[go: up one dir, main page]

CN108511507B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

一种显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108511507B
CN108511507B CN201810581147.2A CN201810581147A CN108511507B CN 108511507 B CN108511507 B CN 108511507B CN 201810581147 A CN201810581147 A CN 201810581147A CN 108511507 B CN108511507 B CN 108511507B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
sub
auxiliary
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810581147.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108511507A (zh
Inventor
臧丹丹
高昕伟
李朋
黄文同
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810581147.2A priority Critical patent/CN108511507B/zh
Publication of CN108511507A publication Critical patent/CN108511507A/zh
Priority to US16/649,531 priority patent/US11239442B2/en
Priority to PCT/CN2019/090394 priority patent/WO2019233479A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108511507B publication Critical patent/CN108511507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8428Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80522Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80524Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,用于解决因辅助透射电极与透射电极贴合应力大,导致透射电极磨损或ITO断裂的问题。所述显示面板包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述显示面板的显示区包括非开口区,其特征在于,所述第一基板上设置有多个呈阵列排布的反射电极、设置在所述反射电极靠近所述第二基板一侧的透射电极;所述第二基板上设置有与所述透射电极在所述非开口区接触的辅助透射电极;其中,所述辅助透射电极具有柔韧性。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前大尺寸OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示产品大多采用底发射型结构,通常阴极膜层做得比较厚,并不会因为阴极膜层横向电阻导致严重的IR drop(电压降)问题。随着市场对高分辨率产品的需求增大,底发射型OLED显示器受开口率的限制,难以实现高分辨率的显示要求,人们纷纷将精力投入顶发射型OLED器件的开发。与传统的底发射OLED显示装置相比,顶发射型OLED显示装置具有更高的效率、更小的功耗、色纯度更高,并且由于其开口率大的特性,更有利于实现高分辨率的结构设计。
顶发射OLED器件的阴极通常是通过溅射或热蒸镀沉积一层透明或半透明的导电材料形成,阴极厚度越薄,光的透过率越高。但同时,阴极越薄,阴极的横向电阻会越高,由阴极电阻过大带来的IR-drop也会超出正常水平,导致屏幕边缘和中间的亮度不一致。尤其在屏幕尺寸较大时,边缘处的电极接口和屏幕中心之间距离较远,电流传输至屏幕中心处的电压偏离设定电压,造成屏幕中心亮边缘较暗的缺陷。
现有技术中为了改善大尺寸OLED显示装置阴极IR-drop的问题,将辅助透射电极制作在盖板玻璃(cover glass)上,通过支撑柱实现辅助透射电极与透射电极的导通,辅助透射电极常采用ITO(Indium Tin Oxide,掺锡氧化铟)材料。这样一来,ITO为脆性材料,盖板玻璃与阵列基板贴合过程中,辅助透射电极与透射电极贴合应力很大,贴合应力会造成透射电极磨损或ITO断裂,反而形成显示缺陷。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及显示装置,用于解决因辅助透射电极与透射电极贴合应力大,导致透射电极磨损或ITO断裂的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示面板,包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述显示面板的显示区包括非开口区,其特征在于,所述第一基板上设置有多个呈阵列排布的反射电极、设置在所述反射电极靠近所述第二基板一侧的透射电极;所述第二基板上设置有与所述透射电极在所述非开口区贴合的辅助透射电极;其中,所述辅助透射电极具有柔韧性。
可选的,所述第一基板上还设置有像素界定层,所述透射电极设置在所述像素界定层靠近所述第二基板一侧,所述像素界定层上设置有凹槽;所述第二基板上设置有支撑柱,所述辅助透射电极设置在所述支撑柱靠近所述第一基板一侧;沿所述显示面板的厚度方向,所述透射电极在所述凹槽的正上方形成有凹陷,所述辅助透射电极和所述支撑柱嵌入所述凹陷,所述辅助透射电极在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述凹陷在所述第一基板上的正投影;其中,所述凹槽的深度小于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和。
可选的,所述第二基板上还设置有透明胶层,所述透明胶层上设置有至少一个凹槽,所述凹槽设置在非开口区,所述辅助透射电极至少覆盖所述凹槽;所述第一基板上设置有支撑柱,所述支撑柱设置在所述反射电极与所述透射电极之间;沿所述显示面板的厚度方向,所述辅助透射电极在所述凹槽的正上方形成有凹陷,所述透射电极与所述支撑柱嵌入所述凹陷;其中,所述凹槽的深度小于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和。
可选的,沿所述显示面板的厚度方向,所述凹槽的截面形状为矩形、倒梯形、半圆形。
可选的,所述凹槽的深度等于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和的0.5~0.8倍。
可选的,所述辅助透射电极的材料包括纳米银线和/或石墨烯。
可选的,所述辅助透射电极包括第一子电极和设置在所述第一子电极靠近所述第一基板一侧的第二子电极;所述第一子电极的材料包括导电材料,所述第二子电极的材料包括柔性导电材料。
可选的,所述第二子电极覆盖所述第一子电极。
可选的,所述透明胶层上设置有所述凹槽的情况下,所述第一子电极覆盖所述凹槽的底面和侧面,所述第二子电极覆盖所述凹槽的底面。
可选的,所述第一子电极的材料包括银纳米线,所述第二子电极的材料包括氧化石墨烯。
可选的,所述第一子电极的材料包括银纳米线与透明高分子材料的复合物,所述第二子电极的材料包括氧化石墨烯。
可选的,所述第一子电极的材料包括银纳米线与氧化石墨烯的复合物,所述第二子电极的材料包括透明导电高分子材料。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置,通过使显示面板中的辅助透射电极具有柔韧性,这样一来,当辅助透射电极与透射电极接触时,具有柔韧性的辅助透射电极会减缓贴合时辅助透射电极与透射电极之间的贴合应力,从而可以避免因辅助透射电极与透射电极贴合应力大,导致阴极磨损或ITO断裂的问题。
此外,具有柔韧性的辅助透射电极还可以使辅助透射电极与透射电极之间的紧密贴合,改善因辅助透射电极与透射电极接触不良导致接触电阻过大的问题。
再者,通过将辅助透射电极设置在第二基板上,可以避免在制备辅助透射电极时对透射电极产生影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图一;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图二;
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图三;
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图四;
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图五;
图6为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图六。
附图标记
100-第一基板;200-第二基板;10-反射电极;20-透射电极;30-辅助透射电极;31-第一子电极;32-第二子电极;40-像素界定层;50-支撑柱;60-透明胶层;70-黑矩阵;80-彩膜层;90-电致发光层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域技术人员所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅是用于表示相应的位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也相应地改变。
本发明实施例提到“上方”是以形成第一基板和第二基板过程中各膜层形成的先后顺序而言的,对于任意两层,后形成的一层,则位于在先形成的一层的上方。
在制备显示面板时,如图1所示,若只考虑到了辅助透射电极30与透射电极20之间的电性导通,即两层电极导通就能降低IR-Drop(电压降)。就会存在以下问题:第一,由于透射电极20与辅助透射电极30之间的接触面积小,对IR-Drop的改善效果有限。第二,若辅助透射电极30采用ITO、IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)、铜、铝、钼、钛等材料,这些材料不能同时具备耐腐蚀、足够柔韧、透明、电阻小的特点。为了不削弱光取出率,往往采用ITO/IZO这类透明材料,但这类材料脆性大,柔韧性差,电阻相对金属也较高。在压合过程中,辅助透射电极30与透射电极20之间比较大的压力和摩擦力可能会导致膜层损伤,出现接触不良,进一步弱化了对IR-Drop的改善效果。
基于此,本发明实施例提供一种显示面板,如图2和图3所示,包括对盒设置的第一基板100和第二基板200,显示面板的显示区包括非开口区,第一基板100上设置有多个呈阵列排布的反射电极10、设置在反射电极10靠近第二基板200一侧的透射电极20;第二基板200上设置有与透射电极20在非开口区贴合的辅助透射电极30;其中,辅助透射电极30具有柔韧性。
此处,本发明提供的显示面板为顶发射型显示面板,发光单元设置在第一基板100上。第一基板100相当于阵列基板,第二基板200相当于盖板玻璃。
其中,不对反射电极10的材料进行限定,具有导电性、反光性即可。不对透射电极20的材料进行限定,具有导电性、透光性即可。不对辅助透射电极30的材料进行限定,具有导电性、透光性、柔韧性即可。
本发明实施例提供的显示面板中的辅助透射电极30具有柔韧性,这样一来,当辅助透射电极30与透射电极20接触时,具有柔韧性的辅助透射电极30会减缓贴合时辅助透射电极30与透射电极20之间的贴合应力,从而可以避免因辅助透射电极30与透射电极20贴合应力大,导致阴极磨损或ITO断裂的问题。
此外,具有柔韧性的辅助透射电极30还可以使辅助透射电极30与透射电极20之间的紧密贴合,改善因辅助透射电极30与透射电极20接触不良导致接触电阻过大的问题。
再者,通过将辅助透射电极30设置在第二基板200上,可以避免在制备辅助透射电极30时对透射电极20产生影响。
在一些实施例中,如图2所示,第一基板100上还设置有像素界定层40,透射电极20设置在像素界定层40靠近第二基板200一侧,像素界定层40上设置有凹槽;第二基板200上设置有支撑柱50,辅助透射电极30设置在支撑柱50靠近第一基板100一侧;沿显示面板的厚度方向,透射电极20在凹槽的正上方形成有凹陷,辅助透射电极30和支撑柱50嵌入凹陷,辅助透射电极30在第一基板100上的正投影至少覆盖凹陷在第一基板100上的正投影;其中,凹槽的深度小于支撑柱50、辅助透射电极30以及透射电极20三者的厚度之和。
需要说明的是,第一,显示面板包括显示区和非显示区,像素界定层40位于显示区,用于界定出显示区中的开口区和非开口区,像素界定层40位于非开口区。
对于像素界定层40的材料,选择现有技术中的材料即可。本领域技术人员应该明白,为了实现像素界定层40的界定效果,像素界定层40的厚度应大于凹槽的深度。
第二,支撑柱50为朝向第一基板100的凸起,辅助透射电极30设置在支撑柱50靠近第一基板100一侧,因此,如图2所示,辅助透射电极30会随着支撑柱50的形状形成凸起。
像素界定层40上设置有凹槽,透射电极20设置在像素界定层40靠近第二基板200一侧,因此,如图2所示,透射电极20会随着凹槽的形状形成凹陷。当然,由于透射电极20存在厚度,因此,凹陷的深度和宽度均小于凹槽的深度和宽度。
如图2所示,支撑柱50和辅助透射电极30的凸起嵌入凹陷内,此处的嵌入是指,辅助透射电极30和透射电极20在凹陷的底面贴合,侧面也贴合。当然,本领域技术人员应该明白,要想使辅助透射电极30和支撑柱50嵌入凹陷,从图2中的放置方式来看,沿显示面板的厚度方向,支撑柱50必然设置在凹陷的正上方。
第三,辅助透射电极30在第一基板100上的正投影至少覆盖凹陷在第一基板100上的正投影,是指,辅助透射电极30至少包括与凹陷的底面和侧面贴合的部分。当然,也可以覆盖整个显示区。
第四,关于像素界定层40的制备方法,示例性的一种是在像素界定薄膜上涂布光刻胶,经曝光、显影、剥离后形成开口区后,通过调节曝光的功率和时间控制凹槽的深度。二是利用halftone mask(半色调掩膜板),像素界定薄膜上的开口区(与显示面板的开口区对应)和凹槽区接受不同的曝光强度,以形成包括凹槽的像素界定层40。
关于第一基板100和第二基板200的对盒,可通过在第二基板200的边缘涂布密封胶,并通过真空贴合工艺成盒。
本发明实施例提供的显示面板,在像素界定层40上设置凹槽,透射电极20设置在像素界定层40靠近第二基板200一侧,透射电极20上会形成凹陷,而辅助透射电极30设置在支撑柱50靠近第一基板100一侧,辅助透射电极30上会形成凸起。这样一来,当辅助透射电极30形成的凸起嵌入透射电极20形成的凹陷时,辅助透射电极30与凹陷处的底面和侧面均贴合,也就是说,辅助透射电极30形成的凸起的顶面会和透射电极20接触,每个侧面中的一部分也会和透射电极20接触,相比现有技术中只有顶面与透射电极20接触,本发明可以增大辅助透射电极30和透射电极20的接触面积,从而降低辅助透射电极30和透射电极20的接触电阻,优化显示性能。
在一些实施例中,如图3所示,第二基板200上还设置有透明胶层60,透明胶层60上设置有至少一个凹槽,凹槽设置在非开口区,辅助透射电极30至少覆盖凹槽;第一基板100上设置有支撑柱50,支撑柱50设置在反射电极10与透射电极20之间;沿显示面板的厚度方向,辅助透射电极30在凹槽的正上方形成有凹陷,透射电极20与支撑柱50嵌入凹陷;其中,凹槽的深度小于支撑柱50、辅助透射电极30以及透射电极20三者的厚度之和。
需要说明的是,第一,本领域技术人员应该明白,显示面板包括显示区和非显示区,显示区又由像素界定层40界定出开口区和非开口区,透明胶层60上设置的每个凹槽都设置在非开口区。
第二,关于辅助透射电极30至少覆盖凹槽,本领域技术人员应该明白,在制备时,先形成透明胶层60再形成辅助透射电极30,因此,如图3所示,辅助透射电极30覆盖凹槽时,应该是覆盖凹槽的整个表面(包括槽底和槽壁)。当然,辅助透射电极30也可以覆盖整个显示区。
此外,辅助透射电极30覆盖透明胶层60上凹槽,那么,辅助透射电极30必然设置在透明胶层60靠近第一基板100一侧。
第三,关于辅助透射电极30在凹槽的正上方形成有凹陷,从图3所述的放置位置来看,凹陷位于凹槽的下方,但此处的上方是按照膜层形成的先后顺序来看的。在制备第二基板200时,后形成的膜层(辅助透射电极30)位于先形成的膜层(透明胶层60)的上方。
第四,辅助透射电极30成型过程中,会随着透明胶层60上的凹槽的轨迹形成凹陷。支撑柱50设置在第一基板100上,透射电极20设置在支撑柱50靠近第二基板200一侧,透射电极20在成型过程中,会随着支撑柱50的轨迹形成凸起。透射电极20形成的凸起与辅助透射电极30形成的凹陷贴合,两者贴合的区域包括凹陷的底部和侧面。
第五,透明胶层60的厚度必然小于凹槽的深度。
在透明胶平坦层上制作凹槽,凹槽对应贴合后像素界定层40的非开口区,关于透明胶层60的制备方法示例性的:在透明胶膜层内添加光敏剂,通过曝光显影工艺,选择合适的stripper(剥离液)剥离,通过mask(掩膜板)保护凹槽以外的区域,形成所需要的凹槽结构。
示例性的,可以通过真空热蒸镀依次形成电致发光层90和透射电极20。通过构图工艺依次形成黑矩阵70、彩膜层80,涂布透明胶层60,构图工艺形成支撑柱50。
显示面板中的彩膜层80的设置与否与电致发光层90的选材有关,当电致发光层90发白光时,要实现彩色显示,需要设置彩膜层80;当电致发光层90发彩色光,则可以不设置彩膜层80,此处与现有技术相同。
本发明实施例提供的显示面板,在透明胶层60上设置凹槽,辅助透射电极30设置在透明胶层60靠近第一基板100一侧,辅助透射电极30上会形成凹陷,而透射电极20设置在支撑柱50靠近第二基板200一侧,透射电极20上会形成凸起。这样一来,当透射电极20形成的凸起嵌入辅助透射电极30形成的凹陷时,透射电极20与凹陷处的底面和侧面均贴合,也就是说,透射电极20形成的凸起的顶面会和辅助透射电极30接触,侧面中的一部分也会和辅助透射电极30接触,相比现有技术中只有顶面与辅助透射电极30接触,本发明可以增大辅助透射电极30和透射电极20的接触面积,从而降低辅助透射电极30和透射电极20的接触电阻。
以下实施例中,若像素界定层40上设置有凹槽,则所限定的凹槽为像素界定层40上的凹槽;若透明胶层60上设置有凹槽,则所限定的凹槽为透明胶层60上的凹槽。
为了便于凹槽的制备,在一些实施例中,沿显示面板的厚度方向,凹槽的截面形状为矩形。
为了使辅助透射电极30与透射电极20更好的接触,在一些实施例中,沿显示面板的厚度方向,凹槽的截面形状为倒梯形。
为了使辅助透射电极30与透射电极20贴合的更紧密,在一些实施例中,沿显示面板的厚度方向,凹槽的截面形状为半圆形。
为了即确保第一基板100与第二基板200的对盒效果,又尽量是显示面板轻薄化,在一些实施例中,凹槽的深度等于支撑柱50、辅助透射电极30以及透射电极20三者的厚度之和的0.5~0.8倍。
以上实施例中,本领域技术人员应该明白,显示面板中包括薄膜晶体管,薄膜晶体管设置在第一基板100上,且位于反射电极10远离第二基板200一侧。
在一些实施例中,如图2和图3所示的显示面板,辅助透射电极30的材料包括纳米银线。
在一些实施例中,如图2和图3所示的显示面板,辅助透射电极30的材料包括石墨烯。
在一些实施例中,如图2和图3所示的显示面板,辅助透射电极30的材料包括纳米银线和石墨烯的混合物。
以上,关于辅助透射电极30的制备方法,可以根据辅助透射电极30的材料不同,选取迈耶棒涂布、喷涂法、丝网印刷、旋涂法或CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)等方式。
通过采用纳米银线或石墨烯制备辅助透射电极30,可以使辅助透射电极30具有较好的柔韧性,而且成本低,透光率高。
在一些实施例中,如图4和图5所示,辅助透射电极30包括第一子电极31和设置在第一子电极31靠近第一基板100一侧的第二子电极32;第一子电极31的材料包括透明导电材料,第二子电极32的材料包括透明柔性导电材料。
也就是说,第一子电极31和第二子电极32的材料均包括导电材料,当然,该导电材料还具有透光性,与透射电极20接触的第二子电极32包括的材料为具有透光性的导电材料中具有柔韧性的一类材料,这样一来,可提高第一子电极31的选材范围,从而更好的降低IRdrop。
为了更好的保护第一子电极31,在一些实施例中,如图4和图5所示,第二子电极32覆盖第一子电极31。
其中,第一子电极31可以覆盖整个显示面板的显示区,也可以仅覆盖非开口区,或者仅覆盖凹槽等。但无论第一子电极31覆盖哪些区域,第二子电极32均覆盖第一子电极31,也就是说,第二子电极32在第一基板100上的正投影覆盖第一子电极31在第一基板100上的正投影。
由于透射电极20仅与第二子电极32在凹槽底部处接触,为了节省材料,在一些实施例中,如图6所示,透明胶层60上设置有凹槽的情况下,第一子电极31覆盖凹槽的底面和侧面,第二子电极32覆盖凹槽的底面。
也就是说,第二子电极32并未覆盖第一子电极31中位于凹槽侧面的部分。
以上,如图4-图6所示,第一基板100上还设置有薄膜晶体管层,薄膜晶体管层(未标注)设置在第一基板100和反射电极10之间。
辅助透射电极30采用纳米银线和氧化石墨烯叠层结构,氧化石墨烯后于纳米银线制作,一方面使得辅助透射电极30具备柔韧性,防止贴合时透射电极20的损伤;另一方面氧化石墨烯可作为钝化层保护纳米银线被水氧侵蚀。因此,在一些实施例中,第一子电极31的材料包括银纳米线,第二子电极32的材料包括氧化石墨烯。
银纳米线和氧化石墨烯均为柔性导电材料,成膜顺序为先银纳米线(第一子电极31)后氧化石墨烯(第二子电极32)。这样一来,一是银纳米线和氧化石墨烯可以通过相互作用形成化学键连接,降低了薄膜方阻;二是氧化石墨烯可以完整的覆盖在银纳米线表面,极大地增加了第一子电极31和第二子电极32间接触面积,从而有效地降低薄膜电阻。三是氧化石墨烯层的覆盖可保护银被氧化,可制得延展性和柔性优异的辅助透射电极30。
具体制备方法可以为:
通过多元醇还原法制备银纳米线的分散液,反应温度控制在100-120℃。将纳米银线溶液超声分散后利用迈耶棒涂布、喷涂法、丝网印刷、旋涂法等方式涂布在第二基板200上,并在80-120℃范围内进行真空烘干成膜。再在第二基板200上通过CVD、喷涂或旋转涂覆工艺制备氧化石墨烯层。
第一子电极31的材料包括纳米银线_透明高分子材料的复合物,透明高分子材料的加入可提高第一子电极31的柔韧性,同时改善纳米银线的耐氧化性能。因此,在一些实施例中,第一子电极31的材料包括银纳米线与透明高分子材料的复合物,第二子电极32的材料包括氧化石墨烯。
此处,第一子电极31的材料包括银纳米线与透明高分子材料的复合物。透明高分子材料可以选用环氧树脂、丙烯酸树脂类非导电性高透明性材料,示例的为聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚3,4-乙撑二氧噻吩等电子型透明导电聚合物材料。本实施例第一子电极31的选材不仅可增强第一子电极31与第二基板200的粘附作用,还可以进一步减缓贴合应力损伤。
透明高分子材料_纳米银复合层的制备方法可通过制备纳米银与透明高分子材料的混合溶液,采用旋涂或喷涂工艺成膜。也可先制备纳米银线薄膜,再将基板置于反应气体氛围中形成聚合物包裹纳米银的结构。
将导电高分子层设置于第一子电极31和透射电极20之间,柔韧的导电高分子层可保障第一子电极31与透射电极20之间的紧密贴合,防止接触不良的产生,因此,在一些实施例中,第一子电极31的材料包括银纳米线与氧化石墨烯的复合物,第二子电极32的材料包括透明导电高分子材料。
此处,示例性的,先形成氧化石墨烯_银纳米复合层,再通过涂布或印刷的方式形成透明导电高分子层。透明导电高分子层的材料可以是聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚3,4-乙撑二氧噻吩等电子型透明导电材料。碳纳米材料和银纳米线都是电的良导体,氧化石墨烯、银纳米线、导电高分子树脂三者都具备里良好的柔韧性,因此,可缓冲贴合时辅助透射电极30和透射电极20之间的摩擦应力,填充导电高分子材料并可保障辅助透射电极30与透射电极20间的紧密连接,降低接触电阻。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种显示面板,包括对盒设置的第一基板和第二基板,所述显示面板的显示区包括非开口区和开口区,其特征在于,所述第一基板上设置有多个呈阵列排布的反射电极、设置在所述反射电极靠近所述第二基板一侧的透射电极;所述第二基板上设置有与所述透射电极在所述非开口区贴合的辅助透射电极;
其中,所述辅助透射电极具有柔韧性,具有柔韧性的辅助透射电极由非开口区延伸至开口区;
所述辅助透射电极的材料包括纳米银线和石墨烯;
所述辅助透射电极包括第一子电极和设置在所述第一子电极靠近所述第一基板一侧的第二子电极;所述第一子电极的材料包括导电材料,所述第二子电极的材料包括柔性导电材料;
所述第一子电极的材料包括银纳米线,所述第二子电极的材料包括氧化石墨烯;或者,所述第一子电极的材料包括银纳米线与透明高分子材料的复合物,所述第二子电极的材料包括氧化石墨烯;或者,所述第一子电极的材料包括银纳米线与氧化石墨烯的复合物,所述第二子电极的材料包括透明导电高分子材料;
所述第二子电极完全覆盖所述第一子电极的靠近所述第一基板的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板上还设置有像素界定层,所述透射电极设置在所述像素界定层靠近所述第二基板一侧,所述像素界定层上设置有凹槽;所述第二基板上设置有支撑柱,所述辅助透射电极设置在所述支撑柱靠近所述第一基板一侧;
沿所述显示面板的厚度方向,所述透射电极在所述凹槽的正上方形成有凹陷,所述辅助透射电极和所述支撑柱嵌入所述凹陷,所述辅助透射电极在所述第一基板上的正投影至少覆盖所述凹陷在所述第一基板上的正投影;
其中,所述凹槽的深度小于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板上还设置有透明胶层,所述透明胶层上设置有至少一个凹槽,所述凹槽设置在所述非开口区,所述辅助透射电极至少覆盖所述凹槽;所述第一基板上设置有支撑柱,所述支撑柱设置在所述反射电极与所述透射电极之间;沿所述显示面板的厚度方向,所述辅助透射电极在所述凹槽的正上方形成有凹陷,所述透射电极与所述支撑柱嵌入所述凹陷;
其中,所述凹槽的深度小于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述凹槽的截面形状为矩形、倒梯形、半圆形。
5.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度等于所述支撑柱、所述辅助透射电极以及所述透射电极三者的厚度之和的0.5~0.8倍。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。
CN201810581147.2A 2018-06-07 2018-06-07 一种显示面板及显示装置 Active CN108511507B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810581147.2A CN108511507B (zh) 2018-06-07 2018-06-07 一种显示面板及显示装置
US16/649,531 US11239442B2 (en) 2018-06-07 2019-06-06 Display panel and display device
PCT/CN2019/090394 WO2019233479A1 (zh) 2018-06-07 2019-06-06 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810581147.2A CN108511507B (zh) 2018-06-07 2018-06-07 一种显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108511507A CN108511507A (zh) 2018-09-07
CN108511507B true CN108511507B (zh) 2021-02-23

Family

ID=63402793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810581147.2A Active CN108511507B (zh) 2018-06-07 2018-06-07 一种显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11239442B2 (zh)
CN (1) CN108511507B (zh)
WO (1) WO2019233479A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511507B (zh) * 2018-06-07 2021-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110120408B (zh) 2019-05-05 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110212007A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法
CN111430300B (zh) * 2020-03-31 2023-09-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
CN111599936B (zh) * 2020-05-25 2023-01-31 视涯科技股份有限公司 一种有机发光显示面板及制备方法
CN111864111B (zh) * 2020-07-17 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN112531128B (zh) * 2020-11-26 2024-06-14 中国乐凯集团有限公司 一种可伸缩柔性oled照明器件及其制备方法
CN112786805A (zh) * 2021-01-08 2021-05-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
CN113745262B (zh) * 2021-08-18 2023-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114975503A (zh) * 2022-04-07 2022-08-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114744097A (zh) * 2022-04-25 2022-07-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 Led弱化结构及其制作方法
CN114975749B (zh) * 2022-05-25 2024-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW588559B (en) 2002-10-25 2004-05-21 Ritdisplay Corp Organic light emitting panel with alloy
KR20070067502A (ko) * 2005-12-23 2007-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법
WO2015061327A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-30 The Penn State Research Foundation Method for preparing graphene oxide films and fibers
CN103972270B (zh) * 2014-05-09 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及应用其的oled显示装置
CN106773205B (zh) 2016-12-26 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法以及显示装置
CN207199626U (zh) * 2017-07-17 2018-04-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 顶发射显示器件
CN108110037B (zh) * 2017-12-29 2020-09-04 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏
CN108511507B (zh) 2018-06-07 2021-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11239442B2 (en) 2022-02-01
CN108511507A (zh) 2018-09-07
WO2019233479A1 (zh) 2019-12-12
US20200313113A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108511507B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110120463B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US9659966B2 (en) Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9501165B2 (en) Organic light emitting diode display device with touch screen and method of fabricating the same
CN109791942B (zh) 有机发光二极管显示基板、有机发光二极管显示装置和制造有机发光二极管显示基板的方法
CN107394052B (zh) 一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置
US9991465B2 (en) Display device having crack prevention portion
US10446633B2 (en) Transparent OLED display with transparent storage capacitor and manufacturing method thereof
CN103715231B (zh) 有机发光显示面板、显示装置
US9577215B2 (en) Display device with glass frit sealing portion
CN109004005B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110021711A (zh) 发光显示装置
CN110767841B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN108649060B (zh) Oled器件及其制备方法、显示装置
CN109037280B (zh) 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
JP2011228229A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
US20230060896A1 (en) Display panel and display device
CN103839965A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN110289366B (zh) 盖板结构及其制作方法、显示面板、显示装置
WO2016015421A1 (zh) 阵列基板、有机发光二极管显示面板和显示装置
CN108550713B (zh) 有机发光显示面板及其显示装置
CN107579165A (zh) 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置
US11917848B2 (en) Protective window including protected edge glass substrate
WO2018166157A1 (zh) 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置
US10720601B2 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant