CN108010941B - 用于发光元件的封装结构及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于发光元件的封装结构及方法。该封装结构包括：TFT基板、发光元件及连接增强层，TFT基板包括基板本体和TFT单元，TFT基板表面有保护层且保护层在各TFT单元处有开口，发光元件设置于TFT基板上，包括第一电极层、发光层和第二电极层，第一电极层包括多个第一电极单元，各第一电极单元分别通过开口与各TFT单元的电极电连接，发光层与各第一电极单元电连接，Al或Ag形成的第二电极层与发光层整面电连接，连接增强层设置于基板表面上，其材料包括金属氧化物，第二电极层通过连接增强层与TFT基板表面密封连接，以封装发光元件。该封装结构提升了气密性。

Description

用于发光元件的封装结构及方法

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体而言，涉及一种用于发光元件的封装结构及方法。

背景技术

随着科技的发展，电致发光器件以其色域高、发光均匀性好等优点作为新一代显示和照明产品走进人们的视野，电致发光器件中的主要发光材料如有机物或者量子点容易受水和氧气的侵蚀，影响最终产品的使用寿命，因此，封装技术对于电致发光器件的长期有效使用具有重要影响。

如图1所示，现有的电致发光器件的封装结构多采用玻璃或铁片作为后盖1’，并采用UV胶2’将TFT基板3’和后盖1’进行封装，气密性较差，器件的发光区域的发光元件4’仍容易受外界水氧的侵蚀；蚀刻后盖的成本较高；后盖的厚度较厚(一般为0.4～0.7mm厚)，影响最终产品的厚度。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于发光元件的封装结构及方法，以解决现有技术中电致发光器件的封装结构气密性较差的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种用于发光元件的封装结构，包括：TFT基板和发光元件，所述TFT基板包括基板本体和形成在所述基板本体上的多个TFT单元，所述TFT基板表面具有保护层，各所述TFT单元表面的保护层具有开口，所述发光元件在远离所述TFT基板的方向上依次包括图案化的第一电极层、发光层和非图案化的第二电极层，所述图案化的第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元，各所述第一电极单元分别设置于所述TFT单元上，且通过所述开口与对应的所述TFT单元的电极电连接，所述发光层与各所述第一电极单元电连接，所述第二电极层与所述发光层整面电连接，所述封装结构还包括连接增强层，所述第二电极层通过所述连接增强层与所述TFT基板表面密封连接，以封装所述发光元件，其中，所述连接增强层设置于所述基板表面上且与所述第一电极单元非电连接，形成所述连接增强层的材料包括一种或多种金属氧化物，形成所述第二电极层的材料包括Al或Ag。

进一步地，所述保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，形成所述连接增强层的材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种。

进一步地，所述第一电极层材料和所述连接增强层材料相同。

进一步地，各所述发光元件设置于所述基板的发光区域，所述连接增强层包围所述发光区域设置，所述连接增强层的厚度为5～50nm。

进一步地，所述封装结构还包括聚合物层，所述聚合物层设置在所述第二电极层的外表面上。

进一步地，所述第二电极层的厚度为300nm～10μm。

进一步地，所述第二电极层包括多个叠置的非图案化的第二电极子层，且离所述基板最远的所述第二电极子层与所述连接增强层连接，优选未与所述连接增强层连接的所述第二电极子层分别与所述基板表面密封连接。

进一步地，所述第二电极子层的形成工艺为溅射或蒸镀，所述溅射形成的第二电极子层位于所述蒸镀形成的第二电极子层的远离所述基板的一侧。

进一步地，所述封装结构还包括图案化的绝缘层，所述图案化的绝缘层设置于所述基板上，用于分隔各所述第一电极单元。

根据本申请的另一方面，还提供了一种发光元件的封装方法，所述发光元件包括第一电极层、发光层和第二电极层，所述封装方法包括：准备TFT基板，所述TFT基板包括基板本体和形成在所述基板本体上的多个TFT单元，所述TFT基板表面具有保护层，各所述TFT单元表面的保护层具有开口；在所述TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料，以形成图案化的所述第一电极层和连接增强层，其中，所述连接增强层包围图案化的所述第一电极层，图案化的所述第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元，各所述第一电极单元通过所述开口与所述TFT单元对应电连接，所述连接增强层与各所述第一电极单元非电连接，所述连接增强层材料包括一种或多种金属氧化物；在所述图案化的第一电极层远离所述基板的表面设置所述发光层，使所述发光层与各所述第一电极单元电连接；在所述发光层和所述连接增强层远离所述基板的表面上设置材料为Al或Ag的所述第二电极层，所述第二电极层通过所述连接增强层与所述TFT基板表面密封连接，以封装所述发光元件。

