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CN106680959B - 光学元件封装和光学元件设备 - Google Patents

光学元件封装和光学元件设备 Download PDF

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CN106680959B CN201610945411.7A CN201610945411A CN106680959B CN 106680959 B CN106680959 B CN 106680959B CN 201610945411 A CN201610945411 A CN 201610945411A CN 106680959 B CN106680959 B CN 106680959B
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种光学元件封装，包括：孔圈，其包括上表面以及与上表面相反的下表面；散热部分，其布置在孔圈的上表面上；通孔，其形成为贯穿孔圈从而从孔圈的上表面延伸到孔圈的下表面；引线，其被设置在通孔中的特定部件密封，并且包括从孔圈的下表面延伸的引线部分以及从孔圈的上表面延伸的引线布线部分；以及绝缘基板，其布置在引线布线部分与散热部分之间，并且包括前表面以及与前表面相反的后表面。

Description

光学元件封装和光学元件设备
技术领域
本发明涉及光学元件封装，以及包括光学元件封装的光学元件设备。
背景技术
根据现有技术，存在用于安装发光元件、光接收元件等的光学元件管座。在这种光学元件管座中，发光元件安装在散热部分的侧表面上，该散热部分直立地设置在圆板形状的孔圈(eyelet)上，并且发光元件与被密封在孔圈中的引线相连接(见例如JP-A-2004-134697和JP-A-2011-134740)。
如将在后面关于序文(preliminary matter)的段落中所描述的，已经提出了这样的技术：陶瓷基板包括形成在其上的导体图案，陶瓷基板布置在散热部分的侧表面上，散热部分直立地设置在孔圈上，并且发光元件安装在导体图案的附近，从而能够改进高频性能。
然而，陶瓷基板上的导体图案通过焊料与引线连接。因此，穿过焊料的传输部分导致传输线路的特性阻抗整体上难以匹配。于是，穿过焊料的传输部分变成高频信号的传输中的障碍部分。
发明内容
根据本发明的一个或多个方面，提供一种光学元件封装。该光学元件封装包括：
孔圈，其包括上表面以及与上表面相反的下表面；
散热部分，其布置在孔圈的上表面上；
通孔，其形成为贯穿孔圈，从而从孔圈的上表面延伸到孔圈的下表面；
引线，其被设置在通孔中的特定部件密封，并且包括从孔圈的下表面延伸的引线部分以及从孔圈的上表面延伸的引线布线部分；以及
绝缘基板，其布置在引线布线部分与散热部分之间，并且包括前表面以及与前表面相反的后表面。
附图说明
图1A和图1B分别是用于解释根据序文的光学元件封装的问题的透视图和局部剖视图；
图2是示出用在根据实施例的光学元件封装中的金属基体的透视图；
图3A和图3B分别是示出用在根据实施例的光学元件封装中的引线部件的平面图和示出引线部件的引线的剖视图；
图4是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的透视图(部分1)；
图5是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的透视图(部分2)；
图6A和图6B分别是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的剖视图(部分3)；
图7是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的透视图(部分4)；
图8A和图8B分别是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的透视图和剖视图(部分5)；
图9是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的透视图(部分5)；
图10A和图10B分别是示出根据实施例的光学元件封装的透视图和局部剖视图；
图11A和图11B分别是示出根据实施例的光学元件设备的透视图和局部剖视图；以及
图12是示出将透镜盖和光纤保持器安装到图11A和图11B中的光学元件设备上的状态的透视图。
具体实施方式
下面将参考附图对实施例进行描述。
在描述实施例之前将对作为实施例的基础的序文进行描述。序文的描述有关于本发明人的个人研究的细节，该细节包括新技术的内容而不是已知技术的内容。
如图1A所示，根据序文的光学元件封装设置有孔圈100和直立地设置在孔圈100上的散热部分120。三个通孔(即第一通孔至第三通孔110a、110b和110c)设置为沿孔圈100的厚度方向穿透孔圈100。
第一引线160a至第三引线160c分别被玻璃体180密封并固定在第一通孔110a至第三通孔100c中。另外，第四引线160d被电阻焊接于孔圈100的下表面。
另外，陶瓷基板200布置在直立地设置在孔圈100上的散热部分120的侧表面上。陶瓷基板200的前表面上形成有第一导体图案210、第二导体图案220以及布置在第一导体图案210与第二导体图案220之间的区域中的元件安装焊盘P。第一导体图案210和第二导体图案220以及元件安装焊盘P中的每一个由铜镀层形成。
图1B是这样的局部放大的剖视图：将沿方向I截取的图1A中的光学元件封装的组成部件的截面和沿方向II截取的图1A中的光学元件封装的组成部件的截面结合在一起。如图1B所示，作为接地件的金属层230形成在陶瓷基板200的后表面上。金属层230通过焊料300粘合在散热部分120上。
另外，形成在陶瓷基板200的前表面上的第一导体图案210的下端布置在第一引线160a的上表面上。另外，焊料320设置在第一导体图案210的下端上。第一导体图案210通过焊料320与第一引线160a电连接。
尽管未具体地示出，但第二导体图案220通过焊料320与第二引线160b电连接。第一导体图案210的下端和第二导体图案220的下端上的焊料320未在图1A中示出。
元件安装焊盘P上安装有发光元件(未示出)。发光元件通过电线(未示出)与陶瓷基板200的前表面上的第一导体图案210和第二导体图案220连接。
此外，在孔圈100位于陶瓷基板200的前方的部分中形成有凹陷部分140。凹陷部分140的底部安装有光接收元件(未示出)。光接收元件通过电线(未示出)与第二引线160b电连接。
在根据序文的光学元件封装中，安装有发光元件的元件安装焊盘P布置在陶瓷基板200上，并且与发光元件连接的第一导体图案210和第二导体图案220布置在元件安装焊盘P的两相对的外侧上。
因此，与发光元件通过电线与第一引线160a和第二引线160b连接的结构相比，发光元件与第一导体图案210和第二导体图案220可以布置为彼此足够地接近。
于是，可以缩短用于连接发光元件与第一导体图案210或第二导体图案220的每个电线的长度。因此，可以减少传输线路的传输损失。
然而，第一引线160a和第二引线160b通过焊料320与陶瓷基板200的前表面上的第一导体图案210和第二导体图案220连接。穿过焊料320的传输部分例如由于高频信号在该传输部分上的反射而变成特性阻抗的失配部分，这可能是高频信号的传输中的障碍。
因此，当例如将特性阻抗设定为通常用于发光元件的25Ω时，难以使传输线路的特性阻抗整体上得到匹配。
另外，为了制造根据序文的光学元件封装，首先，将焊料300形成在散热部分120的侧表面上，并且将焊料320形成在孔圈100上的第一引线160a和第二引线160b上。
此外，需要将陶瓷基板200定位并布置在散热部分120的侧表面上，使得陶瓷基板200的第一导体图案210的下端和第二导体图案220的下端能够与第一引线160a和第二引线160b对应。
于是，需要高精度地执行用于将陶瓷基板200与封装部件组装起来的复杂作业。这导致成本增加。
下文所述的根据实施例的光学元件封装可以解决前述问题。
(实施例)
图2、图3A和图3B、图4和图5、图6A和图6B、图7、图8A和图8B以及图9是用于解释制造根据实施例的光学元件封装的方法的视图。图10A和图10B是示出根据实施例的光学元件封装的视图。下文中，在对用于制造光学元件封装的方法进行描述的同时，还对光学元件封装的结构进行描述。
首先，对用在根据实施例的光学元件封装中的金属基体进行描述。如图2所示，金属基体10形成为包括圆板形状的孔圈12和直立地设置在孔圈12上的散热部分14。
散热部分14包括设置在孔圈12的中央部分上的竖直的侧表面S1。在图2的实例中，散热部分14形成为半圆柱状形状。然而，散热部分14可以是立方体或长方体等形状。
孔圈12位于散热部分14的前方的部分中形成有底部倾斜的凹陷部分13。
孔圈12具有上表面以及与上表面相反的下表面。孔圈12的外周中设置有用于定位的一对三角形凹口部分12x以及用于方向指示的四边形凹口部分12y。第一通孔至第三通孔12a、12b、12c形成为贯穿孔圈12，从而从孔圈12的上表面延伸到孔圈12的下表面。
金属基体10是通过使用冲模对金属部件进行一体冲压而制造的。优选地，将铁或铜等用作金属基体10的材料。
三个通孔(即第一通孔至第三通孔12a、12b和12c)设置为沿孔圈12的厚度方向穿透孔圈12。
此外，金属基体10的整个外表面沿从底部到顶部的方向依次形成有镍(Ni)/金(Au)镀层(未示出)。镍(Ni)/金(Au)镀层由电镀形成。
接下来，将对用于将引线安装到孔圈的第一通孔12a至第三通孔12c内的方法进行说明。
在本实施例中，用于发光元件的第一引线和第二引线安装在孔圈12的第一通孔12a和第二通孔12b中。另外，用于光接收元件的第三引线安装在孔圈12的第三通孔12c中。
首先，对安装用于发光元件的第一引线和第二引线的方法进行说明。
在本实施例中，将引线延伸至孔圈12的上侧以形成引线布线部分，以便替代根据前述序文描述的陶瓷基板200的前表面上的第一导体图案210和第二导体图案220。
首先，如图3A的平面图所示，制备通过联接条28将第一引线21和第二引线22联接起来的引线部件5。
第一引线21设置有引线部分21a和引线布线部分21b。引线部分21a布置在前述孔圈12的下侧。另外，引线部分21a从孔圈12的下表面延伸。引线布线部分21b布置在孔圈12的上侧。另外，引线布线部分21b从孔圈12的上表面延伸。引线布线部分21b设置有布置为在引线布线部分21b的上端侧向内弯曲的连接部分C1。引线布线部分21b的连接部分C1通过联接部分25连接至联接条28。
类似地，第二引线22设置有引线部分22a和引线布线部分22b。引线部分22a布置在孔圈12的下侧。另外，引线部分22a从孔圈12的下表面延伸。引线布线部分22b布置在孔圈12的上侧。另外，引线布线部分22b从孔圈12的上表面延伸。引线布线部分22b设置有布置为在引线布线部分22b的上端侧向内弯曲的连接部分C2。引线布线部分22b的连接部分C2通过联接部分26连接至联接条28。
使引线部件5的联接条28在联接部分25和联接部分26处断开，从而使得第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b可以与联接条28分离。引线部件5的待在联接部分25和联接部分26处断开的每个部分的宽度局部变窄，使得联接条28容易断开。
用于形成这样的引线部件5的方法如下。即，首先，基于光蚀刻在薄的金属板上形成抗蚀图案。然后，以抗蚀图案作为掩模，利用湿法刻蚀将金属板蚀穿并形成图案。
这样，可以容易地形成设置有在其上端侧向内弯曲的引线布线部分21b和引线布线部分22b的第一引线21和第二引线22。例如，可以将铁(50％)-镍(50％)合金用作第一引线21和第二引线22的材料。
如图3B的剖视图所示，使薄的金属板形成图案并形成为第一引线21和第二引线22。因此，第一引线21和第二引线22中的每一个的截面可以形成为诸如矩形形状等四边形形状。
如将在后文中描述的，第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b用作根据序文所描述的陶瓷基板200的前表面上的第一导体图案210和第二导体图案220。
接下来，如图4和图5所示，前述图3A和图3B中的引线部件5的第一引线21和第二引线22被插入到图2中的孔圈12的第一通孔12a和第二通孔12b中，并且被玻璃体30密封和固定。
此外，如图5所示，当图4中引线部件5的联接条28在联接部分25和联接部分26处断开时，联接条28与第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b分离并被移除。于是，第一引线21和第二引线22彼此分离从而变成独立的引线。
以这种方式，将已与联接条28联接的第一引线21和第二引线22密封在孔圈12的第一通孔12a和第二通孔12b中。因此，可以防止这样的问题的发生：第一引线21和第二引线22排列的间距可能偏离或第一引线21和第二引线22可能被旋转和固定。
因此，第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b可以以较高的精度布置在根据设计规范的位置处。于是，当引线布线部分21b和引线布线部分22b布置在绝缘基板上并且用作导体图案(将在后文中描述)时，可以防止电性能的劣化。
以这种方式，将第一引线21的引线部分21a布置在孔圈12的下侧，并且将第一引线21的引线布线部分21b布置在孔圈12的上侧。类似地，将第二引线22的引线部分22a布置在孔圈12的下侧，并且将第二引线22的引线布线部分22b布置在孔圈12的上侧。
接下来，如图6A所示，将间隔物40布置在第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b两者与孔圈12上的散热部分14之间，并且由按压部件42将引线布线部分21b和22b按压在间隔物40上。例如，将引线布线部分21b和22b与间隔物40之间的间隙CL设定为约200μm。
