[go: up one dir, main page]

KR101107178B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101107178B1
KR101107178B1 KR1020090066044A KR20090066044A KR101107178B1 KR 101107178 B1 KR101107178 B1 KR 101107178B1 KR 1020090066044 A KR1020090066044 A KR 1020090066044A KR 20090066044 A KR20090066044 A KR 20090066044A KR 101107178 B1 KR101107178 B1 KR 101107178B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
light emitting
organic light
area
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020090066044A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110008621A (ko
Inventor
강진구
최상무
김무현
김금남
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020090066044A priority Critical patent/KR101107178B1/ko
Priority to JP2010126737A priority patent/JP5578712B2/ja
Priority to US12/805,200 priority patent/US8587499B2/en
Priority to EP10169978.3A priority patent/EP2278622A3/en
Priority to CN2010102337613A priority patent/CN101958340B/zh
Publication of KR20110008621A publication Critical patent/KR20110008621A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101107178B1 publication Critical patent/KR101107178B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 투명 영역과 상기 투명 영역을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 화소 영역들을 포함하는 기판 부재와, 상기 화소 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 축전 소자와, 상기 화소 영역 및 상기 투명 영역 상에 형성되어 상기 박막 트랜지스터 및 상기 축전 소자 중 하나 이상과 각각 연결된 게이트 라인, 데이터 라인 및 공통 전원 라인, 그리고 상기 화소 영역 상에 형성된 상기 박막 트랜지스터, 상기 축전 소자, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인을 모두 커버하는 화소 전극을 포함한다.
화소 전극, 전면 발광, 투명, 유기 발광 표시 장치

Description

유기 발광 표시 장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투명한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 정공 주입 전극과, 유기 발광층, 및 전자 주입 전극을 갖는 복수의 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode)들을 포함한다. 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광이 이루어지며, 이를 이용하여 유기 발광 표시 장치는 화상을 형성한다.
따라서 유기 발광 표시 장치는 자발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
또한, 유기 발광 표시 장치는 특성상 사용자가 유기 발광 표시 장치를 투과해 반대편에 위치한 사물 또는 이미지를 볼 수 있는 투명 표시 장치로 만들어질 수 있다. 구체적으로, 스위치 오프 상태일 때는 반대편에 위치한 사물 또는 이미지가 투과되고 스위치 온 상태일 때는 유기 발광 소자에서 발광된 화상이 보이도록 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
그러나, 스위치 오프 상태일 때 반대편에 위치한 사물 또는 이미지가가 유기 발광 소자 뿐만 아니라 박막 트랜지스터 및 여려 배선 등의 패턴 사이의 공간을 투과해 사용자에게 전달된다. 통상 패턴들 사이의 간격이 수백 nm 수준으로 가시광 영역의 빛의 파장과 동일 수준이 되어 투과된 빛의 산란을 야기하게 된다. 이에, 사용자는 왜곡된 이미지를 전달받게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 투과하는 빛의 산란을 억제하여 왜곡 현상이 방지된 투명한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 투명 영역과 상기 투명 영역을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 화소 영역들을 포함하는 기판 부재와, 상기 화소 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 축전 소자와, 상기 화소 영역 및 상기 투명 영역 상에 형성되어 상기 박막 트랜지스터 및 상기 축전 소자 중 하나 이상과 각각 연결된 게이트 라인, 데이터 라인 및 공통 전원 라인, 그리고 상기 화소 영역 상에 형성된 상기 박막 트랜지스터, 상기 축전 소자, 상기 게이트 라인, 상기 데이 터 라인, 및 상기 공통 전원 라인을 모두 커버하는 화소 전극을 포함한다.
상기 화소 영역은 상기 화소 전극이 커버하는 영역과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 화소 영역과 상기 투명 영역의 전체 면적 대비 상기 투명 영역의 면적의 비율은 20% 내지 90% 범위 내일 수 있다.
상기 화소 전극은 반사형 도전 물질로 만들어질 수 있다.
상기 화소 전극 상에 차례로 형성된 유기 발광층 및 공통 전극을 더 포함하며, 상기 유기 발광층에서 상기 공통 전극 방향으로 빛을 방출하여 화상을 표시할 수 있다.
상기 투명 영역 상에 형성된 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인은 서로 이웃한 상기 화소 영역들 상에 각각 형성된 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인을 서로 연결할 수 있다.
상기 기판 부재 상에 형성된 절연막, 평탄화막, 및 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 절연막, 상기 평탄화막, 및 상기 화소 정의막은 투명한 물질로 만들어질 수 있다.
상기한 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 기판 부재가 갖는 투과율은 상기 기판 부재 위에 형성된 여러 층들이 갖는 전체적인 투과율보다 크거나 같을 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 투과하는 빛의 산란을 억제하여 왜곡 현상이 방지된 투명함을 가질 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소 영역에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소 영역에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.
여기서, 화소 영역은 화소가 형성된 영역을 말한다. 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 통해 화상을 표시한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 투명 영역(TA)과, 투명 영역(TA)을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 화소 영역들(PA)로 구분된다. 여기서, 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)의 전체 면적 대비 투명 영역(TA)의 면적의 비율이 20% 내지 90% 범위에 속하도록 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)이 형성된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 각 화소 영역(PA)마다 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다.
그리고 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 영역(PA) 및 투명 영역(TA) 상에서 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 이때, 투명 영역(TA) 상에 형성된 게이트 라인(151), 데이터 라인(171), 및 공통 전원 라인(172)은 서로 이웃한 화소 영역들(PA) 상에 각각 형성된 게이트 라인(151), 데이터 라인(171), 및 공통 전원 라인(172)을 서로 연결하는 패턴으로 형성된다. 즉, 투명 영역(TA) 상에는 가능한 최소한의 게이트 라인(151), 데이터 라인(171), 및 공통 전원 라인(172)만 형성된다.
유기 발광 소자(70)는 화소 전극(710)과, 화소 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)(도 3에 도시)과, 유기 발광층(720) 상에 형성된 공통 전극(730)(도 3에 도시)을 포함한다. 여기서, 화소 전극(710)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 공통 전극(730)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 화소 전극(710)이 음극이 되고, 공통 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 화소 전극(710) 및 공통 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)에서 발광이 이루어진다.
또한, 화소 전극(730)은 화소 영역(PA) 전체를 커버한다. 즉, 화소 전극(730)이 커버하는 영역은 화소 영역(PA)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 화소 전극(710)은 화소 영역(PA) 상에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 모두 커버한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함하고, 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전 극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
축전 소자(80)는 게이트 절연막(140)(도 3에 도시)을 사이에 두고 배치된 제1 유지 전극(158)과 제2 유지 전극(178)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 제1 유지 전극(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 제1 유지 전극(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제2 유지 전극(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 접촉 구멍(182)을 통해 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광하게 된다.
이하, 도 3을 참조하여 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 대해 구체적으로 설명한다. 도 3은 구동 박막 트랜지스터(20), 유기 발광 소자(70) 및 축전 소자(80)를 중심으로 유기 발광 표시 장치(100)를 나타내고 있다.
이하에서는, 구동 박막 트랜지스터(20)를 가지고 박막 트랜지스터의 구조에 대해 상세히 설명한다. 그리고 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 구동 박막 트랜지스터와의 차이점만 간략하게 설명한다.
기판 부재(110)는 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 투명한 절연성 기판으로 형성된다. 그리고 기판 부재(110)는 기판 부재(110) 위에 형성된 여러 층들이 갖는 전체적인 투과율보다 크거나 같은 투과율을 갖는다. 구체적으로, 기판 부재(110) 위에는 후술할 버퍼층(120), 구동 반도체층(132), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 평탄화막(180), 유기 발광층(720), 그리고 각종 도전 배선과 전극 등이 형성된다.
기판 부재(110) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판 부재(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(120) 위에는 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않 은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
본 발명의 일 실시예에서는 구동 박막 트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막 트랜지스터가 사용되었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 박막 트랜지스터(20)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 구동 박막 트랜지스터(20)는 다결정 규소막을 포함한 다결정 박막 트랜지스터인지만, 도 3에 도시되지 않은 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 다결정 박막 트랜지스터일수도 있고 비정질 규소막을 포함한 비정질 박막 트랜지스터일수도 있다.
구동 반도체층(132) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 게이트 배선은 게이트 라인(151)(도 2에 도시), 제1 유지 전극(158) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.
게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160) 이 형성된다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 관통공들을 함께 갖는다. 층간 절연막(160)은, 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성된다.
층간 절연막(160) 위에는 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 데이터 배선은 데이터 라인(171)(도 2에 도시), 공통 전원 라인(172), 제2 유지 전극(178) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 각각 관통공들을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다.
구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선(172, 176, 177, 178)을 덮는 평탄화막(180)이 형성된다. 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(70)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(180)은 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 접촉 구멍(182)을 갖는다.
평탄화막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
평탄화막(180) 위에는 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710)이 형성된다. 화소 전극(710)은 평탄화막(180)의 접촉 구멍(182)을 통해 드레인 전극(177)과 연결된다.
화소 영역(PA) 내에서 게이트 전극(155), 소스 전극(176), 드레인 전극(177), 제1 유지 전극(158), 제2 유지 전극(178), 게이트 라인(151)(도 2에 도시), 데이터 라인(171)(도 2에 도시), 및 공통 전원 라인(172)는 모두 화소 전극(710) 아래에 배치된다.
또한, 평탄화막(180) 위에는 화소 전극(710)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(190)이 형성된다. 즉, 화소 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 따라서, 화소 정의막(190)이 형성된 부분은 화소 전극(710)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분과 유사하다. 즉, 화소 정의막(190)이 형성된 영역은 투명 영역(TA)와 유사하다.
화소 정의막(190)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
화소 전극(710) 위에는 유기 발광층(720)이 형성되고, 유기 발광층(720) 상에는 공통 전극(730)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(710), 유기 발광층(720), 및 공통 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 이러한 유기 발광층(720)은 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 발광층, 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 그리고 전자 주입층(electron-injection layer, EIL)을 포함하는 다중막으로 형성된다. 즉, 정공 주입층은 양극인 화소 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형으로 형성된다. 즉, 유기 발광층(720)에서 공통 전극(730) 방향으로 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
또한, 화소 전극(710)은 반사형 도전 물질로 형성된다. 반사형 도전 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 화소 전극(710)은 투명한 도전막과 반사막을 포함하는 다중층으로 형성될 수도 있다.
공통 전극은 투명한 도전 물질 또는 반투과형 도전 물질로 형성된다. 투명한 도전 물질로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다. 반투과형 도전 물질로 마그네슘(Mg) 및 은(Ag) 중 하나 이상을 포함한 공증착 물질을 사용하거나, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 물질을 사용할 수 있다.
또한, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 평탄화막(180), 및 화소 정의막(190)은 투명하게 형성된다. 그리고, 투명 영역(TA)에는 일부분이 최소한으로 배치된 게이트 라인(151), 데이터 라인(171), 및 공통 전원 라인(172)을 제외하고, 버퍼층(120), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 평탄화막(180), 및 화소 정의막(190) 등과 같이 투명한 구성만 배치된다.
또한, 앞서 도 1에 도시한 바와 같이, 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)의 전체 면적 대비 투명 영역(TA)의 면적의 비율이 20% 내지 90% 범위에 속하도록 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)이 형성된다.
이와 같은 구성에 의해, 유기 발광 표시 장치(100)는 투과하는 빛의 산란을 억제하여 왜곡 현상이 방지된 투명함을 가질 수 있다.
즉, 사용자가 유기 발광 표시 장치(100)가 스위치 오프 상태일 때 유기 발광 표시 장치(100)를 투과하여 반대편에 위치한 사물 또는 이미지를 왜곡없이 볼 수 있으며, 스위치 온 상태일 때는 유기 발광 소자에서 발광된 화상을 볼 수 있게 된다.
이때, 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)의 전체 면적 대비 투명 영역(TA)의 면 적의 비율이 20% 보다 작으면, 유기 발광 표시 장치(100)가 스위치 오프 상태일 때 유기 발광 표시 장치(100)를 투과할 수 있는 빛이 적어 사용자가 반대면에 위치한 사물 또는 이미지를 보기 어렵다. 즉, 유기 발광 표시 장치가 투명하다고 할 수 없게 된다.
한편, 화소 영역(PA)과 투명 영역(TA)의 전체 면적 대비 투명 영역(TA)의 면적의 비율이 90% 보다 크면 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 집적도가 지나치게 낮아져 유기 발광 소자(70)의 발광을 통해 안정적인 화상을 구현하기 어렵다. 즉, 화소 영역(PA)의 면적이 작아질수록, 화상을 구현하기 위해 유기 발광 소자(70)가 발광하는 빛의 휘도가 높아져야한다. 이와 같이, 유기 발광 소자(70)를 고휘도 상태로 작동시키면 수명이 급격히 저하되는 문제점이 생긴다. 또한, 하나의 화소 영역(PA)의 크기를 적정한 크기로 유지하면서 투명 영역(TA)의 면적 비율을 90%보다 크게 하면, 화소 영역(PA)의 수가 줄어 해상도가 저하되는 문제점이 생긴다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 일부를 확대한 배치도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 단면도이다.

Claims (8)

  1. 투명 영역과, 상기 투명 영역을 사이에 두고 서로 이격된 복수의 화소 영역들을 포함하는 기판 부재;
    상기 화소 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 축전 소자;
    상기 화소 영역 및 상기 투명 영역 상에 형성되어 상기 박막 트랜지스터 및 상기 축전 소자 중 하나 이상과 각각 연결된 게이트 라인, 데이터 라인 및 공통 전원 라인; 그리고
    상기 화소 영역 상에 형성된 상기 박막 트랜지스터, 상기 축전 소자, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인을 모두 커버하며 반사형 도전 물질로 만들어진 화소 전극
    을 포함하며,
    상기 화소 영역은 상기 화소 전극이 커버하는 영역과 동일하고,
    상기 투명 영역은 상기 복수의 화소 영역들을 둘러싸며,
    상기 복수의 화소 영역들은 섬 형상으로 서로 이격 분산된 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 화소 영역과 상기 투명 영역의 전체 면적 대비 상기 투명 영역의 면적의 비율은 20% 내지 90% 범위 내인 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 화소 전극 상에 차례로 형성된 유기 발광층 및 공통 전극을 더 포함하며,
    상기 유기 발광층에서 상기 공통 전극 방향으로 빛을 방출하여 화상을 표시하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 투명 영역 상에 형성된 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인은 서로 이웃한 상기 화소 영역들 상에 각각 형성된 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 공통 전원 라인을 서로 연결하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,
    상기 기판 부재 상에 형성된 절연막, 평탄화막, 및 화소 정의막 중 하나 이상의 막을 더 포함하며,
    상기 절연막, 상기 평탄화막, 및 상기 화소 정의막 중 하나 이상의 상기 막은 투명한 물질로 만들어진 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 기판 부재가 갖는 투과율은 상기 기판 부재 위에 형성된 상기 절연막, 상기 평탄화막, 및 상기 화소 정의막 중 하나 이상의 상기 막이 갖는 전체적인 투과율보다 크거나 같은 유기 발광 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020090066044A 2009-07-20 2009-07-20 유기 발광 표시 장치 Active KR101107178B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090066044A KR101107178B1 (ko) 2009-07-20 2009-07-20 유기 발광 표시 장치
JP2010126737A JP5578712B2 (ja) 2009-07-20 2010-06-02 有機発光表示装置
US12/805,200 US8587499B2 (en) 2009-07-20 2010-07-19 Organic light emitting diode display
EP10169978.3A EP2278622A3 (en) 2009-07-20 2010-07-19 Organic light emitting diode display
CN2010102337613A CN101958340B (zh) 2009-07-20 2010-07-20 有机发光二极管显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090066044A KR101107178B1 (ko) 2009-07-20 2009-07-20 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110008621A KR20110008621A (ko) 2011-01-27
KR101107178B1 true KR101107178B1 (ko) 2012-01-25

Family

ID=42797183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090066044A Active KR101107178B1 (ko) 2009-07-20 2009-07-20 유기 발광 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8587499B2 (ko)
EP (1) EP2278622A3 (ko)
JP (1) JP5578712B2 (ko)
KR (1) KR101107178B1 (ko)
CN (1) CN101958340B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9369622B2 (en) 2013-04-15 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Portable device with camera
US9418588B2 (en) 2013-06-13 2016-08-16 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method to control the same

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084245B1 (ko) * 2010-01-04 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR101097335B1 (ko) 2010-02-25 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101156440B1 (ko) * 2010-03-09 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101108170B1 (ko) 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
TWI445170B (zh) * 2010-12-03 2014-07-11 Au Optronics Corp 有機發光二極體畫素陣列
KR101391244B1 (ko) * 2010-12-20 2014-05-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101482628B1 (ko) * 2011-05-03 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR101924996B1 (ko) 2012-03-29 2018-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102881839B (zh) 2012-09-28 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法
KR102000642B1 (ko) * 2012-12-12 2019-07-17 엘지디스플레이 주식회사 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치
US9626184B2 (en) * 2013-06-28 2017-04-18 Intel Corporation Processors, methods, systems, and instructions to transcode variable length code points of unicode characters
US20150076472A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and display device
KR20150069379A (ko) * 2013-12-13 2015-06-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN103700692A (zh) 2013-12-27 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法
KR102262772B1 (ko) * 2013-12-30 2021-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102166869B1 (ko) * 2013-12-31 2020-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
TWI567971B (zh) * 2014-04-22 2017-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
KR102215092B1 (ko) 2014-06-05 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016045979A (ja) * 2014-08-19 2016-04-04 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102356592B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102409060B1 (ko) 2015-09-11 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102471113B1 (ko) * 2015-11-18 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102500161B1 (ko) * 2016-01-15 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102457244B1 (ko) * 2016-05-19 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102561709B1 (ko) * 2016-07-25 2023-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107808892B (zh) * 2016-09-08 2020-06-26 群创光电股份有限公司 显示设备
JP2018073761A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 パイオニア株式会社 発光装置
KR102402525B1 (ko) * 2017-10-17 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101938879B1 (ko) * 2017-10-27 2019-01-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102578841B1 (ko) * 2018-08-31 2023-09-14 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 적용한 투명 표시 장치
TWI742339B (zh) * 2019-01-28 2021-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN110098238A (zh) * 2019-05-15 2019-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN110783487B (zh) * 2019-10-31 2024-11-05 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN110718580A (zh) * 2019-11-20 2020-01-21 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN114120816B (zh) * 2020-08-28 2025-02-11 群创光电股份有限公司 显示面板及电子装置
CN114356149A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 群创光电股份有限公司 透明触控显示装置
KR20220096854A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
GB2610080A (en) 2021-03-25 2023-02-22 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and display apparatus
CN114424850B (zh) * 2022-01-25 2023-08-29 业成科技（成都）有限公司 智能显示头盔
KR20230158138A (ko) * 2022-05-09 2023-11-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057018A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
JP2008112112A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Optrex Corp 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4142117B2 (ja) * 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
DE69739633D1 (de) * 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JP3457819B2 (ja) * 1996-11-28 2003-10-20 カシオ計算機株式会社 表示装置
GB0028877D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
JP2002170686A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
JP5303818B2 (ja) * 2001-09-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
KR20030069707A (ko) * 2002-02-22 2003-08-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2003264082A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Sharp Corp 有機ｌｅｄ素子
KR100637458B1 (ko) * 2004-05-25 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광 표시 패널
KR100700648B1 (ko) 2005-01-31 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 전면발광 유기전계발광표시장치
EP1727221B1 (de) 2005-05-27 2010-04-14 Novaled AG Transparente organische Leuchtdiode
JP4939045B2 (ja) * 2005-11-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
TW200732733A (en) * 2006-02-17 2007-09-01 Ind Tech Res Inst Hybrid display
JP4930704B2 (ja) * 2006-03-14 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP5138927B2 (ja) * 2006-12-25 2013-02-06 共同印刷株式会社 フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ
JP2009086024A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Seiko Epson Corp 画像表示装置および電子機器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057018A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
JP2008112112A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Optrex Corp 発光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9369622B2 (en) 2013-04-15 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Portable device with camera
US9418588B2 (en) 2013-06-13 2016-08-16 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method to control the same
US9805644B2 (en) 2013-06-13 2017-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method to control the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101958340A (zh) 2011-01-26
EP2278622A2 (en) 2011-01-26
US8587499B2 (en) 2013-11-19
KR20110008621A (ko) 2011-01-27
JP2011023340A (ja) 2011-02-03
JP5578712B2 (ja) 2014-08-27
CN101958340B (zh) 2013-08-14
EP2278622A3 (en) 2014-04-23
US20110012816A1 (en) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101107178B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101147428B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100989135B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101378439B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100989133B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100932989B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100959107B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100959108B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4621925B2 (ja) 有機発光表示装置
KR101363022B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101427857B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20100081772A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101002662B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120061106A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20100088883A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20100024709A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101513882B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101432236B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20140046519A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100965250B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100989132B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20090720

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110311

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20111229

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20120111

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20120111

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141231

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151230

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170102

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180102

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190102

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210104

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211228

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221226

Start annual number: 12

End annual number: 12