[go: up one dir, main page]

CN202033562U - 液晶显示器阵列基板 - Google Patents

液晶显示器阵列基板 Download PDF

Info

Publication number
CN202033562U
CN202033562U CN2011201360379U CN201120136037U CN202033562U CN 202033562 U CN202033562 U CN 202033562U CN 2011201360379 U CN2011201360379 U CN 2011201360379U CN 201120136037 U CN201120136037 U CN 201120136037U CN 202033562 U CN202033562 U CN 202033562U
Authority
CN
China
Prior art keywords
common electrode
layer
via hole
liquid crystal
transparent common
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2011201360379U
Other languages
English (en)
Inventor
惠官宝
崔承镇
张峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN2011201360379U priority Critical patent/CN202033562U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202033562U publication Critical patent/CN202033562U/zh
Priority to US13/457,825 priority patent/US8698149B2/en
Priority to KR1020120044639A priority patent/KR101398094B1/ko
Priority to EP12166015.3A priority patent/EP2518558B1/en
Priority to JP2012104483A priority patent/JP6030333B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134381—Hybrid switching mode, i.e. for applying an electric field with components parallel and orthogonal to the substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本实用新型涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种液晶显示器阵列基板，包括：基板；第一层透明公共电极，形成于所述基板上；栅金属公共电极，形成于所述第一层透明公共电极层上；绝缘层，形成于所述栅金属公共电极上，所述绝缘层上形成有过孔；第二层透明公共电极，形成于所述绝缘层上；其特征在于，所述过孔的一部分边缘与栅金属公共电极接触，一部分边缘与第一层透明公共电极接触。本实用新型能够避免第一层透明公共电极与栅金属公共电极出现分层缺陷导致的像素显示异常，保证了液晶显示器的显示效果，提高了显示品质。

Description

液晶显示器阵列基板
技术领域
本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示器技术领域，特别涉及一种液晶显示器阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低以及无辐射等特点，在当前的平板显示器领域被广泛采用。但是，液晶显示器存在视角较小的缺陷，为此各大厂商各自开发了广视角(Wide Viewing Angle)技术。在众多的广视角技术中，高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。
为降低生产成本，一般通过减少AD-SDS型TFT-LCD阵列基板的掩膜工艺来实现，目前各大厂商均积极开发4次掩膜工艺来制备AD-SDS型TFT-LCD阵列基板。如图1，2，3所示，现有技术的的制备过程包括：第1层工艺：在玻璃基板1上沉积第一层透明电极和栅金属，采用灰阶掩膜工艺，利用灰阶掩模板曝光，再进行刻蚀、灰化和剥离等工艺形成第一层透明公共电极2(1st ITO)、栅金属线3即栅电极(Gate)、两行栅金属公共电极(栅金属公共电极11’和上一行栅金属公共电极12’)；第2层工艺：在前述图案的基础上，连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，然后利用灰阶掩模板曝光，形成栅绝缘层4、半导体层5(半导体有源硅岛)、掺杂半导体层6以及源漏金属层7；第3次掩膜工艺形成过孔(Via)：具体为在源漏金属层7之上沉积形成钝化绝缘层8(过孔层)，并覆盖整个玻璃基板1，然后通过曝光和刻蚀工艺，在钝化绝缘层8上形成过孔10’和14’；第4次灰阶掩膜沉积透明电极层，通过曝光和刻蚀工艺，形成第二层透明像素电极9和第二层透明公共电极13，像素电极通过过孔与源漏电极相导通。在连接上下两行像素的公共电极信号的区域(如图3所示)，过孔10’的剖面为U形或方形，其底边与栅金属公共电极11’接触，栅金属公共电极11’的下方为第一层透明公共电极2，过孔10’与第一层透明公共电极2不相接触。
现有技术在利用灰阶掩膜板制备第一层透明公共电极时基本上都采用非晶氧化铟锡薄膜(a-ITO)，在进行下一层栅绝缘层4的沉积成膜时，温度会高达300摄氏度以上，a-ITO在如此高温下会发生晶化反应，转变成多晶氧化铟锡薄膜(p-ITO)。由于p-ITO的晶粒与栅金属公共电极11’的晶粒尺寸不同，在a-ITO转化到p-ITO的过程中，会导致第一层透明公共电极层2与栅金属公共电极11’之间的剥离、分层(如图4所示)，出现裂缝15。这种裂缝15会导致接触不良，栅金属公共电极11’的电压信号不能有效传输给第一层透明公共电极层2，从而对于上下相邻的像素，上面像素的第一层透明公共电极层与下面像素的第一层透明公共电极层不能正常导通，导致像素显示不正常，影响显示器的显示效果和质量。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是如何避免第一层透明公共电极和栅金属公共电极之间由于出现裂缝导致的接触不良，提高显示品质。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种液晶显示器阵列基板，包括：
基板；
第一层透明公共电极，形成于所述基板上；
栅金属公共电极，形成于所述第一层透明公共电极层上；
绝缘层，形成于所述栅金属公共电极上，所述绝缘层上形成有过孔；
第二层透明公共电极，形成于所述绝缘层上；
所述过孔的一部分边缘与栅金属公共电极接触，一部分边缘与第一层透明公共电极接触。
其中，所述绝缘层包括：形成于所述栅金属公共电极上的栅绝缘层和形成于所述栅绝缘层上的钝化绝缘层，所述栅绝缘层和钝化绝缘层与过孔的一部分边缘接触。
其中，所述绝缘层在栅金属线的两侧各具有一个过孔。
至少一个所述过孔的底部呈阶梯状。
进一步地，两个所述过孔的底部均呈阶梯状。
所述栅金属公共电极与过孔的一部分侧部及一部分底部接触，所述第一层透明公共电极层与过孔的另一部分底部接触。
所述栅金属公共电极与过孔的一部分侧部接触，所述第一层透明公共电极层与过孔的底部接触。
(三)有益效果
上述技术方案具有如下有益效果：通过将栅金属公共电极的一侧缩短，使其位于过孔的正下方，使刻蚀后的过孔底部一部分与栅金属公共电极接触，一部分与第一层透明公共电极接触，从而即使第一层透明公共电极与栅金属公共电极之间出现剥离和分层，栅金属公共电极的电压信号也会通过过孔底部的第二层透明公共电极传导至与其接触的第一层透明公共电极，从而保证相邻两行像素的公共电极信号正常导通，像素能够正常显示，保证了液晶显示器的显示效果，提高了显示品质。
附图说明
图1是现有技术中的液晶显示器阵列基板的俯视图；
图2是图1的A’-A向剖视图；
图3是图1的B’-B向剖视图；
图4是出现异常的图1的B’-B向剖视图；
图5是本实用新型实施例的液晶显示器阵列基板的剖视图；
图6是本实用新型实施例的液晶显示器阵列基板的俯视图。
其中，1：玻璃基板；2：第一层透明公共电极；3：栅金属线；4：栅绝缘层；5：半导体层；6：掺杂半导体层；7：源漏金属层(数据线)；8：钝化绝缘层；9：第二层透明像素电极层；10、10’：钝化绝缘层的过孔；11、11’：栅金属公共电极；12、12’：上一行栅金属公共电极；13：第二层透明公共电极；14：公共电极处的过孔；15：裂缝；16：栅金属公共电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图5、图6所示，为本实用新型实施例的液晶显示器阵列基板的剖视图和俯视图，该阵列基板包括：基板，具体在本实施例中为玻璃基板1，玻璃基板1上形成有第一层透明公共电极2，第一层透明公共电极2上形成有栅金属公共电极11，栅金属公共电极11的一侧与第一层透明公共电极2对齐，另一侧延伸至对应于钝化绝缘层的过孔10位置的下方，上一行栅金属公共电极12的一侧则延伸至公共电极处的过孔14的下方；栅金属公共电极3的上方形成有绝缘层，绝缘层上有过孔，该过孔的一部分边缘与栅金属公共电极3接触，一部分边缘与第一层透明公共电极2接触。绝缘层的上方形成有第二层透明公共电极9，第二层透明公共电极9通过过孔的一部分边缘与栅金属公共电极3接触，一部分边缘与第一层透明公共电极2接触。
具体地，绝缘层包括栅绝缘层4，其形成于栅金属公共电极11上，栅绝缘层4的上方形成有钝化绝缘层8，钝化绝缘层8和栅绝缘层4的一端均与钝化绝缘层上的过孔10的一部分边缘接触。
具体地，在栅金属线3的两侧各具有一个过孔14，优选地，该两个过孔14在栅金属线3的两侧对称设置。至少一个过孔14的底部呈阶梯状。
对于每一个过孔14，如图5所示，可以为其侧部的一部分和底部的一部分与栅金属公共电极11接触，底部的另一部分与第一层透明公共电极2接触。另一个过孔14则其侧部的一部分和底部的一部分与上一行栅金属公共电极12接触，底部的另一部分与第一层透明公共电极2接触。
也可以为其侧部的一部分与栅金属公共电极11接触，其底部与第一层透明公共电极2接触；另一个过孔14则其侧部的一部分与上一行栅金属公共电极12接触，其底部与第一层透明公共电极2接触。
以过孔14为例，在第一次灰阶掩膜工艺中，在玻璃基板1上沉积第一层透明公共电极层2，然后在第一层透明公共电极层2的上方形成栅金属公共电极11，在连接上下两行像素公共电压信号的区域中，利用后续的灰阶掩膜工艺将栅金属公共电极11延伸至对应于过孔14位置的正下方即可，过孔14会被刻蚀至第一层透明公共电极层2。这样，即使第一层透明公共电极层2与栅金属公共电极11之间出现剥离和分层，栅金属公共电极11的电压信号也会通过过孔14底部的第二层透明公共电极层9传导至与其接触的第一层透明公共电极层2，从而保证相邻像素的第一层透明公共电极层正常导通，像素能够正常显示，保证了液晶显示器的显示效果，提高了显示品质。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.液晶显示器阵列基板，包括：
基板；
第一层透明公共电极，形成于所述基板上；
栅金属公共电极，形成于所述第一层透明公共电极层上；
绝缘层，形成于所述栅金属公共电极上，所述绝缘层上形成有过孔；
第二层透明公共电极，形成于所述绝缘层上；
其特征在于，所述过孔的一部分边缘与栅金属公共电极接触，一部分边缘与第一层透明公共电极接触。
2.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括：形成于所述栅金属公共电极上的栅绝缘层和形成于所述栅绝缘层上的钝化绝缘层，所述栅绝缘层和钝化绝缘层与过孔的一部分边缘接触。
3.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层在栅金属线两侧各具有一个过孔。
4.如权利要求3所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，至少一个所述过孔的底部呈阶梯状。
5.如权利要求3所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，两个所述过孔的底部均呈阶梯状。
6.如权利要求3所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述栅金属公共电极与过孔的一部分侧部及一部分底部接触，所述第一层透明公共电极与过孔的另一部分底部接触。
7.如权利要求3所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述栅金属公共电极与过孔的一部分侧部接触，所述第一层透明公共电极层与过孔的底部接触。
CN2011201360379U 2011-04-29 2011-04-29 液晶显示器阵列基板 Expired - Lifetime CN202033562U (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011201360379U CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-04-29 液晶显示器阵列基板
US13/457,825 US8698149B2 (en) 2011-04-29 2012-04-27 Liquid crystal display and array substrate
KR1020120044639A KR101398094B1 (ko) 2011-04-29 2012-04-27 액정 디스플레이 및 어레이 기판
EP12166015.3A EP2518558B1 (en) 2011-04-29 2012-04-27 Liquid crystal display and array substrate
JP2012104483A JP6030333B2 (ja) 2011-04-29 2012-05-01 液晶ディスプレー、及びアレイ基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011201360379U CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-04-29 液晶显示器阵列基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202033562U true CN202033562U (zh) 2011-11-09

Family

ID=44895853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011201360379U Expired - Lifetime CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-04-29 液晶显示器阵列基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8698149B2 (zh)
EP (1) EP2518558B1 (zh)
JP (1) JP6030333B2 (zh)
KR (1) KR101398094B1 (zh)
CN (1) CN202033562U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013123803A1 (zh) * 2012-02-22 2013-08-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103364987A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN111596491A (zh) * 2019-02-21 2020-08-28 群创光电股份有限公司 电子调制装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769040B (zh) * 2012-07-25 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103576401B (zh) * 2012-08-10 2018-05-08 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103715135B (zh) * 2013-12-16 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种过孔及其制作方法、阵列基板
CN103913916B (zh) * 2014-04-04 2017-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏
CN104049392B (zh) * 2014-06-10 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 防止显示面板异常放电的装置和显示面板制备系统
KR102221845B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
KR102227519B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
KR102232258B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
US20180024397A1 (en) * 2015-04-30 2018-01-25 Lg Chem, Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing same
WO2016178547A1 (ko) * 2015-05-06 2016-11-10 주식회사 엘지화학 액정 디스플레이 장치
US10103269B2 (en) * 2015-05-08 2018-10-16 Lg Chem, Ltd. Thin-film transistor substrate having a light reflection reduction layer and display device comprising same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682839B2 (ja) * 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
KR100190023B1 (ko) * 1996-02-29 1999-06-01 윤종용 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100307385B1 (ko) 1997-03-05 2001-12-15 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의구조및그제조방법
US6259119B1 (en) * 1997-12-18 2001-07-10 Lg. Philips Lcd Co, Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100975734B1 (ko) 2003-09-08 2010-08-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20060074325A (ko) 2004-12-27 2006-07-03 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치
KR20060079040A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
JP4801569B2 (ja) * 2005-12-05 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2007226175A (ja) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR100978263B1 (ko) 2006-05-12 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4407677B2 (ja) * 2006-08-11 2010-02-03 エプソンイメージングデバイス株式会社 横電界方式の液晶表示パネル
KR101274706B1 (ko) * 2008-05-16 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US20120194772A1 (en) * 2009-10-08 2012-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013123803A1 (zh) * 2012-02-22 2013-08-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103364987A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN103364987B (zh) * 2013-07-19 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN111596491A (zh) * 2019-02-21 2020-08-28 群创光电股份有限公司 电子调制装置
CN111596491B (zh) * 2019-02-21 2023-05-09 群创光电股份有限公司 电子调制装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120273789A1 (en) 2012-11-01
JP2012234179A (ja) 2012-11-29
KR20120122961A (ko) 2012-11-07
JP6030333B2 (ja) 2016-11-24
EP2518558A2 (en) 2012-10-31
EP2518558A3 (en) 2013-04-17
KR101398094B1 (ko) 2014-05-22
US8698149B2 (en) 2014-04-15
EP2518558B1 (en) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202033562U (zh) 液晶显示器阵列基板
CN102645803B (zh) 像素单元，阵列基板、液晶面板、显示装置及其制造方法
CN102468308B (zh) 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN202404339U (zh) 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置
CN102654698B (zh) 液晶显示器阵列基板及其制造方法、液晶显示器
CN102955312A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN102709237B (zh) 薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、电子器件
CN102466936B (zh) 阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法
CN103278986B (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN102736325A (zh) 一种像素结构及其制造方法、显示装置
CN102033370B (zh) 液晶显示基板及其制造方法
CN102709236A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN102799014A (zh) 液晶显示面板的制作方法
CN103018977A (zh) 一种阵列基板及其制造方法
CN102650783A (zh) 一种显示装置、tft-lcd像素结构及其制作方法
CN202421681U (zh) 像素单元、阵列基板、液晶面板及显示装置
CN102629060A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103700663B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103676390A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN203232230U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN102854681B (zh) 一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法
CN102709235A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103700668A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN108388057B (zh) 阵列基板
CN202975547U (zh) 一种阵列基板

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20111109

CX01 Expiry of patent term