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CN111145996A - 磁性元件的制造方法及磁性元件 - Google Patents

磁性元件的制造方法及磁性元件 Download PDF

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CN111145996A
CN111145996A CN201811301185.4A CN201811301185A CN111145996A CN 111145996 A CN111145996 A CN 111145996A CN 201811301185 A CN201811301185 A CN 201811301185A CN 111145996 A CN111145996 A CN 111145996A
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metal wiring
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metal
magnetic
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洪守玉
应建平
曾剑鸿
蔡超峰
周甘宇
季鹏凯
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Delta Electronics Shanghai Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种磁性元件的制造方法及磁性元件，该方法包括：在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上形成第一金属保护层；通过直写技术去除部分所述第一金属保护层，以露出部分的所述第一金属布线层；对露出的所述第一金属布线层进行蚀刻，使所述第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，所述第一图形围绕所述磁柱至少一圈。本发明提供的磁性元件的制造方法及磁性元件，可以提高磁性元件空间的利用率。

Description

磁性元件的制造方法及磁性元件
技术领域
本发明实施例涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种磁性元件的制造方法及磁性元件。
背景技术
随着电子技术的发展，目前对磁性元件的工作效率以及空间利用率的要求也越来越高。而在各磁性元件中，无论是损耗还是体积方面，电感都占了很大的比重，因此，如何提供一个高效率且高空间利用率的电感，是使得系统能够达到高效率高功率密度的重要前提。
图1为现有技术中铁氧体螺旋绕组电感的结构示意图，如图1所示，该铁氧体螺旋绕组电感是在铁氧体磁芯上通过金属化工艺形成绕组，其中，多匝数的行程依靠在铁芯上钻孔的金属化来实现。该电感的工艺制作流程如下：首先在磁芯上钻孔，随后在磁芯曝露的表面镀铜，并在磁芯正反面设置光阻，通过曝光显影等流程将需要被蚀刻的铜曝露出来，并进行蚀刻，以形成最终的电路图形，最后将光阻材料去除，得到铁氧体螺旋绕组电感。
然而，该结构以及上述制程中，绕组上下层之间的连接是通过在磁性件上通孔实现的，其直径受工艺影响，通常需要设置在150um以上，另外，由于受电镀铜工艺的影响，通常没有办法镀成实心铜，从而造成电镀层空间的利用率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种磁性元件的制造方法及磁性元件，以解决磁性元件空间利用率低的技术问题。
本发明实施例提供一种磁性元件的制造方法，包括：
在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层；
在所述第一金属布线层上形成第一金属保护层；
通过直写技术去除部分所述第一金属保护层，以露出部分的所述第一金属布线层；
对露出的所述第一金属布线层进行蚀刻，使所述第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，所述第一图形围绕所述磁柱至少一圈。
可选地，所述方法还包括：
在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面形成第一过渡层；
在所述第一过渡层上形成所述第一金属布线层。
可选地，所述对露出的所述第一金属布线层进行蚀刻的步骤之后，所述方法还包括：
去除剩余的所述第一金属保护层。
可选地，所述在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层，包括：
通过电镀或者化学镀技术在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面，形成由铜或铜合金构成的所述第一金属布线层。
可选地，所述在所述第一金属布线层上形成第一金属保护层，包括：
通过电镀或化学镀技术在所述第一金属布线层上，形成由锡、锡合金、金或金合金构成的所述第一金属保护层。
可选地，所述第一金属保护层的材料为锡或锡合金，所述第一金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，所述第一金属保护层的材料为金或金合金，所述第一金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
可选地，所述磁芯为由至少一段所述磁柱首尾相接组成的环状体。
可选地，在直写时，所述直写的入射角大于或等于5°。
可选地，所述在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面形成第一过渡层，包括：
通过喷涂、浸渍、电泳、静电喷涂、化学气象沉积、物理气象沉积、蒸镀、溅射或印刷的方式在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面，形成所述第一过渡层。
可选地，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
在所述第一金属保护层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上形成第二金属保护层；
通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
可选地，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
在所述第一金属保护层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上设置光阻层；
对所述光阻层曝光以露出部分的所述第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层起到绕组的作用。
可选地，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
去除剩余的所述第一金属保护层；
在蚀刻后的所述第一金属布线层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成所述第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上形成第二金属保护层；
通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
可选地，所述第一过渡层为由绝缘材料构成的绝缘层。
可选地，所述方法还包括：
将形成有所述第一图形的多个所述磁芯进行整体组装。
第二方面，本发明实施例提供一种磁性元件，包括：
磁芯；
第一金属布线层，所述第一金属布线层覆盖在所述磁芯的至少一段磁柱的表面，其中，部分所述第一金属布线层被蚀刻形成有至少一个第一图形以起到绕组的作用，所述第一图形围绕所述磁柱至少一圈。
可选地，还包括：
第一金属保护层，所述第一金属保护层至少部分的覆盖在所述第一布线层除被蚀刻部分之外的区域。
可选地，所述第一金属保护层包含锡、锡合金、金或金合金。
可选地，还包括：
第一过渡层，所述第一过渡层覆盖在所述磁芯的至少一段磁柱的表面上，所述第一金属布线层覆盖在所述第一过渡层上。
可选地，还包括：
第二过渡层，所述第二过渡层形成在所述第一金属布线层外，所述第二过渡层包括至少一个孔；
第二金属布线层，所述第二金属布线层覆盖在所述第二过渡层上，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；其中，所述第二金属布线层被蚀刻形成有至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
可选地，还包括：
第二金属保护层，所述第二金属保护层至少部分的覆盖在所述第二金属布线层除被蚀刻部分之外的区域。
可选地，所述第一金属布线层和所述第二金属布线层的材料为铜或铜合金。
可选地，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为锡、锡合金、金或金合金中的任意一种。
可选地，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为锡或锡合金，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为金或金合金，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
可选地，所述第一过渡层为由绝缘材料构成的绝缘层。
可选地，所述磁芯为由至少一段磁柱首尾相接组成的环状体。
可选地，所述第一图形所覆盖的磁芯区域的表面不低于所述第一图形未覆盖的磁芯区域的表面。
本发明提供的磁性元件的制造方法及磁性元件，通过在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层，并在第一金属布线层上形成第一金属保护层，然后通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层，最后对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，其中第一图形围绕磁柱至少一圈。由于通过对第一金属布线层进行蚀刻，形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，避免了现有技术中绕组上下层之间的连接需要通过在磁性件中通孔实现的现象，从而不仅可以提高磁性元件的高空间利用率，而且可以提高磁性元件的工作效率；对金属保护层进行直写在对金属布线层蚀刻，有助于更加精确的形成绕组。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中铁氧体螺旋绕组电感的结构示意图；
图2为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例一的流程示意图；
图3为磁芯的结构示意图；
图4a为第一金属布线层的形成示意图；
图4b为第一金属保护层的形成示意图；
图4c为直写技术去除部分第一金属保护层的形成示意图；
图4d为对露出的第一金属布线层进行蚀刻的示意图；
图5为直写入射角的示意图；
图6为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例二的流程示意图；
图7a为第一过渡层的形成示意图；
图7b为第一金属布线层的另一形成示意图；
图8为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例三的流程示意图；
图9a为第二过渡层的一形成示意图；
图9b为第二金属布线层的一形成示意图；
图9c为第二金属保护层的一形成及直写后示意图；
图9d为对露出的第二金属布线层进行蚀刻的示意图；
图10为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例四的流程示意图；
图11为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例五的流程示意图；
图12a为去除第一金属保护层的示意图；
图12b为第二过渡层的另一形成示意图；
图12c为第二金属布线层的另一形成示意图；
图12d为第二金属保护层的另一形成示意图；
图12e为对露出的第二金属布线层进行蚀刻的示意图；
图13为本发明提供的磁性元件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例，例如能够图示或描述以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖且不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
此外，附图仅为本发明的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
目前，如何提供一个高效率且高空间利用率的电感，是达成系统高效率高功率密度的重要前提。为了解决这一问题，在现有技术中，如图1所示，可以采用铁氧体螺旋绕组电感，其是在铁氧体磁芯上通过金属化工艺形成绕组，其中，多匝数的行程依靠在铁芯上钻孔的金属化来实现。该电感的工艺制作流程如下：首先在磁芯上钻孔，随后在磁芯曝露的表面镀铜，并在磁芯正反面设置光阻，通过曝光显影等流程将需要被蚀刻的铜曝露出来，并进行蚀刻，以形成最终的电路图形，最后将光阻材料去除，得到铁氧体螺旋绕组电感。但是，该结构以及上述制程中，首先由于绕组上下层之间的连接是通过在磁性件中通孔实现的，其直径受工艺影响，通常需要设置在150um以上，而受电镀铜工艺的影响，通常没有办法镀成实心铜，造成电镀层空间的利用率较低；其次，由于通孔和通孔之间也必须有一定的机械强度保证，其距离也有一定要求，因此，平面上的布线密度也会有所限制；再次，由于通孔和通孔之间的填充材料是连续的磁性材料，因此附近的漏磁通较大，对磁性元件性能会造成不良的影响。
基于上述内容，可以得知，选用合适的方式制造一种高效率、高空间利用率的磁性元件是非常重要的。因此，在本发明的一种示例实施例中，提出了一种磁性元件的制造方法，其中，图2为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例一的流程示意图，如图2所示，本实施例的方法可以包括：
步骤201、在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层。
在本实施例中，磁芯可以为由一段磁柱构成的圆环，也可以为由多段磁柱构成的三角环、回字型或者其他的形状等，对于磁芯的具体结构，本实施例在此不作限制。图3为磁芯的结构示意图，如图3所示，在一种可能的实施方式中，磁芯为由至少一段磁柱首尾相接组成的环状体，如为首尾相接组成的回字型结构，其中，该磁芯包含了一个口字型的窗口。磁芯为这些磁柱一体成型，也可以分开制作后续相接。在制作磁芯的过程中，可以首先在磁芯上设置一窗口，该窗口可以在磁芯成型时直接用模具成型，也可以在一磁性基板上加工形成，其中，第一种方式具有加工容易的特点，而第二种方式具有尺寸精度高的优势，但本发明并不以此为限。
下面以在磁芯的一段磁柱的表面形成第一金属布线层为例进行说明，磁柱的多个侧面的表面形成第一金属布线层，以其中一个侧面为例说明，在磁芯的其他磁柱的表面或磁柱的其他侧壁表面形成第一金属布线层的方式与其类似，此处不再赘述。
图4a为第一金属布线层的形成示意图，如图4a所示，在磁芯的至少一段磁柱11的表面形成第一金属布线层12，其中，第一金属布线层12为导电层。在实际应用中，可以通过电镀或者化学镀技术在磁芯的至少一段磁柱11的表面，形成由铜或铜合金构成的第一金属布线层12。需要说明的是，图3中只显示了磁柱的一个侧面形成部分的导电层，但实际制作中，该导电层(即第一金属布线层12)形成于磁柱的多个侧面以围绕磁柱，但本发明并不以此为限。该导电层可以被用于形成如磁性元件绕组，其厚度可以根据所需载流需求的不同而调整，一般而言，其厚度在10um至500um之间，其承受的电流通常在数值毫安至数百安培之间。
当所需第一金属布线层12的厚度较薄时(如10-20um)，也可以通过化学镀的方法实现，但此时通流能力一般较小，通常在10安培以下。当通流需求较大时，该第一金属布线层12可以通过电镀的方式形成，当然电镀前可能会通过化学镀、溅射或蒸镀等方法设置种子层以起到表面导电、增加结合力的功能。
步骤202、在第一金属布线层上形成第一金属保护层。
在本实施例中，图4b为第一金属保护层的形成示意图，如图4b所示，在形成第一金属布线层12之后，将在第一金属布线层12上形成第一金属保护层13。
在一种可能的实施方式中，可以通过电镀或化学镀技术在第一金属布线层12上，形成由锡、锡合金、金或金合金构成的第一金属保护层13。其中，采用锡做保护层的优势在于，其成本低廉，且在强氧化性溶剂中反应速率极慢，保护效果优良。另外，实施例中可以选用电镀或化学镀等工艺设置第一金属保护层13，而不是用传统的光阻材料等非金属材料，主要原因在于，光阻材料的图形定义是通过曝光和显影工艺实现，而目前的曝光机通常只能是基于在同一个平面下才能进行，而本实施例中，如果对于窗口内的侧壁表面也需进行图形定义以形成围绕磁柱的立体的绕组，那么，曝光和显影工艺并不适用。而且，相对普通的有机材料而言，第一金属保护层13具备如下优势：首先，有机材料等光阻材料均匀涂覆的难度比较大，尤其在拐角等位置可能出现厚度不均的情况，导致工艺的一致性较低，而采用金属涂层作为金属保护层，是由于其电镀或者化学镀成型的表面覆形能力极佳；其次，假如采用有机材料做保护层，对第一金属布线层12的金属进行蚀刻通常采用溶液蚀刻工艺，在完成布线金属层例如铜层的蚀刻后，由于溶液蚀刻工艺具有一定的各向同性，有机材料的下方会有部分空隙，在保留该有机材料进行后续如喷涂绝缘层制程时，在有机层下方空隙位置，有一定的阴影和遮蔽效应，从而产生工艺性不良的问题，如气泡等，而且若将整体的有机材料去除也有一定的难度，如有机溶剂污染、工艺时间较长和表面清洗等。综上所述，本实施例中可以选用电镀或化学镀等工艺设置第一金属保护层13。
另外，在一种可能的实施方式中，可以根据不同金属的保护能力的不同，调整第一金属保护层13的厚度，例如若第一金属保护层的材料为锡或锡合金，第一金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，若第一金属保护层的材料为金或金合金，第一金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
步骤203、通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层。
在本实施例中，图4c为直写技术去除部分第一金属保护层的形成示意图，如图4c所示，通过直写技术对第一金属保护层13进行图形定义，从而露出部分的第一金属布线层121，即曝露出需要被蚀刻的布线层金属。
在一种可能的实施方式中，该直写技术例如可以为激光直写技术。所谓直写技术，是相对传统在掩模保护下进行光刻的工艺而言的，其特点是采用聚焦的光束、电子束或离子束等直接进行图形定义。采用直写技术，由于其无需掩模，生产灵活，可以根据不同的应用需求，生产系列化的产品，从而可以极大的提高产品推向市场的时间。另外，由于采用直写技术，在进行直写前可以通过光学识别技术精确定位样品以及样品的表面状态，可以基于此单独优化每一颗样品的直写路径，以起到增加良率，降低对前道制程要求的作用，从而提高产品的竞争力。而且，由于第一金属保护层13被设置在第一金属布线层12之上，在对第一金属保护层13激光直写的过程中第一金属布线层12可以起到很好的热隔离的作用，以避免对磁性材料的影响。
需要说明的，为了保证激光直写工艺的顺利进行，在直写时，直写的入射角一般大于或等于5°，即在需要直写的窗口必须确保5°以上的入射角度。图5为直写入射角的示意图，如图5所示，在直写时，磁芯窗口左侧上表面与侧壁的交线与磁芯窗口右侧下表面与相邻侧壁的交线所定义的斜面与侧壁所在平面的夹角大于或等于5°，如图5中的α角需要大于或等于5°。
步骤204、对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，第一图形围绕磁柱至少一圈。
在本实施例中，图4d为对露出的第一金属布线层进行蚀刻的示意图，如图4d所示，在第一金属保护层13图形定义之后，需要在第一金属保护层13的保护下进行第一金属布线层12图形的蚀刻定义。如图4d所示，在对露出的第一金属布线层121进行蚀刻，将会在第一金属布线层12上形成至少一个第一图形14，第一图形例如围绕磁柱的立体的螺旋型(可参考图13)，但本发明并不以此为限，具有第一图形14的金属布线层12能起到绕组的作用即可。通常的，如图4d和图13所示，第一图形14和33围绕所述磁柱至少一圈。
本发明实施例提供的磁性元件的制造方法，通过在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层，并在第一金属布线层上形成第一金属保护层，然后通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层，最后对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用。由于通过对第一金属布线层进行蚀刻，形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，避免了现有技术中形成绕组上下层之间的连接需要通过在磁芯中进行通孔实现的方式，从而不仅可以提高磁性元件的高空间利用率，而且可以提高磁性元件的工作效率。
另外，需要说明的是，以上工艺流程，是以一个磁性元件进行说明，在实际加工中，可以在一个磁性基板上同时设置多个分区用以加工多个磁性元件，如此，可以在一次流程工艺中同时产出多个磁性元件，大幅增加生产效率。
图6为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例二的流程示意图，本实施例在图2所示实施例的基础上，对在磁芯的至少一段磁柱的表面先形成第一过渡层，再在第一过渡层上形成第一金属布线层的实施例，做详细说明。如图6所示，本实施例的方法可以包括：
步骤601、在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一过渡层。
在本实施例中，图7a为第一过渡层的形成示意图，如图7a所示，可以根据是否有特殊的功能需求来选择是否在磁芯的至少一段磁柱11的表面形成第一过渡层15。其中，该第一过渡层15通常具备以下功能之一：(1)绝缘功能，例如：当所采用的磁性材料为表面绝缘电阻较低的材料，如MnZn铁氧体时，可以通过增加一第一过渡层15以降低匝间漏电；对于需要隔离的变压器而言，原副边需要较高的耐压要求，可以在磁芯表面设置一第一过渡层15以满足安规耐压的要求；另外，通常被用作绝缘层的过渡层材料有环氧树脂、有机硅、缩醛类材料、聚酯类材料、聚酯亚胺类材料、聚酰亚胺类材料或聚对二甲苯等；(2)结合力增强功能，例如：当磁性材料表面和后续金属布线层的结合力不佳时，可以涂覆一结合力增强涂层，如环氧树脂等，使自身和后续层的结合力较好，或者易于通过表面处理(如粗化、表面改性等工艺)以具有良好的结合力；(3)应力释放功能，例如：当选用的磁性材料为应力敏感性材料时，如铁氧体类材料，为避免或降低后续制程对磁性材料产生的应力，引起磁性性能的退化，如损耗增加或磁导率降低等，可以设置一应力释放材料，如有机硅等；(4)磁芯保护(避免与磁芯直接相邻的材料影响磁性材料的性质)；(5)表面平整功能，例如提高磁芯表面平整度，以便于后续制程的顺利进行等等。
在一种可能的实施方式中，可以通过喷涂、浸渍、电泳、静电喷涂、化学气象沉积、物理气象沉积、溅射、蒸镀或印刷的方式在磁芯的至少一段磁柱11的表面，形成第一过渡层15。
在一种可能的实施方式中，第一过渡层15为由绝缘材料构成的绝缘层。
步骤602、在第一过渡层上形成第一金属布线层。
在本实施例中，图7b为第一金属布线层的另一形成示意图，如图7b所示，形成第一过渡层15之后，将在第一过渡层15上形成第一金属布线层12。在第一过渡层15上形成第一金属布线层12的方式与在磁芯的至少一段磁柱11的表面形成第一金属布线层12的方式类似，此处不再赘述。
步骤603、在第一金属布线层上形成第一金属保护层。
步骤604、通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层。
步骤605、对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，第一图形围绕磁柱至少一圈。
步骤603-步骤605与步骤202-步骤204类似，此处不再赘述，其中，第一图形14通常围绕所述磁柱至少一圈。第一绕组例如是围绕磁柱的螺旋型。
另外，在一种可能的实施方式中，对露出的第一金属布线层进行蚀刻的步骤之后，还可以去除剩余的第一金属保护层。
具体地，可以根据第一金属保护层13的材料，选择是否进行去除该第一金属保护层13。例如，当采用锡做保护层的条件下，可以在覆盖的金属层蚀刻相关图形后，根据需要选择是否将锡保护层采用蚀刻液去除。当然，如果保护层为金时，可以选择保留，由于金保护层的厚度极薄，边缘的部分也可以通过水刀、喷砂或超声等工艺去除。
本发明该实施例提供的磁性元件的制造方法，通过在磁芯的至少一段磁柱的表面先形成第一过渡层，并在该第一过渡层上形成第一金属布线层，由于第一过渡层可以具有绝缘功能、结合力增强功能、应力释放功能和表面平整功能之一，由此可以提高磁性元件的性能。
图8为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例三的流程示意图，本实施例在上述各实施例的基础上，对制作多层金属布线层的实施例，做详细说明。如图8所示，本实施例的方法可以包括：
步骤801、在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层。
步骤802、在第一金属布线层上形成第一金属保护层。
步骤803、通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层。
步骤804、对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，第一图形围绕磁柱至少一圈。
步骤801-步骤804与步骤201-步骤204类似，此处不再赘述。
步骤805、在第一金属保护层外形成第二过渡层，该第二过渡层包括至少一个孔。
在本实施例中，图9a为第二过渡层的一形成示意图，如图9a所示，如果需要在磁性元件上布置两层线路时，可以在步骤801-步骤804执行完后，再从过渡层开始重复以上制作过程。需要进行说明的是，在多层布线时，只有在进行第一层，也就是对最靠近磁芯那层的布线层进行布线时，过渡层可以根据需要，例如材料特性选择性使用，而在之后的各层布线时，都会进行这个步骤，即在第一金属保护层13外形成第二过渡层16，以加强绝缘性能。
另外，第二过渡层16中包括至少一个孔17。其中，由于第二过渡层16通常厚度在200um以下，其厚度较薄，此时多可用激光进行钻孔，其钻孔直径较小，并通过电镀药剂的调整，可以达成较好的电镀填充率，甚至可以在盲孔内填满铜层。
步骤806、在第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层上的所述第二过渡层的孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层。
在本实施例中，图9b为第二金属布线层的一形成示意图，如图9b所示，在形成第二过渡层16之后，将在第二过渡层16上形成第二金属布线层18，第二过渡层16上的孔17用于电性连接第一金属布线层12和第二金属布线层18。需要说明的是，图中孔17直接和第一金属布线层12相连，实际中亦可以和第一金属保护层13相连。由于本发明中第一金属保护层13为金属材料，因此并不影响电性连接关系。相对用传统方法中在磁性件中通孔实现的方式而言，由于通孔本身的直径较大，通常大于150um，孔与孔之间出于结构以及布线图形定义的考虑其间距通常也大于150um，而本工艺实施例中的布线层之间的孔的距离可以满足绝缘要求即可，不需要对磁性件钻孔，磁性元件的空间利用率被极大提高。另外，需要说明的是，以上工艺流程，是以一个磁性元件进行说明，在实际加工中，可以在一个磁性基板上设置多个分区用于制作磁性元件，如此，可以在一次流程工艺中同时产出多个磁性元件，大幅增加生产效率。
步骤807、在第二金属布线层上形成第二金属保护层。
在本实施例中，图9c为第二金属保护层的一形成示意图，如图9c所示，可以在第二金属布线层18上形成第二金属保护层19，具体的形成方法与第一金属保护层13的形成方法类似，此处不再赘述。
步骤808、通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层。
继续参照图9c所示，通过直写技术去除部分第二金属保护层19后，露出部分的第二金属布线层18，其中，去除部分第二金属保护层19的方式，与去除部分第一金属保护层13的方式类似，此处不再赘述。
步骤809、对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用，第二图形围绕磁柱至少一圈。
在本实施例中，图9d为对露出的第二金属布线层进行蚀刻的示意图，如图9d所示，对露出的第二金属布线层18进行蚀刻后，将在第二金属布线层18上形成至少一个第二图形20，其中，第二图形20将起到绕组的作用，第二图形通常也会围绕磁柱至少一圈。另外，第一图形14和第二图形20可以是相同的图形，例如围绕磁柱的立体的螺旋型，也可以是不同的图形，本实施例对此不作限定。
值得注意的是，还可以在磁性元件上布置多层线路，在具体的实现过程中，有几层布线层就可以重复以上流程几次。
本发明实施例提供的磁性元件的制造方法，通过在第一金属保护层外形成第二过渡层，该第二过渡层包括至少一个孔，并在第二过渡层上形成第二金属布线层，该第二过渡层上的孔用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层，然后在第二金属布线层上形成第二金属保护层，通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层，最后对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用。由于在第一金属保护层外形成第二过渡层，在第二过渡层上形成第二金属布线层，从而可以布置两层线路，由此可以提高磁性元件的空间利用率。更多层金属布线层的设计也可按本发明实施例类推。需要说明的是第一金属保护层和/或第二金属保护层在完成第一金属布线层和第二金属布线层的选择性蚀刻后，可以被整体剥离。
图10为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例四的流程示意图，本实施例在图2和图6所示实施例的基础上，对制作多层金属布线层的其他实施例，做详细说明。本实施例与图8所示实施例的不同在于，在本实施例中，第二金属布线层希望加工蚀刻的部分(例如一条细缝)可以在一个平面上，此时可以在至少部分的第二金属布线层上设置光阻层，并采用光刻的方式对光阻层进行曝光以露出部分的第二金属布线层。如图10所示，本实施例的方法可以包括：
步骤1001、在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层。
步骤1002、在第一金属布线层上形成第一金属保护层。
步骤1003、通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层。
步骤1004、对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用。
步骤1001-步骤1004与步骤201-步骤204类似，此处不再赘述。
步骤1005、在第一金属保护层外形成第二过渡层，该第二过渡层包括至少一个孔。
步骤1006、在第二过渡层上形成第二金属布线层，该第二过渡层上的孔用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层。
步骤1005-步骤1006与步骤805-步骤806类似，此处不再赘述。
步骤1007、在第二金属布线层上设置光阻层。
步骤1008、对光阻层曝光以露出部分的第二金属布线层。
在本实施例中，若磁性元件有一层原边加一层副边，而且副边为一匝的时候，副边这一层对应的的金属布线层仅需要蚀刻一条细缝使得该层金属布线层形成一匝的绕组，此时，可以在第二金属布线层上设置光阻层，并对光阻层进行光刻处理。
步骤1009、对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使第二金属布线层起到绕组的作用。
在本实施例中，在对露出的第二金属布线层进行蚀刻之后，将在第二金属布线层上形成至少一个图形，以起到绕组的作用，形成的第一图形、第二图形通常围绕磁柱至少一圈。
本发明实施例提供的磁性元件的制造方法，通过在第一金属保护层外形成第二过渡层，第二过渡层包括至少一个孔，并在第二过渡层上形成第二金属布线层，第二过渡层上的孔用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层，然后在第二金属布线层上设置光阻层，对光阻层曝光以露出部分的第二金属布线层，最后对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使第二金属布线层起到绕组的作用。由于在通过在第一金属保护层外形成第二过渡层之后，在第二过渡层上形成第二金属布线层，从而可以布置两层线路，由此可以提高磁性元件的空间利用率。需要说明的该流程中第一金属布线层对应的保护层材料和第二金属布线层对应的保护层材料对应的顺序可以根据实际情况调整，即第一布线层对应的保护层材料为光阻，而第二布线层对应的保护材料为金属，其优选原则为当需要形成在侧壁的图形简单时，可以用传统的光阻材料进行图形的定义与形成。
图11为本发明提供的磁性元件的制造方法实施例五的流程示意图，本实施例在图2和图6所示实施例的基础上，对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，可以去除剩余的第一金属保护层，并在去除剩余的第一金属保护层之后，在第一金属布线层外形成第二过渡层的实施例，做详细说明。如图11所示，本实施例的方法可以包括：
步骤1101、在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层。
步骤1102、在第一金属布线层上形成第一金属保护层。
步骤1103、通过直写技术去除部分第一金属保护层，以露出部分的第一金属布线层。
步骤1104、对露出的第一金属布线层进行蚀刻，使第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用。
步骤1101-步骤1104与步骤201-步骤204类似，此处不再赘述。
步骤1105、去除剩余的第一金属保护层。
在本实施例中，图12a为去除第一金属保护层的示意图，如图12a所示，在图4d的基础上，可以将剩余的第一金属保护层13去除。具体地，可以根据第一金属保护层的材料，选择是否进行去除该第一金属保护层。例如，当采用锡做保护层的条件下，可以根据需要选择是否将锡保护层采用蚀刻液去除。当然，如果保护层为金时，可以选择保留，由于金保护层的厚度极薄，边缘的部分可以通过水刀、喷砂或超声等工艺去除。
步骤1106、在蚀刻后的第一金属布线层外形成第二过渡层，第二过渡层包括至少一个孔。
在本实施例中，图12b为第二过渡层的另一形成示意图，如图12b所示，如果需要在磁性元件上布置两层线路时，可以在步骤1101-步骤1104执行完后，再从过渡层开始重复以上制作过程，即在第一金属布线层12外形成第二过渡层21。
另外，第二过渡层21中包括至少一个孔22。其中，由于第二过渡层21通常厚度在200um以下，其厚度较薄，此时多可用激光进行钻孔，其钻孔直径较小，并通过电镀药剂的调整，可以达成较好的电镀填充率，甚至可以在盲孔内填满铜层。
步骤1107、在第二过渡层上形成第二金属布线层，第二过渡层的孔用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层。
在本实施例中，图12c为第二金属布线层的另一形成示意图，如图12c所示，在形成第二过渡层21之后，将在第二过渡层21上形成第二金属布线层23，第二过渡层21上的孔22用于电性连接第一金属布线层12和第二金属布线层23。
步骤1108、在第二金属布线层上形成第二金属保护层。
在本实施例中，图12d为第二金属保护层的另一形成示意图，如图12d所示，可以在第二金属布线层23上形成第二金属保护层24，具体的形成方法与第一金属保护层13的形成方法类似，此处不再赘述。
步骤1109、通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层。
继续参照图12d所示，通过直写技术去除部分第二金属保护层24后，露出部分的第二金属布线层23，其中，去除部分第二金属保护层24的方式，与去除部分第一金属保护层13的方式类似，此处不再赘述。
步骤1110、对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用。
在本实施例中，图12e为对露出的第二金属布线层进行蚀刻的示意图，如图12e所示，对露出的第二金属布线层23进行蚀刻后，将在第二金属布线层23上形成至少一个第二图形25，其中，第二图形25将起到绕组的作用，第一图形和第二图形通常围绕磁柱至少一圈。另外，第一图形14和第二图形25可以是相同的图形，也可以是不同的图形，本实施例对此不作限定。
步骤1108-步骤1110与步骤807-步骤809类似，此处不再赘述。
需要说明的是，在上述各实施例的基础上，为了提高磁性元件制作的效率，可以将形成有第一图形的多个磁芯进行整体组装，即将磁芯的各个磁柱上分别制作好第一图形后，再进行组装成一个完整的磁性元件。
图13为本发明一实施例提供的磁性元件的部分结构示意图，如图13所示，该磁性元件包括：磁芯31和第一金属布线层32，其中，第一金属布线层32覆盖在磁芯的至少一段磁柱的表面，其中，部分第一金属布线层32被蚀刻形成有至少一个第一图形33，第一图形33为围绕磁柱的立体的螺旋型，磁柱穿过了第一图形33的中间，第一图形33起到围绕磁柱的绕组的作用。
具体地，磁芯31可以为由一段磁柱构成的圆环，也可以为由多段磁柱构成的三角环、回字型或者其他的形状等，对于磁芯的具体结构，本实施例在此不作限制。在一种可能的实施方式中，磁芯31为由至少一段磁柱首尾相接组成的环状体，如为首尾相接组成的回字型结构，其中，该磁芯31包含了一个口字型的窗口。
在磁芯31的至少一段磁柱的表面覆盖有第一金属布线层32，其中，第一金属布线层32为导电层，且第一金属布线层32的材料为铜或铜合金。另外，部分第一金属布线层32被蚀刻，形成有至少一个第一图形33，其中，第一图形33起到绕组的作用，第一图形通常围绕磁柱至少一圈。
本发明实施例提供的磁性元件，包括磁芯和第一金属布线层，其中，第一金属布线层覆盖在磁芯的至少一段磁柱的表面，部分第一金属布线层被蚀刻形成有至少一个第一图形以起到绕组的作用，由此可以提高磁性元件的空间利用率。
可选地，在上述实施例的基础上，该磁性元件还包括第一金属保护层，其中，第一金属保护层覆盖在第一布线层除被蚀刻部分之外的区域。
具体地，在第一布线层没有被蚀刻的部分上，还覆盖有第一金属保护层，其中，可以将第一金属保护层的材料设置为锡、锡合金、金或金合金中的任意一种，可以根据不同金属的保护能力的不同，调整第一金属保护层的厚度，例如若第一金属保护层的材料为锡或锡合金，第一金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，若第一金属保护层的材料为金或金合金，第一金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
可选地，在上述各实施例的基础上，该磁性元件还包括第一过渡层，该第一过渡层覆盖在磁芯的至少一段磁柱的表面上，第一金属布线层覆盖在第一过渡层上。
具体地，第一过渡层可以为由绝缘材料构成的绝缘层。该第一过渡层通常具备以下功能：(1)绝缘功能(2)结合力增强功能(3)应力释放功能(4)磁芯保护(5)表面平整功能，和前述类似，不再赘述。
可选地，在图13所示实施例的基础上，该磁性元件还包括第二过渡层和第二金属布线层，其中，第二过渡层形成在第一金属布线层外，第二过渡层包括至少一个孔；第二金属布线层覆盖在第二过渡层上，该第二过渡层的孔用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层；其中，第二金属布线层被蚀刻形成有至少一个第二图形以起到绕组的作用。
具体地，若磁性元件包括两层布线层时，该磁性元件还将包括形成在第一金属布线层外的第二过渡层，其中，该第二过渡层中包括至少一个孔，分别作为输入和输出，且该孔可以用于电性连接第一金属布线层和第二金属布线层。另外，第一金属布线层被蚀刻形成的至少一个第一图形和第二金属布线层被蚀刻形成的至少一个第二图形可以相同，也可以不同。
当磁性元件包括两层布线层时，该磁性元件还包括第二金属保护层，该第二金属保护层覆盖在第二金属布线层除被蚀刻部分之外的区域。
具体地，第二金属保护层的材料为锡、锡合金、金或金合金中的任意一种。另外，可以根据不同金属的保护能力的不同，调整第二金属保护层的厚度，例如若第二金属保护层的材料为锡或锡合金，第二金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，若第二金属保护层的材料为金或金合金，第二金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
可选地，在上述各实施例的基础上，第一图形所覆盖的磁芯区域的表面不低于第一图形未覆盖的磁芯区域的表面，即磁柱上第一布线层被蚀刻的区域的表面高于或等于没有被蚀刻的区域。
可选地，在上述实施例的基础上，为了使位于侧壁的绕组图形更易于直写，在多层布线的情况下，应优先考虑侧壁在容易平整的情况下进行图形的直写。例如，对一个三层的变压器结构而言，优选副边(匝数较少，以一匝为优)-原边(匝数较多)-副边(匝数较少，以一匝为优)的结构，此时可以保证变压器的原副边耦合良好，且位于两侧副边中间的原边匝数较多时，侧壁形态相对平整可以有效降低直写难度，提高效率与良率。
可选地，在上述实施例的基础上，为了使直写制程更加容易，可以对过渡层材料进行平整化工艺处理(如研磨等)以获取平整表面。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (26)

1.一种磁性元件的制造方法，其特征在于，包括：
在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层；
在所述第一金属布线层上形成第一金属保护层；
通过直写技术去除部分所述第一金属保护层，以露出部分的所述第一金属布线层；
对露出的所述第一金属布线层进行蚀刻，使所述第一金属布线层形成至少一个第一图形以起到绕组的作用，所述第一图形围绕所述磁柱至少一圈。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面形成第一过渡层；
在所述第一过渡层上形成所述第一金属布线层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对露出的所述第一金属布线层进行蚀刻的步骤之后，所述方法还包括：
去除剩余的所述第一金属保护层。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在磁芯的至少一段磁柱的表面形成第一金属布线层，包括：
通过电镀或者化学镀技术在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面，形成由铜或铜合金构成的所述第一金属布线层。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一金属布线层上形成第一金属保护层，包括：
通过电镀或化学镀技术在所述第一金属布线层上，形成由锡、锡合金、金或金合金构成的所述第一金属保护层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一金属保护层的材料为锡或锡合金，所述第一金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，所述第一金属保护层的材料为金或金合金，所述第一金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁芯为由至少一段所述磁柱首尾相接组成的环状体。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在直写时，所述直写的入射角大于或等于5°。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面形成第一过渡层，包括：
通过喷涂、浸渍、电泳、静电喷涂、化学气象沉积、物理气象沉积、蒸镀或印刷的方式在所述磁芯的至少一段所述磁柱的表面，形成所述第一过渡层。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
在所述第一金属保护层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上形成第二金属保护层；
通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
在所述第一金属保护层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上设置光阻层；
对所述光阻层曝光以露出部分的所述第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层起到绕组的作用。
12.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对露出的第一金属布线层进行蚀刻之后，所述方法还包括：
去除剩余的所述第一金属保护层；
在蚀刻后的所述第一金属布线层外形成第二过渡层，所述第二过渡层包括至少一个孔；
在所述第二过渡层上形成第二金属布线层，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；
在所述第二金属布线层上形成第二金属保护层；
通过直写技术去除部分第二金属保护层，以露出部分的第二金属布线层；
对露出的第二金属布线层进行蚀刻，使所述第二金属布线层形成至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
13.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层为由绝缘材料构成的绝缘层。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将形成有所述第一图形的多个所述磁芯进行整体组装。
15.一种磁性元件，其特征在于，包括：
磁芯；
第一金属布线层，所述第一金属布线层覆盖在所述磁芯的至少一段磁柱的表面，其中，部分所述第一金属布线层被蚀刻形成有至少一个第一图形以起到绕组的作用，所述第一图形围绕所述磁柱至少一圈。
16.根据权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，还包括：
第一金属保护层，所述第一金属保护层至少部分的覆盖在第一布线层除被蚀刻部分之外的区域。
17.根据权利要求16所述的磁性元件，其特征在于，所述第一金属保护层包含锡、锡合金、金或金合金。
18.根据权利要求16或17所述的磁性元件，其特征在于，还包括：
第一过渡层，所述第一过渡层覆盖在所述磁芯的至少一段磁柱的表面上，所述第一金属布线层覆盖在所述第一过渡层上。
19.根据权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，还包括：
第二过渡层，所述第二过渡层形成在所述第一金属布线层外，所述第二过渡层包括至少一个孔；
第二金属布线层，所述第二金属布线层覆盖在所述第二过渡层上，所述第二过渡层的所述孔用于电性连接所述第一金属布线层和所述第二金属布线层；其中，所述第二金属布线层被蚀刻形成有至少一个第二图形以起到绕组的作用，所述第二图形围绕所述磁柱至少一圈。
20.根据权利要求19所述的磁性元件，其特征在于，还包括：
第二金属保护层，所述第二金属保护层至少部分的覆盖在所述第二金属布线层除被蚀刻部分之外的区域。
21.根据权利要求19所述的磁性元件，其特征在于，所述第一金属布线层和所述第二金属布线层的材料为铜或铜合金。
22.根据权利要求20所述的磁性元件，其特征在于，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为锡、锡合金、金或金合金中的任意一种。
23.根据权利要求22所述的磁性元件，其特征在于，
所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为锡或锡合金，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的厚度范围为1-20um；或者，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的材料为金或金合金，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层的厚度范围为0.1-2um。
24.根据权利要求18所述的磁性元件，其特征在于，所述第一过渡层为由绝缘材料构成的绝缘层。
25.根据权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，所述磁芯为由至少一段磁柱首尾相接组成的环状体。
26.根据权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，所述第一图形所覆盖的磁芯区域的表面不低于所述第一图形未覆盖的磁芯区域的表面。
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