CN1866490A - 检查用探测器及检查用探测器的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种检查用探测器，包括：具有第1面和第2面的基板；输入突起部，形成在基板的第1面，且与半导体装置的多个输入端子的排列对应而形成；输出突起部，形成在基板的第1面，且与半导体装置的多个输出端子的排列对应而形成；多个输入接触部，形成在输入突起部上，分别与半导体装置的多个输入端子的每一个接触；多个输出接触部，形成在输出突起部上，分别与半导体装置的多个输出端子的每一个接触；多个输入导电部，形成在基板的第1面上的与形成有输入突起部的区域不同的区域，分别与多个输入接触部的每一个电连接；和多个输出导电部，形成在基板的第1面上的与形成有输出突起部的区域不同的区域，分别与多个输出接触部的每一个电连接。

Description

检查用探测器及检查用探测器的制造方法

技术领域

本发明涉及一种检查用探测器(inspection probe)以及检查用探测器的制造方法。

背景技术

在半导体加工工序中，在半导体晶片上形成多个IC芯片的情况下，直接对半导体晶片(未切断半导体晶片)每一个IC芯片进行各种电特性的检查并对劣质产品进行筛选。

如特开2001-289874号公报、或特开2004-294063号公报所公开的那样，在该检查中通常使用探测器装置。

一般，探测器装置，是使探针板(probe card)的探针接触半导体晶片上的各IC芯片所具有的电极端子，通过由探针施加规定的电压而进行各IC芯片的导通试验等的电气检查的。

在此，特开2001-289874号公报所公开的探测器具备多个由钨(W)或铼钨(ReW)构成的探针。

另外，特开2004-294063号公报所公开的探测器具备多个由Ni、Be、Cu、Ti组成的合金所构成的探针。

然而，在上述的现有技术中存在着以下叙述的问题。

近年，伴随着半导体装置的进一步高精细化，半导体装置的输入端子以及输出端子间距变得较小(窄)。

由此，有必要使探针板的探针的间距也变小(窄)。

但是，在上述的现有技术的多个探针中，将探针的间距变窄是困难的。

发明内容

本发明是为了解决所述问题而做出的，其目的在于，提供一种即使在半导体装置的输入端子以及输出端子的间距变窄的情况下，仍能根据窄小的间距良好地检查半导体装置的、检查用探测器以及该检查用探测器的制造方法。

为了达到所述目的，本发明提供以下的手段。

本发明的检查用探测器，用于对具有多个输入端子和多个输出端子的半导体装置进行检查，包括：

具有第1面和第2面的基板；

输入突起部，其由树脂构成，形成在所述基板的所述第1面，且与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列对应而形成；

输出突起部，其由树脂构成，形成在所述基板的所述第1面，且与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列对应而形成；

多个输入接触部，形成在所述输入突起部上，分别与所述半导体装置的多个所述输入端子的每一个接触；

多个输出接触部，形成在所述输出突起部上，分别与所述半导体装置的多个所述输出端子的每一个接触；

多个输入导电部，形成在所述基板的第1面上的与形成有所述输入突起部的区域不同的区域，分别与多个所述输入接触部的每一个电连接；和

多个输出导电部，形成在所述基板的第1面上的与形成有所述输出突起部的区域不同的区域，分别与多个所述输出接触部的每一个电连接。

在本发明涉及的检查用探测器中，由于在突起部上形成输入接触部以及输出接触部，在基板上形成输入导电部和输出导电部，从而，应用半导体器件制造技术而可获得微细的接触部和导电部。

由此，能够实现与半导体装置特别是输出端子的间距的窄小化对应、具备微细的导电部的检查用探测器。

再有，本发明的检查用探测器，适于对一方的边侧备有输入端子、另一方的边侧备有输出端子的半导体装置进行检查。

在输入接触部与半导体装置的输入端子接触、输出接触部与半导体装置的输出端子接触的情况下，通过输入接触部以及输出接触部之下所形成的由树脂构成的输入突起部以及输出突起部的弹性作用，能够使输入接触部可靠地接触半导体装置的输入端子；能够使输出接触部可靠地接触半导体装置的输出端子。

由此，通过具备输入突起部以及输出突起部的检查用探测器，能够较好地对半导体装置进行检查。

再有，通过具备输入导电部以及输出导电部，在检查半导体装置时，易于由输入导电部对半导体装置的输入端子输入检查信号等；易于由输出导电部将检查信号等从半导体装置的输出端子取出。

再有，本发明的检查用探测器优选：多个所述输入接触部，与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输出接触部，与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输入导电部的每一个被形成为与多个所述输入接触部的每一个对应；

多个所述输出导电部的每一个被形成为与多个所述输出接触部的每一个对应。

在本发明涉及的检查用探测器中，由于多个输入接触部被形成为与半导体装置的多个输入端子的排列方向对应；多个输出接触部被形成为与半导体装置的多个输出端子的排列方向对应，从而，通过使多个输入接触部的每一个接触半导体装置的多个输入端子的每一个；使多个输出接触部的每一个接触半导体装置的多个输入端子的每一个，能够较好地对半导体装置进行检查。

再有，由于输入导电部与输入接触部对应而形成在基板上；输出导电部与输出接触部对应而形成在基板上，故通过输入导电部以及输出导电部，使得对半导体装置输入检查信号等、或从半导体装置取出检查信号变得容易。

再有，本发明的检查用探测器，作为优选，所述输入突起部，在多个所述输入接触部的排列方向延伸；所述输出突起部，在多个所述输出接触部的排列方向延伸。

本发明涉及的检查用探测器中，由于所述输入突起部，在多个所述输入接触部的排列方向延伸；所述输出突起部，在多个所述输出接触部的排列方向延伸，从而，能够将多个输入接触部形成在相同的突起部上；能够将多个输出接触部形成在相同的突起部上。

由此，能使多个输入接触部的每一个距基板的高度几乎均等；能使多个输出接触部的每一个距基板的高度几乎均等。

其结果，能够使多个输入接触部的每一个可靠地接触半导体装置的多个输入端子的每一个；能够使多个输出接触部的每一个可靠地接触半导体装置的多个输出端子的每一个。

再有，本发明的检查用探测器，作为优选，从多个所述输入接触部排列的方向观察，所述输入突起部的截面形状是从所述基板的所述第1面突出的圆弧状；从多个所述输出接触部排列的方向观察，所述输出突起部的截面形状是从所述基板的所述第1面突出的圆弧状。

在本发明涉及的检查用探测器中，由于多个输入接触部的每一个形成在剖面视为圆弧状的输入突起部的表面，多个输出接触部的每一个形成在剖面视为圆弧状的输出突起部的表面，故能使多个输入接触部的每一个较好地接触半导体装置的输入端子，能使多个输出接触部的每一个较好地接触半导体装置的输出端子。

再有，由于输入突起部以及输出突起部的表面被形成为剖面视为圆弧状，故在将多个输入接触部的每一个形成在输入突起部的表面时，能够较好地密接；在将多个输出接触部的每一个形成在输出突起部的表面时，能够较好地密接。

再有，本发明的检查用探测器，作为优选，在所述输入突起部的表面中的与形成多个所述输入接触部的区域不同的区域、和在所述输出突起部的表面中的与形成多个所述输出接触部的区域不同的区域，形成凹部。

在本发明涉及的检查用探测器中，由于在输入突起部的表面中的与形成有多个输入接触部的区域不同的区域形成有凹部，换言之，由于多个输入接触部的每一个之间的区域发生凹陷，故在多个输入接触部的每一个与半导体装置的多个输入端子的每一个接触的情况下，输入接触部的基底即输入突起部易于产生挠曲形变。

再有，同样地，由于在输出突起部的表面中的与形成有多个输出接触部的区域不同的区域形成有凹部，换言之，由于多个输出接触部的每一个之间的区域发生凹陷，故在多个输出接触部的每一个与半导体装置的多个输出端子的每一个接触的情况下，输出接触部的基底即输出突起部易于产生挠曲形变。

由此，通过该挠曲形变，输入接触部能与半导体装置的输入端子较好地接触；输出接触部能与半导体装置的输出端子较好地接触；进而，能够防止相互相邻的多个输入接触部的短路、或相互相邻的多个输出接触部的短路。

再有，本发明的检查用探测器，作为优选，包括：

多个输入导通部，分别与多个所述输入导电部的每一个电连接，并从所述基板的所述第1面贯通到所述第2面；

多个输出导通部，分别与多个所述输出导电部的每一个电连接，并从所述基板的所述第1面贯通到所述第2面；

多个输入连接导电部，形成在所述基板的所述第2面，分别与多个所述输入导通部的每一个电连接；和

多个输出连接导电部，形成在所述基板的所述第2面，分别与多个所述输出导通部的每一个电连接。

在本发明涉及的检查用探测器中，多个输入接触部的每一个，介由多个输入导通部的每一个，与形成于基板的第2面的多个输入连接导电部的每一个电连接。

另外，多个输出接触部的每一个，介由多个输出导通部的每一个，与形成于基板的第2面的多个输出连接导电部的每一个电连接。

由此，在使输入突起部与半导体装置的输入端子对向来检查半导体装置时，能够从与半导体装置的输入端子对向的面(第1面)不同的面(第2面)，通过输入连接导电部而将检查信号等输入半导体装置的输入端子。

再有，在使输出突起部与半导体装置的输出端子对向而检查半导体装置时，能够从与半导体装置的输出端子对向的面(第1面)不同的面(第2面)，通过输出连接导电部而将由半导体装置输出的检查信号等从输出端子取出。

再有，与输入连接导电部以及输出连接导电部形成在基板的第1面的情况相比，检查信号等的输入以及取出变得容易，使得半导体装置100的检查易于执行。

再有，将检查用探测器安装于检查单元时的作业变得容易。

再有，本发明的检查用探测器，作为优选，多个所述输入连接导电部的每一个相邻的间隔，比多个所述输入导电部的每一个相邻的间隔要宽；多个所述输出连接导电部的每一个相邻的间隔，比多个所述输出导电部的每一个相邻的间隔要宽。

在本发明涉及的检查用探测器中，由于多个输入连接导电部的每一个相邻的间隔，形成得比基板的第1面上形成的多个所述输入导电部的每一个相邻的间隔要宽，所以在检查半导体装置时，能够防止相邻的输入导电部彼此的检查信号等的短路，故能够正确地进行检查。

再有，由于多个输出连接导电部的每一个相邻的间隔，形成得比基板的第1面上形成的多个输出导电部的每一个相邻的间隔要宽，所以在检查半导体装置时，能够防止相邻的输出导电部彼此的检查信号等的短路，故能够正确地进行检查。

由此，能够将多个输入导电部以及多个输出导电部形成为窄间距。

再有，本发明的检查探测器，作为优选，具有覆盖多个所述输入导电部以及多个所述输出导电部的绝缘层。

在本发明涉及的检查用探测器中，通过形成覆盖输入导电部以及输出导电部的绝缘层，故能防止输入导电部与半导体装置的短路、或输出导电部与半导体装置的短路；能防止多个输入导电部的每一个之间的短路、或多个输出导电部的每一个之间的短路。

本发明的检查用探测器的制造方法，所述检查用探测器用于对具有多个输入端子和多个输出端子的半导体装置进行检查，该制造方法具有以下步骤：

准备基板；

在所述基板上形成与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列对应、且由树脂构成的输入突起部；

在所述基板上形成与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列对应、且由树脂构成的输出突起部；

在所述输入突起部上形成多个输入接触部；

在所述输出突起部上形成多个输出接触部；

在所述基板上的与形成有所述输入突起部的区域不同的区域，形成多个输入导电部；

在所述基板上的与形成有所述输出突起部的区域不同的区域，形成多个输出导电部。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，由于在基板上形成输入突起部以及输出突起部之后，形成多个输入接触部以及多个输出接触部，从而，应用半导体器件制造技术则可获得微细的接触部和导电部。

由此，能够实现与半导体装置特别是输出端子的间距的窄小化对应、具备微细的接触部和导电部的检查用探测器。

再有，输入接触部以及输出接触部，在分别与半导体装置的输入端子以及输出端子接触的情况下，通过所配置的作为输入接触部以及输出接触部的基底的由树脂构成的输入突起部以及输出突起部的弹性作用，能够可靠地与半导体装置的输入端子以及输出端子接触。

由此，通过具备输入突起部以及输出突起部的检查用探测器，能够较好地对半导体装置进行检查。

再有，本发明的检查用探测器的制造方法，作为优选，

通过半蚀刻法，

除去所述输入突起部的表面中与形成多个所述输入接触部的区域不同的区域而形成凹部；

除去所述输出突起部的表面中与形成多个所述输出接触部的区域不同的区域而形成凹部；

多个所述输入接触部，与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输出接触部，与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列方向对应而排列形成。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，由于在输入突起部的表面中的与形成有多个输入接触部的区域不同的区域形成有凹部，换言之，由于多个输入接触部的每一个之间的区域发生凹陷，故在多个输入接触部的每一个与半导体装置的多个输入端子的每一个接触的情况下，输入接触部的基底即输入突起部易于产生挠曲形变。

而且，同样地，由于在输出突起部的表面中的与形成有多个输出接触部的区域不同的区域形成有凹部，换言之，由于多个输出接触部的每一个之间的区域发生凹陷，故在多个输出接触部的每一个与半导体装置的多个输出端子的每一个接触的情况下，输出接触部的基底即输出突起部易于产生挠曲形变。

由此，通过该挠曲形变，输入接触部能与半导体装置的输入端子较好地接触；输出接触部能与半导体装置的输出端子较好地接触；进而，能够防止相互相邻的多个输入接触部的短路、或相互相邻的多个输出接触部的短路。

再有，通过调节蚀刻时间，能够将凹部形成为期望的深度。

由此，通过简易的方法，能够在输入突起部以及输出突起部形成凹部，能够使输入接触部以及输出接触部较好地接触半导体装置的输入端子以及输出端子。

再有，本发明的检查用探测器的装置方法，优选所述输入突起部以及所述输出突起部由感光性树脂构成。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，利用感光性树脂，通过光刻法等，能够高精度地形成输入突起部以及输出突起部。

再有，通过曝光、显影或改变固化条件等，能够获得由树脂构成的期望形状的输入突起部以及输出突起部。

再有，本发明的检查用探测器的制造方法，作为优选，通过液滴喷出法将含有树脂材料的功能液喷出到所述基板上，而在所述基板上形成所述输入突起部以及所述输出突起部。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，由于通过液滴喷出法正确地喷出含有树脂的功能液，所以能形成期望形状的输入突起部以及输出突起部。

由此，也没有材料的浪费，所以可谋求制造成本的降低。

再有，本发明的检查用探测器的制造方法，作为优选，多个所述输入接触部、多个所述输入导电部、多个所述输出接触部、以及多个所述输出导电部，通过溅射法或镀覆法而形成。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，通过利用溅射法或镀覆法，能够在基板上的所定位置高精度且窄间距地形成多个输入接触部、多个输入导电部、多个输出接触部、以及多个输出导电部。

再有，本发明的检查用探测器的制造方法，作为优选，通过液滴喷出法在所述基板上形成多个所述输入接触部、多个所述输入导电部、多个所述输出接触部、以及多个所述输出导电部。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，由于能通过液滴喷出法在所定位置形成多个输入接触部、多个输入导电部、多个输出接触部、以及多个输出导电部，从而控制材料的浪费而能谋求制造成本的降低。

再有，本发明的检查用探测器的制造方法，作为优选，准备母材基板，在所述母材基板上形成分别与多个所述检查用探测器的每一个对应的多个探测器形成区域，并以每一个所述区域切断母材基板，从而获得多个单片化的检查用探测器。

在本发明涉及的检查用探测器的制造方法中，在母材基板上同时形成多个探测器形成区域之后，通过以每一个区域切断母材基板，从而获得单片化的多个检查用探测器。

由此，能够高效地制造多个检查用探测器，能够实现检查用探测器的制造成本的降低。

附图说明

图1是表示本发明的检查用探测器以及半导体晶片的立体图。

图2是表示本发明的检查用探测器的第1实施方式的立体图。

图3是将图2的检查用探测器从Y侧进行观察的截面图。

图4是图3的检查用探测器的A-A向视的截面图。

图5是硅晶片的截面图；是用于对检查用探测器的制造工序的一例进行说明的图。

图6是硅晶片的截面图；是用于对检查用探测器的制造工序的一例进行说明的图。

图7是表示本发明的检查用探测器的第2实施方式的俯视图；是表示输入导电部以及输出导电部的俯视图。

图8是表示成为检查对象的半导体装置的一例的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

另外，在以下的说明中，设定XYZ正交坐标系；参照该XYZ坐标系对各部件的位置关系进行说明。

于是，将水平面内的规定方向设为X轴方向；将水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向；将与X轴方向以及Y轴方向分别正交的方向(即垂直方向)设为Z轴方向。

(检查用探测器的第1实施方式)

参照附图，对检查用探测器1的一实施方式进行说明。

图1，表示作为由本发明的检查用探测器检查的检查对象的半导体装置100；也是表示形成在半导体晶片上的多个半导体装置100通过探测器1进行检查的状态的立体图。

图2是本实施方式涉及的检查用探测器1的立体图。

图3是从Y轴方向观察检查用探测器1的侧截面图。

图4是从X轴方向观察检查用探测器1的侧截面图。

检查用探测器1，检查具有输入端子101以及输出端子102的半导体装置100。

检查用探测器1，从输入端子101将检查信号等输入半导体装置100，从半导体装置100的输出端子102取出检查信号等，对半导体装置100的短路或断线、特性等进行检查。

如图1所示，半导体装置100，以多个排列的方式形成在半导体晶片上。

再有，多个半导体装置100，在半导体晶片上由交界线100a、100b划分。

半导体装置100的输入端子101，沿交界线100a而形成；输出端子102，沿与交界线100a对向的交界线100b而形成。

再有，半导体装置100的多个输入端子101的每一个，例如如图1所示那样是正方形状。

半导体装置100的多个输出端子102的每一个，例如朝向输入端子101而为长的长方形状。

多个输出端子102的每一个的间隔，比多个输入端子101的每一个的间隔要窄。

如图2所示，检查用探测器1具有：硅基板(基板)2、输入突起部11、输出突起部21、多个输入布线部12、以及多个输出布线部22。

输入突起部11以及输出突起部21形成在硅基板2的第1面2a上，并与半导体装置100的多个输入端子101的排列方向、和多个输出端子102的排列方向对应。

而且，输入突起部11以及输出突起部21的材料是树脂。

在检查时，多个输入布线部12分别与半导体装置100的多个输入端子101的每一个接触；多个输出端子102分别与半导体装置100的多个输出布线部22的每一个接触。

多个输入布线部12的每一个被构成为包括输入接触(contact)部13和输入导电部14。

另外，多个输出布线部22的每一个被构成为包括输出接触部23和输出导电部24。

输入接触部13形成在硅基板2上的输入突起部11的表面。

输出接触部23形成在硅基板2上的输出突起部21的表面。

输入导电部14，形成在硅基板2的第1面2a上的、与形成有输入突起部11的区域不同的区域。

输出导电部24，形成在硅基板2的第1面2a上的、与形成有输出突起部21的区域不同的区域。

如图2以及图3所示，检查用探测器1的多个输入接触部13被形成为排列在半导体装置100的多个输入端子101的排列方向。

检查用探测器1的多个输出接触部23被形成为排列在半导体装置100的多个输出端子102的排列方向。

而且，多个输入接触部13的每一个被形成为与多个输入端子101的每一个对应。

多个输出接触部23的每一个被形成为与多个输出端子102的每一个对应。

即，多个输入接触部13的每一个的间隔(距离，检查用探测器1的输入接触部13的间距)，与半导体装置100的多个输入端子101的每一个的间隔(间距)对应。

多个输出接触部23的每一个的间隔(距离，检查用探测器1的输出接触部23的间距)，与半导体装置100的多个输出端子102的每一个的间隔(间距)对应。

另外，输入导电部14，与输入接触部13的每一个对应而形成了多个。

输入导电部14的每一个与输入接触部13的每一个连接，在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、与形成输入突起部11的区域不同的区域，以朝X轴方向延伸、在Y轴方向多个排列的方式而形成多个输入导电部14。

另外，输出导电部24，与输出接触部23的每一个对应而形成了多个。

输出导电部24的每一个，与输出接触部23的每一个连接，且在形成于硅基板2的表面氧化膜31上的、与形成输出突起部21的区域不同的区域，以朝X轴方向延伸、在Y轴方向多个排列的方式而形成。

具体而言，如图2所示，多个输入导电部14的每一个被形成为间距朝+X方向增宽。

形成于输入突起部11上的多个输入接触部13的每一个之间的间距例如是100μm。在第1面2a上的硅基板2的端面2c侧形成的多个输入导电部14的每一个之间的间距为100μm以上。

另外，多个输出导电部24的每一个，也与输入导电部14同样地形成为间距朝-X方向增宽。

形成于输出突起部21上的多个输出接触部23的每一个之间的间距例如是10～50μm。于第1面2a上的硅基板2的端面2c的相反侧的端面2d侧形成的多个输出导电部24的每一个之间的间距为50μm以上。

输入接触部13、输出接触部23、输入导电部14、以及输出导电部24的材料，可以列举出金(Au)、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)、钨(W)、钛钨(TiW)、氮化钛(TiN)、镍(Ni)、镍钒(NiV)、铬(Cr)、铝(Al)、钯(Pd)等。

再有，输入布线部12以及输出布线部22的结构，也可以是由上述材料构成的单层结构；也可以是使多个材料层叠的层叠结构。

如图2以及图3所示，输入突起部11以及输出突起部21，形成在硅基板2上的几乎中央部、并朝Y轴方向延伸。

而且，输入突起部11，支撑多个输入接触部13的每一个。

而且，输出突起部21，支撑多个输出接触部23的每一个。

在此，如果从输入接触部13以及输出接触部23排列的方向(Y方向)进行观察，输入突起部11以及输出突起部21被形成为其剖面视为圆弧状，使朝硅基板2的垂直方向、即朝+Z方向突出。

由此，输入突起部11以及输出突起部21的表面具有曲面。

再有，如图4所示，输出突起部21的表面中的、与形成有多个输出接触部23的区域不同的区域产生凹陷。多个输出接触部23的每一个之间形成有凹部3D。

还有，图4中表示了输出突起部21的截面，但输入突起部11的截面中也同样地形成有凹部3D，且与形成有多个输入接触部13的区域不同的区域也产生凹陷。

再有，输入突起部11以及输出突起部21，由树脂(合成树脂)形成。输入突起部11以及输出突起部21的材料，也可以是感光性树脂。

该输入突起部11以及输出突起部21的材料，可以列举出聚酰亚胺树脂、硅变性(silicon denaturation)聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅变性环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、BCB(benzocyclobutene)以及PBO(polybenzoxazole)等的绝缘材料。

如图3所示，在硅基板2和输入导电部14之间、以及硅基板2和输出导电部24之间，形成有表面氧化膜31。

而且，在硅基板2和输入突起部11之间、以及硅基板2和输出突起部21之间，也形成有表面氧化膜31。

而且，在硅基板2中的第1面2a的相反侧的第2面2b中，形成有背面氧化膜32。

在与形成有输入突起部11以及输出突起部21的区域不同的区域中，形成有保护绝缘层(绝缘层)33。

保护绝缘层33，覆盖输入导电部14以及输出导电部24。

输入导电部14以及输出导电部24由保护绝缘层33保护。

保护绝缘层33的材料，例如能够利用感光性树脂。

如图3所示，在硅基板2中，形成有从硅基板2的第1面2a贯通到第2面2b的输入贯通孔51以及输出贯通孔52。

输入贯通孔51，与多个输入导电部14的数目对应而形成了多个。

而且，输出贯通孔52，与多个输出导电部24的数目对应而形成了多个。

在多个输入贯通孔51的每一个的内部，形成有与输入导电部14电连接的输入贯通电极(输入导通部)53。

而且，在多个输出贯通孔52的每一个的内部，形成有与输出导电部24电连接的输出贯通电极(输出导通部)54。

进一步，如图1以及图3所示，多个输入贯通电极53分别与于硅基板2的第2面2b形成的多个输入背面导电部(输入连接导电部)55的每一个电连接。

另外，多个输出贯通电极54分别与于硅基板2的第2面2b形成的多个输出背面导电部(输出连接导电部)56的每一个电连接。

接着，利用由以上的结构构成的本实施方式的检查用探测器1，对半导体装置100的检查方法进行说明。

最初，将检查用探测器1放置到半导体检查装置(省略图示)。

然后，将检查用探测器1的输入背面导电部55以及输出背面导电部56与半导体检查装置的布线连接。

然后，使半导体装置100的输入端子101和检查用探测器1的输入接触部13对位；也使半导体装置100的输出端子102和检查用探测器1的输出接触部23对位。

如图2所示，使检查用探测器1的输入接触部13的每一个接触半导体装置100的输入端子101；也使检查用探测器1的输出接触部23的每一个接触半导体装置100的输出端子102。

将检查用探测器1的硅基板2对半导体装置100按压。

由此，多个输入端子101分别与多个输入接触部13的每一个密接；多个输出端子102分别与多个输出接触部23的每一个密接；从而获得电连接。

根据本实施方式涉及的半导体装置100的检查用探测器1，由于硅基板2上形成有输入布线部12以及输出布线部22，从而，应用半导体器件制造技术而可获得微细的输入布线部12以及输出布线部22。

由此，即使在半导体装置100高精细化、输出端子101以及输出端子102的间距窄小化的情况下，也能够实现具备与输入端子101以及输出端子102的间距的窄小化对应的、微细的输入接触部13以及输出接触部23的检查用探测器。

再有，与半导体装置100的输入端子101以及输出端子102直接接触的输入接触部13以及输出接触部23，由于被形成在由树脂构成的输入突起部11以及输出突起部21上，故在输入接触部13以及输出接触部23与半导体装置100的输入端子101以及输出端子102接触时，通过输入突起部11以及输出突起部21的弹性作用，可以较好地与半导体装置100的输入端子101以及输出端子102接触。

再有，多个输入接触部13以及多个输出接触部23，由于被配置成在Y轴方向上多个排列，以与半导体装置100的多个输入端子101以及多个输出端子102对应，所以使多个输入接触部13分别与多个输入端子101的每一个接触，使多个输出接触部23分别与多个输出端子102的每一个接触，从而可以由检查用探测器1良好地检查半导体装置100。

再有，通过利用如银(Ag)那样柔软的材料来作为输入接触部13以及输出接触部23(输入布线部12以及输出布线部22)的材料，可以获得与半导体装置100的输入端子101以及输出端子102的良好的密接性。

再有，输入突起部11以及输出突起部21被形成为沿多个输入接触部13以及多个输出接触部23的排列方向的Y轴方向而延伸，从而，可以将多个输入接触部13形成在输入突起部11上；也可以将多个输出接触部23形成在输出突起部21上。

由此，能够抑制多个输入接触部13以及多个输出接触部23的高度方向相关的位置的零散偏差。

再有，输入突起部11以及输出突起部21被形成为剖面视是圆弧状，从而，能使输入接触部13以及输出接触部23较好地接触半导体装置的输入端子101以及输出端子102。

进一步，在将输入接触部13形成在输入突起部11的表面时、或将输出接触部23形成在输出突起部21的表面时，能使输入接触部13与输入突起部11的表面较好地密接、也能使输出接触部23与输出突起部21的表面较好地密接。

再有，由于在输入突起部11的表面中的、多个输入接触部13的每一个之间形成有凹部3D，故在输入接触部13与半导体装置100的输入端子101接触时，该输入接触部13的基底即输入突起部11产生挠曲形变。

再有，由于在输出突起部21的表面中的、多个输出接触部23的每一个之间形成有凹部3D，故在输出接触部23与半导体装置100的输出端子102接触时，该输出接触部23的基底即输出突起部21产生挠曲形变。

由此，通过输入突起部11以及输出突起部21的挠曲形变，输入接触部13能与输入端子101较好地接触；输出接触部23能与输出端子102较好地接触。

在此，优选输入突起部11以及输出突起部21的凹部3D的深度为5μm以上。

为此，能够获得输入突起部11以及输出突起部21的充分的挠曲形变。

进一步，在硅基板2的第2面2b上，形成：输入检查半导体装置时的检查信号等的输入背面导电部55；和取出检查信号等的背面导电部56。

多个输入接触部13的每一个，介由多个输入贯通电极53的每一个，与于硅基板2的第2面2b形成的多个输入背面导电部55的每一个电连接。

而且，多个输出接触部23的每一个，介由多个输出贯通电极54的每一个，与于硅基板2的第2面2b形成的多个输出背面导电部56的每一个电连接。

由此，在使输入突起部11与半导体装置100的输入端子101对向来检查半导体装置100时，能够从与半导体装置100的输入端子101对向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通过输入背面导电部55将检查信号等输入到半导体装置100的输入端子101。

再有，在使输出突起部21与半导体装置100的输出端子102对向来检查半导体装置100时，能够从与半导体装置100的输出端子102对向的面(第1面2a)不同的面(第2面2b)，通过输出背面导电部56将由半导体装置100输出的检查信号等从输出端子102取出。

再有，与输入背面导电部55以及输出背面导电部56形成在硅基板2的第1面2a的情况相比，检查信号等的输入以及取出变得容易，使得半导体装置100的检查易于执行。

再有，将检查用探测器安装于检查单元时的作业变得容易。

再有，由于在硅基板2的第1面2a，形成有覆盖输入导电部14以及输出导电部24的保护绝缘层33，故能防止输入导电部14以及输出导电部24与半导体装置100等的短路、或输入导电部14以及输出导电部24相互之间的短路。

(检查用探测器的制造方法)

接着，参照图5以及图6，对制造检查用探测器1的方法进行说明。

检查用探测器1的制造方法，是在硅晶片等的母材基板上，形成成为检查用探测器1的多个探测器形成区域，并以每一个该区域切断母材基板，从而制造多个单片化的检查用探测器1。

由此，能将多个检查用探测器1同时、一并形成在母材基板上。

以下，对检查探测器的制造方法进行详细叙述。

还有，通过切断硅晶片200获得多个硅基板2，从而制造多个检查用探测器1。

由此，在硅晶片200中，对与构成上述检查探测器1的部位相同的部分付与相同的符号。

首先，如图5A所示，准备作为母材基板的硅晶片200。

接着，分别形成从硅晶片200的第1面2a贯通到第2面2b的输入贯通孔51以及输出贯通孔52。

这些输入贯通孔51以及输出贯通孔52，通过机械加工以外的激光加工、干蚀刻法、湿蚀刻法、或将这些并用的方法而形成。

接着，如图5B所示，通过将硅晶片200热氧化处理，在硅晶片200的第1面2a形成表面氧化膜31；在第2面2b形成背面氧化膜32；在输入贯通孔51以及输出贯通孔52的内壁形成绝缘层34。

为此，硅晶片200所露出的全部的面具有电绝缘性。

接着，利用电化学电镀(ECP)法，对输入、输出贯通孔51、52的内侧施行镀覆处理，形成导电性材料，以填埋该输入贯通孔51以及输出贯通孔52。

该导电性材料，是输入贯通电极53以及输出贯通电极54的材料。

作为输入贯通电极53以及输出贯通电极54的材料，例如可以利用铜(Cu)。

由此，使铜(Cu)埋入输入贯通孔51以及输出贯通孔52。

为此，如图5C所示，在形成输入贯通电极53以及输出贯通电极54的同时，在硅晶片200的第2面2b上，形成与输入贯通电极53电连接的输入背面导电部55；也形成与输出贯通电极54电连接的输出背面导电部56。

还有，作为输入、输出贯通电极53、54的形成方法，不限于所述的方法，也可以埋入导电膏、熔融金属、金属线等。

接着，如图6A所示，为了形成输入突起部11以及输出突起部21，在表面氧化膜31上的所定区域配置树脂。

在硅晶片200上，输入突起部11以及输出突起部21在规定方向(Y轴方向)上延伸。

而且，输入突起部11以及输出突起部21的截面形状，从Y方向观察呈圆弧状。

在本实施方式中，利用液滴喷出法(ink jet法)形成输入突起部11以及输出突起部21。

在液滴喷出法中，如图6A所示，含有用于形成输入突起部11以及输出突起部21的树脂的功能液的液滴3B，从液滴喷头(inkjet head)50喷出到硅晶片200(表面氧化膜31)上。

由此，在硅晶片200上，形成输入突起部11以及输出突起部21，它们的表面从硅晶片200突出并且剖面视为圆弧状(距表面氧化膜31的高度为5μm～30μm)。

通过利用液滴喷出法形成输入突起部11以及输出突起部21，能够节制浪费材料而有效地形成输入突起部11以及输出突起部21。

接着，如图6B所示，分别在输入突起部11以及输出突起部21上以及表面氧化膜31上，形成包括输入接触部13以及输出接触部23、输入导电部14以及输出导电部24的输入布线部12以及输出布线部22。

输入布线部12以及输出布线部22，能够利用溅射法、镀覆法或液滴喷出法(ink jet法)而形成。

在本实施方式中，利用溅射法形成输入布线部12以及输出布线部22。

首先，利用溅射法将TiW、Au等的金属膜形成(层叠)在硅晶片200上。

其后，利用公知的光刻法以及蚀刻法，将抗蚀膜图案化。

其后，通过抗蚀膜的开口部对金属膜进行蚀刻。

其后，除去抗蚀膜。

由此，如图6B所示，在输入突起部11上，与半导体装置100的输入端子101对应的多个输入接触部13被形成为排列在输入突起部11的长度方向上。

而且，在输出突起部21上，与半导体装置100的输出端子102对应的多个输出接触部23被形成为排列在输出突起部21的长度方向上。

在此，在多个输入接触部13的每一个之间，输入突起部11的表面露出。

另外，在硅晶片200上，与形成输入突起部11以及输出突起部21的区域不同的区域，形成与输入接触部13电连接的输入导电部14；也形成与输出接触部23电连接的输出导电部24。

接着，通过对输入突起部11以及输出突起部21施行O2等离子体处理，将输入接触部13以及输出接触部23作为掩模，选择性地半蚀刻与形成有输入接触部13以及输出接触部23不同的区域(露出的区域)。

为此，如图4所示，在多个输入接触部13的每一个之间、以及多个输出接触部23的每一个之间形成凹部3D。

接着，如图6C所示，形成保护绝缘层33以覆盖输入导电部14以及输出导电部24。

于是，如图6D所示，以每一个成为检查用探测器1的探测器形成区域，切断硅晶片200。

这样，将多个检查用探测器1几乎同时地形成在硅晶片200上，并通过切断硅晶片200，可以获得图3所示那样的单片化的多个检查用探测器1。

这样，能够有效地制造多个检查用探测器1，并能够实现检查用探测器1的低成本化。

还有，本发明的技术范围并非限定于所述实施方式，可在不超越本发明的宗旨的范围内进行种种的变更。

例如，代替与输入贯通电极53电连接的输入背面导电部55，也可以如图7所示那样形成输入连接导电部61。

而且，多个输入连接导电部61的每一个的间隔，也可以形成得朝硅基板2的内侧增宽。

这时，多个输入连接导电部61的每一个的间隔，比多个输入导电部14的每一个的间隔要宽。

另外，代替与输出贯通电极54电连接的输出背面导电部56，也可以如图7所示那样形成输出连接导电部62。

于是，多个输出连接导电部62的每一个的间隔，也可以形成得朝硅基板2的内侧增宽。

这时，多个输出连接导电部62的每一个的间隔，比多个输出导电部24的每一个的间隔要宽。

在此构成中，在检查半导体装置100时，由于能够防止多个输入连接导电部61的相互间的短路、或多个输出连接导电部62的相互间的短路，从而能正确地检查半导体装置100。

进一步，通过将朝向硅基板2的表面内侧的多个输入连接导电部61的每一个的间隔、或多个输出连接导电部62的每一个的间隔形成得较大，使得即使在半导体装置100的端子是窄间距的情况下，也能实现与该窄间距对应的检查用探测器1。

再有，能够实现硅基板2的紧凑化可能的检查用探测器。

再有，作为输入突起部11以及输出突起部21的形成方法，并不限于液滴喷出法，例如也可以通过光刻法形成。

在该方法的情况，输入突起部11以及输出突起部21是利用感光性树脂而形成的，并通过曝光、显影或固化条件等，能够容易地且高精度地形成剖面视为几乎圆弧状的输入突起部11以及输出突起部21。

进一步，输入布线部12以及输出布线部22通过溅射法而形成，但是并非限于此，例如，也可以是镀覆法。

在该方法中，在表面氧化膜31上溅射TiW、Au之后，通过涂覆抗蚀膜、并将该抗蚀膜图案化，形成用于由镀覆法形成输入导电部21以及输出导电部22的抗蚀图案。

接着，进行Au电解镀覆，将Au(金)埋入抗蚀图案，从而，形成输入布线部12以及输出布线部22。

其后，进行抗蚀膜的剥离，并进行TiW、Au蚀刻。

再有，也可以将输入布线部12以及输出布线部22通过液滴喷出法(inkjet法)而形成。

在该方法的情况，在通过Ag(银)液滴、对输入布线部12以及输出布线部22进行描绘而形成之后，进行烧制，并通过无电解Ni/Au镀覆而进行成膜。

再有，作为检查用探测器1的制造方法，是在硅晶片200上形成了输入贯通孔51以及输出贯通孔52的，但是，并非限定于此，例如，也可以形成保护绝缘层33以覆盖输入导电部14以及输出导电部24，之后形成输入贯通孔51以及输出贯通孔52，并将导电性材料埋入这些贯通孔51、52，形成输入背面导电部55以及输出背面导电部56。

再有，如图1所示，所述检查用探测器1，适于进行形成有多个半导体装置100的半导体晶片上的检查。

再有，作为检查对象的半导体装置100的输入、输出端子101、102，适于Au凸起(bump)、Ni凸起、焊锡凸起等的金属凸起的情况。

在输入接触部13以及输出接触部23，分别与半导体装置100的输入端子101以及输出端子102接触时，通过输入突起部11以及输出突起部21的弹性作用，能够吸收金属凸起的高度零散偏差。

由此，能够使输入端子101和输入接触部13可靠地接触；也能够使输出端子102和输出接触部23可靠地接触。

进一步，代替半导体装置100的输入端子101以及输出端子102，如图8所示，检查用探测器1，也适于形成有凸起71的半导体装置70的检查，该凸起71具有以树脂为芯的树脂芯(core)72。

即如上所述，通过由树脂构成的输入突起部11的弹性作用，吸收输入接触部13和凸起71接触时的凸起71的弹性，能够防止在凸起71的表面形成的端子101a的破损。

再有，通过由树脂构成的输出突起部21的弹性作用，吸收输出接触部23和凸起71接触时的凸起71的弹性，能够防止在凸起71的表面形成的端子101b的破损。

Claims (15)

1、一种检查用探测器，用于对具有多个输入端子和多个输出端子的半导体装置进行检查，包括：

具有第1面和第2面的基板；

输入突起部，其由树脂构成，形成在所述基板的所述第1面，且与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列对应而形成；

输出突起部，其由树脂构成，形成在所述基板的所述第1面，且与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列对应而形成；

多个输入接触部，形成在所述输入突起部上，分别与所述半导体装置的多个所述输入端子的每一个接触；

多个输出接触部，形成在所述输出突起部上，分别与所述半导体装置的多个所述输出端子的每一个接触；

多个输入导电部，形成在所述基板的第1面上的与形成有所述输入突起部的区域不同的区域，分别与多个所述输入接触部的每一个电连接；和

多个输出导电部，形成在所述基板的第1面上的与形成有所述输出突起部的区域不同的区域，分别与多个所述输出接触部的每一个电连接。

2、根据权利要求1所述的检查用探测器，其特征在于，

多个所述输入接触部，与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输出接触部，与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输入导电部的每一个被形成为与多个所述输入接触部的每一个对应；

多个所述输出导电部的每一个被形成为与多个所述输出接触部的每一个对应。

3、根据权利要求1或2所述的检查用探测器，其特征在于，

所述输入突起部在多个所述输入接触部的排列方向延伸；

所述输出突起部在多个所述输出接触部的排列方向延伸。

4、根据权利要求1～3中任一项所述的检查用探测器，其特征在于，

从多个所述输入接触部排列的方向观察的、所述输入突起部的截面形状，是从所述基板的所述第1面突出的圆弧状；

从多个所述输出接触部排列的方向观察的、所述输出突起部的截面形状，是从所述基板的所述第1面突出的圆弧状。

5、根据权利要求1～4中任一项所述的检查用探测器，其特征在于，

在所述输入突起部的表面中的与形成多个所述输入接触部的区域不同的区域、和所述输出突起部的表面中的与形成多个所述输出接触部的区域不同的区域，形成凹部。

6、根据权利要求1～5中任一项所述的检查用探测器，其特征在于，包括：

多个输入导通部，分别与多个所述输入导电部的每一个电连接，并从所述基板的所述第1面贯通到所述第2面；

多个输出导通部，分别与多个所述输出导电部的每一个电连接，并从所述基板的所述第1面贯通到所述第2面；

多个输入连接导电部，形成在所述基板的所述第2面，分别与多个所述输入导通部的每一个电连接；和

多个输出连接导电部，形成在所述基板的所述第2面，分别与多个所述输出导通部的每一个电连接。

7、根据权利要求6所述的检查用探测器，其特征在于，

多个所述输入连接导电部的每一个相邻的间隔，比多个所述输入导电部的每一个相邻的间隔要宽；

多个所述输出连接导电部的每一个相邻的间隔，比多个所述输出导电部的每一个相邻的间隔要宽。

8、根据权利要求1～7中任一项所述的检查用探测器，其特征在于，具有绝缘层，其覆盖多个所述输入导电部以及多个所述输出导电部。

9、一种检查用探测器的制造方法，所述检查用探测器用于对具有多个输入端子和多个输出端子的半导体装置进行检查，该制造方法具有以下步骤：

准备基板；

在所述基板上形成与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列对应、且由树脂构成的输入突起部；

在所述基板上形成与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列对应、且由树脂构成的输出突起部；

在所述输入突起部上形成多个输入接触部；

在所述输出突起部上形成多个输出接触部；

在所述基板上的与形成有所述输入突起部的区域不同的区域，形成多个输入导电部；

在所述基板上的与形成有所述输出突起部的区域不同的区域，形成多个输出导电部。

10、根据权利要求9所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

通过半蚀刻法，

除去所述输入突起部的表面中与形成多个所述输入接触部的区域不同的区域而形成凹部；

除去所述输出突起部的表面中与形成多个所述输出接触部的区域不同的区域而形成凹部；

多个所述输入接触部，与所述半导体装置的多个所述输入端子的排列方向对应而排列形成；

多个所述输出接触部，与所述半导体装置的多个所述输出端子的排列方向对应而排列形成。

11、根据权利要求9或10所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

所述输入突起部以及所述输出突起部由感光性树脂构成。

12、根据权利要求9～11中任一项所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

通过液滴喷出法将含有树脂材料的功能液喷出到所述基板上，而在所述基板上形成所述输入突起部以及所述输出突起部。

13、根据权利要求9～12中任一项所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

多个所述输入接触部、多个所述输入导电部、多个所述输出接触部、以及多个所述输出导电部，通过溅射法或镀覆法形成。

14、根据权利要求9～13中任一项所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

通过液滴喷出法，在所述基板上形成多个所述输入接触部、多个所述输入导电部、多个所述输出接触部、以及多个所述输出导电部。

15、根据权利要求9～14中任一项所述的检查用探测器的制造方法，其特征在于，

准备母材基板，

在所述母材基板上形成分别与多个所述检查用探测器的每一个对应的多个探测器形成区域，

以每一个所述区域切断所述母材基板，

获得多个单片化的检查用探测器。

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