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CN107665906B - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN107665906B
CN107665906B CN201710595111.5A CN201710595111A CN107665906B CN 107665906 B CN107665906 B CN 107665906B CN 201710595111 A CN201710595111 A CN 201710595111A CN 107665906 B CN107665906 B CN 107665906B
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capacitor
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Abstract

公开了显示设备及其制造方法。该显示设备包括：发光器件，所述发光器件包括阳极、发光层和阴极；驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为向所述发光器件提供驱动电流；以及电容器，所述电容器包括一个电极和另一电极，每个电极由透明导电材料形成。所述电容器的一个电极和另一电极彼此交叠且至少一个绝缘层位于它们之间。

Description

显示设备及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示设备，更具体地，涉及透明显示设备及其制造方法。
背景技术
近来，随着社会向信息化社会前进，处理和显示大量信息的显示领域迅速发展，相应地，各种显示设备已经被开发出来并且引起很大的关注。显示设备的示例包括液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)设备、场发射显示(FED)设备、有机发光显示设备等。
此外，最近正在积极地研究透明显示设备，该透明显示设备能使用户看到位于该透明显示设备后面的背景或物体。透明显示设备在空间可用性、内部和设计方面具有优点并且可应用于各领域。透明显示设备通过使用透明电子器件实现信息识别功能、信息处理功能和信息显示功能，从而解决电子器件的空间限制和视觉限制。例如，透明显示设备可应用于建筑物或车辆的窗口，并且因此可被实现为允许看见背景或显示图像的智能窗口。
在使用有机发光设备实现透明显示设备的情况下，透明显示设备包括发光部分和驱动部分，所述发光部分包括有机发光设备并发光，所述驱动部分向有机发光设备提供特定电压。发光部分仅包括用于透射入射光的材料，因此当发光部分不发光时，用户可经由发光部分看到位于透明显示设备后面的背景。驱动部分包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和至少一个电容器。驱动部分包括不透明导电材料，因此为了提高透明显示设备的透射率，应该扩大发光部分的面积并且应该减小驱动部分的面积。
近来，由于应用于移动设备等的小型有机发光显示设备具有高分辨率，所以已逐渐减小了每个像素的尺寸。在减小每个像素的电容器的尺寸方面存在限制，因此，随着每个像素的尺寸变得更小，电容器区域的面积与像素面积的比变得更大。也就是说，每个像素中的驱动部分的面积比变大，因此，降低了透明显示设备的透射率。
发明内容
因此，本公开旨在提供一种显示设备及其制造方法，该显示设备基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开的一方面在于提供一种提高了透射率的显示设备及其制造方法。
本公开的其它优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言，在查阅下文之后部分地将变得明显或者可从本公开的实践而得知。本公开的其它优点可通过在撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点，并且根据本公开的目的，如本文具体表达和广泛描述的，提供了一种显示设备，该显示设备包括：发光器件，所述发光器件包括阳极、发光层和阴极；驱动晶体管，所述驱动晶体管配置为向所述发光器件提供驱动电流；以及电容器，所述电容器包括由透明导电材料形成的一个电极和另一电极。所述一个电极和所述另一电极彼此交叠且至少一个绝缘层位于它们之间。
在本公开的另一方面，提供一种制造显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成驱动晶体管和开关晶体管中的每一个的有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层，通过使用透明导电材料在所述栅绝缘层上形成电容器的一个电极和所述驱动晶体管的底栅极，并且在所述底栅极上形成所述驱动晶体管的顶栅极以与所述有源层交叠；在所述电容器的一个电极和所述驱动晶体管的所述顶栅极上形成层间电介质，并且在所述层间电介质上形成所述驱动晶体管的源极和漏极；通过使用所述透明导电材料在所述层间电介质上形成所述电容器的另一电极；在所述驱动晶体管和所述电容器上形成钝化层，并且在所述钝化层上形成平整层；以及在所述平整层上依次形成阳极、堤岸、发光层和阴极。
在本公开的另一方面，提供了一种制造显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成每一个驱动晶体管的有源层，在所述有源层上形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成栅极以与所述有源层交叠，在所述栅极上形成层间电介质，并且在所述层间电介质上形成所述驱动晶体管的源极和漏极；通过使用所述透明导电材料在所述层间电介质上以及所述开关晶体管的第一电极和第二电极上形成所述电容器的一个电极；在所述驱动晶体管的所述源极和所述漏极上以及所述电容器的所述一个电极上形成钝化层，形成穿过所述层间电介质并使所述驱动晶体管的所述栅极暴露的接触孔，并且通过使用透明导电材料在所述钝化层上形成经由所述接触孔连接到所述驱动晶体管的所述栅极的所述电容器的另一电极；在所述钝化层和所述电容器的所述另一电极上形成平整层；以及在所述平整层上依次形成阳极、堤岸、发光层和阴极。
要理解的是，本公开的以上一般描述和以下详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本申请且构成本申请的一部分，附图例示了本公开的多个方面，并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。
在附图中：
图1是例示根据本公开的一方面的透明显示设备的立体图；
图2是例示图1的第一基板、选通驱动器、源驱动集成电路(IC)、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图；
图3是例示图2的显示区域中在选通线方向上彼此相邻的像素的示意图；
图4是例示图3的像素的示例的电路图；
图5是例示图3的像素的另一示例的电路图；
图6是例示根据本公开的一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图；
图7是例示制造根据本公开的一方面的透明显示设备的方法的流程图；
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F、图8G、图8H、图8I、图8J是例示制造根据本公开的一方面的透明显示设备的方法的截面图；
图9是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图；
图10是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图；
图11A、图11B、图11C、图11D是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图；
图12是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图；
图13是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图；
图14A、图14B、图14C、图14D、图14E、图14F是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图；
图15是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管和电容器的截面图；
图16是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图；以及
图17A、图17B、图17C、图17D、图17E、图17F是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的示例性方面，在附图中例示了本公开的示例性方面的示例。在任何可能的情况下，在所有附图中将使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下方面来阐明。然而，本公开可按照不同的形式来实施并且不应被解释为限于本文所阐述的方面。相反，提供这些方面使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围来限定。
在附图中所公开的用于描述本公开的方面的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开不限于所示的细节。相同的附图标记始终表示相同的元件。在下面的描述中，当确定相关已知功能或构造的详细描述不必要地使本公开的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用了“仅”，否则可添加另一部分。除非另有说明，否则单数形式的术语可包括复数形式。
在对一个元件进行解释时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下面”和“挨着……”时，除非使用“仅”或“直接”，否则在这两个部件之间可设置一个或更多个其它部件。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“……后”、“接着……”和“在……之前”时，除非使用“仅”或“直接”，否则可包括不连续的情况。
将理解的是，尽管这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。
X轴方向、Y轴方向和Z轴方向不应被解释为仅仅是它们之间的关系为垂直的几何关系，而是可表示在本公开的元件进行功能性操作的范围内具有更广的方向性。
术语“至少一个”应该被理解为包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个项目中提出的所有项目的组合，以及第一项目、第二项目或第三项目。
如本领域技术人员可充分理解的，本公开的各个方面的特征可部分地或全部地彼此联接或组合，并且可不同地彼此相互操作并且在技术上被驱动。本公开的各方面可彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系被一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性方面。
图1是例示根据本公开的一方面的透明显示设备100的立体图。图2是例示图1的第一基板、选通驱动器、源驱动集成电路(IC)、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图。图3是例示在图2的显示区域中在选通线方向上彼此相邻的像素的示意图。
参照图1至图3，根据本公开的一方面的透明显示设备100可包括显示面板110、选通驱动器120、源驱动IC 130、柔性膜140、电路板150和定时控制器160。
显示面板110可包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111和第二基板112中的每一个可以是塑料或玻璃。
如图2所示，第一基板111可被划分为提供多个像素以显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。多条选通线、多条数据线和多个像素可设置在显示区域DA中。多个像素可被分别设置在由选通线和数据线的交叉结构限定的多个区域中。选通驱动器120和多个焊盘可设置在非显示区域NDA中。
在图3中，例示了在选通线方向上彼此相邻的多个像素SP1和SP2。如图3所示，像素SP1和SP2可各自包括设置有多个薄膜晶体管(TFT)和选通线的驱动部分DA以及包括有机发光器件并发光的发光部分EA。
当通过使用TFT经由选通线输入选通信号时，驱动部分DA可根据数据线的数据电压向发光部分EA的有机发光器件的阳极提供特定电压。发光部分EA的有机发光器件可根据提供给有机发光器件的阳极的电压和提供给有机发光器件的阴极的电压而发出具有特定亮度的光。可利用红色发光部分、绿色发光部分和蓝色发光部分中的一个来构造发光部分EA。
发光部分EA可被堤岸划分。堤岸可包括黑色堤岸和透明堤岸。驱动部分DA的TFT和选通线可各自由金属材料形成，因此，当外部光入射到驱动部分DA上时，外部光被金属材料反射，导致图像的可见度下降。为了防止图像的可见度由于外部光而下降，可在驱动部分DA上设置黑色堤岸以覆盖驱动部分DA。可在相邻像素的发光部分EA之间设置透明堤岸。
透光部分TA可以是使入射光透射的区域，并且可以是除了驱动部分DA以外的区域。也就是说，透光部分TA可包括设置有发光部分EA和透明堤岸的区域。透明显示设备的透射率可取决于透光部分TA的面积。然而，透光部分TA的面积可与驱动部分DA的面积具有平衡关系，因此，为了扩大透光部分TA的面积，应该减小驱动部分DA的面积。
在本公开的一方面中，电容器可由透明材料形成，并且因此可被设置成与发光部分EA交叠。也就是说，在本公开的一方面中，电容器可以不设置在驱动部分DA中，因此，与电容器设置在驱动部分DA中的情况相比，驱动部分DA的面积减小。下面将参照图6、图9、图12和图15来描述根据本公开的一方面的电容器的详细描述。另外，下面将参照图4和图5来描述根据本公开的一方面的像素的详细描述。
选通驱动器120可根据从定时控制器160输入的选通控制信号，向选通线依次提供选通信号。选通驱动器120可按照面板中选通驱动器(GIP)类型设置在显示面板110的显示区域DA的一侧外或两侧外。另选地，选通驱动器120可被制造为驱动芯片，并且可安装在柔性电路上，或者可按照带式自动焊接(TAB)类型附接在显示面板110的显示区域DA的一侧外或两侧外的非显示区域NDA上。
源驱动IC 130可从定时控制器160接收数字视频数据和源控制信号。源驱动器IC130可根据源控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可将模拟数据电压分别提供给数据线。如果源驱动IC 130被制造为驱动芯片，则源驱动IC 130可按照膜上芯片(COF)类型或塑料上芯片(COP)类型安装在柔性膜140上。
诸如数据焊盘的多个焊盘可设置在显示面板110的非显示区域NDA中。将焊盘连接至源驱动IC 130的线和将焊盘连接至电路板150的线的线可设置在柔性膜140上。柔性膜140可通过使用非均质导电膜附接在焊盘上，因此，焊盘可连接到柔性膜140的线。
电路板150可附接在设置成多个的柔性膜140上。实现为驱动芯片的多个电路可被安装在电路板150上。例如，定时控制器160可安装在电路板150上。电路板150可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
定时控制器160可经由电路板150的电缆从外部系统板(未示出)接收数字视频数据和定时信号。定时控制器160可基于定时信号产生用于控制选通驱动器120的操作定时的选通控制信号和用于控制设置成多个的源驱动IC 130的源控制信号。定时控制器60可将选通控制信号提供给选通驱动器120，并且可将源控制信号提供给多个源驱动IC 130。
图4是例示图3的像素的示例的电路图。在图4中，为了便于描述，仅例示了一个像素P，所述像素P连接到第j(其中，j是等于或大于2的整数)数据线Dj、第q(其中，q是等于或大于2的整数)基准电压线Rq、第k(其中，k是等于或大于2的整数)选通线Gk和第k(其中，k是等于或大于2的整数)初始化线(initialization line)SEk。
参照图4，像素P可包括有机发光器件OLED、驱动晶体管DT、多个开关晶体管ST1和ST2以及电容器Cst。多个开关晶体管ST1和ST2可包括第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2。
有机发光器件OLED可使用经由驱动晶体管DT提供的电流而发光。有机发光器件OLED的阳极可连接到驱动晶体管DT的源极，而有机发光器件OLED的阴极可连接到提供第一电源电压的第一电源电压线VSSL。第一电源电压线VSSL可以是提供低电平电源电压的低电平电压线。
有机发光器件OLED可包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极。当向阴极和阳极施加电压时，空穴和电子可分别经由空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层，并且可在有机发光层中彼此结合以发光。
驱动晶体管DT可设置在有机发光器件OLED与提供第二电源电压的第二电源电压线VDDL之间。驱动晶体管DT可基于驱动晶体管DT的栅极与源极之间的电压差来控制从第二电源电压线VDDL流向有机发光器件OLED的电流。驱动晶体管DT的栅极可连接到第一开关晶体管ST1的第一电极，源极可连接到有机发光器件OLED的阳极，并且漏极可连接到第二电源电压线VDDL。第二电源电压线VDDL可以是提供高电平电源电压的高电平电源电压线。
第一开关晶体管ST1可被第k选通线Gk的第k选通信号导通，并且可将第j数据线Dj的电压提供到驱动晶体管DT的栅极。第一开关晶体管ST1的栅极可连接到第k选通线Gk，第一电极可连接到驱动晶体管DT的栅极，并且第二电极可连接到第j数据线Dj。
第二开关晶体管ST2可被第k初始化线SEk的第k初始化信号导通，并且可将第q基准电压线Rq连接到驱动晶体管DT的源极。第二开关晶体管ST2的栅极可连接到第k初始化线SEk，第一电极可连接到第q基准电压线Rq，并且第二电极可连接到驱动晶体管DT的源极。
第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第一电极可以是源极，第二电极可以是漏极。然而，该方面不限于此。在其它方面，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的每一个的第一电极可以是漏极，第二电极可以是源极。
电容器Cst可设置在驱动晶体管DT的栅极与源极之间。电容器Cst可存储驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的差分电压。
电容器Cst的一个电极可连接到驱动晶体管DT的栅极和第一开关晶体管ST1的第一电极，而另一电极可连接到驱动晶体管DT的源极、第二开关晶体管ST2的第二电极和有机发光器件OLED的阳极。电容器Cst的所述一个电极和所述另一电极可各自由透明导电材料形成。下面将参照图6、图9、图12和图15描述其详细描述。
在图4中，已经描述了驱动晶体管DT与第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2各自由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成的示例，但是本公开不限于此。驱动晶体管DT与第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2可各自由P型MOSFET形成。
图5是例示图3的像素的另一示例的电路图。在图5中，为了便于描述，仅例示了一个像素P，所述像素P连接到第j(其中，j是等于或大于2的整数)数据线Dj、第k(其中，k是等于或大于2的整数)选通线Gk、第k(其中，k是等于或大于2的整数)初始化线SEk和第k(其中，k是等于或大于2的整数)发光线EMk。
参照图5，像素P可包括有机发光器件OLED、驱动晶体管DT、多个开关晶体管ST1至ST5和电容器Cst。多个开关晶体管ST1至ST5可包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、第三开关晶体管ST3、第四开关晶体管ST4和第五开关晶体管ST5。
有机发光器件OLED可使用经由驱动晶体管DT提供的电流而发光。有机发光器件OLED的阳极可连接到驱动晶体管DT的漏极，而有机发光器件OLED的阴极可连接到提供第一电源电压的第一电源电压线VSSL。第一电源电压线VSSL可以是提供低电平电源电压的低电平电压线。
有机发光器件OLED可包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极。当向阴极和阳极施加电压时，空穴和电子可分别经由空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层，并且可在有机发光层中彼此结合以发光。
驱动晶体管DT可设置在有机发光器件OLED与提供第二电源电压的第二电源电压线VDDL之间。驱动晶体管DT可基于驱动晶体管DT的栅极与源极之间的电压差来控制从第二电源电压线VDDL流向有机发光器件OLED的电流。驱动晶体管DT的栅极可连接到电容器Cst的一个电极和第二开关晶体管ST2的第二电极，源极可连接到有机发光器件OLED的阳极，并且漏极可连接到第二电源电压线VDDL。第二电源电压线VDDL可以是提供高电平电源电压的高电平电源电压线。
第一开关晶体管ST1可被第k选通线Gk的第k选通信号导通，并且可将第j数据线Dj的电压提供给电容器Cst的另一电极。第一开关晶体管ST1的栅极可连接到第k选通线Gk，第一电极可连接到第j数据线Dj，并且第二电极可连接到电容器Cst的另一电极。
第二开关晶体管ST2可被第k初始化线SEk的第k初始化信号导通，并且可连接驱动晶体管DT的栅极和漏极。第二开关晶体管ST2的栅极可连接到第k初始化线SEk，第一电极可连接到驱动晶体管DT的漏极，第二电极可连接到驱动晶体管DT的栅极。
第三开关晶体管ST3可被第k发光线EMk的第k发光信号导通，并且可将电容器Cst的另一电极初始化为基准电压。第三开关晶体管ST3的栅极可连接到第k发光线EMk，第一电极可连接到电容器Cst的另一电极，并且第二电极可连接到提供基准电压的基准线RL。
第四开关晶体管ST4可被第k发光线EMk的第k发光信号导通，并且可将驱动晶体管DT的漏极连接到有机发光器件OLED的阳极。第四开关晶体管ST4的栅极可连接到第k发光线EMk，第一电极可连接到驱动晶体管DT的漏极，并且第二电极可连接到有机发光器件OLED的阳极。
第五开关晶体管ST5可被第k初始化线SEk的第k初始化信号导通，并且可将有机发光器件OLED的阳极初始化为基准电压。第五开关晶体管ST5的栅极可连接到第k初始化线SEk，第一电极可连接到有机发光器件OLED的阳极，并且第二电极可连接到基准电压线RL。
第一开关晶体管ST1至第五开关晶体管ST5中的每一个的第一电极可以是源极，并且第二电极可以是漏极。然而，该方面不限于此。在其它方面，第一开关晶体管ST1至第五开关晶体管ST5中的每一个的第一电极可以是漏极，第二电极可以是源极。
电容器Cst可设置在驱动晶体管DT的栅极与第一开关晶体管ST1的第二电极之间。电容器Cst可存储驱动晶体管DT的栅极处的电压与第一开关晶体管ST1的第二电极处的电压之间的差分电压。
电容器Cst的一个电极可连接到驱动晶体管DT的栅极和第二开关晶体管ST2的第二电极，而另一电极可连接到第一开关晶体管ST1的第二电极和第三开关晶体管ST3的第一电极。电容器Cst的所述一个电极和所述另一电极可各自由透明导电材料形成。下面将参照图6、图9、图12和图15来描述其详细描述。
在图5中，已经描述了驱动晶体管DT和第一开关晶体管ST1至第五开关晶体管ST5各自由P型MOSFET形成的示例，但是本公开不限于此。驱动晶体管DT和第一开关晶体管ST1至第五开关晶体管ST5可各自由N型MOSFET形成。
图6是例示根据本公开的一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图。图6是例示沿图3的线I-I'截取的示例的截面图。
参照图6，缓冲层210可形成在第一基板111的面向第二基板112的一个表面上，以保护多个TFT免受经由易渗水的第一基板111而渗透的水的影响。缓冲层210可包括交替堆叠的多个无机层。例如，缓冲层210可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的一个或更多个交替堆叠的多层形成。
驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250可形成在缓冲层210上。图6所示的开关晶体管230可以是图4的第二开关晶体管ST2、图5的第一开关晶体管ST1或图5的第三开关晶体管ST3。
驱动晶体管220可包括有源层221、栅极222、第一电极223和第二电极224。在图6中，将驱动晶体管220例示为形成为栅极222设置在有源层221上的顶栅型，但不限于此。在其它方面，驱动晶体管220可被形成为栅极222设置在有源层221下的底栅型，或者栅极222设置在有源层221上和有源层221下的双栅型。
有源层221可形成在缓冲层210上。有源层221可由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成。用于阻挡入射到有源层221上的外部光的光阻挡层可形成在第一基板111上。
栅绝缘层240可形成在有源层221上。栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
栅极222可形成在栅绝缘层240上。栅极222可包括由透明导电材料形成的底栅极222a和由不透明导电材料形成的顶栅极222b。底栅极222a可由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料(例如，透明导电氧化物(TCO))形成。顶栅极222b可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
层间电介质260可形成在栅极222上。层间电介质260可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
第一电极223和第二电极224可形成在层间电介质260上。第一电极223和第二电极224中的每一个可经由穿过栅绝缘层240和层间电介质260的接触孔CT1连接到有源层221。在图6中，省略了经由接触孔CT1连接到有源层221的第一电极223以例示电容器250的一个电极251从驱动晶体管220的底栅极222a延伸的示例。第一电极223和第二电极224可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
开关晶体管230可包括有源层231、栅极232、第一电极233和第二电极234。开关晶体管230的有源层231、栅极232、第一电极233和第二电极234基本上与驱动晶体管220的有源层221、栅极222、第一电极223和第二电极224相同。因此，省略了开关晶体管230的有源层231、栅极232、第一电极233和第二电极234的详细描述。
电容器250可包括一个电极251和另一电极252。一个电极251和另一电极252可彼此交叠，且至少一个绝缘层在它们之间。例如，如在图6中，一个电极251和另一电极252可彼此交叠且层间电介质260位于它们之间。
一个电极251可形成在栅绝缘层240上，以从驱动晶体管220的底栅极222a延伸。一个电极251可由与驱动晶体管220的底栅极222a相同的材料形成。例如，一个电极251可由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料(例如，透明导电氧化物(TCO))形成。
另一电极252可在层间电介质260上连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部。在图6中，为了便于描述，示出了另一电极252连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部的示例，但是该方面不限于此。在其它方面，另一电极252可连接到开关晶体管230的第一电极233的顶部。另一电极252可由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料(例如，透明导电氧化物(TCO))形成。
由于一个电极251和另一电极252各自由透明导电材料形成，所以一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。如在图6中，发光部分EA可以是阳极291、有机发光层292和阴极293被依次堆叠以构造有机发光器件290的区域，并且可以是有机发光器件290发出特定光的区域。
也就是说，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且层间电介质260位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
钝化层270可形成在驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250上。钝化层270可对应于绝缘层。钝化层270可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
用于使由驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250引起的台阶高度平整的平整层280可形成在钝化层270上。平整层280可对应于绝缘层。平整层280可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等有机层形成。
有机发光器件290和堤岸300可形成在平整层280上。有机发光器件290可包括阳极291、有机发光层292和阴极293。阳极291、有机发光层292和阴极293依次堆叠的区域可被定义为发光部分EA。
阳极291可形成在平整层280上。阳极291可经由穿过平整层280的接触孔CT2连接到驱动晶体管220的第二电极224。阳极291可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。
堤岸300可划分发光部分EA。堤岸300可形成在平整层280上以覆盖阳极291的边缘。
堤岸300可包括黑色堤岸301和透明堤岸302。黑色堤岸301可设置在驱动部分DA上以覆盖驱动部分DA，以防止图像可见性由于外部光的反射而减小。也就是说，如在图6中，黑色堤岸301可被设置为覆盖驱动部分DA的驱动晶体管220和开关晶体管230。黑色堤岸301可包括用于吸收光的材料。例如，黑色堤岸301可以是具有特定颜色的有机层(例如，黑色有机层)。
透明堤岸302可被形成为覆盖黑色堤岸301。另外，透明堤岸302可形成在相邻的发光部分EA之间。透明堤岸302可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
有机发光层292可形成在阳极291和堤岸300上。有机发光层292可包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，当向阳极291和阴极293施加电压时，空穴和电子可分别经由空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且可在发光层中彼此结合以发光。
有机发光层292可配置有发出白光的白色发光层。在这种情况下，如在图6中，有机发光层292可被形成为覆盖阳极291和堤岸300，并且滤色器320可形成在第二基板112上。
另选地，有机发光层292可以是发出红光的红色发光层、发出绿光的绿色发光层或发出蓝光的蓝色发光层。在这种情况下，有机发光层292可形成在与发光部分EA对应的区域中，并且滤色器320可不形成在第二基板112上。
阴极293可形成在有机发光层292上。在有机发光显示设备实现为顶部发光结构的情况下，阴极293可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)，或诸如镁(Mg)、银(Ag)以及Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。封盖层可形成在阴极293上。
封装层310可形成在有机发光器件290上。封装层310防止氧气或水渗透到有机发光层292和阴极293中。为此，封装层310可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。
例如，封装层310可包括第一无机层、有机层和第二无机层。在这种情况下，第一无机层可形成在阴极293上以覆盖阴极293。有机层可形成在第一无机层上以覆盖第一无机层。有机层可被形成为具有足够的厚度，以防止粒子经由第一无机层渗透到有机发光层292和阴极293中。第二无机层可形成在有机层上以覆盖有机层。第一无机层和第二无机层中的每一个可由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。有机层可透明地形成，以用于使从有机发光层292发出的光L透射。有机层可由能够透射从有机发光层292发出的光L的99％或更多的有机材料形成。
在有机发光器件290发出白光的情况下，多个滤色器和黑底可形成在面向第一基板111的第二基板112上。在有机发光器件290发出红光、绿光和蓝光中的一种的情况下，在第二基板112上可不设置滤色器和黑底。
第一基板111可通过粘合层320结合到第二基板112。粘合层320可包括透明粘合树脂或透明粘合膜。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且层间电介质260位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被布置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一个方面，透明显示设备的透射率增大。
此外，在本公开的一方面，有机发光器件290的阳极291和阴极292可各自由能够透射光的金属材料形成。因此，在本公开的一方面，从发光部分EA发出的光可被输出到第一基板111和第二基板112。也就是说，在本公开的一方面，透明显示设备可被实现为使得用户能够在前部和后部观看图像的双面显示设备。
此外，在本公开的一方面，有机发光器件290的阳极291和阴极293可各自由能够透射光的金属材料形成。因此，在本公开的一方面，发光部分EA可用作使入射光原样透射的透光部分TA。
此外，在本公开的一方面，由于黑色堤岸301，防止了图像的可见性由于外部光的反射而被降低。
图7是例示制造根据本公开的一方面的透明显示设备的方法的流程图。图8A至图8J是例示制造根据本公开的一方面的透明显示设备的方法的截面图。图8A至图8J中所示的截面图涉及制造图6所示的透明显示设备的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中，将参照图7和图8A至图8J更详细地描述制造根据本公开的一方面的透明显示设备的方法。
首先，如在图8A中，可在第一基板111上形成缓冲层210，以保护元件免受经由第一基板111渗透的水的影响。缓冲层210可包括交替堆叠的多个无机层，以保护TFT 220和有机发光器件290免受经由易渗水的第一基板111而渗透的水的影响。例如，缓冲层210可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的一种或更多种交替堆叠的多层形成。缓冲层210可通过化学气相沉积(CVD)工艺形成。
可在缓冲层210上形成驱动晶体管的有源层221和开关晶体管的有源层231。具体地，可通过使用溅射工艺或金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在整个缓冲层210上形成活性金属层。然后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对活性金属层进行构图(patterning)来形成有源层221和231。有源层221和231可各自由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成。
然后，可在有源层221和231上形成栅绝缘层240。栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成(在图7的S101中示出)。
第二，可在有源层221和231上形成栅绝缘层240，并且如在图8B至图8D中，可通过使用半色调掩模工艺在栅绝缘层240上形成电容器250的一个电极251、多个底栅极222a和232a以及多个顶栅极222b和232b。
栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。栅绝缘层240可经由CVD工艺形成。
然后，如在图8B中，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个栅绝缘层240上形成第一金属层ML1，并且可在整个第一金属层ML1上形成第二金属层ML2。如在图8B中，可在第二金属层ML2上要形成一个电极251的区域中形成具有第一厚度的光刻胶图案PR，并且可在要形成顶栅极222b和232b的区域中形成具有比第一厚度更厚的第二厚度的光刻胶图案PR。
然后，如在图8C中，可通过执行刻蚀工艺来对第一金属层ML1和第二金属层ML2进行构图。随后，当执行去除具有第一厚度的光刻胶图案PR的灰化工艺时，如在图8C中，可仅在要形成顶栅极222b和232b的区域中保留光刻胶图案PR。
然后，如在图8D中，可经由刻蚀工艺去除第二金属层ML2来形成电容器250的一个电极251和底栅极222a和232a，并且当执行去除光刻胶图案PR的灰化工艺时，如在图8D中，可形成顶栅极222b和232b。
电容器250的一个电极251和底栅极222a可由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料(TCO)形成。顶栅极222b可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(图7的S102)。
第三，如在图8E中，可在电容器250的一个电极251和栅极222上形成层间电介质260，并且可在层间电介质260上形成多个第一电极223和233以及多个第二电极224和234。
具体地，可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成层间电介质260。可经由CVD工艺形成层间电介质260。
然后，可形成穿过栅绝缘层240和层间电介质260并且使有源层221暴露的多个接触孔CT1。
然后，可在层间电介质260上形成第一电极223和233以及第二电极224和234。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个层间电介质260上形成第三金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第三金属层进行构图来形成第一电极223和233以及第二电极224和234。第一电极223和第二电极224中的每一个可经由穿过栅绝缘层240和层间电介质260的对应的接触孔CT1连接到有源层221，并且第一电极233和第二电极234中的每一个可经由对应的接触孔CT1连接到有源层231。
第一电极223和233以及第二电极224和234可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(在图7的S103中示出)。
第四，如在图8F中，可在开关晶体管230的第一电极233或第二电极234的顶部上以及层间电介质260上形成电容器250的另一电极252。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在层间电介质260上以及在第一电极223和233与第二电极224和234中的每一个的顶部上形成第四金属层。然后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第四金属层进行构图来形成电容器250的另一电极252。
电容器250的另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成(在图7的S104中示出)。
第五，如在图8G中，可在驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250上形成钝化层270。钝化层270可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层270可经由CVD工艺形成。
然后，如在图8G中，可在钝化层270上形成用于使由驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250引起的台阶高度平整的平整层280。平整层280可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。平整层280可经由CVD工艺形成(在图7的S105中示出)。
第六，如在图8H中，可依次形成阳极291、堤岸300、有机发光层292和阴极293。
具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个平整层280上形成第四金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第四金属层进行构图来形成阳极291。阳极291可经由穿过钝化层270和平整层280的接触孔CT2连接到驱动晶体管220的漏极224。阳极291可由能够透射光的诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。
随后，可在平整层280上形成堤岸300以覆盖阳极291的边缘，以划分发光部分EA。堤岸300可包括黑色堤岸301和透明堤岸302。黑色堤岸301可包括用于吸收光的材料。例如，黑色堤岸301可以是具有特定颜色的有机层(例如，黑色有机层)。透明堤岸302可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
随后，可在阳极291和堤岸300上形成有机发光层292。有机发光层292可经由沉积工艺或溶液工艺形成。在经由沉积工艺形成有机发光层292的情况下，可经由蒸发工艺形成有机发光层292。
随后，可在有机发光层292上形成阴极293。阴极293可经由溅射工艺或MOCVD工艺形成。阴极293可由能够透射光的诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。可在阴极293上形成封盖层(在图7的S106中示出)。
第七，如在图8I中，可在阴极293上形成封装层310。封装层310可包括至少一个无机层和至少一个有机层。至少一个无机层可由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。有机层可由用于透射从有机发光层292发出的光的透明有机材料形成(在图7的S107中示出)。
第八，如在图8J中，第一基板111可通过粘合层320结合到第二基板112。粘合层320可包括透明粘合树脂或透明粘合膜(在图7的S108中示出)。
如上所述，在本公开的一方面中，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且层间电介质260位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置成与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
此外，在本公开的一方面中，由于电容器250的一个电极251、底栅极222a和顶栅极222b通过使用半色调掩模工艺形成，所以电容器250的一个电极251可被透明地形成而不添加掩模工艺。因此，在本公开的一方面，使制造成本的增加最小化，因此，可透明地形成电容器250的一个电极251和另一电极252。
图9是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图。图9是例示沿着图3的线I-I'截取的另一示例的截面图。
图9中例示的第一基板111、第二基板112、缓冲层210、栅绝缘层240、层间电介质260、钝化层270、平整层280、有机发光器件290、堤岸300、封装层310和粘合层320与上文参照图6描述的元件基本相同。另外，除了栅极222和232中的每一个都由单层形成之外，驱动晶体管220和开关晶体管230与上文参照图6描述的元件基本相同。因此，省略了第一基板111、第二基板112、缓冲层210、驱动晶体管220、开关晶体管230、栅绝缘层240、层间电介质260、钝化层270、平整层280、有机发光器件290、堤岸300、封装层310和粘合层320的详细描述。
参照图9，驱动晶体管220的栅极222和开关晶体管230的栅极232可各自由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
电容器250可包括一个电极251和另一电极252。一个电极251和另一电极252可彼此交叠且至少一个绝缘层位于它们之间。例如，如在图9中，一个电极251和另一电极252可彼此交叠且钝化层270位于它们之间。
一个电极251可形成在钝化层270上。一个电极251可经由穿过层间电介质260和钝化层270并且使驱动晶体管220的栅极222暴露的接触孔CT3连接到栅极222的顶部。一个电极251可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。
另一电极252可在层间电介质260上连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部。在图9中，为了便于说明，例示了另一电极252连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部的示例，但是该方面不限于此。在其它方面，另一电极252可连接到开关晶体管230的第一电极233的顶部。另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。
由于一个电极251和另一电极252各自由透明导电材料形成，所以一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。如在图9中，发光部分EA可以是依次堆叠阳极291、有机发光层292和阴极293以配置有机发光器件290的区域，并且可以是有机发光器件290发出特定光的区域。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且钝化层270位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一个方面，透明显示设备的透射率增大。
图10是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图。图11A至图11D是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图。图11A至图11D中所例示的截面图涉及制造图9所示的透明显示设备的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中，将参照图10和图11A至图11D更详细地描述制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法。
首先，如在图11A中，可在第一基板111上形成缓冲层210，以保护元件免受经由第一基板111渗透的水的影响。缓冲层210可包括交替堆叠的多个无机层，以保护TFT 220和有机发光器件290免受经由易渗水的第一基板111而渗透的水的影响。例如，缓冲层210可由交替堆叠硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的一种或更多种的多层形成。缓冲层210可通过CVD工艺形成。
可在缓冲层210上形成驱动晶体管的有源层221和开关晶体管的有源层231。具体地，可通过使用溅射工艺或金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在整个缓冲层210上形成活性金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对活性金属层进行构图来形成有源层221和231。有源层221和231可各自由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成。
随后，可在有源层221和231上形成栅绝缘层240。栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
随后，可在有源层221和231上形成栅绝缘层240。栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。栅绝缘层240可经由CVD工艺形成。
随后，可在栅绝缘层240上形成驱动晶体管的栅极222和开关晶体管的栅极232。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个栅绝缘层240上形成第一金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第一金属层进行构图来形成栅极222和223。栅极222可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
随后，可在栅极222上形成层间电介质260。层间电介质260可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。层间电介质260可经由CVD工艺形成。
随后，可形成穿过栅绝缘层240和层间电介质260并且使有源层221暴露的多个接触孔CT1。
随后，可在层间电介质260上形成第一电极223和233以及第二电极224和234。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个层间电介质260上形成第二金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来形成第一电极223和233以及第二电极224和234。第一电极223和第二电极224中的每一个可经由穿过栅绝缘层240和层间电介质260的对应的接触孔CT1连接到有源层221，并且第一电极233和第二电极234中的每一个可经由对应的接触孔CT1连接到有源层231。第一电极223和233以及第二电极224和234可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(图10的S201)。
第二，如在图11B中，可在开关晶体管230的第一电极233或第二电极234的顶部上以及层间电介质260上形成电容器250的另一电极252。具体地，可经由使用溅射工艺或MOCVD工艺在层间电介质260上以及在第一电极223和233与第二电极224和234中的每一个的顶部上形成第三金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第三金属层进行构图来形成电容器250的另一电极252。
电容器250的另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成(在图10的S202中示出)。
