[go: up one dir, main page]

ATE155928T1 - Verfahren zur herstellung einer halbleiterspeicheranordnung mit kondensator - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiterspeicheranordnung mit kondensator

Info

Publication number
ATE155928T1
ATE155928T1 AT91304867T AT91304867T ATE155928T1 AT E155928 T1 ATE155928 T1 AT E155928T1 AT 91304867 T AT91304867 T AT 91304867T AT 91304867 T AT91304867 T AT 91304867T AT E155928 T1 ATE155928 T1 AT E155928T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
capacitor
region
producing
semiconductor memory
memory arrangement
Prior art date
Application number
AT91304867T
Other languages
English (en)
Inventor
Shunsuke Inoue
Yukihiko Sakashita
Yoshio Nakamura
Shin Kikuchi
Hiroshi Yuzurihara
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Application granted granted Critical
Publication of ATE155928T1 publication Critical patent/ATE155928T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
AT91304867T 1990-05-31 1991-05-29 Verfahren zur herstellung einer halbleiterspeicheranordnung mit kondensator ATE155928T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13961590 1990-05-31
JP13961990 1990-05-31
JP30854490 1990-11-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE155928T1 true ATE155928T1 (de) 1997-08-15

Family

ID=27317902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT91304867T ATE155928T1 (de) 1990-05-31 1991-05-29 Verfahren zur herstellung einer halbleiterspeicheranordnung mit kondensator

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5541454A (de)
EP (1) EP0463741B1 (de)
KR (1) KR950000142B1 (de)
CN (1) CN1040265C (de)
AT (1) ATE155928T1 (de)
DE (1) DE69126925T2 (de)
ES (1) ES2103778T3 (de)
MY (1) MY115269A (de)
SG (1) SG66275A1 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3352744B2 (ja) * 1993-01-18 2002-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｍｉｓ型半導体装置の作製方法
TW403972B (en) 1993-01-18 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
KR970007967B1 (en) * 1994-05-11 1997-05-19 Hyundai Electronics Ind Fabrication method and semiconductor device
US5595928A (en) * 1995-09-18 1997-01-21 Vanguard International Semiconductor Corporation High density dynamic random access memory cell structure having a polysilicon pillar capacitor
US6025226A (en) * 1998-01-15 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method of forming a capacitor and a capacitor formed using the method
US6177305B1 (en) 1998-12-17 2001-01-23 Lsi Logic Corporation Fabrication of metal-insulator-metal capacitive structures
DE10130934A1 (de) * 2001-06-27 2003-01-16 Infineon Technologies Ag Grabenkondensator und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1294021A1 (de) * 2001-08-31 2003-03-19 Infineon Technologies AG Kondensatoreinrichtung für eine Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US7350292B2 (en) * 2004-03-19 2008-04-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for affecting impedance of an electrical apparatus
JP4667030B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置用の半導体基板とその製造方法
KR101912286B1 (ko) * 2017-03-27 2018-10-29 삼성전기 주식회사 커패시터 부품
CN115349092A (zh) * 2020-04-03 2022-11-15 三菱电机株式会社 传输路径长度检测装置和网络通信装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5279679A (en) * 1975-12-26 1977-07-04 Toshiba Corp Semiconductor memory device
NL173572C (nl) * 1976-02-12 1984-02-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
US4169270A (en) * 1976-12-09 1979-09-25 Fairchild Camera And Instrument Corporation Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain
US4352239A (en) * 1980-04-17 1982-10-05 Fairchild Camera And Instrument Process for suppressing electromigration in conducting lines formed on integrated circuits by control of crystalline boundary orientation
DE3217026A1 (de) * 1981-05-06 1982-12-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung
FR2526225B1 (fr) * 1982-04-30 1985-11-08 Radiotechnique Compelec Procede de realisation d'un condensateur integre, et dispositif ainsi obtenu
JPS58215067A (ja) * 1982-06-08 1983-12-14 Nec Corp 半導体集積回路装置
US4686554A (en) * 1983-07-02 1987-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter
JPS61156865A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Nec Corp 半導体装置
US4811076A (en) * 1985-05-01 1989-03-07 Texas Instruments Incorporated Device and process with doubled capacitors
JPS62259466A (ja) * 1986-05-02 1987-11-11 Sony Corp メモリ装置
KR920005632B1 (ko) * 1987-03-20 1992-07-10 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 다층 산화 실리콘 질화 실리콘 유전체의 반도체장치 및 그의 제조방법
JPS6437051A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPH01120035A (ja) * 1987-11-02 1989-05-12 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2670288B2 (ja) * 1988-03-24 1997-10-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH0294471A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JPH0330474A (ja) * 1989-06-28 1991-02-08 Nec Corp シリコン半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR910020924A (ko) 1991-12-20
DE69126925D1 (de) 1997-08-28
SG66275A1 (en) 1999-07-20
DE69126925T2 (de) 1997-11-20
CN1056955A (zh) 1991-12-11
ES2103778T3 (es) 1997-10-01
US5541454A (en) 1996-07-30
CN1040265C (zh) 1998-10-14
EP0463741A2 (de) 1992-01-02
EP0463741B1 (de) 1997-07-23
MY115269A (en) 2003-05-31
EP0463741A3 (en) 1992-11-19
KR950000142B1 (ko) 1995-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69033153D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht und damit hergestellte Halbleiterdünnschicht
DE69211093D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit selbstjustierten Kontakten zwischen eng beabstandeten Strukturen
DE69528409D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Löchern in einer dielektrischen Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf einer Halbleitervorrichtung
DE69001411D1 (de) Verfahren zur herstellung eines substrats fuer halbleiteranordnungen.
DE3855861D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einer isolierten Gitterstruktur
DE68918773D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens einer kleine Kontaktlöcher enthaltenden Leiterbahn.
DE2967704D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer isolierschicht.
DE69131570D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilm-Halbleiteranordnung
ATE155928T1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterspeicheranordnung mit kondensator
DE69231321D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrates von SOI-Type mit einer monokristallinen Schicht aus Silizium auf einer isolierenden Schicht
DE3683763D1 (de) Verfahren zur herstellung identisch angeordneter ausrichtmarkierungen auf gegenueberliegenden seiten einer halbleiterscheibe.
DE59209850D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
DE3777603D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem halbleitersubstrat, das feldoxidzonen an seiner oberflaeche enthaelt.
DE69011203D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch Abdecken einer leitenden Schicht mit einer Nitridschicht.
DE68924366D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
DE69512186D1 (de) Ferroelektrische Dünnschicht, Substrat bedeckt mit einer ferroelektrischen Dünnschicht und Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Dünnschicht
DE59203585D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe.
DE69130595D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht
DE68907507D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung.
ATE122176T1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit gatestruktur.
DE69327556D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines dynamischen Halbleitersensors mit einer Struktur mit dünner Stärke
DE69410137D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer chalkopyrit-Halbleiterschicht
DE69224009D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit MOS- und Bipolar-Bauteilen
DE68928951D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit Bipolartransistoren
DE3578618D1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen mit einer ueberlagerten schicht aus polykristallinem silizium.

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties