CN220821555U - 传感器芯片qfn封装过渡结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及带有传感器的集成电路的结构，特别是传感器芯片QFN封装过渡结构。它包括至少一个加工单元，每个加工单元包括引线框架和上表面带有感应区的祼芯，引线框架上连接一组引脚，它还包括其一个表面带有粘接层的薄膜，祼芯上的焊垫设置于其远离薄膜的下表面上，所述祼芯、引线框架和引脚通过粘接层与薄膜连接，祼芯的感应区朝向薄膜。本实用并新型不仅能简化的传感器类或类似芯片的加工过程，还能降低成本，并提高了产品的良率。

Description

传感器芯片QFN封装过渡结构

技术领域

本实用新型涉及带有传感器的集成电路的结构，特别是传感器芯片QFN封装过渡结构。

背景技术

在一些传感器芯片中，芯片感应区域与芯片焊垫位于芯片的不同表面。通常这类芯片使用倒装封装形式，即将芯片焊点通过倒装焊接与引线框架或者基板的对应引脚进行焊接，感应区域通过专用的塑封模具使其在产品顶面裸露，与外部环境接触。

图1展示了现有技术中一种典型的此类型的传感器的加工方式。它是在PCB板或称为系统板1上开有通孔2，将传感器SMT在PCB板（或称为系统板）封装完成后，通孔2正好对准传感器芯片3裸露在外面的芯片底面感应区域。另外，这类集成块的焊垫往往设置在传感器芯片3的下表面上，加工时需要采用倒装焊接，这不仅给加工带来了难度，增加生产成本，而且，还容易降低良率。

发明内容

本实用新型的目的在于：设计一种能够简化操作、成本低的传感器芯片QFN封装过渡结构。

本实用新型包括至少一个加工单元，每个加工单元包括引线框架和上表面带有感应区的祼芯，引线框架上连接一组引脚，它还包括其一个表面带有粘接层的薄膜，祼芯上的焊垫设置于其远离薄膜的下表面上，所述祼芯、引线框架和引脚通过粘接层与薄膜连接，祼芯的感应区朝向薄膜。

进一步地，所述的薄膜位于同一平面上，所述引脚和祼芯的上表面在薄膜的作用下设置于同一表面上。

进一步地，它包括至少两个加工单元，各加工单元通过粘接层与同一薄膜连接。

进一步地，除祼芯、引脚的上表面以及引线框架外，引脚和祼芯主体及导线位于塑封体内。

进一步地，祼芯上的焊垫通过导线与引脚连接。

本实用新型采用了薄膜的结构，在封装过程中可以保护传感器芯片的感应区域，封装完成后，撕下耐高温薄膜即可将芯片的感应区域暴露在外面，与外界环境充分结构，该结构的加工过程简单，不必考虑薄膜与感应区域的相对位置，而且能保证传感器芯片的感应效果。

附图说明

图1为现有技术的结构示意图；

图2为本实用新型实施例1一个加工单元的俯视图；

图3为图2的A-A视图；

图4为图3中B点的放大图；

图5为图2所示实施例1的仰视图；

图6为实施例2一个加工单元的主视图；

图7为图6的剖视图；

其中，1、系统板，2、通孔，3、传感器芯片，4、引线框架，5、引脚，6、薄膜，7、粘接层，8、祼芯，9、感应区，10、导线，11、塑封体，12、焊垫。

具体实施方式

实施例

如图所示，本实施例包括薄膜6、引线框架4和与引线框架4连接的一组引脚5以及带有感应区9的祼芯8。

其中，薄膜6的一个表面上设置有粘接层7。在生产过程中，粘接层7设置于薄膜6的上方。薄膜6与粘接层7可以设置在平面状台面上，从而使薄膜6处于平面状态。

本实施例的引线框架4和引脚5在使用时位于上部的上表面在此时朝向向下，并通过粘接层7粘接到薄膜6上。而祼芯8带有感应区9的上表面此时也朝向向下，并通过粘接层7与薄膜6连接，从而使引线框架4、引脚5以及祼芯8的上表面均朝向下方并位于同一平面上。祼芯8上的焊垫9位于祼芯8的下表面上，而由于本实施例祼芯8为倒置，因此其焊垫9位于本实施例的上表面。焊垫9通过导线10与引线框架4的对应引脚5连接。

实施例

如图所示，本实施例为实施例1基础上的进一步的产品，该产品中与实施例1相同的各部件的位置、连接方式均与实施例1相同，这里不再赘述。

本实施例在实施例1的基础上加装了塑封体12。塑封体12将引脚5、祼芯8主体和导线6置于塑封体7内，引线框架1、引脚2的上表面及祼芯8的上表面仍通过粘接层7与薄膜6连接。

利用本实用新型加工传感器类芯片时，不必再使用专门开孔的PCB板，也不必考虑PCB板上所开的通孔与传感器芯片的感应区位置是否对应，而是采用成本低廉的带有粘接层的薄膜，不仅有利于祼芯8、引线框架1及引脚2的定位，还使本实用新型不必采用倒装焊接的方式，加工完成后将薄膜6揭掉即可。这不仅简化的加工过程，还能降低成本，并提高了产品的良率。

Claims (6)

1.一种传感器芯片QFN封装过渡结构，包括至少一个加工单元，每个加工单元包括引线框架（4）和上表面带有感应区（9）的祼芯（8），引线框架（4）上连接一组引脚（5），其特征是：它包括其一个表面带有粘接层（7）的薄膜（6），祼芯（8）上的焊垫（12）设置于其远离薄膜（6）的下表面上，所述祼芯（8）、引线框架（4）和引脚（5）通过粘接层（7）与薄膜（6）连接，祼芯（8）的感应区（9）朝向薄膜（6）。

2.根据权利要求1所述的传感器芯片QFN封装过渡结构，其特征是：所述的薄膜（6）位于同一平面上，所述引脚（5）和祼芯（8）的上表面在薄膜（6）的作用下设置于同一表面上。

3.根据权利要求1或2所述的传感器芯片QFN封装过渡结构，其特征是：它包括至少两个加工单元，各加工单元通过粘接层（7）与同一薄膜（6）连接。

4.根据权利要求3所述的传感器芯片QFN封装过渡结构，其特征是：除祼芯（8）、引脚（5）的上表面以及引线框架（4）外，引脚（5）和祼芯（8）主体及导线（10）位于塑封体（11）内。

5.根据权利要求1或2所述的传感器芯片QFN封装过渡结构，其特征是：除祼芯（8）、引脚（5）的上表面以及引线框架（4）外，引脚（5）和祼芯（8）主体及导线（10）位于塑封体（11）内。

6.根据权利要求1或2所述的传感器芯片QFN封装过渡结构，其特征是：祼芯（8）上的焊垫（12）通过导线（10）与引脚（5）连接。