CN1703127A - 有机电致发光显示板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了具有像素电路的有机EL显示板，它通过单元像素的改进的结构而提高显示板的孔径比。本发明公开了一种有机EL显示板，它包括用于驱动每个像素的至少一个像素电路，其中，所述像素电路包括每个像素至少一个有机发光元件、至少两个薄膜晶体管和至少一个电容器。所述薄膜晶体管分别包括栅极和半导体层，在所述半导体层中，形成沟道区域、源极区域和漏极区域。在所述薄膜晶体管之一上的栅极上接触的导电层耦接到另一个薄膜晶体管和至少一个电容器。

Description

有机电致发光显示板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光(EL)显示板，特别是涉及通过改进单元像素的结构来提高孔径比的有机EL显示板。

背景技术

有机EL显示器使用从电激励的有机发光二极管OLED发出的光来显示字符或图像。从阴极提供的电子和从阳极提供的空穴重新组合以激励有机材料。一般，所述有机发光二极管OLED包括阳极层、用于便利提供电子和空穴的发光层(EML)、电子传送层(ETL)、空穴传送层(HTL)和阴极层。

用于驱动有机EL显示器的方法一般被分类为无源或有源矩阵方法。有源矩阵方法根据将电容器充电到一个电压和保持所充电的电压的信号的形式而可以包括电压编程方法和电流编程方法。

图1示出了通过所述电压编程方法驱动的、传统有源矩阵型有机EL显示器的等效电路。参见图1，可以以通过在扫描线S₁-S_n、数据线D₁-D_m和电源线V₁-V_m之中的交叉来限定的矩阵的形式而排列像素，并且每个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和存储电容器C_ST。

在每个像素中，所述开关薄膜晶体管ST的源极、栅极和漏极分别耦接到数据线D₁-D_m、扫描线S₁-S_n和所述驱动薄膜晶体管DT的栅极。所述存储电容器C_ST耦接在所述开关薄膜晶体管ST的漏极和电源线Vn之间。所述驱动薄膜晶体管DT的源极和漏极分别耦接到电源线Vn和有机发光元件OLED。所述驱动薄膜晶体管DT的漏极可以电连接到有机发光元件OLED的阳极。有机发光元件OLED的阴极可以被提供用于所有像素的公共电压。

当开关薄膜晶体管ST通过被施加到其栅极的选择信号而被导通时，来自数据线D₁-D_m的数据电压被施加到驱动薄膜晶体管DT的栅极。然后，响应于在驱动薄膜晶体管DT的栅极和源极之间的存储电容器C_ST中充电的电压V_GS，电流I_OLED可以经由驱动薄膜晶体管DT而流过有机发光元件OLED，由此从所述有机发光元件OLED发光。

在如上所述的电压编程方法中，可能产生问题：有机EL显示板的亮度可能由于诸如阈值电压或沟道迁移率之类的驱动薄膜晶体管的特性的偏移而不均匀。

因此，已经提出了用于校正在特性中的这种偏移的补充电路。但是，增加薄膜晶体管的数量可能降低像素的孔径比。

另一方面，假定用于向像素电路提供电流的电流源对于整个板、即所有数据线是均匀的，电流编程型有机EL显示器在即使当像素的驱动薄膜晶体管具有不均匀的电压-电流特性时也可以获得均匀的显示特性。

图2是示出用于驱动有机EL显示器的传统电流编程方法的像素电路，其中示出了单个像素。参见图2，一个驱动薄膜晶体管DT耦接到有机发光元件OLED以提供用于发光的电流，并且通过开关薄膜晶体管ST1施加的数据电流I_DATA控制流过驱动薄膜晶体管DT的电流量。

当开关薄膜晶体管ST1和ST2通过来自扫描线S_n的选择信号而被导通时，所述驱动薄膜晶体管DT以二极管形式连接。因此，存储电容器C_ST当电流流过它时被充电到一个电压。即，驱动薄膜晶体管DT的栅极的电势下降，由此引起电流从驱动薄膜晶体管DT的源极向驱动薄膜晶体管DT的漏极流动，以便存储电容器C_ST被充电到对应于用于设置亮度的数据电流I_DATA的电压。接着，所述开关薄膜晶体管ST1和ST2被截止，并且耦接到发光控制线E_n的薄膜晶体管ET被导通。然后，从电源线VDD提供电源，并且对应于存储电容器C_ST的充电电压的电流I_OLED流过有机发光元件OLED以发出具有预设亮度的光。

但是，因为流过有机发光元件OLED的电流I_OLED可能很小，并且数据线D_m的电压范围可能较宽，因此可能需要较长的时间来对数据线的寄生电容器充电。

因此，增加在单元像素中设置的薄膜晶体管的数量可能大大地降低孔径比，这可能使得亮度变差。而且，如果以大电流来驱动像素电路，则显示器的寿命可能被降低。

发明内容

本发明提供了一种有机EL显示板，其中，通过改善单元像素的排列结构来提高孔径比。

本发明的其他优点将在后面的说明书中给出，并且部分地从所述说明书显而易见，或者可以通过本发明的实践来学习。

本发明公开了一种有机EL显示板，它包括至少一个用于驱动每个像素的像素电路，其中，所述像素电路包括每个像素至少一个有机发光元件，至少两个薄膜晶体管和至少一个电容器。所述薄膜晶体管分别包括一个栅极和一个半导体层，在半导体层中，形成了沟道区、源极区域和漏极区域。在薄膜晶体管之一的栅极上接触的导电层耦接到另一个薄膜晶体管和至少一个电容器。

本发明还公开了一种用于制造有机EL显示板的方法，包括步骤：在绝缘基底上形成用于至少两个薄膜晶体管的一个公共半导体层；形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成用于所述至少两个薄膜晶体管的栅极；形成覆盖所述栅极的层间绝缘膜；形成用于曝露薄膜晶体管之一的栅极的接触孔；并且在接触孔内侧和层间绝缘中形成导电层。

应当明白，上述的一般说明和下面的详细说明是示例性性和解释性的，并且意欲提供所要求保护的本发明的进一步的说明。

附图说明

被包括来提供本发明的进一步的理解并且被并入和构成本说明书的一部分的附图图解了本发明的实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。

图1是示出传统的有源矩阵型有机EL显示器的等效电路。

图2是示出用于驱动传统的有机EL显示板的传统电流编程方法的像素电路图。

图3是示出按照本发明的一个示例性实施例的有机EL显示板的结构的示意图。

图4是示出按照本发明的一个示例性实施例的有机EL显示板的示意图。

图5是图4的像素的等效电路。

图6是示出按照本发明的一个示例性实施例的有机EL显示板的排列的图。

图7是沿着图6的线I-I’所取的剖面图。

图8是沿着图6的线II-II’所取的剖面图。

图9是沿着图6的线III-III’所取的剖面图。

具体实施方式

下面的详细说明示出和说明了本发明的示例性实施例。本领域的技术人员可以明白，可以在都不脱离本发明的精神和范围的情况下，以各种形式修改所述的示例性实施例。

在附图中，与本发明无关系的元件的说明被省略，以便避免本发明的主题不清楚。在说明书中，相同或类似的元件被表示为相同的附图编号，即使它们在不同的附图中被描述。在此使用的、在一个元件和另一个元件之间的耦接不仅包括其间的直接耦接，而且包括其间的间接耦接，即其间插入了其他元件。另外，在另一个元件上形成诸如层、膜、区域或板的一个元件不仅包括在另一个元件上部直接形成一个元件，而且包括在另一个元件上部形成一个元件，并且其间插入其他元件。

图3是示出按照本发明的一个示例性实施例的有机EL显示器的结构的示意图。

参见图3，所述有机EL显示器可以包括显示板100、扫描驱动器200和数据驱动器400。所述显示板可以包括：在行方向上延伸的多条扫描线S₁-S_n、多条发光控制线E₁-E_n和多条升压控制线B₁-B_n；以及在列方向上延伸的多条数据线D₁-D_n和多条电源线VDD。可以在这些线的交叉位置之间形成多个像素105。

像素105可以被形成在由两条相邻的扫描线S_k-1和S_k以及两条相邻的数据线D_k-1和D_k限定的像素区域中，并且它们可以被从扫描线、发光控制线E₁-E_n、升压控制线B₁-B_n和数据线发送的信号驱动。

另外，扫描驱动器200可以依序发送选择信号以选择对应的扫描线，这使得可以向那条扫描线的像素施加数据信号，并且扫描驱动器200可以依序向发光控制线E₁-E_n发送发光控制信号以控制有机发光元件OLED的发光。

扫描驱动器200也可以向对应的升压控制线B1-Bn的像素施加升压信号以使用两个电容器(图4中的C1和C2)来提高驱动薄膜晶体管的栅极电压。因此，可以将被提供到有机发光元件OLED的电流设置为期望值。

同时，数据驱动器400经由数据线D₁-D_n向所选择的扫描线的像素施加数据信号。

以这种方式，扫描驱动器200和数据驱动器400可以分别耦接到显示板100的基底。或者，扫描驱动器和/或数据驱动器可以被直接地形成在显示板100的玻璃基底上，或者它们可以被替代为可以在与显示板100的基底上的扫描线、数据线和晶体管相同的层上形成的任何驱动电路。另外，可以以被联结和耦接到显示板的基底的带载封装(TCP)芯片、柔性印刷电路(FPC)或带式自动联结(TAB)的形式被形成。

接着参照图4和图5来详细说明所述有机EL显示板的操作。

图4是示出按照本发明的一个示例性实施例的显示板的示意图，图5是示出图4的单个像素的等效电路。

参见图4和图5，显示板像素电路可以包括驱动晶体管M3、发光晶体管(emission transistor)M4、开关晶体管M1、二极管晶体管M2、有机发光元件OLED和两个电容器C1和C2。

更详细而言，所述开关晶体管M1可以被耦接在数据线D_n和驱动晶体管M3的栅极之间，并且响应于来自扫描线S_n的选择信号，所述开关晶体管M1从数据线D_n向驱动晶体管M3发送电流I_DATA。二极管晶体管M2可以被耦接在驱动晶体管M3的漏极区域和数据线D_n之间以便响应于来自扫描线S_n的选择信号而以二极管连接的形式连接驱动晶体管M3。

另外，驱动晶体管M3的源极和漏极区域可以分别被耦接到电源线VDD和二极管晶体管M2的漏极区域。可以按照数据电流I_DATA来确定驱动晶体管M3的栅极-源极电压。

第二电容器C2可以被耦接在驱动晶体管M3的栅极和漏极区域之间以在一个时段期间保持驱动晶体管M3的栅极-源极电压，并且第一电容器C1可以耦接在升压控制线B_n和驱动晶体管M3的栅极之间以调整驱动晶体管M3的栅极电压。

通过如图4和图5所示来耦接电容器C1和C2，第一电容器C1的电压可以通过从升压控制线B_n施加的升压控制信号电压(ΔV_B)的提高而提高。因此，可以按照方程1来获得驱动晶体管M3的栅极电压的提高(ΔV_G)。因此，通过对应于晶体管M1、M2和M3的寄生电容分量而调整升压控制信号电压(ΔV_B)的提高，可以将驱动晶体管M3的栅极电压的提高(ΔV_G)设置为期望值。

方程1

${\mathrm{\ΔV}}_G=\frac{\mathrm{\Δ}{V}_B{C}_2}{C_1+C_2}$

接着，响应于来自发光控制线E_n的发光信号，发光晶体管M4向有机发光元件OLED提供流过驱动晶体管M3的电流。有机发光元件OLED可以耦接在发光晶体管M4和参考电压VSS之间以发出与流过驱动晶体管M3的电流I_OLED的量对应的光。

现在详细说明上述的像素电路的操作。

首先，开关晶体管M1和二极管晶体管M2通过经由扫描线S_n施加的选择信号而被导通。因此，驱动晶体管M3以二极管形式连接，并且来自数据线D_n的数据电流I_DATA流入驱动晶体管M3。同时，因为发光晶体管M4通过经由发光扫描线E_n施加的发光信号而被截止，因此驱动晶体管M3和有机发光元件OLED彼此电绝缘。

此时，方程2示出了在驱动晶体管M3的栅极和源极之间的电压V_GS的绝对值和流过驱动晶体管M3的数据电流I_DATA之间的关系，并且方程3给出了栅极-源极电压V_GS。

方程2

$I_{\mathrm{DATA}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2$

其中，β是常数，V_TH是驱动晶体管M3的阈值电压的绝对值。

方程3

$V_{\mathrm{GS}}=V_{\mathrm{DD}}-V_G=\sqrt{\frac{{2I}_{\mathrm{DATA}}}{\mathrm{\β}}}+V_{\mathrm{TH}}$

其中，V_G是驱动晶体管M3的栅极电压，V_DD是通过电源线VDD提供到驱动晶体管M3的电压。

接着，通过扫描线S_n的选择信号来将开关晶体管M1和二极管晶体管M2截止，并且通过发光控制信号E_n的发光信号来导通发光晶体管M4。

此时，在第二电容器C2和第一电容器C1之间的接触点的电压可以通过从升压控制线Bn施加的升压控制信号电压的提高(ΔV_B)而提高。因此，驱动晶体管M3的栅极电压V_G可以通过在电容器C1和C2之间的耦接而提高，上述的方程1给出了栅极电压的提高量ΔV_G。

因为通过ΔV_G来提高驱动晶体管M3的栅极电压V_G，所以可以通过方程4来确定流经驱动晶体管M3的电流I_OLED。即，因为通过栅极电压提高量ΔV_G来降低栅极源极电压V_GS，因此驱动晶体管M3的电流I_OLED的幅度可以小于数据电流I_DATA的幅度。另外，因为发光晶体管M4通过发光控制线En的发光信号而被导通，因此驱动晶体管M3的电流I_OLED可以被提供到有机发光元件OLED。

方程4

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-\mathrm{\Δ}{V}_G-V_{\mathrm{TH}})}^2=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(\sqrt{\frac{{2I}_{\mathrm{DATA}}}{\mathrm{\β}}}-\mathrm{\Δ}{V}_G)}^2$

方程4可以被代入方程5中以得到数据电流I_DATA。方程5示出了数据电流I_DATA可以被设置在比流过有机发光元件OLED的电流I_OLED大的值。

方程5

$I_{\mathrm{DATA}}=I_{\mathrm{OLED}}+{\mathrm{\ΔV}}_G\sqrt{2\mathrm{\β}{I}_{\mathrm{OLED}}}+\frac{\mathrm{\β}}{2}{\left({\mathrm{\ΔV}}_G\right)}^2$

以下，将参照图6、图7、图8和图9来说明按照本发明的一个示例性实施例的显示板的布局。图6示出了按照本发明的一个示例性实施例的显示板的配置，图7、图8和图9是分别沿着图6的线I-I’、II-II’和III-III’所取的剖面图。

参见图6、图7、图8和图9，可以通过下述线来限定像素：在第一方向(图6的Y轴方向)上延伸的数据线110、在与数据线110相交的第二方向(图6的X轴方向)上排列的扫描线120、与数据线110平行地延伸并且与其相距恒定间隔的电源线130、与扫描线120平行排列的发光控制线140、与发光控制线140平行排列并且与其相距恒定间隔的升压控制线150。

在此，可以在扫描线120和发光控制线140之间的空间配置组成像素电路的开关晶体管M1、驱动晶体管M3、二极管晶体管M2和发光晶体管M4。因此，因为升压控制线150不与包括像素电路的元件重叠，因此可以防止由于在像素电路的元件之间的干扰而导致的升压信号失真。因此，因为可以向第一电容器C1稳定地施加升压信号，因此可以更精确地向有机发光元件OLED提供电流I_OLED。

薄膜晶体管M1、M2、M3和M4分别包括栅极51、52、54和53和一个半导体层30，在半导体层30中形成了沟道区域、源极区域和漏极区域。在本发明中，开关晶体管M1、二极管晶体管M2、驱动晶体管M3和发光晶体管M4的半导体层30可以形成为公共层。

更具体而言，开关晶体管M1可以形成在扫描线120和数据线110之间的相交位置附近。开关晶体管M1的源极区域通过接触孔h1耦接到数据线110，并且开关晶体管M1的漏极区域经由导电层135通过接触孔h2和h3耦接到驱动晶体管M3的栅极54。在此，开关晶体管M1的漏极区域可以通过具有图6的类似反“L”形状的导电层135而耦接到驱动晶体管M3的栅极54，由此减少了配置像素电路的面积并且提高了像素的孔径比，其将在下面详细描述。

另外，二极管晶体管M2可以形成在数据线110和发光控制线140之间的相交位置附近。二极管晶体管M2的栅极52可以与开关晶体管M1的栅极51一起形成。二极管晶体管M2的源极区域通过接触孔h1耦接到数据线110，二极管晶体管M2的漏极区域通过半导体层30耦接到驱动晶体管M3的漏极区域。

驱动晶体管M3可以形成在扫描线120和电源线130之间的相交位置。驱动晶体管M3的栅极54通过接触孔h3和h2耦接到开关晶体管M1的漏极区域，驱动晶体管M3的源极区域通过接触孔h4耦接到电源线130，并且驱动晶体管M3的漏极区域通过半导体层30耦接到发光晶体管M4的源极区域。

发光晶体管M4可以穿过发光控制线140而形成。发光晶体管M4的栅极53可以通过发光控制线140的一部分形成，发光晶体管M4的漏极区域可以耦接到有机发光元件OLED。

电容器C1和C2可以在有机发光元件OLED的长侧201附近与电源线130重叠。第一电容器C1的第一电极36耦接到升压控制线150，并且第二电容器C2的第一电极37耦接到电源线130。电容器C1和C2的第二电极56和57可以形成为公共层。并且，电容器C1和C2的第二电极56和57可以通过接触孔h7耦接到驱动晶体管M3的栅极54。此时，电容器C1和C2的第二电极56和57可以通过在驱动晶体管M3的栅极54上接触的导电层135而耦接到开关晶体管M1的漏极区域和驱动晶体管M3的栅极54。

现在，将说明具有上述像素电路的显示板的层间结构和用于制造有机EL显示板的方法。

按照本发明的一个示例性实施例的有机EL显示板具有可以形成在绝缘基底10上的可由氧化硅、氮化硅或其他类似的物质形成的阻挡层20。

其后，开关晶体管M1、驱动晶体管M3、二极管晶体管M2和发光晶体管M4的半导体层30在阻挡层20上形成为公共层。半导体层30是由多晶硅形成的。半导体层30可以通过在具有非晶态结构的半导体膜上通过激光结晶方法而形成。而且，第一和第二电容器C1和C2的第一电极36和37可以形成在阻挡层20上。

其后，可以在半导体层30上形成可由氧化硅、氮化硅或其他类似的物质形成的栅极绝缘膜40。孔h9暴露第一电容器C1的第一电极36。

其后，可以在栅极绝缘膜40上形成扫描线120和晶体管M1、M2、M4和M3的栅极51、52、53和54，扫描线120可以包括由诸如铝或铝合金之类具有低电阻的导电材料构成的导电膜。可以使用与扫描线120和栅极51、52、53和54相同的材料在栅极绝缘膜40上形成发光控制线140和升压控制线150。而且，电容器C1和C2的第二电极56和57可以在栅极绝缘膜40上。

更详细而言，可以以分支形状形成的开关晶体管M1的栅极51和二极管晶体管M2的栅极52可以耦接到扫描线120，并且分别与开关晶体管M1的沟道区域31a和二极管晶体管M2的沟道区域32a重叠。另外，发光晶体管M4的栅极53可以与扫描线120分离，并且与半导体层30的沟道区域33a重叠。此时，发光晶体管M4的栅极53可以通过在同一层上的发光控制线140的一部分来形成。发光控制线140可以在行方向上延伸并且与发光晶体管M4的沟道区域33a重叠的同时形成发光晶体管M4的栅极电极53。而且，驱动晶体管M3的栅极54可以与扫描线120分离，并且与驱动晶体管M3的沟道区域34a重叠。

其后，晶体管M1、M2、M4和M3的源极区域31b、32b、33b和34b、及漏极区域31c、32c、33c和34c分别被形成。源极区域31b、32b、33b和34b、漏极区域31c、32c、33c和34c可以按照驱动条件来掺杂p型或n型杂质。

其后，可以形成第一层间绝缘膜60。

可以在第一层间绝缘膜60中形成接触孔h3和h7以将电容器C1和C2的第二电极耦接到驱动晶体管M3的栅极54。并且，可以在栅极绝缘40和第一层间膜60中形成接触孔h1、h2、h4、h5、h8。

其后，在第一层间绝缘膜60上形成导电层135、数据线110、电源线130和发光晶体管M4的连接电极71。

导电层135可以具有通过接触孔h7连接到电容器C1和C2的类似“L”形状，所述类似“L”形状的导电层135从开关晶体管M1的漏极区域31c开始，越过驱动晶体管M3的栅极54，并且穿过发光控制线140。因此，所述电容器和驱动晶体管M3通过在第一层间绝缘膜60上形成的导电层135而形成驱动晶体管M3的栅极54。

此时，驱动晶体管M3的栅极54的上侧是空的，因为驱动晶体管M3的源极和漏极区域34c经由半导体层30而不是经由导电层135来分别耦接到电源线130和二极管晶体管M2。即，驱动晶体管M3具有可以耦接到二极管晶体管M2的漏极区域32c的半导体层30的漏极区域34c，它可以以与驱动晶体管M3的漏极区域34c相同的材料形成在与驱动晶体管M3的漏极区域34c相同的层中。而且，驱动晶体管M3的源极区域34b可以通过在栅极绝缘膜40和第一层间绝缘膜60中的接触孔h4而耦接到电源线130。

因此，导电层135可以在驱动晶体管M3的栅极54上接触，并且它通过接触孔h2和h3将开关晶体管M1的漏极区域31c与驱动晶体管M3的栅极54彼此耦接。另外，因为导电层135通过接触孔h7将驱动晶体管M3的栅极区域54耦接到电容器C1和C2的第二电极56和57，因此可以形成具有最短距离的节点，其中开关晶体管M1、驱动晶体管M3和所述电容器在驱动晶体管M3的栅极54相交。因此，可以减小配置像素电路的空间，并且相对地，可以加宽配置有机发光元件OLED的空间，由此提高所述显示板的孔径比(见图9)。

数据线110可以形成在第一层间绝缘膜60上，并且它可以在列方向上延伸。而且，它可以通过穿过第一层间绝缘膜60和栅极绝缘膜40的接触孔h1来耦接到开关晶体管M1的源极区域31b和二极管晶体管M2的源极区域32b。

类似地，电源线130可以形成在第一层间绝缘膜60上，并且可以在列方向上延伸。而且，它通过穿过第一层间绝缘膜60和栅极绝缘膜40的接触孔h4来耦接到驱动晶体管M3的源极区域34b。

另外，发光晶体管M4的连接电极71可以以与数据线110和电源线130相同的材料形成在与数据线110和电源线130相同的层中。即，连接电极71可以通过穿过第一层间绝缘膜60和栅极绝缘膜40的接触孔h5来耦接到发光晶体管M4的漏极区域33c。

其后，可以在数据线110、电源线130和发光晶体管M4的连接电极71上形成可由氮化硅、氧化硅、有机绝缘材料或其他类似物质构成的第二层间绝缘膜80。第二层间绝缘膜80可以具有用于将有机发光元件OLED耦接到发光晶体管M4的连接电极71的接触孔h6。

其后，可以在第二层间绝缘膜80上形成的有机发光元件OLED的像素电极81可以通过接触孔h6耦接到发光晶体管M4的连接电极71。所述像素电极81可以以诸如铝或银合金之类的反射材料形成。或者，可以以诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明材料来形成像素电极81。由透明导电材料形成的像素电极81可以使用底部发光方法被施加到有机EL显示器以在显示板的后部显示图像。由非透明导电材料形成的像素电极81可以使用顶部发光方法来施加到有机EL显示器以在显示板的前部显示图像。

其后，可以在第二层间绝缘膜80上形成一个隔墙83(partition wall)，它可以由有机绝缘材料形成以将有机发光单元彼此分离。隔墙83可以围绕像素电极81以限定有机发光元件OLED的区域。隔墙83通过曝光和显影包括黑涂料的光敏剂而用作挡光膜。而且，隔墙83可以简化膜形成过程。可以在像素电极81上形成有机发光层85。有机发光元件OLED包括有机发光层85，它可以发出红色、绿色或蓝色光。

其后，可以在有机发光层85和隔墙83上形成缓冲层90。可以省略缓冲层90。

其后，可以在缓冲层90形成公共电极95。可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料来形成公共电极95。也可以从诸如铝的反射材料形成公共电极95。

另外，可以以低电阻的金属来形成辅助电极(未示出)以增强公共电极95的导电性。所述辅助电极可以形成在公共电极95和缓冲层90之间，或者它可以形成在公共电极95上。而且，辅助电极最好沿着隔墙83以矩阵形式形成，以便它不与有机发光层85重叠。

从上述说明可明显然了解，使用按照本发明的示例性实施例的有机EL显示板，因为可以以大电流值来控制流过有机发光元件OLED的电流，因此能够通过精确的电流编程来驱动显示板。而且，可以通过补偿可能发生在制造晶体管的过程中的在像素之间的阈值电压或迁移率的偏移来减小在像素之间的亮度偏移。

具体的说，在小空间中紧凑地配置晶体管加宽了配置有机发光元件的空间，由此提高了显示板的孔径比。

本领域的技术人员应该了解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和改变。因此，本发明涵盖在所附的权利要求和它们的等效内容中提供的本发明的修改和改变。

Claims (17)

1.一种包括至少一个用于驱动每个像素的像素电路的有机电致发光(EL)显示板，其中，所述像素电路包括：

每个像素至少一个有机发光元件；

每个像素至少两个薄膜晶体管；以及

每个像素至少一个电容器，

其中，所述薄膜晶体管分别包括一个栅极和一个半导体层，在半导体层中形成了沟道区、源极区域和漏极区域；并且

其中，在薄膜晶体管之一的栅极上接触的导电层耦接到另一个薄膜晶体管和至少一个电容器。

2.按照权利要求1的有机EL显示板，其中，薄膜晶体管的半导体层形成为公共层。

3.按照权利要求1的有机EL显示板，还包括：

彼此平行的数据线和电源线；以及

扫描线、发光控制线和升压控制线，它们彼此平行，并且与数据线和电源线相交，

其中，通过数据线、电源线、扫描线和发光控制线来限定第一区域；

其中，通过升压控制线、发光控制线、数据线和电源线来限定第二区域；并且

其中，在第一区域和第二区域上形成所述像素电路。

4.按照权利要求3的有机EL显示板，

其中，在第一区域中形成所述至少两个薄膜晶体管；和

其中，在第二区域中形成所述至少一个电容器和有机发光元件。

5.按照权利要求3的有机EL显示板，其中，所述像素电路包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，用于响应于来自扫描线的选择信号而从数据线传送数据电流；

第三薄膜晶体管，用于向有机发光元件提供驱动电流；

第四薄膜晶体管，用于从第三薄膜晶体管向有机发光元件传送驱动电流；

第一电容器，对应于来自第一薄膜晶体管的数据电流而被充电到第一电压；以及

第二电容器，耦接在第一电容器和升压控制线之间，用于将第一电容器的第一电压改变为第二电压，

其中，当从第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管传送数据电流时，第三薄膜晶体管以二极管形式耦接。

6.按照权利要求5的有机EL显示板，

其中，在数据线和扫描线相交的区域中形成第一薄膜晶体管，

其中，在数据线和发光控制线相交的区域中形成第二薄膜晶体管，

其中，在扫描线和电源线相交的区域中形成第三薄膜晶体管，

其中，越过发光控制线而形成第四薄膜晶体管。

7.按照权利要求6的有机EL显示板，其中，第一薄膜晶体管的漏极区域通过导电层而耦接到第三薄膜晶体管和所述电容器。

8.按照权利要求7的有机EL显示板，其中，导电层具有类似“L”形状，它从第一薄膜晶体管的漏极区域开始，越过第三薄膜晶体管的栅极，并且穿过发光控制线。

9.按照权利要求8的有机EL显示板，其中，第三薄膜晶体管的栅极通过暴露第三薄膜晶体管的栅极的接触孔经由导电层而耦接到第一薄膜晶体管的漏极区域和电容器。

10.按照权利要求9的有机EL显示板，

其中，第三薄膜晶体管通过半导体层而耦接到第二薄膜晶体管，以及

其中，半导体层越过发光控制线而延伸到第二区域以形成第四薄膜晶体管的漏极区域。

11.按照权利要求6的有机EL显示板，其中，导电层在与数据线和电源线相同的绝缘膜上形成，并且以与数据线和电源线相同的材料形成。

12.一种用于制造有机EL显示板的方法，所述有机EL显示板至少包括用于驱动每个像素的一个像素电路，所述用于制造有机EL显示板的方法包括步骤：

在绝缘基底上形成用于至少两个薄膜晶体管的一个公共半导体层；

形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘膜；

在栅极绝缘膜上形成用于所述至少两个薄膜晶体管的栅极；

形成覆盖所述栅极的层间绝缘膜；

在层间绝缘膜上形成用于曝光薄膜晶体管之一的栅极部分的接触孔；以及

在接触孔内侧和在层间绝缘上形成导电层。

13.按照权利要求12的方法，

其中，在形成栅极的步骤中，还形成彼此平行的扫描线、发光控制线和升压控制线，

其中，在形成导电层的步骤中，还形成彼此平行的数据线和电源线，并且导电层与所述数据线和电源线相交，

其中，在由数据线、电源线、扫描线和发光控制线限定的第一区域和在由升压控制线、发光控制线、数据线和电源线限定的第二区域中形成所述像素电路。

14.按照权利要求13的方法，其中，所述像素电路包括在第一区域中形成的至少两个薄膜晶体管和在第二区域中形成的至少一个电容器和至少一个有机发光元件。

15.按照权利要求13的方法，其中，所述像素电路包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，用于响应于来自扫描线的选择信号而从数据线传送数据电流；

第三薄膜晶体管，用于向有机发光元件提供驱动电流；

第四薄膜晶体管，用于从第三薄膜晶体管向有机发光元件传送驱动电流；

第一电容器，对应于来自第一薄膜晶体管的数据电流被充电到第一电压；

第二电容器，耦接在第一电容器和升压控制线之间，用于将第一电容器的第一电压改变为第二电压，

其中，当从第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管传送数据电流时，第三薄膜晶体管以二极管形式耦接。

16.按照权利要求15的方法，还包括步骤：

形成第一接触孔以暴露第一薄膜晶体管的漏极区域；以及

形成第二接触孔以暴露第一电容器的一个电极，

其中，导电层被形成在暴露栅极电极的接触孔、第一接触孔、第二接触孔的内侧和在层间绝缘上。

17.按照权利要求16的方法，其中，导电层具有类似“L”形状，它从第一薄膜晶体管的漏极区域开始，越过第三薄膜晶体管的栅极，并且穿过发光控制线。

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