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Die Erfindung bezieht sich auf eine Oszillatorschaltung nach
Anspruch 1 und insbesondere auf eine Oszillatorschaltung, die ein
Oszillationssignal in Antwort auf, in einer ersten Betriebsart,
ein Resonanzelement, wie beispielsweise einem Kristall, und, in
einer zweiten Betriebsart, ein externes Taktsignal erzeugt.
Beschreibung des verwandten Standes der Technik
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Eine ähnliche Oszillatorschaltung ist aus Patent Abstracts of
Japan, Band 17, Nr. 401 (E-1404), 27. Juli 1993, und der JP-
A-05-075 342 bekannt. Diese Steuereinrichtung für eine
Oszillatorschaltung umfaßt einen Inverter mit einer
Rückkopplungsschaltung, die zwischen dessen Eingang und Ausgang verschaltet ist,
wobei der Inverter ferner seinen Eingang mit einem ersten
Anschluß verbunden hat, der mit einem Resonanzelement oder zum
Empfangen eines externen Taktsignals verschaltet ist, und eine
Erfassungsschaltung, die mit dem Ausgang des Inverters verbunden
ist, und stellt eine interne Oszillatorschaltung und einen
Schalter bereit, der für eine interne Oszillationsbetriebsart
eingeschaltet ist, während er für eine externe
Oszillationsbetriebsart ausgeschaltet ist.
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Eine weitere Oszillatorschaltung für eine tragbare elektronische
Einrichtung ist aus der GB-A-2 005 944 bekannt. Diese Schaltung
zeigt eine Quartzkristall-Oszillatorschaltung, die einen
Dreizustand-Inverter implementiert, wie er in der vorliegenden
Anmeldung verwendet wird, und welche einen P-MOS- und einen N-MOS-
Transistor und einen Inverter umfaßt. Durch Schalten der
Transistoren kann die Verstärkung ein- und ausgeschaltet werden, und
wird das Quartzkristall-Vibratorelement in Oszillation gesteuert
oder im wesentlichen frei schwingend belassen.
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Ein Beispiel einer herkömmlichen Oszillatorschaltung ist in Fig.
11 gezeigt. Diese Schaltung besteht aus einer Inverterschaltung,
die aus einem P-Typ-MOSFET M1 und einem N-Typ-MOSFET M2 besteht
und einen mit einem Anschluß V&sub1; verbundenen Eingangsknoten und
einen mit einem Anschluß V&sub2; verbundenen Ausgangsknoten hat,
einer Übertragungsschaltung, die aus einem
P-Typ-MOSFET M3 besteht, dessen Drain-Anschluß mit dem Anschluß
V&sub1; verbunden ist und dessen Source-Anschluß mit dem Anschluß V&sub2;
verbunden ist, einem N-Typ-MOSFET M8, der zwischen dem Anschluß
V&sub1; und der Masse verschaltet ist, einer Inverterschaltung 11,
deren Eingang mit dem Anschluß V&sub2; verbunden ist und deren
Ausgang mit dem Ausgang V&sub0; der Oszillatorschaltung verbunden ist,
und einer Oszillationssteuerschaltung, die aus einer
Inverterschaltung 12 und einer NICHT-ODER-Schaltung 13 besteht. Ein
Kristall X1 ist optional zwischen dem Anschluß V&sub1; und dem Anschluß
V&sub2; verschaltet. Darüber hinaus beinhaltet die
Oszillatorschaltung ein Halteingangssignal VS und einen schaltenden
Eingangsanschluß VX von einer Datenverarbeitungseinheit, wie
beispielsweise einer (nicht gezeigten) CPU.
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Diese Schaltung arbeitet als eine Kristalloszillatorschaltung,
wenn sowohl das Oszillations-Halteingangssignal VS als auch das
Oszillations-Schalteingangssignal auf dem niedrigen Pegel
liegen. Dies ist darauf zurückzuführen, daß der N-Typ-MOSFET M8
ab
geschaltet ist und sowohl der P-Typ-MOSFET M3 als auch der N-
Typ-MOSFET M4 eingeschaltet sind.
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Andererseits ist dann, wenn das Signal VS auf dem hohen Pegel
liegt, der N-Typ-MOSFET M8 aufgrund des hohen Pegels seines
Gate-Anschlusses eingeschaltet, und ist die Übertragungsschaltung
durch den Übergang des Gate-Anschlusses des P-Typ-MOSFETs M3 auf
den hohen Pegel und des Gate-Anschlusses des P-Typ-MOSFETs M4
auf den niedrigen Pegel ausgeschaltet, welches den Anschluß V&sub1;
auf den niedrigen Pegel und den Anschluß V&sub2; auf den hohen Pegel
bringt, wodurch die Oszillation angehalten wird.
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Die Frequenz-Verstärkung-Kennlinie der aus dem P-Typ-MOSFET M1
und dem N-Typ-MOSFET M2 bestehenden Inverterschaltung ist wie in
Fig. 12(a) gezeigt, so daß eine Oszillation bei einer Frequenz
niedriger als eine Frequenz f&sub0;, bei der die Verstärkung
0 dB wird, möglich ist. Da sich die Frequenz f&sub0; im wesentlichen
proportional zu der Gatebreite W des MOSFETs wie in Fig. 12(b)
gezeigt ändert, muß die Frequenz f&sub0; geringfügig höher als eine
gewünschte Oszillationsfrequenz gewählt werden.
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Da jedoch zu dieser Zeit der aufgenommene Strom I der aus dem P-
Typ-MOSFET M1 und dem N-Typ-MOSFET M2 bestehenden
Inverterschaltung durch die Gatebreite W des MOSFETS mit im wesentlichen
proportionaler Beziehung zwischen dem aufgenommenen Strom und der
Gatebreite wie in Fig. 12(c) bestimmt ist, sollte die Gatebreite
W nicht zu groß gemacht werden, um die Leistungsaufnahme zu
verringern. Daher wird eine Gatebreite W gewählt, die Anlaß zu
einer Frequenz f&sub0; geringfügig höher als die gewünschte Frequenz
gibt.
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In dieser Oszillatorschaltung nimmt die Verstärkung der aus dem
P-Typ-MOSFET M1 und dem N-Typ-MOSFET M2 bestehenden
Inverterschaltung mit der zunehmenden Lastkapazität CL ab, wie durch die
Abhängigkeit der Lastkapazität von der Verstärkung gemäß Fig. 13
gezeigt. Wenn die Oszillatorschaltung aus diesem Grund durch ein
externes Taktsignal anstelle durch die Verwendung des
Kristal
loszillators betrieben wird, werden der P-Typ-MOSFET M3 und der
N-Typ-MOSFET M4 durch Bringen des Signals VX der
Oszillationssteuerschaltung auf den hohen Pegel abgeschaltet, so daß ein
externes Taktsignal VC allein an den Anschluß V&sub1; angelegt wird. In
diesem Fall wird das Taktsignal VC durch die aus dem P-Typ-MOS-
FET M1 und dem N-Typ-MOSFET M2 bestehende Inverterschaltung und
die Inverterschaltung 11 in das Innere der Oszillatorschaltung
übertragen.
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Falls in diesem Fall eine Lastkapazität CL an dem Anschluß V&sub2;
aufgrund eines Vedrahtungsmusters oder dergleichen außerhalb des
LSI existiert, nimmt die Verstärkung wie in Fig. 15 gezeigt ab,
und das externe Taktsignal wird durch die aus dem
P-Typ-MOSFET M1 und dem N-Typ-MOSFET M2 bestehende
Inverterschaltung abgeschwächt, welches manchmal in einer Situation
resultiert, in der die Übertragung des Signals in das Innere
fehlschlägt.
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Falls außerdem das externe Taktsignal VC an den Anschluß V&sub2;
allein angelegt ist, steht die Ausgangsspannung des P-Typ-MOSFETs
M1 und des N-Typ-MOSFETs M2 im Wettstreit mit dem externen
Taktsignal VC und resultiert entweder in der Nichtübertragung des
externen Taktsignals VC in das Innere oder in einer Situation,
in der die MOSFETs zu den aufgrund des Fließens eines hohen
Durchstroms zu den Rauschquellen werden.
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Aus diesem Grund wäre es im Betrieb der Oszillatorschaltung
durch ein externes Taktsignal erforderlich, extern eine
Inverterschaltung 15 zwischen dem Anschluß V&sub1; und dem Anschluß V&sub2; zu
installieren, wie in Fig. 14 gezeigt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Der Erfindung wie in den beigefügten Patentansprüchen definiert
liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Oszillatorschaltung
bereitzustellen, die ein Oszillationssignal in Antwort auf ein
Resonanzelement in einer ersten Betriebsart und auf ein externes
Taktsignal ohne eine externe Inverterschaltung sowie starkes
Rauschen in einer zweiten Betriebsart erzeugt.
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Eine Oszillatorschaltung gemäß dieser Erfindung beinhaltet einen
ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß, eine
Dreizustand-Inverterschaltung mit einem mit dem ersten Anschluß verbundenen
Eingangsknoten und einem mit dem zweiten Anschluß verbundenen
Ausgangsknoten, eine Rückkopplungsschaltung, die zwischen dem
ersten und dem zweiten Anschluß verschaltet ist, eine
Erfassungsschaltung und eine Steuerschaltung, die in einer ersten
Betriebsart arbeitet, um sowohl den Dreizustand-Inverter als auch
die Rückkopplungsschaltung zu aktivieren, und in einer zweiten
Betriebsart arbeitet, um sowohl den Dreizustand-Inverter als
auch die Rückkopplungsschaltung zu deaktivieren. Die
Dreizustand-Schaltung zeigt, wenn deaktiviert, einen
Hochimpedanzzustand an ihrem Ausgangsknoten.
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In der ersten Betriebsart wirkt der Dreizustand-Inverter mit
einem zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluß verschalteten
Resonanzelement zusammen, um ein Oszillationssignal zu erzeugen.
In der zweiten Betriebsart wird ein externes Taktsignal an den
zweiten Anschluß angelegt.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die vorstehend erwähnten und andere Ziele, Merkmale und Vorteile
dieser Erfindung treten unter Bezugnahme auf die nachfolgende
detaillierte Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit den
begleitenden Zeichnungen deutlicher zutage. Es zeigen:
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Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm für ein erstes Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung;
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Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm für eine in Fig. 3 gezeigte
Takterfassungsschaltung;
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Fig. 3 ein Signalverlaufsdiagramm zum Beschreiben des
Betriebsablaufs der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
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Fig. 4 ein weiteres Signalverlaufsdiagramm zum Beschreiben des
Betriebsablaufs der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
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Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm für ein weiteres Beispiel einer in
Fig. 1 gezeigten Takterfassungsschaltung;
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Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm einer Takterfassungsschaltung für
ein zweites Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
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Fig. 7 ein Schaltungsdiagramm des in Fig. 6 gezeigten T-Typ-
Flip-Flops;
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Fig. 8 ein Schaltungsdiagramm des in Fig. 6 gezeigten R-S-Flip-
Flops;
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Fig. 9 ein Signalverlaufsdiagramm zum Beschreiben des
Betriebsablaufs der in Fig. 6 gezeigten Schaltung;
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Fig. 10 ein weiteres Signalverlaufsdiagramm zum Beschreiben des
Betriebsablaufs der in Fig. 6 gezeigten Schaltung;
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Fig. 11 ein Schaltungsdiagramm für eine herkömmliche
Oszillatorschaltung;
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Fig. 12 ein Diagramm, das die Kennlinien der Inverterschaltung
zeigt;
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Fig. 13 ein Diagramm, das eine Kennlinie der Inverterschaltung
zeigt; und
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Fig. 14 ein Schaltungsdiagramm für ein weiteres Beispiel der
herkömmlichen Oszillatorschaltung.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Eine Oszillationsschaltung zum Zwecke des Lösens dieser Probleme
sind daher in Fig. 1 als das erste Ausführungsbeispiel dieser
Erfindung gezeigt. Diese Oszillatorschaltung 200 ist auf einem
einzelnen Halbleiterplättchen 250 hergestellt und beinhaltet
eine Dreizustand-Inverterschaltung 50, die aus einer
Serienschaltung von P-Typ-MOSFETs M1 und M6 und N-Typ-MOSFETs M2 und
M7 besteht und einen mit einem Anschluß V&sub1; verbundenen
Eingangsknoten und einen mit einem Anschluß V&sub2; verbundenen
Ausgangsknoten hat, eine Übertragungsschaltung 60 als eine
Rückkopplungsschaltung, die aus einem P-Typ-MOSFET M3 und einem N-Typ-MOSFET
M4 besteht, welche parallel zwischen dem Anschluß V&sub1; und dem
Anschluß V&sub2; verschaltet sind, eine NICHT-UND-Schaltung 16 mit
einem ersten Eingang, der mit dem Anschluß V&sub2; verbunden ist, und
einem Ausgang, der mit dem Ausgang V&sub0; der Oszillatorschaltung
verbunden ist, eine Takterfassungsschaltung 20 mit einem ersten
und einem zweiten Eingang, die mit den Anschlüssen V&sub2; und VR
verbunden sind, und eine Oszillationssteuerschaltung 70,
bestehend aus Inverterschaltungen 12 und 17 und
NICHT-ODER-Schaltungen 13 und 18, und welche ferner ein
Oszillations-Halteingangssignal VS empfängt.
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Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm für ein Beispiel der
Takterfassungsschaltung in Fig. 1. Diese Takterfässungsschaltung
besteht aus einem P-Typ-MOSFET M11, der zwischen dem Anschluß V&sub2;
und einer Leistungsversorgung VDD verschaltet ist, einem P-Typ-
MOSFET M12, dessen Drain-Anschluß mit einem Übergang N1
verbunden ist, dessen Gate-Anschluß mit dem Anschluß V&sub2; verbunden ist
und dessen Source-Anschluß mit der Leistungsversorgung VDD
verbunden ist, einem N-Typ-MOSFET M13, dessen Drain-Anschluß mit
dem Übergang N1 verbunden ist, dessen Gate-Anschluß mit dem
Anschluß VR verbunden ist und dessen Source-Anschluß mit dem
Massepotential verbunden ist, einem zwischen dem Übergang N1 und
dem Massepotential verschalteten Kapazitätselement C11, einer
Zwischenspeicherschaltung 30, die aus einer
Dreizustand-Inverterschaltung bestehend aus P-Typ-MOSFETs M14 und M15 und N-Typ-
MOSFETs M16 und M17 und einer Dreizustand-Inverterschaltung
bestehend aus P-Typ-MOSFETs M18 und M19 und N-Typ-MOSFETs M20 und
M21, mit ihrem Eingang an dem Übergang N1 und ihrem Ausgang an
einem Anschluß V&sub3;, besteht, und einer Inverterschaltung 22.
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Nachstehend wird der Betriebsablauf dieser Schaltung
beschrieben. Zunächst ist in dem Fall einer Oszillation unter Verwendung
eines Kristalloszillators, in dem ein Kristall 80 als ein
Resonanzelement zwischen den Anschlüssen V&sub1; und V&sub2; verschaltet ist,
der Betriebsablauf der Schaltung durch die Signalverläufe gemäß
Fig. 3 gezeigt. Zum Inbetriebnehmen eines LSI ist es üblich, ein
Rücksetzsignal VR zu verwenden, um die interne Schaltung zu
initialisieren. In diesem Fall geht dann, wenn in der
Oszillatorschaltung das Rücksetzsignal VR auf den hohen Pegel geht, der
Ausgang der aus den MOSFETs M1, M2, M6 und M7 bestehenden
Dreizustand-Inverterschaltung in den hochimpedanten Zustand, wird
die aus den MOSFETs M3 und M4 bestehende Übertragungsschaltung
abgeschaltet, arbeitet die aus den MOSFETs M14 bis M17
bestehende Dreizustand-Inverterschaltung als Inverter, geht der Ausgang
der aus den MOSFETs M18 bis M21 bestehenden
Dreizustand-Inverterschaltung in den hochimpedanten Zustand, und werden die MOS-
FETs M11 und M13 eingeschaltet.
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Da der Anschluß V&sub2; nur mit dem Kristalloszillator verbunden ist
und keinen Gleichstrompfad hat, wird der Anschluß V&sub2; durch den
MOSFET M11, welcher den MOSFET M12 abschaltet und den Übergang
N1 auf den niedrigen Pegel bringt, auf den hohen Pegel
geschickt, und wird der Anschluß V&sub3; auf den niedrigen Pegel
gebracht.
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Wenn das Rücksetzsignal VR später auf den niedrigen Pegel
zurückkehrt, wird der niedrige Pegel des Anschlusses V&sub3;
zwischengespeichert und arbeitet die aus den MOSFETs M1, M2, M6 und M7
bestehende Dreizustand-Inverterschaltung als
Wechselsignalverstärker, wird die aus den MOSFETs M3 und M4 bestehende
Übertragungsschaltung eingeschaltet, um den Kristalloszillationsbetrieb
in Gang zu setzen, und wird das Signal an dem Anschluß V&sub2; durch
die NICHT-UND-Schaltung 16 an den Anschluß V&sub0; ausgegeben.
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Als nächstes ist der Betriebsablauf durch Empfangen eines
externen Taktsignals VC an dem Anschluß V&sub2; durch das
Signalverlaufsdiagramm in Fig. 4 gezeigt. Wenn das Rücksetzsignal VR auf den
hohen Pegel geht, geht der Ausgang der aus den MOSFETs M1, M2,
M6 und M7 bestehenden Dreizustand-Inverterschaltung in den
hochimpedanten Zustand, wird die aus den MOSFETs M3 und M4
bestehende Übertragungsschaltung abgeschaltet, arbeitet die aus den
MOSFETs M14 bis M17 bestehende Dreizustand-Inverterschaltung als
Inverter, geht der Ausgang der aus den MOSFETs M18 bis M21
bestehenden Dreizustand-Inverterschaltung in den hochimpedanten
Zustand, und werden die MOSFETs M11 und M13 eingeschaltet.
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Hierbei wird der Ein-Widerstand des MOSFETs M11 so eingestellt,
daß er verglichen mit dem Innenwiderstand der (nicht gezeigten)
Quelle des externen Taktsignals VC ausreichend hoch ist, so daß
die Spannung des Anschlusses V&sub2; auf dieselbe Art und Weise
schwingt, wie es das externe Taktsignal tut, durch welches der
MOSFET M12 den Ein-und-Aus-Vorgang wiederholt und das
Kapazitätselement C11 auflädt.
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Durch Festlegen der wechselseitigen Leitfähigkeit des MOSFETs
M13 derart, daß dieser verglichen mit der wechselseitigen
Leitfähigkeit des MOSFETs M12 ausreichend klein ist, und Beschränken
der durch M13 entladenen Ladung derart, daß diese verglichen mit
der in C11 angesammelten Ladung klein ist, geht der Übergang N1
im wesentlichen auf den hohen Pegel, und geht der Anschluß V&sub3;
auf den hohen Pegel, wenn ein Taktsignal dem Anschluß V&sub2; von
außen zugeführt wird.
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Wenn das Rücksetzsignal VR später auf den niedrigen Pegel
zurückkehrt, wird der hohe Pegel des Anschlusses V&sub3;
zwischengespeichert, und wird das Signal an dem Anschluß V&sub2; über die
NICHT-UND-Schaltung 16 an den Ausgang V&sub0; der Oszillatorschaltung
übertragen, während der Ausgang der aus den MOSFETs M1, M2, M6
und M7 bestehenden Dreizustand-Inverterschaltung in den
hochimpedanten Zustand geht, und während die aus den MOSFETs M3 und M4
bestehende Übertragungsschaltung ausgeschaltet gehalten wird.
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Wie vorstehend beschrieben wurde, vermeidet dieses
Ausführungsbeispiel das Signal zum Umschalten zwischen der Oszillation
mittels eines externen Taktsignals und der Oszillation mittels
eines Kristalloszillators, so daß es als Ergebnis hiervon
möglich ist, die Anzahl der Signalpins und Bond-Anschlußplättchen
zu verringern.
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Es sollte erwähnt werden, daß die in diesem Ausführungsbeispiel
eingesetzte NICHT-UND-Schaltung 16 häufig diejenige des Schmitt-
Typs ist, um Fehlfunktionen des Ausgangs der
Oszillatorschaltung, die durch das an dem Anschluß V&sub2; erzeugte Rauschen
verursacht werden, zu eliminieren.
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Ein weiteres Beispiel der Takterfassungsschaltung 20 ist in Fig.
5 gezeigt. Diese Schaltung wird aus der Schaltung in Fig. 2
durch Ersetzen des P-Typ-MOSFETs M12 durch einen N-Typ-MOSFET
M12a und des P-Typ-MOSFETs M11 durch einen N-Typ-MOSFET Mlla und
Verschalten derselben zwischen dem Anschluß V&sub2; und dem
Massepotential erhalten.
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Fig. 6 ist ein Schaltungsdiagramm für das zweite
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, welches ein weiteres Blockdiagramm für
die Takterfassungsschaltung in Fig. 1 ist. Ein Beispiel des
Schaltungsdiagramms für die T-Typ-Flip-Flops Q1 bis Q3 dieses
Ausführungsbeispiels ist in Fig. 7 gezeigt, ein Beispiel des
Schaltungsdiagramms für das RS-Flip-Flop Q4 ist in Fig. 10
gezeigt, und als ein Beispiel einer Zwischenspeicherschaltung Q5
wird Gebrauch von der in Fig. 2 gezeigten
Zwischenspeicherschaltung gemacht.
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Diese Schaltung zählt Signale, die dem Anschluß V&sub2; mit einem aus
drei T-Typ-Flip-Flop-Schaltungen Q1 bis Q3 bestehenden
Binärzähler zugeführt werden, und wenn das Ausgangsende Q von Q3 auf den
hohen Pegel geht, wird das Signal durch das RS-Flip-Flop Q4 und
die Zwischenspeicherschaltung Q5 in der nächsten Stufe
zwischengespeichert.
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In dem Fall der Oszillation mittels eines Kristalloszillators
ist der Kristalloszillator zwischen dem Anschluß V&sub1; und dem
Anschluß V&sub2; verschaltet. Der Betriebsablauf in diesem Fall ist in
Fig. 11 gezeigt. Wenn das Rücksetzsignal auf den hohen Pegel
geht, geht der Ausgang der aus den MOSFETs M1, M2, M6 und M7
bestehenden Dreizustand-Inverterschaltung in den hochimpedanten
Zustand, und wird die aus den MOSFETs M3 und M4 bestehende
Übertragungsschaltung abgeschaltet.
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Da der Anschluß V&sub2; mit dem Kristalloszillator allein verbunden
ist und das Potential von V&sub2; keiner Änderung unterliegt, wird
der Zähler nicht betätigt, wobei das Flip-Flop Q3 auf dem
niedrigen Pegel bleibt und der Anschluß V&sub3; auf den niedrigen Pegel
geht. Wenn das Rücksetzsignal VR später auf den niedrigen Pegel
zurückkehrt, wird der niedrige Pegel des Anschlusses V&sub3;
zwischengespeichert, arbeitet die Dreizustand-Inverterschaltung als
Wechselsignalverstärker, wird die aus den MOSFETs M3 und M4
bestehende Übertragungsschaltung eingeschaltet, nimmt der
Kristalloszillator den Betrieb auf, und wird das Signal an dem Anschluß
V&sub2; durch die NICHT-UND-Schaltung 16 an den Ausgang V&sub0;
ausgegeben.
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Als nächstes wird in dem Fall der Oszillation mittels eines
externen Taktsignals ein Taktsignal von außen an den Anschluß V&sub2;
angelegt. Der Betriebsablauf für diesen Fall ist in Fig. 10
gezeigt. Wenn das Rücksetzsignal VR auf den hohen Pegel geht, geht
der Ausgang der Dreizustand-Inverterschaltung einschließlich der
MOSFETs M1 und M2 in den hochimpedanten Zustand, und wird die
aus den MOSFETs M3 und M4 bestehende Übertragungsschaltung
abgeschaltet. Dann beginnt die aus Q1, Q2 und Q3 bestehende
Zählerschaltung zu zählen, und wenn das Flip-Flop Q3 auf den hohen
Pegel geht, geht der Anschluß V&sub3; auf den hohen Pegel. Wenn das
Rücksetzsignal VR später auf den niedrigen Pegel zurückkehrt,
wird der hohe Pegel von Q3 zwischengespeichert, und wird das
Signal an dem Anschluß V&sub2; durch die NICHT-UND-Schaltung 16 an
den Ausgang V&sub0; der Oszillatorschaltung übertragen, während der
Ausgang der Dreizustand-Inverterschaltung einschließlich der
MOSFETs M1 und M2 in dem hochimpedanten Zustand gehalten wird,
und während die aus den MOSFETs M3 und M4 bestehende
Übertragungsschaltung abgeschaltet gehalten wird.
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Wie vorstehend beschrieben wurde, können durch dieses
Ausführungsbeispiel Wirkungen vergleichbar zu den Fällen anderer
Ausführungsbeispiele erhalten werden. Darüber hinaus werden
Signale in der Logikschaltung derart verarbeitet, daß es möglich
ist, eine Takterfassung durchzuführen, ohne durch das
Tastverhältnis des von dem Anschluß V&sub2; zugeführten externen Taktsignals
beeinträchtigt zu werden.
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Wie vorstehend beschrieben wurde, nutzt diese Erfindung die
Inverterschaltung, welche ein Wechselsignalverstärker ist, als
eine Dreizustand-Inverterschaltung, und erfand ein Verfahren zum
Wandeln ihres Ausgangs in den hochimpedanten Zustand. Daher kann
dann, wenn ein externes Taktsignal verwendet wird, die
Notwendigkeit zum Zuführen invertierter Signale zu den beiden
Eingangsanschlüssen umgangen werden, so daß eine Wirkung
dahingehend erzielt wird, daß eine Inverterschaltung zum Erzeugen der
invertierten Signale eliminiert und die Erzeugung von Rauschen
unterdrückt werden kann.
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Darüber hinaus ist es dann, wenn eine Takterfassungsschaltung
bereitgestellt ist, möglich, automatisch zwischen der
Betriebsart mit externem Takt und der Betriebsart mit
Kristalloszillation mittels dem Ausgangssignal der Erfassungsschaltung
umzuschalten.
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Daher besteht eine zusätzliche Wirkung dahingehend, daß die
Anzahl von Pins und Bond-Anschlußplättchen für die Erzeugung des
Schaltsignals verringert werden kann, und daß das Schaltsignal
von außen unnötig wird.
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Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte
Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, soll diese Beschreibung nicht in
einem beschränkenden Sinn ausgelegt werden. Verschiedene
Modifikationen der offenbarten Ausführungsbeispiele sowie weitere
Ausführungsbeispiele der Erfindung ergeben sich für den Fachmann
bei Bezugnahme auf die Beschreibung. Es wird daher erwartet, daß
die beigefügten Patentansprüche beliebige Modifikationen oder
Ausführungsbeispiele, die in den Rahmen der Erfindung fallen,
umfassen.