进一步地，所述保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，所述连接增强层材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种，且所述第一电极材料和所述连接增强层材料相同，其中，在所述TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料的步骤包括：在所述TFT基板表面上溅射所述材料的原料，部分刻蚀形成的所述材料，以形成图案化的第一电极层和连接增强层。

进一步地，所述第二电极层包括多个第二电极子层，设置所述第二电极层的步骤包括：在所述发光层和可选的连接增强层表面蒸镀Al或Ag，形成初始第二电极子层；在所述初始第二电极子层和至少部分所述连接增强层的表面上溅射Al或Ag，以形成所述第二电极层。

应用本发明的技术方案，提供了一种用于发光元件的封装结构及方法，由于Al或Ag形成的第二电极层通过连接增强层与基板表面密封连接，即第二电极层除了有电极功能，还有封装发光元件的作用，这样的封装结构简单易行，降低了封装的工艺难度；并且，上述连接增强层设置在基板表面上，增加了基板表面的表面张力，增强了第二电极层与基板表面的密封连接的粘附力，与现有技术中通过UV胶粘结玻璃或铁片封装后盖的封装结构相比，避免了封装后盖易从具有保护膜的基板表面上脱落的现象，解决了现有技术中电致发光器件的封装结构气密性较差的问题，实现了提升封装结构的气密性的效果。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术所提供的一种可选的电致发光器件的封装结构的示意图；

图2示出了本发明所提供的一种可选的用于发光元件的封装结构的示意图；

图3示出了本发明所提供的一种优选的用于发光元件的封装结构的示意图；

图4示出了本发明所提供的另一种优选的用于发光元件的封装结构的示意图；

图5示出了本发明所提供的再一种优选的用于发光元件的封装结构的示意图；以及

图6示出了本发明所提供的一种可选的发光元件的封装方法的流程示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

1’、后盖；2’、UV胶；3’、TFT基板；4’、发光元件；2、连接增强层；31，基板本体；32、TFT单元；33、保护层；411、第一电极单元；42、发光层；43、第二电极层；431、第二电极子层；5、聚合物层；6、绝缘层。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

正如背景技术中所介绍的，现有技术中采用UV胶将玻璃或铁片的封装后盖粘于基板上，以封装电致发光器件，但该封装后盖容易脱落。为了解决现有技术中采用的电致发光器件的封装结构气密性较差的问题。本申请的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种用于发光元件的封装结构及方法，如图2至图5所示，该用于发光元件的封装结构包括：TFT基板、发光元件和连接增强层2，其中：

上述TFT基板包括基板本体31和形成在基板本体31上的多个TFT单元32，上述TFT基板表面具有保护层33，各TFT单元32表面的保护层33具有开口，

发光元件在远离TFT基板的方向上依次包括：图案化的第一电极层、发光层42和非图案化的第二电极层43，上述图案化的第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元411，各第一电极单元411分别设置于TFT单元32上，且通过开口与对应的TFT单元32的电极电连接，上述发光层42与各第一电极单元411电连接，上述第二电极层43与发光层42整面电连接，

上述封装结构还包括连接增强层2，上述第二电极层43通过连接增强层2与TFT基板表面密封连接，以封装上述发光元件，其中，连接增强层2设置于上述基板表面上且与第一电极单元411非电连接，形成上述连接增强层2的材料包括一种或多种金属氧化物，形成第二电极层43的材料包括Al或Ag。

应用本发明的技术方案，由于Al或Ag形成的第二电极层43通过连接增强层2与基板表面密封连接，即第二电极层43除了有电极功能，还有封装发光元件的作用，这样的封装结构简单易行，省去了现有封装结构中后盖的清洗、烘干，涂UV胶，压合UV胶等工序，降低了封装的工艺难度；并且，上述连接增强层2设置在基板表面上，增加了基板表面的表面张力，增强了第二电极层43与基板表面的密封连接的粘附力，与现有技术中通过UV胶粘结玻璃或铁片封装后盖的封装结构相比，避免了封装后盖易从具有保护膜的基板表面上脱落的现象，解决了现有技术中电致发光器件的封装结构气密性较差的问题，实现了提升封装结构的气密性的效果。

上述TFT基板中的基板本体可为刚性或柔性，在一些实施例中，刚性基板本体例如是石英基板、玻璃基板、金属基板，但并不限定于此；柔性基板本体例如是玻璃薄膜基板、不锈钢薄膜基板或塑料基板，塑料基板的材质可以为聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚硫磺(polyethersulfone,PES)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)等。

相比于现有的铁片封装后盖，上述封装结构还可以适用于柔性封装，适用范围广；相比于现有的玻璃封装后盖，上述封装结构不用刻蚀工艺，工艺简单；另，第二电极层兼作封装后盖，相对现有封装结构，减小了后盖的厚度，从而减小了封装后的总厚度。

上述发光层42可以是非图案化的，如图2至4所示；也可以是图案化的，如图5所示。发光层42的制作工艺可以选自热蒸、打印或旋涂，前两种为优选方式，当然也可以是其他制作工艺。

如图5所示，发光元件除了包括两个电极层和发光层42外，还可以包括设置在电极层和发光层42之间的功能层，比如，设置在各第一电极单元411和发光层42之间的空穴注入层424和空穴传输层423，设置在第二电极子层431和发光层42之间的电子传输层422和电子注入层421，这样可以有助于发光元件的空穴和电子传输和注入平衡，提高发光效率。上述功能层并不限于如图5所示的几种，还可包括其他功能的功能层，本领域技术人员可以根据实现功能的不同需要，选择设置相应的功能层。

在一些优选的实施例中，上述保护层33的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，形成上述连接增强层2的材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种。

上述保护层材料并不限于上述列举出的材料，还可以为用于保护TFT基板免于侵蚀等损坏的其他保护层材料。采用上述保护层33材料和对应的连接增强层2的材料，可以有效地增强基板表面对第二电极层43的粘附力，且上述材料简单易得，实用性较高。

在一个优选的实施例中，上述第一电极层材料和上述连接增强层材料相同，这样可以同时制备第一电极层和连接增强层，简化了工艺流程，节约了生产成本。

为了介绍连接增强层的设置位置，先介绍发光区域，发光元件所在基板的区域为发光区域，即各上述发光元件设置于上述基板的发光区域，那么上述连接增强层可以包围上述发光区域设置。

可选地，上述连接增强层的厚度为5～50nm，采用较薄的厚度，可以用较少的材料实现较好的增强粘附力的效果。

为了进一步提高封装效果，如图2至图5所示，上述封装结构还可以包括聚合物层5，上述聚合物层5设置在上述第二电极层43的外表面上，聚合物层5可以起到保护第二电极层43，增强其耐磨性的作用。优选该聚合物层5的材料为环氧树脂，采用该材料可以实现耐磨、缓冲、柔性可延展等效果。

在上述实施例中，第二电极层的厚度可以为300nm～10μm，采用该厚度范围的第二电极层能够发挥良好的封装性能，电极厚度越厚越好，可保证封装气密性，兼顾生产效率。

上述第二电极层可以为单独一层，也可以为多层结构。

在一些可选的实施例中，如图2-5所示，第二电极层可以包括多个叠置的非图案化的第二电极子层431，且离上述基板最远的上述第二电极子层431与连接增强层2连接，换言之，第二电极层43的多个第二电极子层431中，位于最外层的第二电极子层431是通过连接增强层2与TFT基板连接的，而其他位于内层的第二电极子层431可以通过连接增强层2与基板连接(如图2和3)，也可以不通过连接增强层2直接与基板连接(如图4和5)，还可以不与基板密封连接。不同第二电极子层431可以对应不同的封装工艺和/或材料。

通过上述可选的实施例，由于最外层的第二电极子层431起到主要的封装作用，且其通过连接增强层2与基板表面连接，这样可以基本保证第二电极层43对发光层42的封装效果，同时，多层结构的第二电极层43的设置还可以满足不同的密封需要和电极导电性的要求。

在上述可选的实施例中，如图4和5所示的封装结构是较为优选的，即未与上述连接增强层2连接的上述第二电极子层431可以分别与上述基板表面密封连接，这样可以满足基本阻挡外界水氧的作用，使发光层42免于水氧侵蚀。如图2和3所示的封装结构是更为优选的，即第二电极层43的所有第二电极子层431均通过连接增强层2与基板表面密封连接，这样的封装效果最佳。

上述第二电极子层431的形成工艺为溅射或蒸镀，上述溅射形成的第二电极子层431位于上述蒸镀形成的第二电极子层431的远离上述基板的一侧。溅射制备的第二电极子层431的气密性较好，蒸镀工艺对膜层的损伤较小，采用内层蒸镀而外层溅射的工艺制备各第二电极子层431，可以发挥两种工艺的优点，提升封装结构的封装效果。

如图5所示，为了较好地分隔封装结构中的各第一电极单元411，上述封装结构还可以包括图案化的绝缘层6，上述图案化的绝缘层6设置于上述基板上，从而便于形成多个相互独立且彼此分隔的第一电极单元411，也方便后续各膜层的制作。

根据本发明的另一方面，还提供了一种发光元件的封装方法，上述发光元件包括第一电极层、发光层和第二电极层，如图6所示，上述封装方法包括如下步骤：

S101，准备TFT基板，上述TFT基板包括基板本体和形成在基板本体上的多个TFT单元，TFT基板表面具有保护层，各上述TFT单元表面的保护层具有开口；

S103，在TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料，以形成图案化的第一电极层和连接增强层，其中，上述连接增强层包围图案化的上述第一电极层，图案化的上述第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元，各上述第一电极单元通过上述开口与上述TFT单元对应电连接，上述连接增强层与各上述第一电极单元非电连接，上述连接增强层材料包括一种或多种金属氧化物；

S105，在图案化的第一电极层远离基板的表面设置发光层，使发光层与各第一电极单元电连接；

S107，在发光层和连接增强层远离基板的表面上设置材料为Al或Ag的第二电极层，第二电极层通过连接增强层与TFT基板表面密封连接，以封装发光元件。

采用上述封装方法，由于Al或Ag形成的第二电极层43通过连接增强层2与基板表面密封连接，即第二电极层43除了有电极功能，还有封装发光元件的作用，这样的封装结构简单易行，省去了现有封装结构中后盖的清洗、烘干，涂UV胶，压合UV胶等工序，降低了封装的工艺难度；并且，上述连接增强层2设置在基板表面，增加了基板表面的表面张力，增强了第二电极层43与基板表面的密封连接的粘附力，与现有技术中通过UV胶粘结玻璃或铁片封装后盖的封装结构相比，避免了封装后盖易从具有保护膜的基板表面上脱落的现象，解决了现有技术中电致发光器件的封装结构气密性较差的问题，实现了提升封装结构的气密性的效果。

在一种可选的实施方式中，上述保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，上述连接增强层材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种，且上述第一电极材料和上述连接增强层材料相同，其中，上述步骤S103，即在上述TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料，包括：在上述TFT基板表面上溅射上述材料的原料，部分刻蚀形成的上述材料，以形成图案化的第一电极层和连接增强层。

通过上述可选的实施方式，可以同时制备第一电极层和连接增强层，简化了工艺流程，节约了生产成本。

以ITO为例，现有技术中一般整面溅射ITO，然后刻蚀掉TFT单元外围的全部ITO，以在TFT单元对应的发光区域上形成第一电极层；而采用本申请上述封装方法，可以在整面溅射ITO之后，不必刻蚀掉非发光区域的全部ITO，在非发光区域的部分ITO可以形成连接增强层，在发光区域的部分ITO可以形成第一电极层；与现有技术相比，上述封装方法减少了刻蚀区域，简化了工艺也节约了材料，将材料保留以增加基板表面的表面能，增加后续第二电极层与基板表面保护层的粘附力，从而提高了封装结构的密封效果。

上述第二电极层可以包括多个第二电极子层，设置上述第二电极层的步骤S107包括：在上述发光层和可选的连接增强层表面蒸镀Al或Ag，形成初始第二电极子层；在上述初始第二电极子层和至少部分上述连接增强层的表面上溅射Al或Ag，以形成上述第二电极层。

上述第二电极子层的形成工艺选自溅射或蒸镀，上述溅射形成的第二电极子层位于上述蒸镀形成的第二电极子层的远离上述基板的一侧。溅射制备的第二电极子层的气密性较好，蒸镀工艺对膜层的损伤较小，采用内层蒸镀而外层溅射的工艺制备各第二电极子层，可以发挥两种工艺的优点，提升封装结构的封装效果。

下面结合实施例和对比例进一步说明本申请提供的用于发光元件的封装结构及方法。

实施例1

如图4所示，准备TFT基板，此TFT基板已在玻璃基板本体31上制作好TFT单元32和二氧化硅或氮化硅保护层33，厚度20nm，且保护层33已蚀刻出ITO导通孔或开口，然后使用湿法光刻的方法在保护层33上对应TFT单元32正上方制作出子像素光刻胶绝缘层6，光刻胶厚度0.8um，并在TFT基板一侧表面光刻胶绝缘层6上和保护层33上溅射ITO透明导电薄膜，厚度35nm，刻蚀ITO，保留边缘封装区域和子像素区域对应的TFT基板上的ITO，分别形成连接增强层2和第一电极单元411，其中，发光区域包括子像素区域，边缘封装区域包围发光区域；在子像素区域的ITO表面设置发光层42，发光层42结构为NPB/ALq/LiF，厚度分别为80nm/40nm/1nm；在掩膜板(open mask)遮挡下，在发光层42上真空热蒸镀100nm的铝膜形成第二电极子层431，然后再在掩膜板的遮挡下，溅射500nm的铝膜形成位于外层的第二电极子层431，该铝膜四周均溅射在ITO连接增强层2上，该铝膜层与TFT基板形成一密封空间，发光层42和子像素区域的ITO第一电极单元411位于该封装空间内。在铝第二电极层43上涂布上一层环氧树脂膜UV固化膜，形成聚合物层5，厚度为20μm。

对比例：

准备TFT基板，此TFT基板上已在玻璃基板本体31上制作好TFT单元32和二氧化硅或氮化硅保护层33，厚度20nm，且保护层33已蚀刻出ITO导通孔，然后使用湿法光刻的方法在保护层33上对应TFT单元32正上方制作出子像素光刻胶绝缘层6，光刻胶厚度0.8um，并在TFT基板一侧表面光刻胶绝缘层6上和保护层33上溅射ITO透明导电薄膜，厚度35nm，刻蚀ITO，保留子像素区域对应的TFT基板上的ITO，形成第一电极单元411；在子像素区域的ITO表面设置发光层42，发光层结构为NPB/ALq/LiF，厚度分别为80nm/40nm/1nm；在掩膜板(open mask)遮挡下，在发光层42上真空热蒸镀150nm的铝膜形成第二电极层，然后，涂上UV封装胶，粘上后盖玻璃，低压下压合后盖玻璃并UV固化UV胶，封装好后盖玻璃、UV胶及TFT基板以形成一密封空间，发光层42和子像素区域的ITO第一电极单元位于该封装空间内。

对上述实施例和对比例中的封装结构进行封装效果测试，将封装结构放置在相同测试条件(60℃温度和80％湿度)下进行观察记录。

经测试，对比例中的正常封装工艺形成的封装结构：306小时后封装边沿像素出现小黑点；而本申请实施例1中的封装结构：455小时后像素边沿出现小黑点。

由上述两种封装结构对比可知，实施例1中的封装结构对发光元件具有较好的封装效果，体现在其气密性较高，不易脱落、稳定性较好。

采用本申请上述用于发光元件的封装结构及方法，由于Al或Ag形成的第二电极层通过连接增强层与基板表面密封连接，即第二电极层除了有电极功能，还有封装发光元件的作用，这样的封装结构简单易行，省去了现有封装结构中后盖的清洗、烘干，涂UV胶，压合UV胶等工序，降低了封装的工艺难度；并且，上述连接增强层设置在基板表面上，增加了基板表面的表面张力，增强了第二电极层与基板表面的密封连接的粘附力，与现有技术中通过UV胶粘结玻璃或铁片封装后盖的封装结构相比，避免了封装后盖易从具有保护膜的基板表面上脱落的现象，解决了现有技术中电致发光器件的封装结构气密性较差的问题，实现了提升封装结构的气密性的效果。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种用于发光元件的封装结构，包括：TFT基板和发光元件，所述TFT基板包括基板本体和形成在所述基板本体上的多个TFT单元，所述TFT基板表面具有保护层，各所述TFT单元表面的保护层具有开口，所述发光元件在远离所述TFT基板的方向上依次包括图案化的第一电极层、发光层和非图案化的第二电极层，所述图案化的第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元，各所述第一电极单元分别设置于所述TFT单元上，且通过所述开口与对应的所述TFT单元的电极电连接，所述发光层与各所述第一电极单元电连接，所述第二电极层与所述发光层整面电连接，其特征在于，

所述封装结构还包括连接增强层，所述第二电极层通过所述连接增强层与所述TFT基板表面密封连接，以封装所述发光元件，其中，所述连接增强层设置于所述基板表面上且与所述第一电极单元非电连接，形成所述连接增强层的材料包括一种或多种金属氧化物，形成所述第二电极层的材料包括Al或Ag，所述第二电极层包括多个叠置的非图案化的第二电极子层，且离所述基板最远的所述第二电极子层与所述连接增强层连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，形成所述连接增强层的材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一电极层材料和所述连接增强层材料相同。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述发光元件设置于所述基板的发光区域，所述连接增强层包围所述发光区域设置，所述连接增强层的厚度为5～50nm。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括聚合物层，所述聚合物层设置在所述第二电极层的外表面上。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二电极层的厚度为300nm～10μm。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，未与所述连接增强层连接的所述第二电极子层分别与所述基板表面密封连接。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二电极子层的形成工艺为溅射或蒸镀，所述溅射形成的第二电极子层位于所述蒸镀形成的第二电极子层的远离所述基板的一侧。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括图案化的绝缘层，所述图案化的绝缘层设置于所述基板上，用于分隔各所述第一电极单元。

10.一种发光元件的封装方法，所述发光元件包括第一电极层、发光层和第二电极层，其特征在于，所述封装方法包括：

准备TFT基板，所述TFT基板包括基板本体和形成在所述基板本体上的多个TFT单元，所述TFT基板表面具有保护层，各所述TFT单元表面的保护层具有开口；

在所述TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料，以形成图案化的所述第一电极层和连接增强层，其中，所述连接增强层包围图案化的所述第一电极层，图案化的所述第一电极层包括多个相互分隔的第一电极单元，各所述第一电极单元通过所述开口与所述TFT单元对应电连接，所述连接增强层与各所述第一电极单元非电连接，所述连接增强层材料包括一种或多种金属氧化物；

在所述图案化的第一电极层远离所述基板的表面设置所述发光层，使所述发光层与各所述第一电极单元电连接；

在所述发光层和所述连接增强层远离所述基板的表面上设置材料为Al或Ag的所述第二电极层，所述第二电极层通过所述连接增强层与所述TFT基板表面密封连接，以封装所述发光元件，所述第二电极层包括多个叠置的非图案化的第二电极子层，且离所述基板最远的所述第二电极子层与所述连接增强层连接。

11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述保护层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种，所述连接增强层材料选自ITO、IZO、氧化钼、氧化镉中的一种或多种，且所述第一电极材料和所述连接增强层材料相同，其中，在所述TFT基板上设置第一电极材料和连接增强层材料的步骤包括：

在所述TFT基板表面上溅射所述材料的原料，部分刻蚀形成的所述材料，以形成所述图案化的第一电极层和所述连接增强层。

12.根据权利要求10或11所述的封装方法，其特征在于，设置所述第二电极层的步骤包括：在所述发光层和可选的连接增强层表面蒸镀Al或Ag，形成初始第二电极子层；在所述初始第二电极子层和至少部分所述连接增强层的表面上溅射Al或Ag，以形成所述第二电极层。

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