DE2617729A1

DE2617729A1 - Photometrische schaltung

Info

Publication number: DE2617729A1
Application number: DE19762617729
Authority: DE
Inventors: Masahiro Kawasaki; Yoshio Sawada
Original assignee: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 1975-04-25
Filing date: 1976-04-23
Publication date: 1976-11-04
Also published as: JPS51126190A; GB1521374A; JPS5922167B2; DE2617729B2; US4106035A; DE2617729C3

Description

PATΞTnITANWALTE A. GRÜNECKER

DlPL-ING.

H. KINKELDEY

DR-IMG

W. STOCKMAIR

Da-ING. · AeE ICALTECH

K. SCHUMANN

DRBEFtNAT-DIl=L-PHVS

P. H. JAKOB

G.BEZOLD

DR RER NAT- DIPL-CHEM

8 MÜNCHEN

MAXIMILIANSTRASSE A3

P 10 366 P 10

ASAHI KOGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA No. 36-9» Maeno-cho 2-chome, ItabasM-ku, Tokyo, Japan

Photometrische Schaltung

Die Erfindung betrifft eine photometrische Schaltung für eine elektronische Bestimmung der richtigen Belichtungszeit entsprechend der Szenenleuchtdichte, der Filmempfindlichkeit und den Blendeneinstellungen mit einem photoelektrischen Wandler zur Erzeugung eines von der Szenenleuchtdichte abhängigen Stromes, einem ersten Transistor, dessen Kollektor mit dem photoelektrischen Wandler und dessen Basis mit dem Kollektor über eine Kollektor-Basis-Rückkopplungs-· schaltung hoher Eingangsimpedanz verbunden ist zur Erzeugung einer in Beziehung zur APEX-Größe B der Leuchtdichte B der Szene stehenden Basis-Emitter-Spannung, mit einem Paar veränderlicher Widerstände zur jeweiligen Einstellung der Filmgeschwindigkeit und Blendenwerte in der Schaltung und mit

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(t.-efii s^^BG'J FELEX 03-29330 TSLECiHAMME MONAPAT TELEKOPIE^ER

einem zweiten Transistor zur Erzeugung eines Belichtungsregelstromes an dessen Kollektor in Abhängigkeit von der zwischen dessen Basis und Emitter anliegenden Spannung. Die photometrische Schaltung ist insbesondere für Kameras und dergleichen verwendbar.

Es ist allgemein bekannt, in Kameras oder dergleichen photo-· metrische Schaltungen vorzusehen zur Bestimmung der erforderlichen Filmbelichtungszeit in Abhängigkeit von der IPiIm.-gradation, der Objektivblendeneinstellung und der Objekthelligkeit;. Die Bestimmung wird in einer Schaltung durchgeführt, welche elektronisch die APEX-Größe T entsprechend der APEX-Gleichung:

S +B a T +A
vvvv

berechnet, wobei S _t B und A jeweils die APEX-Größen für die Filmempfindlichkeit, Szenenleuchtdichte und die Objektivblendenöffnung sind.

Die herkömmliche photometrische Schaltung benutzt eine Vietzahl von Operationsverstärkern und in einem weiten Bereich veränderliche PraziOsionswiderstände. Dies bringt mehrere Nachteile mit sich, welche im nachfolgenden im einzelnen erläutert werden. Ein Beispiel einer konventionellen photometrischen Schaltung ist in Figur 1 gezeigt.

In der Schaltung der Figur 1 sind ein veränderlicher Widerstand 1, der entsprechend der Filmempfindlichkeit eingestellt werden kann, und Dioden 2 und 3 in Reihe mit einer elektrischen Spannungsquelle l4 geschaltet. Der Verbindungspunkt des Veränderlichen Widerstandes 1 und der Diode 2 ist mit dem Eingang eines Operationsverstärkers k verbunden, der eine Spannungsfolge-Schaltung bildet. Ein anderer veränderlicher Widerstand 11, der entsprechend der Blendeneinstellung

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eingestellt werden kann, und Dioden 12 und 13 sind ebenfalls in Reihe mit der elektrischen Spannungsquelle lk verbunden. Der Verbindungspunkt des veränderlichen Widerstandes 11 und der Diode 12 ist mit einem Eingang eines anderen Operationsverstärkers IQ verbunden, der eine Spannungsfolge-Schaltung bildet. Ein photo elektrisches Element 5» das Licht von der Szene empfangen kann, ist mit dem Kollektor eines Transistors 6 verbunden, dessen Emitter mit dem Ausgang des Operationsverstärkers 4 verbunden ist. Ein Operationsverstärker 7 mit hohem Eingangswiderstand, der eine Spannungsfolge-Schaltung bildet, ist zwischen den Kollektor und die Basis des Transistors 6 geschaltet, wodurch eine Rückkopplungsschaltung gebildet wird· Ein Integrationskondensator 8 ist mit dem Kollektor eines anderen Transistors 9 verbunden, dessen Basis mit der Basis des Transistors 6 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 6 ist mit dem Ausgang des Operationsverstärkers 10 verbunden.

Die Funktionsweise der oben beschriebenen Schaltung ist allgemein bekannt. Die Werte der Ströme und Spannungen sind derart, daß die Spannungen V , V. und V jeweils direkt den APEX-Größen B , S und A der Leuchtdichte B des Gegenstandes, - der Empfindlichkeit S des Filmes und der Blende A des Objektives entsprechen· Daher entspricht die Spannung V , welche die Schaltungsgleichung:

^VC - ^VB * ^(VA- V

erfüllt, einer Spannung entsprechend B +S — A , d.h. entsprechend der APEX-Größe T der Belichtungszeit T. Aufgrund der Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung gegenüber dem Kollektorstrom ist der Kollektorstrom des Transistors umgekehrt proportional zur Belichtungszeit T. Wenn ein Zeitschalter der Kamera geöffnet wird, lädt sich der Integrationskondensator auf und fließt Strom durch eine Spule 17 eines Elektromagneten. Wenn die Spannung am Kondensator 8 die Schwellenspannung eines Schaltkreises l6 übersteigt, wird die Erregung der Spule 17 des

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Elektromagneten beendet. Die Zeitperiode vom Öffnen des Zeitschalters 15 bis zur Beendigung der Erregung der Spule 17 ist daher proportional zum Wert T₁ der, wie oben beschrieben, berechnet wird, und bildet die Belichtungsdauer der Kamera.

Die letztere photometrische Schaltung hat folgende Nachteile.

1. Der Aufbau der Operationsverstärker ist kompliziert und die Kosten der Schaltung daher hoch.

2. Aufgrund der Schwellenspannung der Operationsverstärker und der Traiästoren muß eine Spannungsquelle mit relativ hoher Spannung benutzt werden.

3· Aufgrund der Operationsverstärker und der veränderlichen Widerstände 1 und 11 ist der Stromverbrauch der Schaltung groß.

k. Aufgrund der großen Veränderungsbereiche der veränderlichen Widerstände entsprechend der Blende des Objektives und der Empfindlichkeit des Filmes ist die Herstellung der veränderlichen Widerstände schwierig.

Die Erfindung ist darauf gerichtet, die Unzulänglichkeiten der bekannten photometrischen Schaltung zu beseitigen. Dies wird gemäß der Erfindung bei einer photometrischen Schaltung der eingangs genannten Art dadurch erreicht, daß die veränderlichen Widerstände in Reihe miteinander und in der Rück kopplungsschaltung zwischen dem Kollektor und der Basis des ersten Tranistors geschaltet sind, eine Konstantstromquellen einrichtung an die Serienschaltung der veränderlichen Widerstände angelegt ist zur Erzeugung eines konstanten Stromes durch die veränderlichen Widerstände mit einem Wert, der veranlaßt, daß die Spannungen an diesen Widerständen jeweils

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in Beziehung zu den APEX-Größen S und A stehen und daß der zweite Transistor mit seiner Basis-Emitter-Schaltung in einer Schaltungsschleife mit den veränderlichen Widerständen und der Basis-Emitter-Schaltung des ersten Transistors geschaltet ist.

Die photometrische Schaltung der vorliegenden Erfindung vermeidet Operationsverstärker im Rechnungsteil der Schaltung und arbeitet nach einem unterschiedlichen Prinzip. Die veränderlichen Widerstände, die vorgesehen sind, um die Filmgeschwindigkeit und die Blendeneinstellungen in elektrische Größen umzuwandeln, sind in der Rückkopplungsschaltung eines Transistors mit logarithmischer Kompression angeordnet, dessen Kollektor mit Strom von einem optischen Wandler, der die Szenenleuchtdichte mißt, versorgt wird. Eine Konstantstromquelle ist mit den veränderlichen Widerständen verbunden und die Stromstärke ist derart ausgewählt, daß die Spannungen an diesen Widerständen die APEX-GrÖßen für die Empfindlichkeit und die Blendeneinstellungen darstellen. Ein Transistor mit logarithmischer Expansion ist mit seiner Basis-Emitter-Strecke in einer Schaltungsschleife mit der Basis-Emitter-Strecke des Transistors mit logarithmischer Kompression und den veränderlichen Widerständen geschaltet. Die Spannung am Basis-* Emitter-Übergang des Transistors mit logarithmischer Expansion ist daher abhängig von der APEX-Größe T der Belichtungszeit.

Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Darin zeigen:

Figur 1 einen Schaltplan einer bekannten photometrischen Schaltung,

Figur 2 einen Schaltplan zur Erläuterung des Grundprinzips der vorliegenden Erfindung,

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Figur 3 einen Schaltplan einer praktischen Ausführungsform der photometrischen Schaltung gemäß der Erfindung,

Figur k eine graphische Darstellung der Charakteristiken eines Feldeffekttransistors.

Das Grundprinzip der Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf Figur 2 beschrieben- Der Kollektor eines Transistors 19 mit logarithmischer Kompression, der mit einem photoelektrischen Element l8 verbunden ist, ist über eine Pufferschaltung 20 und veränderliche Widerstände 21 und 22 mit der Basis des gleichen Transistors 19 rückgekoppelt. Ein Strom von einer Konstantstromquelle 23 fließt durch die veränderlichen Widerstände 21 und 22. Der Ausgang der Pufferschaltung 20 ist außerdem mit der Basis eines Transistors Zk mit logarithmischer Expansion verbunden, dessen Kollektor mit einem Integrationskondensator 25 verbunden ist. Außerdem ist eine Konstant spannungsquelle 26 vorgesehen.

Die oben beschriebene Schaltung funktioniert folgendermaßen. Da der Kollektor des Transistors 19 niit Kompression, der einen durch Licht verursachten Strom i · von dem in Sperrichtung betriebenen photoelektrischen Element l8 empfängt, mit der.Basis des gleichen Transistors rückgekoppelt ist, hat die Basis-Emitter-Spannung V_ des Transistors einen vom Strom i ' abhängigen

Ei P

Wert. Es gilt

* ^VBE(i_o) ⁽²⁾

wobei q die elektrische Ladung eines Elektrons, K die BoItzmann-Konstante,
T die absolute Temperatur,
V_Rp/. \ die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 19

zu der Zeit ist. wenn der Kollektorstrom i ist

* ο

Wenn nichts anderes angemerkt ist, haben alle Logarithmen die Basis β.

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Die Beziehung zwischen dem durch Licht erzeugten Strom i * und der APEX-Größe B der Leuchtdichte B eines zu photographierenden Gegenstandes wird ausgedrückt durch die Glei chung :

wobei ip_O ein durch Licht erzeugter Strom zur Zeit von B = ist.

Daher kann die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 19 mit Kompression folgendermaßen ausgedrückt werden:

Der veränderliche Widerstand 21 wird so ausgewählt, daß er in Beziehung zu der APEX-Größe S_v der Empfindlichkeit S des Filmes steht. Der veränderliche Widerstand 22 wird derart ausgewählt, daß er in Beziehung zu der APEX-Größe A der Blende A des Objektives steht. Die veränderlichen Widerstände 21 und 22 werden derart ausgewählt und die Schleifer werden derart mit ihnen verbunden, daß die Widerstandswerte der Widerstände 21 und 22 jeweils R und R sind, wobei folgende Beziehungen gelten:

^RS * ^Sv

R₂ * Rg * (N - A_v) (6)

wobei Rg einen Widerstandswert entsprechend einer Stufe von S und A und N eine Konstante ist.

Die Stromstärke i_g von der Konstantstromquelle 23 wird entsprechend folgender Gleichung eingestellt:

- 609845/0-790

^{H R}s

Daher können die an den veränderlichen Widerständen 21 und 22 auftretenden Spannungen V und V„ durch folgende Gleichungen ausgedrückt werden:

log 2 (8)

^VF ⁼

Andererseits kann die Beziehung zwischen der Basis-Emitter-Spannung Vj. des Transistors 24 mit logarithmischer Expansion und dem Kollektor strom i., ,des gleichen Transistors (für den Fall, daß die Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung gegen den Kollektorstrom des Transistors 24 mit Expansion identisch mit der gleichen Charakteristik des Transistors 19 mit Kompression ist) durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

V = ^KT

H~ q ^x°^s I_n * ^νΒΕ(χ_Λ) (10)

Die Beziehung zwischen der APEX-Größe T der Belichtungszeit T und dem Kollektorstrom i_c des Transistors 24 mit Expansion wird durch folgende Gleichung angegeben:

¹C = ¹CO * ²

wobei i_co der Kollektorstrom des Transistors mit Expansion bei T=O ist.

Daher kann die Basis-Emitter-Spannung V_H des Transistors 24 mit,Expansion folgendermaßen ausgedrückt werden:

609845/0?90

Andererseits kann unter Verwendung der Basis-Emitter-Spannung V„ des Transistors 19 mit Kompression und der Klemmenspannungen

V- und V_ der veränderlichen Widerstände 21 und 22 die Basis-G. J?

Emitter-Spannung V-τ des Transistors 2k mit Expansion folgendermaßen ausgedrückt werden:

Durch Einführen der Gleichungen *fc_t 8, 9 und 12 in Gleichung 13 ergibt sich:

(log -J£V ) (14)

¹PO ²

Um eine APEX-Operation T = B ■§· -S - A zu ermöglichen, muß folgende Beziehung gelten'

-ΛΛ

Daher kann der theoretisch richtige Betrieb der pliotoiaetrisehen Schaltung entsprechend der Erfindung durch Auffinders. eines Wertes von N, der die Gleichung C15) «jefriedigt_s erreicht werden.

folgenden wird ein prsfct!seiles AusfiShrungsbs-ispiel in bezug mit Figur 3 bescSiriebssiu !Tom Kollektor eiaes Transistors 27 nait logarithmisch®^ lisiHpressiosi zvl dessen Basis ist eiis Rückkopplungskx'eis vorgessiTien mit sineic Eatkodeafolgesi3£ial-&isng die von eineiia Fel&e^feirö'ijraiüsisisos· (PTST); 3?> and eisena Fide.¹?«= stand 3^ gebildet wiirdp sxe,©sb Ts'ssasis't-©^ Jii_P «iesseisi Eiaitisei?

verbundesi sisd_o Srji^etios clg^: I"@ll©l"tc·:/ dos: "Traasis-iOi-i; 2f t der KatliodieHelektK'OQle dss WW,T 29 dUrö ols, vjlic-äGslÄ-iifiEoIf.G^

P η S ίΐ» /, K₁ / f. 7 ^ fi

Element 28 geschaltet. Der veränderliche Widerstand 32 ist zur Einstellung entsprechend einem Meßgerät vorgesehen. Der veränderliche Widerstand 33 wird entsprechend der Empfindlichkeit des Filmes und der veränderliche Widerstand 34 wird entsprechend der Blende des Objektivs eingestellt. Der veränderliche Widerstand 35 wird zur Einstellung der Belichtungszeit verwendet. Die Basis des Transistors 36 ist mit der Basis eines Transistors 39 verbunden,der in Form einer Diode geschaltet ist. Der Kollektor und die Basis des Transistors 39 sind mit einem FET 37 verbunden_f der mit einem eine automatische Gittervorspannungserzeugung bewirkenden Widerstand 38 verbunden ist.

Zwischen dem Verbindungspunkt eines Widerstandes 40 und einem weiterei als Diode geschalteten Transistor 4l und dem Emitter des Transistors 31 ist ein Meßgerät 42 geschaltet. Der Widerstand 40 und der Transistor 4l sind in Reihe mit einer Spannungsquelle 50 verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen den veränderlichen Widerständen 32 und 33 ist mit der Basis eines Transistors 45 mit logarithmischer Expansion und der Kollektor des Transistors 45 ist mit einem Zeitschalter 43» einem Kondensator 44 und einer invertierenden Eingangskiemsie eines Vergleichers 48 verbunden. BerVerbisidungspunkt zwischen einer Zener-diode 46 und einem Widerstand 47 j die beide in Reihe an die Spannungsquelle 50 angeschlossen sind, ist mit der nichteinvertierenden Eingangskleraiue des Vergleichers 48 verbunden. Der Ausgang des letzteren ist mit einer Spule %9 eines Elektromagneten ver- :. unden.

'£ϊζ. Betrieb ii.at die Spannung ^T/_ zwisslieü der Basis und dem des Transistors £7 eiasr. Wez*t_s wie- ats Figmr 2 hervorgeht ₉ der

gig Isr- vczz dssc a.v.va'h. L·±slvt erzeugten. Si^-ouz ±el deßi photoisGiie;;. Sl srservi Sis« Der Eollektorstroac des Transistors 3-aiitert Strse: r jms.E, ©rrösprGGhisnd folgender SaLsi

wie oben erklärt worden ist« Dies wird durch die in Figur 3 vorgesehenen Verbindungen erzielt. Wenn die Transistoren 36 und 39 die gleichen Charakteristiken aufweisen, wird der konstante Strom ig gleich dem Kollektorstrom i des Transistors 39 sein, da beide die gleiche Basis-Emitter-Spannung haben
müssen. Der Strom i_ kann so geregelt werden, daß er proportional zur absoluten Temperatur T ist, wie durch Gleichung (7) verlangt wird, indem der FET 37 und der Widerstand 38 in geeigneter Weise ausgewählt werden. Die Charakteristiken der
Gitter-Kathodenspannung V _g gegen den Anodenstrom I_ß des
selbstvorgespannten FET 37 sind in Figur k gezeigt. Wenn
der Widerstandswert des Widerstandes 38 gleich R_ ist und
in Figur k der Schnittpunkt zwischen einer hierdurch gebildeten Lastkurve und einer Charakteristikkurve bei 20 C des FET 37 aufgesucht wird, kann der Anodenstrom I-_ des FET 37 unter gewünschten Bedingungen erhalten werden. Wie in Gleichung (7) angezeigt ist, ist es erforderlich, daß der Anodenstrom des FET 37 eine Temperaturcharakteristik proportional zur absoluten Temperatur T hat. Wie aus Figur 4 hervorgeht, kann eine solche Forderung leicht durch Änderung des Wertes R und durch Auswahl der Charakteristik des FET in geeigneter Weise erfüllt werden. Durch Verwendung von zwei Transistoren 36 und 39 mit gleicher Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung gegen den Kollektorstrom wird am Kollektor des Transistors 36 eine Konstantstromquelle gebildet, die einen Strom gleich dem Anodenstrom I des FET 37 erzeugt.

Die Klemmenspannungen V_ und V_v erhält man an den veränderliehen Widerständen 33 und 3^» welche jeweils entsprechend der Empfindlichkeit des Filmes und der Blende des Objektivs eingestellt werden können. Der veränderliche Widerstand 35» welcher entsprechend der Belichtungszeit eingestellt werden kann, ist hierdurch justiert, um den die Gleichung (15) befriedigenden Wert N zu erhalten. Wenn alle oben beschriebenen Bedingungen erfüllt sind, verwirklicht der Kollektorstrom
des Transistors 45 mit Expansion die richtige Belichtung
der Kamera.

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Die Spule 49 wird erregt, während der Zeitschalter 43 geschlossen ist. Wenn der Zeitschalter 43 geöffnet ist, wird der Kondensator 44 geladen, bis die Ladungsspannung die Klemmenspannung V der Zenerdiode 46 erreicht. Nach Erreichen der Klemmenspannung V wird die Erregung der Spule 49 beendet. Auf eine detaillierte Beschreibung der Beziehung zwischen dem Zeitschalter und der Spule in der Kamera wird verzichtet, da diese bekannt ist. Die Klemmenspannung V-. am Meßgerät 42, das zwischen den Kollektor des Transistors 4l und den Emitter des Transistors 31 geschaltet ist, wird durch folgende Gleichung ausgedrückt:

V-V +V-V
^VQ ^V0 ^{+ V}M ^VN

Da V proportional zur AFEX-Größe T der Belichtungszeit T ist, ist die Klemmenspannung V_Q des Meßgerätes entsprechend Gleichung (l6) proportional zu T . Das Niveau des Meßgerätes 42 kann beliebig durch die Spannung V _f die am veränderlichen Widerstand 32 zur Einstellung des Meßgerätes erzeugt wird, eingestellt werden.

Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, kann der Aufbau der photometrischen Schaltung durch die vorliegende Erfindung extrem vereinfacht werden. Darüber hinaus kann eine erhebliche Reduzierung der Herstellungskosten solcher Schaltungen erzielt werden. Die Schaltung" kann bei niedrigerer Spannung mit einem geringeren Energieverbrauch betrieben werden und weist eine gute Temperaturcharakteristik und eine gute reduzierte Spannungscharakteristik auf. Darüber hinaus zeigt die Schaltung für die Herstellungsstufe weitere vorteilhafte Merkmale, da die veränderlichen Einstellwiderstände der Schaltung in einem einzigen Bereich angeordnet werden können.

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Claims

- 13 - Pat ent ansprüche

1.) Photometrische Schaltung für eine elektronische Bestimmung der richtigen Belichtungszeit entsprechend der Szenenleuchtdichte, der Filmempfindlichkeit und den Blendeneinstellungen mit einem photoelektrischen Wandler zur Erzeugung eines von der Szenenleuchtdichte abhängigen Stromes, einem ersten Transistor _t dessen Kollektor mit dem photoelektrischen Wandler und dessen Basis mit dem Kollektor über eine Kollektor-Basis-Rückkopplungsschaltung hoher Eingangsimpedanz verbunden ist zur Erzeugung einer in Bezidmng zur APEX-Größe B der Leuchtdichte B der Szene stehenden Basis-Emitter-Spannung, mit einem Paar veränderlicher Widerstände zur jeweiligen Einstellung der Filmgeschwindigkeit und Blendenwerte in der Schaltung und mit einem zweiten Transistor zur Erzeugung eines Belichtungsregelstromes an dessen Kollektor in Abhängigkeit von der zwischen dessen Basis und Emitter anliegenden Spannung, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderlichen Widerstände (21, 22) in Reihe miteinander und in der Rückkopplungsschaltung zwischen dem Kollektor und der Basis des ersten Transistors (19) geschaltet sind, eine Konstantstromquelleneinrichtung (23) an die Serxenschaltung der veränderlichen Widerstände (21, 22) angelegt ist zur Erzeugung eines konstanten Stromes durch die veränderlichen Widerstände mit einem Wert, der veranlaßt, daß sie Spannungen an diesen Widerständen jeweils in Beziehung zu den APEX-GrÖßen S_v und A stehen, und daß der zweite Transistor (2k) mit seiner Basis-Emitter-Schaltung in einer Schaltungsschfeife mit den veränderlichen Widerständen. (21, 22) und der Basis-Emitter-Scfealtung des ersten. Transistors (19) geschaltet ist.

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2. Schaltung nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantstromquelleneinrichtung (23) einen Strom solcher Größe erzeugt, daß die Temperatur-Charakteristiken der hierdurch an den veränderlichen Widerständen (21, 22) erzeugten Spannungen pro Stufe der die Belichtung bestimmenden Faktoren jeweils im wesentlichen (KT/q) log 2 entsprechen, wobei K die

BoltzmamiAKonstante, q die elektrische Ladung eines Elektrons und T die absolute Temperatur ist.

3· Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die KonstantStromquelleneinrichtung einen dritten Transistor (36) aufweist, dessen Kollektor mit den in Reihe geschalteten veränderlichen Widerständen (32, 33, 34, 35) und dessen Emitter mit einer Quelle (50) eines Bezugspotentials verbunden ist, und eine Einrichtung zur Erzeugung einer von der absoluten Temperatur abhängigen, an dessen Basis anliegenden Spannung.

4. Schaltung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Erzeugung einer an der Basis des dritten Transistors (36) anliegenden Spannung eine Diode (39) und einen selbstvorgespannten, in Reihe mit der Spannrings quelle (50) geschalteten Feldeffekttransistor (37) aufweist, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem Feldeffekttransistor (37) und der Diode (39) mit der Basis des dritten Transistors (36) verbunden ist«

5· Schaltung nach Anspruch k_s dadurch gekennzeichnet, daß ein Belichtungszeitmesser (42) in einer Eexhenschaltiangsschleife mit der Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors (27) tmd den in Reihe geschalteten veränderlichen Widerständen (32, 33, 3^, 35) geschaltet ist.

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AS

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