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CN1534727A - 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备 - Google Patents

薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备 Download PDF

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CN1534727A
CN1534727A CNA2004100318330A CN200410031833A CN1534727A CN 1534727 A CN1534727 A CN 1534727A CN A2004100318330 A CNA2004100318330 A CN A2004100318330A CN 200410031833 A CN200410031833 A CN 200410031833A CN 1534727 A CN1534727 A CN 1534727A
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Abstract

一种薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备，该通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形的方法，具有在所述基板上形成与所述薄膜图形对应的围堰的围堰形成工序、除去所述围堰间的残渣的残渣处理工序、在除去所述残渣后的所述围堰间配置所述功能液的材料配置工序。

Description

薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备
技术领域
本发明涉及一种薄膜图形的形成方法以及器件的制造方法、光电装置及电子设备。
背景技术
在制造电子电路或集成电路等中使用的布线中，例如使用光刻法。该光刻法在事先涂布导电膜的基板上涂布称为抗蚀剂的感光材料，照射电路图形后显影，对应于抗蚀剂图形，蚀刻导电膜，由此形成薄膜的布线图形。该光刻法必需真空装置等大型设备与复杂的工序，另外，材料使用效率为百分之几(数％)左右，大部分被浪费，制造成本高。
对此，在美国专利第5132248号说明书中，提出了使用从液体喷出头中液滴状喷出液体材料的液滴喷出法即所谓喷墨法来形成布线图形的方法。在该方法中，在基板上直接图形涂布作为使金属微粒子等导电性微粒子分散的功能液的布线图形用油墨(ink)，之后，进行热处理或激光照射，变换为薄膜的导电膜图形。采用该方法，优点在于：不需要光刻，大幅度简化了加工，同时，原材料的使用量也少。
但是，上述现有技术中，存在如下问题。
为形成布线图形而在基板上配置功能液时，一旦在基板上存在残渣，则有时不能在基板上均匀配置功能液，则成为产生积液(凸出)或断线等故障的产生原因。
发明内容
本发明是考虑以上各问题点而完成的，其目的在于提供一种可以抑制断线等不良现象产生的薄膜图形形成方法以及器件的制造方法、光电装置以及电子设备。
为了实现上述目的，本发明采用以下结构。
本发明的第1方案是一种通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形的方法，其特征在于，具有在所述基板上形成对应于所述薄膜图形的围堰的围堰形成工序、除去所述围堰间残渣的残渣处理工序、在除去所述残渣的所述围堰间配置所述功能液的材料配置工序。此时，所述残渣处理工序具有除去所述围堰间底部的残渣的工序。
根据本方案，由于设置除去残渣的残渣处理工序，因此可以在基板上使功能液均匀配置。因此，可以抑制凸出的发生，形成的薄膜图形可以避免断线等的不良情况的发生。另外，由于在形成于基板上的围堰间配置用于形成薄膜图形的功能液，所以可以防止功能液的液滴向周围飞散，同时可以顺利地沿着围堰形状将薄膜图形形成为规定的形状。另外，在残渣处理工序中，特别是通过除去围堰间底部的残渣，可以提高薄膜图形相对于基板的密接性。
此时，所述残渣处理工序可以具有光照射处理工序。
根据本发明，例如通过照射紫外线(UV)等的光，借助光激发尤其可以良好地除去有机系的残渣。
另外，所述残渣处理工序可以具有采用规定处理气体的等离子体处理工序。
根据本发明，作为规定处理气体，例如通过采用含有氧气(O2)的处理气体的等离子体处理，尤其可以良好地处理有机系的残渣。
另外，所述残渣处理工序，可以具有采用规定处理气体的等离子体处理工序以及光照射处理工序。即，可以通过将作为处理气体例如采用氧气(O2)的O2等离子体处理以及紫外线(UV)等的光照射处理进行组合来除去残渣。或者也可以通过酸蚀刻除去残渣。
另外，可以将所述围堰形成为沿规定方向延伸，所述等离子体处理工序，可以相对于所述处理气体边在规定方向相对移动所述基板，边供给该处理气体。
根据本发明，在边使处理气体供给部和基板相对移动边进行等离子体处理时，通过使基板的移动方向与设置于围堰间的槽部延伸方向一致的同时供给处理气体，可以使处理气体良好地通过围堰间的整个槽部。因此，可以良好地进行残渣除去。
此外，在给所述围堰赋予疏液性的疏液化处理工序前后，可以具有所述残渣处理工序。
根据本发明，通过在残渣处理后进行的疏液化处理，在围堰上被赋予疏液性，由此喷出的液滴的一部分即使落在围堰上，通过使围堰的表面变为疏液性，则所述液滴从围堰上滑落，从而流入围堰间的槽部。因此，喷出的功能液可以良好地配置在基板上的围堰间。
另外，也可以在所述材料配置工序之后再次进行所述残渣处理工序。
根据本发明，例如为了薄膜图形的厚膜化，有时要在基板上重复多次配置功能液的液滴，但是通过在基板上配置功能液的液滴之后、在重叠下一液滴之前进行残渣处理，可以除去附着在所述围堰上的功能液的残渣，即使功能液附着在围堰上而使围堰的疏液性降低时，也可以除去作为使围堰疏液性降低的原因的有机层的残渣。因此可以与重叠下一液滴之前的围堰发挥相同的性能。
在本方案中，可以在所述功能液中含有基于热处理或光处理而显示导电性的材料。或者，在本实施方式中，可以在所述功能液中含有导电性微粒子。
根据本发明，可以使薄膜图形形成布线图形，从而可以应用于各种器件中。另外，除了使用导电性微粒子、有机银化合物外，还可以通过使用有机EL等的发光元件形成材料或R·G·B的油墨材料，从而使其应用于有机EL装置或具有彩色滤波器的液晶显示装置等的制造中。
本发明的第2方案是一种器件的制造方法，具有通过在上述薄膜图形的形成方法而在基板上形成薄膜图形的工序。
根据本方案，可以获得具有相对于基板具有良好的密接性并且可以抑制断线等不良情况发生的薄膜图形的器件。
本发明的第3方案是一种光电装置，具备利用上述器件的制造方法制造的器件。
另外，本发明的第4方案是一种电子设备，其特征在于，具备上述光电装置。
根据这些方式，可以获得具有能够抑制断线等不良情况发生的布线图形的光电装置以及电子设备。
本发明的第5方案是一种有源矩阵基板的制造方法，具有：在基板上形成栅极布线的第1工序、在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序、介由所述栅极绝缘膜叠层半导体层的第3工序、在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极的第4工序、在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第5工序、在配置了所述绝缘材料的电极上形成象素电极的第6工序，所述第1、第4以及第6工序中的至少一个工序，具有：形成对应于形成图形的围堰的围堰形成工序、除去所述围堰间残渣的残渣处理工序、在除去了所述残渣的所述围堰间通过液滴喷出装置的喷出而配置所述功能液的材料配置工序。
根据本方案，由于设置处理残渣的残渣处理工序，因此可以在基板上使功能液均匀配置。因此，可以抑制凸出的发生，所形成的布线图形可以避免断线等不良情况的发生。因此，可以制造具有所需性能的有源矩阵基板。
附图说明
图1是液滴喷出装置的示意立体图。
图2是由于说明压电方式的液体材料的喷出原理的图。
图3是表示本发明的薄膜图形的形成方法的一实施方式的流程图。
图4A～图4D是表示本发明的薄膜图形的形成顺序的一例模式图。
图5A～图5D是表示本发明的薄膜图形的形成顺序的一例模式图。
图6A以及图6B是表示残渣处理工序中所用的一例等离子体处理装置的图。
图7是从对置基板侧观察液晶显示装置的俯视图。
图8是沿图7中的H-H’线的剖视图。
图9是液晶显示装置的等价电路图。
图10是液晶显示装置的局部放大剖视图。
图11是有机EL装置的局部放大剖视图。
图12是由于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图13是由于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图14是由于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图15是由于说明制造薄膜晶体管的工序的图。
图16是表示液晶显示装置的另一方式的图。
图17是非接触型卡媒体的分解立体图。
图18A～图18C是表示本发明的电子设备的具体例的图。
图中：32-有机物残渣(HMDS层)，33-布线图形(薄膜图形)，34-槽部，35-底部，100-液晶显示装置(光电装置)，400-非接触型卡媒体(电子设备)，B-围堰，P-基板。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的薄膜图形的形成方法以及器件的制造方法的一实施方式进行说明。在本实施方式中，对以下情况的例子进行说明，即，通过液滴喷出法从液滴喷出头的喷嘴中液滴状喷出含有基于热处理等而显示导电性的材料的布线图形(薄膜图形)形成用油墨(功能液)，在基板上形成以导电性膜形成的布线图形的情况。
首先说明使用的油墨(功能液)。
作为液体材料的布线图形形成用油墨，是由使导电性微粒子分散到分散剂中的分散液或使有机银化合物或氧化银纳米粒子分散到溶剂(分散剂)中的分散液构成。作为导电性微粒子，除至少含有金、银、铜、钯、及镍中之一的金属微粒子外，例如使用其氧化物、和导电性聚合体或超电导体的微粒子等。这些导电性微粒子为了提高分散性而在表面涂布有机物等后使用。导电性微粒子的粒径最好以1nm以上、0.1μm以下。若大于0.1μm，则担心在后述的液滴喷出头的喷嘴中会产生堵塞。另外，若小于1nm，则涂布剂相对导电性微粒子的体积变大，得到的膜中的有机物的比例过高。
作为分散剂，只要可分散上述导电性微粒子，难以引起凝聚，则不特别限定。例如，除水外，可示例甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等的醇类、正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、均四甲苯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物；或聚乙二醇二甲醚、聚乙二醇二乙醚、聚乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等的醚类化合物；以及碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒子的分散性与分散液的稳定性、或对液滴喷出法(喷墨法)的适用难易性出发，最好是水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，可举出水、烃类化合物。
上述导电性微粒子的分散液的表面张力最好在0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。当由喷墨法喷出液体时，若表面张力不足0.02N/m，则由于油墨组合物对喷嘴面的浸湿性增大，所以容易产生飞行弯曲，若超过0.07N/m，则喷嘴前端的弯液面形状不稳定，所以难以控制喷出量或喷出定时。为了调整表面张力，最好在不使与基板的接触角过大降低的范围内，在上述分散液中添加微量氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类表面张力调节剂使液体对基板的浸湿性提高，改良膜的水平性，可防止膜的细微凹凸的产生等。上述表面张力调节剂必要时也可包含醇、醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度最好在1mPa·s以上、50mPa·s以下。在使用喷墨法将液体材料作为液滴喷出时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周围由于油墨的流出而容易被污染，另外，在粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔的堵塞频度变高，难以顺利地配置液滴。
作为被形成布线图形的基板，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种基板。另外，在这些各种素材基板的表面上也含有作为衬底层形成的半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等。
这里，作为液滴喷出法的喷出技术，例如带电控制方式、加压振动方式、机电变换式、电热变换方式、静电吸引方式等。带电控制方式通过带电电极对材料赋予电荷，由偏转电极控制材料的飞行方向，使材料从喷嘴喷出。另外，加压振动方式向材料施加30kg/cm2左右的超高压，向喷嘴前端侧喷出材料，在不施加控制电压的情况下，材料直接从喷嘴喷出，若施加控制电压，则在材料间引起静电排斥，材料飞散，不从喷嘴喷出。另外，机电变换方式利用压电元件接受脉冲电信号后变形的性质，通过压电元件变形，在存留材料的空间中，经柔性物质施加压力，从该空间挤出材料后，从喷嘴喷出。
另外，电热变换方式通过设置在存留材料的空间中的加热器，使材料急剧气化，产生气泡，通过气泡的压力来使空间内的材料喷出。静电吸引方式向存留材料的空间内施加微小压力，在喷嘴处形成材料的弯液面，并在该状态下施加静电引力，引出材料。另外，此外也可适用利用基于电场的流体粘性变化的方式、或通过放电火花飞散的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用浪费少、且可将期望量的材料准确配置在期望位置上的优点。另外，通过液滴喷出法喷出的液体材料(流体)的一滴的量例如为1-300ng。
下面，说明制造根据本发明的器件时使用的器件制造装置。
该器件制造装置是通过从液滴喷出头向基板喷出(滴下)液滴来制造器件的液滴喷出装置(喷墨装置)。
图1是表示液滴喷出装置IJ的示意结构立体图。
在图1中，液滴喷出装置IJ具备液滴喷出头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向引导轴5、控制装置CONT、载物台7、清洁机构8、基座9和加热器15。
载物台7支撑通过该液滴喷出装置IJ来配置油墨(液体材料)的基板P，具备将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。
液滴喷出头1是具备多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷出头，使长方向与X轴方向一致。在液滴喷出头1的下面，沿X轴方向排列并以一定间隔设置多个喷出喷嘴。从液滴喷出头1的喷出喷嘴向支撑在载物台7的基板P喷出包含上述导电性微粒子的油墨。
X轴方向驱动轴4上连接X轴方向驱动电机2。X轴方向驱动电机2是步进电机等，若从控制装置CONT提供X轴方向的驱动信号，则使X轴方向驱动轴4旋转。若X轴方向驱动轴4旋转，则液滴喷出头1向X轴方向移动。
相对基座9不动地固定Y轴方向引导轴5。载物台7具备Y轴方向驱动电机3。Y轴方向驱动电机3是步进电机等，若从控制装置CONT提供Y轴方向的驱动信号，则载物台7沿Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷出头1提供液滴的喷出控制用电压。另外，向X轴方向驱动电机2提供控制液滴喷出头1的X轴方向移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动电机3提供控制载物台7的Y轴方向移动的驱动脉冲信号。
清洁机构8清洁液滴喷出头1，具备未图示的Y轴方向的驱动电机。通过该Y轴方向的驱动电机的驱动，清洁机构沿Y轴方向引导轴5移动。清洁机构8的移动也由控制装置CONT控制。
加热器15在这里是通过灯退火来热处理基板P的部件，蒸发和干燥涂布在基板P上的液体材料中包含的溶剂。该加热器15的电源接通及切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ在相对扫描液滴喷出头1与支撑基板P的载物台7的同时，向基板P喷出液滴。这里，以下说明中，将Y轴方向设为扫描方向，将与Y轴方向垂直的X轴方向设为非扫描方向。因此，沿作为非扫描方向的X轴方向按一定间隔排列设置液滴喷出头1的喷出喷嘴。另外，图1中，液滴喷出头1与基板P的前进方向成直角配置，但也可调整液滴喷出头1的角度，以与基板P的前进方向交叉。由此，通过调整液滴喷出头1的角度，可调整喷嘴间的间距。另外，也可任意调节基板P与喷嘴面的距离。
图2是用于说明基于压电方式的液体材料喷出原理的图。
图2中，邻接于收纳液体材料(布线图形用油墨、功能液)的液体室21来设置压电元件22。经包含收纳液体材料的材料容器的液体材料供给系统23向液体室21中提供液体材料。压电元件22连接于驱动电路24，经驱动电路24向压电元件22施加电压，使压电元件22变形，从而液体室21变形，从喷嘴25中喷出液体材料。此时，通过使施加电压值变化，控制压电元件22的变形量。另外，通过使施加电压的频率变化，控制压电元件22的变形速度。因为基于压电方式的液滴喷出不向材料加热，所以具有不对材料组成产生影响的优点。
以下，参照附图对本发明的布线图形的形成方法的一实施方式进行说明。
图3是表示本实施方式的布线图形的形成方法的一例流程图，图4A～图4D以及图5A～图5D是表示形成顺序的模式图。
如图3所示，本实施方式的布线图形形成方法，是在基板上配置上述布线图形形成用油墨而在基板上形成导电膜布线图形的方法，具有：在基板上形成对应于布线图形的围堰的围堰形成工序、除去围堰间残渣的残渣处理工序S2(S2-1、S2-2)、在围堰上赋予疏液性的疏液化处理工序S3、在除去残渣的围堰间配置油墨的材料配置工序S4、至少除去油墨中的部分液体成分的中间干燥工序S5、烧结工序S6。
以下对各工序进行详细说明。在本实施方式中，作为基板P可以使用玻璃基板。
(围堰形成工序)
首先，如图4A所示，在有机材料涂敷前作为表面改质处理对基板P实施HMDS处理。HMDS处理是一种使六甲基二硅氨烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)变为蒸气状而进行涂敷的方法。由此，在基板P上形成作为使围堰与基板P之间的密接性提高的密接层的HMDS层32。
围堰是一种作为隔档部件发挥作用的部件，围堰的形成可以通过光刻法或印刷法等任意的方法进行。例如，在使用光刻法时，根据旋涂、喷涂、辊涂、模涂、浸涂等规定的方法如图4B所示，在基板P的HMDS层32上对应于围堰的高度涂敷有机系感光性材料31，然后在其上涂敷抗蚀层。接着，按照围堰图像(布线图形)实施掩膜并通过对抗蚀剂进行曝光、显影，从而残留与围堰形状对应的抗蚀剂。最后，进行蚀刻除去掩膜以外部分的围堰材料。另外，也可以以下层由无机物或有机物并且对功能液显示亲液性的材料构成、上层由有机物并且显示疏液性的材料构成的2层以上来形成围堰(凸部)。由此如图4C所示，以包围布线图形形成预定区域的周边的方式形成围堰B、B。
作为形成围堰的有机材料，可以是本身对液体材料显示疏液性的材料，也可以是如后述的能够基于等离子体处理变为疏液性(氟化)、与衬底基板的密接性良好并且能够基于光刻而容易图形化的绝缘有机材料。例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、酚醛树脂、密胺树脂等的高分子材料。
(残渣处理工序-1)
一旦在基板P上形成围堰B、B，就实施氟酸处理。氟酸处理例如是通过2.5％氟酸水溶液实施蚀刻而除去围堰B、B之间的HMDS层32的处理。在氟酸处理中，围堰B、B作为掩膜发挥作用，在形成于围堰B、B之间的槽部34的底部存在的有机物即HMDS被除去。由此，如图4D所示，作为残渣的HMDS被除去。
(疏液化处理工序)
接着，对围堰B实施疏液化处理，在其表面上赋予疏液性。作为疏液化处理例如可以在大气气氛中采用以四氟化碳为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体法)。CF4等离子体处理的条件例如可以设为：等离子体功率100～800W、四氟化碳流量50～100ml/min、相对于等离子体放电电极的基体搬送速度0.5～1020mm/sec、基体温度70～90℃。另外，作为处理气体不局限于四氟化碳，也可以使用其它的氟化碳系的气体。
通过进行这种疏液化处理，在构成围堰B、B的树脂中导入氟基，从而对围堰B、B赋予很高的疏液性。另外，作为上述亲液化处理的O2等离子体处理，可以在围堰B的形成之前进行，但是，由于丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等具有进行基于O2等离子体的前处理，更容易氟化(疏液化)的性质，所以优选在形成围堰B后实施O2等离子体处理。
此外，通过对围堰B、B进行疏液化处理，对在先进行亲液化处理的围堰间的基板P露出部多少会有些影响，但是，尤其在基板P由玻璃等构成时，由于不引起基于疏液化处理的氟基的引入，因此实质上不有损于基板P的亲液性即润湿性。另外，对于围堰B、B，通过利用具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)形成，也可以省略其疏液处理。
(残渣处理工序-2)
这里，在氟酸处理中有时不能完全除去围堰B、B之间的底部35的HMDS(有机物)。或者有时也在围堰B、B之间的底部35上残存围堰形成时的抗蚀剂(有机物)。因此，以下，为了除去围堰B、B之间底部35中的围堰形成时的有机物(抗蚀剂)残渣，对基板P再次实施残渣处理。
作为残渣处理，为了不过分降低围堰的疏液性，可以选择通过照射紫外线进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理或在大气气氛中以氧作为处理气体的O2等离子体处理等。
另外，可以选择利用酸(H2SO4、HF、HNO3)等的蚀刻处理。
此外，在基板P为玻璃基板时，虽然其表面对布线图形形成用材料具有亲液性，但是，如本实施方式所示，为了进行残渣处理，通过实施O2等离子体处理或紫外线照射处理，可以提高在围堰B、B之间露出的基板P的表面(底部35)的亲液性。在这里，为了使相对于围堰间的底部35的油墨的接触角变为15度以下，优选进行O2等离子体处理或紫外线照射处理、基于酸(HF)的蚀刻。
图6A是表示O2等离子体处理时使用的等离子体处理装置的一例示意构成图。图6A所示的等离子体处理装置具有连接交流电源41的电极42以及作为接地电极的试样台(table)40。试样台40可以边支撑作为试样的基板边向Y方向移动。在电极42的下面形成有沿与移动方向垂直的X轴方向延伸的2个平行的放电发生部44、44，同时以包围放电发生部44的方式设置电介质部件45。电介质部件45是防止放电发生部44的异常放电的部件。另外，含有电介质部件45的电极42的下面，大致呈平面状，在放电发生部44以及电介质部件45与基板P之间形成微小的空间(放电间隙)。另外，在电极42的中央设置沿X轴方向形成为细长的并且构成处理气体供给部的一部分的气体喷出口46。气体喷出口46借助电极内部的气体通路47和中间腔48连接在气体导入口49上。
通过气体通路47并且含有从气体喷出口46喷射的处理气体的规定气体，在所述空间中分流为移动方向(Y轴方向)的前方以及后方，从电介质部件45的前端以及后端向外部排出。与此同时，从电源41向电极42施加规定的电压，在放电发生部44、44与试样台40之间发生气体放电。接着，利用通过该气体放电生成的等离子体，生成所述规定气体的激发活性种，对通过放电区域的基板P的整个表面进行连续处理。
在本实施实施方式中，所述规定气体是将作为处理气体的氧(O2)与用于使在大气压附近容易开始放电并且维持稳定的氦(He)、氩(Ar)等吸有气体或氮(N2)等惰性气体进行混合的气体。尤其作为处理气体通过使用氧，如上述可以进行有机物残渣的除去(清洗)或亲液化处理。另外，例如通过对有机EL装置中的电极进行O2等离子体处理，可以调整该电极的功函数。
图6B是表示支撑在试样台40上的基板P的图。
在图6B中，基板P上的多个围堰以及在这些围堰间形成的槽部34，形成为在一个方向(这里为Y轴方向)上延伸，在这些围堰B、B之间的槽部34上形成有将Y轴方向为长方向的布线图形。另外，在本实施方式中，形成有围堰B的基板P，在使其围堰B的延伸方向(Y轴方向)与试样台40的移动方向一致的状态下被实施O2等离子体处理。即，本实施方式的等离子体处理是边将基板P沿围堰B的延伸方向即Y轴方向移动边供给含有处理气体的所述规定气体。换言之，是在使所述规定气体的流动方向与围堰B的延伸方向一致的状态下进行等离子体处理。由此，在围堰B、B之间的底部35(基板P的露出部)上处理气体顺利通过，从而可以实施均匀的等离子体处理。
另外，这里说明可使基板P移动，但是也可以使构成处理气体供给部的一部分的电极42侧移动，也可以使基板P与电极42侧双方移动。
另外，这里说明了作为残渣处理的一部分进行氟酸处理，但是，在通过O2等离子体处理或紫外线照射处理可以充分除去围堰间底部35的残渣的情况下，可以不进行氟酸处理。此外，这里，作为残渣处理说明了进行O2等离子体处理或紫外线照射处理中的任一方，但是当然也可以对O2等离子体处理和紫外线照射处理进行组合。
(疏液化处理工序)
接着，对围堰B实施疏液化处理，在其表面上赋予疏液性。作为疏液化处理例如可以在大气气氛中采用以四氟化碳为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体法)。CF4等离子体处理的条件例如可以设为：等离子体功率100～800W、四氟化碳流量50～100ml/min、相对于等离子体放电电极的基体搬送速度0.5～1020mm/sec、基体温度70～90℃。另外，作为处理气体不局限于四氟化碳，也可以使用其它的氟化碳系的气体。
通过进行这种疏液化处理，在构成围堰B、B的树脂中导入氟基，从而对围堰B、B赋予很高的疏液性。另外，作为上述亲液化处理的O2等离子体处理，可以在围堰B的形成之前进行，但是，由于丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等具有若进行基于O2等离子体的前处理，更容易氟化(疏液化)的性质，所以优选在形成围堰B后实施O2等离子体处理。
此外，通过对围堰B、B进行疏液化处理，对在先进行亲液化处理的围堰间的基板P露出部多少会有些影响，但是，尤其在基板P由玻璃等构成时，由于不引起基于疏液化处理的氟基的引入，因此实质上不有损于基板P的亲液性即润湿性。另外，对于围堰B、B，通过利用具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)形成，也可以省略其疏液处理。
(材料配置工序)
接着，利用基于液滴喷出装置IJ的液滴喷出法在基板P上的围堰B、B之间配置布线图形形成用油墨的液滴。另外，在这里是喷出作为导电性材料使用有机银化合物的、溶剂(分散剂)使用二甘醇二乙酯的由有机银化合物构成的油墨(功能液)。在材料配置工序中，如图5A所示，使含有布线图形形成用材料的油墨形成为液滴并从液滴喷出头1喷出。喷出的液滴，如图5B所示，被配置在基板P上的围堰B、B之间的槽部34中。作为液滴喷出的条件例如可以设定为：油墨重量4ng/dot、油墨速度(喷出速度)5～7m/sec。另外，喷出液滴的气氛，优选设定为温度60℃以下、湿度80％以下。由此不会堵塞液滴喷出头1的喷出嘴并可以进行稳定的液滴喷出。
此时，喷出液滴的布线图形形成预定区域(即槽部34)由于被围堰B、B包围，因此可以阻止液滴扩散至规定位置以外。此外，由于在围堰B、B上赋予疏液性，因此即使喷出的部分液滴落在围堰B上，通过使围堰表面变为疏液性，落下的液滴也能够从围堰B上滑落，从而流入围堰的槽部34中。另外，由于基板P露出的槽部34的底部35被赋予亲液性，因此喷出的液滴容易在底部35上扩散，由此可以在规定的位置内均匀配置油墨。
(中间干燥工序)
在基板P上喷出液滴后，为了确保分散剂的除去以及膜厚，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如除了对基板P进行加热的通常的基于电热板、电炉的处理外，也可以通过灯退火进行。作为用于灯退火中的光的光源，不特别限定，可使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、碳酸气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等。这些光源一般使用输出在10W以上5000W以下范围的光源，但在本实施方式中在100W以上1000W以下的范围内就足够。并且，通过反复进行该中间干燥工序和上述材料配置工序，如图5所示，液体材料的液滴被叠层为多层，从而形成膜厚较厚的布线图形(薄膜图形)33A。
(烧结工序)
喷出工序后的导电性材料例如在为有机银化合物时，为获得导电性进行热处理，需要除去有机银化合物的有机成分使残留银离子。因此，在喷出工序后的基板上实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，但是根据需要也可以在氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度可以考虑分散剂的沸点(蒸汽压)、气氛气体的种类或压力、微粒子的分散性或有机银化合物、氧化性等的热行为、涂材的有无或量、基材的耐热温度等进行适宜确定。例如，为了除去有机银化合物的有机成分，需要在大致200℃下进行烧结。此外，在试样塑料等的基板时，优选在室温以上100℃以下进行。通过以上的工序，喷出工序后的导电性材料(有机银化合物)，基于银离子的残留，如图5D所示转变为导电性膜(布线图形)。
另外，在多层叠层油墨的液滴时，可以在基板P上喷出第1液滴后、根据需要实施干燥处理后至在基板喷出第2液滴之前再次进行残渣处理。通过在第1液滴上重叠第2液滴之前进行残渣处理，即使功能液附着在围堰上使围堰的疏液性降低，也可以除去作为使围堰的疏液性降低的原因的功能层的残渣。因此，可以与重叠下一液滴之前的围堰发挥相同的性能。
此外，在烧结工序后，可以通过灰化剥离处理除去存在于基板上的围堰B、B。作为灰化处理可以采用等离子体灰化或臭氧灰化等。等离子体灰化是一种使等离子体化的氧气等的气体与围堰(抗蚀剂)反应，使围堰气化而进行剥离除去的处理。围堰是由碳、氧、氢构成的固体物质，它通过与氧等离子体进行化学反应变成CO2、H2O、O2，全部作为气体而被剥离。另一方面，臭氧灰化的基本原理，与等离子体灰化相同，使臭氧分解转变为反应性气体的氧自由基，使该氧自由基与围堰反应。与氧自由基反应的围堰，变为CO2、H2O、O2，全部作为气体而被剥离。通过对基板P实施灰化剥离处理，从基板P上除去围堰。
如以上说明，由于设置了除去残渣的残渣处理工序S2，因此可以抑制起因于残渣的凸出或断线等不良状况的发生，从而可以在基板P上均匀地配置液滴。并且，由于用于形成布线图形的油墨被配置在形成于基板P上的围堰B、B之间的槽部34中，因此可以防止喷出的油墨向周围飞散，同时顺利地沿着围堰图形将布线图形形成为规定的形状。
(试验例)
在基板P上形成HMDS层32，并在其上形成围堰B，之后不进行氟酸处理而对基板P利用所述等离子体处理装置实施O2等离子体处理。处理条件设定为：等离子体功率550W、氧气流量100ml/min、He气流量10L/min。接着将上述等离子体处理装置的试样台40的移动速度依次变更为1mm/sec、2mm/sec、5mm/sec，测定氧气等离子体处理后的围堰间的底部35(基板P的露出部)与纯水之间的接触角。其结果，在试样台移动速度为1mm/sec时，氧等离子体处理前接触角为59度，在氧等离子体处理后接触角变为10度以下。同样在试样台移动速度为2mm/sec、5mm/sec时，氧气等离子体处理后接触角也都变为10度以下。通过以上试验，可以确认在不实施氟酸处理而仅通过实施氧等离子体处理可以充分地除去残渣，并且对基板P(底部35)能够赋予均匀的亲液性。
(光电装置)
对作为本发明的一例光电装置的液晶显示装置进行说明。
图7是从与本发明的液晶显示装置的各构成要素一起表示的对置基板侧观察的俯视图，图8是沿图7的H-H’线的剖视图。图9是在液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个象素中的各种元件、布线等的等价电路图，图10是液晶显示装置的局部扩大剖视图。另外，在以下说明中使用的各图中，由于将各层或各部件在图面上形成为可识别程度的大小，在各层或各部件上使其缩小比例不同。
在图7以及图8中，本实施方式的液晶显示装置(光电装置)100的构成是，一对TFT阵列基板10与对置基板20通过光固化性密封材即密封材52贴合，被该密封材52划分的区域内封入液晶50。密封材52在基板面内的区域形成为封闭的框状。
在密封材52的形成区域内侧的区域上形成有由遮光性材料构成的周边分型53。在密封材52的外侧区域上沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201以及安装端子202，沿着与该一边邻接的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩余一边上设置用于将设置于图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204进行连接的多个布线205。另外，在对置基板20的角部的至少一处，配设用于使TFT阵列基板10与对置基板20之间电导通的基板间导通材206。
此外，可以取代将数据线驱动电路201以及扫描线驱动电路204形成在TFT阵列基板10上，而是例如借助各向异性导电膜对安装有驱动用LSI的TAB(tape Automated Bonding)基板与形成于TFT阵列基板10的周边部的端子组进行电连接或机械连接。此外，在液晶显示装置100中，根据使用的液晶50的种类、即TN(Twisted Nematic)模式、STN(Super TwistedNematic)模式等的动作模式或normally white模式/normally black模式，向规定的方向配置相位差板、偏光板等。但是此处省略图示。另外，在将液晶显示装置100作为彩色显示用构成时，在对置基板20中，在与TFT阵列基板10的后述各象素电极对置的区域上，可以与其保护膜一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤波器。
在具有这种构造的液晶显示装置100的象素显示区域中，如图9所示，多个象素100a构成为矩阵状，同时在这些象素100a的各个中形成有象素开关用的TFT(开关元件)30，供给象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a电连接在TFT30的源极上，写入数据线6a中的象素信号S1、S2、…、Sn，既可以依照该顺序依次供给，也可以对相邻接的多个数据线6a之间向每一组供给。另外，在TFT30的栅极上电连接扫描线30a，以规定的时刻依次线顺序脉冲式地将扫描信号G1、G2、…、Gm外加给扫描线30a。
象素电极19被电连接在TFT30的漏极上，通过仅在一定期间使开关元件的TFT30处于开态，将从数据线6a供给的象素信号S1、S2、…、Sn以规定的时刻写入各象素。通过这种方式借助象素电极19而写入液晶中的规定电平的象素信号S1、S2、…、Sn，在与图8所示的对置基板20的对置电极121之间保持一定期间。此外，为防止保持的象素信号S1、S2、…、Sn的漏泄，与在象素电极19与对置电极121之间形成的液晶容量并列地附加蓄积容量。例如，象素电极19的电压，通过蓄积容量60可以保持比外加源电压的时间长三个数量级时间。由此，电荷的保持特性被改善，从而可以实现对比度高的液晶显示装置100。
图10是具有bottom gate型TFT30的液晶显示装置100的局部放大剖视图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，通过上述实施方式的布线图形的形成方法将栅极布线61形成于玻璃基板P上的围堰B、B之间。
在栅极布线61上夹由SiNx构成的绝缘膜62而叠层由非晶硅(a-Si)层构成的半导体层63。与该栅极布线部分对置的半导体层63的部分形成为沟道区域。在半导体层63上叠层为厚的欧姆结合的例如由n+型a-Si层构成的结合层64a以及64b，在沟道区域的中央部的半导体层63上形成有用于保护沟道区域的由SiNx构成的绝缘性的阻蚀(etch stop)膜65。此外，这些栅极绝缘膜62、半导体层63以及阻蚀膜65可以蒸镀(CVD)后通过实施抗蚀剂涂敷、感光·显影、光蚀刻而形成图示的图形。
此外，接合层64a、64b以及由ITO构成的象素电极19也同样进行成膜，同时通过实施光蚀刻，如图所示进行图形化。接着，在象素电极19、栅极绝缘膜62以及阻蚀膜65上分别形成围堰66…，在这些围堰66…之间利用上述液滴喷出装置IJ通过喷出银化合物的液滴，可以形成源极线、漏极线。
另外，在上述实施方式中，TFT30被用作液晶显示装置100的驱动用开关元件，但是，除了液晶显示装置以外，例如也可以应用于有机EL(电致发光)显示器件。有机EL显示器件是一种具有如下构成的元件，即，通过阴极和阳极夹持含有荧光性无机以及有机化合物的薄膜，通过在所述薄膜上注入电子以及空穴(hole)使再结合，使生成激子(exciton)，利用该激子失活时放出的光(荧光、磷光)使发光。另外，在具有上述TFT30的基板上，通过将在有机EL显示元件中所用的荧光体材料中显示红、绿以及蓝色的各发光色的材料即发光层形成材料以及形成空穴注入/电子输送层的材料作为油墨，并分别进行图形化，可以制造自发光全色EL器件。在本发明的器件(光电装置)的范围内也包括这种有机EL器件。
图11是通过所述液滴喷出装置IJ制造部分构成要素的有机EL装置的侧面剖视图。参照图11说明有机EL装置的简要构成。
在图11中，有机EL装置301是在由基板311、电路元件部321、象素电极331、围堰部341、发光元件351、阴极361(对置电极)、以及密封基板371构成的有机EL元件302上连接柔性基板(未图示)的布线以及驱动IC(未图示)的装置。电路元件部321是在基板311上形成作为有源元件的TFT30、在电路元件部321上排列多个象素电极331而构成的。另外，构成TFT30的栅极布线61是通过上述实施方式的布线图形形成方法形成。
在各象素电极331之间将围堰部341形成为格子状，在基于围堰部341形成的凹部开口344上形成发光元件351。另外，发光元件351由构成红色发光的元件、构成绿色发光的元件以及构成绿色发光的元件构成，由此，有机EL装置301可以实现全色显示。阴极361形成于围堰部341以及发光元件351的整个上部，在阴极361上叠层密封用基板371。
含有有机EL元件的有机EL装置301的制造工艺包括：形成围堰部341的围堰部形成工序；用于适宜形成发光元件351的等离子体处理工序；形成发光元件351的发光元件形成工序；形成阴极361的对置电极形成工序；在阴极361上叠层密封用基板371而进行密封的密封工序。
发光元件形成工序是通过在凹部开口344即象素电极331上形成空穴注入层352以及发光层353而形成发光元件351的工序，因此具有空穴注入层形成工序与发光层形成工序。另外，空穴注入层形成工序具有在各象素电极331上喷出用于形成空穴注入层352的液体材料的第1喷出工序以及使喷出的液体材料干燥而形成空穴注入层352的第1干燥工序。此外，发光层形成工序具有在空穴注入层352上喷出用于形成发光层353的液体材料的第2喷出工序以及使喷出的液体材料干燥而形成发光层353的第2干燥工序。另外，发光层353如前述由对应于红、绿、蓝三色的材料形成三种发光层，因此所述第2喷出工序为了分别喷出三种材料，由三个工序构成。
在该发光元件形成工序中，空穴注入层形成工序中的第1喷出工序与发光层形成工序中的第2喷出工序可以使用所述的液滴喷出装置IJ。
另外，在上述实施方式中，使用本发明的图形形成方法形成了TFT(薄膜晶体管)的栅极布线，但是也可以制造源电极、漏电极、象素电极等的其它构成要素。以下，参照图12～图15对制造TFT的方法进行说明。，
如图12所示，首先，在清洗后的玻璃基板510上面根据光刻法形成用于设置1象素间距的1/20～1/10的槽511a的第1层围堰511。作为该围堰511在形成后必须具备透光性和疏液性，作为其素材除了使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等的高分子材料外，还优选使用聚硅氨烷等的无机系材料。
为了在该形成后的围堰511上维持疏液性，有必要实施CF4等离子体处理等(使用具有氟的气体的等离子体处理)，但是也可以取而代之，在围堰511的自身素材中预先填充疏液成分(氟基等)。此时可以省略CF4等离子体处理。
通过以上方式被疏液化的围堰511的相对于喷出油墨的接触角，优选确保在40度以上，而作为玻璃面的接触角优选确保在10度以下。即，本发明人等根据试验确认的结果，例如对导电性微粒子(十四烷溶剂)处理后的接触角，在作为围堰511的素材使用丙烯酸树脂时可以确保大致为54.0度(未处理时为10度以下)。另外，这些接触角是在等离子体功率550W以及以0.1L/min供给四氟化碳气体的处理条件下得到的接触角。
在紧接上述第1层围堰形成工序之后的栅极扫描电极形成工序(第1次导电性图形形成工序)中，通过充满以围堰511划分的区域即所述槽511a内地喷墨喷出含有导电性材料的液滴，形成栅极扫描电极512。另外，在形成栅极扫描电极512时，也适用本发明的图形形成方法。
作为此时的导电性材料，可以优选使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si、导电性聚合物等。通过这种方式形成的栅极扫描电极512，由于在围堰511上赋予足够的疏液性，因此可以形成不从槽511a露出的微细布线图形。
通过以上的工序在基板510上形成具有围堰511以及栅极扫描电极512并且由银构成的上面平整的第1导电层A1。
另外，为了在槽511a内获得良好的喷出结果，如图12所示，作为该槽511a的形状，优选采用类锥形(向喷出头方向变大的锥形)。由此可以使喷出的液滴充分地进入直至很深的里侧。
接着，如图13所示，通过等离子体CVD法进行栅极绝缘膜513、活性层510、接触层509的连续成膜。通过变化原料气体或等离子体条件，作为栅极绝缘膜513形成氮化硅层，作为活性层510形成非晶硅膜，作为接触层509形成n+硅膜。在以CVD法形成时，必须300℃～350℃的热过程，但是通过在围堰使用无机系材料，也可以避免有关透明性、耐热性的问题。
在紧接着上述半导体层形成工序的第2层围堰的形成工序中，如图14所示，在栅极绝缘膜513的上面，根据光刻法形成用于设置1象素间距的1/20～1/10并且与所述槽511a交叉的槽514的第2层围堰514。作为该围堰514在形成后必须具备透光性和疏液性，作为其素材除了使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等的高分子材料外，还优选使用聚硅氨烷等的无机系材料。
为了在该形成后的围堰514上维持疏液性，有必要实施CF4等离子体处理等(使用具有氟的气体的等离子体处理)，但是也可以取而代之，在围堰514的自身素材中预先填充疏液成分(氟基等)。此时可以省略CF4等离子体处理。
通过以上方式被疏液化的围堰514的相对于喷出油墨的接触角，优选确保在40度以上。
在紧接上述第2层围堰形成工序之后的栅·漏电极电极形成工序(第2次导电性图形形成工序)中，通过充满以围堰514划分的区域即所述槽514a内地喷墨喷出含有导电性材料的液滴，如图15所示，形成相对于所述栅极扫描电极512交叉的源电极515以及漏电极516。另外，在形成源电极515以及漏电极516时，也适用本发明的图形形成方法。
作为此时的导电性材料，可以优选使用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si、导电性聚合物等。通过这种方式形成的源电极515以及漏电极516，由于在围堰514上赋予足够的疏液性，因此可以形成不从槽514a露出的微细布线图形。
另外，配置绝缘材料517以便填埋配置源电极515以及漏电极516的槽514。通过以上工序，在基板510上形成由围堰514以及绝缘材料517构成的平整上面520。
接着，在绝缘材料517上形成接触孔519的同时，在上面520上形成图形化后的象素电极(ITO)518，借助接触孔519通过连接漏电极516和象素电极518形成TFT。
图16是表示液晶显示装置的另一实施方式的图。
图16所示的液晶显示装置(光电装置)901，大体上具备彩色液晶面板(光电面板)902以及连接在液晶面板902上的电路基板903。另外，根据需要也可以在液晶面板902上附设背灯等的照明装置以及其它的附带设备。
液晶面板902具有通过密封材904粘接的一对基板905a以及基板905b，在这些基板905a以及基板905b之间形成的间隙即所谓的单元间隙中封入液晶。这些基板905a以及基板905b一般由透光性材料例如玻璃合成树脂等形成。在基板905a以及基板905b的外侧表面上贴设偏振板906a以及偏振板906b。需要说明的是在图16中省略了偏振板906b的图示。
此外，在基板905a的内侧表面上形成电极907a，在基板905b的内侧表面上形成电极907b。这些电极907a、907b形成为条带状或文字、数字、其它的适宜图形状。此外，这些电极907a、907b例如由ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)等的透光性材料形成。基板905a相对于基板905b具有突出的突出部，在该突出部上形成有多个端子908。这些端子908，在基板905a上形成电极907a时与电极907a同时形成。因此，这些端子908例如由ITO形成。在这些端子908中包括从电极907a一体延伸的以及借助导电材(未图示)连接在电极907b上的端子。
在电路基板903上的布线基板909上的规定位置安装作为液晶驱动用IC的半导体元件900。另外，虽然省略图示，但是在安装半导体元件900部位以外的部位的规定位置上也可以安装电阻、电容器以及其它的芯片部件。布线基板909，例如可以通过对在聚酰亚胺等的具有柔性的基体基板911上形成的Cu等的金属膜进行图形化并形成布线图形912而制造。
在本实施方式中，液晶面板902的电极907a、907b以及电路基板903中的布线图形912通过上述器件的制造方法形成。
根据本实施方式的液晶显示装置，可以获得消除电特性不均匀的高质量的液晶显示装置。
另外，上述的例子是无源型液晶面板，也可以是有源矩阵型的液晶面板。即，在一方基板上形成薄膜晶体管(TFT)，对各TFT形成象素电极。此外，如上述可以利用喷墨技术形成在各TFT中进行电连接的布线(栅极布线、源极布线)。另一方面，在对置的基板上形成对置的电极等。在这种有源矩阵型的液晶面板中也适用本发明。
作为其它实施方式，对非接触型卡媒体的实施方式进行说明。
如图17所示，本实施方式的非接触型卡媒体(电子设备)400，在卡基体402与卡盖体418构成的筐体内，内置半导体集成电路芯片408和天线电路412，通过与未图示的外部收发机的电磁波或静电电容耦合的至少一方来进行供电或数据接受的至少一方。在本实施方式中，上述天线电路412通过上述实施方式的布线图形形成方法形成。
作为本发明的器件(光电装置)除上述以外，也适用于通过在PDP(等离子体显示面板)或形成于基板上的小面积的薄膜上流过与膜面平行的电流，利用电子放出而产生的现象的表面传导型电子放出元件等。
(电子设备)
对本发明的电子设备的具体例子进行说明。
图18A是表示便携电话一例的立体图。图18A中，600表示便携电话主体，601表示具备上述实施方式的液晶装置的液晶显示部。
图18B是表示文字处理器、电脑等便携型信息处理装置一例的立体图。图18B中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示信息处理主体，702表示具备上述实施方式的液晶装置的液晶显示部。
图18C是表示手表型电子设备一例的立体图。图18C中，800表示手表主体，801表示具备上述实施方式的液晶装置的液晶显示部。
图18A～图18C所示的电子设备具备上述实施方式的液晶装置，可以抑制布线的断线等不良状况的发生。
另外，本实施方式的电子设备具备液晶显示装置，但也可以是具备有机场致发光显示装置、等离子体型显示装置等其它的光电装置的电子设备。
上面，参照附图来说明本发明的最佳实施方式，但本发明不限于此。上述示例所示的各结构部件的诸形状或组合等是一例，在不脱离本发明的技术构思的范围下，可根据设计要求等进行各种变更。
例如，在上述实施方式中说明了形成围堰并除去该围堰间的残渣，但是并不限于此，例如可以在基板上实施表面处理并在布线图形形成预定区域上实施亲液化处理，在其它部分上实施疏液化处理，然后除去该亲液化处理部分的残渣。另外，可以通过在该亲液化部分上配置含有导电性微粒子或有机银化合物的油墨而形成所需布线图形。
此外，在上述实施方式中，虽然使薄膜图形形成为导电性膜，但是并不局限于此，例如也可适用于在液晶显示装置中用于使显示图像彩色化的彩色滤波器。该彩色滤波器可以通过将R(红)、G(绿)、B(蓝)的油墨(液体材料)为液滴并且以规定的图形对基板进行配置而形成，但是也可以通过对基板形成对应于规定图形的围堰，在除去形成于该围堰间的槽部内的残渣后配置油墨，形成彩色滤波器，从而可以制造具有高性能的彩色滤波器的液晶显示装置。

Claims (22)

1.一种薄膜图形的形成方法，通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形，其特征在于，具有：
在所述基板上形成与所述薄膜图形对应的围堰的围堰形成工序；
除去所述围堰间的残渣的残渣处理工序；
在除去所述残渣后的所述围堰间配置所述功能液的材料配置工序。
2.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序具有除去所述围堰间的底部的残渣的工序。
3.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序具有光照射处理工序。
4.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序具有利用规定处理气体的等离子体处理工序。
5.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序具有利用规定处理气体的等离子体处理工序和光照射处理工序。
6.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序是通过酸进行蚀刻。
7.根据权利要求4所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述围堰沿规定方向延伸形成，所述等离子体处理工序，边相对于所述处理气体向所述规定方向相对移动所述基板边供给该处理气体。
8.根据权利要求5所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述围堰沿规定方向延伸形成，所述等离子体处理工序，边相对于所述处理气体向所述规定方向相对移动所述基板边供给该处理气体。
9.根据权利要求1所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：还具有在所述残渣处理工序后对所述围堰赋予疏液性的疏液化处理工序。
10.根据权利要求9所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：还具有在对所述围堰赋予疏液性的疏液化处理工序后除去所述围堰间的底部的残渣的工序。
11.根据权利要求10所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述疏液化处理工序后的残渣处理工序具有除去所述围堰间的底部的残渣的工序。
12.根据权利要求10所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述疏液化处理工序后的残渣处理工序具有光照射处理工序。
13.根据权利要求10所述的薄膜图形的形成方法，其特征在于：所述疏液化处理工序后的残渣处理工序具有采用规定处理气体的等离子体处理工序。
14.根据权利要求10所述的薄膜图形形成方法，其特征在于：所述疏液化处理工序后的残渣处理工序具有采用规定处理气体的等离子体处理工序和光照射处理工序。
15.根据权利要求10所述的薄膜图形形成方法，其特征在于：所述残渣处理工序是通过酸进行蚀刻。
16.根据权利要求1所述的薄膜图形形成方法，其特征在于：在所述材料配置工序后再次进行所述残渣处理工序。
17.根据权利要求1所述的薄膜图形形成方法，其特征在于：所述功能液通过热处理或光处理后显示导电性。
18.根据权利要求1所述的薄膜图形形成方法，其特征在于：在所述功能液中含有导电性微粒子。
19.一种器件的制造方法，其特征在于：具有通过权利要求1所述的薄膜图形的形成方法在所述基板上形成薄膜图形的工序。
20.一种光电装置，其特征在于：具备利用权利要求19所述的器件的制造方法制造的器件。
21.一种电子设备，其特征在于：具备权利要求20所述的光电装置。
22.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板上形成栅极布线的第1工序；
在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序；
介由所述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序；
在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极的第4工序；
在所述源电极和所述漏电极上配置绝缘材料的第5工序；
在配置了所述绝缘材料的上方形成象素电极的第6工序，
所述第1、第4以及第6工序中的至少一个工序，具有：
形成对应于形成图形的围堰的围堰形成工序；
除去所述围堰间残渣的残渣处理工序；
通过液滴喷出装置在除去了所述残渣的所述围堰间喷出所述功能液的材料配置工序。
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