden Transistoren T7 und T8, gleich:
VC = VB - Vtna = Vtna - Vtna.
Diese Spannung ist niedriger als VB, aber kompensiert sich mit der Temperatur vollständig selbst. In der Praxis zeigt sich, daß sie sich auch während des Verfahrens kompensiert.
Wenn man zusätzlich einen ausreichend hochohmigen Transistor T8 und einen Transistor T7 mit einem niedrigen Eingangswiderstand Ron (hohe Leitfähigkeit) wählt, erhält man auch eine gute Kompensation der Schwankungen der Versorgungsspannung.
Die erhaltenen Referenzspannungen VB oder VC sind niedrig genug (zum Beispiel in der Größenordnung von 1 Volt für VB und 0,8 Volt für VC), aber sie sind ausreichend für die Vorspannung des Gate der Speicherzellen.
Man kann etwas höhere Werte erhalten (1,2 bis 1,6 Volt), wenn man das Verhältnis W/L des einen oder anderen Transistors T3, T5 erhöht.
Man verliert dann ein wenig Stabilität der Versorgungsspannung, doch ohne Stabilität im Verfahren oder der Temperatur zu verlieren, was ein interessanter Aspekt ist.
In einer Variante ermöglicht der erfindungsgemäße Referenzgenerator auch die Erzeugung eines Referenzstroms.
Das wird in Fig. 2 gezeigt. Man verwendet die gleichen Elemente wie in Fig. 1, außer daß man den Transistor T8 durch einen wirklichen Widerstand aus einem Widerstandsmaterial wählt, so daß bei der verwendeten Technologie eine große Temperaturstabilität zu haben, zum Beispiel eine N-Diffusion.
Man erhält einen Strom, der sich nicht mit der Versorgungsspannung Vcc, der Temperatur und dem Herstellungsverfahren verändert. Der erzeugte Strom I ist proportional zu der Spannung VC = Vtn - Vtna am Knotenpunkt C am Widerstand R.
Die einzige Stromschwankung ist auf den Widerstand R zurückzuführen.
Um mehrere Referenzströme zu erhalten, die geeignet sind, mehrere Vorrichtungen zu versorgen, ist es von Vorteil, daß es genügt, aufeinanderfolgende Schaltungen eines Stromspiegels in Bezug zu diesem vierten Zweig zu verwenden.
Das wird in Fig. 3 dargestellt.
Dafür ordnet man einen Transistor T9 in Reihe zwischen die Versorgungsspannung Vcc und den Transistor T7 an. Dieser Transistor ist als Diode in Durchlaß geschaltet und ist in dem Beispiel vom P-Typ.
Ein fünfter Zweig enthält einen Transistor T10 in Reihe mit einem Transistor T11. Der Transistor T10 ist vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Transistor T9, und sein Gate ist an das Gate des Transistors T9 angeschlossen. Der Transistor T11 ist vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Transistor T7, aber mit einer höheren Schwellenspannung (Vtn), und ist als Diode in Durchlaß geschaltet. Man kann dann hintereinander mehrere andere Zweige des gleichen Typs wie dieser fünfte Zweig setzen, um die gleichen Referenzströme zu erhalten.
Fig. 4 und 5 zeigen detaillierte schematische Darstellungen der Fig. 1 und 3. Sie zeigen ein Beispiel eines Generatorschaltkreises des erfindungsgemäßen Referenzgenerators.
So ist in Fig. 4 ein Paar 1 von Transistoren des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps parallel zwischen dem Gate und dem Drain (A) des Transistors T1 angeordnet. Wenn der Generator aktiviert ist (ON=1), zieht das Paar 1 die Spannung VA auf ein positives Potential. Dieses Phänomen wird durch einen Transistor 2 verstärkt, hier vom N-Typ, der gleichzeitig die Gatespannung des Transistors T1 gegenüber der Masse abschirmt.
Ein weiterer Transistor 3, hier vom P-Typ, schirmt die Gatespannung der Transistoren T2 und T4 vor der Versorgungsspannung Vcc ab, um eine zu starke Erhöhung zu verhindern.
Ein Transistor 4, hier vom P-Typ überträgt die Versorgungsspannung auf den Drain des Transistors T7. Dieser Transistor 4 verhindert den Stromverbrauch, wenn der Generator nicht aktiv ist (ON=0).
Die Transistoren 5 und 6, hier vom N-Typ, jeder jeweils in Reihe mit den Transistoren T2 und T4, ziehen die Source der beiden Transistoren auf Masse.
Schließlich zieht ein Transistor 7 parallel zum Transistor T8 den Knotenpunkt C auf Masse, wenn an dem Generator keine Spannung anliegt (ON=0).
Im Beispiel wird durch das Einschaltsignal ON des Generators, das durch einen Befehlsschaltkreis, der nicht in dem integrierten Schaltkreis dargestellt ist, ausgegeben wird, das Gate der Transistoren 5 und 6 und des Transistors vom N-Typ des Paares 1 angesteuert. Ein Wandler 8 ermöglicht es, den umgekehrten Befehl /ON entsprechend für die Transistoren 2, 4, 7 und den Transistor vom P-Typ des Paares 1 auszugeben.
Der Vorspannungsschaltkreis ermöglicht die Vorspannung der Transistoren T1 und T4 an der Grenze der Leitfähigkeit und unterbindet dabei den Stromverbrauch, wenn der Generator nicht aktiv ist.
Die Fig. 5 stellt einen Vorspannungsschaltkreis für den Referenzgenerator dar, der verwendet wird, um einen gleichbleibenden Strom wie in Fig. 2 dargestellt zu erzeugen.
Dieser Vorspannungsschaltkreis umfaßt die Elemente 1, 2, 5 und 6 des Vorspannungsschaltkreises der Fig. 4.
Er umfaßt außerdem zwei Transistoren 8 und 9, hier vom N-Typ, in Reihe in jedem Zweig des Referenzstromgenerators, um sie auf Masse zu ziehen.
Er umfaßt nicht die Elemente 4 und 7 des Vorspannungsschaltkreises in Fig. 4.
Die verschiedenen Figuren stellen einen Referenzgenerator in CMOS-Technologie dar. Doch ist die Erfindung nicht auf diese besondere Technologie eingeschränkt. Die Erfindung kann allgemein in MOS-Technologie hergestellt werden. Die einzigen Einschränkungen sind, daß die als Stromspiegel geschalteten Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und daß der fünfte Zweig zwei Transistoren (T7, T8) vom gleichen Typ verwendet, um die gewünschte Temperaturkompensation zu erhalten.
Die einzige technologische Einschränkung bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Referenzgenerators betrifft die Versorgungsspannung Vcc.
Tatsächlich muß bei Fig. 1 und 2 gelten:
Vcc > VC
oder Vcc > Vtn - Vtna
und bei Fig. 3:
Vcc > VC
oder Vcc > Vtp + Vtn - Vtna.

Claims

1. Referenzgenerator als integrierter Schaltkreis in MOS- Technologie, der einen Stromspiegel umfaßt, und der umfaßt:

einen ersten Stromquellenzweig mit einem ersten Transistor (T1), der als Diode geschaltet ist, in Reihe mit einem ursprünglichen zweiten Transistor (T2), der einen Widerstand darstellt;

einen zweiten Zweig mit einem dritten Transistor (T3) in Reihe mit einem vierten Transistor (T4), der als Diode geschaltet ist;

dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung einen dritten Zweig umfaßt, der mit einem Mittelpunkt (B) des zweiten Zweigs verbunden ist, mit einem fünften Transistor (T5) in Reihe mit einem sechsten Transistor (T6), der als Diode geschaltet und mit dem Mittelpunkt verbunden ist;

wobei der erste, dritte und fünfte Transistor vom selben Leitungstyp sind und ihr Gate zusammengeschlossen ist,

und der zweite, vierte und sechste Transistor vom selben Leitungstyp sind und das Gate des zweiten und vierten Transistors zusammengeschlossen sind,

wobei der vierte Transistor eine Leitfähigkeitsschwelle (Vtn) hat, die größer als die des zweiten und des sechsten Transistors ist (Vtna),

um eine stabile Spannung (VB) an dem Mittelpunkt des zweiten Zweiges zu erzeugen.

2. Referenzgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Ausgangsstufe umfaßt, die in Reihe einen siebten Transistor (T7) und einen achten Transistor (T8) vom selben Leitfähigkeitstyp wie der zweite Transistor umfaßt, wobei der siebte Transistor niederohmig ist und über sein Gate die stabile Spannung (VB) empfängt, wobei der achte Transistor (T8) als Diode geschaltet und sehr hochohmig ist und eine Leitfähigkeitsschwelle (Vtn) hat, die größer als die des siebten Transistors (Vtna) ist,

um eine Ausgangsspannung (VC) an dem Ausgangspunkt (C) zwischen dem siebten und achten Transistor zu erzeugen.

3. Referenzgenerator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der siebte Transistor einen kleinen Eingangswiderstand hat.

4. Referenzgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er einen vierten Zweig umfaßt, der einen siebten Transistor (T7) vom selben Leitfähigkeitstyp wie der zweite Transistor aufweist, der niederohmig in Reihe mit einem Widerstand (R) geschaltet ist,

wobei dieser siebte Transistor eine Schwellenspannung (Vtna) hat, die kleiner als die (Vtn) des vierten Transistors ist, und die stabile Spannung (VB) an seinem Gate empfängt,

um einen konstanten Strom (I) in diesem vierten Zweig zu erhalten.

5. Stromgenerator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß er wenigstens einen fünften Zweig umfaßt, der als Stromspiegel zu dem vierten Zweig geschaltet ist, wobei der vierte Zweig außerdem einen neunten Transistor (T9) umfaßt, der als Diode geschaltet ist und vom selben Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (T1) ist.

6. Referenzgenerator nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die geometrischen Verhältnisse des dritten und fünften Transistors zum Modifizieren des Pegels der Ausgangsspannung verwendet werden.

7. Referenzgenerator nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er in CMOS-Technologie hergestellt ist, wobei der erste Transistor eine Leitfähigkeit vom P-Typ und der zweite Transistor eine Leitfähigkeit vom N-Typ aufweist.