[go: up one dir, main page]

DE2149196A1 - Verfahren und Loesung zum AEtzen von Kupfer und dessen Legierungen - Google Patents

Verfahren und Loesung zum AEtzen von Kupfer und dessen Legierungen

Info

Publication number
DE2149196A1
DE2149196A1 DE19712149196 DE2149196A DE2149196A1 DE 2149196 A1 DE2149196 A1 DE 2149196A1 DE 19712149196 DE19712149196 DE 19712149196 DE 2149196 A DE2149196 A DE 2149196A DE 2149196 A1 DE2149196 A1 DE 2149196A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
triazole
amino
methyl
etching
tetrazole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712149196
Other languages
English (en)
Other versions
DE2149196C2 (de
Inventor
Osamu Fujimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOKAI ELECTRO CHEMICAL CO
Tokai Denka Kogyo KK
Original Assignee
TOKAI ELECTRO CHEMICAL CO
Tokai Denka Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOKAI ELECTRO CHEMICAL CO, Tokai Denka Kogyo KK filed Critical TOKAI ELECTRO CHEMICAL CO
Publication of DE2149196A1 publication Critical patent/DE2149196A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2149196C2 publication Critical patent/DE2149196C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31529—Next to metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

PATENTANWALTB DR. O. DlTTMANN K. L. SCHIFF DR. A. ν. FÜNBR DIPL. ING. P. STRBHL MÜNCHEN OO MARIAHILFPLATZ 2 St 8
DA-4469
Beschreibung; zu der Patentanmeldung
der Firma
TOKAI DENKA KOGYO KABUSHIKI KAISHA 6-1, 1-chome, Ohte-machi, Chiyodaku, Tokyo / Japan
betreffend
Verfahren und Lösung zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen Priorität: 26. April 1971, Japan, Nr. 26 697/1971
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen mit einer sauren Peroxysulfat-Lösung. Die Erfindung betrifft insbesondere eine Ätzlösung, die ein Addi-•tiv enthält, welches die Ätzgeschwindigkeit erhöht.
Eei der Herstellung von gedruckten-Schaltkreisen, Druckplatten, Bestandteilen elektrischer Anlagen und dergleichen erfolgt in weitem Ausmaß ein Atzen von Kupfer und dessen Legierungen. So wird z.B. bei der Herstellung von gedruckten Schalt-
20984S/1162 ^ ^
kreisen eine Folie aus einem elektrisch leitenden Metall (normalerweise aus Kupfer) auf ein elektrisch isolierendes Material, z.B. ein Epoxy- oder Phenolharz, aufgeklebt, worauf ein Teil der Oberfläche der Folie, die später den Schaltkreis bildet, mit einem Abdeckmaterial bedeckt wird, welches gegenüber einer Ätzlösung beständig ist. Der übrige Teil der Folie, der mit dem Abdeckmaterial nicht bedeckt ist, wird angeätzt, wodurch eine Platte für einen gedruckten, elektrischen Schaltkreis erhalten wird. Während als Abdeckmaterialien im allgemeinen solche Substanzen, wie Tinte, organische, lichtempfindliche Harze und dergleichen, verwendet werden, sind in den letzten Jahren die Anforderungen für gedruckte Schaltkreise mit durchgehenden Löchern für industrielle elektronische Vorrichtungen steigend und die Verwendung von metallischen Abdeckmaterialien, wie Lötmetalle, Gold, Gold-Nickel-Legierungen, Rhodium, Zinn-Nickel-Legierungen und dergleichen, ist gebräuchlicher geworden.
Ätzlösungen für Kupfer und dessen Legierungen sind im allgemeinen Lösungen von PeroxySulfaten, Mischlösungen von Hydroperoxid und Schwefeisäure, Mischlösungen von Chromsäureanhydrid -und Schwefelsäure, L'-sungen von Eisen (III)-Chlorid, Lösungen von Kupfer (II)-Chlorid sowie Lösungen von Natriumchlorit.
Wenn man von diesen bekannten Ätzmitteln Mischlösungen von Chromsäureanhydrid und Schwefelsäure, oder Lösungen von Eisen-(III)-Chlorid verwendet, dann werden Abfallflüssigkeiten gebildet, welche große Mengen von Metallionen, nämlich von Kupfer- und Chromionen bzw. von Kupfer- und Eisenionen, enthalten. Wegen, der großen Schwierigkeiten, die bei der vollständigen Entfernung dieser Metalle aus den Abwässern auftreten, stellt die Behandlung und die Abgabe solcher Abwasser ein großes wirtschaftliches Problem dar.
Dagegen sind Peroxysulfat-Lösungen milde und daher vorzuziehende Ätzmittel, die keine schädlichen Gase erzeugen und die leicht gehandhabt warden können. Darüber hinaus ist in den Ab-
i/,y?;· ^20,3.84 5/11 62
wässern des Ätzvorganges als Ketall lediglich Kupfer allein vorhanden, so daß anders bei den genannten Kischlösungen von Chromsäureanhydrid -und Schwefelsäure oder von Eisen(III)-chlorid-Lösunrer die Entfernung des Kupfers aus den Abwässern einfach ist, 2s ist außerdem möglich, die verbrauchten Ätzmittel zu regenerieren und wieder zu verwenden. Da schließlich Peroxysulfat-L;>r»i;iigen die Kachteile der anderen Ätzmittel nicht haben, werden sie gegenüber anderer, Ätzmitteln als bevorzugt erachtet. Die Atzun/r von metallischen Oberflächen mit Peroxysulfat-Lösirri-en, die eine K ine raise ure, z.B. Schwefelsäure, PhosphorsMvro und dergleichen, enthalten, ist bereits untersucht worden. So ist beispielsweise in der bekanntgemachten japanischen Patentanmeldung 9^-63/6^- das Ätzen Ki^ einer Peroxymonosulfat-Lösuiig beschrieben. Aus den bekanntgeirachten japanischen Patentanmeldungen 1620/61, I6OO8/6I, 27517/64, 16409/65 und II324/66 ist das Ätzen unter Verwendung einer Peroxydisulfat-Lösung bekannt.
Bei der technischen Durchführunfr des Ätzens mit einer Peroxysulfat-Lösunr als Ätzflüssigkeit ist es erforderlich, dieser eine Substanz zuzusetzen, welche die Ätzgeschwindigkeit erhöht. Zu diesem Zweck werden derzeit extrem perinpee Lenken von Quecksilbersalzen verwendet. Quecksilbersalze stellen zwar stark wirksame Stoffe zur Erhöhung der Ätzgeschwindigkeit dar, doch bringt ihr Auftreten in Abvjässern, die in Flüsse und dergleichen relangen, Probleme hinsichtlich der UmweltverschinutzunF rit sich. Es ist daher erforderlich, bei der Verwendung von Quecksilbersalzen Vorkehrungen zur Entfernung des Quecksilbers aus den Abwässern zu treffen. Solche Vorkehrungen zur vollständigen Entfernung des Quecksilbers erfordern aber weitere und aufwendige Verfahrensstufen.
Es ist daher trotz dieser ausgezeichneten Wirkungen der Queeksilbersalze aus Umweltschutzgründen erv/ünscht, das Quecksilber zu ersetzen.
209845/1162
BAD ORlGtNAL
2H9196
Ziel der Erfindung ist es daher, eine Peroxysulfat-Lösung zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen zur Verfügung zu stellen, die ein Additiv zur erheblichen Steigerung.der Ätzgeschwindigkeit dieser Metalle enthält, wobei das Additiv seine v/irkungen über ausgedehnte Zeiträume aufrechterhalten soll, billig sein soll und keine Verunreinigungen der Abwässer mit sich bringen soll.
Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst»
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen unter Verwendung einer sauren wäßrigen-Peroxysulfat-Lösung als Ätzlösung, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man eine Ätzflüssigkeit verwendet, die wenigstens eine Azölverbindung der allgemeinen Formel
N -j-X» Χ
X1
(I) (ID (HD
N N ■ · N-
(V)
worin X, X1 und X", die gleich oder verschieden sein können, Wasserstoff, Aminogruppen, Aminoalkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen und Alkylpruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeuten, als primäre Komponente und erforderlichenfalls ein oder mehrere Halogenide als sekundäre Komponente enthält.
-5-209845/1162
Als Beispiele für Azole der Formel (I) körnen genannt werden:^ 1,2,4--TrIaZoI, 3-Methyl-l ,2,4-triazol, 3,5-Dimethyl,l ,2,4- triazol, 1-Amino-1,2,*}--triazol, 3-Amino-l,2,4--triazol, 5-Amino-3-methyl-l,2,iJ-triazol, 3-(ß-Aminoäthyl)-l ,2,4--triazol und 3-Isopropyl-l,2,4- triazol.
Als Beispiele für Azole der Formel (II) können genannt werden: 1,2,3-Triazol, 1-Methyl-l,2,3-triazol, * 1-Amino-1,2,3-triazol, l-Amino-5-methyl-l,2,3-triazol, 4,5-Dimethyl-l ,2,3-triazol, 1-Amino--(n)-propyl-l, 2,3-triazol und l-(ß-Aminoäthyl)-!,2,3-triazol.
Als Beispiele für Azole der Formel (III) können genannt werden: Benzotriazol, 1-Methylbenzotriazol, 1-Aminobenzotriazol und 1-Äthylbenzotriazol.
Als Beispiele für Azole der Formeln (IV) und (V) können genannt werden: Tetrazol, 1-Kethyl-tetrazol, 2-Kethyl-tetrazol, 5-Amino-tetrazol, 5-Amino-l-methyl-tetrazol und !-(ß-Aminoäthyl)-1e trazöl.
Beispiele für erfindungsgemäß geeignete Halogenide sind diejenigen, die.in der Ätzflüssigkeit Halogenionen freisetzen können, oder diejenigen, die durch Peroxysulfat unter Freisetzung von Halogenionen oder von gasförmigen Halogenen oxydativ zersetzt werden.
Als Beispiele können somit genannt werden: Anorganische Halogenide, wie Fluorwasserstoff und dessen Salze, Chlorwasserstoff und dessen Salze, Bromwasserstoff und dessen Salze sowie Jodwasserstoff und dessen Salze, die Oxide des Fluors, Chlors, Broms und Jods, die Oxysäuren des Chlors, Broms und Jods sowie deren Salze, und die organischen Halogenide, wie " Dichlorcyanursäure und deren Salze, 1-ChIordiäthylather und organische Säurehalogenide.
-6-209845/1162
2 US
Es wurde gefunden, daß beim Auflösen der hierin genannten Azole, die eine primäre Komponente des Additivs darstellen, entweder für sich oder in verschiedenen Kombinationen mit den genannten Halogeniden, die eine sekundäre Komponente des Additivs darstellen, in der Ätzflüssigkeit eine erhebliche Steigerung der Ätzgeschwindigkeit erfolgt.
Selbst xtfenn lediglich die oben definierten Azoverbindungen der Peroxysulfat-Ätzlösung zugesetzt werden, dann wird im Vergleich zur Verwendung von zusatzfreien Ätzflüssigkeiten ' ein erheblicher Effekt erreicht, der für die Ziele der vorliegenden Erfindung bereits ausreicht. Die Verweildung von Halogeniden als sekundäre Komponente zusammen mit den Azolverbindungen ergibt jedoch eine Verstärkung der VJirkung und eine Verbesserung der praktischen Brauchbarkeit.
Der alleinige Zusatz von Halogeniden zu den Peroxysulfat-Ätzlösungen ergibt eine Abnahme der Ätz geschwindigkeit. Daraus ergibt sich, daß die erhebliche Steigerung der Ätzgeschwindigkeit auf die Verwendung der Azoverbindungen als primärer Komponenten zurückzuführen ist. Es wurde Überraschendervreise festgestellt, daß durch Verwendung der erfindungsgemäßen Ätzlösung die Ätzgeschwindigkeit und das Ätzverhalten ungleich besser ist als bei der Verwendung der bekannten, Quecksilber enthaltenden Ätzlösungen.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen werden eine oder mehrere Azoverbindungen der angegebenen allgemeinen Formeln einer Ätzlösung in Mengen von 5 ppm bis zur maximalen Löslichkeit, vorzugsweise in Kengen von 10 bis 10 000 ppm, zugesetzt. Der Lösung können weiterhin als sekundäre Komponenten ein oder mehrere der genannten Halogenide in Kengen von 0,1 ppm bis 1000 ppm, vorzugsweise von 0^1 ppm bis 50 ppm, in Form der Halogenionen zugesetzt werden.
Bei der Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen können die Azolverbindungen als primäre Komponenten und die Halogenide als sekundäre Komponenten entweder getrennt zu der Ätzlösung zugegeben werden oder man kann so vorgehen, daß man eine zuvor bereitete wäßrige Lösung: der primären und sekundären Komponenten zu der Ätzlösung zugibtο In beiden Fällen werden ausgezeichnete Ergebnisse erhalten.
Obgleich der Zusatz der Azole und der Halogenidverbindungen in Fengen oberhalb der obengenannten Eereiche keine wesentlichen Nachteile mit sich bringt, wobei die Ätzgeschwindigkeit unverändert und zufriedenstellend beibehalten wird, ist ein derartiges Vorgehen aus !Wirtschaftlichen Gründen nicht, zweckmäßig.
Im Hinblick auf die Halogenide als sekundäre Komponenten ist festzustellen, daß diese beim Zusatz zu den Peroxysulfat-Ätzlösraigen zusammen mit den primären Komponenten bereits in extreir f^erinp-cn llengien eine überraschende Steigerung der Ä"t ζ geschwindigkeit mit sich bringen. Die zugegebenen Ken nen der Halogenide können daher sehr gering sein.
Der Zusatz von Chloriden zu Peroxysulfat-Lösungen zum Ätzen von Kupfer ist im Zusammenhang mit dem Ätzen von photographischen Druckplatten bereits in der bekanntgemachten japanischen Patentanmeldung 27517/6**- beschrieben worden. In diesem Falle waren jedoch die zugegebenen Chloridmengen sehr groß, d.h. es wurde bei Konzentrationen von mehreren Prozent oder mehr gearbeitet. Darüber hinaus ist es bei der bekannten Ätzflüssierkeit erforderlich, ergänzende Kennen der Chloride zuzusetzen, und eine zufriedenstellende Ätzgeschwindigkeit kann nicht erhalten v/erden-, wenn nicht die Chlorid-Konzentration · in der Ätzlöstui?· am Schluß in der Gegend von mehreren 10 Prozenten liep't.
20 9 84 5 /11 6 2 BAD ORIGINAL
2U9196
Dagegen dienen bei der erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösung die Halogenide lediglich als sekundäre Komponente des Additivs und die verwendeten !-"engen sind im Vergleich zu der bekannten Ätzlösung sehr gering, d„h. ihre Tienge beträgt nur ungefähr 1/1000 der dort verwendeten i'.engen. Ferner ergibt die erfindungsgemäß verwendete Ätzlösung hinsichtlich der Ätzgeschwindifrkeit gegenüber den bekannten Ätzlösungen eine ■ mindestens dreifache Verbesserung. Der später erläuterte Ätzfaktor wird gegenüber den bekannten Ätzlösungen mindestens \rerdoppelt.
Bei der Verwendung der bekannten Quecksilber-Katalysatoren ist ea bekannt, daß die Zumischung von Chloriden, z.B.. derjenigen, die in Stadt-,-/asser~5ysteinen enthalten sind, Nachteile, vfie die drastische Verringerimg der Ätzgescbwindjgkeit, die Bildung von üblen Gerüchen und dergleichen, mit sich l^inf-Dagegen bringt die Anvfesenheit von Chloriden in den erfindungs gemäß verwendeten Ätzflüssigkeiten solche Nachteile nicht πit sich, sondern bewirkt eine erhebliche Steigerung der Jirkunp; der primären Komponenten.
Die erfindunrsgenn'ß verwendeten Additive besitzen zwar eine ausgezeichnete Stabilität, wenn sie über verlängerte Zeiträume in einer Peroxysulfat-Ätz]ösung vorliegen, doch werden sie aufgrund einer allmählichen oxydativen Zersetzung durch die iitark oxydierenden Peroxysulfat-Verbindungen in Abbauprodukte umgewandelte
GloiohGrn.al'cn werden die Halogenide der sekundären Komponen-•1;u unter Freisetzung von gasförmigen Halogenen allmählich oxydiert.
Hierdurch kann eine Verminderung der Ätzgeschwindigkeit erfolgen, die aber ohne weiteres unter iiederherstellung der ursprünglichen Geschwindigkeit behoben werden kann, wenn man zu der Ätzlösung von neuem die Azole, gegebenenfalls in Kombination mit den Halogeniden, zusetzt.
209845/11R? -9-
A- - ^ --t BÄD
2H9196
Dabei wurde festgestellt, daß die durch die Oxydation entstehenden Zersetzungsprodukte die chemische Stabilität der Azole erhöhen, xiodurch es möglich ist,die Kengen der frisch zugesetzten Azoverbindungen gering zu halten,,
Wenn man das Ätzen über mehrere Wochen mit den erfindungsgemäß verwendeten Ätzlösungen durchführt, die die definierten Azoverbindungen, gegebenenfalls in Kombination mit den Halogeniden, enthalten, dann kann eine Abnahme der Ätzgeschv/indigkeit festgestellt werden, die von der Abnahme der Peroxysulfat-Konzentration in der Ätzlösung bedingt ist. Diese Abnahme ist auf die Umsetzung des Peroxysulfats mit dem Kupfer zurückzuführen» Die Abnahme der Ätzgeschwindigkeit hat in diesem Fall somit nichts mit den Zusatzstoffen zu tun und sie kann ohne weiteres durch Zugabe von Peroxysulfaten beseitigt v/erden, ohne daß nachteilige Jirkungen und Verzögerungen aufgrund der Ansammlung von Kupfer auftreten*
Bein Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen bei der Herstellung von Platten für gedruckte Stromkreise muß eine Anzahl von Paktoren in Erwägung gezogen werden. Solche Faktoren sind z.B. die Geschwindigkeit, mit der das Ätzmittel das Kupfer auflöst, der Ätzfaktor, das Auftreten von passiven Metalloberflächen nach dem Ätzen, die Temperatur, bei welcher das Ätzen erfolgt sowie die Viirkungen der Ätzlösungen und der Additive auf die Katerialien der Grundplatten für die gedruckten Stromkreise und die Ätzeiiirichtungen. Das Ätzen gemäß der vorliegenden Erfindung erfüllt sämtliche dieser Bedingungen.
"Bei der Verwendung von Zusatzstoffe enthaltenden Ätzlösungen gerrsß der Erfindung beträgt die Ätzgeschwindigkeit des Kupfers 17 bis 45//pro Hinute. Diese Geschwindigkeit ist überraschenderweise 5- bis 15-rcai so groß als bei der Verwendung von zusatzstofffreien Ätzlösunrren. In diesem Falle beträgt die Geschwindigkeit normalerweise 3 bis k-μ pro Minute.
209845/116?
BAD ORIGINAL
-ίο - 2H9196
Der hierin genannte Ätzfaktor stellt das Verhältnis der senkrecht geätzten Tiefe zum maximalen inneren Spielraum unter dem Abdeckmaterial, gemessen von der geätzten senkrechten Ebene, dar. Bei dem Verfahren der Erfindung liegt der Ätzfaktor im Bereich von 2,5 bis 3*5 im Vergleich zu einem Wert von o,3 bis Oj4j der bei Verwendung von zusatzfreien Ätzlösungen erhalten wird. Somit ist das erfindungsgernäße Verfahren zur Herstellung von Grundplatten für gedruckte Präzisionsschaltungen mit einer extrem feinen Schaltkreisbreite geeignet.
Beim Ätzen von Grundplatten für gedruckte Schaltkreise mit beständigen Metallen können ausgezeichnete Ätzwirkungen erhalten v/erden, ohne daß irgendwelche Verfärbungen der beständigen Metalloberflächen erhalten werden.
Hinsichtlich der Ätztemperatür wird es aufgrund der Tatsache, daß die herkömmlichen Ätzeinrichtungen hauptsächlich aus Kunststoffen bestehen, bevorzugt, bei niederen Temperaturen zu arbeiten. Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden schon bei solchen niedrigen Temperaturen hohe Ätzgeschwindigkeiten erreicht, die bei Verxvendung der herkömmlichen, Quecksilber enthaltenden Ätzflüssigkeiten nicht erzielbar sind. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung kann daher schon bei Raumtemperatur bequem durchgeführt werden.
Da die erfindungsgemäß verwendete Ätzlösung keine besonderen Einflüsse auf die Materialien der Platten der gedruckten Schaltungen und der Ätzeinrichtungen ausübt, kann das Verfahren mit allen herkömmlichen Materialien und Einrichtungen ausgeführt werden.
Neben Kupfer können auch Kupferlegierungen, wie Messing, Bronze, Berylliumkupfer, Konstantan und dergleichen, gemäß der Erfindung geätzt werden.
- 11 -
209845/1162 BAD
2U9196
Als Beispiele für in den erfindun^sjremäß verwendeten Ätzlö- cvnp-en eingesetzte Peroxysulfate können genannt werden: Ammonium-, Kalium—, Natriun- und Lithiumperoxymonosulfat und Arno-iruir.-, Kalium-, Matriuni-, Barium-, Lithium- und Strontiurcperoxydisulfnt. Von diesen Verbindungen werden besonders AmmojaiuraperoKyr-onosulfc.it und Ainn:oniuniperoxydisulfat bevorzugt.
Die ν ervjr nc1;- te Ätzlcsunr enthalt das Peroxysulf at in Kennen von 5 Ge17.-'' hi r zur maximalen Löslichkeit-j vorzugsweise von 5 Mn 2.5 Gg;;. -Ί so'jie erforderlichenfalls Orthophosphorsäure und/oder Sc hv; t.-fels H iir-e iii Kennen von-0,5 bis 15 Gew.-^, Die ',-rfi^-iivv'Fi"''-"'".^ vervjendete Atzlö'junf enthält weiterhin als Additiv-vjern rs tens cine Azolverbindmif der anperxA .;nüii Art als p]'.i?.":;ro Y.oV: ).^vi'itc in I.enren von 5 ppm bis zur maximalen Lös-Iji'h^^jt, \nrz^-;^\:oice von 10 "bis 10 000 ppm, und zwar entwer'i·.-11 i'ür Fich ο-λοτ zu.saiv.men mit wenigstens einer Halo^enverliriir.m;' in I iVAr~cn von 0,1 ppm bis 1000 ppni, vorzu{:-sv/eise von 0,1 ]>pi:: l.ir 'iO ppm, in Form von Halop?nionen.
Γ ei der.1 Verfahren der Krfindunp; beträft die Atztemperatur 20 lä.s <;O°Cj vorzufcsv/eise 20 bis 50°Cc Eine Erhöhung: de}1 Ätzten;-. i:-er!3i:ur, ui. die Ätzrecclr/nndiitliei t zu steigern, ist niclit "iiroiiTK^iBipr, da auftrrimcl einer beschleunigten Zcrüetzunp" dny Prro:::yi3iilfatü i;nd einer beschleunigten Oxydation,. 2ersetzi;n,f: und V«i}'flüchti/"imr der Azole und der Halogenide hierdurch (Mc- (n.ojchn:.;ißirke3t de.311 Ätz/re.sclivnnd jp:kej 1; nacliteilip bot j-υ-
Dmvl": d:5,'T Verf'ihren der Ei'findunp: liiiiinen 3li Veröle3cli ^u d(;V ./■ '.-(VTf.1-.?^;::: von zusatzfreien Ai;?:löf3un,'.en erhebliche VerV.esse-. rir.Tven d'>r fei^tipen I'aterialien erzielt werden. Darüber liinaus v.'e^den nichi. nur Vorteile liinsichtli ch der Atzgeschwindirkei.t wit] des Ivid;:ustands tirrcicht, sondern auch die. Höflichkeit eine]' Verunroinic"unr: von Flüssen mit Quecksilber vollständig an!-:;-«schal tst.
2098Ü5/1162 ^
Die Erfindung wird in den Beispielen erläutert.
Beispiele 1 bis 9
Auf folgende Weise wurde ein Schaltkreismuster hergestellt: Auf eine mit Kupfer bedeckte Laminatplatte mit den Abmessungen 5 cm χ 5 cm, in welcher eine Kupferfolie von 35 M eng· laminiert war, wurde ein organisches, lichtempfindliches Harz aufgebracht. Sodann wurde auf das resultierende Substrat ein photographisches Negativ aufgelegte Unter Verwendung einer Quecksilberlampe wurde sodann belichtet und der nicht belichtete Teil wurde mit einem Kischlösungsmittel aus Trichloräthylen und Kethylenchlorid entfernt.
Es wurde eine Lösung hergestellt, die 250 g/lAmmoniumperoxydisulfat und 50 ml/1 einer 75 Gew.-^igen wäßrigen Lösung von Orthophosphorsäure enthielt. Zu der resultierenden Lösung wurde als Additiv 3-Amino-l,2,4— triazol entweder flüssig oder in Kombination mit Natriumchlorid in verschiedenen Fengen gegeben, wodurch einzelne Ätzlösungen erhalten wurden. Das Ätzen erfolgte unter Vervrendung dieser Ätzlösungen und einer rotierenden, scheibenartigen Sprühätzvorrichtung bei einer Temperatur von 4-0. C. Der Sprühdruck betrug 0,5 kg/cm .
Nach Beendigung des Ätzens wurde die Grundplatte zerschnitten und in ein Harz eingebettet, um den Ätzfaktor zu messen. Die Kessung erfolgte, indem der geätzte Teil der Kupferfolie unter einem Mikroskop betrachtet würde, um das Verhältnis der senkrecht geätzten Tiefe zu dem maximalen Spielraum unterhalb des Abdeck-Iiaterials von der geätzten rechtwinkligen Ebene zu bestimmen.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in der Tabelle I zusammenge- ■ stellt. . . . -
-13-209845/1162
Tabelle I Vergleichsversuche - - 17,3 Ätz
faktor
Beispiel Nr. 1 - - 20,1 1,9
1 2 ie 36,2 2,2
2 Additivart Atzge-
3-Amin.o-l,2,4- Natriumchlorid, schwin-
triazol (ppm) (ppm) digkeit
(^u/min)		 16 36,0 3,0
3 100 16 36,3 2,8
4 1000 48 35,8 3,2
5 100 80 ^36,2 3,0
6 200 160 37,0 3,2
7 - 300 320 36,0 3,0
8 300 3,1
9 300 - 3,2
300 16 • 2,0 0,3
300 0,1 :
Beispiele 10 bis 23
Wie in den Beispielen 1 bis 9 wurde ein Schaltungsmuster hergestellt und unter Verwendung der gleichen Ätzeinrichtung und der gleichen Ätzbedingungen geätzt, mit der Ausnahme, daß die Ätzlösung verschiedene Arten von Additiven in verschiedenen Mengen enthielt, wie es in Tabelle II gezeigt wird. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle II zusammengestellt.
-14-
209845/1162
2K9196
12 Tabelle Additivart II 200 Ätzgeschwin-
digkeit
(yu/rnin)		 Ätz
faktor
Beispiel
■ Nr.		 3-Amino-1,2,4-triazol Zugegebene
Menge
(ppm)		 200 35,1 3,0
10 13 Salzsäure 300 16
3-Amino-1,2,4-triazol 10 100 33,8 3,1
11 14 Ammoniumchlorid 300 100
3-Amino-l,2,4-triazol 15 16 3^,5 3,2
15 Natriumhypochlorit 300 100
3-Amino-l,2,4-triazol 21 100 3^,0 3,1
16 Kaliumbromid 300 16
17 . 3-Amino-l,2,4-triazol 15 300 35,5 3,1
Kaiiumbromat 300 300
18 3-Amino-1,2,4-triazol 21 16 31,3 3,0
19' 200 300
Kaliumdichlorisocyanurat33 16 19,3 2,1
20 1-Amino-1,2,3-triazol 15 32,0 2,8
21 1 -Arnino-1,2,3-triazol
Natriumchlorid 1-6,4 2,0
22 Benzotriazol 20,3 2,1
Benzotriazol
Natriumchlorid 18,1 1,9
5-Amino-tetrazol 21,2 2,3
5-Amino-tetrazol
Natriumchlorid
3-Amino-l,2,4-triazol 35,2 3,2
1-Amino-1,2,3-triazol
Natriumchlorid
3-Amino-l,2,4-triazol 34,2 3,2
Natriumchlorid
Kaliumbromid
209845/1162
-15-
BeisOJele 2k bis 35-
'.•/ie in den Beispielen 1 tis 9 wurde ein Schältkreismuster hergestellt und unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt, die 250 g/l Natriumperoxydisulfat und 50 ml/1 einer 75 Gew.-#igen wäßrigen Lösung von Orthophosphorsäure enthielte Diese Lösung enthielt weiterhin verschiedene Arten und Mengen von Additiven freriiäß den Angaben der Tabelle III. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle III zusaramenp;esteilt.
209845/1167
2U9196
Tabelle III Additivart - Zugege
bene Kenge
(ppm)		 - - Ätzgeschwin
digkeit
(^u/min)		 - 16,8 Ätz
faktor
Beispiel
Nr'.		 3-Amino-l,2,4-triazol 1000 18,5 30,4 2,0
24 3-Arnino-l ,2,4-triazol 300 3^,2 3,0
25 'Natriumchlorid 16
3-I-'ethyl-l, 2,4-triazol 200 18,1 2,6 2,1
26 3-Kethyl-l,2,4-triazol 200 33,7 3,0
27 Ammoniumchlorid 15 I
3-Amino-l,2,4-triazol 300 \
28 1-Amino-1,2,3-triazol 300 33,5 3,0
Natriumchlorid 16
3-Amino-l,2,4-triazol 300 36,5 3,2
29 Kaliumbromid 15
1-Amino-1,2,3-triazol 300 17,3 2,0
30 1-Amino-1,2,3-triazol 300 32,5 2,9
31 · Natriumchlorid 16
1-Amino-benzotriazol 500 18,1 2,0
32 1-Amino-benzotriazol 500 33,8 2,9
33 Natriumchlorid 16
5-Amino-l-methyl- .
tetrazol		 500 1,7
3^ 5-Amino-l-methyl-
tetrazol		 500 2,8
35 Natriumchlorid 16
sversuch
Vergleich 0,3
3
2098Λ5/1162
Beispiele 36 bis k-3
VJie in den Beispielen 1 bis 9 wurde ein Schaltkreismuster hergestellt und unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt, die 100 g/l Ammoniumperoxymonosulfat und 50 g/l Schwefelsäure enthielt. Diese Lösung enthielt weiterhin verschiedene Arten und Kengen von Additiven gemäß den Angaben der Tabelle IV. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle IV zusammengestellt.
Tabelle IV
Beispiel Additivart
Nr.
Zugegebe ne Menge (ppm)
Ätzgeschwindigkeit
(^w/min)
Atzfaktor
36
3-Amino-l,2,4-triazol 100 3-Amino-l,2,^-triazol 1000
3-Amino-l,2,^-triazol 300 Natriumchlorid l6
3-Amino-l,2,^rtriazol 300 Kaliumiodid . I3
5-Amino-tetrazol
Natriumchlorid
3-Amino-l,2,^-triazol 300 1-Amino-1,2,3-triazol 3OO Natriumchlorid l6
1-Amino-5-methyl-1,2,3-triazol 200
1-Amino-5-nie thyl-1,2,3-triazol
Natriumchlorid
26,5
27,3
^3,5
31,0
16,5
31,8
2,3
3,5
3,4 2,8
3,3
1,9
2,9
Vergleichsversuch
8,3
1,2
209845/1162
-18-
Beispiele 44· bis
Das Ätzen erfolgte wie in den Beispielen 1 bis 9 mit der Ausnahme, daß anstelle der mit einer Kupferfolie von 35 P- ausgekleideten laminierten Platte eine Kessingplatte (80$-Cu und 20# Zn) verwendet wurde. In Tabelle V sind die Arten und Ken- gen der verwendeten Additive und die Ergebnisse der Versuche zusammengestellt.
Tabelle Y.
Beispiel " Additivart Zugegebe- Ätzgeschwindig-
NrV ne !!enge ' keit
(ppm) (yu/ir:in)
44 3-Amino-l,2,4-triazöl 300 23,9 Natriumchlorid 16
45 3-Amino-l,2,4-triazOl 300 24-, 5
. ■ . Kaliumbromat 21
4-6 l-Amino-5-niethyl-triazol 500 25,1
Natriumchlorid 16
4-7 Benzotriazol ' 500 22,"8
Natriumchlorid 16
48 ' 5-Amino-tetrazöl 500 23,4-
Matriunchlorid .. 16
4-9 2-Hethyl-tetrazol 500 23,8
Natriumchlorid 16
Vergleichsversuch
5 · - _- ■ 2,2
Beispiele 50 bis 61
Es wurde ein Schaltkreismuster wie in den Beispielen 1 bis hergestellt, wobei als Deckmittel ein Lötnietall aus 6O;2 Ziim und 4-0$ Blei anstelle des organischen, lichtempfindlichen Harzes verwendet wurde. Das Ätzen erfolgte wie in den Beispielen 1 bis 9. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle VI zusammengestellt.
209845/1162 -19-
2H9196
Tabelle VI
Beispiel Additivart . Nr. Zugege- Atzgebene schwin-Kenge diglceit
(ppm) -(/i/min)
Atz- Aussehen faktor der Oberfläche de; Lötmet aiii
3-Ai?ino-l, 2,4—triazol 3-Aniino-l, 2,4— triazol 3-Amino-l,2,4—triazol - liatriumchlorid
3-Amino-l,2,4-triazol Kaliumbromid
3-Amino-l,2,4—triazol 1-Amino-1,2,3-triazol Natriumchlorid
3-Amino-l,2,4—triazol
Natriumchlorid
Kaliumbromid
3-Amino-l,2,4—triazol
Dichloris ocyanursäure
1 -Aroino-5-niethyl-1,2,3-triazol
Natriumchlorid
Eenzotriazol Natriumchlorid
5-Ainino-tetrazol Natriumchlorid
5-Amino-1-methyltetrazol
Natriumchlorid
1-Amino-1,2,3-triazol
Ace tylbroiP id
100 17,3 1,9 glänzend
1000 20,1 2,2 It
300 36,3 3,0 Il
16
300 3M 2,8 Il
15
300
300 35,2 3,1 Il
300
16 34-,2 3,0 Il
15
300 31,3 3,0 Il
33
300 .32,5 2,9 η
16
100 20,3 2,1 Il
16
100 21,2 2,3 Il
16
300 21,4 2,0 Il
J.6
300 20 2,3 ■ Il
15
3,2 ..,, 0,3 leicht · '
ftrau
Verrrle ichs versuch 6
209845/1162 -2Or-

Claims (6)

Pat entansprüche
1. Verfahren zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen
unter Verwendung einer sauren wäßrigen Peroxysulfat-Lösung als Ätzlösung, dadurch gekennzeichnet , daf3 man eine Ätzflüssigkeit verwendet, die wenigstens eine Azolverbindung der allgemeinen Formel
-X"
X·
(D
(II)
N—
X
(IV)
oder
(V)
worin X, X1 und X", die gleich oder verschieden sein können, Wasserstoff, Aminogruppen, Aminoalkylgruppen mit 1 bia 3 Kohlenstoffatomen und Alkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeuten, als primäre Komponente und erforderlichenfalls ein oder mehrere Halogeni'de als sekundäre Komponente enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1., dadurch g e k e η η zeichne t, daß man als Az öl Verbindung 1,2,4— TriaZol, 3- !•■ethyl-l,2,4-triazol, 3,5-Dimethyl-l ,2,4-triazol, 1-Amino-1,2,4-triazol, 3-Amino-l,2,4-triazol, 5-Ämino-3-methyl-l ,2,4-triazol, 3-(ß-Aminoäthyl)-l,2,4-triazol, 3-Isopropyl-l,2,4-triazol, 1,2,3-Triazol, 1-Lethyl-l,2,3-triazol, 1-Amino-1,2,3-triazol, 1-Amino-5-methyl-i,2,3-triazol, 4,5-Dimethyl-
-21-
209845/1162
-21"- 2M9196
1,2,3^-triazol, 1-Amino-5-(n)-propyl-1,2,3-triazol, 1-(ß-Aminoäthyl)-1,2,3-triazol, Benzotriazol, 1-Methyl-benzotriazol, 1-Amino-benzotriazol, 1-Äthyl-benzotriazol, Tetrazol, 1-Methyl tetrazol, 2-Methyl-tetrazol, 5-Amino-tetrazol, 5-Amino-!- methyl-tetrazol iHid/öder i-(ß-Aminoäthyl)-tetrazol verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e ke η η zeichnet, daß man als Halogenid Fluorwasserstoff oder dessen Salze, Chlorwasserstoff oder dessen Salze, Bromwasserstoff oder dessen Salze, Jodwasserstoff oder dessen Salze, ein Oxid des Fluors, Chlors, Broms oder Jods, eine Oxysäure des Chlors, Broms oder Jods bzw. deren Salze, Dichlorisocyanursäure oder deren Salze, 1-chlordiäthyläther, ein organisches Säurehalogenid oder ein Gemisch hiervon verwendet.
4. Wässrige Lösung zum Ätzen von Kupfer und dessen Legierungen, enthaltend Peroxysulfat, dadurch gekennzeichnet , daß sie zusätzlich wenigstens eine Azolverbindung der allgemeinen Formel
rx"
(D (H) (III)
oder
(V)
20984B/1162 - 22 -
worin X, X1 und X", die gleich oder verschieden sein können, Wasserstoff, Aminogruppen, Aminoalkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen und Alkylgruppen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bedeuten, als primäre Komponente und erforderlichenfalls ein oder mehrere Halogenide als sekundäre Komponente enthält.
5. Lösung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich net, daß die Azolverbindung 1,2,4-Triazol, 3-Methyl-1,2,4-triazol, 3,5-Dimethyl-1,2,4-triazol, 1-Amino-1,2,4-triazol, 3-Amino-1,2,4-triazol, 5-Amino-3-methyl-1,2,4-triazol, 3-(ß-Aminoäthyl)-1,2,4-triazol, 3-1sopropyl-1,2,4-triazol ,1,2,3-Triazol, 1-Methyl-1,2,3-triazol, 1-Amino-1,2,3-triazol, 1-Amino-5-methyl-i,2,3-triazol, 4,5-Dimethyl-1,2,3-triazol, 1-Amino-5-(n)propyl-1,2,3-triazol, 1-(ß-Aminoäthyl)-1,2,3-triazol, Benzotriazol, 1-Metyl-benzotriazol, 1-Amino-benzotriazol, 1-lthyl-benzotriazol, Tetrazol, 1-Methyl-tetrazol, 2-Methyl-tetrazol, 5-Amino-tetrazol, 5-Amino-1-methyl-tetrazol und/oder 1-(ß-Aminoäthyl)-tetrazol ist.
6. Lösung nach Anspruch 4 oder 5t dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Halogenid Fluorwasserstoff oder dessen Salze, Chlorwasserstoff oder dessen Salze, Bromwasserstoff oder dessen Salze, Jodwasserstoff oder dessen Salze, ein Oxid des Fluors, Chlors, Broms oder Jods, eine Oxysäure des Chlors, Broms oder Jods bzw. deren Salze, Dichlorisocyanursäure oder deren Salze, 1-Chlordiäthyläther, ein organisches Säurehalogenid oder ein Gemisch hiervon ist.
2098A5/1162
DE2149196A 1971-04-26 1971-10-01 Verfahren und Lösung zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen Expired DE2149196C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP46026697A JPS5221460B1 (de) 1971-04-26 1971-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2149196A1 true DE2149196A1 (de) 1972-11-02
DE2149196C2 DE2149196C2 (de) 1982-04-29

Family

ID=12200566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2149196A Expired DE2149196C2 (de) 1971-04-26 1971-10-01 Verfahren und Lösung zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3770530A (de)
JP (1) JPS5221460B1 (de)
DE (1) DE2149196C2 (de)
FR (1) FR2134333B1 (de)
GB (1) GB1344159A (de)
IT (1) IT941866B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212410A1 (de) * 1981-04-06 1982-10-28 Mec Co., Ltd., Amagasaki Hyogo Abstreifloesung fuer zinn und zinnlegierungen
WO2004085706A1 (en) * 2003-03-25 2004-10-07 Atotech Deutschland Gmbh Solution for etching copper surfaces and method of depositing metal on copper surfaces

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5332341B2 (de) * 1973-03-27 1978-09-07
JPS533975B2 (de) * 1973-10-17 1978-02-13 Tokai Electro Chemical Co
JPS5224508B2 (de) * 1973-11-19 1977-07-01 Tokai Electro Chemical Co
SE400575B (sv) * 1974-12-13 1978-04-03 Nordnero Ab Bad for betning av koppar och dess legeringar
SE400581B (sv) * 1974-12-13 1978-04-03 Nordnero Ab Bad for kemisk polering av koppar och dess legeringar
FR2513258A1 (fr) * 1981-09-21 1983-03-25 Dart Ind Inc Solution aqueuse de peroxyde d'hydrogene stabilisee au 3-amino-1,2,4-triazole et son procede de stabilisation
DE3305319A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung
DE3623504A1 (de) * 1986-07-09 1988-01-21 Schering Ag Kupferaetzloesungen
US4859281A (en) * 1987-06-04 1989-08-22 Pennwalt Corporation Etching of copper and copper bearing alloys
FR2656630A1 (fr) * 1990-01-02 1991-07-05 Produits Ind Cie Fse Nouvelle application de l'aminotriazole, composition le contenant et son procede de mise en óoeuvre.
IT1251431B (it) * 1991-10-25 1995-05-09 Costante Fontana Composto ad elevate caratteristiche stabilizzanti particolarmente per perossidi inorganici utilizzati in applicazioni industriali
JPH06287774A (ja) * 1993-04-05 1994-10-11 Metsuku Kk 銅および銅合金の表面処理剤
JP3400558B2 (ja) * 1994-08-12 2003-04-28 メック株式会社 銅および銅合金のエッチング液
US5911907A (en) * 1995-08-30 1999-06-15 Surface Tek Specialty Products, Inc. Composition and method for stripping tin and tin-lead from copper surfaces
TW374802B (en) * 1996-07-29 1999-11-21 Ebara Densan Ltd Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board
US5869130A (en) * 1997-06-12 1999-02-09 Mac Dermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6162366A (en) * 1997-12-25 2000-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Etching process
TW460622B (en) 1998-02-03 2001-10-21 Atotech Deutschland Gmbh Solution and process to pretreat copper surfaces
DE19830038C2 (de) * 1998-02-03 2001-08-02 Atotech Deutschland Gmbh Lösung und Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen
TW470785B (en) 1998-02-03 2002-01-01 Atotech Deutschland Gmbh Process for preliminary treatment of copper surfaces
US6117250A (en) * 1999-02-25 2000-09-12 Morton International Inc. Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions
US6444140B2 (en) 1999-03-17 2002-09-03 Morton International Inc. Micro-etch solution for producing metal surface topography
US6383272B1 (en) 2000-06-08 2002-05-07 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US20030178391A1 (en) * 2000-06-16 2003-09-25 Shipley Company, L.L.C. Composition for producing metal surface topography
US20040099637A1 (en) * 2000-06-16 2004-05-27 Shipley Company, L.L.C. Composition for producing metal surface topography
US6419784B1 (en) 2000-06-21 2002-07-16 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
DE10066028C2 (de) * 2000-07-07 2003-04-24 Atotech Deutschland Gmbh Kupfersubstrat mit aufgerauhten Oberflächen
US6554948B1 (en) 2000-08-22 2003-04-29 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
WO2002061810A1 (en) * 2001-01-16 2002-08-08 Cabot Microelectronics Corporation Ammonium oxalate-containing polishing system and method
JP4687852B2 (ja) * 2001-06-25 2011-05-25 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
TWI282377B (en) * 2003-07-25 2007-06-11 Mec Co Ltd Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same
EP1820884B1 (de) * 2006-02-17 2009-10-07 Atotech Deutschland Gmbh Zusammensetzung und Verfahren zur Behandlung der Oberflächen von Kupferlegierungen, um die Haftfähigkeit zwischen der Metalloberfläche und dem gebundenen polymerischen Material zu verbessern
US20070228011A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Buehler Mark F Novel chemical composition to reduce defects
JP2011179085A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 C Uyemura & Co Ltd 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法
EP3159432B1 (de) 2015-10-23 2020-08-05 ATOTECH Deutschland GmbH Oberflächenbehandlungsmittel für kupfer und kupferlegierungsoberflächen
CN108601231A (zh) * 2018-04-09 2018-09-28 常州海弘电子有限公司 一种印制线路板的生产工艺及测试方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1072859B (de) * 1959-07-13 1960-01-07 Food Machinery and Chemical Corporation San Jose Calif (V St A) Verfahren zum Ablosen von Kupfer
US3216873A (en) * 1961-08-04 1965-11-09 Fmc Corp Method of etching photoengraving plates and etching solution used therefor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3476624A (en) * 1966-02-08 1969-11-04 Fmc Corp Process of etching copper circuits
GB1124904A (en) * 1967-07-13 1968-08-21 Shell Int Research Improvements in or relating to lubricating greases

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1072859B (de) * 1959-07-13 1960-01-07 Food Machinery and Chemical Corporation San Jose Calif (V St A) Verfahren zum Ablosen von Kupfer
US3216873A (en) * 1961-08-04 1965-11-09 Fmc Corp Method of etching photoengraving plates and etching solution used therefor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212410A1 (de) * 1981-04-06 1982-10-28 Mec Co., Ltd., Amagasaki Hyogo Abstreifloesung fuer zinn und zinnlegierungen
WO2004085706A1 (en) * 2003-03-25 2004-10-07 Atotech Deutschland Gmbh Solution for etching copper surfaces and method of depositing metal on copper surfaces
DE10313517A1 (de) * 2003-03-25 2004-10-14 Atotech Deutschland Gmbh Lösung zum Ätzen von Kupferoberflächen und Verfahren zum Abscheiden von Metall auf Kupferoberflächen
DE10313517B4 (de) * 2003-03-25 2006-03-30 Atotech Deutschland Gmbh Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens
CN100379898C (zh) * 2003-03-25 2008-04-09 埃托特克德国有限公司 用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2134333A1 (de) 1972-12-08
GB1344159A (en) 1974-01-16
US3770530A (en) 1973-11-06
DE2149196C2 (de) 1982-04-29
IT941866B (it) 1973-03-10
JPS5221460B1 (de) 1977-06-10
FR2134333B1 (de) 1974-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2149196A1 (de) Verfahren und Loesung zum AEtzen von Kupfer und dessen Legierungen
DE69518166T2 (de) Beschichten von kupfer
DE19926117A1 (de) Flüssiges Ätzmittel und Verfahren zum Aufrauhen von Kupferoberflächen
DE102004053336B4 (de) Wässrige Ätzmittellösung für Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und/oder Palladium sowie Verwendung zur Herstellung von Leiterplatten
DE68926622T2 (de) Inhibierte zusammensetzung und ein verfahren zum abziehen von zinn, blei oder zinn-blei legierung von kupferflachen
DE3242899C2 (de) Wäßrige Entmetallisierungszusammensetzung zur Entfernung von Zinn und Zinn-Blei-Legierungen von einem Metallsubstrat
DE3390209T1 (de) Lötmittel-Entfernungslösung
DE19732419A1 (de) Ätzmittel, Verfahren zum Aufrauhen von Kupferoberflächen und Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten
DE2143785A1 (de) Verfahren zum selektiven Abbeizen von Zinn und/oder Blei von Kupfersubstraten
DE2700265B2 (de) Saure Peroxid-Ätzlösung und deren Verwendung zum Ätzen von Metall, insbesondere von Kupfer
DE60122509T2 (de) Verfahren zur verbesserung der adhäsion von polymerischen materialien an metalloberflächen
EP0361102A1 (de) Reiniger für Aluminium
DE2427601C2 (de) Mittel zur Entfernung von Rußflecken von Aluminium und Aluminiumlegierungen
DE69423904T2 (de) ZUSÄTZE FÜR KUPFERÄTZFLüSSIGKEIT
DE69014789T2 (de) Zusammensetzung und verfahren zur entfernung von zinn oder zinn-bleilegierungen von kupferflächen.
DE10066028A1 (de) Kupfersubstrat mit aufgerauhten Oberflächen
DE3623504A1 (de) Kupferaetzloesungen
DE10302596A1 (de) Behandlung von Metalloberflächen mit einer modifizierten Oxidaustauschmasse
DE69027952T2 (de) Verfahren zum Auflösen von Zinn und Zinnlegierungen
DE60000696T2 (de) Verfahren zur Verbesserung der Adhäsion von Polymeren an Metalloberflächen
EP0315891B1 (de) Badlösungen und Verfahren zum Entfernen von Blei/Zinn-, Blei- bzw. Zinnschichten von Kupfer- oder Nickeloberflächen
DE60100834T2 (de) Zusammensetzung für die Leiterplattenherstellung
DE1160271B (de) Verfahren zum Aufloesen von Kupfer
CH666059A5 (de) Verfahren zum loesen von metallen unter verwendung eines glykolaethers.
EP1055355B1 (de) Verfahren zum vorbehandeln von kupferoberflächen

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN