JPS59117128A - 温度制御装置を備えたウエハ搭載台 - Google Patents
温度制御装置を備えたウエハ搭載台Info
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- JPS59117128A JPS59117128A JP22604382A JP22604382A JPS59117128A JP S59117128 A JPS59117128 A JP S59117128A JP 22604382 A JP22604382 A JP 22604382A JP 22604382 A JP22604382 A JP 22604382A JP S59117128 A JPS59117128 A JP S59117128A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ウェハの温度を朋」御する装置を備えたウェ
ハ搭載台に関するものである。
ハ搭載台に関するものである。
半導体製品であるウェハの表面に精密な加工を施すため
、該ウェハを精密に位置決め、位置合わせできるウェハ
搭載台が用いられる。たとえは半導体集積回路の製造工
程においては、半導体ウェハ表面に形成されている微細
パターンに次工程のマスクパターンを正確に重ね合わせ
て露光するという過程を伺回も繰返ず必要がある。こっ
した加工の途中で半導体ウェハに若干の反りを生じたり
、若しくは倣小な伸縮を生じることがある。
、該ウェハを精密に位置決め、位置合わせできるウェハ
搭載台が用いられる。たとえは半導体集積回路の製造工
程においては、半導体ウェハ表面に形成されている微細
パターンに次工程のマスクパターンを正確に重ね合わせ
て露光するという過程を伺回も繰返ず必要がある。こっ
した加工の途中で半導体ウェハに若干の反りを生じたり
、若しくは倣小な伸縮を生じることがある。
このような場合、ウェハ搭載台に温度制御器を設けてウ
ェハを加熱若しくは冷却し、熱膨張、収縮によって上記
の伸縮を補償する方法が考えられた。
ェハを加熱若しくは冷却し、熱膨張、収縮によって上記
の伸縮を補償する方法が考えられた。
第１図に従来技術に係る温度制御装置つきの半導体ウェ
ハ搭載台のＩＩＦｉ′藺図を示す。
ハ搭載台のＩＩＦｉ′藺図を示す。
この装置は、ウェハ１そ載置すべき半導体ウェハ范戟台
２に空洞部３を設け、この空洞部３内へ導入管４から高
温著しくは低温の流体を注入し、排出音５から流出さぜ
る。
２に空洞部３を設け、この空洞部３内へ導入管４から高
温著しくは低温の流体を注入し、排出音５から流出さぜ
る。
６は搭載台２に埋設した温度センサである。
上記の（ｆ載台２は、ベース８に対し−ご位置決め杆９
．８よひ位置決めバンド１０と介して支承される構造で
ある。７はウェハを設層するために悟載台２の上面に形
成した真空吸着用空洞部である。
．８よひ位置決めバンド１０と介して支承される構造で
ある。７はウェハを設層するために悟載台２の上面に形
成した真空吸着用空洞部である。
以上のように構成された従来形の搭載台においＣは、空
洞部３内を流通する流体によってウェハ１を加熱若しく
は冷却して、その伸縮歪みを補正し得るという効果か有
る手面、搭載台２を相宿に移動ぎせてウニ／１１の征置
決め、位置合イつせを行なつ除、該搭載台２に取伺けた
導入管４ヤ排出管５か抵抗を及はしてウニ／Ａ琵；載台
２の位置決め精度を低下させるといつ不具合かある。ま
た、空洞部３内を流通ずる流体が搭載台２に外６Ｌを伝
え゛Ｃ位置決め狛友に悪影響を及はす虞れも有る。
洞部３内を流通する流体によってウェハ１を加熱若しく
は冷却して、その伸縮歪みを補正し得るという効果か有
る手面、搭載台２を相宿に移動ぎせてウニ／１１の征置
決め、位置合イつせを行なつ除、該搭載台２に取伺けた
導入管４ヤ排出管５か抵抗を及はしてウニ／Ａ琵；載台
２の位置決め精度を低下させるといつ不具合かある。ま
た、空洞部３内を流通ずる流体が搭載台２に外６Ｌを伝
え゛Ｃ位置決め狛友に悪影響を及はす虞れも有る。
一般に半４体ウェハの露光なとに際して±０．１μｎｂ
；ｊ−ターのイＦ？度か費永さイ′シるので、前述の如
き導入管４．排出管５による抵抗や、空洞部３内のｌ：
ｃ、体による外乱が無視できない誤差要因となる。
；ｊ−ターのイＦ？度か費永さイ′シるので、前述の如
き導入管４．排出管５による抵抗や、空洞部３内のｌ：
ｃ、体による外乱が無視できない誤差要因となる。
本発明は上記の事情（こ鑑みて為され、ウニノ１搭載台
の移動に対して有害な抵抗を及ぼす虞れが無く、加熱、
冷却用の流体によって有害な外乱を蒙る虞れが無く、半
導体ウニ／＼の温度を制御して所望の熱膨張、収縮を行
わせ得る温度制御装置を備えたウニノ１搭載台を提供す
ることを目的とする。
の移動に対して有害な抵抗を及ぼす虞れが無く、加熱、
冷却用の流体によって有害な外乱を蒙る虞れが無く、半
導体ウニ／＼の温度を制御して所望の熱膨張、収縮を行
わせ得る温度制御装置を備えたウニノ１搭載台を提供す
ることを目的とする。
上記の目的を達成する為、本発明は、ウニノ１搭載台の
ベースによって温度制御器を支承し、この温度制御器と
ウェハ搭載台との間に、ウェハ搭載台の移動に対して有
害な抵抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導
部材を設けたことを特徴とする。
ベースによって温度制御器を支承し、この温度制御器と
ウェハ搭載台との間に、ウェハ搭載台の移動に対して有
害な抵抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導
部材を設けたことを特徴とする。
上に述べた如く移動に抵抗を及ぼさない熱伝導部材につ
いては、後に実施例を挙げて説明するように、例えば水
銀、エチレンクリコール溶液などの液体や、細い銅線を
束ねた可読性部材などが好適である。
いては、後に実施例を挙げて説明するように、例えば水
銀、エチレンクリコール溶液などの液体や、細い銅線を
束ねた可読性部材などが好適である。
次に、本発明の一実施例を第２図及び第３図について説
明する。
明する。
第２図は本発明の温度制御装置を備えたウェハ搭載台の
一実施例の垂直断面図、第３図は第２図のＡ部に相当す
る拡大詳細図である。
一実施例の垂直断面図、第３図は第２図のＡ部に相当す
る拡大詳細図である。
第２図に示すごとく、半導体ウェハ搭載台１２には、従
来形装置（第１図）におけると同様に、半導体ウェハ１
１を吸着するための真空吸着用空洞部１９、および温度
センサ２３を設けである。
来形装置（第１図）におけると同様に、半導体ウェハ１
１を吸着するための真空吸着用空洞部１９、および温度
センサ２３を設けである。
上記の搭載台１２の底面には、円柱状の突起２９を７個
一体形成しである。（本断面図には３個あられれている
）。
一体形成しである。（本断面図には３個あられれている
）。
１７は、空洞部１４、導入管１５、及び排出管１６を備
えた温度制御器で、断熱材１８を介してベース２０によ
って支承しである。上記の導入管１５、排出管１６は冷
却、加熱装置（図示せず）に接続し、空洞部１４内に低
温若しくは高温の流体を流通せしめ得るよう屹構成しで
ある。
えた温度制御器で、断熱材１８を介してベース２０によ
って支承しである。上記の導入管１５、排出管１６は冷
却、加熱装置（図示せず）に接続し、空洞部１４内に低
温若しくは高温の流体を流通せしめ得るよう屹構成しで
ある。
上記の温度制御器１７の頂面に、前記の円柱状突起２９
に対応するように７個の円柱状凹みを形成し、両者の間
には搭載台１２の移動を妨げない程度の間隙を設ける。
に対応するように７個の円柱状凹みを形成し、両者の間
には搭載台１２の移動を妨げない程度の間隙を設ける。
第３図に示すごとく、円柱状の凹み１３と円柱状の突起
２９との間に熱伝導率の高い液体２４を注入しである。
２９との間に熱伝導率の高い液体２４を注入しである。
本実施例においては上記の液体２４として水銀を用いで
あるが、エチレングリコール３０％水溶液、又は熱伝導
性シリコン油を用いることもできる。
あるが、エチレングリコール３０％水溶液、又は熱伝導
性シリコン油を用いることもできる。
本実施例は以上のようにして、搭載台ベース２０によっ
て温度制御器１７を支承し、この温度制御器１７と搭載
台１２との間に、該搭載台１２の移動に対して有害な抵
抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導部材２
４（本実施しリに２いては水銀）を設けである。
て温度制御器１７を支承し、この温度制御器１７と搭載
台１２との間に、該搭載台１２の移動に対して有害な抵
抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導部材２
４（本実施しリに２いては水銀）を設けである。
第３図に示した２５はラビリンスシールで、温度制御器
１７と半導体ウェハ搭載台１２間を非接触の状態で、液
体２４の飛散を防止している。第２図の２１は位置決め
杆、２２は位置決めバッドで、これらは半導体ウェハ搭
載台の位置決め機構である。位置決めバッド２２は窒化
ケイ素セラミックス製で、その低熱伝導率性と低熱膨張
性から半導体ウェハ搭載台１２とベース２０間の熱伝導
を防止すると同時に半導体ウェハ搭載台１２の位置決め
精度の安定１を増す効果がある。
１７と半導体ウェハ搭載台１２間を非接触の状態で、液
体２４の飛散を防止している。第２図の２１は位置決め
杆、２２は位置決めバッドで、これらは半導体ウェハ搭
載台の位置決め機構である。位置決めバッド２２は窒化
ケイ素セラミックス製で、その低熱伝導率性と低熱膨張
性から半導体ウェハ搭載台１２とベース２０間の熱伝導
を防止すると同時に半導体ウェハ搭載台１２の位置決め
精度の安定１を増す効果がある。
本実施例は以上の如き構成よりなり、これを用いて半導
体ウェハの露光を行なう場合の作用を次に欣明する。
体ウェハの露光を行なう場合の作用を次に欣明する。
ます、半導体ウェハ搭載台１２は、空洞部１４に導入さ
れる流体により温度制御器１７′ｊ６よび液体２４を介
して冷却加熱され、温度センサー２３および冷却加熱装
器（図省略）ならひに制御装置（図省略）により、半導
体ウェハ１１のパターンとマスクパターンのピッチすれ
量および半導体ウェハ１１の線膨張係数により必然的に
決まる温度を設定温度として温度制御される。半導体ウ
ェハ１１は半導体搭載台１２上面に真空吸着され、熱伝
導により設定温度まで冷却若しくは加熱され、ビノナず
れが抽圧される。その後、半導体ウェハ搭載台１７を微
動させ、半導体ウェハ１１のパターンとマスクパターン
を高鞘゛度に重ね合せ、半導体ウェハ１１全面にマスク
パターンか露光される。このとき、導入管１５および排
出管１６は温度制御器１７に固定されていて、半導体搭
載台１２は位置決め俊構以外には液体２４にのみ接して
いるだけであり、液体２４の抵抗は導入管１５オよび排
出管１６に比較すればＧまるかに小さい上に、温度制御
器１７上の円柱状凹み１３を多数設は液面を分割してい
るため、液体２４の液面のゆらぎによる半導体ウェハ搭
載台１２に対する浮力変動を小さく抑えているので、半
導体ウェハ搭載台１２の位置決め制御性および位置決め
精度の安定性が良いという効果がある。
れる流体により温度制御器１７′ｊ６よび液体２４を介
して冷却加熱され、温度センサー２３および冷却加熱装
器（図省略）ならひに制御装置（図省略）により、半導
体ウェハ１１のパターンとマスクパターンのピッチすれ
量および半導体ウェハ１１の線膨張係数により必然的に
決まる温度を設定温度として温度制御される。半導体ウ
ェハ１１は半導体搭載台１２上面に真空吸着され、熱伝
導により設定温度まで冷却若しくは加熱され、ビノナず
れが抽圧される。その後、半導体ウェハ搭載台１７を微
動させ、半導体ウェハ１１のパターンとマスクパターン
を高鞘゛度に重ね合せ、半導体ウェハ１１全面にマスク
パターンか露光される。このとき、導入管１５および排
出管１６は温度制御器１７に固定されていて、半導体搭
載台１２は位置決め俊構以外には液体２４にのみ接して
いるだけであり、液体２４の抵抗は導入管１５オよび排
出管１６に比較すればＧまるかに小さい上に、温度制御
器１７上の円柱状凹み１３を多数設は液面を分割してい
るため、液体２４の液面のゆらぎによる半導体ウェハ搭
載台１２に対する浮力変動を小さく抑えているので、半
導体ウェハ搭載台１２の位置決め制御性および位置決め
精度の安定性が良いという効果がある。
また、温度’ｉｔ’制御器１７と搭載台２とが剛性のあ
る部材を介して接続していないので、温度制御器１７内
の流体による外乱要因が搭載台２に伝えられる虞れが無
い。
る部材を介して接続していないので、温度制御器１７内
の流体による外乱要因が搭載台２に伝えられる虞れが無
い。
なお、温度制御器１７内の空洞部１４に導入排出される
流体は、液体あるいは気体でも良く、さらに液体で導入
し空洞部１４内で気化させる、あるいは逆に、気体で導
入し空洞部１４内で液化させても良い。
流体は、液体あるいは気体でも良く、さらに液体で導入
し空洞部１４内で気化させる、あるいは逆に、気体で導
入し空洞部１４内で液化させても良い。
本発明における［ウェハ搭載台の移動に対して有害な抵
抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導部材」
は、上記の実施しｌのごとく流体に限るものではなく、
変形し易い同体金属を用いることもできる。第４図は細
い銅伜の呆２６を用いた実施例である。温度制御器１７
の上面に銅片２７を固着するとともに搭載台１２の−Ｆ
面に銅片２８を固定し、細い銅線の束２６に適冥の鋺み
を持たせてその両端を上記の銅片２７ 、２８に固着す
る。このように構成しても搭載台１２の＃動に有害な抵
抗そ及はすことなく、搭載台１２と温度制御器１７との
間の熱伝導を行なわせ、搭載台１２を介してウェハ１１
の温度制御を行って、前記の実施例と同様の効果か得ら
れる。
抗を及ぼさない自由度と変形性とを有する熱伝導部材」
は、上記の実施しｌのごとく流体に限るものではなく、
変形し易い同体金属を用いることもできる。第４図は細
い銅伜の呆２６を用いた実施例である。温度制御器１７
の上面に銅片２７を固着するとともに搭載台１２の−Ｆ
面に銅片２８を固定し、細い銅線の束２６に適冥の鋺み
を持たせてその両端を上記の銅片２７ 、２８に固着す
る。このように構成しても搭載台１２の＃動に有害な抵
抗そ及はすことなく、搭載台１２と温度制御器１７との
間の熱伝導を行なわせ、搭載台１２を介してウェハ１１
の温度制御を行って、前記の実施例と同様の効果か得ら
れる。
以上詳述したように、本発明を適用すると、ウェハ搭載
台の移動に対して有害な抵抗を及ぼす虞れが無く、那熱
、冷却用の流体によって有害な外乱を蒙る威れか無く、
半導体ウェハの温度を制御して所望の熱膨張、収縮を行
わせることができる。
台の移動に対して有害な抵抗を及ぼす虞れが無く、那熱
、冷却用の流体によって有害な外乱を蒙る威れか無く、
半導体ウェハの温度を制御して所望の熱膨張、収縮を行
わせることができる。
第１図は従来の温度制御装置を備えたウェハ搭載台の断
面図、第２図は本発明の温度制御装置を備えたウェハ搭
載台の一実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部の拡大
詳細図、第４図は上記と異なる実施例の一部拡大断面図
である。 １・・・半導体ウェハ ２・・・ウェハ搭載台３・
・・空洞部 ４・・・導入管５・・・排出管
６・・・温度センサ７・・・真空吸着用空
洞部 ８・・・ベース９・・・位置決め杆 １０
・・・位置決めパッド１１・・・半導体ウェハ １
２・・・ウェハ搭載台１３・・・円柱状凹み １４
・・・空洞部１５・・・導入管 １６・・・
排出管１７・・・温度制御器 １８・・・断熱材
１９・・真空吸着用空洞部 ２０・・・ベース２１・・
・位置決め杆 ２２・・・位置決めバッド２３・・
・温度センサ ２４・・・高熱伝導度液体２５・
・・ラビリンスシール ２６・・・細い銅線の束２７
、２８・・・銅片 ２９・・円柱状突起 第 １ 肥 第Ｊ 第４図
面図、第２図は本発明の温度制御装置を備えたウェハ搭
載台の一実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部の拡大
詳細図、第４図は上記と異なる実施例の一部拡大断面図
である。 １・・・半導体ウェハ ２・・・ウェハ搭載台３・
・・空洞部 ４・・・導入管５・・・排出管
６・・・温度センサ７・・・真空吸着用空
洞部 ８・・・ベース９・・・位置決め杆 １０
・・・位置決めパッド１１・・・半導体ウェハ １
２・・・ウェハ搭載台１３・・・円柱状凹み １４
・・・空洞部１５・・・導入管 １６・・・
排出管１７・・・温度制御器 １８・・・断熱材
１９・・真空吸着用空洞部 ２０・・・ベース２１・・
・位置決め杆 ２２・・・位置決めバッド２３・・
・温度センサ ２４・・・高熱伝導度液体２５・
・・ラビリンスシール ２６・・・細い銅線の束２７
、２８・・・銅片 ２９・・円柱状突起 第 １ 肥 第Ｊ 第４図
Claims (1)
- ウェハそ載置して位置決めを行なうためのウェハ搭載台
において、該ウェハ搭・成金のベースζこよって温度制
御器を支承し、この温度制御器とウェハ搭載台との間に
、ウェハ搭載台の移動に対して有害な抵抗を及ぼさない
自由度と変形性とを有する勢伝導部材を設けたことを％
徴とする温度制御装置２備えたウェハ搭載台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604382A JPS59117128A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 温度制御装置を備えたウエハ搭載台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604382A JPS59117128A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 温度制御装置を備えたウエハ搭載台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117128A true JPS59117128A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16838883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22604382A Pending JPS59117128A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 温度制御装置を備えたウエハ搭載台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117128A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332949A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-12 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 熱間チャック装置 |
| JPS63301522A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5413167A (en) * | 1990-07-30 | 1995-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer cooling device |
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- 1982-12-24 JP JP22604382A patent/JPS59117128A/ja active Pending
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