CN113214757A

CN113214757A - 导电性接合剂组合物

Info

Publication number: CN113214757A
Application number: CN202110423369.3A
Authority: CN
Inventors: 青山真沙美; 切替德之
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2014-08-29
Filing date: 2015-08-10
Publication date: 2021-08-06
Also published as: WO2016031552A1; US20170152410A1; EP3187560A1; US10563096B2; PT3187560T; JPWO2016031552A1; PH12017500372B1; EP3187560A4; JP6391597B2; EP3187560B1; PH12017500372A1; MY194517A; CN106574164A; KR20170005431A; KR101952004B1; SG11201606128QA

Abstract

本发明提供一种不含焊料(铅)等有害物质、而且接合性优异的导电性接合剂。具体而言，一种导电性接合剂组合物，其特征在于：包含(A)热固化性树脂、(C)含金属元素的填料、以及(D)至少一种催化剂或固化剂，其中，上述(A)与(D)的反应起始温度为180℃以上。优选反应起始温度为200℃以上。优选该导电性接合剂还含有(B)助熔剂和(E)高分子成分。

Description

导电性接合剂组合物

本申请为2017年2月22日提交的申请号为201580045105.1且发明名称为“导电性接合剂组合物”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种导电性接合剂组合物，主要是涉及一种在电子设备的组装、电子部件的安装等中使用的导电性接合剂组合物。

背景技术

在电子设备的组装或电子部件的安装工序中，作为实现电路布线与各电子部件间的接合的方法，广泛采用焊料接合。然而，近年来，从环境问题的角度考虑，消除有害物质的配方越发盛行，人们在积极研究削减焊料中所含的铅，进一步谋求使用不含铅的无铅·焊料。

另一方面，作为不使用焊料的连接方法，有使用导电性接合剂的方法。作为导电性接合剂的一种方法，已知有各向异性导电膜(ACF(Anisotropic Conductive Film))(例如参照非专利文献)，通过施加压力，各向异性导电膜中所含的导电性颗粒彼此进行物理接触而表现出导电性，粘合剂树脂起到接合的作用。另外，还公开了一种导电性接合剂，在进行热压合时，使导电性颗粒表面的一部分熔融，导电性颗粒彼此形成一体(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/102077号

非专利文献

非专利文献1：日立评论2007年5月号Professional Report：各向异性导电膜

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在上述ACF或现有的导电性接合剂中，接合力有时会不足。举一例如下：相对于接合剂组合物中的导电填料的熔融和接合的进行而言，若热固化性树脂的固化进行得快，则有时会妨碍填料的接合。

本申请发明鉴于上述课题而提出，具体而言，提供一种不含焊料(铅)等有害物质、而且接合性优异的导电性接合剂。

解决课题的方法

即，本申请发明涉及一种导电性接合剂组合物，其特征在于，包含：(A)热固化性树脂、(C)含金属元素的填料、以及(D)至少一种催化剂或固化剂，而且，上述(A)与(D) 的反应起始温度为180℃以上。

另外，反应起始温度有时更优选为200℃以上。

作为上述(A)与(D)的反应起始温度为180℃以上的导电性接合剂的接合力优异的理由，可思考如下：如上所述，相对于填料的熔融和接合的进行而言，若热固化性树脂的固化进行得快，则有时会妨碍填料的接合，因此通过提高热固化性树脂的固化起始温度，填料的接合变得顺畅。这是由于：在反应起始温度为200℃以上时，即使在更高温度范围内也不会妨碍填料的接合，因此填料之间或填料与基板的接合容易进行。

本申请发明特别是对低熔点焊料有效。

另外，(A)热固化性树脂优选为环氧树脂或聚酰亚胺树脂，其中更优选为双马来酰亚胺树脂。

该(A)热固化性树脂的添加量优选为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的0.5～ 20.0质量％。

另外，优选还含有(B)助熔剂。

该(B)助熔剂优选平均粒径为30μm以下。

该(B)助熔剂优选至少包含分子量为300以下的羧酸。

另外，(C)填料含有导电性颗粒C1，所述导电性颗粒C1包含至少一种金属元素R1，作为上述金属元素R1，优选选自Cu、Ag、Au、Pt、Ir、Os、Pd、Ru、Ga、In、Al、Re、Zn、 Ni、Sn、Bi、Sb。

该(C)填料优选为还含有导电性颗粒C2的混合物，所述导电性颗粒C2包含金属元素R2。

该(C)填料优选为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的75质量％以上。

该(C)填料优选为可形成烧结体的填料。

另外，优选上述导电性颗粒C1与导电性颗粒C2反应形成的新合金的熔点在R1的熔点以下。

另外，优选还含有(E)高分子成分。

该(E)高分子成分的配比优选为从导电性接合剂组合物的固体组分中扣除上述(C) 填料后的质量的5～50质量％。

本申请发明涉及：一种在基材上涂布如上所述的导电性接合剂组合物而形成的粘接膜、以及在切割胶带上层压该粘接膜而形成的带有切割胶带的粘接膜。

发明效果

根据本申请发明，还可以提供一种接合性优异的无铅导电性接合剂。

附图说明

图1是使用本申请发明的接合剂而形成的带有切割胶带的粘接膜。

图2是不同于图1的另一种方式的带有切割胶带的粘接膜的剖面示意图。

图3是来自DSC的反应起始温度的计算图。

具体实施方式

((A)热固化性树脂)

本申请发明的热固化性树脂是指，可适合制造热固化性塑料和/或热固化性树脂的所有前体、例如来自天然或合成的单体、低聚物或聚合物、例如通过(自由基)聚合反应、缩聚反应和/或加聚反应可进一步固化和/或交联的没有完全固化和/或交联的改性或未改性树脂。

需要说明的是，在本说明书中，用语“固化”和“交联”的意义可理解为：热固化性树脂和催化剂或固化剂反应，生成显示出比对应的未固化树脂高的分子量的交联结构或固化结构的反应。

作为提高导电性接合剂组合物的接合性和高温性能的方法，添加任意的热固化性树脂。另外，可以将助熔剂失活。

热固化性树脂例如可以列举：环氧树脂、苯酚树脂、酚醛(苯酚和/或甲酚)树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、聚乙烯醇树脂、聚酯树脂、聚脲树脂、苯并恶嗪树脂、丙烯酸酯树脂、氰酸酯树脂和/或它们的组合，但并不限于这些。

特别是，在使助熔剂失活时，还已知有对热固化性树脂进行改性使其与羧酸或酚基反应的方法。作为这样的改性树脂，例如可以列举：丙烯酸树脂、橡胶(丁基橡胶、丁腈橡胶等)、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚醚、聚砜、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚乙酸乙烯酯/聚乙烯基酯、聚烯烃、聚氰基丙烯酸酯和聚苯乙烯。在可以改性成包含下述官能团中的至少一种时，在本发明的组合物中，改性树脂起到任意的热固化性树脂的作用。典型的可以列举：酸酐、羧酸、酰胺、酰亚胺、胺、醇/酚、醛/酮、硝基、腈类、氨基甲酸酯、异氰酸酯、氨基酸 /肽、硫醇、磺酰胺、缩氨基脲、肟、腙、氰醇类、尿素类、磷酸酯/酸、硫代磷酸酯/酸、膦酸酯/酸、亚磷酸、膦酰胺、磺酸酯/酸或本领域技术人员所已知的起到用于聚合的反应性部位的作用的其他官能团。

不具有用于结合的反应性部位、且缺少接合特性的树脂、例如未改性的聚丙烯等不适合作为本发明中的热固化性树脂。

在本发明中，环氧树脂和苯并恶嗪树脂或它们的组合可带来良好的机械强度和/或高热稳定性。

作为环氧树脂，可以列举：含多官能性环氧基的化合物、例如C2～C28二醇的缩水甘油醚、C1～C28烷基或多元酚缩水甘油醚、邻苯二酚、间苯二酚、氢醌、4,4’-二羟基二苯基甲烷(或双酚F、例如日本化药制造的RE-303-S或RE-404-S)、4,4’-二羟基-3,3’-二甲基二苯基甲烷、4,4’-二羟基二苯基二甲基甲烷(或双酚A)、4,4’-二羟基二苯基甲基甲烷、4,4’-二羟基二苯基环己烷、4,4’-二羟基-3,3’-二甲基二苯基丙烷、4,4’-二羟基二苯基砜和三(4-羟苯基) 甲烷的聚缩水甘油醚；过渡金属络合物的聚缩水甘油醚；上述二元酚的氯化物和溴化物；酚醛的聚缩水甘油醚；将通过芳香族羟基羧酸与二卤代烷烃或二卤代二烷基醚的盐的酯化得到的二元酚的醚，再酯化而得到的二元酚的聚缩水甘油醚；通过苯酚与具有至少2个卤原子的长链卤化石蜡的缩合得到的多元酚的聚缩水甘油醚；苯酚醛环氧树脂；甲酚醛环氧树脂以及它们的组合。

作为市售的环氧树脂，有酚醛性化合物的聚缩水甘油基衍生物、例如商品名EPON825、 EPON 826、EPON 828、EPON 1001、EPON 1007和EPON 1009(Huntsman制造)、EpiclonEXA 83℃RP、Epiclon EXA 85℃RP、Epiclon EXA 835LVP(DIC制造)、YD-825GS、YD-825GSH(新日铁住金化学制造)、Epalloy 5000、Epalloy 5001(CVC Chemicals制造)、含环氧基的脂环式化合物、例如Araldite CY179(Huntsman制造)、Epalloy 5200(CVC Chemicals制造)或Celloxide 2021P(Daicel制造)、或商品名EPI-REZ 3510、EPI-REZ 3515、EPI-REZ 3520、EPI-REZ 3522、EPI-REZ 3540或EPI-REZ 3546(Hexion制造)的水性分散体；DER 331、DER332、DER 383、DER 354和DER 542(Dow Chemical公司制造)；GY285(Huntsman制造)；以及BREN-S(日本化药制造)。其他适当的含环氧基的化合物包括：由多元醇等制造的聚环氧化物和苯酚-甲醛酚醛的聚缩水甘油基衍生物，苯酚-甲醛酚醛的聚缩水甘油基衍生物可以获取商品名为DEN 431、DEN 438和DEN 439(Dow Chemical社制造)、Epiclon N-740、 EpiclonN-770、Epiclon N-775(DIC制造)和水性分散体ARALDITE PZ 323(Huntsman制造) 的商品。

作为甲酚类似物，例如还可以获取ECN 1273、ECN 1280、ECN 1285和ECN 1299或Epiclon N-660、Epiclon N-665、Epiclon N-670、Epiclon N-673、Epiclon N-680、EpiclonN-695(DIC 制造)或水性分散体ARALDITE ECN 1400(Huntsman公司制造)等。SU-8和EPI-REZ 5003 是可从Hexion获取的双酚A型环氧酚醛树脂。

环氧树脂优选水解性氯浓度为200ppm以下。另外，在环氧树脂的水解性氯浓度超过 200ppm时，在导电性颗粒发生融合之前热固化性树脂就发生了固化，连接特性有时会下降。该水解性氯浓度更优选为100ppm以下。另外，在导电性接合剂组合物整体中，优选水解性氯浓度为1000ppm以下。

在市售的上述环氧树脂中，也有满足水解性氯浓度要求的环氧树脂，例如YD-825GS、 YD-825GSH(新日铁住金化学制造)适合。当为水解性氯浓度更高的环氧树脂时，通过进行蒸馏等纯化处理，可以达到所期望的氯浓度。但实质上不可能完全除去水解性氯，不包括浓度为0的情形。

适合的苯并恶嗪树脂可以包含下述结构。

[化学式1]

式中，o为1～4，X选自直接键合(o为2时)、烷基(o为1时)、亚烷基(o为2～4时)、羰基(o为2时)、氧(o为2时)、硫醇(o为1时)、硫(o为2时)、亚砜(o为2时)和砜(o 为2时)，R¹选自氢、烷基、亚烷基和芳基，R⁴选自氢、卤素、烷基和链烯基、或者R⁴为由苯并恶嗪结构制作吩恶嗪基的二价基团。

或者，苯并恶嗪树脂可包含下述结构。

[化学式2]

式中，p为2，Y选自联苯(p为2时)、二苯基甲烷(p为2时)、二苯基异丙烷(p为2时)、二苯硫醚(p为2时)、二苯基亚砜(p为2时)、二苯基砜(p为2时)和二苯基酮(p为2时)， R⁴选自氢、卤素、烷基和链烯基、或者R⁴为由苯并恶嗪结构制作吩恶嗪基的二价基团。

当然，不同的苯并恶嗪树脂的组合或不同的苯并恶嗪树脂和环氧树脂的组合也适合在本发明中使用。

苯并恶嗪化合物目前可从例如包括Huntsman Advanced Materials；Georgia-Pacific Resins, Inc.；和四国化成(日本、千叶县)在内的几个供应商在商业上获取，但必要时通常是通过使苯酚性化合物、例如双酚A、双酚F、双酚S或硫代二苯酚与醛和芳基胺反应来制造苯并恶嗪，以代替使用可商业获取的苯并恶嗪化合物。通常可参照美国专利第4,607,091号、5,021,484 号和5,200,452号。

聚苯并恶唑树脂以前体状态供应，通过加热进行环化反应。作为这样的聚苯并恶唑树脂，例如有如下所述的树脂。

具有下述化学式3所表示的结构的聚苯并恶唑前体的共聚物：

[化学式3]

式中，U、V、W表示二价有机基团，U或V的至少一方表示包含碳原子数为1～30的脂肪族链状结构的基团，X为包含芳环结构的二价有机基团，j和k表示A结构单元与B结构单元的摩尔分数，j和k之和为100摩尔％。。

聚酰亚胺树脂存在下述两种：以前体状态供应且通过加热进行环化反应的聚酰亚胺树脂；通过在酰亚胺低聚物的末端添加反应性官能团并通过加热进行酰亚胺低聚物链间的交联反应以使树脂固化的热固化性聚酰亚胺树脂。前者例如可以列举3,4,3’,4’-联苯四甲酸二酐- 对苯二胺聚酰亚胺(BPDA-PPD PI)等。热固化性聚酰亚胺树脂主要有PMR聚酰亚胺、乙炔末端聚酰亚胺、双马来酰亚胺，PMR聚酰亚胺的耐热性最高，双马来酰亚胺可以在低压下固化。

作为双马来酰亚胺树脂，例如有下述结构：

[化学式4]

Q为取代或未取代的脂肪族、芳香族、杂芳香族、硅氧烷部位或它们的组合，优选具有碳原子数为5～8的脂环式烃被至少4个碳原子数为4～12的烷基取代的结构。X₁～X₄为分别独立表示H或碳原子数为1～6的烷基。

其中，优选包含如以下的结构所示的包含环己烷基础的中心和连接在中心上的4个长“臂”的结构“C₃₆”。

[化学式5]

作为这种结构的双马来酰亚胺树脂，可以列举以下的树脂。

[化学式6]

作为热固化性树脂的优选的添加量，以导电性接合剂组合物的固体组分总质量为基础，其添加量为0.5～20.0质量％，优选为1～10.0质量％，更优选为3～10质量％。

((B)助熔剂)

助熔剂起到除去妨碍导电性颗粒的熔融和融合的氧化膜的作用。作为助熔剂，只要是不妨碍热固化性树脂的固化反应的化合物即可，可以无特别限制地使用公知的化合物。例如可以列举羧酸、无机酸、烷醇胺类、酚类、松香、氯化物及其盐、卤化物及其盐等，适用于本发明的组合物的助熔剂材料是烷醇胺、羧酸、酚类以及它们的混合物。

在特定的实施方式中，助熔剂可以包含羧酸与叔胺的盐或混合物而构成、且具有潜在性。在其他实施方式中，可以在导电性接合剂组合物的热处理结束时将助熔剂失活，典型的是，通过助熔剂的官能团与热固化性树脂反应并组合而失活。但优选不会使热固化性树脂在 180℃以下开始固化的化合物。

本发明中适合使用的羧酸本质上可以是单体、低聚物或聚合物。

所使用的羧酸种类可以具有多个官能团，以促进其与整体有机基质、特别是与热固化性树脂的有效率的反应性。多种羧酸可以一起混合，以达到其他的系统组成、润滑性、与其他有机成分的反应性等所伴随的粘度和混和性等助熔活性和其他特性的最佳平衡。研究各羧酸官能团的酸强度和重量这两者，为了反应性金属R1的表面积而确定必需的量。

作为羧酸，例如可以列举：丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、戊酸、己酸、庚酸、2-乙基己酸、辛酸、2-甲基庚酸、4-甲基辛酸、壬酸、癸酸、新癸酸、十二烷酸、十四烷酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、苯甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、丙酮酸、丁酸、特戊酸、2,2-二甲基丁酸、3,3-二甲基丁酸、2,2-二甲基戊酸、2,2-二乙基丁酸、3,3-二乙基丁酸、环烷酸、环己烷二羧酸、2-丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2- 丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基邻苯二甲酸等。可以只使用一种，也可以将两种以上组合使用。在特定的实施方式中，为了防止在涂布接合剂组合物时粘度的异常上升、以助于导电性颗粒的接合，羧酸优选分子量为150～300。在其他实施方式中，羧酸优选为二元羧酸。作为这样的二元羧酸，可以列举草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、富马酸、马来酸等。

叔胺以其与酸官能团的混合物或盐的形式使用，为了防止其与其他有机成分的过早反应，叔胺与羧酸的酸性官能团形成缓冲液或盐。叔胺可以是单体、低聚物或聚合物与1个以上的分子的组合。三乙醇胺和N,N,N等的叔烷醇胺可以列举：N,N,N’,N’－四(2－羟乙基) 乙二胺，其适合与羧酸官能团形成缓冲混合物或盐。

助熔剂可以以各种形态导入到本发明的导电膜接合剂组合物中。例如可以列举：与热固化性树脂相溶后的状态、以颗粒的形式混合后的状态、包覆了导电性颗粒的状态等。在导电性颗粒的包覆中，特别优选是作为高级脂肪酸的硬脂酸、油酸、棕榈酸等。在特定的实施方式中，优选为颗粒状或液态。

颗粒状助熔剂的平均粒径为30μm以下，优选为15μm以下。

因平均粒径在15μm以下，故金属更容易熔融。推断通过减小平均粒径，助熔剂的表观熔点降低而容易熔融，容易除去氧化覆膜。另外，从可以进行导电性接合剂组合物的薄膜涂布的观点考虑，平均粒径优选为10μm以下，更优选为6μm以下；从提高导电性接合剂组合物的印刷性的观点考虑，平均粒径优选为2μm以下。另外，从操作性或薄膜涂布、印刷性的观点考虑，平均粒径优选为0.01μm以上。这里，薄膜是指暗示着20μm以下的厚度，涂布性良好是指，在涂布导电性接合剂组合物时、例如在使用分配器描绘线时线宽均匀；在使用涂布机形成膜状时，表面粗糙度为膜厚度的10％以内。另外，印刷性是指，在对象物上涂布导电性接合剂组合物时、例如在通过丝网印刷进行连续印刷时，对象物上的糊粘度稳定，不会随时间而增加。

需要说明的是，本申请说明书中使用的用语“平均粒径”是指通过激光衍射法测定的50 体积％的颗粒具有小于该值的直径的、累积体积分布曲线的D50值。激光衍射法优选使用 Malvern Instruments公司制造的Malvern Mastersizer 2000来实施。在该技术中，关于悬浮液或乳液中的颗粒的大小，根据夫琅禾费理论(Fraunhofer理论)或米氏理论(Mie理论)的任一种应用，利用激光光线的衍射进行测定。在本发明中，关于利用米氏理论或针对非球状颗粒的修正Mie理论，平均粒径或D50值与针对入射的激光光线以0.02～135°进行的散射计测有关。另外，在难以通过激光衍射法进行测定时，使用扫描型电子显微镜(SEM)拍摄电子显微镜照片，计测颗粒的剖面积，求出以面积的计测值为相当的圆面积时的直径作为粒径。

作为调整助熔剂的平均粒径的方法，可以列举进行粉碎的方法等。作为进行粉碎的方法，可以使用粉碎机，作为粉碎机的种类，可以列举公知的球磨粉碎机、喷射磨粉碎机、超细粉碎机、锤式粉碎机、乳钵、辊式精磨机等。需要说明的是，调整平均粒径的方法并不限于这些。

本发明的导电性接合剂组合物中的助熔剂的添加量优选为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的0.1～10.0质量％。优选为任意的热固化性树脂的0.1～2.0质量％。

((C)含金属元素的填料)

在填料为可形成烧结体的填料时，可实现更强固的连接，因此优选。烧结是指下述现象：将处于接触状态的颗粒保持在熔点以下的温度，沿颗粒系统整体的表面能减少的方向进行颗粒的结合，使颗粒系统致密化。在一实施方案中，通过使(C)填料含有金属纳米填料、或者通过使其仅由金属纳米填料构成来促进烧结。即，因填料的粒径变小，故每单位质量的总表面积急剧增加，使得表面能的贡献变大，因此熔解所必需的热能减少，可以在低温下进行烧结。作为这样的填料，可以使用银填料、铜填料、以及它们的混合物等，例如可以按照日本特开2005-146408号公报或日本特开2012-082516号公报中记载的方法来准备。

在另一实施方案中，包含金属元素R1的导电性颗粒C1和包含金属元素R2的C2进行过渡液相烧结，可以形成新的合金。此时，新形成的合金的熔点优选为R1的熔点以下。另外，回流温度例如在260℃以上时，在耐热可靠性方面优选。液相烧结是指固体粉末颗粒与液相共存的特别形式的烧结，在液相烧结中，金属在彼此之中扩散，形成新合金和/或金属间种，从而使混合物致密化，并发生均质化。在过渡液相烧结中，作为金属均质化的结果，以液相存在的时间非常短。即，液相在周围的固相中具有非常高的溶解性，因此向固体快速扩散，最终实现固化。通过扩散均质化，不必加热至金属颗粒混合物的平衡熔融温度以上，即可制成最终的组合物。

需要说明的是，本申请说明书中使用的用语“导电性颗粒”是指在加入到非导电性树脂成分中时提高所形成的组合物的导电性的所有颗粒状物质。导电性颗粒例如可以具有片状和 /或树枝状等各种形状。优选本发明中使用的导电性颗粒不是纳米线或纳米管。

在本发明的过渡液相烧结中，金属元素R2和R1的扩散和反应继续进行直至在处理温度下熔融相消失、或者将反应混合物冷却以抑制反应直至反应性元素完全耗尽。冷却后，即使超过原始的熔融粘度进行加热，混合物也不会再次熔融，这是典型的液相烧结金属混合物的证据。所形成的新的合金和/或金属种类的数量和性质取决于金属成分、它们的相对比率、粒度分布和处理温度的选择。原始的金属元素R2和它们的合金的残留成分的组成也同样取决于上述要素。

作为可用于过渡液相烧结的金属元素R1，选自Cu、Ag、Au、Pt、Ir、Os、Pd、Ru、Ga、In、Al、Re、Zn、Ni、Sn、Bi、Sb所组成的群组，更优选选自Cu、Ag、Au、Pt、In、Ga所组成的群组，进一步优选选自Cu、Ag所组成的群组。

作为金属元素R2，选自Sn、Bi、Cd、Zn、Ga、In、Te、Hg、Tl、Sb、Se、Po所组成的群组，更优选选自Sn、Bi、Ga、In、Zn所组成的群组。

另外，优选R1、R2均不含Pb(铅)。

导电性颗粒C1可以是仅由R1构成的(杂质除外)金属元素，也可以是由包含R1在内的多种金属调制的合金，例如可以列举JIS Z 3282-1999中记载的焊料等。另外，优选R1占C1 的50质量％以上。导电性颗粒C2可以是仅由R2构成的(杂质除外)金属元素，也可以是由包含R2在内的多种金属调制的合金。R1与R2的组合和配比公开在各文献中，优选由状态图选择适合的金属元素，但从润湿性的观点考虑，有时还优选过剩地加入R1或R2的任一种。例如，作为导电性优异的组合，可以列举铜-铟系、铜-锡系、银-铟系、银-锡系、金-铟系、金-锡系、金-铅系，但并不限于此。包含In的系统均在150℃附近具有共熔点，所以在容易进行低温烧结方面优异。另外，包含Sn的系统具有200℃左右的共熔点，所以在耐热可靠性方面优选。

作为熔点为200℃以下的合金，具体有Sn42-Bi58焊料(熔点为138℃)、Sn48-In52焊料 (熔点为117℃)、Sn42-Bi57-Ag1焊料(熔点为139℃)、Sn90-Ag2-Cu0.5-Bi7.5焊料(熔点为189℃)、Sn89-Zn8-Bi3焊料(熔点为190℃)、Sn91-Zn9焊料(熔点为197℃)等，其中优选熔点为180℃以下的合金。另外，在容易将熔点调整至200℃以下的方面，优选含Sn的合金，更优选Sn与Bi的合金。Sn与Bi的合金比例在Sn：Bi＝79：21～42：58的范围内时主要显示出共晶熔解，因此特别优选。

(C)填料可以以各种形态导入到本发明的导电膜接合剂组合物中。颗粒可以形成两种以上的要素的单一金属元素或合金。颗粒可以是球状、非球形或树状、片状、板状、多孔质等。为了增加表面积，球状或多孔质形状有利。R1或R2可以以包覆其他金属元素颗粒表面的形式存在，也可以在非金属颗粒核上以涂层的形式存在。

另外，为了延迟氧化或者容易掺入到清漆中，可以进行有机包覆。作为这样的有机物，可以使用饱和或不饱和脂肪酸。颗粒上的有机包覆特别优选用于Cu或Ag颗粒。

填料的平均粒径优选为被粘合体之间的连接间隔(厚度)的二分之一以下，填料的平均粒径为30μm以下时，器件的薄膜化、轻量化变得容易，因此优选，更优选为10μm以下。

填料的平均粒径为5μm以下时，由于表面积变大，所以在颗粒彼此容易润湿方面优选，填料的平均粒径为1μm以下时，每单位质量的总表面积急剧增加，表面能的贡献变大，因此熔解所需的热能减少，在可以进行低温下的烧结方面优异。另外，填料的平均粒径通常是0.005μm以上，填料的平均粒径为0.1μm以上时不易聚集，在其与溶剂或树脂的分散性优异方面优选。在导电性颗粒C1与C2进行过渡液相烧结形成新的合金时，在新形成的合金中包含含量多的金属元素的颗粒的粒径可以比另一种大。例如在前者为C1、后者为C2时，可以促进C2的熔融而容易包覆C1的周围，因此可以加快烧结速度，另外，由于以富含C1的状态进行合金化，因此有时可以容易地获得所需要的合金。

为了增加填料之间的接触点，填料优选为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的75 质量％以上，更优选为85质量％以上，进一步优选为90质量％以上。为了发挥溶剂或树脂的分散效果或接合辅助效果，填料优选为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的99质量％以下，更优选为98质量％以下。填料可以仅由C1构成，但在包含C1和C2的情况下，关于填料中的C1与C2的比例，可以考虑在新形成的合金中的含量比、或者考虑到反应性而过剩地混合任一种。例如，在铜-锡体系中，在想要重新形成Cu₃Sn合金时，可以计算C1与C2的比例再进行混合使Cu：Sn＝3：1，当为Cu₆Sn₅合金时，可以以Cu：Sn＝6：5的方式进行混合。另外，在想要让Sn充分润湿Cu的周围时，可以计算C1与C2的比例再进行混合使得Sn过剩，C1和C2也可以以Cu：Sn＝3：1的方式进行混合，并另外追加混合Sn填料。

((D)催化剂或固化剂)

在本发明的一个实施方案中，作为热固化性树脂对应的催化剂或固化剂，可以适当使用双氰胺、咪唑类、酸酐、羧酸、酰胺、酰亚胺、胺、醇/酚类、醛类/酮类、硝基化合物、腈、包含氨基甲酸酯的固化剂、异氰酸酯类、氨基酸、肽、硫醇、磺酰胺、缩氨基脲、肟、腙、氰醇类、尿素类、磷酸酯/酸、硫代磷酸酯/酸、膦酸酯/酸、亚磷酸酯、酚醛(苯酚和甲酚两者)、膦类、膦酰胺等。例如，对于环氧树脂而言，优选高熔点的酸或碱基，例如可以列举二元羧酸(间苯二甲酸等)、氨基酸。这些高熔点氧化物还可以兼作助熔剂。当为聚酰亚胺树脂时，可以列举1,2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、2,6-二甲基吡啶、三乙胺、间羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、对羟基苯基乙酸、4-羟基苯基丙酸、过氧化物、2,3-二甲基-2,3- 二苯基丁烷、3,4-二甲基-3,4-二苯基己烷等，但并不限于此。只要是与任一种热固化性树脂的反应起始温度达到180℃以上者，即可适当利用，另外，当反应起始温度为200℃以上时，在更高的温度范围内也不易妨碍填料的接合，因此填料之间或填料与基板的接合容易进行，在提高接合特性、导电性方面更优选。反应起始温度的上限没有特别限定，考虑到对电子部件的损伤或树脂分解的可能性，反应起始温度的上限优选350℃以下，更优选300℃以下。进一步优选反应起始温度的上限在回流温度以下，例如，在共晶焊料中，回流温度往往是以 290℃、280℃、265℃为上限来进行回流。

固化剂或催化剂的最佳配合量根据所选择的热固化性树脂和固化剂或催化剂的组合而不同，在一实施方案中，优选每100份的热固化性树脂包含1～25质量份的固化剂或催化剂。

((E)高分子成分)

高分子成分有助于将导电性接合剂组合物形成膜状、或者有助于赋予应力缓和性。高分子成分除容易操作、并构成导电性接合剂组合物以外、特别地还可以是与热固化性树脂具有适应性的高分子。作为适合的高分子成分的例子，可以列举苯氧树脂、丙烯酸橡胶(丁基橡胶、丁腈橡胶等)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚醚、聚砜、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚乙酸乙烯酯/聚乙烯基酯、聚烯烃、聚氰基丙烯酸酯、聚苯乙烯等。高分子成分的重均分子量在10,000～200,000的范围内时，连接特性和形成膜的容易性均优异。在特定方案中，高分子成分为苯氧树脂。高分子成分的配比优选为从导电性接合剂组合物的固体组分中扣除填料后的质量的5～50质量％。

在另一实施方案中，本发明的导电性接合剂组合物还可以包含例如增塑剂、油、稳定剂、抗氧化剂、防腐蚀剂、螯合剂、颜料、染料、高分子添加剂、消泡剂、防腐剂、增稠剂、流变调节剂、保湿剂、粘合性赋予剂、分散剂和水等的一种以上的添加剂。

例如，作为添加剂，可以列举导电性有机化合物，有酞菁及其衍生物、蒽、二萘嵌苯及其衍生物。酞菁及其衍生物例如可以通过按照日本特愿2012-505509中记载的方法配位在导电性颗粒表面等而使导电性提高。

本实施方式的导电性接合剂组合物可以以糊状或膜状进行使用。其中，从压合连接时接合剂组合物连在被粘合体上、或者可以保持公差方面、以及操作的容易性方面考虑，优选为膜状。

为了将导电性接合剂组合物形成膜状，优选含有从导电性接合剂组合物的固体组分中扣除填料后的质量的5～50质量％的高分子成分。另外，在高分子成分的配比为从导电性接合剂组合物的固体组分中扣除填料后的质量的5质量％以下时，有时可以含有导电性接合剂组合物的固体组分总质量的85质量％以上的填料、并且使用分子量为2000以上的热固化性树脂。

(粘接膜)

粘接膜可以使用本申请发明的导电性接合剂组合物按照常规方法来制造。例如，制作导电性接合剂组合物溶液，将导电性接合剂组合物溶液涂布在覆盖膜上使达到规定厚度而形成涂膜，之后在规定条件下干燥该涂膜，从而可以制造粘接膜。涂布方法没有特别限定，例如可以列举辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，例如可以在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。作为覆盖膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或通过氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面包覆的塑料膜或纸等。

粘接膜的厚度没有特别限定，优选为1～300μm，在接合被粘合体之间的层间时，粘接膜的厚度优选5～60μm，在要求应力缓和性时，粘接膜的厚度优选60～200μm。

另外，上述的粘接膜通过以层压于切割胶带上的形式组合，可适合用作带有切割胶带的粘接膜。切割胶带主要是指在通过切割锯切削晶片而切下形成于半导体晶片上的集成电路或封装体等并进行单片化的工序中使用的胶带。

图1、图2是本发明的一实施方式所涉及的带有切割胶带的粘接膜的剖面示意图。

图1中显示了在切割胶带11上层压有粘接膜3的带有切割胶带的粘接膜10的结构。切割胶带11是在基材1上层压粘合剂层2而构成的，粘接膜3设在该粘合剂层2上。如图2所示的带有切割胶带的粘接膜12所示，可以是仅在工件贴附部分形成有粘接膜3’的结构。

上述基材1成为带有切割胶带的粘接膜10、12的强度母体，优选为具有紫外线透过性的基材、在膨胀后具有扩张性的基材。例如可以列举：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯－丁烯共聚物、乙烯－己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、有机硅树脂、上述树脂的交联体、金属(箔)、纸等。

为了提高密合性、保持性等，可以对基材1的表面实施惯用的表面处理、例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或物理处理，并施加底涂料 (例如后述的粘合物质)的涂敷处理。

基材1可以适当选择同种或不同种的基材进行使用，根据需要，可以使用多种基材混合而成的混合物。另外，还可以使用层压有不同种的层的基材。

基材1的厚度没有特别限定，通常为50～200μm左右。

用于形成粘合剂层2的粘合剂没有特别限定，例如可以使用丙烯酸酯系粘合剂、橡胶系粘合剂等普通的压敏性接合剂。

作为用于形成粘合剂层2的粘合剂，还可以使用放射线固化型粘合剂。放射线固化型粘合剂通过紫外线等放射线的照射而使交联度增大，可以容易地降低其粘合力。

放射线固化型粘合剂可以无特别限制地使用具有碳－碳双键等放射线固化性官能团、并且显示出粘合性的物质。作为放射线固化型粘合剂，例如可以例示：在上述丙烯酸酯系粘合剂、橡胶系粘合剂等普通的压敏性粘合剂中混合了放射线固化性单体成分或低聚物成分的添加型放射线固化型粘合剂。

作为混合的放射线固化性单体成分，例如可以列举：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基) 丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4－丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，作为放射线固化性低聚物成分，可以列举氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量在100～30000左右的范围内者适合。放射线固化性的单体成分或低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类而适当确定。通常，相对于100质量份的构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物，所述配合量例如为5～500质量份、优选为40～ 150质量份左右。

另外，作为放射线固化型粘合剂，除上述说明的添加型放射线固化型粘合剂以外，还可以列举：使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳－碳双键的聚合物作为基础聚合物的内源型放射线固化型粘合剂。由于内源型放射线固化型粘合剂无需含有或者不会大量含有作为低分子成分的低聚物成分等，所以不会有低聚物成分等随时间在粘合剂中移动或者向粘接膜3中移动，因此优选。

另外，作为放射线固化型粘合剂，例如可以列举：日本特开昭60－196956号公报中公开的、含有具有2个以上不饱和键的加聚性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂的橡胶系粘合剂或丙烯酸酯系粘合剂等。

粘合剂层2的厚度没有特别限定，优选为1～50μm左右。优选2～30μm、进一步优选5～ 25μm。

图1是简洁地例示使用了这种带有切割胶带的粘接膜的半导体装置的结构、制造方法的图。

具体而言，在带切割膜的粘接膜10中的粘接膜3的半导体晶片贴附部分上压合半导体晶片4，使其保持接合而进行固定(贴附工序)。本工序利用压辊等挤压装置一边挤压一边来进行。

＜半导体装置的制造方法＞

接下来，作为本发明的导电性接合剂组合物的使用方法，对使用导电性接合剂组合物来制造半导体装置的方法的一个例子进行说明。

(被粘合体)

本发明的导电性接合剂组合物可以接合彼此半导体芯片、半导体芯片与支撑部件、支撑部件与放热部件这样的功能部件等。这样的被粘合体优选其表面用金属包覆。作为被粘合体表面的金属，可以列举金、银、铜、镍等。另外，上述中的多种材料可以在基材上形成图案。

(制造工序)

连接半导体芯片和支撑部件来制造半导体装置的方法具备以下的工序。

(A)对半导体芯片或支撑部件赋予导电性接合剂组合物、并将半导体芯片和支撑部件贴合的工序(以下称作“工序(A)”。)、

(B)将导电性接合剂组合物加热、并将半导体芯片和支撑部件接合的工序(以下称作“工序(B)”。)。

(工序(A))-导电性接合剂组合物的赋予工序-

导电性接合剂组合物可以通过至少将上述(A)～(D)的化合物混合在分散介质中来调制。混合后，可以进行搅拌处理。另外，通过过滤可以调整分散液的最大粒径。

搅拌处理可以使用搅拌机来进行。作为这样的搅拌机，例如可以列举：自转公转型搅拌装置、擂溃机、双螺杆混炼机、三辊混合机、行星式搅拌机、薄层剪切分散机。

过滤可以使用过滤装置来进行。作为过滤用的滤器，例如可以列举金属网、金属滤器、尼龙网。

通过对支撑部件或半导体芯片上赋予导电性接合剂组合物而形成导电接合剂层。作为赋予方法，可以涂布或印刷糊状的导电性接合剂组合物，也可以贴合导电性接合剂组合物的粘接膜。

另外，在对半导体芯片赋予导电性接合剂组合物时，可以使用已完成分割的芯片，也可以以半导体晶片的状态赋予导电性接合剂组合物后进行芯片化。在将晶片分割成芯片的工序中，在使用上述带有切割胶带的粘接膜形式的导电性接合剂组合物时工序简单，因此优选。既可以在半导体晶片上分别贴合粘接膜和切割胶带后将晶片分割成芯片，也可以在半导体晶片上涂布或印刷糊状的导电性接合剂组合物，之后将其干燥、并进行B阶化，之后贴合切割胶带，将晶片分割成芯片。这种情况下的切割胶带可以使用与上述带有切割胶带的粘接膜中使用的切割胶带相同的胶带。

作为糊状导电性接合剂组合物的涂布方法，例如可以采用浸渍、喷涂、棒涂布、模具涂布、间歇涂布刮涂、狭缝式涂布、涂料器涂布。作为印刷糊状导电性接合剂组合物的印刷方法，例如可以采用分配器、钢板印刷、凹版印刷、丝网印刷、针式分配器、喷射分配器法。通过涂布或印刷形成的接合剂层可以适当干燥或进行B阶化，与切割工序的存在与否无关。干燥方法可以采用常温放置干燥、加热干燥或减压干燥。在加热干燥或减压干燥中，可以使用热板、热风干燥机、热风加热炉、氮干燥机、红外线干燥机、红外线加热炉、远红外线加热炉、微波加热装置、激光加热装置、电磁加热装置、加热器加热装置、蒸汽加热炉、热板加压装置等。用于干燥的温度和时间优选根据所使用的分散介质或热固化性树脂的种类和量来适当调整，例如优选在50～180℃下干燥1～120分钟。

形成接合剂层后，经由导电性接合剂组合物将半导体芯片和支撑部件贴合。

(工序(B))-连接工序-

接着，对接合剂层进行加热处理。可以仅通过加热处理来进行，也可以通过加热加压处理来进行。在加热处理中，可以使用热板、热风干燥机、热风加热炉、氮干燥机、红外线干燥机、红外线加热炉、远红外线加热炉、微波加热装置、激光加热装置、电磁加热装置、加热器加热装置、蒸汽加热炉等。另外，在加热加压处理中，可以使用热板加压装置等，也可以边放置重物进行加压边进行上述的加热处理。

通过加热处理，导电性接合剂组合物中的填料的熔融和接合以及热固化性树脂的固化得以进行。在填料的接合中，不仅在填料之间、还在填料与被粘合体或被粘合体表面的金属之间进行接合或伴有合金化的接合时，界面不易破损，在提高由器件内的线膨胀差引起的剥离或破损的防止效果方面优选。

根据以上的制造方法，可以制造半导体芯片与支撑部件通过本发明的导电性接合剂组合物接合的半导体装置。

＜半导体装置＞

半导体装置可用于由二极管、整流器、晶闸管、MOS栅极驱动器、电源开关、电源MOSFET、IGBT、肖特基二极管、快速恢复二极管等构成的电源模块、发信机、放大器、 LED模块、电池模块等。所得模块在被粘合体间具有高接合性，还可具有导热性、导电性、耐热性。

实施例

下面，通过实施例来具体说明本发明，但本发明并不受该实施例的任何限定。

将混合有表1所记载的各成分和适量甲苯的清漆涂布在由50μm厚的PET膜构成的盖带上，通过140℃的干燥炉达5分钟，形成厚度为30μm的粘接膜，之后将其与切割胶带贴合，形成带有切割胶带的粘接膜，制备了实施例1～7和比较例1～5的粘接膜的卷。

需要说明的是，所使用的各成分的细节如下。

YL980：双酚A型环氧树脂、水解性氯浓度为150ppm、三菱化学制造

EP-4088L：DCPD型环氧树脂、水解性氯浓度为100ppm、ADEKA制造

BMI1：满足下式的结构

[化学式7]

BMI2：满足下式的结构(n＝1～20)、凝胶状

[化学式8]

BA-BXZ：双酚A型苯并恶嗪、小西化学工业制造

BHPA：2,2-双(羟甲基)丙酸(东京化成工业制造)的经喷射式粉碎机(日清工程制造、 CURRENTJET(カレン卜ジェッ卜))粉碎的处理品、平均粒径为10μm

FLUX1：N,N,N’,N’-四(2-羟乙基)乙二胺与油酸的加成化合物

L-苏氨酸：熔点为253℃(分解)、pKa为2.63

Sn42-Bi58：球形焊料、熔点为139℃、平均粒径为3μm

Sn72-Bi28：球形焊料、熔点为139℃、平均粒径为3μm

EA0297：银片、平均粒径为4μm、Metalor制造

Cu填料：球状铜粉、平均粒径为3μm、硬脂酸表面处理

间苯二甲酸：熔点为210℃(分解)、东京化成工业制造

琥珀酸：熔点为186℃、东京化成工业制造

Nofuma BC-90：2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷、10小时半衰期温度为210℃、日本油脂制造 2PHZ-PW：2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、四国化成制造

2PZ：2-苯基咪唑、四国化成制造

Luperox 531M80：80％的1,1-二叔戊基过氧环己烷的无味矿物油溶液、10小时半衰期温度为 93℃(十二烷)、Arkema制造

PERCUMYL D：过氧化二异丙苯、10小时半衰期温度为116℃、日本油脂制造

PKHA：苯氧树脂、分子量为25,000、Inchem制造

BPAM-01：CTBN改性聚酰胺树脂、分子量为50,000、日本化药制造

TAPE1：丙烯酸酯系UV切割胶带、古河电气工业制造

TAPE2：事先对TAPE1进行放射线照射而只将工件贴附部分的粘合力(对#280SUS)调整至 0.5N/25mm以下的丙烯酸酯系UV切割胶带、古河电气工业制造＜反应起始温度的测定＞

称取2.0mg实施例和比较例的导电性接合剂组合物到差示扫描量热计(DSC)的样品容器中，通过DSC测定对固化产热行为进行图示，求出了反应起始温度。在DSC测定中使用岛津制作所制造的热流束DSC测定仪：使用DSC-60，在密闭容器中、氮环境下以20℃/min的升温速度从室温升温至250℃进行了测定。由得到的DSC图求出固化产热峰的上升温度(DSCOnset)，将其作为反应起始温度。

＜接合特性＞

经由20μm厚的实施例和比较例的导电性接合剂组合物将镀银硅芯片(5mm×5mm)和镀银基板(接合面为银)贴合，在230℃、0.5MPa、氮环境下加热1.5小时，测定已制成的10个样品的接合力。使用Dage制造的“万能型接合测试仪4000系列”，在测试温度260℃、测试高度10μm、测试速度50μm/s的条件下测定接合力，另外还观察了断裂模式。

◎：在全部的10个样品中主要是芯片破损。

○：有1～4个样品主要是接合剂破损，剩下的所有样品主要是芯片破损。

×：有5个以上的样品主要是接合剂破损。

＜体积电阻率＞

将实施例和比较例的导电性接合剂组合物涂布或贴合在玻璃基板上，在氮气气氛下、在 230℃下加热1.5小时，制作了膜厚为0.1μm左右的导电膜。在得到的导电膜上安装电阻率计 Loresta-GP(三菱化学公司制造)串联四探针探测器，在室温下进行测定，求出了体积电阻率。

○：体积电阻率小于1.0×10^-4Ω·cm

×：体积电阻率为1.0×10^-4Ω·cm以上

[表1]

实施例1～4含有环氧树脂作为热固化性树脂，由于环氧树脂与固化剂的反应起始温度为 200℃以上，所以接合特性、导电性均非常优异。

实施例6和7含有双马来酰亚胺树脂作为热固化性树脂，由于双马来酰亚胺树脂与自由基引发剂的反应起始温度为180℃以上，所以接合特性、导电性均非常优异。

实施例5含有环氧树脂作为热固化性树脂，由于环氧树脂与固化剂的反应起始温度为 180℃以上，所以接合特性、导电性均优异。

在比较例中，由于热固化性树脂与固化剂的反应起始温度低于180℃，所以树脂成分妨碍填料的接合，得到了导电性差的结果。

附图标记说明

1：基材

2：粘合剂层

3、3’：粘接膜(热固化型粘接膜)

4：半导体晶片

10、12：带有切割的粘接膜

11：切割膜

Claims

1.一种导电性接合剂组合物，其特征在于，包含：

(A)热固化性树脂；

(C)含金属元素的填料，所述填料的平均粒径为5μm以下；以及

(D)至少一种催化剂或固化剂，

所述(A)热固化性树脂与(D)至少一种催化剂或固化剂的反应起始温度为180℃以上，

所述(A)热固化性树脂为聚酰亚胺树脂。

2.一种导电性接合剂组合物，其特征在于，包含：

(A)热固化性树脂；

(C)含金属元素的填料，所述填料的平均粒径为5μm以下；以及

(D)至少一种催化剂或固化剂，

所述(A)热固化性树脂与所述(D)至少一种催化剂或固化剂的反应起始温度为200℃以上，

所述(A)热固化性树脂为聚酰亚胺树脂。

3.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述导电性接合剂组合物还含有(B)助熔剂。

4.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述聚酰亚胺树脂包括下述结构式所示的双马来酰亚胺树脂，

上述结构式中，Q为取代或未取代的脂肪族、芳香族、杂芳香族、硅氧烷部位或它们的组合，具有碳原子数为5～8的脂环式烃被至少4个碳原子数为4～12的烷基取代的结构，X₁～X₄为H或碳原子数为1～6的烷基。

5.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(A)热固化性树脂为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的0.5～20.0质量％。

6.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(C)填料含有导电性颗粒C1，所述导电性颗粒C1包含至少一种金属元素R1，所述R1为选自由Cu、Ag、Au、Pt、Ir、Os、Pd、Ru、Ga、In、Al、Re、Zn、Ni、Sn、Bi、Sb组成的组中的至少一种金属元素。

7.根据权利要求6所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(C)填料为还含有导电性颗粒C2的混合物，所述导电性颗粒C2包含金属元素R2。

8.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(C)填料为导电性接合剂组合物的固体组分总质量的75质量％以上。

9.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(C)填料为能够形成烧结体的填料。

10.根据权利要求7所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述导电性颗粒C1与导电性颗粒C2反应形成的新合金的熔点在R1的熔点以下。

11.根据权利要求3所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(B)助熔剂的平均粒径为30μm以下。

12.根据权利要求3所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(B)助熔剂至少包含分子量为300以下的羧酸。

13.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述导电性接合剂组合物还含有(E)高分子成分。

14.根据权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物，其特征在于，

所述(E)高分子成分的配比为从导电性接合剂组合物的固体组分中扣除所述(C)填料后的质量的5～50质量％。

15.一种粘接膜，其特征在于，

所述粘接膜是在基材上涂布权利要求1或2所述的导电性接合剂组合物而形成的。

16.一种带有切割胶带的粘接膜，其特征在于，

所述带有切割胶带的粘接膜是在切割胶带上，层压权利要求15所述的粘接膜而形成的。