DE2705503C3

DE2705503C3 - Halbleiterspeicheranordnung

Info

Publication number: DE2705503C3
Application number: DE2705503A
Authority: DE
Inventors: Roelof Herman Willem Eindhoven Salters (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1976-02-12
Filing date: 1977-02-10
Publication date: 1981-01-29
Also published as: SE409380B; JPS5298483A; SE7701434L; AU2137077A; CA1096499A; GB1535615A; JPS5810865B2; NL7601416A; CH612783A5; IT1077625B; FR2341177A1; US4460911A; NL173572B; AU504719B2; FR2341177B1; DE2705503B2; NL173572C; DE2705503A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicheranordnung wahlfreier Adressierbarkeit entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Solche Speicheranordnungen mit wahlfreier Adressierbarkeit werden oft als RAM (kurz für »Random Access Memory«) bezeichnet und sind bekannt, z. B. aus der DE-OS 17 74 482.

In Speichern der eingangs beschriebenen Art sind die elektronischen Schalter gewöhnlich Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode. Eine der Elektroden der Kondensatoren ist oder wird elektrisch mit der Source- oder der Drain-Zone des zugehörigen Transistors verbunden, während die andere Elektrode der Kondensatoren gemeinsam an ein Bezugspotential, z. B. an Erde oder an das Speisungspotential, gelegt wird. Diese Elektrode kann gegebenenfalls ein Gebiet des Halbleiterkörpers sein, das mit der zuerst genannten Elektrode einen pn-Obergang bildet Meistens wird aber die an das Bezugspotential anzulegende Elektrode durch eine auf einer auf der Oberfläche des Körpers vorhandenen Isolierschicht angebrachte leitende Schicht gebildet, die mit dem darunterliegenden Halbleiterkörper eine sogenannte MOS-Kapazität bildet. Der Ausdruck »MOS« (kurz für »Metal Oxide Semiconductor«) ist hier in derart weitem Sinne aufzufassen, daß darunter auch Strukturen, in denen statt einer Metallschicht eine leitende Schicht aus z. B. dotiertem polykristallinem Silicium vorhanden ist, und/oder Strukturen zu verstehen sind, in denen die dielektrische Schicht statt aus einem Oxid aus einer isolierenden Nitridschicht oder aus einer Kombination verschiedener Teilschichten besteht. Was die Struktur anbelangt, sind noch mehrere Abwandlungen möglich, die je mit Vorteil angewandt oder in Abhängigkeit von der bei der Herstellung der Anordnung verwendeten Technologie erhalten werden können. So können z. B. die Transistoren und die zugehörigen Kondensatoren auf selbstregistrierende Weise hergestellt werden, wobei, ausgehend von einem Körper von einem Leitungstyp, auf einer Oberfläche des Körpers wenigstens örtlich eine dünne Isolierschicht mit darauf den Gate-Elektroden der Transistoren und die die zweiten an das Bezugspotential anzulegenden Elektroden bildende leitende Schicht angebracht werden, wonach durch Diffusion oder Ionenimplantation die Source- und Drain-Zonen der Transistoren in Form von Oberflächenzonen vom entgegengesetzten Leitungstyp angebracht werden. Mit Hilfe der zweiten Elektroden der Kondensatoren können im Halbleiterkörper Verarmungsgebiete induziert werden, in die Minoritätsladungsträger, in Abhängigkeit von dem eingeführten Signal, über den Transistor eingeführt werden können, wobei diese Minoritätsladungsträger an der Oberfläche des Körpers eine Inversionsschicht vom entgegengesetzten Leitungstyp bilden, die z. B. an die Drain-Zone des Transistors grenzt. Die an das Bezugspotential anzulegenden Elektroden der Kondensatoren können statt vor auch nach der Anbringung der Source- und Drain-Gebiete der Transistoren angebracht werden, wobei sich die Drain-Zonen der Transistoren bis unterhalb dieser Elektroden erstrecken können und selber eine der Elektroden der Kondensatoren bilden. Die an das Bezugspotential anzulegende(n) Elektrode(n) kann (können) auch, auf die Oberfläche des Körpers gesehen, direkt neben den Gate-Elektroden der Transistoren über einem Gebiet vom ersten Leitungstyp angebracht werden, wobei mittels dieser Elektroden in dem Halbleiterkörper Verarmungsgebiete induziert werden, die dann als eine der Source- und Drain-Zonen der Transistoren betrachtet werden können, während nur die andere Zone durch Diffusion einer geeigneiiMi Verunreinigung oder durch Ionenimplantation in Form einer Oberflächenzone vom entgegengesetzten Leitungstyp angebracht wird. In diesem Zusammenhang sei

bemerkt, dad unter einem Feldeffekttransistor daher nicht nur ein Element zu verstehen ist, das Source- und Drain-Zonen vom zweiten Leitungstyp aufweist, die durch Dotierung von Gebieten eines Halbleiterkörpers vom ersten Leitungstyp erhalten sind, sondern auch ο Elemente, von denen wenigstens eine der Source- und Drain-Zonen mittels eines elektrischen Feldes induziert wird oder werden kann.

Speicherancrdnungen der obenbeschriebeiien Art weisen den großen Vorteil auf, daß infolge der Tatsache, in daß pro Speicherzelle nur ein einziger Transistor erforderlich ist, sie sich besonders gut zur Integration in demselben Halbleiterkörper eignen. Je nachdem der Umfang der Integration zunimmt, z. B. im Falle einer Vielzahl integrierter Speicherzellen, nimmt auch der Bedarf zu, die von jeder Zelle eingenommene Oberfläche zu verkleinern, weil jede — sogar eine geringe — Verkleinerung der einzelnen Speicherzellen infolge der großen Anzahl von Zellen zu einer erheblichen Verkleinerung der Gesamtoberfläche des Halbleiterkörpers führen kann. Bekanntlich wird in der Halbleilertechnologie im allgemeinen stets vf-.-sucht, die Gesamtoberfläche von Halbleiteranordnungen möglichst klein zu halten, insbesondere weil bei der Herstellung der Prozentsatz von Anordnungen, die sich infolge von Fehlern als unbrauchbar erweisen, im allgemeinen sehr stark zunimmt, je nachdem die Anordnung größer wird.

Es ist bereits bekannt, zur Verkleinerung der von jeder Speicherzelle eingenommenen Oberfläche die jo Struktur derart zu ändern, daß der Transistor, der in üblichen Anordnungen im wesentlichen neben dem zugehörigen Kondensator liegt, unter dem Kondensator gelegen ist Eine derartige Speicherzelle ist u. a. in einem Aufsatz mit dem Titel »Vertical one-device memory J5 cell« in I.B.M. Technical Disclosure Bulletin, Band 15, Nr. 12, vom Mai 1973, S. 3585/6 beschrieben. In der darin beschriebenen Anordnung wird die erste Elektrode des Kondensators, die elektrisch mit einer der Source- und Drain-Zonen des darunterliegenden Feldeffekttransistors verbunden ist, durch eine leitende Schicht aus polykristallinem Silizium gebildet, die auf einer die Oberfläche des Körpers bedeckenden Oxidschicht niedergeschlagen ist und über ein Kontaktfenster in der Oxidschicht mit einer der Zonen des Feldeffekttransistors kontnktiert wird. Diese Siliciii nschicht erstreckt sich über dem ganzen Transistor einschließlich der Gate-Elektrode, die ebenfalls aus polykristallinem Silizium hergestellt und gegen die Elektrode des Kondensators durch eine zwischenliegende Oxidschicht isoliert ist. Auf der zuerst genannten polykristallinen Siliziumschicht ist eine Siliziumnitrid- oder Aluminiumoxidschicht niedergeschlagen, die eine dielektrische Schicht des Kondensators bildet und auf der schließlich eine Metallschicht angebracht wird, die sich ebenfalls über dem ganzen Transistor erstreckt und mit der unterliegenden polykristallinen Siliziumschicht eine Speicherkapazität bildet und die an ein geeignetes Referenzpotential gelegt werden kann.

In dieser bekannten Anordnung wird die von jeder mi Zelle eingenommene Oberfläche in erheblichem Maße durch die Größe der Kondensatoren bestimmt. Diese können nicht beliebig klein gemacht werden, weil in diesem Falle auch die Kapazitäten herabgesetzt werden würden, wodurch die Signaistärke einen zulässigen ·>", Wert unterschreiteil würde. Dies bedeutet, daß eine weitere Verkleinerung der Speicherzellen praktisch nicht mehr möglich ist, ohne daß die elektrischen Eigenschaften der Anordnung beeinträchtigt werden.

Der Erfindung lieg, die Aufgabe zugrunde, ein.-Halbleiterspeicheranordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß, unter Beibehaltung einer geeigneten Kapazität pro Speicherzelle, die Gesamtoberfläche der Anordnung weiter verkleinert wird.

Die Erfindung gründet sich u. a. auf die Erkenntnis, daß die Kondensatoren im Vergleich zu den Transistoren eine verhältnismäßig große Oberfläche erfordern und daß dadurch eine erhebliche Raumeinsparung erhalten werden kann, wenn zwei Kondensatoren benachbarter Speicherzellen nicht, wie üblich nebeneinander, sondern übereinander angeordnet werden.

In Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Dadurch, daß die Kondensatoren paarweise übereinander angeordnet werden, kann eine erhebliche Raumeinsparung im Vergleich zu den beschriebenen bekannten Anordnungen erhalten werden, indem weiter die mittlere Leiterschicht als gemeinsame Elektrode für die zwei Kondensatoren dient und für die untere Leiterschicht der Halbleiterkörper — oder wenigstens Teile desselben, die an die Oberfläche grenzen und unter der mittleren Elektrode liegen — verwendet wird, reichen für die Kondensatoren zwei Metallisierungsschichten aus, so daß die Anordnung mit Hilfe der in der Halbleitertechnologie üblichen Verfahren hergestellt werden kann.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 eine Draufsicht auf einen Teil einer Halbleiteranordnung nach der Erfindung,

Fig.2 einen Querschnitt durch diese Anordnung längs der Linie II-II in Fig. 1,

Fig.3 einen Querschnitt durch diese Anordnung längs der Linie HI-III in Fig. 1,

Fig.4 ein elektrisches Schaltbild einer bekannten Speicheranordnung,

F i g. 5 einen Querschnitt gleich dem Querschnitt nach F i g. 2 während der Herstellung der Anordnung,

Fig.6 die Anordnung im Schnitt in einer weiteren Herstellungsstufe,

F i g. 7 einen Schnitt durch eine weitere Halbleiteran-Ordnung nach der Erfindung,

F i g. 8 einen Schnitt durch eine andere Halbleiteranordnung nach der Erfindung,

F i g. 9 eine Draufsicht auf einen Teil einer weiteren Anordnung nach der Erfindung,

Fig. 10 einen Schnitt durch diese Anordnung längs der Linie X-X in F i g. 9, und

F i g. 11 einen Schnitt durch diese Anordnung längs der Linie XI-XI in Fig.9.

Es sei bemerkt, daß diese Figuren nur schematisch sind und nicht maßstäblich gezeichnet sind.

Fig.4 zeigt das elektrische Schaltbild einer bekannten Speicheranordnung mit wahlfreier Adressierbarkeit, die in der Literatur oft als RAM bezeichnet wird. Die Anordnung enthält ein xy-System einer Anzahl in Reihen und Spalten -.ngeordneter Speicherzellen, die je einen einzigen Transistor Tund eine Speicherkapazität C enthalten. Information kann in Form elektrischer Ladung in die Kondensatoren eingeführt und während

einer bestimmten Zeitdauer gespeichert werden. Von den Kondensatoren C ist eine Elektrode an ein Bezugspotential angelegt. Beispielsweise ist für dieses Bezugspotential das Erdpotential gewählt, aber es wird klar sein, daß statt Erde für dieses Bezugspotential auch andere geeignete Potentiale, z. B. ein Speisungspotential, gewählt werden können. Die andere Elektrode jedes Kondensators ist mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode verbunden, der für die Adressierung der Zelle bestimmt ist. Der Einfachheit der Beschreibung halber wird die Transistorelektrode 1, die mit dem Kondensator verbunden ist. weiter als Drain-Gebiet bezeichnet, während die andere Transistorelektrode 2 als Source-Gebiet bezeichnet wird, obgleich berücksichtigt werden soll, daß beim Betrieb innerhalb der Transistoren die Funktionen von Source und Drain verwechselt werden können. Innerhalb derselben Spalte sind die Source-Gebiete 2 der

verbunden; die Gate-Elektroden 4 der Transistoren sind pro Reihe mit sogenannten Wortleitungen 5 verbunden. Die Ausleseleitungen 3 sind mit einer nur schematisch dargestellten Vorrichtung 6 verbunden, die u. a. einen Verstärker enthalten kann; die Wortleitungen 5 sind mit einer ebenfalls nur schematisch dargestellten Dekodiervorrichtung 7 verbunden. Mit Hilfe dieser Dekodiervorrichtung kann die Wortleitung 5 der Reihe, in der die auszulesende Zelle liegt, ausgewählt werden.

Vor dem Auslesen einer bestimmten Zelle wird geprüft, wieviel Ladung in dem Kondensator dieser Zelle gespeichert ist. Dazu wird durch Ansteuerung der mit der Gate-Elektrode verbundenen Wortleitung der zugehörige Feldeffekttransistor der Zelle geöffnet, wodurch die Ladung des Kondensators über den Transistor und die mit der Source-Zone des Transistors verbundene Ausleseleitung 5 zu der Auslesevorrichtung 6 fließen kann.

Beim Auslesen werden außer der auszuwählenden Zelle auch alle anderen Zellen in dieser Reihe adressiert. Um die Information (Ladung), die in diesen Zellen gespeichert ist, beizubehalten, ist die Auslesevornchtung fr meistens außerdem nicht mit Mitteln versehen, mit deren Hille die in diesen Zellen gespeicherte Ladung regeneriert wird. Die Vorrichtungen 6 und 7, die weiter als bekannt vorausgesetzt werden, bilden weder in bezug auf ihre Struktur noch in bezug auf ihre Wirkung einen spezifischen Gegenstand der vorliegenden Erfindung und werden hier daher nicht näher beschrieben.

Der in F i g. 4 dargestellte Teil eines Speichers mit wahlweisem Zugriff enthält nur neun Zellen. Im allgemeinen enthalten Speicher dieses Typs mindestens einige Tausende von Zellen. Im Zusammenhang mit der großen Anzahl werden die Abmessungen der Speicherzellen je möglichst klein gehalten, um eine möglichst gedrängte Struktur zu erhalten. Die Packungsdichte, die erhalten werden kann, indem die einzelnen Zellen möglichst klein gemacht werden, ist aber an eine Grenze gebunden, die durch technologische und/oder elektrische Beschränkungen bestimmt werden kann. In einer Anordnung nach der Erfindung wird eine weitere Zunahme de.' Packungsdichte — und damit eine Verkleinerung der Gesamtoberfläche des Halbleiterkörpers — dadurch erhalten, daß die Speicherzellen nicht, wie üblich, nebeneinander, sondern teilweise übereinander angeordnet werden, wie an Hand des in Fig.! bis 3 dargestellten Ausfühningsbeispiels beschrieben werden wird.

In diesen Figuren wird ein Teil der Schaltung nach Fig. 4 in integrierter Form mit vier vollständigen Speicherzellen dargestellt. Die Anordnung enthält einen Halbleiterkörper 10 aus einem geeigneten Halbleitermaterial. Im vorliegenden Beispiel wird der Körper 10 durch einkristallines p-leitendes Silizium mit einem spezifischen Widerstand zwischen I und 100 Ω · cm und vorzugsweise zwischen 3 und 10 Ω · cm gebildet. Statt aus p-leitendem Silizium kann der Körper 10 auch aus η-leitendem Silizium — wobei ebenfalls die Leitungstypen aller Zonen im Körper umgekehrt werden sollen — oder aus einem Substrat aus η leitendem Silizium mit darauf einer epitaktisch angewachsenen p-leitenden Schicht oder auch aus anderen Materialien als Silizium bestehen.

An der Oberfläche Il des Halbleiterkörpers 10 ist eine Reihe von Kondensatoren G-G angeordnet, die je einen Teil einer Speicherzelle bilden. Von jedem Kondensator ist, wie nachstehend noch erläutert

bezeichnet) mit der Drain-Elektrode eines Feldeffekttransistors Ti — Ta verbunden, wobei diese Transistoren die elektronischen Schalter der Zellen bilden, mit deren Hilfe die Verbindungen zwischen den Kondensatoren G-G und den Ausleseleitungen 3 nach Wunsch geschlossen oder unterbrochen werden können. Die zweite Elektrode jedes Kondensators kann, wie im Schaltbild nach F i g. 4, an eine Bezugsspannung gelegt werden.

Die Kondensatoren bilden jeweils Gruppen von zwei, wobei in dem in den Figuren gezeigten Teil eine Gruppe durch die Kondensatoren G. G und eine zweite Gruppe durch die Kondensatoren C₃, G gebildet wird. |ede Gruppe enthält drei leitende Schichten, die, auf die Oberfläche 11 gesehen, übereinander liegen, wobei die Kondensatoren G und C? die Schichten 12, 13 ur.d 14 und die Kondensatoren G und G die Schichten 13, 18 und 15 enthalten. Von diesen drei leitenden Schichten ist die mittlere Schicht — die in beiden Gruppen durch die Schicht 13 gebildet wird — jeweils von den oberen und unteren Schichten durch Sperrschichten 16,17 getrennt. Die Schichten 13 bilden eine gemeinsame zweite Elektrode der Kondensatoren G, C₂ bzw. G. G. Der Kondensator G wird daher durch die Schicht 13, die ein Dielektrikum bildende Sperrschicht 16 und die Schicht 12 gebildet, die die genannte erste Elektrode des Kondensators bildet, die mit dem Transistor Ti verbunden ist. Der Kondensator G wird ebenfalls durch die Schicht 13. die ein Dielektrikum bildende Schicht 17 und die obere leitende Schicht 14 gebildet, die die erste Elektrode des Kondensators C₂ bildet und mit dem Transistor T₂ verbunden ist. Auf analoge Weise wird f¹ τ Kondensator Cj durch die Schicht 13. die dielektrische Schicht 16 und die untere leitende Schicht 18 gebildet, die mit dem Transistor Ti verbunden ist; G besteht aus der Schicht 13. dem Dielektrikum 17 und der oberen leitenden Schicht 15. die mit dem Feldeffekttransistor T₄ verbunden ist Von jeder Gruppe sind daher die Kondensatoren völlig ineinander geschoben, wobei sie eine gemeinsame mittlere Elektrode besitzen, die zwischen der oberen und der unteren Elektrodenschicht liegt, die mit verschiedenen Schaltungselementen verbunden sind. Da die Kondensatoren im allgemeinen eine verhältnismäßig große Oberfläche beanspruchen, kann in einer Anordnung nach der Erfindung eine erhebliche Raumeinspanmg erhalten werden, ohne daß die Oberfläche der Kondensatoren und damit ihre Kapazität verkleinert wird.

Die Kondensatoren können teilweise in Form

gleichrichtender Übergänge, ζ. Β. ρη-Übergänge, ausgebildet werden, die in der Sperrichtung vorgespannt werden, wobei das dabei gebildete Verarmungsgebiet ein Dielektrikum bildet. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist jedoch die miniere leitende Schicht 13 auf > einer die Oberfläche 11 des Körpers 10 bedeckenden Sperrschicht 16 aus Iso'iermaterial gelegen. Die Isoliersch*. hten 16 und 17 bestehen in diesem Beispiel aus Siliziumoxid, aber können natürlich auch aus einem anderen geeigneten Isoliermaterial, z. B. Siliziumnitrid to oder Aluminiumoxid oder aus einer Kombim.tion von Teilschichten verschiedener Materialien bestehen. Zum Erhalten von Kondensatoren mit praktisch gleichen Kapazitäten werden vorzugsweise die Dielektrika 16 und 17 derart gewählt, daß sie durchschnittlich praktisch ü das gleiche Verhältnis zwischen der Dielektrizitätskonstante und der Dicke bei praktisch gleicher Oberfläche aufweisen.

Dip Ipitpnrip Schicht I 3 bildet ΓΠ!* den α3ΓϋΠ'.^ρΗ!**^σι*Π-

den Oberflächengebieten 12 bzw. 18 die Kondensatoren :n G und C) mit als Dielektrikum der zwischenliegenden Siliziumoxidschicht 16. Auf der mittleren leitenden Schicht 13 ist eine zweite Sperrschicht 17 aus Siliziumoxid angebracht, auf der die leitenden Schichten 14, 15 liegen, die mit der leitenden Schicht 13 die r< Kondensatoren Cj bzw. C₄ mit als Dielektrikum der Isolierschicht 17 bilden. Zum Erhalten von Kondensatoren mit praktisch gleichen Kapazitäten sind die Oxidschichten 16 und 17 praktisch gleich dick und die Dicke dieser beiden Schichten beträgt etwa 0,1 μηι. Im ><> allgemer.?n werden derartige Kondensatoren mit einer dünnen Isolierschicht zwischen zwei Leitern den Kondensatoren in Form gesperrter pn-Übergänge wegen ihrer größeren Kapazität pro Oberflächeneinheit und ihrer niedrigeren Leckströme vorgezogen. < >

Wie bereits bemerkt wurde, werden die elektronischen Schalter zwischen den Kondensatoren und den Ausleseleitungen 3 durch Feldeffekttransistoren mit isolierten Gate-Elektroden gebildet. Die Anwendung dieses Schaltertyps weist große Vorteile auf, u. a.. daß 4ο die Leckströme klein sind, nahezu keinen Steuerstrom erfordern und daß die Source- und Drain-Zonen in bezug auf ihre eiekirisu'nen Funktionen im allgemeinen verwechselt werden können. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren im allgemeinen sehr leicht und ⁴^ auf gedrängte Weise integrieren. Die Transistoren, von denen in F i g. 2 die Elemente Ti und Ti dargestellt sind, enthalten je eine erste Zone 19 bzw. 20, die mit den Ausleseleitungen 3 verbunden sind, und eine zweite Zone 21 bzw. 22, die mit den Elektroden 12 bzw. 14 der w Kondensatoren C], C7 verbunden sind. Der Einfachheit halber werden die Zonen 19 und 20 als Source-Zonen und die Zonen 21 und 22 als Drain-Zonen bezeichnet, obwohl beim Betrieb die Funktionen der Source- und Drain-Zonen der Transistoren gewechselt werden können. Die Source- und Drain-Zonen der Feldeffekttransistoren Tj und Ti sind mit den gleichen Bezugsziffern wie die Source- und Drain-Zonen der Transistoren Ti bzw. Ti versehen. Zwischen den- Source- und Drain-Zonen der Transistoren sind die Gate-Elektroden w> 23 gelegen, die je durch die Isolierschicht 16 von dem Kanalgebiet 35 zwischen den Source- und Drain-Zonen getrennt sind.

Die Transistoren T enthalten je in dem p-leitenden Körper 10 angebrachte η-leitende Source- und Drain-Zonen 19—22. Von jeder Gruppe von Kondensatoren Cu Ci bzw. C3, Ca wird die untere leitende Schicht 12 bzw. 18 durch ein Gebiet gebildet was mit den Drain-Zonen 21 der Transistoren T. bzw. Tj ein Ganzes bildet und sich, auf die Oberfläche 11 gesehen, bis unterhalb der mittleren Elektroden (Elektroden 12) erstreckt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel erstreckt sich die Elektrode 13 bis gerade neben die Gate-Elektrode 23, wodurch eine noch gedrängtere Struktur erhalten wird.

Die Elektroden 14 und 15, die mit der Schicht 13 die oberen Kondensatoren Ci und G bilden, sind über Kontaktfenster 24 in den Oxidschichten 16, 17 mit den Drain-Zonen 22 der Transistoren Ti und Ti kontaktiert. Wie aus den F i g. 1 und 2 deutlich ersichtlich ist, ist die Oberfläche, die von diesen Transistoren beansprucht wird, erheblich kleiner als die von den Transistoren Ti und Tj beanspruchte Oberfläche.

Die Anordnung nach dem vorliegenden Beispiel bildet einen Teil einer Matrix, wobei die Speicherzellen in einem *v-System vom in F i g. 4 dargestellten Typ angeordnet sind. Die 7.11 derselben Gruppe gehörigen Kondensatoren bilden einen Teil von Speicherzellen, die mit derselben Wortleitung verbunden sind. Die Bitleitungen sind über die zugehörigen Transistoren abwechselnd mit Spalten von Kondensatoren, die aus einer mittleren Leiterschicht 13 und den unteren Leiterschichten 12,18 bestehen, und Spalten von Kondensatoren, die aus einer mittleren Leiterschicht 13 und oberen Leiterschichten 14,15 bestehen, verbunden.

Die Gate-Elektroden 23 der Transistoren der in derselben xy-Leitung liegenden Speicherzellen sind mit Wortleitungen 5 in Form von Aluminiumbahnen verbunden, die über Kontaktfenster 25 in der die Gate-Elektroden bedeckenden Oxidschicht mit den Gate-Elektroden kontaktiert sind.

Die Source-Zonen 19 bzw. 20 der Feldeffekttransistoren Ti, Tj bzw. Ti, Tt sind miteinander durch Bitleitungen in Form η-leitender Oberflächenzonen 3 verbunden, die sich in Form von Streifen in dem Halbleiterkörper in einer Richtung quer zu den Wortleitungen 5 erstrecken.

Die mittlere leitende Schicht 13 der Kondensatoren Ci — G enthält eine streifenförmige Schicht, die sich, auf die Oberfläche 11 gesehen, zwischen und praktisch parallel zu den η-leitenden Zonen 3 über die 13UIICIaniiiiii ciaiicnii unu cmc ucn riuitueii^aimcii Ci — G zweier nebeneinanderliegenden /-Leitungen gemeinsame Elektrode bildet.

Wie aus den F i g. 2 und 3 hervorgeht, werden die Feldeffekttransistoren Ti-Ti in dem Halbleiterkörper voneinander durch ein Muster 26 aus Isoliermaterial, im vorliegenden Falle Siliziumoxid, getrennt das in den Halbleiterkörper 10 versenkt ist und sich zwischen den Speicherzellen und an diese Zellen grenzend in dem Halbleiterkörper erstreckt Unter dem versenktem Muster 26 können nötigenfalls und/oder erwünschtenfalls Zonen 27 angebracht sein, die den gleichen Leitungstyp wie, aber eine höhere Dotierung als der Halbleiterkörper 10 aufweisen. Diese Zonen, die mit gestrichelten Linien in den F i g. 2 und 3 angegeben sind, dienen dazu, die Erzeugung parasitärer Inversionskanäle, die unter dem Oxidmuster 26 erhalten werden könnten und Verbindungen zwischen den Zonen verschiedener nebeneinanderliegender Zellen bilden könnten, zu verhindern.

Die F i g. 5 bis 8 zeigen Schnitte gleich dem Schnitt nach Fig.2 durch die Anordnung während einiger Stufen ihrer Herstellung.

Es wird von dem Halbleiterkörper 10 aus p-leitendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von etwa 5 Ω · cm ausgegangen, der auf der Oberfläche 11 mit

einer Maskierungsschicht versehen ist, die aus einer Oxidschicht 28 und einer Siliziumnitridschicht 29 besteht. In der Maskierungsschicht 28, 29, die das unterliegende Silizium gegen Oxidation maskiert, sind auf photolithographischem Wege Fenster 30 angebracht. Über diese Fenster wird der Körper 10 einer thermischen Oxidationsbehandlung zum Erhalten des versenkten oiliziumoxidmusters 26 unterworfen. Die Dicke des Oxidmusters 26 beträgt etwa 2 μιτι.

Es sei bemerkt, daß das Oxidmuster in den Figuren nur schematisch als ein Musler angegeben ist, das völlig in den Körper 10 versenkt ist. Es ist aber möglich, daß das Oxid 26 etwas über die Oberfläche 11 des Halbleiterkörpers 10 hinausragt, weil bei der Oxidation das Volumen zunehmen kann. Im Falle der Anwendung einer Struktur, in die das Muster 26 in der Tal völlig versenkt ist, kann z. B. vor der Oxidation an der Stelle des anzubringenden Oxids der Körper zunächst einer Ätzbehandlung unterworfen oder kann dip Oxidationsbehandlung unterbrochen werden, wonach das bereits gebildete Oxid weggeätzt und dann die Oxidationsbehandlung wieder fortgesetzt wird.

Nach der Oxidationsbehandlung wird die Maskierungsschicht 28, 29 — die gegebenenfalls auch während weiterer Verfahrensschritte angewandt werden könnte — entfernt, wonach auf der Oberfläche 11 eine neue Oxidschicht 16 mit darauf einer ersten Schicht aus polykristallinem Silizium angebracht wird. Mit Hilfe bekannter Ätztechniken können aus dieser Oxidschicht 26 und einer ersten polykristallinen Schicht die Gate-Elektroden 23 der Feldeffekttransistoren Ti-T₄ und das darunterliegende Gate-Oxid 16 gebildet werden. Mit dem versenkten Oxidmuster 26 bilden die Gate-Elektroden 23 mit den darunterliegenden Oxidschichten 16 eine Diffusionsmaske mit Fenstern 31, über die die η-leitenden Zonen 19—22 und die Bitleitungen durch Diffusion einer geeigneten Verunreinigung, z. B. Phosphoratome, angebracht werden. Zugleich können ebenfalls die polykristallinen Gate-Elektroden 23 dotiert werden. Es sei bemerkt, daß die Zonen 19—22 und die Ausleseleitungen 3 statt durch Diffusion auch durch Ionenimplantation angebracht werden können, «u'uci ca gcgcuciicm*a!i:> nicht noiwendig ist, die Diffusionsfenster 31 auch in der Oxidschicht 16 anzubringen.

Die Fenster 31 in der Siliziumoxidschicht 16 können dann wieder geschlossen werden und die polykristallinen Siliziumelektroden 23 werden mit einer Oxidschicht 36 versehen, die dadurch erhalten werden kann, daß die Gate-Elektroden 23 einer Oxidationsbehandlung unterworfen werden, wodurch das polykristalline Silizium teilweise oxidiert wird. Dann kann eine zweite dotierte polykristalline Siliziumschicht angebracht werden, aus der durch Ätzen die gemeinsamen Elektroden 13 gebildet werden. Z B. durch Oxidation kann diese Schicht wieder mit der verhältnismäßig dünnen isolierenden Oxidschicht 17 versehen werden. Nach dem Anbringen der Kontaktfenster 24 in den vorhandenen Isolierschichten wird eine dritte dotierte polykristalline Siliziumschicht angebracht aus der durch photolithographisches Ätzen die Elektrodenschichten 14 gebildet werden, die an der Stelle der Kontaktfenster 24 mit den Zonen 22 der Transistoren 7}, T₄ usw. verbunden sind.

Durch z. B. Ablagerung aus der Dampfphase wird dann die Siliziumoxidschicht 32 angebracht, die in bezug auf die übrigen genannten Oxidschichten eint verhältnismäßig große Dicke von etwa 0,5 μπι bis 1 μηι aufweist. In den an der betreffenden Stelle vorhandenen Oxidschichten werden die Kontaktfenster 25 über den Gate-Elektroden 23 angebracht. Dann wird eine Schicht aus einem gut leitenden Metall, z. B. Aluminium.

■-, angebracht, aus der durch Ätzen die Wortleitungen 5 gebildet werden können, die an der Stelle der Kontaktfenster 25 mit den unterliegenden Gate-Elektroden 23 verbunden sind.

Es sei bemerkt, daß die Wortleitungen 5 und die

in leitenden Schichten 14 statt in verschiedenen Verfahrensschritten, wie im vorliegenden Ausführiingsbeispiel, auch gleichzeitig angebracht werden können, wobei dann wohl natürlich die Geometrie derart geändert werden soll, daß die Wortleitungen 5 und die Schichten

it 14 nicht übereinander, sondern nebeneinander liegen. Das im vorliegenden Ausführungsbeispiel angewandt Verfahren hat aber den Vorteil, daß die Wortleitungen 5 auf der verhältnismäßig dicken Oxidschicht 32 angebracht werden können, wnrlnrrh flip Streukanazitäten

»ο zwischen den Wortleitungen einerseits und den Kondensatoren Ci — C₄ und den Transistoren Ti-T₄ andererseits möglichst niedrig gehalten werden können.

Weiter sei bemerkt, daß die Anwendung von

Aluminium für die Wortleitungen 5 den Vorteil ergibt,

2--, daß der Widerstand in den Leitungen 5 im allgemeinen niedriger als bei Anwendung polykristallinen Siliziums ist, wodurch ebenfalls die Adressierzeiten mit Vorteil auf einem verhältnismäßig niedrigen Wert gehalten werden können.

in Von der hier beschriebenen Halbleiteranordnung nach der Erfindung und dem Verfahren zu deren Herstellung sind mehrere Abwandlungen möglich. Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer derartigen Anordnung, die durch Anwendung eines von dem

H obenbeschriebenen Verfahren abweichenden Verfahrens erhalten ist, in einem dem Schnitt nach Fig. 2 gleichen Schnitt. Der Einfachheit halber sind für entsprechende Teile in Fig. 7 die gleichen Bezugsziffern wie in F i g. 2 angewendet.

■40 Die Anordnung nach Fig. 7 unterscheidet sich von der nach Fig. 2 im wesentlichen darin, daß von jeder Gruppe von Kondensatoren Ci, C2 usw. die untere leitende Schicht nicht, wie im vornergenenaen Austunrungsbeispiel, durch ein η-leitendes dotiertes Gebiet 33,

4) aus dem die Majoritätsladungsträger, also Löcher, entfernt sind, gebildet wird, wobei an der Oberfläche 11 eine mit θ bezeichnete η-leitende Inversionsschicht 34 gebildet werden kann. Das Verarmungsgebiet 33 kann dadurch erhalten werden, daß an die mittlere Leiterschicht 13 — die die gemeinsame Elektrode jeder Gruppe von Kondensatoren bildet — eine positive Bezugsspannung gegenüber dem p-leitenden Halbleiterkörper 10 angelegt wird. Die Ladungsmenge, die in der Inversionsschicht 34 gespeichert ist, stellt die Information, z. B. eine logische »1« oder »0« dar. Die für die Bildung dieser Inversionsschicht benötigte elektrische Ladung kann steuerbar mittels des Feldeffekttransistors Ti zugeführt werden, der über die Drain-Zone 21, die an die Inversionsschicht 34 grenzt, mit der Inversionsschicht 34 verbunden ist.

Die in F i g. 7 dargestellte Anordnung kann dadurch erhalten werden, daß das obenbeschriebene Verfahren derart abgeändert wird, daß die gemeinsame Elektrode 13 zugleich mit den isolierten Gate-Elektroden 23 und vor der Diffusionsbehandlung zum Erhalten der Source- und Drain-Zonen 19—22 und der Ausleseleitungen 3 durch Ätzung der ersten Schicht aus polykristallinem Silizium angebracht wird. In diesem Verfahren sind

daher nur zwei Schichten aus polykristallinem Silizium erforderlich, und zwar eine erste Schicht zum Anbringen der Gate-Elektroden 23 und der gemeinsamen Elektrode 13 und eine zweite polykrist&lline Siliziumschicht zum Anbringen der oberen Eiektrodenschicht !4 jeder Gruppe von zwei Kondensatoren. Diese obere Eiektrodenschicht ist, gleich wie im vorhergehenden Ausfiihrungsbeispiel, über ein Kontaktfenster in den vorhandenen Oxidschichten mit der Drain-Zone 22 des Transistors T₂ verbunden.

Fig.8 zeigt einen Schnitt gleich dem Schnitt nach Fig. 2 durch eine Weiterbildung der im ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Anordnung. Wie im vorhergehenden Ausführungsbeispiel wird die untere Elektrodenschicht jeder Gruppe von Kondensatoren durch das erschöpfte Oberflächengebiet 33 mit darin der an die Oberfläche It grenzenden η-leitenden Inversionsschicht 34 gebildet. Im Gegensatz zu dem nicht durch Metallstreifen, sondern gleichfalls durch polykristalline Siliziumbahnen 5 gebildet, die zugleich mit den Gate-Elektioden 23 angebracht werden können. In Fig.9 sind daher diese Wortleitungen mit den Gate-Elektroden mit der Bezugszi^ffer 5, 23 bezeichnet. An den Stellen, an denen die Bahnen 5, 23 über dem Kanalgebiet 35 der Transistoren liegen, sind diese Bahnen der Deutlichkeit halber in Fig.9 schraffiert dargestellt. Die Wortleitungen 5 können zugleich mit den Gate-Elektroden und der Elektrodenschicht 13 hergestellt werden, dadurch, daß die Schicht 13 nicht, wie in den vorhergehenden Ausführungsbeispielen in Form sich in der y-Richtung erstreckender Streifen, sondern in Form von Streifen ausgeführt wird, , die, wie aus Fig. 9 deutlich hervorgeht, sich im wesentlichen in der x-Richtung, also parallel zu den Wortleitungen, erstrecken und gemeinsame Elektroden für die Kondensatoren der mit derselben Wortleitung

sistor Ts keine diffundierte η-leitende Drain-Zone, die an die Inversionsschicht 34 grenzt, sondern grenzen das Verarmungsgebiet 33 und die darin gebildete Inversionsschicht 34 direkt an den Kanal 35 des Transistors unter der Gate-Elektrode 23. Die elektrische Ladung in der Inversionsschicht 34 kann über die diffundierten Bitleitungen 3, die Source-Zone 19 und das Kanalgebiet 35 zugeführt bzw. ausgelesen werden. Vorzugsweise wird die mittlere Leiterschicht 13 in dieser Ausführungsform derart angebracht, daß, auf die Oberfläche 11 gesehen, die Gate-Elektrode 23 des Transistors T₁ von der Elektrodenschicht 13 teilweise überlappt wird, um eine gute Verbindung zwischen dem Transistor und der Inversionsschicht 34 zu erhalten. Aus diesem Grund ist es zu bevorzugen, in einer derartigen Ausführungsform die Gate-Elektroden 23 und die Elektroden 13 wieder in verschiedenen Schichten polykristallinen Siliziums auszuführen, wie im ersten Ausführungsbeispiel.

Ein Teil einer Speicheranordnung mit einer Geometrie, die etwas von den Geometrien der obenbeschriebenen Ausführungsbeispiele abweicht, ist in Draufsicht in F i g. 9 und im Schnitt in F i g. 10 und 11 längs der Linien X-X bzw. XI-Xl in F i g. 9 dargestellt.

Der Einfachheit halber ist die Anordnung wieder mit den gleichen Bezugsziffern wie die Anordnungen nach den vorhergehenden Ausführungsbeispielen versehen. Die Anordnung ist auf die an Hand des Ausführungsbeispiels nach Fig. 7 beschriebenen Weise in einer Zweischichten-Polykristall-Siliziumtechnik ausgeführt, wobei die mittlere Elektrode 13 und die isolierten Gate-Elektroden 23 der Transistoren zugleich aus einer ersten angebrachten Schicht aus polykristallinem Silizium und die oberen Elektroden 14 der Kondensatoren aus einer zweiten Schicht polykristallinen Siliziums hergestellt werden. Die Wortleitungen 5, die die Gate-Elektroden 23 der Transistoren in der ^-Richtung miteinander verbinden, werden im vorliegenden Falle 2» In der y-Richtung sind die Source-Zonen 19 bzw. 20 der Transisioren nicht durch sich in dem Körper erstreckende η-leitende Oberflächenzonen, sondern durch sich in der y-Richtung erstreckende Metalleiter 1 miteinander verbunden, die auf der verhältnismäßig dicken Oxidschicht 32 angebracht sind und über Kontaktfenster 37 in dieser Isolierschicht milden Zonen 19 und 20 kontaktiert werden.

Es sei bemerkt, daß im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Transistorströme durch die Kanalgebiete 35

κι nicht, wie oben, in der jr-Richtung, sondern in der y-Richtung fließen. Weiter sei bemerkt, daß die Elektrodenschicht 13 zwischen den Speicherzellen schmäler als an der Stelle der Kondensatoren ist und dadurch eine kammartige Struktur aufweist. Durch

j--, diese Struktur können mit Vorteil die Streukapazitäten möglichst klein gehalten werden.

Die Anordnung kann weiter mit Hilfe der bereits beschriebenen Techniken hergestellt werden.

In den beschriebenen Ausführungsbeispie'en können

4(i die Leitungstypen umgekehrt werden.

Statt der genannten Materialien können mit Vorteil auch andere Materialien verwendet werden. So können eine oder mehrere der leitenden Schichten der Kondensatoren statt aus polykristallinem Siliziuui auch

■ti aus Metall, z. B. aus Aluminium, bestehen, während für die Dielektrika zwischen den leitenden Schichten stan Siliziumoxid auch Siliziumnitrid oder Aluminiumoxid ein anderes geeignetes Isoliermaterial Anwendung finden kann.

vi Um sicherzustellen, daß die Feldeffekttransistoren bei nicht angesteuerten Wortleitungen gesperrt sind, kann in den beschriebenen Ausführungsbeispielen die Dotierungskonzentration der Kanalgebiete z. B. durch Ionenimplantation erhöht und/oder kann der Halbleiterkör-

per an ein genügend hohes Potential angelegt werden.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleiterspeicheranordnung mit wahlfreier Adressierbarkeit, die einen Halbleiterkörper enthält mit einer an einer Oberfläche liegenden Speichermatrix mit Ein-Transistorzellen, die je einen Kondensator und einen zugehörigen Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode enthalten, bei der an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Leitungsmuster von Wortleitungen, die mit den Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren verbunden sind, und von Bitleitungen, die mit einem der Hauptelektrodengebiete jedes Feldeffekttransistors verbunden sind, vorgesehen ist, und bei der das andere Hauptelektrodengebiet jedes Transistors mit einer ersten Elektrode des Kondensators verbunden ist, wobei die zweite Elektrode jedes Transistors beim Betrieb an eine Bezugsspannung gelegt werden kann, und bei der zumindest diese zweite Elektrode durch eiDC von der Oberfläche des Halbleiterkörpers durch e'me isolierende Schicht getrennte leitende Schicht gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Kondensatoren von je zwei in einer Wortzeile nebeneinanderliegende Speicherzellen übereinander angeordnet sind, und drei übereinanderliegende Schichten enthalten, wobei die mittlere Schicht durch Sperrschichten von der oberen und der unteren Schicht getrennt ist und eine gemeinsame zweite Elektrode für die zwei Kondensatoren bildet, deren erste Elektroden durch bzw. die obere und die untere leitende Schicht gebildet werden.

2. Halbleiteranordnung na-.h Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ue mittlere leitende Schicht mit einem darunterliegenden l berflächengebiet des Halbleiterkörpers, das die genannte untere leitende Schicht bildet, einen ersten Kondensator bildet.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht zwischen der mittleren leitenden Schicht und der Oberfläche des Halbleiterkörpers und die Isolierschicht zwischen der mittleren Schicht und der oberen leitenden Schicht praktisch das gleiche Verhältnis zwischen den Mittelwerten für die Dielektrizitätskonstante und die Dicke aufweisen.

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper oder wenigstens eine an die Oberfläche grenzende Teilschicht desselben von einen Leitungstyp ist und die Hauptelektrodengebiete der Transistoren durch in dieser Teilschicht angebrachte Oberflächenzonen vom zweiten, dem einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp gebildet werden, wobei die untere leitende Schicht durch eine dieser Oberflächenzonen des zugehörigen Transistors gebildet wird, wobei sich diese Zone, auf die Oberfläche gesehen, bis unterhalb der durch die mittlere Leiterschicht gebildeten Elektrode erstreckt.