DE1041536B - Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer Fernsprechmikrofone - Google Patents
Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer FernsprechmikrofoneInfo
- Publication number
- DE1041536B DE1041536B DES26982A DES0026982A DE1041536B DE 1041536 B DE1041536 B DE 1041536B DE S26982 A DES26982 A DE S26982A DE S0026982 A DES0026982 A DE S0026982A DE 1041536 B DE1041536 B DE 1041536B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrically conductive
- microphone
- conductive material
- semiconductor
- filling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 4
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R21/00—Variable-resistance transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
- Elektrisch leitender Stoff in Pulver-oder Grießform als Mikrofonfüllung für Fernsprechmikrofone In den modernen Mikrofonen wird als Mikrofonfüllung fast ausschließlich Kohlegrieß verschiedener Korngrößen verwendet. Sie haben einige Nachteile, wie z. B. Rauschanfälligkeit, geringe Überlastbarkeit, Abnahme des Mikrofoneffektes durch Alterung. Versuche, die große Streuung in der Fertigung von Kohlegrießmikrofonen zu beseitigen, zeigten, daß ausschließlich der Kohlegrieß und seine Vorbehandlung von maßgebendem Einfluß auf Verstärkung und Rauschpegel sind. Andere Versuche, den Kohlegrieß durch Metallgrieß zu ersetzen, befriedigten nicht, da einerseits durch die erhöhte metallische Leitung der Kontaktwiderstand ungünstig klein, andererseits die Ansprechempfindlichkeit durch Oxydhäute zeitlich inkonstant werden.
- Es ist bekannt, als Kontaktstoff für Mikrofone Leiter zweiter Klasse zu verwenden, wie z. B. Magnesia. Dieses setzt allerdings voraus, daß diese Kontaktkörper vor Benutzung des Mikrofons durch Erwärmen in den leitfähigen Zustand versetzt werden. Auch Kupfersulfid und andere Metallverbindungen sind bereits als Kontaktstoff für Mikrofone vorgesehen worden. Ferner ist es bekannt, die Körnermasse aus nichtleitenden Körpern, wie z. B. Glaskörner, mit einem Metallüberzug zu versehen, um die Widerstandsänderungen ohne wesentliche Erhöhung des spezifischen Gewichtes zu erleichtern und die Reibungswiderstände zwischen den einzelnen Körnern zu vermindern. An Stelle nichtleitenderTrägerkörper, wie z. B. Glas, Porzellan, ist es bekannt, Metalle als mikrofonische Kontaktkörper zu benutzen, die mit einem Hartkohleüberzug versehen sind.
- Alle die bekannten Vorschläge haben jedoch nicht zu einem befriedigenden Ergebnis geführt, da der mikrofonische Effekt nach neuerer Erkenntnis nicht allein auf der Widerstandsänderung in der Mikrofonfüllung beruht, sondern von einem Halbleitereffekt überlagert ist.
- Die Erfindung geht von dieser Erkenntnis aus und benutzt einen elektrisch leitenden Stoff in Pulver-oder Grießform als Mikrofonfüllmasse für Fernsprechmikrofone, der nach der Erfindung so geschaffen ist, daß wenigstens die Oberfläche der einzelnen Partikelchen des Stoffes aus Halbleitermaterial mit Ausnahme von Hartkohle besteht, das Überschuß- und/ oder Defektelektronen als Ladungsträger bereits bei Zimmertemperatur hat, wobei die Zahl der diese Ladungsträger liefernden Störatome, verglichen mit der Gesamtzahl dieser Atome, äußerst gering ist.
- Zweckmäßigerweise wird die Halbleiteroberflächenschicht in gleichmäßiger Stärke auf die Kernpartikelchen aufgebracht, die entweder aus massivem Halbleiterkorn oder aus elektrisch leitenden oder elektrisch nichtleitenden Kernpartikelchen bestehen. Die halbleitenden Oberflächenüberzüge über die Kernpartikelchen, wofür sich besonders Germanium, Silicium, Tellur und Wismut eignen, können mit definierter, gut ausgebildeter Kristallstruktur aufgebracht werden, zeigen große Härte mit geringer Haftneigung und sind infolge der homogenen Kristallstruktur in Richtung zum Einkristall rauscharm. Durch Fehlen der Haftneigung wird die Mikrofonempfindlichkeit nicht verringert. Gegenüber dem porösen Kohlegrieß zeigt sich größere Feuchtigkeitsunempfindlichkeit.
- Die Herstellung der Halbleiter-Oherfläche kann nach einem Kondensationsverfahren, d. h. durch Ausscheidung aus der flüssigen Phase und durch ein Aufdampfverfahren, d. h. durch Ausscheidung aus der gasförmigen Phase und durch Sublimation aus der festen Phase erfolgen.
- Mit den Partikelchen gemäß der Erfindung lassen sich rauscharme Fernsprechmikrofone höherer Empfindlichkeit, die ebenso wie die herkömmlichen Kohlegrießmikrofone aufgebaut sind, herstellen.
- Da die Mikrofonwirkung auf der Beeinflussung des Oberflächenkontaktes von Halbleiter gegen Halbleiter, durch Schalldruckamplituden hervorgerufen, beruht, ist es zweckmäßiger, auch mit Rücksicht auf eine homogene Kristallstruktur die Halbleiterstoffe nicht massiv in grießförmiger Gestalt, sondern einen halbleitenden Überzug über grießförmige Teilchen anzuwenden.
- Durch die Wahl des für die Kernpartikelchen zu verwendenden Materials hat man es in der Hand, dem Gleichstromwiderstand, wobei sich die Leistungsabgabe des Mikrofons entsprechend mitverändert, in gewissen Grenzen eine gewünschte Größe zu geben, da einerseits bei Leiterkernpartikelchen der Widerstand quer durch das Gesamtpartikelchen hindurch sehr klein ist und praktisch nur durch die Halbleiter-Kontaktdruckwiderstände verursacht wird, während andererseits bei \Tichtleiterkernpartikelchen derWiderstand quer durch das Gesamtpartikelchen hindurch groß wird und die Stromführung lediglich durch die Halbleiter-Oberflächenschicht um das nichtleitende Kernpartikelchen herum erfolgt.
Claims (5)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Grießform als ::Mikrofonfüllung für Fernsprechmikrofone, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die Oberfläche der einzelnen Partikelchen des Stoffes aus Halbleitermaterial mit Ausnahme von Hartkohle besteht, das Überschuß- und/oder Defektelektronen als Ladungsträger bereits bei Zimmertemperatur hat, wobei die Zahl der diese Ladungsträger liefernden Störatome, verglichen mit der Gesamtzahl dieser Atome, äußerst gering ist.
- 2. Elektrisch leitender Stoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Partikelchen aus massiven Halbleiterkörnern bestehen.
- 3. Elektrisch leitender Stoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß elektrisch nichtleitende Kernpartikelchen eine Halbleiter-Oberflächenschicht haben.
- 4. Elektrisch leitender Stoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß elektrisch leitende Kernpartikelchen eine Halbleiter-Oberflächenschicht haben.
- 5. Elektrisch leitender Stoff nach Anspruch 1, 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Oberflächenschicht in gleichmäßiger Stärke auf die Kernpartikelchen aufgebracht ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 135 716, 163 050, 166 521, 535 972, 551707, 809 831; Fernmeldetechnische Zeitschrift (F. T. Z.) , 1950, S.23.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES26982A DE1041536B (de) | 1952-01-30 | 1952-01-30 | Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer Fernsprechmikrofone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES26982A DE1041536B (de) | 1952-01-30 | 1952-01-30 | Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer Fernsprechmikrofone |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1041536B true DE1041536B (de) | 1958-10-23 |
Family
ID=7478912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES26982A Pending DE1041536B (de) | 1952-01-30 | 1952-01-30 | Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer Fernsprechmikrofone |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1041536B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1283900B (de) * | 1967-03-07 | 1968-11-28 | Telefunken Patent | Kontaktmikrofon und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US3845251A (en) * | 1971-12-22 | 1974-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Improved acoustic-electro converting device having semiconductor granules |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE135716C (de) * | ||||
| DE163050C (de) * | ||||
| DE166521C (de) * | ||||
| DE535972C (de) * | 1926-01-21 | 1931-10-19 | Siemens & Halske Akt Ges | Mikrophonischer Kontaktkoerper mit Hartkohleueberzug |
| DE551707C (de) * | 1927-12-25 | 1932-06-03 | Porzellanfabrik Ph Rosenthal & | Stabfoermiger elektrischer Heizwiderstand |
| DE809831C (de) * | 1949-05-05 | 1951-08-02 | Bauknecht Gmbh G | Elektrischer Widerstand |
-
1952
- 1952-01-30 DE DES26982A patent/DE1041536B/de active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE135716C (de) * | ||||
| DE163050C (de) * | ||||
| DE166521C (de) * | ||||
| DE535972C (de) * | 1926-01-21 | 1931-10-19 | Siemens & Halske Akt Ges | Mikrophonischer Kontaktkoerper mit Hartkohleueberzug |
| DE551707C (de) * | 1927-12-25 | 1932-06-03 | Porzellanfabrik Ph Rosenthal & | Stabfoermiger elektrischer Heizwiderstand |
| DE809831C (de) * | 1949-05-05 | 1951-08-02 | Bauknecht Gmbh G | Elektrischer Widerstand |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1283900B (de) * | 1967-03-07 | 1968-11-28 | Telefunken Patent | Kontaktmikrofon und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US3845251A (en) * | 1971-12-22 | 1974-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone | Improved acoustic-electro converting device having semiconductor granules |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2940529A1 (de) | Silber-silberchlorid-elektrode | |
| DE2824609C2 (de) | Vorrichtung zur Feuchtigkeitsmessung durch elektrostatische Kapazitätsänderung | |
| DE2308073A1 (de) | Keramischer elektrischer widerstandskoerper und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1041536B (de) | Elektrisch leitender Stoff in Pulver- oder Griessform als Mikrofonfuellung fuer Fernsprechmikrofone | |
| DE2210533A1 (de) | Vorrichtung zur Messung der Nickelionenaktivität | |
| DE2052148B2 (de) | Widerstandsmasse und deren Verwendung | |
| DE1564163C3 (de) | Dielektrisches Material | |
| DE1252258B (de) | Elektromecha nischer Wandler nach dem elektrostati sehen Prinzip und Verfahren zu semer Herstellung | |
| DE919360C (de) | Selen-Gleichrichter mit Tellur und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1275434B (de) | Keramischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| US4397774A (en) | Method of preparing resistance material and resistor bodies produced therewith | |
| DE1169902B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitendem kubischem Bornitrid | |
| DE832644C (de) | Aus einer chemischen Metallverbindung bestehendes, lichtelektrisch empfindliches Halbleiterelement | |
| DE1134520B (de) | Verwendung von auf pulvermetallurgischem Wege hergestellten Legierungen auf Gold-, Iridium- oder Rhodium-Basis als Werkstoff fuer die kontaktgebenden Teile elektrischer Kontakte | |
| DE1640503C3 (de) | Verfahren zum Widerstandsabgleich eines elektrischen Schichtwiderstandselements mit glasierter Widerstandsschicht | |
| DE135716C (de) | ||
| DE908770C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockengleichrichter | |
| DE716739C (de) | Beruehrungsmikrofon mit Kohlekammer | |
| DE932916C (de) | Elektrischer Widerstandskoerper | |
| DE509502C (de) | Verfahren zur Herstellung einer leitfaehigen Schicht fuer hochohmige Widerstaende | |
| DE722475C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktwerkstoffen fuer Pendelstromrichter | |
| US2329038A (en) | Resistor | |
| DE753223C (de) | Einrichtung zur Abnahme oder Umschaltung von kleinen Stroemen oder Spannungen in Funkgeraeten | |
| DE410462C (de) | Durchfuehrung fuer hohe Spannungen | |
| DE966387C (de) | Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung |