DE3786709T2

DE3786709T2 - Optische fluessigkristallvorrichtungen, welche hochfrequenz-anregungen ermoeglichen.

Info

Publication number: DE3786709T2
Application number: DE87401092T
Authority: DE
Inventors: Marguerite Boix; Georges Durand; Claude Germain; Philippe Martinot-Lagarde; Mohamed Universite Par Monkade
Original assignee: RECH SCIENT C N R S PARIS ETS; Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Current assignee: RECH SCIENT C N R S PARIS ETS; Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Priority date: 1986-05-14
Filing date: 1987-05-14
Publication date: 1993-11-04
Anticipated expiration: 2007-05-15
Also published as: US4775224A; DE3786709D1; EP0248698A1; ATE92196T1; FR2598827A1; EP0248698B1; JPS62295023A; FR2598827B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft optische Vorrichtungen, die Flüssigkristalle verwenden.
Die vorliegende Erfindung ist im Institut für Festkörperphysik der Universität von Paris-Süd gemacht worden, wobei das Institut der CNRS N. 04 0002 zugeordnet ist.
Zahlreiche Forschungsarbeiten sind seit wenigstens einem Jahrzehnt über Flüssigkristalle durchgeführt worden.
Diese Arbeiten haben Anlaß zu sehr zahlreichen Publikationen gegeben.
Es werden beispielsweise die Dokumente zitiert:
1) APPLIED PHYSICS, Bd. 11, Nr. 1, September 1976, Springer- Verlag, K. Fahrenshon u.a.: "Deformation of a Pretilted Nematic Liquid Crystal Layer in an Electric Field" (Deformation einer vorgekrümmten nematischen Flüssigkristall- Schicht in einem elektrischen Feld), Seiten 67 - 74 und 2) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Bd. 47, Nr. 9, September 1976, American Institute of Physics, S. Matsumoto u.a.: "Field- induced deformation of hybrid - aligned nematic liquid crystals: New-multicolor liquid crystal display" (Feldinduzierte Deformation von Hybriden - ausgerichtete nematische Flüssigkristalle: neue Vielfarb-Flüssigkristallanzeige), Seiten 3842 - 3845, die einen Effekt der elektrischen Doppelbrechung behandeln, der in den nematischen Flüssigkristallen durch Kopplung, in dem Volumen einer Zelle, die ein Flüssigkristallmaterial enthält, eines elektrischen Feldes, das der Zelle mit der elektrischen Anisotropie des Flüssigkristalls aufgegeben ist, gesteuert wird.
Im übrigen sind verschiedene Ergebnisse von Forschungsarbeiten, die am Institut für Festkörperphysik der Universität von Paris-Süd durchgeführt worden sind, in der französischen Patentanmeldung beschrieben, die am 28. April 1982 unter der Nr. 82 07309 hinterlegt und unter der Nr. 2 526 177 veröffentlicht ist, der französischen Patentanmeldung, die am 23. Oktober 1984 unter der Nr. 84 16192 hinterlegt worden ist oder auch in der französischen Patentanmeldung, die am 18. Juni 1985 unter der Nr. 85 09224 hinterlegt worden ist.
Eine der großen Unzulänglichkeiten der Mehrzahl der elektrooptischen Vorrichtungen, die bis jetzt vorgeschlagen sind, ergibt sich aus der Tatsache, daß ihre Ansprechzeit auf eine elektrische Anregung weit über die Millisekunde hinausgeht.
Sicherlich hat man jüngst ein System vorgeschlagen, das die schnelle Umschaltung im Mikrosekundenbereich in Flüssigkristallen bei polarisiertem Licht erlaubt. Es handelt sich um eine Vorrichtung, die die Volumen-Ferroelektrizität eines smektischen chiralen Materials und eine Verankerung mit schwacher Oberfläche verwendet. Diese Vorrichtung ist in dem Dokument Ferroelectrics 59, 25 (1984) von N. CLARK und S. LAGERWALL beschrieben.
Gleichwohl zeigt diese Vorrichtung, obwohl sie eine relativ kurze Ansprechzeit zuläßt, verschiedene Unzulänglichkeiten, unter denen man nennen wird: die Schwierigkeiten, durch Multiplexen zu arbeiten, der polare Charakter der Verankerung, die Notwendigkeit, die Verankerungskraft mit Präzision zu steuern, der Bedarf an Zellen, wenn man ein elektrisches Wechselfeld zum Halten verwendet.
Unter Berücksichtigung der Grenzen der bisher vorgeschlagenen Vorrichtungen haben sich die Erfinder zum Ziel gesetzt, neue Einrichtungen vorzuschlagen, die es erlauben, hochfrequente elektrische Anregungen, die mehrere MHz annehmen können, bei elektrooptischen Vorrichtungen mit Flüssigkristallen anzuwenden.
Nach zahlreichen theoretischen Studien und experimentellen Bestätigungen schlagen die Erfinder zum Lösen des so gestellten Problemes ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristall-Zelle vor, mit Schritten, die darin bestehen, einen nematischen Flüssigkristall zwischen zwei transparenten parallelen Platten anzuordnen, die auf ihren Innenflächen gegenüber einem leitenden Überzug, der die Elektrode bildet, verkleidet sind, und zwischen die Platten einen Keil zu legen, dadurch gekennzeichnet, daß es den zusätzlichen Schritt aufweist, der darin besteht, die Impedanz, auf gesteuerte Weise, in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, die die Elektrode bilden, in auf ihm gewählten Bereichen zu modifizieren.
Wie es im folgenden erklärt werden wird, erlauben es die so erhaltenen elektrooptischen Vorrichtungen, zwischen den Platten ein elektrisches Feld zu erzeugen, das in der Höhe der Bereiche des Überzuges mit gesteuerter Änderung der Impedanz divergent und schrägliegend ist, und es von dort her erlauben, eine Krümmung und eine Neigung des nematischen Leiters des Flüssigkristalls, der zwischen die Platten gelegt ist, zu erhalten, in der Lage dazu, einen Doppelbrechungseffekt zu erzeugen.
Bevorzugt umfaßt das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung den Schritt, der darin besteht, zwischen den beiden Elektroden, die jeweils auf den Platten vorgesehen sind, eine elektrische Wechselspannung für die Anregung anzulegen, deren Frequenz abwechselnd größer und kleiner als eine kritische Frequenz der Instabilität ist, die durch die folgende Eigenschaft definiert ist: wenn man einen ersten Punkt in einem Bereich der gesteuerten Änderung der Impedanz eines Überzuges betrachtet, einen zweiten Punkt auf demselben Überzug außerhalb des Bereiches und einem dritten Punkt, der auf dem anderen Überzug gelegen ist und auf einer Normalen zu den Überzügen, die durch den ersten Punkt laufen, angeordnet ist, ist die dielektrische Impedanz, im wesentlichen kapazitiver Art, zwischen dem zweiten und dem dritten Punkt gleich der Summe der dielektrischen Impedanz zwischen dem dritten und dem ersten Punkt und der Impedanz des Überzuges zwischen dem zweiten und dem ersten Punkt.
Andere Eigenschaften, Vorteile und Ziele der vorliegenden Erfindung werden beim Lesen der detaillierten Beschreibung deutlich, die nun folgt, und im Hinblick auf die beigefügten Zeichnungen, die beispielhaft und nicht beschränkend gegeben sind, und in denen:
- die Figuren 1, 2 und 3 drei Fotografien in Vergrößerung einer Zelle entsprechend eines ersten Beispieles, bei dem die Erfindung angewendet wird, darstellt, entsprechend einer Anregungsfrequenz höher als der kritischen Frequenz und unterschiedlichen elektrischen Anregungsamplituden,
- die Figuren 4 bis 15 Fotografien in Vergrößerung einer weiteren Zelle gemäß einem zweiten Beispiel darstellen, bei dem die vorliegende Erfindung angewendet wird, entsprechend unterschiedlicher elektrischer Anregungsfrequenzen und einer gleichen Anregungsamplitude,
- die Figur 16 schematisch und in perspektivischer Darstellung eine elektrooptische Zelle gemäß der vorliegenden Erfindung erläutert,
- die Figur 17 schematisch den durch die Erfindung verwendeten Prozeß bei dieser Zelle darstellt, um einen Doppelbrechungseffekt zu erhalten,
- die Figur 18 verschiedene Kurven darstellt, die den Wert der Anregungsspannung als Funktion der Anregungsfrequenz zeigt, entsprechend dem Schwellenwert der Beleuchtungsstärke für unterschiedliche Varianten der Herstellung der Zelle entsprechend dem ersten genannten Beispiel, wobei mehrere Fotografien in den Figuren 1, 2 und 3 dargestellt sind,
- die Figur 19 schematisch einen Elektrodenüberzug darstellt, der nach dem Anwenden des Präparationsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung erhalten wurde,
- die Figur 20 ein Beispiel einer elektrooptischen Zelle entsprechend der vorliegenden Erfindung darstellt,
- die Figur 21 schematisch einen Anregungsmodus einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
Es wird zuerst das Präparationsverfahren einer elektrooptischen Vorrichtung mit Flüssigkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung erläutert.
Wie zuvor ausgeführt besteht der erste Schritt dieses Verfahrens darin, zwei transparente parallele Platten zu präparieren, die jede, auf einer ihrer Flächen, mit einem leitenden Überzug, der die Elektrode bildet, überzogen sind, wobei gesteuerte Änderungen der Impedanz auf der Oberfläche einer wenigstens der Elektrodenüberzüge auf auf ihnen gewählten Bereichen definiert werden.
Nachfolgend werden sie so präparierten Platten nah beieinander in eine im wesentlichen parallele Anordnung gebracht, nachdem man einen Keil zwischen die Platten gelegt hat, und der Raum, der durch die beiden Platten und den Keil begrenzt ist, wird mit einem Material gefüllt, der Moleküle aufweist, die mit nematischen Eigenschaften ausgestattet sind.
Bevorzugt werden die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen wenigstens der Elektrodenüberzüge durch Änderung der intrinsischen Impedanz des leitenden Überzuges gebildet, der die Elektrode bildet. Unterschiedliche Herstellungsvarianten können verwendet werden, um diese Änderung der intrinsischen Impedanz zu realisieren.
Nach einer ersten Herstellungsvariante verwendet man eine chemische Reaktion. Der Schritt, der darin besteht, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Elektrodenüberzüge zu definieren, wird somit realisiert: 1) indem man eine regelmäßige Schicht des homogenen leitenden Überzuges auf einer der Platten ablagert, dann 2) indem man die Impedanz in der Fläche des Überzuges auf darauf gewählten Bereichen durch chemische Reaktion modifiziert.
Noch genauer besteht nach einer Ausführungsform, die zur Zeit als für diese erste Variante bevorzugt angesehen wird, der Schritt darin, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen wenigstens der Elektrodenüberzüge zu definieren, darin: 1) indem man eine regelmäßige Schicht eines elektrisch leitenden Überzuges aus Oxyden von Zinn und Indium (I.T.O) auf einer der Platten ablagert, dann 2) indem, durch chemische Reaktion in den gewählten Bereichen des Überzuges eine wenigstens teilweise Reduktion der Oxyde von Zinn und Indium sichergestellt wird. Man weiß tatsächlich, daß die Oxyde von Zinn und Indium, grundsätzlich Halbleiter, nach chemischer Reduktion weniger leitend und selbstisolierend werden können.
Um die Änderung der intrinsischen Impedanz des leitenden Überzuges, der die Elektrone bildet, sicherzustellen, kann man noch eine mechanische Gravierung, vollständig oder teilweise über die Dicke, verwenden. In diesem Fall wird der Schritt, der darin besteht, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen wenigstens der Elektrodenüberzüge zu definieren, realisiert: 1) indem man einen regelmäßige Schicht des homogenen leitenden Überzuges auf der einen der Platten ablagert, dann 2) indem man eine mechanische Gravur des Überzuges in den auf ihn gewählten Bereichen sicherstellt.
Gegebenenfalls können die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen wenigstens der Elektrodenüberzüge noch realisiert werden, indem man in den gewählten Bereichen des elektrisch leitenden Überzuges eine Deckschicht aus einem Material ablagert, das eine elektrische Leitfähigkeit zeigt, die von der des Überzuges unterschiedlich ist. Die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen wenigstens der genannten Elektrodenüberzüge können entweder einer progressiven Änderung der Impedanz von der Peripherie der gewählten Bereiche in Richtung auf deren Zentrum oder einer plötzlichen Änderung der Impedanz während des Überschreitens der Grenzen der gewählten Bereiche entsprechen. Die Breite dieser Bereiche wird bevorzugt von der Größenordnung der Dicke der Zelle sein.
Der Fachmann wird leicht verstehen, daß in dem Fall, in dem man es wünscht, eine progressive Änderung der Impedanz von der Peripherie der gewählten Bereiche in Richtung auf deren Zentrum zu erhalten, man bevorzugt eine Modifikation der Impedanz in der Fläche des Überzuges durch chemische Reaktion verwenden wird. Im Gegensatz dazu, wenn man wünscht, eine plötzliche Änderung der Impedanz beim Übergang von der Begrenzung der gewählten Bereiche zu erhalten, wird man bevorzugt eine mechanische Gravierung des Überzuges oder auch eine Überdeckung oder Ersetzung desselben in den gewählten Bereichen verwenden.
In der Figur 16 ist schematisch eine so erhaltene elektrooptische Zelle mit Flüssigkristallen dargestellt.
Man bemerkt in dieser Figur 16 eine Zelle 10, die zwei transparente und parallele Platten 11, 12, bevorzugt aus Glas, aufweist. Ein Keil 13 ist zwischen die Platten 11, 12 gelegt und definiert im Zusammenwirken mit diesen eine dicht abgeschlossene innere Kammer, die ein Material 17 enthält, das Moleküle aufweist, die mit nematischen Eigenschaften ausgestattet sind. Die Platten 11, 12 sind auf ihren Innenflächen gegenüberliegend mit Überzügen 14 bzw. 15 versehen, die elektrisch leitend und transparent sind und die Elektroden bilden.
Diese Elektroden 14, 15 erlauben es, wenn sie mit den Anschlüssen einer elektrischen Versorgung verbunden sind, die schematisch unter der Bezugsziffer 30 dargestellt ist, auf das Material 17 ein elektrisches Feld mit gesteuertem Wert und einer Ausrichtung, die im allgemeinen normal zu den Platten 11, 12 ist, anzulegen.
Es ist im übrigen in der Figur 16 schematisch ein Bereich 16 dargestellt, in dem man eine gesteuerte Änderung der Impedanz in der Fläche des Überzuges 15, beispielsweise eine Gravur, realisiert hat.
Die Elektrode 15 besitzt auf der Peripherie des Bereiches 16 eine Leitfähigkeit, die im wesentlichen homogen ist, und somit eine Ladungsdichte, die im wesentlichen homogen ist. Folglich erzeugt die Anwendung einer elektrischen Anregungsspannung zwischen den Elektroden 14 und 15 auf der Peripherie des Bereiches 16 ein elektrisches Feld einer Ausrichtung, die im wesentlichen homogen normal zu den Elektroden 14, 15 ist.
In der Figur 16 ist das elektrische Feld mit der Ausrichtung normal zu den Elektroden schematisch durch die Pfeile, mit E&sub1; bezeichnet, dargestellt.
Im Gegensatz dazu, wenn die Versorgungseinrichtungen 30 eine Wechselspannung für die Anregung liefern, deren Frequenz größer als eine kritische Frequenz der Instabilität ist, die nachfolgend erläutert wird, oberhalb des Bereiches 16, der einem Bereich gesteuerter Änderung der Impedanz entspricht, erhält man ein elektrisches Feld, das divergiert und in Entfernung von der Grenze des Bereiches 16 schräg liegt, wie schematisch in der Figur 16 durch die Pfeile, die mit E&sub2; bezeichnet sind, dargestellt ist. Von daher, in dem man ein Material 17 verwendet, das Moleküle aufweist, welche mit nematischen Eigenschaften versehen sind, die eine starke dielektrische Anisotropie besitzen, erhält man in der Zelle 10 eine Neigung des nematischen Leiters oberhalb des genannten Bereiches 16. Tatsächlich folgen die Moleküle, die mit nematischen Eigenschaften versehen sind und eine starke dielektrische Anisotropie besitzen, der Ausrichtung des schrägliegenden Feldes E&sub2;.
Daher kann man entweder nematische Flüssigkristalle mit positiver dielektrischer Anisotropie, so wie die Cyano- Diphenylverbindungen, oder nematische Kristalle mit negativer dielektrischer Anisotropie verwenden.
In dem Fall einer positiven dielektrischen Anisotropie, wobei die dielektrische Konstante in Richtung der Molekülachse größer ist als die dielektrische Konstante senkrecht zu dieser Achse, richten sich die Moleküle parallel zum elektrischen Feld aus.
Im Gegensatz dazu, in dem Fall einer negativen dielektrischen Anisotropie, wobei die dielektrische Konstante in Richtung der Molekülachse kleiner ist als die dielektrische Konstante senkrecht zu dieser Achse, richten sich die Moleküle senkrecht zum elektrischen Feld aus.
Die schrägliegende Anordnung der Moleküle der Flüssigkristalle erzeugt somit einen Doppelbrechungseffekt, der sichtbar ist, wenn die Zelle in polarisiertem Licht zwischen beispielsweise zwei gekreuzten Polarisatoren betrachtet wird.
Es werden jetzt zwei Beispiele beschrieben, die jeweils experimentell realisiert sind, das eine bei einer elektrooptischen Vorrichtung mit Flüssigkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung, bei der einer der Überzüge, die die Elektrode bilden, einer Gravur in den gewählten Bereichen unterworfen wurde, um die plötzlichen Änderungen der Impedanz zu definieren, das andere bei einer elektrooptischen Vorrichtung mit Flüssigkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung, bei der einer der Überzüge einer chemischen Behandlung unterworfen wurde, die einen Gradienten der Impedanz in der Fläche in den gewählten Bereichen bestimmt.

BEISPIEL 1

Eine erste Anzahl von Experimenten ist bei einer Anzahl von Zellen realisiert worden, die eine erste Platte 12, überdeckt mit einer Ablagerung aus Gold 15, das im Vakuum unter schrägem Einfall (60 º) verdampft worden ist und elektrisch leitend ist, einer Dicke der Größenordnung von 70 nm, mit Löchern 16 eines mittleren Durchmessers der Größenordnung von 80 um, die in der Goldablagerung mit Hilfe einer Nadel hergestellt worden sind, und eine zweite Platte 11 mit einem Überzug 14 aus Oxyden von Indium und Zinn und mit homöotropem Silan behandelt aufweisen. Diese Zellen wurden mit einem Flüssigkristall vom Typ 5CB gefüllt. Sie werden unter gekreuzten Polarisatoren betrachtet.
Genauer gesagt sind die Experimente mit mehreren Zellen eines ersten Types durchgeführt worden, der einer schwachen Verankerung des Flüssigkristalles entspricht und mit Keilen 13 realisiert, die jeweils eine Dicke von 6 um, 20 um und 65 um besitzen.
Die schwache Verankerung des Flüssigkristalls wird durch die Tatsache offensichtlich, daß die Löcher 16, die in der Goldablagerung 15 hergestellt worden sind, nicht sofort homöotrop werden, sondern erst nach wenigstens 24 Stunden nach der Füllung der Zelle.
Andere Experimente sind mit einer Zelle entsprechend einer starken Verankerung realisiert worden. Die starke Verankerung wird durch die Tatsache offensichtlich, daß die Löcher 16, die in der Goldablagerung angebracht worden sind, unmittelbar nach dem Füllen der Zelle homöotrop werden.
Die mit den Zellen des Types starker Verankerung durchgeführten Experimente sind ausschließlich mit einem Keil 13 gemacht worden, der eine Dicke von 6 um zeigte.
Man hat zuerst die zwischen den Elektroden der Zelle angelegte Spannung gemessen, um den Schwellenwert der Beleuchtungsstärke der Grenzen der Löcher 16 als Funktion unterschiedlicher Anregungsfrequenzen zu erhalten, die im Ganzen genommen von 10 Hz bis 1 MHz laufen. Die Ergebnisse dieser Messungen sind in durchgezogenen Linien in der Figur 18 dargestellt.
Man stellt bei der Untersuchung dieser Figur fest, daß um die Grenzen der Löcher 16 zu beleuchten, die Anregungsspannung konstant für eine gleiche Probe ist, wie auch immer die Frequenz ist, bis 700 kHz oder 1 MHz. Die Spannung ändert sich wenig als Funktion der Dicke, aber sie muß erhöht werden (ungefähr zweimal mehr), wenn die Verankerung stark ist.
Die Experimente sind fortgeführt worden, um einen Kastaniensaum erscheinen zu lassen, das heißt, das Kontrastmaximum zu verwenden. Die Ergebnisse dieser Messungen sind schematisch in strichpunktierten Linien in der Figur 18 dargestellt. Man stellt fest, daß, um den Kastaniensaum erscheinen zu lassen, man progressiv die Spannung in der selben Zeit wie die Frequenz erhöhen muß, bei gleicher Dicke.
Die Figur 1 zeigt eine Fotografie dieser elektrooptischen Zelle mit Flüssigkristallen ohne Anregungsspannung.
Die Figur 2 zeigt eine Fotografie der selben Zelle bei einer Anregungsspannung entsprechend der Schwelle der Beleuchtungsstärke der Grenzen der verschiedenen Löcher 16.
Schließlich zeigt die Figur 3 eine Fotografie derselben Zelle nach dem Erscheinen des Kastaniensaumes.

BEISPIEL 2

Für diese zweite Anzahl von Experimenten hat man Glasplatten 11, 12 verwendet, die mit einer leitenden Schicht aus Oxyden von Zinn und Indium (ITO) einer Dicke der Größenordnung von 25 nm bedeckt waren.
Die Zelle für das Experiment ist wie folgt hergestellt worden.
Nach Entfetten mit Aceton und Waschen mit destilliertem Wasser wurde eine der getrockneten Platten 12 auf die folgende Weise modifiziert.
Ein Tröpfchen wässriger Lösung von 30 prozentigem Kali ist auf der Platte abgelagert worden. Dann wurde eine Aluminiumschicht von 0,01 mm Dicke und ungefähr 2 mm Breite in Kontakt mit der leitenden Schicht der Oxyde von Zinn und Indium gelegt. Nach ungefähr 2 mm Reaktion wurde die Platte unter destilliertem Wasser gewaschen. Eine Reduktion der Oxyde von Zinn und Indium durch das elektropositivere Aluminium ist somit realisiert worden. Der elektrische Widerstand der Schicht aus Oxyden von Zinn und Indium, die die Platte bedecken, ist in Höhe einer Anzahl von Punktepaaren gemessen worden.
Das Ergebnis dieser Messungen ist schematisch in der Figur 19 dargestellt.
In dieser Figur hat man schematisch mit 20 den Kontaktbereich der Aluminiumschicht auf der leitenden Schicht von Oxyden von Zinn und Indium bezeichnet. Die Meßpunktepaare des elektrischen Widerstandes sind schematisch und jeweils mit A&sub1;, A&sub2;; B&sub1;, B&sub2;; C&sub1;, C&sub2;; D&sub1;, D&sub2;; F&sub1;, F&sub2; bezeichnet. Die zwischen diesen Punktepaaren gemessenen Widerstandswerte sind in der Figur 19 angegeben. Man stellt fest, daß der elektrische Widerstand progressiv wächst, bis er nahezu unendlich in Höhe des Kontaktbereichs wird, der zuvor zwischen der leitenden Schicht aus Oxyden von Zinn und Indium und der Aluminiumschicht eingerichtet worden ist. Mit anderen Worten erhält man so einen Gradienten des elektrischen Widerstandes auf der Schicht der Oxyde von Zinn und Indium.
Nach Trocknen und Befestigen eines Verbindungsdrahtes 22 für die elektrische Anregung mit Hilfe von Silberlack 21 wird die elektrooptische Zelle wie folgt hergestellt. Die Platte 12, die den vorgenannten Gradienten des elektrischen Widerstandes zeigt, der durch Reduktion der Schicht der Oxyde von Zinn und Indium erhalten worden ist und die intakte leitende Platte 11 sind durch einen Keil von 6 um aus Polyesterfolie getrennt. Ein Flüssigkristall vom Typ 5CB wird durch Kapillarwirkung in das dichte Volumen, das durch die Platten 11, 12 und den Keil 13 definiert ist, eingeführt. Nach Anlegen einer Spannung der Größenordnung einiger Volt wird die Probe homöotrop. Man beobachtet sie zwischen gekreuzten Polarisatoren.
Nach Anlegen einer Anregungsspannung einer variablen Frequenz, die von 1 Hz bis 7 MHz läuft, beobachtet man das Erscheinen einer Lichtaureole, die genauer gesagt aus zwei engen Banden gebildet ist, die um 0,15 bis 0,20 mm je nach Anregungsfrequenz getrennt sind und sich durch zwei halbkreisförmige Banden wieder verbinden, das heißt, eine Aureole einer Form, die im wesentlichen homolog der Kontur der Aluminiumschicht ist, die für die Reduktion der leitenden Schicht des Oxydes von Zinn und Indium verwendet worden ist.
Zwei Meßtypen, die bei dieser Zelle realisiert worden sind, sind in der nachfolgenden Tabelle verdeutlicht. Die erste Spalte links in dieser Tabelle gibt genau die Anregungsfrequenzen entsprechend der unterschiedlichen Aufpunkte der Messung an.
Die zweite Spalte gibt in Volt den Wert der Anregungsspannung entsprechend dem Schwellwert der Instabilität an, das heißt, dem Auftreten der Lichtaureole.
Die dritte Spalte gibt in beliebigen Einheiten den Abstand der gradlinigen Banden der Instabilität als Funktion der Anregungsfrequenzen an.
Schließlich gibt die vierte Spalte auf der rechten Seite der Tabelle 1 die Numerierung der Fotografien an, die jeweils in den Figuren 4 bis 15 dargestellt sind. TABELLE 1 Frequenz Schwellspannung (Volt) Entfernung (beliebige Einheiten) Photo Nr.
Man stellt bei der Untersuchung der obigen Tabelle und der Figuren 4 bis 15 fest, daß die Entfernung zwischen den gradlinigen Banden der Instabilität sich als Funktion der Anregungsfrequenz erhöht. Dieses Ergebnis wird im folgenden erklärt werden.
Um das Phänomen zu erklären, daß bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, bezieht man sich jetzt auf die Figur 17.
Man hat in dieser Figur 17 eine Zelle 10 dargestellt, die ähnlich derjenigen ist, die in der Figur 16 dargestellt worden ist, mit zwei transparenten Platten 11, 12, die parallel und mit Elektroden 14, 15 überzogen sind. Die Platte 11, 12 sind durch einen Keil 13 getrennt. Die Zelle enthält einen Flüssigkristall 17. Die eine der Elektroden 15 besitzt einen Bereich 16 der Änderung des Widerstandes. Um die nun folgenden Erläuterungen zu vereinfachen, nimmt man an, daß es sich um eine progressive Erhöhung des Widerstandes von der Peripherie des Bereiches 16 in Richtung auf dessen Zentrum hin handelt.
Man betrachtet jetzt zwei Punkte, G und H auf der Elektrode 15; ein erster Punkt G ist im wesentlichen in der Mitte des Bereiches 16 der kontrollierten Änderung des Widerstandes des Überzuges gelegen; der zweite Punkt H ist auf dem selben Überzug gelegen, außerhalb des Bereiches 16, beispielsweise auf dessen Außenkontur. Schließlich betrachtet man einen Rückpunkt J, der auf dem anderen Überzug 14 angeordnet ist und auf einer Normalen zu den Überzügen 14, 15, die durch den ersten Punkt G läuft, gelegen ist.
Die Impedanz zwischen dem ersten und dem zweiten Punkt G, H, im wesentlichen resitiver Art, ist schematisch durch einen mit R bezeichneten Widerstand in der Figur 17 dargestellt.
Die Impedanz, im wesentlichen kapazitiver Art, zwischen dem ersten und dem dritten Punkt G, J, ist schematisch durch eine C&sub0; bezeichnete Kapazität in der Figur 17 dargestellt.
Schließlich ist die Impedanz, im wesentlichen kapazitiver Art, zwischen dein zweiten und dem dritten Punkt H, J, schematisch durch eine mit Ci bezeichnete Kapazität in der Figur 17 dargestellt.
Man weiß, daß die Kapazitäten C&sub0; und Ci zwischen dem dritten Punkt J und jeweils zwischen dem ersten Punkt G und dem zweiten Punkt H umgekehrt proportional zu der Entfernung sind, die diese Punktepaare trennt. Folglich ist die dielektrische Impedanz (1/Ci) zwischen dem dritten Punkt J und dem zweiten Punkt H immer größer als die dielektrische Impedanz (1/C&sub0;) zwischen dem dritten Punkt J und dem ersten Punkt G. Im übrigen nehmen diese Impedanzen ab, wenn sich die Anregungsfrequenz erhöht.
Für eine relative schwache Anregungsfrequenz wird die Summe der dielektrischen Impedanzen zwischen dem dritten und dem ersten Punkt, G und J, und der Impedanz des Überzuges (R) zwischen dem zweiten und dem ersten Punkt H und G, geringer als die dielektrische Impedanz zwischen dem dritten und dem zweiten Punkt, J und H.
Die Ladungen sind somit auf im wesentlichen gleichförmige Art auf der Elektrode 15 getrennt, trotz der Anwesenheit des Bereiches 16, der eine Änderung der Impedanz besitzt.
Die Anregungsfrequenz, die die dielektrischen Impedanzen zwischen dem dritten und jeweils dem ersten und dem zweiten Punkt, G und H, erhöht, wird abnehmen.
Bei einer Frequenz, die kritische Frequenz der Instabilität in der vorliegenden Patentanmeldung genannt wird, wird die Summe der dielektrischen Impedanz zwischen dem dritten und dem ersten Punkt, J und G, und der Impedanz des Überzuges zwischen dem ersten und dem zweiten Punkt, G und H, gleich der dielektrischen Impedanz zwischen dem zweiten und dem dritten Punkt, J und H. Man erhält somit eine nicht gleichförmige Ladungsverteilung auf dem Überzug 15, wobei der Bereich 16 größerer Impedanz dieses Überzugs an Ladungen verarmt ist.
Aufgrund dieser Tatsache sind in der Nachbarschaft der Platte 12, die den Bereich 16 der Änderung der Impedanz besitzt, auf der Höhe der Punkte H, die auf die Gleichheit der vorgenannten Impedanz reagieren, die elektrischen Feldlinien in Richtung auf das Zentrum des Bereiches 16 geneigt. Genauer gesagt sind in der Dicke der Zelle die Linien des elektrischen Feldes gekrümmt, wobei sie sich vom Zentrum des Bereiches 16 in der Nähe der Platte 12 nähern, um an der Platte 11 im wesentlichen senkrecht dieser gegenüberliegend ankommen.
Wenn die Anregungsfrequenz weiter steigt, wird wegen der entsprechenden Verringerung der dielektrischen kapazitiven Impedanz zwischen dem dritten Punkt J und dem ersten und dem zweiten Punkt, G und H, das vorgenannten Phänomen der Instabilität für Impedanzwerte erhalten, die noch geringer zwischen den ersten und den zweiten Punkten G und H sind, das heißt für Orte des zweiten Punktes H, die noch weiter vom Zentrum des Bereiches 16 im Gradienten des elektrischen Widerstandes entfernt sind (d.h., Orte des zweiten Punktes H, die einer schwächeren Impedanzänderung entsprechen).
Mit anderen Worten definieren die intrinsische Kapazität C der Zelle und der gesteuerte Widerstand R in der Fläche der Elektrode eine Relaxationszeit RC, die es erlaubt, die kritische Frequenz der Instabilität durch ihr Pulsieren wc durch: wc RC = 1 zu definieren, wobei man berücksichtigt, daß R den Widerstand pro Quadrateinheit in Höhe der Bereiche der Änderung der Impedanz darstellt und daß C die Kapazität eines Zellelementes zwischen den Platte 11, 12 darstellt, die aus einem Würfel gebildet sind, wobei jede seiner Seiten gleich dem Abstand ist, der die zwei Platten 11, 12 trennt.
Wenn das Pulsieren w des Anregungsignales, das durch die Einrichtungen 30 erzeugt wird, größer ist als das kritische Pulsieren der Instabilität wc, ist das Feld in Höhe der Bereiche 16 der Änderung der Impedanz schräg geneigt. Wenn das Pulsieren w kleiner als das kritische Pulsieren der Instabilität wc ist, steht das Feld normal zu den Platten.
Dieses Phänomen wird deutlich in den Figuren 4 bis 15 aufgezeigt, die zeigen, daß die Entfernung zwischen den geradlinien Bereichen der Instabilität (entsprechend den Orten der zweiten Punkte H) mit der Anregungsfrequenz zunimmt, wenn die Bereiche 16 der Änderung der Impedanz einen Gradienten der Impedanz zeigen.
Folglich umfaßt das Verfahren der Verwendung der elektrooptischen Vorrichtung mit Flüssigkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung im wesentlichen den Schritt, der darin besteht, zwischen den zwei Elektroden 11, 12, die jeweils auf den Platten vorgesehen sind, eine elektrische Wechselspannung der Anregung anzulegen, deren Frequenz größer als eine kritische Frequenz der Instabilität ist, für die, wenn man einen ersten Punkt G in einem Bereich der gesteuerten Änderung der Impedanz eines Überzuges 12 betrachtet, einen zweiten Punkt H auf dem selben Überzug außerhalb des Bereiches und einen dritten Punkt J, der sich auf dem anderen Überzug befindet und auf einer Normalen zum Überzug gelegen ist, die durch den ersten Punkt läuft, die dielektrische Impedanz (1/Ci) im wesentlichen kapazitiver Art, zwischen dem zweiten und dem dritten Punkt, H und J, gleich der Summe der dielektrischen Impedanz (1/C&sub0;) zwischen dem dritten und dem ersten Punkt, J und G, und der Impedanz zwischen dem ersten und dem zweiten Punkt, G und H, ist.
Nach einer weiteren vorteilhaften Eigenschaft der Erfindung, um den Effekt der Doppelbrechung zu unterdrücken, der bei der Anwendung der elektrischen Anregungsspannung bei einer Frequenz höher als der der genannten kritischen Frequenz der Instabilität erhalten wird, umfaßt das Verfahren zur Anwendung vorteilhaft den Schritt, der darin besteht, zwischen die Elektroden eine elektrische Inhibierungsspannung einer Frequenz geringer als der kritischen Frequenz zu legen.
Tatsächlich werden während der Anwendung einer derartigen elektrischen Inhibierungsspannung einer Frequenz geringer als der kritischen Frequenz die Linien des elektrischen Feldes wieder perfekt senkrecht zu den Platten 11, 12, um eine homogene Ausrichtung der Moleküle des Flüssigkristalles aufgrund der Kopplung zwischen dem elektrischen Feld und der dielektrischen Anisotropie der Moleküle zu definieren.
Das Anlegen einer elektrischen Inhibierungsspannung einer Frequenz geringer als der kritischen Frequenz der Instabilität erlaubt es ebenso, eine Unterdrückung des Effektes der Doppelbrechung sehr schnell und auf jeden Fall schneller zu erhalten, als wenn die Anregungsspannung einfach unterbrochen wird, in welchem Fall die Unterdrückung des Effektes der Doppelbrechung von der Relaxationszeit abhängen würde, die von der Biegungselastizität der Moleküle abhängt.
Selbstverständlich ist in dem Fall, wenn die gewählten Bereiche der Elektroden eine unendliche Impedanz besitzen, die beispielsweise durch vollständige Gravur erhalten wird, die kritische Anregungsfrequenz Null. Es genügt daher, eine elektrische Gleichspannung zwischen die Elektroden zu legen, um ein schrägliegendes elektrisches Feld in bezug auf eine Normale zu den Elektroden zu erhalten. Bei dieser Hypothese unendlicher Impedanz auf Höhe der gewählten Bereiche, in dem Maße, in dem die kritische Frequenz Null ist, kann man keine elektrische Inhibierungsspannung geringerer Frequenz anlegen. Um den Effekt der Doppelbrechung zu unterdrücken, muß man daher die Wechselspannung der Anregung unterdrücken.
Um alphanumerische Zeichen mit Hilfe einer elektrooptischen Zelle mit Flüssigkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung deutlich zu zeigen, reicht es aus, auf einer der Elektroden 15 der Zelle eine Anzahl von Bereichen auszubilden, die eine Änderung der Impedanz in der Fläche zeigen, die die alphanumerischen Zeichen, die festzulegen, reproduziert, beispielsweise durch Herstellen der Gravur von Punktmatrizen oder Linien auf jedem der Bereiche 19 der Elektrode, wie schematisch in der Figur 20 dargestellt.
Wie es der Effekt der Neigung bei einer Breite gleich der Dicke der Zelle zeigt, wird diese Punkt- oder Linienmatrix eine seitliche Schrittweite aufweisen, die der besagten Dicke der Zelle vergleichbar ist. Man wird daher bemerken, daß die Darstellung der Figur 20 nicht maßstabsgerecht die Dicke der Zelle darstellt, die die Elektroden 14 und 15 trennen, die in der Praxis, wie oben angegeben, in der Größenordnung der Schrittweite der gravierten Punkte oder Linien in den Bereichen 19 ist.
Wenn eine Anregungsspannung einer Frequenz höher als der kritischen Frequenz der Instabilität und der Amplitude höher der Schwelle an die Anschlüsse der Zelle gelegt wird, zeigt diese deutlich, das alphanumerische Zeichen, das durch die angeregten Bereiche definiert ist, die eine gesteuerte Änderung der Impedanz zeigen.
Um das angezeigte Zeichen zu löschen, reicht es, an die vorgenannten Berreiche eine Anregungsspannung einer Frequenz geringer als der kritischen Frequenz der Instabilität zu legen oder die Anregungsspannung zu unterdrücken.
Um es zu ermöglichen, unterschiedliche alphanumerische Zeichen mit Hilfe der gleichen elektrooptischen Vorrichtung deutlich zu zeigen, empfiehlt es sich, die Elektrode 15 in mehrere getrennte Bereiche 19 zu teilen und selektiv die Anregungsspannung an diese Bereiche anzulegen.
Tatsächlich werden nur die Bereiche 16, die auf den Bereichen 19 der Elektrode angeordnet sind und eine Anregungsspannung einer Frequenz höher als der kritischen Frequenz der Instabililität und höhere Amplitude als dem Schwellenwert erhalten, beleuchtet erscheinen.
Die unterschiedlichen anzuregenden Zonen oder Bereiche der Elektrode 15 können unterschiedliche kritische Frequenzen zeigen, was ein selektives Darstellen durch Steuern der Anregungsfrequenz erlaubt.
Man hat in der Figur 21 schematisch ein Beispiel von Anregungssignalen dargestellt, die jeweils auf die Elektroden einer Zelle gemäß der vorliegenden Erfindung aufgegeben worden sind, vorzugsweise jeweils auf Reihen- und Spalten-Elektroden.
Die Figur 21 zeigt, daß die an einen Bereich 16 mit steuerbarer Änderung der Impedanz angelegte Anregungspannung durch Überlagerung zweier Signale mit niedriger Frequenz gebildet werden können, die jeweils auf die Elektroden aufgegeben werden, und deren Phasenfehler die hochfrequenten Bestandteile sichtbar macht.
Die in der Figur 21 dargestellten Signale sind nur zu Darstellungszwecken und nicht beschränkend angegeben.
Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Beispiele der Realisierung beschränkt, die gerade beschrieben worden sind, sondern erstreckt sich auf alle Varianten entsprechend ihrem Gedanken.
Man hat zuvor angegeben, daß die Wirkung der Doppelbrechung bei einer Anregungsfrequenz höher als der kritischen Frequenz der Instabilität offensichtlich und bei einer Anregungsfrequenz geringer als der kritischen Frequenz der Instabilität unterdrückt wird. Dieser Fall entspricht der Verwendung von gekreuzten Polarisatoren in Hinblick auf die Platten 11, 12. Eine inverse Vorrichtung kann erhalten werden, in dem man nicht gekreuzte Polarisatoren verwendet, oder Flüssigkristalle mit negativer dielektrischer Anisotropie.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer Zelle mit Flüssigkristallen, mit den Schritten, die darin bestehen, einen nematischen Flüssigkristall (17) zwischen zwei transparente parellele Platten (11, 12), die auf ihren Innenflächen gegenüberliegend mit einem leitenden Überzug überzogen sind, der eine Elektrode (14, 15) bildet, anzuordnen und einen Keil (13) zwischen die Platten zu legen, dadurch gekennzeichnet, daß es den zusätzlichen Schritt aufweist, der darin besteht, die Impedanz, auf gesteuerte Weise, in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, die die Elektrode bilden, in auf ihm gewählten Bereichen (16) zu modifizieren.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, die die Elektrode (15) bilden, durch Änderung der intrinsischen Impedanz des leitenden Überzuges, der eine Elektrode bildet, hergestellt werden.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt, der darin besteht, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, der die Elektrode bildet, realisiert wird:

- indem eine regelmäßige Schicht eines leitenden homogenen Überzuges (15) auf eine der Platten (12) abgelagert wird, dann

- indem die Impedanz in der Fläche des Überzuges in dessen gewählten Bereichen (16) durch chemische Reaktion modifiziert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt, der darin besteht, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche des einen der Überzüge, die die Elektrode bilden, zu definieren, realisiert wird:

- indem eine regelmäßige Schicht eines leitenden elektrischen Überzuges (15) aus Oxyden von Zinn und Indium auf einer der Platten (12) abgelagert wird, dann

- indem, durch chemische Reaktion in den gewählten Bereichen (16) des Überzuges eine zumindest teilweise Reduktion der Oxyde von Zinn und Indium sichergestellt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt, der darin besteht, die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, die die Elektrode bilden, zu definieren, hergestellt wird:

- indem eine regelmäßige Schicht eines homogenen leitenden Überzuges (15) auf einer der Platten (12) abgelagert wird, dann

- indem eine mechanische Gravur des Überzuges in den gewählten Bereichen (16) derselben sichergestellt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesteuerten Änderungen der Impedanz in der Fläche eines wenigsten der Überzüge, die die Elektrode bilden, hergestellt werden, indem man auf den gewählten Bereichen (16) des elektrisch leitenden Überzuges eine Deckschicht aus einem Material ablagert, das eine elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich von der des Überzuges zeigt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Änderung der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, der die Elektrode bildet, darin besteht, eine progressive Änderung der Impedanz von der Peripherie der gewählten Bereiche (16) in Richtung auf deren Zentrum zu definieren.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Änderns der Impedanz in der Fläche eines wenigstens der Überzüge, die die Elektrode bilden, darin besteht, eine plötzliche Änderung der Impedanz beim Übergang der Begrenzung der gewählten Bereiche (16) zu definieren.

9. Elektrooptische Vorrichtung mit Flüssigkristallen, erhalten durch das Anwenden des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8, mit zwei transparenten parellelen Platten (11, 12), die jede auf einer ihrer Flächen mit einem leitenden Überzug (15), der eine Elektrode bildet, versehen sind, wobei ein Keil (13) zwischen den Platten angeordnet ist und eine Schicht aus nematischem Flüssigkristall (17) zwischen den Platten angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der eine wenigstens der leitenden Überzüge in den gewählten Bereichen (16) gesteuerte Änderungen der Impedanz in der Fläche zeigt und daß die Vorrichtung weiterhin Einrichtungen (30) aufweist, die dazu ausgelegt sind, zwischen den Elektroden (14, 15), die jeweils auf den Platten (11, 12) vorgesehen sind, eine elektrische Anregungsspannung variabler Frequenz anzulegen.

10. Elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der nematische Flüssigkristall eine starke positive dielektrische Anisotropie besitzt.

11. Elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der nematische Flüssigkristall Körper aus der Familie der Cyano-Diphenyle aufweist.

12. Elektrooptische Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der nematische Flüssigkristall eine starke negative dielektrische Anisotropie zeigt.

13. Elektrooptische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche (16), die die gesteuerten Änderungen der Impedanz zeigen, auf isolierten Bereichen des Überzuges, der die Elektrode bildet, verteilt sind.

14. Verwendung der elektrooptischen Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß sie den Schritt umfaßt, der darin besteht, zwischen den Elektroden (14, 15), die jeweils auf den Platten (11, 12) vorgesehen sind, eine elektrische Anregungsspannung von variabler Frequenz anzulegen.

15. Verwendung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß sie den Schritt umfaßt, der darin besteht, zwischen den beiden Elektroden (14, 15), die jeweils auf den Platten (11, 12) vorgesehen sind, eine elektrische Wechselspannung der Anregung anzulegen, deren Frequenz wechselweise höher oder niedriger als eine kritische Frequenz der Instabilität ist, für die, wenn man einen ersten Punkt (G) in einem Bereich (16) gesteuerter Änderung der Impedanz eines Überzuges betrachtet, einen zweiten Punkt (H) auf dem selben Überzug außerhalb des Bereiches und einen dritten Punkt (J), der sich auf dem anderen Überzug befindet und auf einer Normale zu den Überzügen gelegen ist, die durch den ersten Punkt läuft, die dielektrische Impedanz, die im wesentlichen kapazitiver Art ist (1/Ci), zwischen dem zweiten (H) und dem dritten (J) Punkt, gleich der Summe der dielektrischen Impedanz (1/C&sub0;) zwischen dem dritten (J) und dem ersten (G) Punkt und der Impedanz (R) zwischen dem zweiten (H) und dem ersten (G) Punkt ist.

16. Verwendung nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Anregungsspannung, die an die Bereiche gesteuerter Änderung der Impedanz angelegt ist, durch Überlagerung zweier Niederfrequenzsignale gebildet wird, die jeweils auf die Elektroden aufgegeben werden, deren Phasenfehler die hochfrequenten Bestandteile erscheinen läßt.

17. Verwendung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß sie den Schritt umfaßt, der darin besteht, zwischen die beiden Elektroden eine elektrische Wechselspannung der Anregung zu legen, deren Frequenz abwechselnd höher und niedriger als eine kritische Frequenz der Instabilität ist, deren Pulsierung wc durch die Beziehung:

wcRC = 1 definiert ist, wobei R den quadratischen Widerstand auf der Höhe der Bereiche der kontrollierten Änderung der Impedanz bezeichnet und C die Käpazität eines Elements der Zelle bezeichnet, die aus nematischen Molekülen zusammengesetzt ist, in Form von Würfeln, deren Seiten gleich der Entfernung ist, die die beiden transparenten Platten trennt.