第三，如在图11C中，可在驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250上形成钝化层270。钝化层270可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层270可经由CVD工艺形成。
随后，如在图11C中，可形成穿过层间电介质260和钝化层270并且使驱动晶体管220的栅极222暴露的接触孔CT3。
随后，如在图11C中，可在钝化层270上形成电容器250的一个电极251。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在钝化层270上形成第四金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第四金属层进行构图来形成电容器250的一个电极251。电容器250的一个电极251可经由穿过层间电介质260和钝化层270的接触孔CT3连接到驱动晶体管220的栅极222。
电容器250的另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成(在图10的S203中示出)。
第四，如在图11D中，可在钝化层270上形成用于使由驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250引起的台阶高度平整的平整层280。平整层280可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。平整层280可经由CVD工艺形成(在图10的S204中示出)。
图10的操作S205至S207与图7的操作S106至S108基本相同。因此，省略其详细描述。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且钝化层270位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
图12是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管、电容器和有机发光器件的截面图。图12是例示沿着图3的线I-I'截取的另一示例的截面图。
图12中例示的第一基板111、第二基板112、缓冲层210、驱动晶体管220、开关晶体管230、栅绝缘层240、层间电介质260、钝化层270、平整层280、有机发光器件290、堤岸300、封装层310和粘合层320与上文参照图6描述的元件基本相同，因此，省略其详细描述。
参照图12，电容器250可包括一个电极251和另一电极252。一个电极251和另一电极252可彼此交叠且至少一个绝缘层位于它们之间。例如，如在图12中，一个电极251和另一电极252可彼此交叠且栅绝缘层240位于它们之间。
一个电极251与上文参照图6描述的一个电极基本相同。因此，省略其详细描述。
另一电极252可在缓冲层210上连接到开关晶体管230的有源层231的顶部。因此，如在图12中，开关晶体管230的第二电极234可经由第一接触孔CT1连接到另一电极252。在图12中，为了便于说明，例示了另一电极252连接到开关晶体管230的第二电极234的示例，但是该方面不限于此。在其它方面，另一电极252可连接到开关晶体管230的第一电极233。另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。
由于一个电极251和另一电极252各自由透明导电材料形成，所以一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。如在图12中，发光部分EA可以是阳极291、有机发光层292和阴极293依次堆叠以配置有机发光器件290的区域，并且可以是有机发光器件290发出特定光的区域。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且栅绝缘层240位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一个方面，透明显示设备的透射率增大。
在图6、图9和图12中，例示了电容器250的一个电极251和另一电极252彼此交叠且仅一个绝缘层(即，栅绝缘层240、层间电介质260或钝化层270)位于它们之间的一个示例，但是该方面不限于此。在其它方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可彼此交叠且多个绝缘层位于它们之间。例如，在电容器250的一个电极251设置在缓冲层210上的情况下，另一电极252可设置在层间电介质260或钝化层270上。另外，在电容器250的一个电极251设置在栅绝缘层240上的情况下，另一电极252可设置在钝化层270上。另外，在电容器250的一个电极251设置在层间电介质260上的情况下，另一电极252可设置在缓冲层210上。另外，在电容器250的一个电极251设置在钝化层270上的情况下，另一电极252可以设置在缓冲层210或栅绝缘层240上。
图13是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图。图14A至图14F是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图。图14A至图14F中所例示的截面图涉及制造图12中例示的透明显示设备的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中，将参照图13和图14A至图14F更详细地描述制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法。
首先，可在第一基板111上形成缓冲层210，并且可在缓冲层210上形成驱动晶体管的有源层221和开关晶体管的有源层231。图13的操作S301与图7的操作S101基本相同，并且因此，省略其详细描述(在图13的S301中示出)。
第二，如在图14A中，可在缓冲层210和开关晶体管230的有源层231上形成电容器250的另一电极252。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个缓冲层210和开关晶体管230的有源层231上形成第一金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第一金属层进行构图来形成电容器250的另一电极252。
电容器250的另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成(在图13的S302中示出)。
第三，可在有源层221和231上以及电容器250的另一电极252上形成栅绝缘层240，并且如在图14B至图14D中，可通过使用半色调掩模工艺在栅绝缘层240上形成电容器250的一个电极251、多个底栅极222a和232a以及多个顶栅极222b和232b。
栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。栅绝缘层240可经由CVD工艺形成。
随后，如在图14B中，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个栅绝缘层240上形成第二金属层ML2，并且可在第二金属层ML2上形成第三金属层ML3。如在图14B中，可在要在第三金属层ML3上形成一个电极251的区域中形成具有第一厚度的光刻胶图案PR，并且可在要形成顶栅极222b和232b的区域中形成具有比第一厚度更厚的第二厚度的光刻胶图案PR。
随后，如在图14C中，可通过执行刻蚀工艺对第二金属层ML2和第三金属层ML3进行构图。随后，当执行去除具有第一厚度的光刻胶图案PR的灰化工艺时，如在图14C中，可仅在要形成顶栅极222b和232b的区域中保留光刻胶图案PR。
随后，如在图14D中，可经由刻蚀工艺去除第三金属层ML3来形成电容器250的一个电极251和底栅极222a和232a，并且当执行去除光刻胶图案PR的灰化工艺时，如在图14D中，可形成顶栅极222b和232b。
电容器250的一个电极251和底栅极222a可各自由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。顶栅极222b可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(在图13的S303中示出)。
第四，如在图14E中，可在电容器250的一个电极251和栅极222上形成层间电介质260，并且可在层间电介质260上形成多个第一电极223和233以及多个第二电极224和234。
具体地，层间电介质260可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。层间电介质260可经由CVD工艺形成。
随后，可形成穿过栅绝缘层240和层间电介质260并且使有源层221暴露的多个接触孔CT1。
随后，可在层间电介质260上形成第一电极223和233以及第二电极224和234。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个层间电介质260上形成第四金属层。随后，可以经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第四金属层进行构图来形成第一电极223和233以及第二电极224和234。第一电极223和第二电极224中的每一个可经由穿过栅绝缘层240和层间电介质260的对应的接触孔CT1连接到有源层221，并且第一电极233和第二电极234中的每一个可经由对应的接触孔CT1连接到有源层231。
第一电极223和233以及第二电极224和234可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(在图13的S304中示出)。
第五，如在图14F中，可在驱动晶体管220和开关晶体管230上形成钝化层270。钝化层270可例如由SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层270可经由CVD工艺形成。
随后，如在图14F中，可在钝化层270上形成用于使由驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250引起的台阶高度平整的平整层280。平整层280可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。平整层280可经由CVD工艺形成(图13的S305)。
图13的操作S306至S308与图7的操作S106至S108基本相同，并且因此，省略其详细描述。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且栅绝缘层240位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被设置为与发光部分EA交叠。因此，减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
此外，在本公开的一方面，由于电容器250的一个电极251、底栅极222a和顶栅极222b通过使用半色调掩模工艺来形成，因此电容器250的一个电极251可被透明地形成而不添加掩模工艺。因此，在本公开的一个方面，使制造成本的增加最小化，因此，可透明地形成电容器250的一个电极251和另一电极252。
图15是例示根据本公开的另一方面的驱动晶体管、开关晶体管和电容器的截面图。
图15中例示的第一基板111、第二基板112、缓冲层210、栅绝缘层240、层间电介质260、钝化层270、平整层280、有机发光器件290、堤岸300、封装层310和粘合层320与上文参照图6描述的元件基本相同。另外，除了栅极222和232中的每一个由单层形成以外，驱动晶体管220和开关晶体管230与上文参照图6描述的元件基本相同。因此，省略第一基板111、第二基板112、缓冲层210、驱动晶体管220、开关晶体管230、栅绝缘层240、层间电介质260、钝化层270、平整层280、有机发光器件290、堤岸300、封装层310和粘合层320的详细描述。
参照图15，驱动晶体管220的栅极222和开关晶体管230的栅极232可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
电容器250可包括一个电极251和另一电极252。一个电极251和另一电极252可彼此交叠且至少一个绝缘层位于它们之间。例如，如在图15中，一个电极251和另一电极252可彼此交叠且介电层253位于它们之间。介电层253可对应于绝缘层。
一个电极251可形成在平整层280上。一个电极251可在与阳极291相同的层上由与阳极291相同的材料形成。一个电极251可经由穿过层间电介质260、钝化层270和平整层280并且使驱动晶体管220的栅极222暴露的接触孔CT4连接到栅极222的顶部。一个电极251可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。
另一电极252可形成在堤岸300和介电层253上。另一电极252可在与阴极293相同的层上由与阴极293相同的材料形成。另一电极252可经由穿过钝化层270、平整层280和堤岸300并且使开关晶体管230的第二电极234暴露的接触孔CT5连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部。在图15中，为了便于说明，例示了另一电极252连接到开关晶体管230的第二电极234的顶部的示例，但是该方面不限于此。在其它方面，另一电极252可连接到开关晶体管230的第一电极233的顶部。另一电极252可由诸如ITO、IZO等的透明导电材料(TCO)形成。
介电层253可设置在一个电极251与另一电极252之间。电容器250的容量可被定义为如下式(1)所示：
Figure BDA0001355697090000261
其中，ε表示介电层253的介电常数，A表示一个电极251与另一电极252之间的交叠面积，并且t表示介电层253的厚度。为了增加电容器250的容量，可使用具有高介电常数的材料作为介电层253，介电层253可形成地较薄，或者可扩大一个电极251与另一电极252之间的交叠面积。
然而，在本公开的一方面，如图15所示，由于电容器250的一个电极251形成在与阳极291相同的层上，因此电容器250和有机发光器件290可通过堤岸300划分。因此，当电容器250的一个电极251与另一电极252之间的交叠面积被扩大时，发光部分EA的面积变窄。因此，在本公开的一方面，介电层253可形成地较薄，或者可由具有高介电常数的材料形成。
介电层253可由SiOx、SiNx或其多层形成，但不限于此。为了提高介电层253的介电常数，介电层253可由SiOx、SiNx或其多层形成，或者可由SiO2、Al2O3、GeO2、SrO、HfSiOx、Y2O3、ZrO2、Ta2O5、CeO2、La2O3、LaAlO3、NMD、TiO2和STO中的至少一种或其多层形成。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且介电层253位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，由于电容器250可从驱动部分DA去除，所以减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
图16是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的流程图。图17A至图17F是例示制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法的截面图。图17A至图17F中所例示的截面图涉及制造图15中例示的透明显示设备的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。
在下文中，将参照图16和图17A至图17F更详细地描述制造根据本公开的另一方面的透明显示设备的方法。
首先，如在图17A中，可在基板111上形成驱动晶体管220和开关晶体管230。
可在第一基板111上形成缓冲层210，以保护元件免受经由第一基板111渗透的水的影响。缓冲层210可包括交替堆叠的多个无机层，以保护TFT 220和有机发光器件290免受经由易渗水的第一基板111渗透的水的影响。例如，缓冲层210可由交替堆叠硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的一种或更多种的多层形成。缓冲层210可通过CVD工艺形成。
可在缓冲层210上形成驱动晶体管220的有源层221和开关晶体管230的有源层231。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个缓冲层210上形成活性金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对活性金属层进行构图来形成有源层221和231。有源层221和231可各自由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成。
随后，可在有源层221和231上形成栅绝缘层240。栅绝缘层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。
随后，可在栅绝缘层240上形成驱动晶体管220的栅极222和开关晶体管230的栅极232。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个栅绝缘层240上形成第一金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第一金属层进行构图来形成栅极222和223。栅极222可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
随后，可在栅极222上形成层间电介质260。层间电介质260可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。层间电介质260可经由CVD工艺形成。
随后，可形成穿过栅绝缘层240和层间电介质260并使有源层221暴露的多个接触孔CT1。
随后，可在层间电介质260上形成第一电极223和233以及第二电极224和234。具体地，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个层间电介质260上形成第二金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来形成第一电极223和233以及第二电极224和234。第一电极223和第二电极224中的每一个可经由穿过栅绝缘层240和层间电介质260的对应的接触孔CT1连接到有源层221，并且第一电极233和第二电极234中的每一个可经由对应的接触孔CT1连接到有源层231。第一电极223和233以及第二电极224和234可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成(在图16的S401中示出)。
第二，如在图17B中，可在驱动晶体管220和开关晶体管230上依次形成钝化层270和平整层280B。
具体地，可在驱动晶体管220和开关晶体管230上形成钝化层270。钝化层270可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层270可经由CVD工艺形成。
随后，可在钝化层270上形成用于使由驱动晶体管220、开关晶体管230和电容器250引起的台阶高度平整的平整层280。平整层280可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。平整层280可经由CVD工艺形成(在图16的S402中示出)。
第三，如图17C所示，可在平整层280上形成电容器250的一个电极251以及阳极291。
具体地，可形成穿过钝化层270和平整层280并使驱动晶体管220的漏极224暴露的接触孔CT2。此外，可形成穿过层间电介质260、钝化层270和平整层280并使栅极222暴露的接触孔CT4。
随后，可通过使用溅射工艺或MOCVD工艺在整个平整层280上形成第三金属层。随后，可经由使用光刻胶图案的掩模工艺对第三金属层进行构图来形成电容器250的一个电极251以及阳极291。阳极291可经由穿过钝化层270和平整层280的接触孔CT2连接到驱动晶体管220的漏极224。电容器250的一个电极251可经由穿过层间电介质260、钝化层270和平整层280的接触孔CT4连接到驱动晶体管220的栅极222。
电容器250的一个电极251以及阳极291可各自由能够透射光的诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)以及诸如镁(Mg)、银(Ag)以及Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成(在图16的S403中示出)。
第四，如在图17D中，可在平整层280上形成覆盖阳极291的边缘和电容器250的一个电极251的边缘的堤岸300，以划分发光部分EA和电容器250。
堤岸300可包括黑色堤岸301和透明堤岸302。黑色堤岸301可包括用于吸收光的材料。例如，黑色堤岸301可以是具有特定颜色的有机层(例如，黑色有机层)。透明堤岸302可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成(图16的S404)。
第五，如在图17E中，可在电容器250的一个电极251和堤岸300上形成介电层253，并且可在阳极291和堤岸300上形成有机发光层292。介电层253可与有机发光层292间隔开。
有机发光层292可经由沉积工艺或溶液工艺形成。在经由沉积工艺形成有机发光层292的情况下，可经由蒸发工艺形成有机发光层292。
介电层253可经由沉积工艺或溶液工艺形成。介电层253可由SiOx、SiNx或其多层形成，但不限于此。为了提高介电层253的介电常数，介电层253可由SiOx、SiNx或其多层形成，或者可由SiO2、Al2O3、GeO2、SrO、HfSiOx、Y2O3、ZrO2、Ta2O5、CeO2、La2O3、LaAlO3、NMD、TiO2和STO中的至少一种或其多层形成。
随后，如在图17F中，可在有机发光层292上形成阴极293。阴极293可经由溅射工艺或MOCVD工艺形成。
阴极293可由能够透射光的诸如ITO和IZO的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)以及Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。可在阴极293上形成封盖层(在图16的S406中示出)
图16的操作S407和S408与图7的操作S107和S108基本相同，因此，省略其详细描述。
如上所述，在本公开的一方面，电容器250的一个电极251和另一电极252可被形成为彼此交叠且介电层253位于它们之间，并且可各自由透明导电材料形成。因此，在本公开的一方面，由于电容器250可从驱动部分DA去除，所以减小了驱动部分DA的面积，从而扩大了透光部分TA的面积。因此，在本公开的一方面，透明显示设备的透射率增大。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可在本公开中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年7月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0097490的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用被并入到本文中，如同在本文中进行完全阐述。

Claims (19)

1.一种显示设备，该显示设备包括：
发光结构，所述发光结构包括阳极、发光层和阴极；
驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为向所述发光结构提供驱动电流并且具有第一驱动晶体管电极和第二驱动晶体管电极；
开关晶体管，所述开关晶体管具有第一开关晶体管电极和第二开关晶体管电极，并且所述开关晶体管被配置为响应于所述显示设备的选通线的选通信号而导通；
电容器，所述电容器具有第一电容器电极和第二电容器电极，每个电极由透明导电材料形成，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极彼此交叠且至少一个绝缘层位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间；以及
划分所述发光结构的发光部分和显示部分的堤岸，其中，所述堤岸包括设置在所述驱动晶体管和所述开关晶体管上的黑色堤岸和覆盖所述黑色堤岸的透明堤岸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极与所述发光结构的所述发光部分垂直交叠。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极连接到所述驱动晶体管的栅极，并且所述第二电容器电极连接到所述第一开关晶体管电极或所述第二开关晶体管电极。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管各自包括：
有源层；以及
栅极，所述栅极在覆盖所述有源层的栅绝缘层上，所述栅极与所述有源层垂直交叠，
其中，所述第一驱动晶体管电极和所述第二驱动晶体管电极以及所述第一开关晶体管电极和所述第二开关晶体管电极设置在覆盖所述栅极的层间电介质上，所述第一驱动晶体管电极和所述第一开关晶体管电极中的至少一个经由穿过所述栅绝缘层和所述层间电介质的第一接触孔中的至少一个连接到所述有源层，并且所述第二驱动晶体管电极和所述第二开关晶体管电极中的至少一个经由穿过所述栅绝缘层和所述层间电介质的第二接触孔中的至少一个连接到所述有源层。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极彼此垂直交叠且所述层间电介质位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述驱动晶体管的所述栅极包括由透明导电材料形成的底栅极和由不透明导电材料形成的顶栅极，
所述第一电容器电极设置在所述栅绝缘层上并且从所述底栅极延伸，并且
所述第二电容器电极设置在所述层间电介质上以及所述第一开关晶体管电极和所述第二开关晶体管电极中的一个上。
7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极彼此交叠且钝化层位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间，所述钝化层覆盖所述第一开关晶体管电极和所述第二开关晶体管电极以及所述第一驱动晶体管电极和所述第二驱动晶体管电极。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，
所述第一电容器电极设置在所述钝化层上，并且经由穿过所述层间电介质和所述钝化层的第一接触孔中的一个连接到所述驱动晶体管的所述栅极，并且
所述第二电容器电极设置在所述层间电介质上并且连接到所述第一开关晶体管电极和所述第二开关晶体管电极中的一个的上表面。
9.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极彼此垂直交叠且所述栅绝缘层位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
所述驱动晶体管的所述栅极包括由透明导电材料形成的底栅极和由不透明导电材料形成的顶栅极，
所述第一电容器电极设置在所述栅绝缘层上并且从所述底栅极延伸，并且
所述第二电容器电极设置在所述开关晶体管的所述有源层上。
11.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第一电容器电极由与所述阳极的材料相同的材料形成，并且在与所述阳极相同的层上，并且第二电容器电极由与所述阴极的材料相同的材料形成，并且在与所述阴极相同的层上，并且
介电层设置在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述堤岸还划分所述发光结构和所述电容器。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述阳极和所述阴极各自由透明导电材料形成。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极与所述发光结构的透光部分垂直交叠。
15.根据权利要求14所述的显示设备，该显示设备还包括在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的透明介电层。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极直接连接到所述驱动晶体管的栅极。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第二电容器电极直接连接到所述开关晶体管的所述第二电极。
18.一种制造显示设备的方法，该方法包括以下步骤：
在第一基板上形成每个驱动晶体管的有源层；
在所述有源层上形成栅绝缘层，通过使用透明导电材料在所述栅绝缘层上形成第一电容器电极和所述驱动晶体管的底栅极，并且在所述底栅极上形成所述驱动晶体管的顶栅极以与所述有源层交叠；
在所述第一电容器电极和所述驱动晶体管的所述顶栅极上形成层间电介质，并且在所述层间电介质上形成所述驱动晶体管的源极和漏极；
通过使用所述透明导电材料在所述层间电介质上形成第二电容器电极；
在所述驱动晶体管和所述电容器上形成钝化层，并且在所述钝化层上形成平整层；以及
在所述平整层上依次形成阳极、堤岸、发光层和阴极，
其中，所述堤岸划分所述发光结构的发光部分和显示部分，并且所述堤岸包括设置在开关晶体管和所述驱动晶体管上的黑色堤岸和覆盖所述黑色堤岸的透明堤岸。
19.一种制造显示设备的方法，该方法包括以下步骤：
在第一基板上形成每个驱动晶体管的有源层，在所述有源层上形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成栅极以与所述有源层交叠，在所述栅极上形成层间电介质，并且在所述层间电介质上形成所述驱动晶体管的源极和漏极；
通过使用透明导电材料在所述层间电介质上形成第一电容器电极；
在所述驱动晶体管的所述源极和所述漏极上以及所述第一电容器电极上形成钝化层，形成穿过所述层间电介质并使所述驱动晶体管的所述栅极暴露的接触孔，并且通过使用所述透明导电材料在所述钝化层上形成经由所述接触孔连接到所述驱动晶体管的所述栅极的第二电容器电极；
在所述钝化层和所述第二电容器电极上形成平整层；以及
在所述平整层上依次形成阳极、堤岸、发光层和阴极，
其中，所述堤岸划分所述发光结构的发光部分和显示部分，并且所述堤岸包括设置在开关晶体管和所述驱动晶体管上的黑色堤岸和覆盖所述黑色堤岸的透明堤岸。
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