DE2149196C2 - Verfahren und Lösung zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen - Google Patents
Verfahren und Lösung zum Ätzen von Kupfer oder KupferlegierungenInfo
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Description
(V)
worin X, X' und X", die gleich oder verschieden sein können, Wasserstoff, Aminogruppen, Aminoalkylgruppen
mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen und Alkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeuten, enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Azolverbindung
1,2,4-Triazol,
3-Methyl-l,2,4-triazol,
3,5-Dimethyl-1,2,4-triazol,
1 -Amino-1,2,4-triazol,
3-Amino-1,2,4-triazol,
5-Amino-3-methyl-1,2,4-triazol,
3-(ß- Aminoäthyl)-1,2,4-triazol, 3-Isopropyl-l, 2,4-triazol,
1,2,3-Triazol,
1-Methyl-1,2,3-triazol,
1 -Amino-1,2,3-triazol,
1 - Amino-5-methyl-1,2,3-triazol, 4,5-Dimethyl-1,2,3-triazol,
1 - Amino-5-(n)-propyl-1,2,3-triazol, 1 -(^-Aminoäthyl)-1,2,3-triazol,
Benzotriazol,
1 -Methyl-benzotriazol,
1 -Amino-benzotriazol,
1 -Äthyl-benzotriazol,
Tetrazol,
1-Methyl-tetrazol,
2-Methyl-tetrazol,
5-Amino-tetrazol,
5-Amino-1 -methyl-tetrazol und/oder
1 -(/?-Aminoäthyl)-tetrazol
verwendet.
1 -(/?-Aminoäthyl)-tetrazol
verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Halogenid Fluorwasserstoff
oder dessen Salze, Chlorwasserstoff oder dessen Salze, Bromwasserstoff oder dessen Salze,
Jodwasserstoff oder dessen Salze, ein Oxid des Fluors, Chlors, Broms oder Jods, eine Oxysäure des
Chlors, Broms oder Jods bzw. deren Salze, Dichlorisocyanursäure oder deren Salze, 1 -Chlordiäthyläther,
ein organisches Säurehalogenid oder ein Gemisch hiervon verwendet.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Ätzlösung
verwendet, in der die Konzentration des Peroxysulfats 5% bis zu der Löslichkeitsgrenze beträgt, die
Konzentration der Azole im Bereich von 10 bis 10 000 ppm und die Konzentration der gegebenenfalls
vorliegenden Halogenide im Bereich von 0,1 bis 1000 ppm liegt.
5. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zum Ätzen von Kupfer oder
dessen Legierungen bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen, Druckplatten oder Bestandteilen
elektrischer Anlagen.
6. Ätzlösung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet
durch die Merkmale der Ansprüche 1 bis 4.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen mit Hilfe einer sauren
wäßrigen Lösung eines Peroxysulfats, die gegebenenfalls ein oder mehrere Halogenide enthält, sowie eine
Ätzlösung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Bei der Herstellung von gedruckten Schaltkreisen, Druckplatten, Bestandteilen elektrischer Anlagen und
dergleichen erfolgt in weitem Ausmaß ein Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen. So wird z. B. bei der
Herstellung von gedruckten Schaltkreisen eine Folie
aus einem elektrisch leitenden Metall (normalerweise aus Kupfer) auf ein elektrisch isolierendes Material, z. B.
ein Epoxy- oder Phenolharz, aufgeklebt, worauf ein Teil der Oberfläche der Folie, die später den Schaltkreis
bildet, mit einem Abdeckmaterial bedeckt wird, welches gegenüber einer Ätzlösung beständig ist. Der übrige
Teil der Folie, der mit dem Abdeckmaterial nicht bedeckt ist, wird angeätzt, wodurch eine Platte für einen
gedruckten, elektrischen Schaltkreis erhalten wird. Während als Abdeckmaterialien im allgemeinen Substanzen,
wie Farbe, organische, lichtempfindliche Harze und dergleichen, verwendet werden, sind in den letzten
Jahren die Anforderungen für gedruckte Schaltkreise mit durchgehenden Löchern für industrielle elektronische
Vorrichtungen steigend und die Verwendung von metallischen Abdeckmaterialien, wie Lötmetalle, Gold,
Gold-Nickel-Legierungen, Rhodium, Zinn-Nickel-Legierungen und dergleichen, ist gebräuchlicher geworden.
Ätzlösungen für Kupfer und dessen Legierungen sind im allgemeinen Lösungen von Peroxysulfaten, Mischlösungen
von Hydroperoxid und Schwefelsäure, Mischlösungen von Chromsaureanhydrid und Schwefelsäure,
Lösungen von Eisen(III)-chIorid, Lösungen von Kupfer(II)-chlorid sowie Lösungen von Natriumchlorit.
Wenn man von diesen bekannten Ätzmitteln Mischlösungen von Chromsaureanhydrid und Schwefelsäure,
oder Lösungen von Etsen(III)-chlorid verwendet, dann werden Abfallflüssigkeiten gebildet, welche große
Mengen von Metallionen, nämlich von Kupfer- und Chromionen bzw. von Kupfer- und Eisenionen, enthalten.
Wegen der großen, Schwierigkeiten, die bei der vollständigen Entfernung dieser Metalle aus den
Abwässern auftreten, stellt die Behandlung und die Abgabe solcher Abwasser ein großes wirtschaftliches
Problem dar.
Dagegen sind Peroxysulfat-Lösungen milde und daher vorzuziehende Ätzmittel, die keine schädlichen
Gase erzeugen und die leicht gehandhabt werden können. Darüber hinaus ist in den Abwässern des
Ätzvorganges als Metall lediglich Kupfer allein vorhanden, so daß anders bei den genannten Mischlösungen
von Chromsaureanhydrid und Schwefelsäure oder von Eisen(III)-chlorid-Lösungen die Entfernung
des Kupfers aus den Abwässern einfach ist. Es ist außerdem möglich, die verbrauchten Ätzmittel zu
regenerieren und wieder zu verwenden. Da schließlich Peroxysulfat-Lösungen die Nachteile der anderen
Ätzmittel nicht haben, werden sie gegenüber anderen Ätzmitteln als bevorzugt erachtet. Die Ätzung von
metallischen Oberflächen mit Peroxysulfat-Lösungen, die eine Mineralsäure, z. B. Schwefelsäure, Phosphorsäure
und dergleichen, enthalten, ist bereits untersucht worden. So ist beispielsweise in der bekanntgemachten
japanischen Patentanmeldung 9463/64 das Ätzen mit einer Peroxymonosulfat-Lösung beschrieben. Aus den
bekanntgemachten japanischen Patentanmeldungen 1620/61, 16 008/61, 27 517/64, 16 409/65 und 11 324/66
ist das Ätzen unter Verwendung einer Peroxydisulfat-Lösung bekannt.
Die Verwendung von Peroxysulfat-Lösungen zum Ätzen von Kupfer hat zwar zahlreiche Vorteile
gegenüber vorher bekannten Ätzverfahren, ihre industrielle Anwendung ist jedoch durch die zu geringe
Ätzgeschwindigkeit eingeschränkt. Zur technischen Durchführung des Ätzens mit einer Peroxy sulfat-Lösung
ist es daher erforderlich, die Ätzgeschwindigkeit durch den Zusatz von katalytisch wirksamen Verbindungen
von Metallen, die edler als Kupfer sind, insbesondere von Quecksilbersalzen, zu erhöhen
(DE-AS 10 72 859). Bei diesem bekannten Verfahren wirken die Ionen von Metallen, die edler als Kupfer sind,
durch ihr Oxydationsvermögen gegenüber Kupfer. Die Verwendung von Edelmetallsalzen ist jedoch unerwünscht,
da sie das Ätzverfahren so stark verteuert, daß es unwirtschaftlich wird. Werden dagegen Blei- oder
Quecksilbersalze verwendet, so führt ihre Anwesenheit in Abwässern zu außerordentlichen Problemen hinsichtlich
der Umweltverschmutzung. In jedem Fall ist es erforderlich, die Schwermetallionen in einer zusätzlichen
Verfahrensstufe aus den verbrauchten Ätzlösungen zu entfernen, bevor diese abgeleitet werden können.
Der Zusatz von Alkalihalogeniden zu Peroxysulfatlösungen
zum Ätzen von Kupfer ist im Zusammenhang mit dem Ätzen von photographischen Druckplatten aus
der US-PS 32 16 873 bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren ist es zum Erzielen der gewünschten
Wirkung jedoch erforderlich, der Persulfat enthaltenden Ätzlösung außerordentlich hohe Mengen an Halogerüdionen
wie 1 bis 20%, zuzusetzen. Dies führt einerseits zu einem sehr hohen Reagenzienverbrauch, andererseits
zur Notwendigkeit, die Ätzlösungen in einer zusätzlichen Verfahrensstufe aufzuarbeiten. Darüber hinaus ist
es bei dem bekannten Verfahren notwendig, während der Ätzung ergänzende Mengen der Halogenide
zuzusetzen, um stets eine bestimmte Konzentration auf rechtzuerh alten.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Lösung zum Ätzen
von Kupfer und Kupferlegierungen auf Basis einer sauren wäßrigen Peroxysulf at-Lösung zur Verfügung zu
stellen, bei der die Ätzgeschwindigkeit mit Hilfe eines Zusatzstoffes außerordentlich gesteigert wird, der
während langer Dauer wirksam ist und seine Wirksamkeit während anhaltender Durchführung des Verfahrens
beibehält, wirtschaftlich ist, nicht toxisch ist und keine schwerwiegenden Verunreinigungen der Abwässer
verursacht.
Gegenstand der Erfindung ist demnach ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen mit
Hilfe einer sauren wäßrigen Lösung eines Peroxysulfats, die gegebenenfalls ein oder mehrere Halogenide
enthält, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Lösung zusätzlich mindestens eine Azolverbindung der allgemeinen
Formel
(Π)
2\ 49 196
N-—N
N
N
N
X'
(IV)
(IV)
(V)
worin X, X' und X", die gleich oder verschieden sein können, Wasserstoff, Aminogruppen, Aminoalkylgruppen
mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen und Alkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeuten, enthält.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem eine Ätzlösung zur Durchführung dieses Verfahrens, welche
durch die vorstehenden Merkmale gekennzeichnet ist.
Als Beispiele für Azole der Formel (I) können genannt werden:
1,2,4-Triazol,
3-Methyl-1,2,4-triazol,
3,5-Dimethyl, 1,2,4-triazol,
1 -Amino-1,2,4-triazol,
3-Amino-1,2,4-triazol,
5- Amino-3-methyl-1,2,4-triazol,
3-(j3- Aminoäthyl)-1,2,4-triazol und
S-Isopropyl-l^-triazol.
Als Beispiele für Azole der Formel (H) können genannt werden:
1,2;3-Triazol,
1-Methyl-1,2,3-triazol,
1 -Amino-1,2,3-triazol,
1 - Amino-5-methyl-1,2,3-triazol,
4,5-Dimethyl-l,2,3-triazol,
1 - Amino-5-(n)-propyl-1,2,3-triazol und
1 -(ß- Aminoäthyl)-1,2,3-triazol.
Als Beispiele für Azole der Formel (III) können genannt werden:
Als Beispiele für Azole der Formel (III) können genannt werden:
Benzotriazol,
1 -Methylbenzotriazol,
1 - Aminobenzotriazol und
1 -Äthylbenzotriazol.
Als Beispiele für Azole der Formeln (IV) und (V) können genannt werden:
Tetrazol,
1 -Methyl-tetrazol,
2-Methyl-tetrazol,
5-Amino-tetrazol,
5-Amino-1 -methyl-tetrazol und
1 -(/?-Aminoäthyl)-tetrazol.
Es war zwar bereits bekannt, beim Ätzen von Photodruckplatten Halogenide zu Peroxysulfat-Lösungen
zuzugeben, um die Ätzgeschwindigkeit zu steigern. Bei den bekannten Verfahren ist jedoch eine außerordentlich
hohe Zusatzmenge erforderlich. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können die vorstehend
genannten Azolverbindungen auch Peroxysulf at-Lösungen zugesetzt werden, die als weiteren Zusatz
Halogenide enthalten. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung tritt jedoch offensichtlich eine andere
Wirkung ein, als bei der bekannten Anwendung von Halogeniden als Zusatz zu Peroxysulfat-Lösungen, da
die Halogenide beim Zusatz zu den Peroxysulfat-Ätzlösungen
zusammen mit der Azolverbindung bereits in extrem geringen Mengen eine überraschende Steigerung
der Ätzgeschwindigkeit verursachen.
Beispiele für erfindungsgemäß geeignete Halogenide sind diejenigen, die in der Ätzflüssigkeit Halogenionen
freisetzen können, oder diejenigen, die durch Peroxysulfat unter Freisetzung von Halogenionen oder von
gasförmigen Halogenen oxydativ zersetzt werden.
Als Beispiele können somit genannt werden: Anorganische Halogenide, wie Fluorwasserstoff und dessen
Salze, Chlorwasserstoff und dessen Salze, Bromwasserstoff und dessen Salze sowie Jodwasserstoff und dessen
Salze, die Oxide des Fluors, Chlors, Broms und Jods, die Oxysäuren des Chlors, Broms und Jods sowie deren
Salze, und die organischen Halogenide, wie Dichlorcyanursäure und deren Salze, 1-Chlordiäthyläther und
organische Säurehalogenide.
Es wurde gefunden, daß beim Auflösen der hierin genannten Azole, die eine primäre Komponente des
Additivs darstellen, entweder für sich oder in verschiedenen Kombinationen mit den genannten Halogeniden,
die eine sekundäre Komponente des Additivs darstellen, in der Ätzflüssigkeit eine erhebliche Steigerung der
Ätzgeschwindigkeit erfolgt.
Selbst wenn lediglich die oben definierten Azolverbindungen der Peroxysulfat-Ätzlösung zugesetzt werden,
dann wird im Vergleich zur Verwendung von zusatzfreien Ätzflüssigkeiten ein erheblicher Effekt
erreicht, der für die Ziele der vorliegenden Erfindung bereits ausreicht. Die Verwendung von Halogeniden als
sekundäre Komponente zusammen mit den Azolverbindungen ergibt jedoch eine Verstärkung der Wirkung
und eine Verbesserung der praktischen Brauchbarkeit.
Es wurde überraschenderweise festgestellt, daß durch
Verwendung der erfindungsgemäßen Ätzlösung die Ätzgeschwindigkeit und das Ätzverhalten ungleich
besser ist als bei der Verwendung der bekannten, Quecksilber enthaltenden Ätzlösungen.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen werden eine oder mehrere Azolverbindungen
der angegebenen allgemeinen Formeln einer Ätzlösung in Mengen von 5 ppm bis zur maximalen
Löslichkeit, vorzugsweise in Mengen von 10 bis 10 000 ppm, zugesetzt. Der Lösung können weiterhin als
sekundäre Komponenten ein oder mehrere der genannten Halogenide in Mengen von 0,1 ppm bis
1000 ppm, vorzugsweise von 0,1 ppm bis 50 ppm, in Form der Halogenionen zugesetzt werden.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen können die Azolverbindungen als
primäre Komponenten und die Halogenide als sekundäre Komponenten entweder getrennt zu der Ätzlösung
zugegeben werden oder man kann so vorgehen, daß man eine zuvor bereitete wäßrige Lösung der primären
und sekundären Komponenten zu der Ätzlösung zugibt. In beiden Fällen werden ausgezeichnete Ergebnisse
erhalten.
Obgleich der Zusatz der Azole und der Halogenidverbindungen
in Mengen oberhalb der obengenannten Bereiche keine wesentlichen Nachteile mit sich bringt,
wobei die Ätzgeschwindigkeit unverändert und zufrie-
denstellend beibehalten wird, ist ein derartiges Vorgehen aus wirtschaftlichen Gründen nicht zweckmäßig.
Dagegen dienen bei der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösung die Halogenide lediglich als sekundäre
Komponente des Additivs und die verwendeten Mengen sind im Vergleich zu der bekannten Ätzlösung
sehr gering, d. h. ihre Menge beträgt nur ungefähr 1/1000 der dort verwendeten Mengen. Ferner ergibt die
erfindungsgemäß verwendete Ätzlösung hinsichtlich der Ätzgeschwindigkeit gegenüber den bekannten
Ätzlösungen eine mindestens dreifache Verbesserung. Der später erläuterte Ätzfaktor wird gegenüber den
bekannten Ätzlösungen mindestens verdoppelt.
Bei der Verwendung der bekannten Quecksilber-Katalysatoren ist es bekannt, daß die Zumischung von
Chloriden, z. B. derjenigen, die in Stadt-Wasser-Systemen enthalten sind, Nachteile, wie die drastische
Verringerung der Ätzgeschwindigkeit, die Bildung von üblen Gerüchen und dergleichen, mit sich bringt.
Dagegen bringt die Anwesenheit von Chloriden in den erfindungsgemäß verwendeten Ätzflüssigkeiten solche
Nachteile nicht mit sich, sondern bewirkt eine erhebliche Steigerung der Wirkung der primären
Komponenten.
Die erfindungsgemäß verwendeten Additive besitzen zwar eine ausgezeichnete Stabilität, wenn sie über
verlängerte Zeiträume in einer Peroxysulfat-Ätzlösung vorliegen, doch werden sie aufgrund einer allmählichen
oxydativen Zersetzung durch die stark oxydierenden Peroxysulfat-Verbindungen in Abbauprodukte umgewandelt.
Gleichermaßen werden die Halogenide der sekundären Komponente unter Freisetzung von gasförmigen
Halogenen allmählich oxydiert.
Hierdurch kann eine Verminderung der Ätzgeschwindigkeit erfolgen, die aber ohne weiteres unter
Wiederherstellung der ursprünglichen Geschwindigkeit behoben werden kann, wenn man zu der Ätzlösung von
neuem die Azole, gegebenenfalls in Kombination mit den Halogeniden, zusetzt.
Dabei wurde festgestellt, daß die durch die Oxydation entstehenden Zersetzungsprodukte die chemische Stabilität
der Azole erhöhen, wodurch es möglich ist, die Mengen der frisch zugesetzten Azolverbindungen
gering zu halten.
Wenn man das Ätzen über mehrere Wochen mit den erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen durchführt,
die die definierten Azolverbindungen, gegebenenfalls in Kombination mit den Halogeniden, enthalten, dann
kann eine Abnahme der Ätzgeschwindigkeit festgestellt werden, die von der Abnahme der Peroxysulfat-Konzentration
in der Ätzlösung bedingt ist. Diese Abnahme ist auf die Umsetzung des Peroxysulfats mit dem Kupfer
zurückzuführen. Die Abnahme der Ätzgeschwindigkeit hat in diesem Fall somit nichts mit den Zusatzstoffen zu
tun und sie kann ohne weiteres durch Zugabe von Peroxysulfaten beseitigt werden, ohne daß nachteilige
Wirkungen und Verzögerungen aufgrund der Ansammlung von Kupfer auftreten.
Beim Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen bei der Herstellung von Platten für gedruckte Stromkreise
muß eine Anzahl von Faktoren in Erwägung gezogen werden. Solche Faktoren sind z. B. die Geschwindigkeit,
mit der das Ätzmittel das Kupfer auflöst, der Ätzfaktor, das Auftreten von passiven Metalloberflächen nach dem
Ätzen, die Temperatur, bei welcher das Ätzen erfolgt sowie die Wirkungen der Ätzlösungen und der Additive
auf die Materialien der Grundplatten für die gedruckten Stromkreise und die Ätzeinrichtungen. Das Ätzen
gemäß der vorliegenden Erfindung erfüllt sämtliche dieser Bedingungen.
Bei der Verwendung von Zusatzstoffe enthaltenden Ätzlösungen gemäß der Erfindung beträgt die Ätzgeschwindigkeit
des Kupfers 17 bis 45 μπι pro Minute. Diese Geschwindigkeit ist überraschenderweise 5- bis
15mal so groß als bei der Verwendung von zusatzstofffreien
Ätzlösungen. In diesem Falle beträgt die
ίο Geschwindigkeit normalerweise 3 bis 4 μπι pro Minute.
Der hierin genannte Ätzfaktor stellt das Verhältnis
der senkrecht geätzten Tiefe zum maximalen inneren Spielraum unter dem Abdeckmaterial, gemessen von
der geätzten senkrechten Ebene, dar. Bei dem Verfahren der Erfindung liegt der Ätzfaktor im Bereich
von 2,5 bis 3,5 im Vergleich zu einem Wert von 0,3 bis 0,4, der bei Verwendung von zusatzfreien Ätzlösungen
erhalten wird. Somit ist das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Grundplatten für gedruckte
Präzisionsschaltungen mit einer extrem feinen Schaltkreisbreite geeignet.
Beim Ätzen von Grundplatten für gedruckte Schaltkreise mit beständigen Metallen können ausgezeichnete
Ätzwirkungen erhalten werden, ohne daß irgendwelche Verfärbungen der beständigen Metalloberflächen erhalten
werden.
Hinsichtlich der Ätztemperatur wird es aufgrund der Tatsache, daß die herkömmlichen Ätzeinrichtungen
hauptsächlich aus Kunststoffen bestehen, bevorzugt, bei niederen Temperaturen zu arbeiten. Bei der Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens werden schon bei solchen niedrigen Temperaturen hohe Ätzgeschwindigkeiten
erreicht, die bei Verwendung der herkömmlichen, Quecksilber enthaltenden Ätzflüssigkeiten nicht
erzielbar sind. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung kann daher schon bei Raumtemperatur bequem
durchgeführt werden.
Da die erfindungsgemäß verwendete Ätzlösung keine besonderen Einflüsse auf die Materialien der Platten der
gedruckten Schaltungen und der Ätzeinrichtungen ausübt, kann das Verfahren mit allen herkömmlichen
Materialien und Einrichtungen ausgeführt werden.
Neben Kupfer können auch Kupferlegierungen, wie Messing, Bronze, Berylliumkupfer, Konstantan und
dergleichen, gemäß der Erfindung geätzt werden.
Als Beispiele für in den erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen eingesetzte Peroxysulfate können
genannt werden: Ammonium-, Kalium-, Natrium- und Lithiumperoxymonosulfat und Ammonium-, Kalium-,
Natrium-, Barium-, Lithium- und Strontiumperoxydisulfat. Von diesen Verbindungen werden besonders
Ammoniumperoxymonosulfat und Ammoniumperoxydisulfat bevorzugt.
Die verwendete Ätzlösung enthält das Peroxysulfat in Mengen von 5 Gew.-°/o bis zur maximalen Löslichkeit,
vorzugsweise von 5 bis 25 Gew.-% sowie erforderlichenfalls Orthophosphorsäure und/oder Schwefelsäure
in Mengen von 0,5 bis 15 Gew.-%. Die erfindungsgemäß
verwendete Ätzlösung enthält weiterhin als Additiv wenigstens eine Azolverbindung der angegebenen Art
als primäre Komponente in Mengen von 5 ppm bis zur maximalen Löslichkeit, vorzugsweise von 10 bis
10 000 ppm, und zwar entweder für sich oder zusammen
mit wenigstens einer Halogenverbindung in Mengen von 0,1 ppm bis 1000 ppm, vorzugsweise von 0,1 ppm bis
50 ppm, in Form von Halogenionen.
Bei dem Verfahren der Erfindung beträgt die Ätztemperatur 20 bis 80°C, vorzugsweise 20 bis 50" C.
230 217/67
Eine Erhöhung der Ätztemperatur, um die Ätzgeschwindigkeit zu steigern, ist nicht zweckmäßig, da
aufgrund einer beschleunigten Zersetzung des Peroxysulfats und einer beschleunigten Oxydation, Zersetzung
und Verflüchtigung der Azole und der Halogenide hierdurch die Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit
nachteilig beeinflußt wird.
Durch das Verfahren der Erfindung können im
Durch das Verfahren der Erfindung können im
10
Vergleich zu der Verwendung von zusatzfreien Ätzlösungen erhebliche Verbesserungen der fertigen
Materialien erzielt werden. Darüber hinaus werden nicht nur Vorteile hinsichtlich der Ätzgeschwindigkeit
> und des Endzustands erreicht, sondern auch die Möglichkeit einer Verunreinigung von Flüssen mit
Quecksilber vollständig ausgeschaltet.
Die Erfindung wird in den Beispielen erläutert.
Die Erfindung wird in den Beispielen erläutert.
Beispiele 1 bis
Auf folgende Weise wurde ein Schaltkreismuster hergestellt: Auf eine mit Kupfer bedeckte Laminatplatte
mit den Abmessungen 5 cm χ 5 cm, in welcher eine Kupferfolie von 35 μπι eng laminiert war, wurde ein
organisches, lichtempfindliches Harz aufgebracht. Sodann wurde auf das resultierende Substrat ein
photographisches Negativ aufgelegt. Unter Verwendung einer Quecksilberlampe wurde sodann belichtet
und der nicht belichtete Teil wurde mit einem Mischlösungsmittel aus Trichloräthylen und Methylenchlorid
entfernt.
Es wurde eine Lösung hergestellt, die 250 g/l Ammoniumperoxydisulfat und 50 ml/1 einer 75gew.-%igen
wäßrigen Lösung von Orthophosphorsäure enthielt. Zu der resultierenden Lösung wurde als Additiv
3-Amino-l,2,4-triazol entweder flüssig oder in Kombination mit Natriumchlorid in verschiedenen Mengen
gegeben, wodurch einzelne Ätzlösungen erhalten wurden. Das Ätzen erfolgte unter Verwendung dieser
Ätzlösungen und einer rotierenden, scheibenartigen Sprühätzvorrichtung bei einer Temperatur von 4O0C.
Der Sprühdruck betrug 0,5 kg/cm2.
Nach Beendigung des Ätzens wurde die Grundplatte zerschnitten und in ein Harz eingebettet, um den
Ätzfaktor zu messen. Die Messung erfolgte, indem der geätzte Teil der Kupferfolie unter einem Mikroskop
betrachtet wurde, um das Verhältnis der senkrecht geätzten Tiefe zu dem maximalen Spielraum unterhalb
des Abdeck-Materials von der geätzten rechtwinkligen Ebene zu bestimmen.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in der Tabelle I zusammengestellt.
Tabelle I | Additivart | Vergleichsversuche | - | Natriumchlorid | Ätzgeschwindigkeit | Ätzfaktor |
3-Amino-l,2,4- | 1 | - | ||||
triazol | 2 | (ppm) | ||||
(ppm) | (μ m/min) | |||||
- | ||||||
Beispiel Nr. | 100 | - | 17,3 | 1,9 | ||
1 | 1000 | 16 | 20,1 | 2,2 | ||
2 | 100 | 16 | 36,2 | 3,0 | ||
3 | 200 | 16 | 36,0 | 2,8 | ||
4 | 300 | 48 | 36,3 | 3,2 | ||
5 | 300 | 80 | 35,8 | 3,0 | ||
6 | 300 | 160 | 36,2 | 3,2 | ||
7 | 300 | 320 | 37,0 | 3,0 | ||
8 | 300 | 36,0 | 3,1 | |||
9 | - | |||||
16 | 3,2 | 0,3 | ||||
2,0 | 0,1 | |||||
Beispiele 10 bis
Wie in den Beispielen 1 bis 9 wurde ein Schaltungsmuster hergestellt und unter Verwendung der gleichen
Ätzeinrichtung und der gleichen Ätzbedingungen geätzt, mit der Ausnahme, daß die Ätzlösung verschiedene
Arten von Additiven in verschiedenen Mengen enthielt, wie es in Tabelle II gezeigt wird. Die erhaltenen
Ergebnisse sind in Tabelle II zusammengestellt.
Tabelle II |
21
π |
49 196 | 12 | Ätzfaktor |
Additivart | Zugegebene Menge (ppm) |
Ätzgeschwin digkeit (μ m/min) |
||
Beispiel Nr. | 3,0 | |||
10 | 3-Amino-1,2,4-triazol Salzsäure |
300 10 |
35,1 | 3,1 |
11 | 3-Amino-l,2,4-triazol Ammoniumchlorid |
300 15 |
33,8 | 3,2 |
12 | 3-Amino-l,2,4-triazol Natri umhypochlorit |
300 21 |
34,5 | 3,1 |
13 | 3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumbromid |
300 15 |
34,0 | 3,1 |
14 | 3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumbromat |
300 21 |
35,5 | 3,0 |
15 | 3-Amino-1,2,4-triazol Kaliumdichlorisocyanurat |
200 33 |
31,3 | 2,1 |
16 | l-Amino-l,2,3-triazol | 200 | 19,3 | 2,8 |
17 | 1 -Amino-1,2,3-triazol Natriumchlorid |
200 16 |
32,0 | 2,0 |
18 | Benzotriazol | 100 | 16,4 | 2,1 |
19 | Benzotriazol Natriumchlorid |
100 16 |
20,3 | 1,9 |
20 | 5-Amino-tetrazol | 100 | 18,1 | 2,3 |
21 | 5-Amino-tetrazol Natriumchlorid |
100 16 |
21,2 | 3,2 |
22 | 3-Amino-l,2,4-triazol l-Amino-l,2,3-triazol Natriumchlorid |
300 300 16 |
35,2 | 3,2 |
23 | 3-Amino-l,2,4-triazol Natriumchlorid Kaliumbromid |
300 16 15 |
34,2 | |
Beispiele 24 bis 35
Wie in den Beispielen 1 bis 9 wurde ein Schaltkreismuster hergestellt und unter Verwendung einer
Ätzlösung geätzt, die 250 g/l Natriumperoxydisulfat und
ml/1 einer 75gew.-°/oigen wäßrigen Lösung von
Ätzlösung geätzt, die 250 g/l Natriumperoxydisulfat und
ml/1 einer 75gew.-°/oigen wäßrigen Lösung von
Orthophosphorsäure enthielt. Diese Lösung enthielt weiterhin verschiedene Arten und Mengen von
Additiven gemäß den Angaben der Tabelle HI. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle III zusammengestellt.
Additivart
Zugegebene Ätzgeschwin- Ätzfaktor
Menge digkeit
(ppm) (μ m/min)
Beispiel Nr. | 3-Amino-1,2,4-triazol | 1000 | 18,5 | 2,0 |
24 | 3-Amino-1,2,4-triazol | 300 | 34,2 | 3,0 |
25 | Natriumchlorid | 16 | ||
Fortsetzung
14
Additivart
Zugegebene Menge (ppm) |
Atzgeschwin digkeit (μ m/min) |
Atzfaktor |
200 | 18,1 | 2,1 |
200 15 |
33,7 | 3,0 |
300 300 16 |
33,5 | 3,0 |
300 15 |
36,5 | 3,2 |
300 | 17,3 | 2,0 |
300 16 |
32,5 | 2,9 |
500 | 18,1 | 2,0 |
500 16 |
33,8 | 2,9 |
500 | 16,8 | 1,7 |
500 | 30,4 | 2,8 |
Beispiel Nr. 26 27
28
29
30 31
32 33
34 35
Vergleichsversuch
3-Methyl-l,2,4-triazol
3-Methyl-l,2,4-triazol Ammoniumchlorid
3-Amino-1,2,4-triazol l-Amino-l,2,3-triazol
Natriumchlorid
3-Amino-1,2,4-triazol Kaliumbromid
l-Amino-l,2,3-triazol
l-Amino-l,2,3-triazol Natriumchlorid
1-Amino-benzotriazol
1 -A mino-benzotriazol Natriumchlorid
5-Amino-1 -methy 1-tetrazol
5-Amino-l-methyl-tetrazol
Natriumchlorid
2,6
0,3
Beispiele 36 bis
Wie in den Beispielen 1 bis 9 wurde ein Schaltkreis- enthielt weiterhin verschiedene Arten und Mengen von
muster hergestellt und unter Verwendung einer Additiven gemäß den Angaben der Tabelle IV. Die
Ätzlösung geätzt, die 100 g/l Ammoniumperoxymono- 45 erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle IV zusammenge-
sulfat und 50 g/l Schwefelsäure enthielt. Diese Lösung stellt.
Tabelle IV | Additivart | Zugegebene Menge (ppm) |
Ätzgeschwin digkeit (μ m/min) |
Ätzfaktor |
Beispiel Nr. | 3-Amino-l,2,4-triazol | 100 | 26,5 | 2,3 |
36 | 3-Amino-1,2,4-triazol | 1000 | 27,3 | 2,4 |
37 | 3-Amino-l ,2,4-triazol Natriumchlorid |
300 16 |
45,2 | 3,5 |
38 | 3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumiodid |
300 13 |
43,5 | 3,4 |
39 | 5-Amino-tetrazol Natriumchlorid |
100 16 |
31,0 | 2,8 |
40 | ||||
15 | 21 49 196 | ,3-triazol 200 | 16 | Ätzfaktor | |
16 | |||||
Fortsct/iing | Additivart | Ätzgeschwin | |||
Zugegebene | digkeit | ||||
Menge | (μ m/min) | ||||
(ppm) | 3,3 | ||||
Beispiel Nr. | 3-Amino-l,2,4-triazol | ||||
41 | l-Amino-l,2,3-triazol | 300 | 44,5 | 1,9 | |
Natriumchlorid | 300 | 2,9 | |||
16 | 16,5 | ||||
42 | l-Amino-5-methyl-l,2,3-triazol 200 | 31,8 | |||
43 | l-Amino-S-methyl-l^ | ||||
Natriumchlorid | |||||
Vergleichs | |||||
versuch | |||||
8,3
1,2
Beispiele 44 bis 49
Das Ätzen erfolgte wie in den Beispielen 1 bis 9 mit der Ausnahme, daß anstelle der mit einer Kupferfolie
von 35 μηι ausgekleideten laminierten Platte eine
Messingplatte (80% Cu und 20% Zn) verwendet wurde, jo
In Tabelle V sind die Arten und Mengen der verwendeten Additive und die Ergebnisse der Versuche
zusammengestellt.
Additivart
Zugegebene Menge
(ppm)
(ppm)
Ätzgeschwindigkeit
(μ m/min)
(μ m/min)
Beispiel Nr. 44 |
3-Amino-l,2,4-triazol Natriumchlorid |
300 16 |
23,9 |
45 | 3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumbromat |
300 21 |
24,5 |
46 | l-Amino-5-methyl-triazol Natriumchlorid |
500 16 |
25,1 |
47 | Benzotriazol Natriumchlorid |
500 16 |
22,8 |
48 | 5-Amino-tetrazol Natriumchlorid |
500 16 |
23,4 |
49 | 2-Methyl-tetrazol Natriumchlorid |
500 16 |
23,8 |
Vergleichs versuch |
2,2
Beispiele 50bis61
Es wurde ein Schaltkreismuster wie in den Beispielen
1 bis 9 hergestellt, wobei als Deckmittel ein Lötmetall aus 60% Zinn und 40% Blei anstelle des organischen,
lichtempfindlichen Harzes verwendet wurde. Das Ätzen erfolgte wie in den Beispielen 1 bis 9. Die erhaltenen
Ergebnisse sind in Tabelle VI zusammengestellt.
230 217/67
Tabelle VI | 17 | Additivart | 21 49 | 196 | 18 | Aussehen der Oberfläche des Lötmetalls |
Zugegebene Menge (ppm) |
Ätzgeschwin digkeit (μΓΠ/ιηίη) |
Ätzfaktor | ||||
Beispiel Nr. | 3-Amino-l,2,4-triazol | glänzend | ||||
50 | 3-Amino-l,2,4-triazol | 100 | 17,3 | 1,9 | glänzend | |
51 | 3-Amino-l,2,4-triazol Natriumchlorid |
1000 | 20,1 | 2,2 | glänzend | |
52 | 3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumbromid |
300 16 |
36,3 | 3,0 | glänzend | |
53 | 3-Amino-l,2,4-triazol l-Amino-l,2,3-triazol Natriumchlorid |
300 15 |
34,0 | 2,8 | glänzend | |
54 | 3-Amino-l,2,4-triazol Natriumchlorid Kaliumbromid |
300 300 |
35,2 | 3,1 | glänzend | |
55 | 3-Amino-l,2,4-triazol Dichlorisocyanursäure |
300 16 15 |
34,2 | 3,0 | glänzend | |
56 | l-Amino-5-methyl-l,2,3-triazol Natriumchlorid |
300 33 |
31,3 | 3,0 | glänzend | |
57 | Benzotriazol Natriumchlorid |
300 16 |
32,5 | 2,9 | glänzend | |
58 | 5-Amino-tetrazol Natriumchlorid |
100 16 |
20,3 | 2,1 | glänzend | |
59 | 5-Amino-l-methyl-tetrazol Natriumchlorid |
100 16 |
21,2 | 2,3 | glänzend | |
60 | l-Amino-l,2,3-triazol Acetylbromid |
300 16 |
21,4 | 2,0 | glänzend | |
61 Vergleichs versuch |
300 15 |
20 | 2,3 | |||
3,2
0,3
leicht grau
Claims (1)
1. Verfahren zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen mit Hilfe einer sauren wäßrigen
Lösung eines Peroxysulfats, die gegebenenfalls ein oder mehrere Halogenide enthält, dadurch
gekennzeichnet; daß die Lösung zusätzlich mindestens eine Azolverbindung der allgemeinen
Formel
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JPS5332341B2 (de) * | 1973-03-27 | 1978-09-07 | ||
JPS533975B2 (de) * | 1973-10-17 | 1978-02-13 | Tokai Electro Chemical Co | |
JPS5224508B2 (de) * | 1973-11-19 | 1977-07-01 | Tokai Electro Chemical Co | |
SE400581B (sv) * | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for kemisk polering av koppar och dess legeringar |
SE400575B (sv) * | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for betning av koppar och dess legeringar |
JPS57164984A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-09 | Metsuku Kk | Exfoliating solution for tin or tin alloy |
FR2513258A1 (fr) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Dart Ind Inc | Solution aqueuse de peroxyde d'hydrogene stabilisee au 3-amino-1,2,4-triazole et son procede de stabilisation |
DE3305319A1 (de) * | 1983-02-16 | 1984-08-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung |
DE3623504A1 (de) * | 1986-07-09 | 1988-01-21 | Schering Ag | Kupferaetzloesungen |
US4859281A (en) * | 1987-06-04 | 1989-08-22 | Pennwalt Corporation | Etching of copper and copper bearing alloys |
FR2656630A1 (fr) * | 1990-01-02 | 1991-07-05 | Produits Ind Cie Fse | Nouvelle application de l'aminotriazole, composition le contenant et son procede de mise en óoeuvre. |
IT1251431B (it) * | 1991-10-25 | 1995-05-09 | Costante Fontana | Composto ad elevate caratteristiche stabilizzanti particolarmente per perossidi inorganici utilizzati in applicazioni industriali |
JPH06287774A (ja) * | 1993-04-05 | 1994-10-11 | Metsuku Kk | 銅および銅合金の表面処理剤 |
JP3400558B2 (ja) * | 1994-08-12 | 2003-04-28 | メック株式会社 | 銅および銅合金のエッチング液 |
US5911907A (en) * | 1995-08-30 | 1999-06-15 | Surface Tek Specialty Products, Inc. | Composition and method for stripping tin and tin-lead from copper surfaces |
TW374802B (en) * | 1996-07-29 | 1999-11-21 | Ebara Densan Ltd | Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board |
US5869130A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-09 | Mac Dermid, Incorporated | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
US6162366A (en) * | 1997-12-25 | 2000-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching process |
DE19830038C2 (de) * | 1998-02-03 | 2001-08-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Lösung und Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen |
TW460622B (en) | 1998-02-03 | 2001-10-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Solution and process to pretreat copper surfaces |
TW470785B (en) | 1998-02-03 | 2002-01-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for preliminary treatment of copper surfaces |
US6117250A (en) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Morton International Inc. | Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions |
US6444140B2 (en) | 1999-03-17 | 2002-09-03 | Morton International Inc. | Micro-etch solution for producing metal surface topography |
US6383272B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-05-07 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
US20040099637A1 (en) * | 2000-06-16 | 2004-05-27 | Shipley Company, L.L.C. | Composition for producing metal surface topography |
US20030178391A1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-09-25 | Shipley Company, L.L.C. | Composition for producing metal surface topography |
US6419784B1 (en) | 2000-06-21 | 2002-07-16 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
DE10066028C2 (de) * | 2000-07-07 | 2003-04-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Kupfersubstrat mit aufgerauhten Oberflächen |
US6554948B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-04-29 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
JP2004526308A (ja) * | 2001-01-16 | 2004-08-26 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | シュウ酸アンモニウムを含有する研磨系及び方法 |
JP4687852B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2011-05-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅および銅合金の表面処理剤 |
DE10313517B4 (de) * | 2003-03-25 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens |
TWI282377B (en) * | 2003-07-25 | 2007-06-11 | Mec Co Ltd | Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same |
DE602006009614D1 (de) * | 2006-02-17 | 2009-11-19 | Atotech Deutschland Gmbh | Zusammensetzung und Verfahren zur Behandlung der Oberflächen von Kupferlegierungen, um die Haftfähigkeit zwischen der Metalloberfläche und dem gebundenen polymerischen Material zu verbessern |
US20070228011A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Buehler Mark F | Novel chemical composition to reduce defects |
JP2011179085A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法 |
EP3159432B1 (de) * | 2015-10-23 | 2020-08-05 | ATOTECH Deutschland GmbH | Oberflächenbehandlungsmittel für kupfer und kupferlegierungsoberflächen |
CN108601231A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-28 | 常州海弘电子有限公司 | 一种印制线路板的生产工艺及测试方法 |
Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
LU37394A1 (de) * | 1959-07-13 | |||
US3216873A (en) * | 1961-08-04 | 1965-11-09 | Fmc Corp | Method of etching photoengraving plates and etching solution used therefor |
US3476624A (en) * | 1966-02-08 | 1969-11-04 | Fmc Corp | Process of etching copper circuits |
GB1124904A (en) * | 1967-07-13 | 1968-08-21 | Shell Int Research | Improvements in or relating to lubricating greases |
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