CN110007555B - 图案描绘方法、光掩模及其制造方法、显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及图案描绘方法、光掩模的制造方法、光掩模、以及显示装置的制造方法。降低图案CD的变动，得到稳定的成品率。图案描绘方法包括：校正工序，依据预先求出的校正值来校正设计图案数据，从而得到校正图案数据，该校正值以使通过对光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等的方式求出；以及描绘工序，应用校正图案数据，利用描绘装置来进行描绘。描绘装置在与光掩模基板面平行的面内，在X方向和与X方向垂直的Y方向上通过CD控制精度不同的驱动方式被驱动。在校正工序中，通过在设计图案数据中对孔/点图案的CD进行如下校正而得到校正图案数据，在该校正中，使在X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

Description

图案描绘方法、光掩模及其制造方法、显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及用于制造电子设备的光掩模，特别涉及对用于制造以液晶显示面板(LCD)、有机EL显示器(OLED)等为代表的显示装置的光掩模有用的光掩模的制造方法，以及在该制造方法中使用的图案描绘方法。

背景技术

在专利文献1(以后，称为文献1)中记载了在制造光掩模时，校正在显影阶段产生的图案线宽变化并进行曝光的方法。该曝光方法包括如下阶段：通过具备规定的线宽的测试图案而在光掩模基板上形成测定图案的阶段；将光掩模基板上的区域分割成网格，针对各个网格来测定所述测定图案的线宽，并决定所测定的线宽与所述测试图案的线宽之差即图案线宽变化量ΔCD的阶段；制作图表的阶段，该图表表示自任意确定的基准网格的距离为r的网格的所述测定的图案线宽变化量ΔCD(r)相对于所述距离r的分布；根据所述图表来预测光掩模基板上的自所述基准网格的距离为x的任意的地点的图案线宽变化量ΔCD(x)的阶段；针对所述光掩模基板上的各个地点，为了使所述预测的图案线宽变化量ΔCD(x)为负的区域的图案线宽扩大，使所述预测的图案线宽变化量ΔCD(x)为正的区域的图案线宽缩小而对图案线宽数据进行校正的阶段；以及将针对所述光掩模基板上的各个地点进行校正而得到的图案线宽数据应用于曝光装备的阶段。

专利文献

专利文献1：日本特开2003-107665号公报

发明内容

根据文献1，在制造半导体装置制造用的光掩模时，针对在显影阶段中产生的图案线宽变化进行补偿从而提高图案线宽的均匀度。

但是，根据本发明人的研究，在制造光掩模时除了在显影阶段产生的图案的线宽变化以外，还存在使图案线宽(即CD：Critical Dimension：特征尺寸)发生变化的要因。例如，在光掩模的制造过程中，还存在由描绘装置引起的CD误差，或者在利用光掩模而在被转印体上曝光图案的阶段、曝光后的图案的显影等各种阶段中，都存在导致CD变化的要因。因此，仅通过文献1的方法，通过光掩模的曝光是难以得到优异的装置(显示装置等)的。

因此，本发明以如下事项为课题而完成：在制造作为最终产品的电子设备(例如显示装置)时，降低图案CD的变动，得到稳定的成品率和生产效率。

(第1方式)

本发明的第1方式为一种图案描绘方法，其用于根据规定的设计图案数据而在光掩模基板上进行描绘，来形成具有包括孔/点图案的转印用图案的光掩模，

该图案描绘方法的特征在于，包括：

校正工序，其中，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等；以及

描绘工序，其中，应用所述校正图案数据，利用描绘装置进行描绘，

所述描绘装置在与所述光掩模基板面平行的面内，在X方向和与所述X方向垂直的Y方向上通过CD控制精度不同的驱动方式被驱动，

在所述校正工序中，通过在设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第2方式)

根据上述第1方式所述的图案描绘方法，本发明的第2方式的特征在于，

在所述校正工序中，求出所述转印用图案的孔/点图案的目标面积，在该目标面积下，在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等，

通过根据所述转印用图案的孔/点图案的目标面积而在所述设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第3方式)

本发明的第3方式为一种图案描绘方法的特征在于，其用于根据规定的设计图案数据而在光掩模基板上进行描绘，来形成具有包括孔/点图案的转印用图案的光掩模，

该图案描绘方法的特征在于，包括：

校正工序，其中，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的面积与目标值相等；以及

描绘工序，应用所述校正图案数据，利用描绘装置进行描绘，

所述描绘装置在与所述光掩模基板面平行的面内，在X方向和与所述X方向垂直的Y方向上通过CD控制精度不同的驱动方式被驱动，

在所述校正工序中，通过在设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第4方式)

根据第3方式所述的图案描绘方法，本发明的第4方式的特征在于，

在所述校正工序中，求出所述被转印体上的孔/点图案的目标面积，

根据所述被转印体上的孔/点图案的目标面积而求出所述转印用图案的孔/点图案的目标面积，

通过根据所述转印用图案的孔/点图案的目标面积而在所述设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第5方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第5方式的特征在于，

所述描绘装置为利用激光束来进行描绘的激光描绘装置。

(第6方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第6方式的特征在于，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于对所述光掩模进行曝光的曝光装置的分辨率极限尺寸。

(第7方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第7方式的特征在于，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm。

(第8方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第8方式的特征在于，

在所述描绘装置中，激光束在于X方向上以固定的进给宽度进行了进给动作之后，于Y方向上进行固定宽度的照射动作，所述描绘装置通过反复交替地进行这些动作而在光掩模基板上进行描绘。

(第9方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第9方式的特征在于，

在所述校正工序中，用CD校正值替换所述设计图案数据的CD而得到校正图案数据，该CD校正值是以使所述设计图案数据中所包含的孔/点图案的面积与所述光掩模基板上的孔/点图案的面积相等的方式而求出的。

(第10方式)

根据上述第1至第4方式中的任一方式所述的图案描绘方法，本发明的第10方式的特征在于，

得到预备掩模的工序，该预备掩模是在所述校正工序之前利用所述描绘装置进行图案描绘而得到的；以及

校正值掌握工序，通过所述预备掩模的X-CD和Y-CD来掌握所述校正值。

(第11方式)

本发明的第11方式为一种光掩模的制造方法，其包括上述第1至第4方式中的任一方式所述的的图案描绘方法。

(第12方式)

本发明的第12方式为一种光掩模，其具备包括多个孔/点图案的转印用图案，

该光掩模的特征在于，

所述转印用图案中的多个孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm，

所述转印用图案中的多个孔/点图案包含孔/点图案组，该孔/点图案组的孔/点图案具有X-CD彼此不同且面积彼此相等的四边形形状。

(第13方式)

本发明的第13方式为一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备上述第12方式所述的光掩模的工序；以及

利用光学系统的数值孔径为0.08～0.20的曝光装置而将所述转印用图案转印到被转印体上的工序。

(第14方式)

本发明的第14方式为一种显示装置的制造方法，其包括通过对根据规定的设计图案数据而形成的光掩模进行曝光，来将光掩模的转印用图案转印到被转印体上，

该显示装置的制造方法的特征在于，包括：

校正工序，其中，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等；以及

描绘工序，其中，应用所述校正图案数据，利用描绘装置对光掩模基板进行描绘，

对所述光掩模基板实施显影以及蚀刻而形成具有所述转印用图案的光掩模的工序；以及

利用曝光装置对所述光掩模进行曝光而在被转印体上形成孔/点图案的工序，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm，

在所述校正工序中，通过对所述设计图案数据中的所述孔/点图案的CD进行如下校正而得到校正图案数据，在该校正中，使X方向上的X-CD和Y方向上的Y-CD中的、所述描绘装置的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第15方式)

根据上述第14方式所述的显示装置的制造方法，本发明的第15方式包括：

得到预备掩模的工序，该预备掩模是在所述校正工序之前利用所述描绘装置进行描绘而得到的；以及

校正值掌握工序，通过所述孔/点图案的CD来掌握所述校正值，所述孔/点图案是通过所述曝光装置对所述预备掩模进行曝光而在被转印体上形成的。

发明效果

通过应用本发明，能够准确地校正在光掩模的描绘中使用的设计图案数据，并通过对被校正的光掩模进行曝光，来提高在被转印体(即，用于制造设备的被加工体)上得到的转印像的CD精度。

附图说明

图1的(a)是具备孔图案的二进制掩模的俯视概略图，图1的(b)以及(c)是针对X方向以及与X方向垂直的Y方向的CD来测定相对于正方形的孔图案的设计尺寸的、掩模上的CD误差，并进行描点而成的图。

图2是示意性地示出激光描绘装置的激光束的进给动作的图。

图3是示出Y方向上的图案的CD控制的情形的图。

图4是示出X方向上的图案的CD控制的情形的图。

图5是示出作为仿真对象的掩模图案的例子的图。

图6是在对曝光图5所示的掩模图案进行曝光时形成在被转印体上的空间像，并且是在与图5的各个掩模图案中所示的虚线对应的位置处虚拟地切断而得到的被转印体上的空间像。

图7是示出针对各个尺寸的孔图案而使X-CD、Y-CD变化时的转印像上的X-CD的变动量的图。

图8是示出光学仿真的结果的图。

具体实施方式

现在，在显示装置的领域中，强烈要求像素的微细化、高集成化，并且要求更加明亮且省电，并希望提高高速显示、宽视角这样的显示性能。

例如，从在上述显示装置中使用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)来讲，构成TFT的多个图案中，如果形成于层间绝缘膜的接触孔不具备使上层以及下层的图案可靠地连接的作用，则无法保证正确的动作。另一方面，伴随着例如为了极力扩大液晶显示装置的孔径比而实现明亮且省电的显示装置，要求接触孔的直径(CD)足够小等显示装置的高密度化的要求，希望孔图案的直径也实现微细化(例如小于3μm)。例如，需要直径为0.8μm以上且小于3μm的微细的孔图案，并且需要能够稳定且有效地形成该孔图案的技术。

另外，与显示装置相比，在集成度高且图案的微细化显著地被提高了的半导体装置(LSI)制造用光掩模的领域中，存在如下的经过：为了得到较高的分辨率，对曝光装置中应用高数值孔径NA(例如，超过0.2)的光学系统，从而促进了曝光光的短波长化。其结果，在该领域中，使用了KrF、ArF的准分子激光(分别为248nm、193nm的单一波长)。在用于制造光掩模的描绘装置中，采用EB(电子束)描绘装置。

另一方面，在显示装置制造用的光刻领域中，为了提高分辨率，一般情况下不应用上述的手法。例如，在该领域中使用的曝光装置所具有的光学系统的NA(数值孔径)为0.08～0.2左右。并且，曝光光源也大多使用i线、h线或g线，通过使用主要包括这些i线、h线或g线的宽波长光源，从而得到用于照射大面积(例如，一边为300～2000mm的四边形)的光掩模的光量，重视生产效率、成本的倾向较强。

在该状况下，如上述那样，在显示装置的制造中图案的微细化要求变高。在此，在将半导体装置制造用的技术直接应用于显示装置的制造中的情况下，存在几个问题。例如，向具有高NA(数值孔径)的高分辨率的曝光装置转换存在技术上的困难，并且需要较大的投资。并且，对于曝光波长的变更(例如，在半导体装置的制造中，针对ArF准分子激光这样的短波长使用单一波长)，如果应用于具有较大面积的显示装置，除了生产效率会下降之外，还需要相当大的投资。也就是说，显示装置制造用光掩模的问题在于，无法在追求以往没有的图案的微细化的同时保证现有的优点即成本、效率。

在显示装置制造用的曝光装置中，可分辨的图案(例如，孔图案)的极限尺寸大多为3μm左右。而作为显示装置制造用的光掩模，有时需要接近3μm的尺寸或低于该尺寸的小于3μm的CD的孔/点图案。因此，需求即便是针对曝光装置无法保证的微细CD，也要精致地转印的方法。

[CD校正的必要性]

在制造显示装置时，强烈需要CD(Critical Dimension，在以下以图案宽度的意思来使用)以期望的尺寸稳定地形成的较小的孔图案、点图案。另一方面，因为针对光掩模进行曝光，在被转印体(显示面板基板等)上形成的这些图案的尺寸会变得不符合设计，发生变动的要因存在有如下几个原因。

例如，在光掩模的制造工序中，存在光掩模所具备的孔图案或点图案的CD偏离于设计值的情况。

虽然在下面，主要以形成孔图案的情况为例进行说明，但本发明不仅适用于孔图案，还适用于点图案。与此相关，在本说明书中将“孔图案或点图案”简化而表述为“孔/点图案”。

在光掩模的制造中，首先，根据要得到的设备(显示装置等)的设计而进行光掩模的设计，从而生成描绘用的图案数据(设计图案数据)。然后，使用该设计图案数据，利用描绘装置在光掩模基板上进行描绘。光掩模基板既可以是在透明基板上形成被用作光掩模图案的光学膜(遮光膜等)以及抗蚀剂膜而得到的光掩模坯料，或者也可以是为了在对层叠的光学膜的一部分进行构图之后进行进一步的构图而形成了光学膜、抗蚀剂膜的光掩模中间体。被进行了描绘的这些光掩模基板被转移到显影工序。将通过显影而形成的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而进行光学膜的构图，从而能够得到具备转印用图案的光掩模。在理想情况下，所得到的光掩模的设计应该是如实地反映了设计图案数据的设计，光掩模上的图案CD应该符合设计图案数据所示的数据。

但是，随着要处理的图案的微细化，在测定所得到的光掩模的CD时，有时在所测定到的CD与基于设计图案数据的CD之间会产生偏差。作为该原因，存在如下原因：例如在由描绘装置所具备的激光振荡器分割而成的多个激光束中存在输出的个体差的情况，或者激光头的驱动中产生的微小的变动等，其中包含以相同的倾向再现性地产生的CD误差。

在这样的情况下，通过预备性地使用规定的设计图案数据进行描绘来制作预备掩模，并测定所形成的转印用图案的CD、来掌握CD误差倾向，并以反映该CD误差倾向的方式来校正实际要得到的光掩模的设计图案数据，考虑如果通过这样的方式，能够得到符合设计的光掩模(情况1：掩模CD不良的情况)。

并且，在利用光掩模而通过曝光装置在被转印体(显示器面板基板等)上进行图案转印的情况下，在所得到的转印像上有时会产生与作为目标的CD之间的误差。这样的情况，即使在所使用的光掩模所具备的转印用图案中没有产生CD误差的情况下，也存在(情况2：面板CD不良的情况)。

作为情况2的原因，例如有如下情况：在曝光前，形成在被转印体上的抗蚀剂膜的膜厚产生了面内分布的情况、或者在显影的过程中，在显影液的供给中产生了面内偏移的情况下等，根据被转印体上的位置的不同，本应当为相同的CD产生了偏差。特别是，在显示装置用的基板(母玻璃等)尺寸较大(一个边超过1000mm～3000mm等)的情况下，因抗蚀剂涂布装置、显影装置的结构、湿法处理的液流等，无法完全避免面内的处理条件不均匀的情况。

并且，在曝光光掩模时所使用的曝光装置中，有时也会因装置结构上的原因会产生面内的光量分布。

考虑即使在上述那样的处理条件、曝光条件的面内不均匀时，只要使用的是相同的装置，则对于以再现性的方式出现的CD误差，能够通过掌握该倾向并采取用于降低该倾向的策略来降低影响。具体而言，能够推测出：使因这些面内不均匀要因而产生的转印像的CD不均匀化预先在光掩模的图案数据中反映出来，并进行校正以抵消掉因这些不均匀而产生的CD的增加、减少的倾向。

[关于CD校正的困难性]

因此，例如，考虑在光掩模制造过程中因该描绘装置而引起的CD误差。对预备形成的光掩模进行CD测定，在该CD与基于设计图案数据的CD不同的情况下，会预先抵消掉该CD误差，因此，应该能够校正设计图案数据的CD。例如，根据基于光掩模的CD测定得到的结果，如果光掩模上的孔图案的X-CD(X方向的CD还称作X-CD)过大，则考虑在设计图案数据中进行减少对应的孔图案的X-CD的校正，或者如果Y-CD(Y方向的CD还称作Y-CD)过小，则考虑进行增加设计图案数据中的对应的Y-CD的校正即可。然而，根据本发明人的研究，这样的设计图案数据的校正有时会产生不能得到满意的结果的情况。

[基于描绘的X-CD、Y-CD的控制性的差异]

下面，以将孔图案作为转印用图案的光掩模为例进行说明。光掩模所具备的孔图案(在此，还称为掩模孔图案)例如在用作在被转印体上形成接触孔的转印用图案的情况下是有用的。并且，在该图案中为了实现现在的高精细的显示装置，微细化的倾向显著。

另一方面，作为微细的CD，例如举例有具有比在光掩模的曝光中所使用的曝光装置的分辨率极限尺寸小的尺寸的图案。生成具备这样的微细的图案的显示设备的例子不在少数。在具备这样的CD的图案的情况下，在光掩模的制造上也会出现困难，在光掩模上难以形成具有符合设计的准确尺寸的图案。

另外，通过以下的公式来定义曝光装置的分辨率极限尺寸R。

R＝k×(λ/NA)

系数k为常数，在此为0.61。并且，λ为在曝光中所使用的光的波长。例如，在使用包含i线、h线、g线等多个波长的光(还称为宽波长光)的情况下，作为波长λ，使用多个波长的平均值(考虑了所包含的波长的光强度而权重平均)。或者，简单地将代表波长(例如i线)作为波长λ。并且，NA为曝光装置的投影光学系统的掩模侧的数值孔径。

这样，在光掩模制造的过程中，作为难以形成符合设计的转印用图案的原因，与如下情况有关：伴随图案微细化的倾向，即便对于在描绘图案时所使用的描绘装置而言，其CD精度也不够。

因此，本发明人对光掩模所具备的CD精度进行了验证。在此，在为了在被转印体上形成孔图案，而欲在光掩模上形成正方形的孔图案(冲孔图案)的情况下，对其CD控制性进行了研究。

准备了在由透明材料构成的基板上成膜出Cr类的遮光膜，并在其表面形成正型光致抗蚀剂膜而得到的光掩模坯料。然后，利用激光描绘装置，在光致抗蚀剂膜上描绘出多个一个边为设计尺寸W1(μm)的正方形的孔图案。在此，W1从5.5μm起逐渐变小，变化到约1.0μm为止。

在描绘之后，通过显影而形成抗蚀剂图案，并将该抗蚀剂图案作为掩模而对遮光膜进行湿蚀刻，从而在光掩模基板上制作了具有孔图案的二进制掩模(图1的(a))。

接下来，测定了所形成的二进制掩模的孔图案的尺寸。即，针对X方向以及与该X方向垂直的Y方向的CD(分别称作X-CD和Y-CD)来测定，二进制掩模上的相对于正方形的孔图案的设计尺寸的CD误差，进行描点而得到图1的(b)以及(c)。

在图1的(b)、(c)中均为，随着作为设计尺寸的CD从5.5μm起而变小，二进制掩模的X-CD以及Y-CD的误差向负侧变化，然后，当作为设计尺寸的CD小于3μm时，二进制掩模的CD误差量的绝对值急剧变大。

另一方面，上述动作在X-CD与Y-CD中是不同的。Y-CD的误差量的变化描绘出圆滑的曲线，与此相对，在X-CD的误差量的变化中可见到不规则的凹凸。当与Y-CD比较时，X-CD的误差量的变化不稳定，难以预测。

此时所使用的描绘装置为激光描绘装置，激光束在X方向上以固定的进给宽度进行了进给动作之后，在Y方向上进行固定宽度的照射动作，通过反复交替地进行这些动作而在光掩模基板上进行描绘。即，对于在光掩模上形成的图案的CD精度，X方向和Y方向的CD控制性会因描绘装置的驱动机构而产生差异。

图2示意性地示出上述描绘装置的束的进给动作。在此，示出了在反复执行以规定的进给宽度使规定的束直径(在此示出的是单束描绘机的情况)的激光束在X方向上进给并在之后以规定的宽度在Y方向上进行扫描的动作的同时，在整个描绘区域进行描绘的情形。另外，关于这些动作，既可以仅通过射出激光束的头的移动来实现，并且也可以通过移动与搭载了光掩模基板的搭载台之间的相对位置来实现上述动作。

图3、图4示出了X、Y各自方向上的图案的CD控制的情形。可通过接通/断开(ON/OFF)激光束的电源来控制图案的Y-CD(图3)。另一方面，可通过激光束的排列宽度(和根据需要来调整端部的激光束的功率)来控制X-CD(图4)。即，由于X-CD和Y-CD的控制方法不同，因此在控制精度上也会产生差异。如果结合图1的(b)、(c)的结果来考察，则可推断出：在该描绘装置中，与X-CD的控制相比，Y-CD的控制精度高，在图案数据上进行CD校正的情况下再现性良好，能够将所谋求的校正值反映在描绘中，得到预定的效果。

并且，在上述中，对在激光束于X方向上以固定的进给宽度进行进给动作之后，在Y方向上以固定宽度进行扫描的同时进行激光照射、并通过反复交替地进行这些动作来进行描绘的描绘装置进行了说明，但不限定于该方式。例如，激光束的照射动作除了针对在Y方向上延伸的固定宽度的区域、在扫描的同时使照射开启/关闭(ON/OFF)的动作(扫描照射)之外，也可以是对该固定宽度的区域进行伴随于调整功率的一次性照射的动作(单次照射)。并且，不限于激光，只要能够实现本发明的效果，即使是针对其他的能量束(例如LED等)，也能够应用后述的本发明。

进而，在上述中，对单束进行了说明，但是在使多个(多)束进行动作而进行描绘的描绘装置中，有时X方向的CD控制精度和Y方向的CD控制精度不相同，而在该情况下当然也可以应用本发明。

[光掩模上的CD和被转印体上的CD的关系]

另外，在被转印体上形成的图案CD表示面内不均匀的CD误差的情况下，可采用如下方法：针对产生有CD误差的每个图案而在用于制造光掩模的图案数据中进行恰当的CD校正，从而消除该缺陷。因此，在使光掩模的X-CD、Y-CD变化规定量的情况下，针对在被转印体上形成的空间像(光强度分布)如何变化、和转印在被转印体上的图案的CD会产生怎样的变化，通过进行光学仿真而进行了研究。

图5示出了作为仿真对象的掩模图案的例子。一般情况下，在被转印体上形成接触孔等孔图案时，孔图案的形状为正方形。在此，使被转印体上的抗蚀剂为正型，并准备具备正方形的冲孔图案(A)的光掩模，将其直径(1个边的长度)形成为10.0μm(参考例1)和2.0μm(参考例2)。

(B)为针对上述两个正方形图案(A)而使X-CD增加了0.025μm的图案(分别为参考例3、4)。

(C)为针对上述两个正方形图案(A)而使Y-CD增加了0.025μm的图案(分别为参考例5、6)。

在图5中，X和Y表示在光掩模面内表示相互垂直的方向，与在图1、图2中说明的与描绘装置的驱动方式有关的X、Y的方向无关。

所应用的仿真条件如下。

曝光装置的光学系统：NA＝0.08，相干因素σ＝0.7

曝光波长为包括g线、h线、i线的宽波长光，其强度比为g：h：i＝1：1：1。

在图6中示出了对图5所示的掩模图案进行曝光时在被转印体上形成的空间像。另外，该空间像为，在与图5的各图案中所示的虚线对应的位置进行虚拟地剖切而得到的被转印体上的空间像(光强度分布)。

通过图6，明确了以下要点。在CD比较大时(图6的(a)、(b))，掩模上的CD的变化相对而言会如实地反映在被转印体上的空间像上。在此，掩模的X-CD的增加以空间像上的X方向的CD的增加而呈现出。掩模上的Y-CD的增加不会对空间像的X方向的CD造成影响。

另一方面，当孔CD的绝对值变小而小于曝光装置的分辨率极限尺寸时(图6的(c)、(d))，在掩模上无论是使X-CD增加还是使Y-CD增加，在所呈现出的空间像中，X方向的CD的增加几乎都是相同的。在该情况下，可以发现，相比于掩模上的孔图案所具有的X-CD、Y-CD的尺寸而言，被转印体上的空间像与该孔图案的面积更加相关。也就是说，可预测到对于面积相同的孔图案，会描绘出几乎相同的空间像，由此能够预测出，只要不存在光掩模以外的要因，在被转印体上得到的孔/点图案的CD也几乎相同。

此时，形成在被转印体上的转印像中会产生无法忽视的程度的光的衍射的影响，因此掩模上的四边形的图案的角也会带圆角，而变得接近圆形。因此，在这种程度的微细的CD中，对于被转印的孔图案的CD进行X-CD、Y-CD的区分的意义不大，该CD会变得接近近似圆的直径。在该情况下，有时将形成在被转印体上的孔/点图案的X-CD、Y-CD的平均值简单地称为CD。

根据图7，能够更明确地理解该现象。在此，示出了针对具有为正方形(X-CD＝Y-CD)且一个边为1.5～10μm的6种孔图案的光掩模，分别进行仅使X-CD(条形图左侧)或仅使Y-CD(条形图右侧)增加0.025μm的校正的情况下，在被转印体上形成的孔图案的X-CD变动量。在此，随着X-CD、Y-CD变小，通过提高与之对应的曝光光的照射光量，从而在被转印体上形成目标CD(在此，与光掩模上的CD同样，是1.5～10μm的各个CD)的孔图案。

另外，在图7中，X和Y表示在光掩模的面内以及被转印体的面内相互垂直的方向，与在图1、图2中说明的与描绘装置的驱动方式有关的X、Y方向无关。

由此，在CD比较大的情况下，掩模上的X-CD的校正被反映在被转印体上的X-CD上。另一方面，随着CD被微细化，仅针对掩模上的X-CD的校正和仅针对Y-CD的校正均成为使被转印体上的X-CD变化的要因。特别是，在具有小于3μm的CD的情况下，该倾向较为显著，可以知晓，在为2μm以下的CD时，无论是对掩模上的X-CD的校正还是对Y-CD的校正，对于被转印体上的转印像的X-CD都发挥几乎相同的作用。并且，在此，转印像中的CD变化量会变大并超过X-CD的校正量(0.025μm)。这表示：受到了随着图案的微细化、被转印体上的CD差相对于掩模上的CD差的扩大的现象(MEEF：Mask Error Enhancement Factor的增加)的影响。

通过上述情况可知，在校正光掩模的设计图案数据的情况下，无需均等地向X-CD和Y-CD分配校正量，无需在校正前同样地采用正方形的图案。并且，从图1的见解可知，在CD精度的控制性良好的方向(对于上述描绘装置来说，为Y-CD的方向)上进行校正的方式更加有利。其原因是：如果从X-CD的描绘精度出发来进行判断，CD误差的再现性低，在进行X-CD的校正时，存在校正后产生新的CD误差的风险。考虑该情况，优选为不对X-CD进行校正，而是尽量仅通过对Y-CD的校正来提高被转印体上的转印像的CD精度。

其结果，在校正图案数据中，除了无校正的正方形的图案之外，还包含作为仅在描绘精度高的方向上实施CD校正后的结果的、X-CD彼此之间相互不同(Y-CD彼此之间为固定)或Y-CD彼此之间相互不同(X-CD彼此之间为固定)的多个四边形(长方形)的图案数据。并且，利用该校正图案数据进行描绘所得到的光掩模包括虽然形状彼此不同但面积彼此相等的孔/点图案的组。就是说，包括1组以上的如下组合：该组合是，X-CD相互不同(因此，Y-CD不同)且面积相等的四边形形状的孔/点图案的组合，还将其称为相同面积的孔/点图案组。

根据该结果，可判断出以下的情况。即，在对光掩模的设计图案实施CD的校正时，考虑描绘装置的结构，在X-CD以及Y-CD当中，仅对CD控制精度高的一方的CD进行校正是有效的。通过该方法，可在光掩模上得到具备相同的所需面积的、的孔/点图案组，通过针对该光掩模曝光，容易获得如下校正效果：该校正效果用于在被转印体上获得具备符合设计的CD的孔/点图案。

在此，对于CD的控制性高一方的CD，能够通过预先掌握描绘装置的控制性的倾向来确定。

另外，光掩模的描绘装置中的CD控制不限定于图3、图4中记载的情况，在X-CD与Y-CD的控制精度产生差的描绘装置中，也可进行与上述相同的考察。

作为CD控制性高的方向的更为定量地进行判断的方法，在图1的(b)和(c)所示的曲线中，在看不到朝向CD误差量的负方向凹陷的2.5μm以上的设计尺寸中,分别计算出CD误差量的标准差，并可以将标准差小的一方作为CD控制性高的方向。在图1中，显然Y方向(图1的(c))的标准差较小。

并且，也可以针对各设计尺寸中的CD误差量，利用近似曲线而进行最小二乘方拟合，分别计算出近似曲线与CD误差量之差即标准差，并将标准差小的一方作为CD控制性较高的方向。

这样的校正方法在将掩模图案的X-CD或Y-CD(优选为，X-CD和Y-CD)应用于接近曝光装置的分辨率极限尺寸R的微细图案的情况下尤其有效。在显示装置制造用的投影曝光装置中，一般分辨率极限尺寸R为如下所示。在此，作为系数k可应用0.061。并且，NA的值可以设为0.08以上(更具体而言，0.08～0.2)，由此，考虑将3.0μm左右作为分辨率极限尺寸，大致地将小于3.0μm的尺寸视为小于分辨率极限尺寸。将来，如果NA的值上升(例如，成为0.1～0.2程度的情况等)，分辨率极限尺寸R的值也会变化，因此虽然作为本发明的应用对象的孔/点图案的CD会发生变化，但本发明的手法同样适用。

R＝k*λ/NA

例如，在上述的例子中，描绘装置的Y-CD的控制精度高于X-CD的控制精度，因此优选仅通过校正掩模图案的Y-CD来形成具有所需的面积的孔/点图案的光掩模。在此，所需的面积是指，为了在被转印体上形成具有所需的CD的孔/点图案，作为光掩模上的孔/点图案所需的面积。另外，当为了得到上述所需的面积而仅校正Y-CD时，在Y-CD的值超过上述R(例如3.0μm)的情况下，使Y-CD小于R，通过X-CD的校正来补充上述为了得到所需面积的、CD的不足部分。

具体而言，优选为，在为显示装置制造用的光掩模、且在光掩模上形成的转印用图案的X-CD以及Y-CD为小于上述R的情况下应用本发明，并且在该转印用图案具备孔/点图案的情况下，应用本发明较为有利。作为具体的例子，在X-CD以及Y-CD小于3μm的情况下效果显著。并且，优选为，X-CD以及Y-CD为0.8μm以上。更优选为，X-CD以及Y-CD为1.0～2.5μm，进一步优选为1.5μm～2.5μm。

利用这样的转印用图案，在被转印体上能够得到CD(X-CD以及Y-CD)为1.0～4.0μm左右的转印像。换言之，在欲于被转印体上得到的孔/点图案的CD为1.0～4.0μm时，可以优选应用本发明。

并且，校正X-CD或Y-CD的情况下的校正宽度(增减量)的优选范围为±(0.01～0.15)μm左右。当校正宽度过大时，存在光掩模上的图案面积和被转印体上的空间像的相关精度下降的不良情况，当校正宽度过小时，无法充分地获得校正后的益处。如果校正宽度为上述范围，则能够更细致地校正掩模的尺寸，能够使在被转印体上得到的图案精度更接近期望值。校正宽度的更优选的范围为±(0.01～0.10μm)。

(实施例1)

图8示出光学仿真的结果。

图8的(c)中假想了为了在被转印体(面板)上形成X-CD、Y-CD均为2.5μm的孔图案，对具备正方形的孔图案的光掩模进行曝光的情况。在此，在用于描绘的设计图案数据中，X-CD、Y-CD均为2.5μm。并且，假设在光掩模上形成相同尺寸的孔图案。

但是，假设因描绘装置的精度，在所得到的光掩模(设为预备掩模)的孔图案中，X-CD在2.4～2.6μm的范围内发生变动。此时，是对该预备掩模进行曝光而在被转印体上形成光学像的，并且，对该光学像的X-CD和Y-CD进行描点后的情况如图8的(c)所示。此外，预备掩模具有利用描绘装置而进行描绘所得到的预备转印用图案。在图8的各个图表中，横轴表示光掩模上的X-CD变动量，纵轴表示在被转印体上形成的光学像中的X-CD(虚线)、Y-CD(实线)的变动量。

在图8的(c)中，虽然在预备掩模上只有X-CD发生变动，但在被转印体上形成的光学像的X-CD和Y-CD都随着预备掩模上的X-CD的变动，几乎同样地在约2.35～约2.6μm之间发生变动。

接下来，对设计图案数据进行校正。具体而言，计算出孔设计值为2.5μm的正方形的面积(2.5×2.5＝6.25μm²)，并且在不变更设计图案数据的X-CD(在设计值X-CD＝2.5μm的状态下)的前提下，通过在预备掩模上实际形成的孔图案的X-CD而求出形成上述面积所需的Y-CD，并校正设计图案数据的Y-CD而得到校正图案数据(校正工序)。然后，利用以此方式而得到的校正图案数据来形成光掩模。

例如，在预备掩模上形成了X-CD为2.400μm、Y-CD为2.500μm的孔图案时，该面积为6.000μm²。然而，优选在光掩模上得到具有6.25μm²的面积的孔图案。因此，不改变该预备掩模上的作为与该孔图案对应的设计图案数据的X-CD(＝2.50μm)，而是将设计图案数据的Y-CD校正为2.604μm。然后，利用上述描绘装置而进行描绘(描绘工序)。

所得到的光掩模符合设计图案数据，并且除了没有被校正的正方形(X-CD＝Y-CD＝2.5μm)的孔图案之外，具有根据X-CD的变动而校正了Y-CD后的长方形的孔图案。并且，虽然这些孔图案与设计图案数据中的X-CD、Y-CD不同，但面积是相等的。并且，在设计图案数据中具有相同的X-CD、Y-CD的孔/点图案在光掩模上彼此的面积也相等。也就是说，在此，将通过在光掩模上形成的转印用图案中使面积相等而求出的CD校正值替换设计图案数据的CD而得到校正图案数据。

并且，当对该光掩模进行曝光而将其转印用图案转印到被转印体上时，在其光学像中得到X-CD和Y-CD几乎固定的CD(2.5μm±0.05μm)的孔图案(图8的(d))。可以知晓，如果利用该方法，则能够在被转印体上稳定地形成具备目标尺寸且具备固定CD的孔图案。因为相对于要在被转印体上得到的目标CD而处于±0.1μm以内(更优选为±0.05μm)的范围是属于许可范围的。

另外，要在被转印体上形成的孔/点图案的目标CD不一定必须等于光掩模上的X-CD、Y-CD。在本申请的说明书中，设计图案数据表示光掩模上的尺寸的数据。根据需要，可以对应要在被转印体上形成的图案的目标CD而增加(或减去)规定的偏差值来形成光掩模的设计图案数据，并将此作为上述设计图案数据的X-CD、Y-CD。

另一方面，假设在图8的(a)、(b)中，将X-CD、Y-CD均为4.0μm的正方形的孔图案作为设计图案数据的情况，示出了进行了与上述相同的操作的情况。当光掩模上的X-CD以3.9～4.1μm的幅度发生变动，Y-CD为设计值原本的值时，在被转印体上形成的光学像的X-CD以及Y-CD如图8的(a)所示。此外，计算孔设计值为4.0μm的正方形的面积，并且不改变设计图案数据的X-CD(在设计值X-CD＝4.0μm的状态下)，通过在预备掩模上实际形成的孔图案的X-CD而求出与上述面积相等所需的Y-CD，并校正设计图案数据的Y-CD。并且，利用以此方式而得到的校正图案数据形成光掩模。利用该光掩模而得到的被转印体上的光学像的X-CD、Y-CD如图8的(b)所示。

但是，在该尺寸(大于曝光装置的分辨率极限尺寸)的情况下，对光掩模进行曝光而在被转印体上形成的光学像的X-CD、Y-CD与上述实施例1相比，与设计值4.0μm相比而言变动较大。

根据上述内容，考察了在具备小于曝光装置的分辨率极限尺寸的CD的光掩模上，求出对在光掩模上得到的孔/点图案进行校正的情况下(对应上述的例子1)的校正图案数据的方法。

设光掩模的设计图案数据中的X-CD为Xm(des)，Y-CD为Ym(des)，面积为Sm(des)，

设在所形成的预备掩模上的实际的X-CD为Xm(act)，Y-CD为Ym(act)，面积为Sm(act)，

在设校正图案数据中的X-CD为Xm(cor)，Y-CD为Ym(cor)，面积为Sm(cor)时，

Ym(cor)＝{Sm(des)/Sm(act)}*Ym(act)…(1)。

在此，(des)、(act)、(cor)分别表示设计值、实际值、校正值，Xm(cor)＝Xm(des)。

就是说，在校正掩模CD不良的情况下，维持设计图案数据中的孔/点图案的面积的，并校正CD控制性高的方向的CD(在此为Y-CD)，形成校正图案数据。结果，得到的转印像几乎与在设计图案数据中作为目标的转印像相同。

在掌握校正值的工序中，能够通过掌握为了得到预备掩模而使用的预备掩模用设计图案数据中所包含的孔/点图案、与在预备掩模上形成的孔/点图案的彼此间的面积的相关性，来决定CD(在此为Y-CD)的校正量。当然，由于孔/点图案的面积与X-CD、Y-CD的各个数值相关，因此，结果，为了得到上述(1)式的值，在计算校正值的阶段中，可以使用任一值以任意顺序来进行计算。

(实施例2)

假想在根据欲在被转印体上得到的图案的设计而形成光掩模的设计图案数据，并基于此而形成具备转印用图案的光掩模，在利用曝光装置来转印图案的情况下，在被转印体上得到的CD从目标值偏离的情况(例子2的情况)。在该情况下，转印用图案中的X-CD、Y-CD也小于曝光装置的分辨率极限尺寸。

在该情况下，为了使在被转印体上形成的转印像的CD与目标值一致，在光掩模制造工序中反馈该偏离，并利用校正图案数据来准备被重新校正的光掩模即可。而且，自CD的目标值的偏离既可以是因光掩模的CD的偏离导致的，也可以是因曝光的过程而导致的，还可以是因两者而导致的。

并且，在该情况下，在校正图案数据的生成中，CD的校正并非是使X-CD、Y-CD的值均等地变化，而是通过使CD控制精度高的一方(在此为Y-CD)的值变更来得到校正图案数据的。

首先，准备预备掩模。该预备掩模是通过利用预备设计图案数据进行的描绘工序而制造的。

在此，设光掩模的设计图案数据中的X-CD为Xm(des)，Y-CD为Ym(des)，面积为Sm(des)，

设作为欲在被转印体上得到的图案目标的X-CD为Xp(tar)，Y-CD为Yp(tar)，面积为Sp(tar)，

设所形成的预备掩模中的实际的X-CD为Xm(act)，Y-CD为Ym(act)，面积为Sm(act)，

通过曝光装置对预备掩模进行曝光，设在被转印体上得到的转印像的X-CD为Xp(act)，Y-CD为Yp(act)，面积为Sp(act)，

设校正图案数据中的X-CD为Xm(cor)，Y-CD为Ym(cor)，面积为Sm(cor)。

在此，(tar)表示目标值，Sp(tar)优选为预先根据Xp(tar)和Yp(tar)以及图案形状(圆或椭圆等)求出。

此时，通过以下的关系式而求出Sm(cor)。

Sm(cor)＝Sm(act)*{Sp(tar)/Sp(act)}

接下来，求出用于满足该Sm(cor)的校正图案数据。即，由于掩模上的图案为四边形，因此Ym(cor)＝Sm(cor)/Xm(act)。

在此，Xm(cor)也被设为Xm(des)。

即，在形成在被转印体上的图案的CD与目标值之间存在偏差的情况下，求出为了得到基于被转印体上的目标CD而得到的目标面积所需要的掩模的所需面积，并基于此来对CD控制性高的方向的CD(在此为Y-CD)进行校正，并形成校正图案数据。

并且，伴随着图案的微细化，在无法忽略MEEF的影响的情况下，可以将基于MEEF的值的系数乘以上述中所求出的校正量。

在上述说明中，是以在被转印体上形成孔图案的情况为例的，但显然对点图案也可应用相同的方法。

在实际的设计图案数据中，在被转印体(板)上配置有作为相同的孔/点图案的多个孔/点图案。为了得到本发明的校正图案数据，优选为，针对各个孔/点图案的每一个进行上述的计算。这是因为，CD偏离的原因有时会根据光掩模面内的位置等而各自不同。

另外，在上述的实施例2中也与实施例1相同，计算的顺序可以不同，只要得到相同的结果即可。

本发明不限于上述的实施例1、实施例2。

本发明还包括应用了上述描绘方法的光掩模的制造方法。

本发明还包括如下的显示装置的制造方法，该方法包括利用以此方式而制造出的光掩模在被转印体上转印转印用图案。在此，显示装置包括用于组装到作为最终产品的显示装置中的显示装置用器件。

作为曝光装置，使用具有数值孔径NA为0.08～0.20，相干因素σ为0.2～0.7程度的光学系统的投影方式的、等倍曝光装置是有用的，主要用作已知的FPD用曝光装置。关于曝光波长，优选使用i线、h线、g线中的任一个，也可以使用将它们都包括在内的宽波长光。

可以将转印用图案转印到被转印体上的阳性抗蚀剂上，也可以使用阴性抗蚀剂。并且，可以将被转印体上的抗蚀剂用作作为蚀刻掩模的抗蚀剂图案，或者也可以转印到用于形成立体结构物的感光性树脂上。

应用本发明而制造出的光掩模的用途没有特别限定。

例如，作为显示装置制造用的光掩模，优选作为用于形成接触孔的光掩模。尤其是，该光掩模可用于所谓的孤立孔图案的形成。并且，也可以形成彩色滤光器的光阻间隙等结构物。

该光掩模既可以是所谓二进制掩模，或者也可以是用于在被转印体上形成具备多个残膜量的立体抗蚀剂图案的多灰度光掩模。或者，也可以是能够利用相移膜来提高对比度等的相移掩模。

并且，本发明还包括通过上述制造方法而得到的光掩模。

在设光掩模所具备的转印用图案包括多个长方形的孔图案，长方形的长边的尺寸为X-CD时，所述多个孔图案具备X-CD相互不同且面积相同的形状。当短边的尺寸为Y-CD时，优选X-CD和Y-CD为3μm以下。

或者，在设光掩模所具备的转印用图案包括多个长方形的点图案，长方形的长边的尺寸为X-CD时，所述多个点图案具备X-CD相互不同且面积相同的形状。当短边的尺寸为Y-CD时，优选为X-CD和Y-CD小于3μm。

或者，所述转印用图案还具有与上述长方形的孔/点图案面积相同的正方形的孔/点图案。

在此，具有多个面积的图案是在基于欲得到的器件的设计的设计图案数据(即，进行校正之前的图案数据)中具备相同的CD(X-CD以及Y-CD)的图案，因此在最终的产品中，能够成为发挥同样的功能的图案。

如果应用基于本发明的描绘方法、及利用了该描绘方法的光掩模的制造方法，则能够在被转印体的整个面内，将CD误差量抑制在容许范围以下，有利于提高成品率、生产效率。

另外，应用本发明的光掩模的用途没有特别限定。优选应用于如下情况：利用用于制造包括液晶、有机EL在内的显示装置的光掩模来制造这些显示装置的各种层的情况。

并且，光掩模既可以是所谓二进制掩模，或者也可以是具备具有规定的透射率的功能性膜图案的光掩模(多灰度光掩模、相移光掩模等)。

Claims (15)

1.一种图案描绘方法，其用于根据规定的设计图案数据而在光掩模基板上进行描绘，来形成具有包括孔/点图案的转印用图案的光掩模，

该图案描绘方法的特征在于，包括：

校正工序，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等；以及

描绘工序，应用所述校正图案数据，利用描绘装置进行描绘，

所述描绘装置在与所述光掩模基板面平行的面内，通过CD控制精度在X方向和与所述X方向垂直的Y方向上不同的驱动方式被驱动，

在所述校正工序中，通过在设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

2.根据权利要求1所述的图案描绘方法，其特征在于，

在所述校正工序中，求出被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等的、所述转印用图案的孔/点图案的目标面积，

通过根据所述转印用图案的孔/点图案的目标面积而在所述设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

3.一种图案描绘方法，其用于根据规定的设计图案数据而在光掩模基板上进行描绘，来形成具有包括孔/点图案的转印用图案的光掩模，

该图案描绘方法的特征在于，包括：

校正工序，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的面积与目标值相等；以及

描绘工序，应用所述校正图案数据，利用描绘装置进行描绘，

所述描绘装置在与所述光掩模基板面平行的面内，通过CD控制精度在X方向和与所述X方向垂直的Y方向上不同的驱动方式被驱动，

在所述校正工序中，通过在设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

4.根据权利要求3所述的图案描绘方法，其特征在于，

在所述校正工序中，求出所述被转印体上的孔/点图案的目标面积，

根据所述被转印体上的孔/点图案的目标面积而求出所述转印用图案的孔/点图案的目标面积，

通过根据所述转印用图案的孔/点图案的目标面积而在所述设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，

所述描绘装置为利用激光束来进行描绘的激光描绘装置。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于对所述光掩模进行曝光的曝光装置的分辨率极限尺寸。

7.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm。

8.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，

在所述描绘装置中，激光束在X方向上以固定的进给幅度进行了进给动作之后，在Y方向上进行固定幅度的照射动作，所述描绘装置通过反复交替地进行这些动作而在光掩模基板上进行描绘。

9.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，

在所述校正工序中，用CD校正值替换所述设计图案数据的CD而得到校正图案数据，该CD校正值是以使所述设计图案数据中所包含的孔/点图案的面积与所述光掩模基板上的孔/点图案的面积相等的方式而求出的。

10.根据权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法，其特征在于，包括：

得到预备掩模的工序，该预备掩模是在所述校正工序之前利用所述描绘装置进行图案描绘而得到的；以及

校正值掌握工序，通过所述预备掩模的X-CD和Y-CD来掌握所述校正值。

11.一种光掩模的制造方法，其包括权利要求1～4中的任一项所述的图案描绘方法。

12.一种光掩模，其通过权利要求11所述的光掩模的制造方法而被制造出，具有包括多个孔/点图案的转印用图案，

该光掩模的特征在于，

所述转印用图案中的多个孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm，

所述转印用图案中的多个孔/点图案包含孔/点图案组，该孔/点图案组的孔/点图案具有X-CD彼此不同且面积彼此相等的四边形形状。

13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备权利要求12所述的光掩模的工序；以及

利用光学系统的数值孔径为0.08～0.20的曝光装置而将所述转印用图案转印到被转印体上的工序。

14.一种显示装置的制造方法，其包括通过对根据规定的设计图案数据而形成的光掩模进行曝光，来将光掩模的转印用图案转印到被转印体上，

该显示装置的制造方法的特征在于，包括：

校正工序，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等；以及

描绘工序，应用所述校正图案数据，利用描绘装置对光掩模基板进行描绘，

对所述光掩模基板实施显影以及蚀刻而形成具有所述转印用图案的光掩模的工序；以及

利用曝光装置对所述光掩模进行曝光而在被转印体上形成孔/点图案的工序，

所述转印用图案中的孔/点图案的X-CD和Y-CD小于3μm，

在所述校正工序中，通过对所述设计图案数据中的所述孔/点图案的CD进行如下校正而得到校正图案数据，在该校正中，使X方向上的X-CD和Y方向上的Y-CD中的、所述描绘装置的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

得到预备掩模的工序，该预备掩模是在所述校正工序之前利用所述描绘装置进行描绘而得到的；以及

校正值掌握工序，通过所述孔/点图案的CD来掌握所述校正值，所述孔/点图案是通过所述曝光装置对所述预备掩模进行曝光而在被转印体上形成的。

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