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DE3041839A1 - Verfahren zur bildung eines fuennfilmschemas - Google Patents

Verfahren zur bildung eines fuennfilmschemas

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DE3041839A1
DE3041839A1 DE19803041839 DE3041839A DE3041839A1 DE 3041839 A1 DE3041839 A1 DE 3041839A1 DE 19803041839 DE19803041839 DE 19803041839 DE 3041839 A DE3041839 A DE 3041839A DE 3041839 A1 DE3041839 A1 DE 3041839A1
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DE
Germany
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carrier plate
metal
layer
metal layer
photoresist
Prior art date
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Ceased
Application number
DE19803041839
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Kato
Kohhei Nara Kishi
Masataka Tenri Nara Matsuura
Tomio Nara Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Electronic Industry Development Association
Sharp Corp
Original Assignee
Japan Electronic Industry Development Association
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Industry Development Association, Sharp Corp filed Critical Japan Electronic Industry Development Association
Publication of DE3041839A1 publication Critical patent/DE3041839A1/de
Ceased legal-status Critical Current

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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
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    • H05K3/048—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/80—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors
    • H10D86/85—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors characterised by only passive components

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Description

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Verfahren zur Bildung eines Dünnfilmschemas
Die Erfindung betriff ""allgemein die Dünnfilmtechnik, insbesondere ein Verfahren zur Erzeugung eines Dünnfilmbildes oder -Schemas, das für die Herstellung von Dünnf ilmbaueienienten wie Transistoren, Kondensatoren, Widerständen,- integrierten Schaltkreisen, Solarzellen u.dgl. geeignet ist.
Zu den bekannten Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmbaue lementen der vorstehend genannten Art gehören ein Photoätzverfahren oder photolithographisches Verfahren und ein Abhebeverfahren. Diese Verfahren werden nachstehend im Zusammenhang mit Fig. 1 und Fig. 2 beschrieben, die die Stufen der jeweiligen Verfahren schematisch ve r an s ch au 1 i ch e η.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten bekannten Photoätzverfahren wird eine Trägerplatte 10 aus Glas oder Keramik mit einem Metallbelag 11 beschichtet, der auf einer planaren Oberfläche der Trägerplatte gebildet wird. Auf die gesamte Oberfläche der Metallschicht 11 wird dann eine Schicht 12 aus Photoresistmaterial aufgebracht. Wie in Fig. i(a) dargestellt, wird dann eine mit einem Bild oder Muster versehene Maske 13, in die ein bestimmtes oder gewünschtes Schaltbild eingezeichnet ist, über die Photoresistschicht 12 gelegt und belichtet. Ein Teil der Photoresistschicht 12, der unbelichtet geblieben ist und dessen Form der komplementäre Teil des Musters oder Schemas auf der gemusterten Maske 13 ist, wird anschliessend entwickelt, wobei Photoresistschichten 12a auf der Metallschicht 11 gebildet werden, wie in Fig. 1(b) dargestellt. Danach wird ein Teil der Metallschicht 11, der nicht von den Photcresistschichten 12a bedeckt ist, durch Eintauchen der Trägerplatte 10 in ein Ätzbad weggeätzt, wobei Metallschichten 11a gebildet werden, die
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sandwichartig zwischen der Trägerplatte 10 und den entsprechenden Photoresistschichten 12a eingeschlossen sind, wie in Fig. 1(c) dargestellt. Abschließend werden die Photoresistschichten 12a auf den Metallschichten 11a unter Verwendung eines Photoresist-Entfernungsmittels entfernt, wie in Fig. 1(d) dargestellt, wobei auf der Trägerplatte 10 die Metallschichten 11a in einer Form zurückbleiben, die im wesentlichen eine Nachbildung des vorbestimmten oder gewünschten Schaltschemas auf der gemusterten Maske 13 ist.
Das vorstehend beschriebene Photoätzverfahren weist einige Nachteile auf. Beispielsweise werden während des Ätzens der Metallschicht 11 zur Entfernung der unbedeckten Teile der Metallschicht 11, die nicht von den Photoresistschichten 12a, die zwischen der Trägerplatte 10 und den entsprechenden Photoresistschichten 12a eingeschlossen sind, bedeckt sind, diese unbedeckten Teile der Metallschicht 11 ebenfalls in einem solchen Maße weggeätzt, daß ümfangs- oder Flankenteile der erhaltenen Metallschichten 11a einwärts erodiert werden und die Unterschneidungen oder Unterätzungen aufweisen, wie in Fig. 1(e) dargestellt.
Ferner pflegen, wie in Fig. 1(f) dargestellt, nach der Entfernung der Photoresistschichten 12a unter Zurücklassung der Metallschichten 11a auf der Trägerplatte 10 die Metallschichten 11a eine Messerkante an jedem Rand, der der Trägerplatte gegenüberliegt, aufzuweisen. Dies hat zur Folge, daß, wenn und nachdem ein Dünnfilm 14 anschließend über die Metallschichten -11a gelegt wird, der Dünnfilm in Berührung mit den Seitenkanten der Metallschichten 11a in einer Weise, wie in Fig. 1(g) dargestellt, zum Bruch neigt.
Die bekannte Abhebemethode ist in Fig. 2 dargestellt. Hierbei wird auf eine planare Oberfläche einer Trägerplatte 20 aus Glas oder Keramik eine Schicht eines Photo-
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resistmaterial 22 aufgebracht» Eine gemusterte Maske 23, auf der ein vorbestimnrtes oder gewünschtes Schaltschema aufgezeichnet worden ist, wird, wie in Fig. 2(a) dargestellt, über die Photoresistschicht 22 gelegt und dann belichtet. Der unbelichtet gebliebene Teil der Photoresistschicht 22, der in der Form das Komplement des Musters auf der gemusterten Maske 2 3 ist, wird anschliessend entwickelt, wobei Photoresistschichten 22a auf der Trägerplatte 2O gebildet werden, wie in Fig. 2(b) dargestellt. Anschließend wird, wie in Fig. 2(c) dargestellt, ein Metall auf dar Trägerplatte 20 abgeschieden,, wobei eine Metallschicht 2'i , die auf den Phctoresistschichten 22a liegt, gebildet wird. Die Trägerplatte 20 mit den Photoresistschichten 22 a und der Metallschicht 21 wird anschließend in ein Bad getaucht, das ein Photoresist-Entfemungsmittel enthält, wobei die Photoresistschichten 22a zusammen mit den über den entsprechenden Photoresistschichten 22a liegenden Teilen des Metallbelages entfernt werden und Metallschichten 21a auf der Trägerplatte zurückbleiben, wie in Fig. 2(d) dargestellt.
Auch die bekannte Äbhebemethode weist einige Nachteile auf. Da der Metallbelag 21 durchgehend sowohl mit der Trägerplatte 20 als auch mit den Resistschichten 22a in Berührung ist, wie in Fig. 2(c) dargestellt, pflegt die Entfernung des Metallbelages 2 1 über der Trägerplatte 20 zur Folge zu haben, daß ein oder mehrere Randteile dieser Teile des I-iecallbelages 21, die über den entsprechenden Photoresistschichten 22a liegen, abgelöst werden, wie in Fig. 2(e) dargestellt, und/oder einen unerwünschten Grat bilden, wie bei 21b in Fig. 2(f) angedeutet. Diese Mangel haben häufig den Bruch des Dünnfilms, der auf die Trägerplatte 20 und die darüber liegenden Metallschichten 21 gelegt wird, in ähnlicher Weise zur Folge, wie sie in Fig. 1(g) dargestellt ist.
Die Erfindung stellt sich demgemäß die Aufgabe, die
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Nachteile des bekannten Verfahrens zur Bildung eines Dünnfilmschaltschemas unter Anwendung entweder der Photoätztechnik oder der Abhebetechnik auszuschalten, und hat das. wesentliche Ziel, ein verbessertes Verfahren zur Bildung einer Dünnfilmbaugruppe verfügbar zu machen, das es ermöglicht, ein Dünnfilmbauelement, das weniger zum Bruch eines darauf aufgebrachten Dünnfilms neigt, verfügbar zu machen, wobei dieses Verfahren wirtschaftlich unter Verwendung vorhandener handlicher Maschinen und Werkzeuge durchführbar ist.
Gemäß der Erfindung wird auf einer Trägerplatte ein erster Metallbelag gebildet, der seinerseits mit einer auf den ersten Metallbelag aufgebrachten Schicht aus einem Photoresistmaterial bedeckt wird. Eine gemusterte Maske, auf
1rj die ein vorbestimmtes oder gewünschtes Schaltschema aufgezeichnet ist, wird auf die Photoresistschicht gelegt und dann belichtet. Nach der Belichtung wird ein Teil der Photoresistschicht, der nicht belichtet worden ist, entwickelt, wobei eine Photoresistschicht, die auf dem ersten Metallbelag ruht, gebildet wird. Der erste Metallbelag wird dann weggeätzt, wobei eine erste Metallschicht zwischen der Trägerplatte und der Photoresistschicht zurückbleibt.
Das bisher beschriebene Verfahren ist mit dem Photoätzverfahren, das unter Bezugnahme auf Fig. 1(a) bis 1(c) vorstehend beschrieben wurde, im wesentlichen identisch. Gemäß der Erfindung wird jedoch auf der Trägerplatte ein zweites Metall abgeschieden, wobei eine zweite Metallschicht auf der Photoresistschicht und auf der Trägerplatte um die erste Metallschicht herum gebildet wird. Die Trägerplatte wird dann in ein Bad getaucht, das ein Lösungsmittel enthält, das die Photoresistschicht löst, wodurch die auf der Photoresistschicht ruhende zweite Muta11schicht entfernt wird. Anschließend wird die auf 3!j der Trägerplatte abgeschiedene erste Metallschicht von
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der Trägerplatte weggeätzt, indem diese in ein Ätzbad getaucht wird, wodurch nur die zweite Metallschicht auf der Trägerplatte zurückbleibt.
Während des Äufbringens des zweiten Metalls unter Bildung der aweiten Metallschichten einmal auf der Obersaite der Photoresistschicht, die über die erste Metallschicht auf der Trägerplatte ruht, und zum anderen direkt auf der Trägerplatte um die erste Metallschicht herum wird ein unterschnittener Bereich um die erste Metallschicht herum und unter der auf dieser ersten Metallschicht liegenden Photoresistschicht vorteilhaft ausgenutzt, um die nicht geschlossenen und nicht miteinander verbundenen zweiten Metallschichten zu bilden. Da im einzelnen die Photoresistschicht auf der ersten Metallschicht seitlich wesentlich über die erste Metallschicht hinausragt, dient der über die erste Metallschicht hinausragende Teil der Photoresistschicht als Schirm, der bewirkt, daß das zweite Metall auf den unterbrochenen zweiten Metallschichten abgeschieden und gleichzeitig die zweite Metallschicht unmittelbar auf der Trägerplatte gebildet wird, wo sie eine im wesentlichen hügelförmige Gestalt annimmt.
Ferner kann auf Grund der Diskontinuität oder Unterbrechung der auf der Photoresistschicht bzw. auf der Trägerplatte abgeschiedenen zweiten Metallschichten das Lösungsmittel während der anschließenden Entfernung der auf der Photoresistschicht abgeschiedenen zweiten Metallschicht leicht in die Photoresistschicht eindringen.
Da das Dünnfilmbild, das durch die auf der Trägerplatte abgeschiedene zweite Metallschicht gebildet v/orden ist, keine Messerkante aufweist, besteht keine Möglichkeit, daß der Dünnfilm beim Aufbringen auf die Trägerplatte über der auf der Trägerplatte ruhenden zweiten Metallschicht bricht, wie es beim bekannten Verfahren der Fall ist.
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Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben.
Fig. 1(a) bis 1(g) sind schematische Darstellungen/ die die Aufeinanderfolge der Arbeitsschritte des bekannten Photoätzverfahrens veranschaulichen.
Fig. 2(a) bis Fig. 2(f) sind schematische Darstellungen, die die Aufeinanderfolge der Arbeitsschritte des bekannten Abhebevcrfahrens veranschaulichen.
Fig. 3(a) bis Fig. 3(g) sind schematische Darstellungen, die die Aufeinanderfolge der Arbeitsschritte des Verfahrens zur Bildung eines DünnfiImschemas oder -bildes gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung veranschaulichen.
Fig. 4(a) bis Fig. 4(h) sind schematische Darstellungen, die die Aufeinanderfolge der Arbeitsschritte des Verfahrens zur Bildung eines Dünnfilmschemas oder -bildes gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung veranschaulichen.
Bevor die Erfindung beschrieben wird, sei bemerkt, daß 2" gleiche Teile mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform ist auf eine planare Oberfläche einer Trägerplatte 30 beispielsweise aus Glas eine erste Metallschicht 31 einer Dicke von beispielsweise 200 nm aufgebracht. Die erste Metall-
2Γ) schicht besteht aus Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) und ist auf der Trägerplatte 30 nach einem beliebigen bekannten Aufdampfverfahren abgeschieden worden. Nach der Abscheidung der ersten Metallschicht '31 wird eine Schicht 32 aus einem Photoresistmaterial, das ein Produkt der Han-
."j(i delsbezeichnung "Photo Resist AZ-1350" (Hersteller Shipley Company Inc., U.S.A.) sein kann, mit Hilfe einer mit 2200 UpM angetriebenen bekannten Schleuder über die erste Metallschicht 31 gelegt, wie in Fig. 3(a) dargestellt.
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Wie in Fig. 3(a) dargestellt, wird eine gemusterte Maske 33, auf der ein vorbestimmtes oder gewünschtes Schaltbild aufgezeichnet worden ist, über die Photoresistschicht 32 gelegt und dann belichtet. Die Trägerplatte 30 mit den darauf befindlichen Schichten 31 und 32 wird nach der Belichtung in ein Entwickiungsbad getaucht, das einen Entwickler für das Photoresistmaterial "Photo Resist AZ-1350" enthält, wodurch der vom Licht getroffene Teil der Photoresistschicht 32 entfernt wird, wobei unbelichtete Teile der gleichen Photoresistschicht 32 auf der ersten Metallschicht 31 zurückbleiben und die Photoresists ei lieh tun 32a gebildet werden, wie in Fig. 3(b) dargestellt.
Die in Fig. 3(b) dcirgestellte Trägerplattenanordnung wird anschließend in ein Ätzbad, getaucht, um den nicht von der Photoresistschicht 32a bedeckten Teil der ersten Metallschicht 31 zu entfernen, wodurch erste Metallschichten 31a zwischen der Trägerplatte 30 und den entsprechenden Photoresistschichten 32a gebildet werden, wie in Fig. 3(c) dargestellt. Das während dieses Ätzvorgangs zu verwendende Ätzbad kann eine wäßrige Salpetersäurelösung : enthalten, cie unter Verwendtuig von 60%iger konzentrierter Salpetersäure, die mit Wasser 4fach verdünnt worden ist, hergestellt v/orden ist. Das Ätzbad wird vorzugsweise auf 400C erwärmt. Wenn die in Fig. 3(b) dargestellte Trägerplattenanordnung in das Ätzbad getaucht wird, findet der Ätzprozeß gemäß der folgenden Formel statt:
Ni + 4HIiO3 ~* .U(WO3) 7 + 2NO2 + 2H2O (1)
Da das bisher beschriebene Verfahren mit dem üblichen Photoätzverfahren im wesentlichen identisch ist, v/erden Uiiterschneidungsberaiciie um die ersten Metallschichten 31a herum und unter den entsprechenden Photoresistschichten 32a gebildet, wie am besten in Fig. 3(c) dargestellt, wobei Umfangsteile der Photoresistschichten 32a seitlich nach außen über die entsprechenden ersten Metallschicht-
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ten 31a hinausragen.
Nach der Ätzung, die zur Entfernung des nicht von den Photoresistschichten 32a bedeckten Teils der ersten Metallschicht 31 durchgeführt worden ist, wird ein zweites Metall, entweder Aluminium (Al) oder Tantal (Ta), in einer Dicke von beispielsweise 150 nm auf der in Fig. 3(c) dargestellten Trägerplattenanordnung abgeschieden, wobei unterbrochene zweite Metallschighten 34a und 34b gebildet und sämtliche zweiten Metallschichten 34a unmittelbar auf die Trägerplatte 30 an einer Stelle zwischen zwei
benachbarten ersten Metallschichten 31a aufgebracht werden, während sämtliche zweiten Metallschichten 34b auf die Oberseite der entsprechenden Photoresistschichten 32a aufgebracht werden, wie am besten in Fig. 3(d) dargestellt. 1j Dies ist durch die Anwesenheit der Umfangsteile der Photoresistschichten 32a möglich, die seitlich nach außen über die entsprechenden ersten Metallschichten hinausragen. Im einzelnen ist zu bemerken, daß während der Abscheidung des zweiten Metalls nach einem Vakuum-Aufdampfverfahren die Dämpfe des zweiten Metalls die Teile der Trägerplatte 30 rings um die jeweiligen ersten Metallschichten 31a und unter den Umfangsteilen der Photoresistschichten 32a, d.h. die von den Unterschneidungsbereichen eingenommenen Teile der Trägerplatte 30, nicht erreichen, während sie auf der Oberseite jeder Photoresistschicht 32a und anderen Teilen der Trägerschicht 30, die auf die jeweiligen Räume zwischen den Photoresistschichten 32a ausgerichtet sind, niedergeschlagen werden. Demgemäß sind die hierbei gebildeten zweiten Metallschichten 34a und 34b unter-
JO brochen und getrennt voneinander, wie in Fig. 3(d) dargestellt, während jeder der auf die Trägerplatte niedergeschlagenen Metallschichten 34a so abgeschieden wird, daß sie, im Querschnitt dargestellt, eine Hügelform annimmt.
Es ist zu bemerken, daß zur genauen und präzisen Bildung des DünnfiImschemas das Vakuum-Aufdampfverfahren zur
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Bildung der zweiten Metalischichten 34a und 34b vorzugsweise so weitgehend durchgeführt werden sollte, daß jede der Metallschichten 34a und 34b eine geringere Dicke als die ersten Metallschichten 31a oder die erste Metallschicht 31 hat.
Anschließend wird die Trägerplatte mit dem in Fig. 3(d) dargestellten Aufbau in ein Bad getaucht, das ein Lösungsmittel enthält, das entweder Aceton oder der I'hotoresistencferner für das Photoresistmaterial "Photo Resist AZ--1350" sein kann, wobei die Photoresistschichten 32a zusammen mit den zweiten Metallschichten 34b entfernt werden, wodurch nur die ersten und zweiten Metallschichten 31a bzw. 34a auf der Trägerplatte 30 zurückbleiben, wie in Fig. 3(e) dargestellt. Es ist zu bemerken, daß das Lösungsmittel, das die Auflösung der Photoresistschichten 32 a bewirkt, leicht in die Photoresistschichten 32a eindringen und sie lösen kann, da, wie bereits erwähnt, die zweiten Metallschichten 34a und 34b, die auf die entsprechenden Photoresistschichten 32a bzw. auf die Trägerplatte 30 aufgebracht worden sind, voneinander getrennt sind. Durch Auflösen der Photoresistschichten 32a in dieser Weise können die zweiten Metallschichten 34b auf den entsprechenden Photoresistschichten 32a leicht entfernt werden.
Die in Fig. 3(e) dargestellte Trägerplatte 30 mit den darauf befindlichen ersten und zweiten Metallschichten 31a und 34a wird anschließend in das gleiche Ätzbad getaucht, das zur Bildung der ersten Metallschichten 31a auf die in Fig. 3(c) dargestellte Weise diente, wodurch die ersten Metalischichten 31a entfernt werden und nur die zweiten Metallschichten 34a auf der Trägerplattte 30 zurückbleiben, wie in Fig. 3(f) dargestellt. Während dieses Arbeitsschritta werden die zweiten Metallschichten 34a In Berührung mit dem Ätzmittel nicht aufgoiri:;!;, da der für die zweiten Metallschichten 34a verwendete
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Werkstoff indifferent gegenüber dem verwendeten Ätzmittel ist.
Da die seitlichen Flanken jeder zweiten Metallschicht 34a zur Trägerplatte 30 so geneigt sind, daß diese Schichten den bereits beschriebenen, im wesentlichen hügelförmigen Querschnitt aufweisen, besteht keine Möglichkeit, daß eine Dünnschicht 35, die anschließend auf die Trägerplatte 30 aufgebracht und über den zweiten Metallschichten 34a liegen würde, wie in Fig. 3(g) dargestellt, in ■ 10 Berührung mit einer Kante an der Seitenfläche der jeweiligen zweiten Metallschicht 34a reißt oder bricht.
Es ist zu bemerken, daß die vorstehend genannte Formel (1) gilt, wenn Nickel als Werkstoff für die erste Metallschicht 31 oder die ersten Metallschichten 31a verwendet ~ wird. Bei Verwendung von Kupfer als Werkstoff für die erste Metallschicht 31 bzw. die ersten Metallschichten 31a findet der Ätzprozeß wie folgt statt:
Cu + 4HNO3 -> Cu(NO3)2 + 2NO2 + 2H2O (2)
In jedem Fall muß das verwendete Ätzmittel zu einem Typ gehören,der selektiv mit Nickel oder Kupfer, aber nicht mit Aluminium und Tantal zu reagieren vermag.
Bei der praktischen Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung kann auf wenigstens einen Teil der planaren Oberfläche der Trägerplatte 30 eine transparente Elektro-2'j denschicht auy Indiumoxid aufgebracht werden, bevor sie dem Verfahren gemäß der Erfindung unterworfen wird. Dies wird nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben.
Auf die planare Oberfläche der in Fig. 4 dargestellten Trägerplatte 30 ist eine Schicht 36 aus Indium nach einem beliebigen bekannten Verfahren, beispielsweise durch Aufdampfen, Kathodenzerstäubung (Sputtern) oder nach dem tonenplattierungsverfahren, aufgebracht worden, wie in Fig. 4(a) dargestellt. Anschließend wird, wie in Fig. 4(b)
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dargestellt, eine Schicht 37 aus Photoresistmaterial' über den Indiumbelag 36 gelegt und dann durch eine Maske 38 belichtet, wie in Fig. 4(c) dargestellt. Der vom Licht getroffene Teil der Photoresistschicht 37 wird aufgelöst, wobei der unbelichtete Teil der Schicht zurückbleibt .und eine Photoresistschicht 37a gebildet wird, wie in Fig. 4(d) dargestellt. Die Trägerplatte 30 wird anschließend in ein Ätzbiid getaucht, um den nicht von dei l'Iiol.oresists chi cht 37a bedeckten Teil des Ind.i uinbelages 36 zu entfernen, wodurch eine Indiumschicht 36a zwischen der Photoresistschicht 37a und der Trägerplatte 30 gebildet wird, wie in Fig. 4(e) dargestellt. Die auf der Indiumschicht 36a liegende Photoresistschicht 37a v/ird dann entfejrnt, wie in Fig. 4(f) dargestellt, wobei allein die Indiumschicht 36a auf der Trägerplatte 30 zurückbleibt.
Die in Fig. 4(b) bis Fig. 4(f) dargestellten Verfahrens-, schritte werden wie beim bekannten Photoätzverfahren durchgeführt.
Die Trägerplatte 30 mit der darauf aufgebrachten Indiumschicht 36, d.h. der transparenten Elektrodenschicht, wird dem unter Bezugnahme auf Fig. 3(a) bis 3(g) beschriebenen Verfahren gemäß der Erfindung unterworfen. Es ist zu bemerken, daß Fig. 4(g) und Fig. 4(h) der Fig. 3(e) bzw. 3(f) entsprechen mit dem Unterschied, daß auf einen Teil der planaren Oberfläche der Trägerplatte 30 die transparente Elektrodenschicht 36a aufgebracht worden ist.
Es ist zu bemerken, daß während des Ätzvorganges die Entwicklung von NO^, die durch die vorstehenden Formeln (1) bzw. (2) angezeigt wird, die Charakteristiken wie Durchlässigkeit und elektrischen Widerstand der transparenten Leiterschicht nicht beeinträchtigt.
Obwohl die Erfindung vorstehend ausführlich im Zusammenhang mit bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben wurde, ist zu bemerken, daß verschiedene Änderungen und Modifikationen, die für
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den Fachmann offensichtlich sind, möglich sind. Beispielsweise i;;t der Werkstoff für die Trägerplatte 30 nicht auf Glas und Keramik begrenzt, vielmehr sind auch Siliciumwafer oder -chips geeignet. tYußerdem können an Stelle
der Aufdampfmethode beliebige bekannte Sputter- und
Ionenplattierungsverfahren angewandt werden, um die erste Metallschicht 31 und die zweiten Metallschichten 34a und 34b auf die Trägerplatte 30 aufzubringen.
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■AS-
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Claims (3)

  1. VON KRESSLER ** SCHÖ'NWALD ESSi-IOLD FUES VON KREISLER KELLER SELT!M© YJE&UER ^ r , ., Q o
    &} {.3 £y S O' -.J vj
    PATENTANWALT Γ
    Γτ.-ir.g. von Kivisler i 1973
    Dt.-I-.g. K. Schönv/oU Kein
    D..-Iny. !(. W. Eishoid. Bad Soden
    Cr. J. F. Fues, Kö'n
    LV-f.:!.-C'iern. Alek von •■■.•-ei'ilar Koir,
    L C:-Cwi. Carob K- k-r ΐ.ο'π
    i'!^.-U,:x G. Sölfing, Köln
    Dr. H.-K. Werner, Köln
    Av-K/Ax 5.11,80
    CJ,CH'/AHr-iHAU3 AW HA'JPIPAHNHOF
    D-SOOO ECCiLN Il
    Sharp Kabushiki Kaisha,- 22-22 y IJegaike-cho, /Aeno-ku, Osaka-shi, Osalta-fu. (J^.pan)x
    und
    Japaii Electronic Industry Development Association f 5-8, Shibakoen ß-chome, jiina;toHiu_, Tokyo-to (Japan) .
    Patent a η s ρ ι: ü c h e
    Γ!./ Verfahren sur Bildung eines Dünnf iliascheraas, dadurch gekennseichnet, daß man
    a) auf der Oberfläche einer Trägerplatte eine erste Metallschicht bildet,
    b) suf der auf die Trägerplatte aufgebrachten ersten Metallschicht eine Photorssistschicht bild·-!.,
    c) die PhotorosiatBcliicht unter Vorwondunq ei.ner gamusterten Maske belichtet,
    d) den unbalichtet gebliebenen Teil der Photoresistschicht entv/ickelt und hierdurch eine auf der ersten Metallschicht liegende Photoresistschicht bildet,,
    ej die Trägerplatte in ein Ätzbad taucht und hierdurch den nicht vc-n der Photoresistschicht bedeckten Teil der ersten Metallschicht entfernt und eine erste Metallschicht zwischen der Photoresistschicht und
    0022/0738
    !..!»!,:„ !0?JV: 131041 '·.-!·■« "MAiWdcp, i ΙΛ-ywn fjo· r'C:i"- · Kr-.ln
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    _ 2 —
    der Trägerplatte zurückläßt,
    f) auf der Oberseite der Photoresxstschicht und auch auf einem Teil der Oberfläche der Trägerplatte rings um die erste Metallschicht unterbrochene, voneinander getrennte zweite Metallschichten bildet,
    g) die Trägerplatte mit einem Lösungsmittel behandelt und .hierdurch die Photoresxstschicht zusammen mit der auf der Oberseite der Photoresxstschicht gebildeten zweiten Metallschicht entfernt und
    h) die Trägerplatte in ein Ätzbad taucht und hierdurch die auf diesem Teil der Oberfläche der Trägerplatte gebildete erste Metallschicht entfernt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man vor dem Arbeitsschritt (a) der Aufbringung der ersten Metallschicht eine transparente, elektrisch leitende Schicht auf wenigstens einen Teil der Oberfläche der Trägerplatte aufbringt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man die erste Metallschicht aus einem Metall bildet, das aus der aus Kupfer und Nickel bestehenden Gruppe ausgewählt ist, und die zweiten Metallschichten aus einem Metall bildet, das aus der aus Aluminium und Tantal bestehenden Gruppe ausgewählt ist, und ein Ätzbad, das eine wäßrige Salpetersäurelösung enthält, verwendet.
    130022/073 8
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