[go: up one dir, main page]

DE69515099T2 - Grün emittierende Benzotriazol-Metallkomplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen - Google Patents

Grün emittierende Benzotriazol-Metallkomplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen

Info

Publication number
DE69515099T2
DE69515099T2 DE69515099T DE69515099T DE69515099T2 DE 69515099 T2 DE69515099 T2 DE 69515099T2 DE 69515099 T DE69515099 T DE 69515099T DE 69515099 T DE69515099 T DE 69515099T DE 69515099 T2 DE69515099 T2 DE 69515099T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
organic
carrier
conductive layer
complexes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69515099T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69515099D1 (de
Inventor
Song Q. Shi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universal Display Corp
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69515099D1 publication Critical patent/DE69515099D1/de
Publication of DE69515099T2 publication Critical patent/DE69515099T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D249/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D249/16Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D249/18Benzotriazoles
    • C07D249/20Benzotriazoles with aryl radicals directly attached in position 2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

    Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf organische elektrolumineszierende Materialien, die in Elementen wie etwa lichtemittierenden Dioden (LEDs) Verwendung finden.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Organische elektrolumineszierende (EL) Elemente sind wegen ihres geringen Stromverbrauchs und der Fähigkeit, ein breites Spektrum an Farben zu liefern, ideale Kandidaten zur Verwendung in tragbaren Anzeige-Anwendungen.
  • Ein typisches Element besteht aus dünnen Schichten organischer Moleküle, die sandwich-artig zwischen transparenten und metallischen Elektroden eingeschlossen sind. Unter einer angelegten Vorspannung werden entgegengesetzt geladene Ladungsträger von den sich gegenüberliegenden Kontakten eingeführt und durch das elektrische Feld durch das Element getrieben. Einige dieser entgegengesetzt geladenen Ladungsträger fangen einander in der emittierenden Schicht ein und senden Licht mit einer Wellenlänge aus, die dem Energiesprung des organischen emittierenden Materials entspricht. Um eine hohe EL- Effizienz zu erzielen ist es notwendig, das Verhältnis der Elektronen und Löcher, die von den gegenüberliegenden Kontakten in das Element eingeführt werden, im Gleichgewicht zu halten. In den meisten Fällen hat sich gezeigt, dass die Einführung von Elektronen aufgrund der relativ hohen Energiebarriere, die am Übergang zwischen dem n-Kontakt und dem organischen Material vorliegt, schwieriger ist als die Einführung von Löchern. Um diese Energiebarriere für eine effiziente Einführung von Elektronen zu senken, werden häufig Metalle mit niedrigem Ionisierungspotential wie etwa Kalzium oder Magnesium etc. als elektroneneinführender Kontakt benötigt. Ein alternativer Weg, die Energiebarriere für eine effiziente Einführung von Elektronen zu senken, besteht in der Verwendung eines organischen Materials mit hoher Elektronenaffinität am Übergang zwischen dem Metall und dem organischen Material. Ein organisches Material mit hoher Elektronenaffinität weist ein niedriges Energieniveau des niedrigsten unbesetzten Molekülorbitals (Lowest-Unoccupied-Molecular-Orbit, (LUMO)) auf, das die Energiebarriere zur Einführung von Elektronen am Übergang zwischen dem Metall und dem organischen Material senkt, wodurch die Anzahl eingeführter Elektronen erhöht wird, was zu einem Element mit hoher Effizienz und niedriger Betriebsspannung führt.
  • In der bisherigen Technik basierte eine Klasse von organischen Materialien, die eine hohe EL-Effizienz in Elementen gezeigt hat, auf den Metallkomplexen von 8-Hydroxychinolin und seinen Derivaten (Vanslyke et. al., U. S.-Patent Nr. 4 539 507 und 5 150 006).
  • US-A-4391660 beschreibt die Verwendung gewisser Kupfersalze und Chelate in festen vorwärtstreibenden Formulierungen. Collection Czechoslov. Chem Communications, 33 (1968), 991-3 beschreibt die Verwendung von Nickel-II-Komplexen von 2-(2- Hydroxyphenyl)-benzotriazolen als Lichtstabilisatoren für Polypropylen.
  • Chemical Abstracts, 86 (1977), 199148 h beschreibt die folgenden Komplexe mit organischen Liganden: Chelat-Verbindungen von substituiertem 2-(2-Hydroxyphenyl)-benzotriazolen und 2- (2-Hydroxyphenyl)-benzimidazolen.
  • Chemical Abstracts, 102, (1985), 7579d beschreibt Synthese und Verwendung von Metallkomplexen mit 2-(2-Hydroxy-5-methylphenyl)-benzotriazol als einen Lichtstabilisator.
  • Chemical Abstracts, 109, (1988), 180326 m beschreibt die Stabilisierung fotografischer Abbildungen unter Verwendung eines Metallkomplexes.
  • GB-A-945050 beschreibt die Verwendung komplexer Nickelsalze als Lichtstabilisatoren für Polypropylen.
  • Japanese Journal of Applied Physics, 32 (1993), L514-5 beschreibt organische elektrolumineszierende Elemente mit einem Emitter, der aus von 8-Hydroxychinolin abgeleiteten Metallkomplexen gebildet wird.
  • Es ist Zweck dieser Erfindung, eine Klasse neuer organometallischer Komplexe mit hohen Elektronenaffinitäten zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen bereitzustellen.
  • Ein anderer Zweck der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Klasse neuer organometallischer Komplexe zur Emission im grünen Bereich in lichtemittierenden Elementen.
  • Ein weiterer Zweck dieser Erfindung ist die Bereitstellung von Darstellungsverfahren für die offenbarten organometallischen Komplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • In Übereinstimmung mit der Erfindung wird ein organisches lichtemittierendes Element gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen:
  • Abb. 1 zeigt einen vereinfachten Querschnitt eines organischen EL-Elementes in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung; und
  • Abb. 2 veranschaulicht ein schematisches Energieniveaudiagramm für ein einschichtiges organisches EL-Element unter Vorspannung.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die vorliegende Erfindung richtet sich auf eine Klasse neuer organometallischer Komplexe zur Verwendung in organischen lichtemittierenden Elementen, die im Allgemeinen aus dünnen Schichten organischer Moleküle bestehen, die sandwich-artig zwischen durchsichtigen und metallischen Elektroden eingeschlossen sind.
  • Abb. 1 veranschaulicht einen vereinfachten Querschnitt einer Ausführungsform eines organischen EL-Elementes 10, das die vorliegende Erfindung verkörpert. Das organische EL- Element 10 enthält ein Substrat 11, das in dieser speziellen Ausführungsform eine Glasplatte ist, die eine relativ ebene obere Oberfläche besitzt. Eine elektrisch leitfähige Schicht 12 ist auf der ebenen Oberfläche des Substrats 11 so aufgebracht, dass sie einen relativ einheitlichen elektrischen Kontakt bildet. Eine erste organische Schicht 13 aus löchertransportierendem Material ist auf der Oberfläche der leitfähigen Schicht 12 aufgetragen. Eine zweite organische Schicht 14 aus emittierendem Material ist auf die erste organische Schicht 13 aufgetragen. Dann ist eine dritte organische Schicht 15 aus elektronentransportierendem Material auf die Oberfläche der Schicht 14 und eine zweite elektrisch leitfähige Schicht 16 auf die obere Oberfläche der dritten organischen Schicht 15 aufgetragen, um einen zweiten elektrischen Kontakt zu bilden.
  • Obwohl zu verstehen sein sollte, dass das Licht, das innerhalb der zweiten organischen Schicht 14 erzeugt wird, sowohl entweder durch die erste organische Schicht 13, die leitfähige Schicht 12 und das Substrat 11 oder durch die dritte organische Schicht 15 und die zweite leitfähige Schicht 16 emittiert werden kann, besteht in der vorliegenden Erfindung das Substrat 11 aus Glas und die leitfähige Schicht 12 wird aus organischen oder anorganischen Leitern gebildet, wie etwa leitfähigem Polyanilin (PANI) oder Indium-Zinn-Oxid (ITO), die im Wesentlichen durchlässig für sichtbares Licht sind, so dass das emittierte Licht nach unten aus dem Substrat 11 in Abb. 1 austritt.
  • Weiterhin wird in dieser Ausführungsform die leitfähige Schicht 16 aus einem beliebigen Metall aus einem weiten Bereich oder einer Legierung daraus gebildet, in der wenigstens ein Metall ein Ionisierungspotential kleiner als 4.0 eV aufweist. Durch geeignete Auswahl des Materials für die leitfähige Schicht 16 werden die Ionisierungspotentiale der Materialien, aus denen die Schichten 15 und 16 gebildet sind, im Wesentlichen übereinstimmend eingestellt, um die erforderliche Betriebsspannung zu reduzieren und um die Effizienz der organischen LED 10 zu verbessern.
  • Außerdem ist an das organische EL-Element 10 in Abb. 1 mit Hilfe der Spannungsquelle 17 ein Potential zwischen den Schichten 12 und 16 angelegt. In dieser Ausführungsform ist die leitfähige Schicht 12 ein p-Kontakt und die leitfähige Schicht 16 ist ein n-Kontakt.
  • Der negative Anschluss der Spannungsquelle 17 ist mit der leitfähigen Schicht 16 verbunden und der positive Anschluss ist mit der leitfähigen Schicht 12 verbunden. Elektronen, die vom n-Kontakt (Schicht 16) eingeführt werden, werden durch die organische Schicht 15 und in die organische Schicht 14 (die emittiernde Schicht) transportiert. Löcher, die vom p- Kontakt (Schicht 12) eingeführt werden, werden durch die organische Schicht 13 und in die organische Schicht 14 (die emittierende Schicht) transportiert, wo durch Rekombination eines Elektrons mit einem Loch ein Photon emittiert wird.
  • Organische Schicht 13 enthält beliebige der bekannten löchertransportierenden Moleküle, wie etwa aromatische tertiäre Amine (U. S. Pat. 5 150 006) und / oder löchertransportierende Polymere wie etwa Poly-(phenylen-vinylen), und sie wird verwendet, um Löcher in die organische Schicht 14 zu transportieren und um Elektronen in der organischen Schicht 14 festzuhalten. Organische Schicht 15 enthält beliebige der bekannten elektronentransportierenden Materialien, wie etwa Tris- (8-hydroxychinolin)-Aluminium (U. S. Pat. 4 539 507) und die in der vorliegenden Erfindung offenbarten Komplexe. Organische Schicht 15 wird verwendet, um Elektronen in die organische Schicht 14 zu transportieren und um Löcher innerhalb der organischen Schicht 14 festzuhalten. Dadurch haben die Löcher und die Elektronen eine maximale Gelegenheit zur Rekombination in der organischen Schicht 14, um Licht auszusenden.
  • Im Allgemeinen werden die in der vorliegenden Erfindung offenbarten Komplexe entweder als elektronentransportierende Schicht oder als aktive emittierende Schicht oder als beides in organischen elektrolumineszierenden Elementen eingesetzt. Falls die offenbarten Komplexe nur als elektronentransportierendes Material in Schicht 15 verwendet werden, wird ein zusätzliches emittierendes Material benötigt, um Schicht 14 zu bilden. Falls die offenbarten Komplexe nur als emittieren des Material in Schicht 14 verwendet werden, wird ein zusätzliches elektronentransportierendes Material benötigt, um die Schicht 15 zu bilden. Falls die offenbarten Komplexe sowohl als emittierendes als auch als elektronentransportierendes Material verwendet werden, werden die Schichten 14 und 15 im Allgemeinen zu einer Schicht vereinigt.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird die organische Schicht 14 (die emittierende Schicht) und / oder die Schicht 15 (die elektronentransportierende Schicht) im organischen EL-Element 10 aus wenigstens einem organometallischen Komplex gebildet, der die folgende allgemeine Formel aufweist:
  • wobei:
  • M² ein zweibindiges Metallion ist, und
  • R¹ bis R&sup8; Substitutionsmöglichkeiten an jeder Position darstellen und jede Wasserstoff oder Kohlenwasserstoffgruppen oder funktionelle Gruppen wie etwa Cyano, Halogen, Haloalkyl, Haloalkoxy, Alkoxyl, Amido, Amino, Sulfonyl, Carbonyl, Carbonyloxy und Oxycarbonyl etc. darstellt;
  • Die obigen Komplexe werden im Allgemeinen durch die folgende Reaktion dargestellt:
  • wobei:
  • M² ein zweibindiges Metallion ist, und
  • X eine anionische Gruppe einschließlich Halogenid, Sulfat und Nitrat etc. ist,
  • n = 1 oder 2, und
  • R¹ bis R&sup8; Substitutionsmöglichkeiten an jeder Position darstellen und jede Wasserstoff oder Kohlenwasserstoffgruppen oder funktionelle Gruppen darstellt;
  • In einer typischen Reaktion wird der Ligand L in einem alkoholischen Lösemittel wie etwa Methanol oder Ethanol suspendiert und mit einer äquivalenten Menge einer Base wie etwa Natriumhydroxid oder Natrium-Ethanolat etc. unter Schutzgasatmosphäre behandelt.
  • Nachdem sich eine homogene Lösung ergeben hat, wird die Hälfte einer äquivalenten Menge eines zweibindigen Metallsalzes (MXn, n = 1 oder 2) zu der Lösung zugesetzt. Der sich bildende Festkörper wird durch Filtration gewonnen und durch Sublimieren weiter gereinigt.
  • Aus der Organischen Chemie ist wohlbekannt, dass es sich bei Ligand L, einem Triazol-Derivat, um ein System mit Elektronenunterschuss handelt, das eine hohe Elektronenaffinität besitzt. In der bisherigen Technik wurden Triazol-Derivate von Kido und Mitarbeitern als eine elektronentransportierende Schicht in organischen EL-Elementen eingesetzt (Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L917.). Die Komplexe der Triazol-Derivate L mit Metallionen haben sogar eine noch höhere Elektronenaffinität. Sie können in organischen elektrolumineszierenden Elementen sowohl als elektronentransportierende Schicht als auch als aktive emittierende Schicht oder als beides verwendet werden.
  • Abb. 2 veranschaulicht ein schematisches Energieniveaudiagramm für ein einschichtiges organisches EL-Element bei angelegter Vorspannung. Linie 110 stellt das Vakuumniveau dar, Linien 130 und 150 stellen die Fermi-Niveaus der Metall- und ITO-Schichten oder Kontakte dar, und Linien 120 und 140 stellen das LUMO und das HOMO eines organischen Komplexes dar. Die φ&sub1;- und φ&sub2;-Energieniveaus sind die Ionisierungspotentiale der ITO- und Metallkontakte, während das A&sub1;-Energieniveau die Elektronenaffinität des organischen Komplexes ist, der physikalisch zwischen dem ITO- und Metallkontakt angeordnet ist. Die hohe Elektronenaffinität (A1) bedeutet ein niedriges LUMO - Energieniveau, das im Gegenzug die Energiebarriere (φ&sub2; - A&sub1;) zwischen dem n-Metallkontakt und dem organischen Komplex zur Einführung von Elektronen vermindert. Die durch Absenkung der Energiebarriere erzeugte effiziente Einführung von Elektronen setzt sich um zu einer höheren Effizienz der Lumineszenz und zu einer niedrigeren Betriebsspannung des organischen EL-Elements.
  • Von den verschiedenen Liganden, welche die Anforderungen der Erfindung erfüllen, ist 2-(2'-Hydroxy-5'-methylphenyl)-benzotriazol (TP) das einfachste und am leichtesten kommerziell erhältliche Material. TP bildet Komplexe mit vielen zweibindigen Metallionen wie etwa Be²&spplus;, Mg²&spplus; und Zn²&spplus; und ergibt Be(Tp)&sub2;, Mg(Tp)&sub2; und Zn(Tp)&sub2;. Diese Komplexe fluoreszieren bei Anregung durch Photonen oder Elektronen im grünen Bereich.
  • Organische Schicht 14 (die emittierende Schicht) im organischen EL-Element 10 (Abb. 1) wird gewöhnlich durch thermische Dampfabscheidung, Elektronenstrahlverdampfung, chemische Abscheidung oder ähnlich aufgetragen. Die Emissions- Peaks der oben ausgeführten organometallischen Komplexe, wenn sie in organischen LEDs eingesetzt werden, reichen von 510 nm bis 560 nm, was im Bereich von grün bis grünlich-gelb des CIE 1931 Farbdiagramm liegt.
  • Beispiele
  • Diese Erfindung wird näher anhand der folgenden Beispiele beschrieben, die dazu gedacht sind, spezielle Ausführungsformen der Erfindung zu veranschaulichen, ohne jedoch ihren Anwendungsbereich zu beschränken.
  • Beispiel 1
  • Die folgenden Verfahren zur Synthese von Be(Tp)&sub2; können verwendet werden, um alle der zweibindigen Metallkomplexe darzustellen, die in dieser Erfindung offenbart werden, mit der Ausnahme, das in einigen Fällen in Abhängigkeit von der Verfügbarkeit der Salze Metallchlorid oder des Nitratsalz anstelle des Metallsulfates eingesetzt werden.
  • Verfahren eins
  • Eine Mischung aus 20 mMol von Tp (Ciba Geigy Company) in 80 ml Methanol wird mit 20 mMol Natriumhydroxid-Plätzchen (Fisher Scientific Company) unter Argonatmosphäre behandelt. Die Mischung wird gerührt, bis sich alle Natriumhydroxid- Plätzchen aufgelöst haben. Der Mischung wird dann 10 mMol Berylliumsulfat-tetrahydrat (Aldrich Chemical Company) zugefügt. Die sich ergebende Mischung wird dann unter Rückfluss für 16 Stunden gerührt und dann auf Raumtemperatur abgekühlt. Der gelbe fluoreszierende Feststoff wird abfiltriert, mit Methanol gewaschen, im Vakuum getrocknet und ergibt Be(Tp)&sub2; in 78%iger Ausbeute.
  • Verfahren zwei
  • Einer Lösung von 12 mMol Natriumhydroxid (Fisher Scientific Company) in 60 ml einer Mischung aus deionisiertem Wasser und Methanol (1 : 1) wird 12 mMol Tp (Ciba Geigy Company) unter Schutzgasatmosphäre zugesetzt. Das Reaktionsgemisch wird im Wasserbad erwärmt und gerührt, bis sich eine homogene Lösung ergeben hat. Dieser Lösung wird tropfenweise aus einem Tropftrichter eine Lösung aus 6 mMol Berylliumsulfat-tetrahydrat (Aldrich Chemical Company) in 20 ml deionisiertem Wasser zugesetzt. Der gelbe fluoreszierende Feststoff wird abfiltriert, mit deionisiertem Wasser und Methanol gewaschen und ergibt nach dem Trocknen Be(Tp)&sub2; in 85%iger Ausbeute.
  • Beispiel 2
  • Das folgende Verfahren wird zur Reinigung und zur Charakterisierung der organometallischen Komplexe verwendet, die oben dargestellt und offenbart wurden.
  • Der zu reinigende feste Komplex wird in das geschlossene Ende eines einseitig verschlossenen Quarzrohres gegeben, das in verschiedene Zonen eingeteilt ist, die miteinander über Glasschliffe verbunden sind. Das Quarzrohr wird dann in ein einseitig verschlossenes Pyrex-Rohr eingeführt, das an ein Vakuumsystem angeschlossen ist. Das verschlossene Ende des Quarzrohres steht in Kontakt mit dem verschlossenen Ende des Pyrex-Rohres. Das Pyrex-Rohr wird dann auf 10&supmin;&sup6; Torr mit einer Diffusionspumpe evakuiert und das verschlossene Ende des Pyrex-Rohres wird mit einer Rohrheizung erhitzt. Das reine Produkt wird in andere Zonen des Quarzrohres sublimiert als flüchtige Verunreinigungen, wodurch eine Reinigung erreicht wird. Die Sublimationstemperatur reicht in Abhängigkeit von den Komplexen von 250ºC bis 350ºC.
  • Im Allgemeinen ergibt die Darstellung des Komplexes des in Beispiel 1 beschriebenen ersten Verfahrens bessere Gesamtausbeuten als die nach dem zweiten Verfahren nach der Sublimierung.
  • Die gereinigten Komplexe werden sowohl durch UV-VIS-, IR- und Photolumineszenz-Spektren als auch durch Elementaranalyse analysiert und charakterisiert. Das liefert eine Bestätigung für Struktur und Zusammensetzung der gewünschten Komplexe.
  • Damit wurde eine Klasse neuer organometallischer Komplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen offenbart, zusammen mit Darstellungsverfahren für die offenbarten organometallischen Komplexe und Verfahren zur Erzeugung von lichtemittierenden Elementen. Die neuen organometallischen Komplexe wurden sowohl als elektronentransportierende Schicht als auch als aktive emittierende Schicht oder als beides in organischen EL-Elementen eingesetzt.

Claims (4)

1. Ein organisches, lichtemittierendes Element mit:
einer ersten leitfähigen Schicht mit einer ersten Art von Leitfähigkeit;
einer Schicht aus erstem trägertransportierenden und zweitem trägerblockierenden Material, die auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist;
einer Schicht aus organometallischem Material, die auf der Schicht aus erstem trägertransportierenden und zweitem trägerblockierenden Material angeordnet ist und die folgende allgemeine Formel aufweist:
wobei:
M² ein zweibindiges Metallion ist, und
R³ bis R&sup8; Substitutionsmöglichkeiten an jeder Position darstellen und jede Wasserstoff oder Kohlenwasserstoffgruppen oder funktionelle Gruppen darstellt;
einer Schicht aus zweitem trägertransportierenden und erstem trägerblockierendem Material, die auf der Schicht aus organometallischem Material angeordnet ist; und
einer zweiten leitfähigen Schicht mit einer zweiten Art von Leitfähigkeit, die auf der Schicht aus zweitem trägertransportierenden und erstem trägerblockierendem Material angeordnet ist.
2. Ein organisches, lichtemittierendes Element nach Anspruch 1, wobei es sich bei den ersten Trägern um Löcher und bei den zweiten Trägern um Elektronen handelt.
3. Ein organisches, lichtemittierendes Element nach Anspruch 1, wobei die erste leitfähige Schicht eine p-Leitfähigkeit aufweist und die zweite leitfähige Schicht eine n-Leitfähigkeit aufweist.
4. Ein organisches, lichtemittierendes Element nach Anspruch 1, wobei eine der ersten oder zweiten leitfähigen Schichten für das Licht durchlässig sind, das von der organometallischen, emittierenden Schicht emittiert wird.
DE69515099T 1994-11-07 1995-10-26 Grün emittierende Benzotriazol-Metallkomplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen Expired - Lifetime DE69515099T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/334,999 US5486406A (en) 1994-11-07 1994-11-07 Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69515099D1 DE69515099D1 (de) 2000-03-23
DE69515099T2 true DE69515099T2 (de) 2000-10-05

Family

ID=23309794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69515099T Expired - Lifetime DE69515099T2 (de) 1994-11-07 1995-10-26 Grün emittierende Benzotriazol-Metallkomplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5486406A (de)
EP (1) EP0710655B1 (de)
JP (1) JP3820279B2 (de)
KR (1) KR100434626B1 (de)
DE (1) DE69515099T2 (de)

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665857A (en) * 1994-09-12 1997-09-09 Motorola Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5779937A (en) * 1995-05-16 1998-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
KR980005265A (ko) * 1996-06-06 1998-03-30 빈센트 비. 인그라시아 정공수송층으로 부터 방출되는 유기 전자발광장치
US6004681A (en) * 1996-08-02 1999-12-21 The Ohio State University Research Foundation Light-emitting devices containing network electrode polymers in electron blocking layer
US6623870B1 (en) * 1996-08-02 2003-09-23 The Ohio State University Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers
KR19980030142A (ko) * 1996-10-29 1998-07-25 성재갑 신규한 벤즈옥사지논계 발광착물 및 그의 제조방법
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
WO1998037736A1 (en) * 1997-02-22 1998-08-27 Lg Chemical Ltd. Organometallic complexes for use in electroluminescent devices
US6023259A (en) * 1997-07-11 2000-02-08 Fed Corporation OLED active matrix using a single transistor current mode pixel design
JP3788676B2 (ja) * 1997-11-11 2006-06-21 富士写真フイルム株式会社 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
GB0128074D0 (en) * 2001-11-23 2002-01-16 Elam T Ltd Doped lithium quinolate
KR19990086810A (ko) * 1998-05-30 1999-12-15 성재갑 고융점 착화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR100333950B1 (ko) * 1998-06-23 2002-04-24 김상국 신규한 유기금속발광물질 및 이를 포함하는 유기전기발광소자
KR20000046588A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김선욱 발광물질로 사용가능한 고분자 금속 착체
KR100430549B1 (ko) * 1999-01-27 2004-05-10 주식회사 엘지화학 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
KR100373203B1 (ko) 1999-03-31 2003-02-25 주식회사 엘지화학 새로운 큐마린계 착물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR100759879B1 (ko) * 2000-01-13 2007-09-18 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 전극체, 그것을 갖춘 박막el소자 및 그 제조방법, 및 그박막el소자를 갖춘 표시장치 및 조명장치
JP3450304B2 (ja) * 2000-01-13 2003-09-22 松下電器産業株式会社 電極体、それを備えた薄膜el素子及びその製造方法、並びに薄膜el素子を備えた表示装置及び照明装置
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
US6392257B1 (en) 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
CN1430792A (zh) * 2000-05-31 2003-07-16 摩托罗拉公司 半导体器件及方法
US6501973B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Motorola, Inc. Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject
US6590236B1 (en) 2000-07-24 2003-07-08 Motorola, Inc. Semiconductor structure for use with high-frequency signals
US6555946B1 (en) 2000-07-24 2003-04-29 Motorola, Inc. Acoustic wave device and process for forming the same
AU2001277001A1 (en) * 2000-07-24 2002-02-05 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
US6493497B1 (en) 2000-09-26 2002-12-10 Motorola, Inc. Electro-optic structure and process for fabricating same
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US6501121B1 (en) 2000-11-15 2002-12-31 Motorola, Inc. Semiconductor structure
US6559471B2 (en) 2000-12-08 2003-05-06 Motorola, Inc. Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG138467A1 (en) * 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US20020096683A1 (en) * 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW550672B (en) * 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
WO2002082551A1 (en) 2001-04-02 2002-10-17 Motorola, Inc. A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US6992321B2 (en) 2001-07-13 2006-01-31 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials
US20030010992A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method for implementing cross-point switch functionality
US6531740B2 (en) 2001-07-17 2003-03-11 Motorola, Inc. Integrated impedance matching and stability network
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6498358B1 (en) 2001-07-20 2002-12-24 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US7019332B2 (en) 2001-07-20 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure
US6855992B2 (en) * 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US20030034491A1 (en) 2001-08-14 2003-02-20 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
US20030036217A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Motorola, Inc. Microcavity semiconductor laser coupled to a waveguide
US20030071327A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
US6916717B2 (en) 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
CN100502087C (zh) 2002-06-06 2009-06-17 西巴特殊化学品控股有限公司 场致发光器件
US20040012037A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Motorola, Inc. Hetero-integration of semiconductor materials on silicon
US20040069991A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Perovskite cuprate electronic device structure and process
US20040070312A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Integrated circuit and process for fabricating the same
US9923148B2 (en) 2002-10-30 2018-03-20 Udc Ireland Limited Electroluminescent device
US7169619B2 (en) 2002-11-19 2007-01-30 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process
US6885065B2 (en) 2002-11-20 2005-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same
US6965128B2 (en) * 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
US7020374B2 (en) * 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
US20040164315A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Motorola, Inc. Structure and device including a tunneling piezoelectric switch and method of forming same
KR20060007022A (ko) * 2003-04-18 2006-01-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 폴리퀴놀린 공중합체 및 이것을 이용한 유기 일렉트로루미네센스 소자
US7092206B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head with magnetic layers of differing widths and third pole with reduced thickness
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
DE102004014534A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Basf Ag Triazolderivate und Verwendung von Triazolderivaten in organischen Leuchtdioden (OLEDs)
WO2006128800A1 (en) 2005-05-30 2006-12-07 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Electroluminescent device
CN101631793B (zh) * 2007-02-23 2013-12-25 巴斯夫欧洲公司 电致发光的苯并三唑金属络合物
KR20090082778A (ko) * 2008-01-28 2009-07-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101311933B1 (ko) 2009-12-29 2013-09-27 제일모직주식회사 전도성 고분자 중합체, 전도성 고분자 조성물, 전도성 고분자 조성물막 및 이를 이용한 유기광전소자
JP5404709B2 (ja) * 2011-08-02 2014-02-05 株式会社沖データ 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置
KR102113491B1 (ko) * 2013-12-31 2020-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3127372A (en) * 1960-10-05 1964-03-31 Stabilization of polyolefevs
US3689425A (en) * 1970-06-15 1972-09-05 Sterling Drug Inc Detergent compositions containing novel optical brightening agents
US4391660A (en) * 1981-09-10 1983-07-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Copper containing ballistic additives
JPS6398660A (ja) * 1986-10-15 1988-04-30 Konica Corp 写真感光材料の画像を光に対して安定化する方法
JPH03792A (ja) * 1989-02-17 1991-01-07 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JPH07133483A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd El素子用有機発光材料及びel素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP0710655A1 (de) 1996-05-08
JPH08225579A (ja) 1996-09-03
EP0710655B1 (de) 2000-02-16
US5486406A (en) 1996-01-23
JP3820279B2 (ja) 2006-09-13
KR100434626B1 (ko) 2004-09-04
KR960017671A (ko) 1996-06-17
DE69515099D1 (de) 2000-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69515099T2 (de) Grün emittierende Benzotriazol-Metallkomplexe zur Verwendung in lichtemittierenden Elementen
DE69526614T2 (de) Lichtemittierende Vorrichtungen die Organometallische Komplexe enthalten.
EP0924281B1 (de) Organische lichtemittierende Diode mit Terbiumkomplex
DE102019125398A1 (de) Organische lumineszierende materialien, die neue hilfsliganden enthalten
DE69710135T2 (de) Blauorganische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2251396B1 (de) Zur Emission befähigte organische Verbindungen und Elektronikbauteile diese enthaltend
DE69809617T2 (de) Elektrolumineszente Vorrichtungen
EP2046916B1 (de) Oxazol-triplett-emitter für oled-anwendungen
DE69708997T2 (de) Elektrotransportmittelmaterialien für organische elektrolumineszente Vorrichtungen
DE69713410T2 (de) Weiss-ausstrahlende organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE112011103404B4 (de) Neuartige 3,9-verknüpfte Oligocarbazole und OLEDs, die diese neuartigen Oligocarbazole enthalten
DE102012220691B4 (de) Triphenylensilanwirte
DE102020101561A1 (de) Organische licht emittierende materialien, die einen cyano-substituierten liganden enthalten
DE60003128T2 (de) Organometall-komplex-moleküle und organische elektrolumineszenz-vorrichtung, in welcher diese verwendung finden
DE112007001760B4 (de) Anthracenderivate, organische Elektronikvorrichtungen unter Verwendung von Anthracenderivaten sowie elektronische Apparate, umfassend die organische Elektronikvorrichtung
DE102020205833B4 (de) Organisches lumineszierendes Material, das einen 3-Deuterium-substituierten Isochinolinliganden beinhaltet
DE102020205832A1 (de) Organisches lumineszierendes Material, das einen 6-Silyl-substituierten Isochinolinliganden beinhaltet
DE102008056391B4 (de) Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69714372T2 (de) Organisches elektrolumineszentes Bauteil
DE102006017485B4 (de) Biphenyl-Metallkomplexe - Monomere und Oligomere Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
DE102020205828B4 (de) Metallkomplex, der drei verschiedene Liganden enthält
DE102006030860A1 (de) Oligomere von Isonitril-Metallkomplexen als Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
DE102021110753A1 (de) Licht emittierendes Material mit einem polycyclischen Liganden
WO2008043562A1 (de) Lanthanoid-emitter für oled-anwendungen
DE102015110091B4 (de) Phosphepinmatrixverbindung für ein Halbleitermaterial

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: SCHUMACHER & WILLSAU, PATENTANWALTSSOZIETAET, 80335 MUENCHEN

R082 Change of representative

Ref document number: 710655

Country of ref document: EP

Representative=s name: SCHUMACHER & WILLSAU PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH

R081 Change of applicant/patentee

Ref document number: 710655

Country of ref document: EP

Owner name: UNIVERSAL DISPLAY CORP., US

Free format text: FORMER OWNER: MOTOROLA, INC., SCHAUMBURG, US

Effective date: 20110831

R082 Change of representative

Ref document number: 710655

Country of ref document: EP

Representative=s name: SCHUMACHER & WILLSAU PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH

R082 Change of representative

Ref document number: 710655

Country of ref document: EP

Representative=s name: SCHUMACHER & WILLSAU PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH