DE261631T1 - Integrierter licht-geregelter und licht-geloeschter, statischer induktionsthyristor und sein herstellungsverfahren. - Google Patents
Integrierter licht-geregelter und licht-geloeschter, statischer induktionsthyristor und sein herstellungsverfahren.Info
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Claims (19)
1. Integrierter, durch Licht trigger- und löschbarer, statischer Influenzthyristor,
umfassend:
einen lichtgetriggerten statischen Influenzthyristor mit vergrabenem
Gate umfassend
Anodenbereiche eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einer ersten
Hauptfläche eines Substrats mit hohem spezifischem Widerstand ausgebildet sind,
Gatebereiche, die durch Bereiche vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildet
sind, die eine hohe Störstellendichte besitzen und teilweise in dem Substrat
in der Nähe einer zweiten Hauptfläche des Substrats mit hohem spezifischen
Widerstand vergraben sind,
eine Epitaxialschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit hohem spezifischen
Widerstand, die angeordnet ist, um die Gatebereiche zu vergraben,
einen Kathodenbereich vom zweiten Leitfähigkeitstyp mit hoher Störstellendichte
und ausgebildet durch Diffusion in die Epitaxialschicht,
Kathodenelektroden, die auf dem Kathodenbereich ausgebildet sind und
Fenster zum Eindringen von Lichttriggerimpulsen besitzen,
Gateelektroden, die auf den Gatebereichen angeordnet sind, und Anodenelektroden,
die auf der ersten Hauptfläche angeordnet sind,
einen gemeinsamen Drainbereich vom ersten Leitfähigkeitstyp mit hoher
Störstellendichte und teilweise in dem Substrat in der Nähe der zweiten Hauptfläche des Substrats vergraben;
erste und zweite Kanalbereiche mit hohem spezifischem Widerstand, die
ausgebildet sind, um den Drainbereich zu vergraben, und aus voneinander isolierten
Bereichen des zweiten Leitfähigkeitstyps bestehen;
erste und zweite Gatebereiche, die mit Abstand zueinander angeordnet, in
den ersten bzw. zweiten Kanalbereichen ausgebildet und vom zweiten Leitfähigkeitstyp
mit hoher Störstellendichte sind;
erste und zweite Sourcebereiche, die in den ersten bzw. zweiten Kanalbereichen
flach zwischen den ersten und zweiten Gatebereichen ausgebildet und vom ersten Leitfähigkeitstyp mit hoher Störstellendichte sind;
Isolierbereiche, die zwischen den Kathodenbereichen und den ersten Kanalbereichen
gebildet und vom zweiten Leitfähigkeitstyp mit hoher Störstellendichte sind;
Drainelektroden, die auf dem gemeinsamen Drainbereich ausgebildet sind;
erste und zweite Gateelektroden, die auf- den ersten bzw. zweiten Gatebereichen
ausgebildet sind;
erste und zweite Sourceelektroden, die auf den ersten bzw. zweiten
Sourcebereichen ausgebildet sind;
wobei die zweite Gateelektrode auf dem ersten Kanalbereich und die
zweite Sourceelektrode miteinander durch eine MetaIlverbindung verbunden sind,
die durch eine isolierende Schicht verläuft,
ein erster statischer Influenzphototransistor, der den gemeinsamen
Drainbereich, den ersten Kanalbereich, die ersten und zweiten Gatebereiche auf dem ersten Kanalbereich sowie den ersten Sourcebereich umfaßt, und ein zweiter
statischer Influenzphototransitor vorgesehen sind, der den gemeinsamen Drainbereich,
den zweiten Kanalbereich, die ersten und zweiten Gatebereiche auf dem zweiten Kanalbereich sowie den zweiten Sourcebereich umfaßt, wobei die beiden
Transistoren einen Darlingtonschaltkreis bilden;
die Gatelektroden des . lichtgetriggerten. statischen Influenzthyristors
mit vergrabenem Gate und die ersten Sourceelektroden miteinander über eine Metall verbindung, die durch eine isolierende Schicht verläuft, verbunden sind;
und
die Isolierbereiche den lichtgetriggerten, statischen Influenzthyristor
mit vergrabenem Gate gegenüber der Darlington-Schaltung elektrisch isolieren
und längs des Umfangs des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors mit
vergrabenem Gate und des Photo-Darlington-Schaltkreises angeordnet sind.
2. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierbereiche durch Ätzen des Substrats, das einen hohen spezifischen Widerstand
aufweist und den gemeinsamen Drainbereich von den vergrabenen Gatebereichen isoliert, gebildet ist.
3. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenbereiche gleichmäßig diffundierte Schichten sind, die die gleiche Tiefe besitzen.
4. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenbereiche in dem auf die erste Hauptfläche projizierten Bereich des Bereichs
ausgebildet sind, in dem die vergrabenen Gatebereiche und Isolierbereiche ausgebildet sind.
5. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer In-
fluenzthyristor gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor
ferner Bereiche mit hoher Störstellendichte und mit einer Leitfähigkeit invers
zu den Anodenbereichen aufweist, die flacher sind als die Anodenbereiche an der ersten Hauptfläche in dem Zwischenbereich, wo die Anodenbereiche ausgebildet
sind.
6. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenbereiche und die Bereiche mit hoher Störstellendichte und invertierter Leitfähigkeit
ebenfalls in dem auf die erste Hauptfläche projizierten Bereich des gemeinsamen Drainbereichs ausgebildet sind, in dem der Photodarlington-Schaltkreis
ausgebildet ist.
7. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Rasterabstand
zwischen zwei benachbarten Anodenbereichen kleiner als das Zweifache der Länge der Diffusionslänge L (2L) von Elektronen in der Nähe der
Anodenbereiche ist.
8. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratbereich mit hohem spezifischem Widerstand zwischen zwei der Anodenbereiche
im wesentlichen im Verarmungszustand aufgrund des Diffusionspotentisls zwischen den Anodenbereichen und den Substratbereichen mit hohem
spezifischen Widerstand gehalten ist.
9. Intergrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor ferner eine Pufferschicht besitzt, deren Leitfähigkeit zu derjenigen der Anodenbereiche
invers ist und die eine Störstellendichte von 10 bis 10 cm"
zwischen den Anodenbereichen und dem Substrat mit hohem spezifischen Widerstand aufweist.
10. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor ferner Bereiche mit hoher Störstellenkonzentration und einer Leitfähigkeit
invers zu derjenigen der Anodenbereiche umfaßt, die flacher als die Anodenbereiche
und in dem auf die erste Hauptfläche projizierten Bereich der Kathodenbereiche und des gemeinsamen Drainbereichs ausgebildet sind, wobei die
Anodenbereiche in dem verbleibenden Bereich der ersten Hauptfläche ausgebildet sind.
11. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer In-
fluenzthyristor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenbereiche
in dem auf die erste Hauptfläche projizierten Bereich der Kathodenbereiche
ausgebildet sind und der Thyristor ferner Bereiche mit hoher Störstellenkonzentration
und invers leitfähig zu den Anodenbereichen in dem verbleibenden Bereich der ersten Hauptfläche mit einer Tiefe ähnlich derjenigen der
Anodenbereiche ausgebildet umfaßt.
12. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch Ii, dadurch gekennzeichnet, daß die Anodenbereiche
und die Bereiche mit hoher Störstellenkonzentration und einer Leitfähigkeit
invers zu derjenigen der Anodenbereiche auf der Fläche ausgebildet sind, die mit dem Substrat hohen spezifischen Widerstandes in Kontakt steht,
wobei der Thyristor ferner eine Pufferschicht aufweist, die invers leitfähig in Bezug auf die Anodenbereiche ist und eine gleichmäßige Dicke besitzt.
13. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor ferner Anodenbereiche umfaßt, die in dem auf die erste Hauptfläche projizierten
Bereich der Kathodenbereiche ausgebildet sind, und die Isolierbereiche, Bereiche mit hoher Störstellendichte und invers leitfähig zu den Anodenbereichen,
eine geringere Tiefe als die Anodenbereiche besitzen und in dem auf die erste Hauptfläche projizierten Bereich des Drainbereichs ausgebildet sind, und
Bereiche mit hoher Störstellendichte und invers leitfähig zu den Anödenbereichen
eine geringere Tiefe als die Anodenbereiche besitzen und in dem auf die
erste Hauptfläche projizierten Bereich der Kathodenbereiche und der Bereiche der vergrabenen Gates ausgebildet sind.
14. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
17 -3
daß die Störstellendichte der Anodenbereiche geringer als 10 cm ist.
daß die Störstellendichte der Anodenbereiche geringer als 10 cm ist.
15. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
(LTQSI-Thyristor) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schwermetall in den LTQSI-Thyristor eindiffundiert
oder der LTQSI-Thyristor mit einem Elektronen-, Gamma- oder Protonenstrahl bestrahlt ist, um die Lebensdauer der Minoritätsträger in der Nähe der Anodenbereiche
zu verkürzen.
16. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor ferner Infrarotausschnittfilter umfaßt, die auf der Oberfläche
zum Empfangen der Lichtlöschimpulse für den statischen Influenzphoto-
transistor montiert sind, der Teil des Photodarlington-Schaltkreises ist, und
ein Durchlaßband zwischen der spektralen Wellenlänge des Ansprechmaximums des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors und der spektralen Wellenlänge
des Ansprechmaximums des statischen Influenzphototransistors besitzen.
17. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das triggernde und das löschende Licht auf den statischen Influenzphototransitor
über ein einziges Lichtübertragungsmedium übertragen wird, wobei Licht mit Wellenlängen in der Nähe der spektralen Wellenlängen des Ansprechmaximums
zur Bestrahlung während Einschalt- bzw. Ausschaltzeiten verwendet wird.
18. Integrierter lichtgetriggerter und lichtgelöschter statischer Influenzthyristor
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodarlington-Schaltkreis, von dem ein Teil durch den statischen
Influenzphototransistor gebildet wird, einen kleineren Bereich als derjenige
des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors mit vergrabenem Gate besitzt.
19. Herstellungsverfahren des integrierten lichtgetriggerten und lichtgelöschten
statischen Influenzthyristors gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Methode ein erstes Verfahren zur Ausbildung der Anodenbereiche, Bereiche der vergrabenen Gates und des Drainbereichs des statischen
Influenzphototransistors durch Eindiffundieren einer Verunreinigung eines ersten
Leitfähigkeitstyps in das Halbleitersubstrat, das eine Verunreinigung eines zweiten Leitfähigkeitstyps geringer Dichte enthält, ein zweites Verfahren zur Ausbildung einer Epitaxialschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und
einer Epitaxialschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps mit hohem spezifischem Widerstand, ein drittes Verfahren zur gleichzeitigen Ausbildung der Kathodenbereiche
und Emitterbereiche des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors
als auch der Gatebereiche und Isolierbereiche des statischen Influenzphototransistors
durch Eindiffundieren einer Verunreinigung des ersten Leitfähigkeitstyps, ein viertes Verfahren zur Bildung von Diffusionsfenstern zur
Ausbildung der Sourcebereiche des statischen Influenzphototransistors, Ablagerung
einer polykristallinen Siliziumschicht mit niedriger Störstellendichte, Ausbildung der Sourcebereiche durch Eindiffundieren einer Verunreinigung des
ersten Leitfähigkeitstyps durch die polykristalline Siliziumschicht und Ätzen des polykristallinen Siliziums zur Ausbildung von polykristallinen Siliziumelektroden,
ein fünftes Verfahren zum Anbringen von Maskenmaterial wie einen
Siliziumnitridfilm auf das Halbleitersubstrat, um die Epitaxialschicht mit
hohem spezifischem Widerstand zwischen den Bereichen der vergrabenen Gates und den Kathodenbereichen des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors von
den ersten und zweiten Kanalbereichen mit hohem spezifischem Widerstand des
statischen Infiuenzphototransistors und den Isolierungsdiffusionsbereichen zu isolieren, und Ätzen der Epitaxialschicht und der Epitaxialschicht mit hohem
spezifischem Widerstand zum teilweisen Freilegen der Bereiche der vergrabenen
Gates des lichtgetriggerten statischen Influenzthyristors und des Drainbereichs,
ein sechstes Verfahren zum Durchführen einer Ionenimplantation und
Tempern der Verunreinigung vom ersten Leitfähigkeitstyp in die an den Oberflächen
freiliegenden Bereiche der Bereiche der vergrabenen Gates des lichtgetriggerten
statischen Influenzthyristors und des Drainbereichs des statischen
Infiuenzphototransistors, ein siebtes Verfahren zur Ausbildung der Kathodenelektroden,
Gateelektroden und Anodenelektroden des lichtgetriggerten
statischen Influenzthyristors und erste und zweite Sourceelektroden, erste und
zweite Gateelektroden und Draineelektroden des statischen Infiuenzphototransistors,
und ein achtes Verfahren zum Ausbilden der Kontaktlöcher nach Bildung
eines isolierenden Zwischenfilms auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats
und Bildung einer ersten Elektrodenverbindung zum Verbinden der Gateelektroden des lichtgetriggerten statischen Infiuenzphototransistors mit den ersten
Sourceelektroden des statischen Infiuenzphototransistors und einer zweiten Elektrodenverbindung zum Verbinden der ersten Gateelektroden des statischen
Infiuenzphototransistors mit den zweiten Sourceelektroden des statischen Infiuenzphototransistors
umfaßt.
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Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4992847A (en) * | 1988-06-06 | 1991-02-12 | Regents Of The University Of California | Thin-film chip-to-substrate interconnect and methods for making same |
| JPH02109366A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-23 | Yazaki Corp | 集積化光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタ |
| JP2693566B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1997-12-24 | 関西電力株式会社 | パルス発生装置 |
| JPH0723968Y2 (ja) * | 1989-06-26 | 1995-05-31 | 矢崎総業株式会社 | 集積化光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタ |
| WO1991003842A1 (fr) * | 1989-08-31 | 1991-03-21 | Nippondenso Co., Ltd. | Transistor bipolaire a grille isolee |
| US5095348A (en) * | 1989-10-02 | 1992-03-10 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor on insulator transistor |
| DE4025269A1 (de) * | 1990-02-07 | 1991-08-08 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US5281847A (en) * | 1990-06-12 | 1994-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushik Kaisha | Groove structure for isolating elements comprising a GTO structure |
| JP3321185B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2002-09-03 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
| JP3023858B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-03-21 | 矢崎総業株式会社 | 光静電誘導サイリスタの駆動回路 |
| JPH0575110A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| EP0619921A1 (de) * | 1991-12-23 | 1994-10-19 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2509127B2 (ja) * | 1992-03-04 | 1996-06-19 | 財団法人半導体研究振興会 | 静電誘導デバイス |
| FR2688941B1 (fr) * | 1992-03-20 | 1994-06-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Interrupteur de tension alternative a declenchement sur une alternance determinee et conduction par periode. |
| JPH06196723A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5608244A (en) * | 1992-04-28 | 1997-03-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor diode with reduced recovery current |
| CN1056248C (zh) * | 1992-09-12 | 2000-09-06 | 朱文有 | 一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件 |
| US5599735A (en) * | 1994-08-01 | 1997-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping |
| US5422286A (en) * | 1994-10-07 | 1995-06-06 | United Microelectronics Corp. | Process for fabricating high-voltage semiconductor power device |
| US6507070B1 (en) * | 1996-11-25 | 2003-01-14 | Semiconductor Components Industries Llc | Semiconductor device and method of making |
| US6154477A (en) * | 1997-05-13 | 2000-11-28 | Berkeley Research Associates, Inc. | On-board laser-triggered multi-layer semiconductor power switch |
| US6218682B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-04-17 | Optiswitch Technology Corporation | Optically controlled thyristor |
| DE10016233A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Siemens Ag | Abschaltbarer Thyristor |
| US6770911B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-08-03 | Cree, Inc. | Large area silicon carbide devices |
| DE10230184A1 (de) | 2002-07-05 | 2004-01-22 | Zf Friedrichshafen Ag | Getriebeschaltung |
| US7033873B1 (en) * | 2002-09-18 | 2006-04-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods of controlling gate electrode doping, and systems for accomplishing same |
| JP2006518107A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-08-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置及びそのような装置の製造方法 |
| US7057214B2 (en) * | 2003-07-01 | 2006-06-06 | Optiswitch Technology Corporation | Light-activated semiconductor switches |
| TWI237905B (en) * | 2004-04-08 | 2005-08-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Manufacturing method of photodiode |
| US7582917B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-09-01 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Monolithically integrated light-activated thyristor and method |
| US9153674B2 (en) * | 2009-04-09 | 2015-10-06 | Infineon Technologies Austria Ag | Insulated gate bipolar transistor |
| JP2011023527A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US9633998B2 (en) | 2012-09-13 | 2017-04-25 | General Electric Company | Semiconductor device and method for making the same |
| CN105895677B (zh) * | 2014-10-21 | 2019-08-06 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体器件的背面结构 |
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| CN106783982B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-12-06 | 西安电子科技大学 | 一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法 |
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| JPS6019150B2 (ja) * | 1979-10-05 | 1985-05-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5762561A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Hitachi Ltd | Static induction type semiconductor switching element |
| JPS5940576A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Junichi Nishizawa | フオトサイリスタ |
| JPH0779159B2 (ja) * | 1984-03-22 | 1995-08-23 | 潤一 西澤 | 光トリガ・光クエンチ可能なサイリスタ装置 |
| JPS60226179A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | サイリスタの短絡構造 |
| JPS6154668A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-18 | Semiconductor Res Found | 光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタ |
| US4721682A (en) * | 1985-09-25 | 1988-01-26 | Monolithic Memories, Inc. | Isolation and substrate connection for a bipolar integrated circuit |
| JPS62111470A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Semiconductor Res Found | 集積化光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタの製造方法 |
| JP3240313B2 (ja) * | 1992-11-18 | 2001-12-17 | 日清ファルマ株式会社 | 高粘度液体を微粒子化する方法およびそのための装置 |
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