DE69128264T2

DE69128264T2 - Kühlvorrichtung für ein Wafer

Info

Publication number: DE69128264T2
Application number: DE69128264T
Authority: DE
Inventors: Ryuichi Ebinuma; Shinichi Hara
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-07-30
Filing date: 1991-07-16
Publication date: 1998-04-02
Anticipated expiration: 2011-07-17
Also published as: EP0469744B1; JP2928603B2; US5413167A; EP0469744A1; DE69128264D1; JPH0485918A

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf eine waferkühlvorrichtung und insbesondere auf eine waferkühlvorrichtung zur Verwendung bei einem Röngenstrahlungsbelichtungsgerät, bei dem eine Schwingung eines Wafers aufgrund eines Strömens von Kühlwasser unterdrückt wird.
Mit steigender Leistung einer Haibleitervorrichtung, insbesondere eines Halbleiterspeichers, gab es einen starken Bedarf an einer Steigerung der Feinheit beim Formen von Mustern durch ein Herstellgerät für Halbleitervorrichtungen.
Als ein Versuch zum Erreichen dieses Zieles wurde ein Röngenstrahlungsbelichtungsgerät vorgeschlagen, das eine Synchrotronstrahlung als eine Lichtquelle verwendet. Bei einem derartigen Gerät werden im Vergleich zu einem herkömmlichen Belichtungsgerät, das ein UV-Licht mit geringer Wellenlänge als eine Lichtquelle verwendet, eine Maske und ein Wafer vertikal gehalten (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2-100 311.
Fig. 10 zeigt eine schematische Ansicht eines Beispiels eines Waferhalteblockes, der bei einem derartigen Röngenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird.
Der Waferhalteblock umfaßt einen Grobbewegungsobjekttisch 113 für eine Grobausrichtung eines Wafers gegenüber einer Maske in bezug auf die Richtungen der x-, y- und z-Achse, einen Stütztisch 112, der an dem Grobbewegungsobjekttisch 113 befestigt ist, einen Feinbewegungsobjekttisch 108, der an einem mittleren Abschnitt des Stütztisches 112 für eine Feinausrichtung des Wafers gegenüber der Maske vorgesehen ist, und eine Waferspannvorrichtung 101, die an dem Feinbewegungsobjekttisch 108 befestigt ist.
Die Waferspannvorrichtung 101 kann mittels des Grobbewegungsobjekttisches 113 bewegt werden, der durch (nicht gezeigte) Betätigungsglieder in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse angetrieben wird. Sie kann auch mittels des Feinbewegungsobjekttisches sowohl in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse als auch in den Richtungen ωx, ωy und ωz (die Drehrichtungen um die x-, y- beziehungsweise z-Achse) feinbewegt werden. Zur Vereinfachung ist jedoch in Fig. 10 der Feinbewegungsobjekttisch 108 so dargestellt, als wenn er nur in der Richtung von ωz bewegt werden könnte. Genauer gesagt wird der Feinbewegungsobjekttisch 108 an jeder Ecke und an jeder Mitte seiner vier Seiten durch den Stütztisch 112 durch Blattfedern 110 gestützt. Er kann mittels einer piezoelektrischen Vorrichtung 111 und eines Gummis 109, die die rechte Blattfeder 110 zwischen ihnen sandwichartig anordnen, angetrieben und in der Richtung ωz geringfügig bewegt werden. Wenn ein aus einer piezoelektrischen Vorrichtung 111 und einem Gummi 109 bestehendes Paar für jede Blattfeder 110 in einer ähnlichen Weise, bei der die entsprechende Blattfeder zwischen ihnen sandwichartig angeordnet ist, vorgesehen ist, kann der Feinbewegungsobjekttisch 108 sowohl in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse als auch in den Richtungen ωx, ωy und ωz geringfügig angetrieben werden. Die Waferspannvorrichtung 101 ist mit sich kreuzenden Rinnen 107 zum Anziehen des Wafers mittels eines Unterdruckes gebildet und diese Rinnen stehen mit einer (nicht gezeigten) Unterdruckpumpe durch einen (nicht gezeigten) Durchtritt in Verbindung.
Bei einem derartigen Röngenstrahlungsbelichtungsgerät, das eine Synchrotronstrahlung verwendet, kann eine thermische Verformung des Wafers, die auf die Bestrahlung mit Röntgenstrahlen mit einer Intensität von etwa 100 mW/cm² zurückzuführen ist, nicht außer acht gelassen werden, da ein auf einen Wafer zu übertragendes Muster sehr fein ist. Daher besteht der Bedarf an einer Waferkühlvorrichtung zum Kühlen eines Wafers während seiner Belichtung.
Im folgenden sind Beispiele einer derartigen Waferkühlvorrichtung angegeben:
(1) Ein wärmeleitfähiges Element, wie beispielsweise eine Hg- oder eine Metallbahn oder dünne Kupferdrähte, mit einer Freiheit und einer Verformbarkeit wird zwischen einer Waferkühlvorrichtung und einer Waferspannvorrichtung oder zwischen einem Wafer und einer Waferspannvorrichtung gesetzt offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 59-117 128, 61- 172 357 und 63-193 447).
(2) Ein Kühlwasser, dessen Temperatur gesteuert wird, zirkuliert durch eine Waferspannvorrichtung 101, um die Temperatur der Waferspannvorrichtung konstant zu halten (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 60-98 119).
(3) Ein Wärmerohr wird verwendet, wobei ein Verdampfungsabschnitt in einer Waferspannvorrichtung definiert ist (offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 63-65 066).
Diese Waferkühlvorrichtungen sind jedoch mit einigen im folgenden erwähnten Nachteilen verbunden:
(1) Bei einem Aufbau, bei dem ein wärmeleitfähiges Element mit einer Freiheit und einer Verformbarkeit zwischen einer Waferkühlvorrichtung und einer Waferspannvorrichtung oder zwischen einem Wafer und einer Waferspannvorrichtung gesetzt wird, ist es nicht leicht, die für die Korrektur der Verformung des Wafers erforderliche Ebenheit beizubehalten (beispielsweise beträgt die erforderliche Ebenheit 1 Mikrometer für einen Bereich von 10 x 10 (cm) oder weniger) Somit verschlechtert sich die Übertragungsgenauigkeit für das Muster. Des weiteren hat im allgemeinen ein derartiges wärmeleitfähiges Material keine gute Wärmeleitfähigkeit.
(2) Bei einem Aufbau, bei dem ein Kühlwasser, dessen Temperatur gesteuert wird, zum Aufrechterhalten einer konstanten Temperatur der Waferspannvorrichtung verwendet wird, tritt eine Schwingung aufgrund des Strömens des Kühlwassers auf, da die Waferspannvorrichtung an dem Feinbewegungsobjekttisch 108 (siehe Fig. 10) befestigt ist, der eine geringe Steifigkeit hat (beispielsweise ist die Möglichkeit eines Versatzes von etwa 1,2 Mikrometern gemäß dem Ergebnis eines in Fig. 11 gezeigten Versuchs vorhanden). Dies bewirkt eine Verschlechterung der Übertragungsgenauigkeit für das Muster.
(3) Bei einem Aufbau, bei dem ein Wärmerohrsystem verwendet wird, wobei ein Verdampfungsabschnitt in einer Waferspannvorrichtung definiert ist, tritt eine Schwingung der Waferspannvorrichtung aufgrund des zu einem Kondensationsabschnitt des Wärmerohres gelieferten Kühlwassers auf. Dies bewirkt eine Verschlechterung der Übertragungsgenauigkeit für das Muster.
Die Zusammenfassungen der japanischen Patente, Vol 13, Nr. 326 (C-620) vom 24. Juli 1989 und die Druckschrift JP-A 01-104 249 offenbaren einen Tieftemperaturobjekttisch in einem Unterdruckbehälter mit einem Objekttischteil für eine Waferspannvorrichtung, einem Kühlteil für einen Wärmetauscher und flexiblen dünnen Drahtbündeln zum Leiten von Wärme zwischen dem Objekttischteil und dem Kühlteil.
Die IBM-Technical Disclosure Bulletin, Vol 21, Nr. 8 vom Januar 1979 offenbart auf den Seiten 3281 - 3282 ein Wärmeleitrohr mit einer Innenoberfläche, auf der ein Geflecht vorgesehen ist, das mit einem Betriebsflüssigkeitskühlmittel getränkt ist, das an dem heißen Ende des Rohres verdampft und an dem kühlen Ende während der Wärmeübertragung kondensiert.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Waferkühlvorrichtung zu schaffen, die einen Wafer ohne die vorstehend beschriebenen Nachteile kühlen kann.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Waferkühlvorrichtung zu schaffen, durch die während einer Belichtung eines Wafers mit einer Strahlungsenergie, wie beispielsweise mit Röntgenstrahlen, mit einer Synchrotronumlaufstrahlung (SOR), mit einem Excimerlaserstrahl oder mit einem Licht der g-Linie oder der i-Linie, der Wafer gekühlt werden kann, wobei sich die Übertragungsgenauigkeit für das Muster nicht verschlechtert.
Erfindungsgemäß wird eine Waferkühlvorrichtung geschaffen, die die in Anspruch 1 dargelegten Merkmale hat.
Das Wärmerohr kann einen mittleren Rohrabschnitt umfassen, der aus einem Harzmaterial hergestellt ist und eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist.
Die Waferspannvorrichtung kann einen Innenraum mit einem verminderten Druck haben, der eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist.
Der Wärmetauscher kann einen Innenraum mit einem verminderten Druck haben, der eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist, wobei die Geflechte des Wärmetauschers und des Wärmerohres miteinander verbunden sein können, während die Geflechte der Waferspannvorrichtung und des Wärmerohres miteinander verbunden sein können. Die Innenräume der Waferspannvorrichtung und des Wärmetauschers können miteinander durch das Wärmerohr in Verbindung stehen.
Bei einer Waferkühlvorrichtung eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung wird die von einem Temperaturanstieg während der Belichtung in einem Wafer herrührende Wärme bei dem Verdampfen der Betriebsflüssigkeit in dem Wärmerohr verbraucht und daher kann die Temperatur des Wafers konstant gehalten werden. Da der Wärmetauscher an dem Grobbewegungsobjekttisch, der eine hohe Steifigkeit hat, befestigt ist, ist es möglich, eine Schwingung der Waferspannvorrichtung (das heißt eine Schwingung des Wafers) aufgrund der Zirkulation des Kühlwassers zu verhindern. Da das verwendete Wärmerohr flexibel ist, behindert es die Feinausrichtung des Waferobjekttisches durch den Feinbewegungsobjekttisch nicht.
Wenn das Wärmerohr einen mittleren Rohrabschnitt umfaßt, der aus einem Harzmaterial hergestellt ist und der eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist, kann ein flexibler Aufbau des Wärmerohres leicht erreicht werden.
Wenn die Waferspannvorrichtung einen Innenraum mit einem verminderten Druck hat, der eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist, kann der Aufbau der Waferspannvorrichtung durch eine ähnliche Anordnung, wie bei einem Wärmequellenabschnitt einer herkömmlichen Wärmerohrvorrichtung, vorgesehen sein. Somit ist es möglich, einen Wafer als Ganzes wirksam bei einer konstanten Temperatur zu halten.
Wenn der Wärmetauscher einen Innenraum mit einem verminderten Druck hat, der eine Innenoberfläche hat, auf der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist, wobei die Geflechte des Wärmetauschers und des Wärmerohres miteinander verbunden sind, während die Geflechte der Waferspannvorrichtung und des Wärmerohres miteinander verbunden sind und wobei die Innenräume der Waferspannvorrichtung und des Wärmetauschers miteinander durch das Wärmerohr in Verbindung stehen, kann die Waferkühlvorrichtung selbst in einem einfachen Wärmerohraufbau aufgebaut sein. Folglich ist es jnoglich, den Wafer wirksam bei einer konstanten Temperatur zu halten.
Wenn die Kühlvorrichtung mit einem flexiblen Rohr zum Vorsehen einer Verbindung zwischen dem Innenraum des Wärmetauschers und dem Innenraum der Waferspannvorrichtung und mit einer Einrichtung zum Liefern der Betriebsflüssigkeit zu dem Geflecht der Waferspannvorrichtung ausgerüstet ist, kann die von dem Geflecht der Waferspannvorrichtung verdampfte Betriebsflüssigkeit durch das Rohr zu dem Wärmetauscher bewegt werden und außerdem ist es möglich, die Betriebsflüssigkeit an dem Geflecht der Waferspannvorrichtung geeignet nachzufüllen. Somit ergeben sich ähnlich vorteilhafte Wirkungen.
Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht eines Waferhalteblockes, wobei eine Waferkühlvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt ist.
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Stütztisches von Fig. 1.
Fig. 3 zeigt eine Schnittansicht des Aufbaus eines Wärmerohres von Fig. 1.
Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht einer Waferspannvorrichtung in einer Waferkühivorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 zeigt eine Schnittansicht der Verbindung zwischen einer Waferspannvorrichtung und einem Wärmerohr in einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 6 zeigt eine schematische Ansicht des Aufbaus eines Wärmetauschers.
Fig. 7 zeigt eine Schnittansicht der Verbindung zwischen einem Wärmetauscher und einem Wärmerohr.
Fig. 8 zeigt eine schematische Ansicht des Aufbaus einer abgewandelten Form eines Wärmetauschers.
Fig. 9 zeigt eine schematische Ansicht einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 10 zeigt eine schematische Ansicht eines Waferhalteblockes einer bekannten Bauart.
Fig. 11 zeigt eine graphische Darstellung der Ergebnisse aus einem Versuch, wobei die Beziehung zwischen dem Volumenstrom und dem Versatz dargestellt ist.
Fig; 1 zeigt eine schematische Ansicht eines Waferhalteblockes zur Erläuterung einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei die Vorrichtung bei einem Röngenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird.
Der Waferhalteblock umfaßt einen Grobbewegungsobjekttisch 13 für eine Grobausrichtung eines Wafers gegenüber einer Maske in bezug auf die Richtungen der x-, y- und z-Achse, einen Stütztisch 12, der an dem Grobbewegungsobjekttisch 13 befestigt ist, einen Feinbewegungsobjekttisch 8, der an einem mittleren Abschnitt des Stütztisches 12 für eine Feinausrichtung des Wafers gegenüber der Maske vorgesehen ist, und eine Waferspannvorrichtung 1, die an dem Feinbewegungsobjekttisch 8 befestigt ist.
Die Waferspannvorrichtung 1 kann mittels des Grobbewegungsobjekttisches 13 bewegt werden, der durch (nicht gezeigte) Betätigungsglieder in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse angetrieben wird. Sie kann auch mittels des Feinbewegungsobjekttisches sowohl in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse als auch in den Richtungen ωx, ωy und ωz (in den Drehrichtungen um die x-, y- beziehungsweise z-Achse) fein bewegt werden. Zur Vereinfachung wird jedoch bei diesem Ausführungsbeispiel der Feinbewegungsobjekttisch 8 so verwendet, als wenn er nur in der Richtung von ωz bewegt werden könnte. Genauer gesagt wird der Feinbewegungsobjekttisch 8 an jeder Ecke und an jeder Mitte seiner vier Seiten durch den Stütztisch 12 durch Blattfedern 10 gestützt, wie am besten aus Fig. 2 ersichtlich ist. Er kann mittels einer piezoelektrischen Vorrichtung 11 und eines Gummiblocks 9, die die rechte Blattfeder 10 zwischen ihnen sandwichartig anordnen, angetrieben und in der Richtung ωz geringfügig bewegt werden. Wenn ein aus einer piezoelektrischen Vorrichtung 11 und einem Gummiblock 9 bestehendes Paar für jede Blattfeder 10 in einer ähnlichen Weise, bei der die entsprechende Blattfeder zwischen ihnen sandwichartig angeordnet ist, vorgesehen ist, kann der Feinbewegungsobjekttisch 8 sowohl in jeder der Richtungen der x-, y- und z-Achse als auch in den Richtungen ωx, ωy und ωz geringfügig angetrieben werden. Die Waferspannvorrichtung 1 ist mit sich kreuzenden Rinnen 7 zum Anziehen des Wafers mittels eines Unterdruckes gebildet und diese Rinnen stehen mit einer (nicht gezeigten) Unterdruckpumpe durch einen (nicht gezeigten) Durchtritt in Verbindung. Der vorstehend beschriebene Abschnitt dieses Ausführungsbeispiels ist im wesentlichen der gleiche Abschnitt wie bei dem Beispiel von Fig. 10.
Jedoch ist bei diesem Ausführungsbeispiel die Waferspannvorrichtung 1 aus einem Aluminiummaterial mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt und außerdem ist ein Wärmetauscher 2, der aus einem Aluminiummaterial mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist und einen Durchtritt in ihm hat, der mit zwei Kühlwasserrohren 5 und 6 zum Zirkulieren des Kühlwassers gekuppelt ist, an dem Grobbewegungsobjekttisch 13 feststehend vorgesehen.
Des weiteren werden zwei flexible Wärmerohre 3 und 4 verwendet, um eine Wärmeübertragung zwischen der Waferspannvorrichtung 1 und dem Wärmetauscher 2 vorzusehen. Dies stellt einen Unterschied zu dem bekannten Beispiel dar. Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, umfaßt jedes Wärmerohr 3 und 4 entgegengesetzte Endabschnitte 21 und 22, die aus einem Aluminiummaterial mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt sind, und einen mittleren Rohrabschnitt, der aus einem Harzmaterial mit einer Wärmewiderstandsfähigkeit, wie beispielsweise Teflon, hergestellt ist, und ein mit einer Betriebsflüssigkeit, wie beispielsweise Wasser oder Alkohol, getränktes Geflecht 24 ist an der Innenoberfläche des Rohres angeheftet. Der Innenraum jedes Wärmerohres 3 und 4 wird unter einem verminderten Druck gehalten, so daß ein Siedepunkt der Betriebsflüssigkeit bei etwa 20,0ºC beibehalten wird.
Der Betrieb dieses Waferhalteblockes wird nachstehend erläutert.
Eine große Menge an Kühlwasser, dessen Temperatur auf ungefähr 20,0ºC gesteuert wird, wird von einem (nicht gezeigten) Behälter mit konstanter Temperatur durch das Kühlwasserrohr 5 zu dem Wärmetauscher 2 geliefert. Durch das Strömen des Kühlwassers durch den Durchtritt in dem Wärmetauscher 2 und durch das Kühlwasserrohr 6 zurück zu dem Behälter mit konstanter Temperatur kann die Temperatur des Wärmetauschers 2 bei ungefähr 20,0ºC gehalten werden. Hierbei bewirkt das Strömen einer großen Menge an Kühlwasser keine Schwingung, da der Wärmetauscher 2 an dem Grobbewegungsobjekttisch befestigt ist, der über eine hohe Steifigkeit verfügt.
Ein Wafer, auf den ein Maskenmuster zu übertragen ist, wird durch einen (nicht gezeigten) Beförderungsgreifer einer bekannten Bauart zu der Position der Waferspannvorrichtung 1 befördert und danach aufgrund dessen, daß die sich kreuzenden Rinnen 7 mit der Unterdruckpumpe in Verbindung stehen, durch einen Unterdruck zu der Waferspannvorrichtung 1 angezogen. Danach wird der Grobbewegungsobjekttisch 13 durch das (nicht gezeigte) Betätigungsglied angetrieben und der Feinbewegungsobjekttisch 8 wird durch die piezoelektrische Vorrichtung 11 angetrieben, wodurch die Ausrichtung des Wafers gegenüber der Maske ausgeführt werden kann.
Nach der Vollendung dieser Ausrichtung beginnt der Belichtungsprozeß des Wafers mit einer Strahlung, wie beispielsweise mit Röntgenstrahlung. Wenn während der Belichtung die Temperatur des Wafers aufgrund der Bestrahlung mit den Röntgenstrahlen oder dergleichen ansteigt, steigt ebenfalls die Temperatur der Waferspannvorrichtung an. Da jedoch die Waferspannvorrichtung 1 aus einem Aluminiummaterial mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist, ist der Temperaturanstieg in der Waferspannvorrichtung als ganzes gleichmäßig. Wegen dieses Temperaturanstiegs steigt die Temperatur des Kontaktabschnitts 21 von jedem der beiden Wärmerohre 3 und 4 an, die mit der Waferspannvorrichtung 1 in Kontakt stehen, was wiederum die Temperatur des Geflechtes 24 erhöht, das an der Innenoberfläche des Kontaktabschnittes 21 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 angeheftet ist. Dies bewirkt eine Erhöhung seines Sättigungsdampfdruckes und die Betriebsflüssigkeit innerhalb des Geflechtes 24 wird verdampft, wobei die Verdampfungswärme entzogen wird. Aufgrund der in diesem Augenblick in jedem Wärmerohr 3 oder 4 erzeugten Druckverteilung bewegen sich die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit sofort zu dem Kontaktabschnitt 22 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 an der Seite des Wärmetauschers 2. Da die Temperatur des Wärmetauschers 2 auf ungefähr 20,0ºC gesteuert wird und somit der Kontaktabschnitt 22 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 bei ungefähr 20,0ºC gehalten wird, werden hierbei die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit zu einer Flüssigkeit kondensiert und wieder durch das Geflecht 24 absorbiert. Die absorbierte Betriebsflüssigkeit wird durch die Kapillarwirkung des Geflechtes 24 zu dem Abschnitt des Geflechtes 24 zurück verteilt beziehungsweise diffundiert, der zu dem Kontaktabschnitt 21 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 benachbart ist.
Folglich wird, wenn die Temperatur des Wafers während der Belichtung ansteigt, fast die gesamte aus dem Temperaturanstieg herrührende Wärme bei dem Verdampfen der Betriebsflüssigkeit in den Wärmerohren 3 und 4 abgeführt, und daher kann der Wafer bei einer konstanten Temperatur gehalten werden.
Wenn für die Betriebsflüssigkeit Wasser verwendet wird, kann das Innere von jedem Wärmerohr 3 oder 4 bei einem verminderten Druck von ungefähr 26,6 x 102 N/m² (20 Torr) gehalten werden, um so den Siedepunkt des Wassers bei ungefähr 20,0ºC beizubehalten. Da andererseits bei einem Röntgenstrahlungsbelichtungsgerät vorzugsweise ein Heliumgas mit einem Druck von ungefähr 266 x 102 N/m² (200 Torr) als ein Umgebungsgas für eine Waferspannvorrichtung 1 verwendet wird, um die Dämpfung der Röntgenstrahlung zu verhindern, ergibt sich ein Druckunterschied von 239,4 x 102 N/m² (180 Torr) zwischen der Innenseite und der Außenseite bei jedem Wärmerohr 3 oder 4. In Anbetracht dieses Umstandes kann der mittlere Rohrabschnitt 23 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 aus einem Harzmaterial, wie beispielsweise Teflon, mit einem Durchmesser von 20 mm oder weniger und einer Wandstärke von 1 mm oder mehr hergestellt werden. Des weiteren kann der Außenaufbau von jedem Wärmerohr 3 oder 4 in einer gewellten Form geformt sein, wie es beispielsweise in Fig. 3 gezeigt ist, um eine derartige Flexibilität vorzusehen, daß durch ein Feineinstellen des Wafers durch den Feinbewegungsobjekttisch 8 das Wärmerohr 3 oder 4 in den Richtungen der x-, y- und z- Achse und in den Richtungen ωx, ωy und ωz in Fig. 1 geringfügig verschoben werden kann.
Da der Druckunterschied zwischen der Innenseite und der Außenseite bei jedem Wärmerohr 3 oder 4 maximal ungefähr 266 x 10² N/m² (200 Torr) beträgt, kann eine andere Betriebsflüssigkeit als Wasser bei einer Kombination mit einem Harzmaterialaufbau des Rohrabschnittes 23 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 ohne einen besonderen Nachteil verwendet werden. Darüber hinaus kann ein Metall, wie beispielsweise ein Aluminiummaterial für den Rohrabschnitt 23 von jedem Wärmerohr 3 oder 4 verwendet werden und mit einem ähnlichen Aufbau kann die Flexibilität sichergestellt werden.
Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht einer Waferspannvorrichtung in einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei die Vorrichtung bei einem Röntgenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird ei
Die Waferkühlvorrichtung von diesem Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel von Fig. 1 in der Hinsicht des Aufbaus einer Waferspannvorrichtung 31. Insbesondere ist die Waferspannvorrichtung 31 aus einem Aluminiummaterial mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt und sie ist mit sich kreuzenden Rinnen 37 ausgebildet, wie in Fig. 4 gezeigt ist. In dieser Hinsicht ist sie der Waferspannvorrichtung 1 von Fig. 1 ähnlich. Jedoch besteht der Unterschied zu dem Beispiel von Fig. 1 darin, daß sie einen Innenraum 39 mit einem verminderten Druck hat, wobei ein Geflecht 38 an seiner Innenoberfläche angeheftet ist. Der Innenraum 39 der Waferspannvorrichtung 31 wird bei einem verminderten Druck gehalten, wobei ein Siedepunkt der Betriebsflüssigkeit bei ungefähr 20,0ºC erreicht wird.
Bei der Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels steigt, wenn die Temperatur eines Wafers während des Belichtungsprozesses ansteigt, die Temperatur der Waferspannvorrichtung 31 an, was wiederum einen Temperaturanstieg in dem Kontaktabschnitt von jedem der beiden nicht gezeigten Wärmerohre (siehe Fig. 1) an der Seite der Waferspannvorrichtung 31 bewirkt, der mit der Waferspannvorrichtung 31 in Kontakt steht. Aufgrund dieses Temperaturanstiegs steigt die Temperatur des Geflechtes, das an der Innenoberfläche von jedem Wärmerohr angeheftet ist, wobei ein Verdampfen der Betriebsflüssigkeit innerhalb des Geflechtes bewirkt wird, wobei die Verdampfungswärme entzogen wird. Aufgrund der in diesem Augenblick in jedem Wärmerohr erzeugten Druckverteilung bewegen sich die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit sofort zu dem Kontaktabschnitt von jedem Wärmerohr an der Seite des Wärmetauschers Da die Temperatur des Wärmetauschers auf ungefähr 20,0ºC gesteuert wird (wie bei dem Wärmetauscher 2 von Fig. 1) und somit der Kontaktabschnitt von jedem Wärrnerohr bei ungefähr 20,0ºC gehalten wird, werden hierbei die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit zu einer Flüssigkeit kondensiert und wieder durch das Geflecht absorbiert. Die absorbierte Betriebsflüssigkeit wird durch die Kapillarwirkung des Geflechtes zu dem Abschnitt des Geflechtes zurück verteilt, der zu dem Kontaktabschnitt von jedem Wärmerohr benachbart ist.
Folglich kann der Abschnitt der Waferspannvorrichtung, der mit den beiden Wärmerohren in Kontakt steht, bei einer Temperatur von ungefähr 20,0ºC konstant gehalten werden.
Wenn andererseits während der Belichtung die Temperatur des Wafers ansteigt, steigt die Temperatur des Geflechtes 38, das an der Innenseite der Waferspannvorrichtung angeheftet ist, ebenfalls an. Folglich wird die Betriebsflüssigkeit innerhalb des Geflechtes 38 verdampft, wobei die Verdampfungswärme entzogen wird. Aufgrund der in diesem Augenblick in dem Innenraum 39 der Waferspannvorrichtung 31 erzeugten Druckverteilung bewegen sich die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit sofort zu dem Abschnitt der Waferspannvorrichtung 31, der mit den beiden Wärmerohren in Kontakt steht. Da die Temperatur dieses Abschnittes der Waferspannvorrichtung 31 auf ungefähr 20,0ºC gesteuert wird, wie vorstehend beschrieben ist, werden hierbei die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit zu einer Flüssigkeit kondensiert und wieder durch das Geflecht 38 absorbiert. Die absorbierte Betriebsflüssigkeit wird durch die Kapillarwirkung des Geflechtes 38 zu dem Abschnitt des Geflechtes 38 zurück verteilt, an dem der Wafer zu der Spannvorrichtung angezogen wird.
Folglich wird, wenn die Temperatur des Wafers während der Belichtung ansteigt, fast die gesamte aus dem Temperaturanstieg herrührende Wärme bei dem Verdampfen der Betriebsflüssigkeit in der Waferspannvorrichtung 31 und in den beiden Wärmerohren abgeführt, und daher kann der Wafer bei einer konstanten Temperatur gehalten werden.
Fig. 5 zeigt die Verbindung zwischen einer Waferspannvorrichtung 41 und einem Wärmerohr 50 bei einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei die Vorrichtung bei einem Röntgenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird.
Die Waferkühlvorrichtung von diesem Ausführungsbeispiel ist gegenüber der in Fig. 4 gezeigten Waferkühivorrichtung in folgendem ähnlich: Die Waferspannvorrichtung 41 ist aus einem Aluminiurnrnaterial oder dergleichen mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt, sie ist mit sich kreuzenden (nicht gezeigten) Rinnen zum Anziehen eines Wafers mit einem Unterdruck ausgebildet, sie hat einen Innenraum 49 mit einem verminderten Druck und ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht 48 ist an ihrer Innenoberfläche angeheftet. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel von Fig. 4 in folgendem: das Wärmerohr 50 hat einen Kontaktabschnitt 51 an der Seite der Waferspannvorrichtung 41, der zu einer Ringform geformt ist, und ein Kontaktabschnitt der Waferspannvorrichtung 41, der mit dem Wärmerohr 50 in Kontakt steht, hat eine in ihm gebildete Öffnung von einer Größe, die dem Innendurchmesser des Wärmerohres 50 gleich ist, damit eine Verbindung zwischen einem Geflecht 48 der Waferspannvorrichtung 41 und einem Geflecht 54 des Wärmerohres 50 vorhanden ist und damit der Innenraum der Waferspannvorrichtung 41 und der Innenraum des Wärmerohres in Verbindung stehen. Jeder der Innenräume der Waferspannvorrichtung 41 und des Wärmerohres 50 wird bei einem verminderten Druck gehalten, wobei ein Siedepunkt der Betriebsflüssigkeit bei ungefähr 20,0ºC beibehalten wird.
Bei der Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels steigt, wenn die Temperatur eines Wafers während der Belichtung ansteigt, die Temperatur des Geflechtes 48, das an der Innenoberfläche der Waferspannvorrichtung 41 angeheftet ist, ebenfalls an. Folglich wird die Betriebsflüssigkeit innerhalb des Geflechtes 48 verdampft, wobei die Verdampfungswärme entzogen wird. Aufgrund der in diesem Augenblick in den Innenräumen der Waferspannvorrichtung 41 und des Wärmerohres 50 erzeugten Druckverteilung bewegen sich die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit sofort über den Abschnitt der Waferspannvorrichtung 41, der mit dem Wärmerohr 50 in Kontakt steht, über den Kontaktabschnitt 51 des Wärmerohres und über den Innenraum des Rohres 53 zu dem Kontaktabschnitt 52 des Wärmerohres 50. Da die Temperatur des Kontaktabschnittes 52 mittels eines Wärmetauschers 42 mit einem ähnlichen Aufbau wie der Wärmetauscher von Fig. 1 auf ungefähr konstant 20,0ºC gesteuert wird, werden hierbei die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit, die an den Kontaktabschnitt 52 gelangen, zu einer Flüssigkeit kondensiert und wieder durch das Geflecht 54 absorbiert. Die absorbierte Betriebsflüssigkeit wird durch die Kapillarwirkung des Geflechtes 54 zu dem Geflecht 54 an dem Kontaktabschnitt 51 des Wärmerohres 50 und danach zu dem Geflecht 48 an dem Abschnitt der Waferspannvorrichtung 41 und schließlich zu dem Geflecht 48 an dem Abschnitt der Waferspannvorrichtung 41 zurück verteilt, an dem der Wafer zu der Spannvorrichtung angezogen wird.
Folglich wird, wenn die Temperatur des Wafers während der Belichtung ansteigt, fast die gesamte aus dem Temperaturanstieg herrührende Wärme bei dem Verdampfen der Betriebsflüssigkeit in der Waferspannvorrichtung 41 abgeführt, und daher kann der Wafer bei einer konstanten Temperatur gehalten werden.
Fig. 6 zeigt den Aufbau eines Wärmetauschers 62 bei einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, wobei die Vorrichtung bei einem Röntgenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird. Fig. 7 zeigt die Verbindung des Wärmetauschers 62 von Fig. 6 mit einem Wärrnerohr 70.
Bei der Waferkühlvorrichtung der vorliegenden Erfindung sind sowohl eine (nicht gezeigte) Waferspannvorrichtung und das Wärmerohr 70 als auch der Wärmetauscher 62 zu einer als eine Einheit zusammengesetzten Wärmerohrbaugruppe aufgebaut und die Waferspannvorrichtung hat einen ähnlichen Aufbau wie die in Fig. 5 gezeigte Waferspannvorrichtung 41. Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, hat der Wärmetauscher 62 einen Innenraum mit einem verminderten Druck und ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht 64 ist an seiner Innenoberfläche angeheftet. Auch ist eine Kühlwasserströrnungsrinne 63 gebildet, die vorhanden ist, damit das Kühlwasser durch diesen hindurch zirkuliert. Ein Kontaktabschnitt des Wärmerohres 70 an der Seite des Wärmetauschers 62 ist zu einer Ringform geformt. An einem Abschnitt des Wärmetauschers 62, der mit dem Wärrnerohr 70 in Kontakt steht, ist eine Öffnung mit einer Größe gebildet, die im wesentlichen dem Innendurchmesser des Wärmerohres gleich ist. Dies stellt sowohl eine Verbindung des Geflechtes 64 des Wärmetauschers 62 mit einem Geflecht 78 des Wärmerohres 70 sicher als auch, daß der Innenraum 65 des Wärmetauschers 62 und der Innenraum der Waferspannvorrichtung durch das Wärmerohr 70 in Verbindung steht.
Da die Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels eine vorstehend beschriebene als eine Einheit zusammengesetzte Wärmerohrbaugruppe hat, kann die Temperatur des Wafers gemäß dem Wärmerohrprinzip konstant gehalten werden, das an sich bekannt ist.
Der Aufbau des Wärmetauschers kann zu einem in Fig. 8 gezeigten Aufbau des Wärmetauschers 80 abgewandelt werden. Genauer gesagt ist ein äußeres Gehäuseelernent, das aus einem Material mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist, mit einer Kühlwasserströmungsrinne 81 ausgebildet. Ein Behälter 82, der aus einem Material mit einer guten Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist, hat einen Innenraum mit einem verminderten Druck und ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht 83 ist an seiner Innenoberfläche angeheftet. Der Behälter 82 ist innerhalb des äußeren Gehäuseelementes angeordnet, wobei seine Außenfläche mit der Innenoberfläche des äußeren Gehäuseelementes in Kontakt steht. In diesem Fall können das äußere Gehäuseelement und der Behälter 82 aus verschiedenen Materialien hergestellt sein.
Fig. 9 zeigt eine schematische Ansicht einer Waferkühlvorrichtung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei die Vorrichtung bei einem Röntgenstrahlungsbelichtungsgerät verwendet wird.
Die Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels umfaßt: ein flexibles Rohr 93, das das Wärmerohr 70 bei der Waferkühlvorrichtung von Fig. 8 ersetzt und dazu da ist, daß der Innenraum einer Waferspannvorrichtung 91 mit dem Innenraum eines Wärmetauschers 92 in Verbindung steht; ein Betriebsflüssigkeitsbehälter 97 zum Aufnehmen einer Betriebsflüssigkeit, die zu einem Geflecht innerhalb der Waferspannvorrichtung 91 geliefert wird; einen flexiblen Betriebsflüssigkeitsdurchtritt 96, damit der Behälter 97 mit dem Geflecht in der Waferspannvorrichtung 91 in Verbindung steht; ein Betriebsflüssigkeitsventil 98, das in einem Abschnitt des Durchtritts 96 vorgesehen ist; ein flexibler Unterdruckaufbringungsdurchtritt 99, damit der Innenraum der Waferspannvorrichtung 91 mit einer (nicht gezeigten) Unterdruckquelle in Verbindung steht, und ein Unterdruckaufbringungsventil 100, das in einem Abschnitt des Durchtritts 99 vorgesehen ist. Der Behälter 97, der Durchtritt 96, das Ventil 98, der Durchtritt 99 und das Ventil 100 wirken zusammen, um eine Nachfülleinrichtung zum Zuliefern einer Betriebsflüssigkeit zu dem Geflecht der Waferspannvorrichtung 91 vorzusehen.
Obwohl dies in der Zeichnung nicht gezeigt ist, ist die Waferspannvorrichtung 91 wie bei dem Beispiel von Fig. 1 an einem Feinbewegungsobjekttisch befestigt und ist der Wärmetauscher 92 an einem Grobbewegungsobjekttisch befestigt. Des weiteren ist das Feineinstellen eines Wafers durch den Feinbewegungsobjekttisch erreichbar, wenn das Rohr 93 und die Durchtritte 96 und 99 jeweils einen ähnlichen Aufbau wie das in Fig. 3 gezeigte Wärmerohr 3 haben, selbst wenn sie aus einem Metall hergestellt sind.
Durch den vorstehend beschriebenen Aufbau hat die Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels einen funktional einstückigen Wärmerohraufbau und sie hält auf eine ähnliche Weise wie bei dem Beispiel von Fig. 7 eine konstante Temperatur des Wafers auf der Grundlage des Wärmerohrprinzips aufrecht, das an sich bekannt ist.
Genauer gesagt steigt, wenn die Temperatur des Wafers während der Belichtung ansteigt, die Temperatur des Geflechtes, das an der Innenoberfläche eines derartigen Abschnitts der Waferspannvorrichtung 91 angeheftet ist, an dem der Wafer durch einen Unterdruck angezogen wird, ebenfalls an. Folglich wird die Betriebsflüssigkeit innerhalb des Geflechtes verdampft, wobei die Verdampfungswärme entzogen wird. Aufgrund der Druckverteilung in den Innenräumen der Waferspannvorrichtung 91, des Rohres 93 und des Wärmetauschers 92 bewegen sich die Dämpfe der Betriebsflüssigkeit sofort zu dem Abschnitt der Waferspannvorrichtung 91, der mit dem Rohr 93 in Kontakt steht und über das Rohr 93 zu dem Wärmetauscher 92. Daher wird, wenn die Temperatur des Wafers während der Belichtung ansteigt, fast die gesamte aus diesem Temperaturanstieg herrührende Wärme bei dem Verdampfen der Betriebsflüssigkeit in der Waferspannvorrichtung 91 abgeführt, und somit kann der Wafer bei einer konstanten Temperatur gehalten werden.
Bei der Waferkühlvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels hat der Wärmetauscher 92 einen ähnlichen Aufbau wie der in den Fig. 6 und 7 gezeigte Wärmetauscher 62 und eine konstante Temperatur wird mittels Kühlwasser beibehalten, das durch zwei Kühlwasserströmungsdurchtritte 95&sub1; und 95&sub2; zirkuliert. Somit werden die zu dem Wärmetauscher 92 gelangenden Dämpfe der Betriebsflüssigkeit innerhalb des Wärmetauschers zu einer Flüssigkeit kondensiert und durch das Geflecht innerhalb des Wärmetauschers 92 absorbiert. Da jedoch das Rohr 93 nicht mit einem Geflecht versehen ist, läuft die durch die Kondensaton verflüssigte Betriebsflüssigkeit nicht zu der Waferspannvorrichtung 91 zurück. Dies bewirkt ein derartiges Phänomen, daß sich bei wiederholter Belichtung die Betriebsflüssigkeit in der Waferspannvorrichtung 91 verringert, was zu einem Versagen beim Tränken des Geflechtes in der Waferspannvorrichtung mit der Betriebsflüssigkeit führt. Wenn ein derartiges Phänomen auftritt, folgt auf den Temperaturanstieg des Wafers kein Verdampfen der Betriebsflüssigkeit mit einem Entzug der Verdampfungswärrne. Dies wird "Austrocknen" genannt.
Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird, um einen derartigen Austrocknungszustand zu vermeiden, das Betriebsflüssigkeitsventil in regelmäßigen Abständen geöffnet, um die Betriebsflüssigkeit an dem Geflecht in der Waferspannvorrichtung 91 von dem Behälter 97 durch den Durchtritt 96 nachzufüllen. Hierbei wird vor dem Nachfüllen der Betriebsflüssigkeit das Unterdruckaufbringungsventil 100 geöffnet, um eine Verbindung zwischen der Unterdruckquelle und dem Innenraum der Waferspannvorrichtung 91 vorzusehen, so daß der Unterdruck an der letztgenannten aufgebracht wird. Dies bewirkt ein Verdampfen der gesamten Betriebsflüssigkeit innerhalb der Waferspannvorrichtung 91 und innerhalb des Wärmetauschers 92 (da der Sättigungsdampfdruck bei einer Temperatur von ungefähr 20,000 ungefähr 26,6 x 10² N/m² (20 Torr) beträgt, wird bei einem Unterdruck oder bei 0 N/m² (0 Torr) die gesamte Betriebsflüssigkeit verdampft). Die Dämpfe können durch den Unterdruckdurchtritt 99 herausgelassen werden.
Wenn die Betriebsflüssigkeit und das Geflecht keine gute Einsatzfähigkeit haben, wird in der Waferspannvorrichtung 91 ein nicht kondensierbares Gas erzeugt, was zu einem nicht betriebsfähigen Zustand führt. Falls dies auftritt, kann das Unterdruckaufbringungsventil 100 geöffnet werden, so daß eine Verbindung zwischen der Unterdruckpurnpe und dem Innenraum der Waferspannvgrrichtung 91 durch den Durchtritt 99 vorgesehen wird, um eine Aufbringung eines Unterdruckes erneut zu bewirken. Danach wird das Betriebsflüssigkeitsventil 98 geöffnet, um die Betriebsflüssigkeit zu dem Geflecht in der Waferspannvorrichtung durch den Betriebsflüssigkeitsdurchtritt 96 zu liefern. Dadurch kann der Normalbetrieb wiederaufgenommen werden.
Während bei diesem Ausführungsbeispiel die in dem Wärmetauscher 92 gesammelte Betriebsflüssigkeit durch den Unterdruckaufbringungsdurchtritt 99 herausgelassen wird, kann ebenfalls eine getrennte Flüssigkeitsauslaßeinrichtung verwendet werden.
Bei der vorstehenden Beschreibung stehen die Waferspannvorrichtung und der Wärmetauscher mittels zweier Wärmerohre in Verbindung (Fig. 1). Jedoch kann die Anzahl auch ein Wärmerohr oder drei oder mehrere Wärmerohre betragen.
Der Innenraum von jeweils der Waferspannvorrichtung, dem Wärmerohr und dem Wärmetauscher wird bei einem verminderten Druck gehalten, um einen Siedepunkt der Betriebsflüssigkeit bei einer Temperatur von ungefähr 20,0ºC beizubehalten. Jedoch ist der Druck nicht darauf beschränkt. Es ist nur notwendig, daß der Druck vermindert ist, um sicherzustellen, daß der Siedepunkt der Betriebsflüssigkeit der Temperatur des Kühlwassers gleich ist (wobei diese von 20,0ºC verschieden sein kann), das durch den Wärmetauscher zirkuliert.
Des weiteren kann zum Sicherstellen der Festigkeit der Waferspannvorrichtung oder des Wärmetauschers eine Stützsäuleneinrichtung innerhalb der Waferspannvorrichtung des Wärmetauschers vorgesehen sein, wie es in der offengelegten japanischen Patenanmeldung Nr. 58-96 992 offenbart ist.
Die Rinne der Waferspannvorrichtung zum Anziehen mittels Unterdruck ist nicht auf eine Kreuzform beschränkt. Eine sich radial erstreckende Form oder eine beliebige andere Form kann ebenso verwendet werden.
Während die Erfindung unter Bezugnahme auf die hierbei offenbarten Aufbauarten beschrieben wurde, ist sie nicht auf die aufgezeigten Einzelheiten begrenzt und diese Anmeldung soll derartige Abwandlungen oder Veränderungen abdecken, die in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen.

Claims

1. Waferkühlvorrichtung zur Verwendung bei einem Belichtungsgerät, wobei die Vorrichtung folgendes aufweist:

eine Waferspannvorrichtung (1) zum Halten eines zu belichtenden Wafers;

ein Objekttischsystem (8, 12, 13), an dem die Waferspannvorrichtung montiert ist;

einen Wärmetauscher (2), der einen Innenaufbau hat, damit ein Kühlfluid durch diesen hindurch zirkuliert; und

ein flexibles Wärmerohrsystem (3, 4) zum Vorsehen einer thermischen Verbindung zwischen der Waferspannvorrichtung und dem Wärmetauscher; dadurch gekennzeichnet, daß

das Objekttischsystem einen Feinbewegungsobjekttisch (8, 12), an dem die Waferspannvorrichtung montiert ist, und einen Grobbewegungsobjekttisch (13) aufweist, an dem der Feinbewegungsobjekttisch und der Wärmetauscher getrennt montiert sind.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das flexible Wärmerohrsystem ein Rohr mit einer Innenoberfläche umfaßt, an der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Waferspannvorrichtung einen Innenraum mit einem verminderten Druck hat, der eine Innenoberfläche hat, an der ein mit einem Betriebsfluid getränktes Geflecht angeheftet ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Wärmetauscher (2) einen Innenraum mit einem verminderten Druck hat, der eine Innenoberfläche hat, an der ein mit einer Betriebsflüssigkeit getränktes Geflecht angeheftet ist, wobei die Geflechte (24) des Wärmetauschers und des Wärmerohrsystems (3, 4) miteinander verbunden sind, während die Geflechte der Waferspannvorrichtung und des Wärmerohres miteinander verbunden sind.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Betriebsflüssigkeitsbehälter (97) zum Zuliefern einer Betriebsflüssigkeit zu dem Rohrsystem (3, 4) und ein Betriebsflüssigkeitsventil (98) vorgesehen sind, durch das die Flüssigkeit von dem Behälter zu dem Rohrsystern zugeführt werden kann.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 - 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Grobbewegungsobjekttisch eine höhere Steifigkeit als der Feinbewegungsobjekttisch hat.