于是，如图6B所示，引线布线部分21b和22b在其位于孔圈12上的近端位置处朝向散热部分14弯曲。结果，形成弯曲部分B。同时，引线布线部分21b和22b的散热部分14侧的侧表面S2被按压在间隔物40上。从而，引线布线部分21b和22b的侧表面S2(每个侧表面S2与间隔物40对置)与间隔物40的表面大致平行。结果，侧表面S2与绝缘基板50(将在后文中描述)大致平行。
于是，孔圈12上的引线布线部分21b和22b被按压部件42按压在间隔物40上从而发生塑性变形。从而，即使在引线布线部分21b和22b稍微倾斜的情况下，也可以将引线布线部分21b和22b的侧表面S2校正为竖直。
接下来，如图7所示，将具有圆柱形形状的第三引线23插入到图5中的孔圈12的第三通孔12c中，并且用玻璃体30将第三引线23密封和固定在第三通孔12c中。此外，通过电阻焊将第四引线24固定在孔圈12的下表面上。在图7以及其后的附图中所示的引线布线部分21b和22b中，未示出弯曲部分B。
接着，如图8A和图8B所示，制备这样的绝缘基板50：具有形成在绝缘基板50的前表面上的元件安装焊盘P和形成在绝缘基板50的后表面上的金属层52。图8B是沿图8A的透视图的线III-III截取的剖视图。
绝缘基板50具有前表面和与前表面相反的后表面。形成在绝缘基板50的前表面上的元件安装焊盘P上安装有发光元件。另外，形成在绝缘基板50的后表面上的金属层52用作接地件。金属层52形成在绝缘基板50的整个后表面上。
元件安装焊盘P和金属层52中的每一个由以铜等制成的金属镀层形成。在使用半添加工艺方法时，元件安装焊盘P和金属层52中的每一个由晶种层和形成在晶种层上的金属镀层形成。
绝缘基板50的面积与在前述图7中的金属基体10的散热部分14的侧表面S1的面积相对应。
优选地，将氮化铝或氧化铝等制成的陶瓷基板用作绝缘基板50。作为选择，可以将诸如聚酰亚胺膜等树脂膜用作为绝缘基板50。
如图9所示，将焊料32形成在图7中金属基体10的散热部分14的侧表面S1上。接着，将图8A和图8B中的绝缘基板50插入并布置到第一引线布线部分21b和第二引线布线部分22b的侧表面S2与散热部分14的侧表面S1之间的区域中。
于是，如图10A和图10B所示，以这种方式布置绝缘基板50：使绝缘基板50的前表面上的元件安装焊盘P与引线布线部分21b和22b的侧面对置，并且使绝缘基板50的后表面上的金属层52抵靠在散热部分14的侧表面S1上。图10B的局部剖视图示出了范围从图10A的透视图中的引线布线部分21b到散热部分14的截面。
此外，通过回流加热使焊料32熔化。结果，通过焊料32使绝缘基板50的后表面上的金属层52粘合到金属基体10的散热部分14的侧表面S1上。于是，绝缘基板50的后表面上的金属层52通过焊料32与散热部分14和孔圈12电连接。
优选地，可以将金(Au)/锡(Sn)基焊料用作焊料32。由于金(Au)/锡(Sn)基焊料导热性较高，因此从发光元件生成的热可以通过焊料32从绝缘基板50朝向散热部分14有效地释放。
金(Au)/锡(Sn)基焊料熔点相对较高并且具有280℃至300℃的回流温度。在使用诸如要求约700℃热处理的银焊料等焊接材料的粘合中，金属基体10的前表面上的金层发生扩散。
在各种焊料中，金(Au)/锡(Sn)基焊料的回流温度相对较高并且导热性较高，并且金属基体10的前表面上的金层不发生扩散。因此，金(Au)/锡(Sn)基焊料是优选的。
另外，在绝缘基板50的元件安装焊盘P侧上，第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b布置在绝缘基板50上并且布置在元件安装焊盘P的两相对的外侧上。引线布线部分21b和22b布置为不从绝缘基板50向外突出。
如图10B的局部剖视图所示，引线布线部分21b和22b与绝缘基板50的前表面直接接触，并且绝缘基板50与引线布线部分21b和22b之间未形成有焊料。
如前述图6A和图6B中所示的，布置在孔圈12的上侧的引线布线部分21b和22b的侧表面S2被按压在散热部分14上并且被校正成竖直表面。另外，引线布线部分21b和22b与散热部分14的侧表面S1之间的间隔被设定为比绝缘基板50的厚度稍窄。
因此，为了将绝缘基板50插入到引线布线部分21b和22b与散热部分14之间的区域中，绝缘基板50在被引线布线部分21b和22b按压的同时插入。结果，如图10B的局部剖视图所示，引线布线部分21b和22b的侧表面S2无任何空气层间隙地抵靠在绝缘基板50的前表面上。
以这种方式，在不使用焊料的情况下，可以使引线布线部分21b和22b与散热部分14的侧表面S1无任何间隙地紧密接触。
因此，不需要在引线布线部分21b和22b的侧表面S2上形成焊料。仅仅在散热部分14的侧表面S1上形成焊料32即可。另外，当绝缘基板50布置在引线布线部分21b和22b与散热部分14之间时，仅简单地将引线布线部分21b和22b布置在元件安装焊盘P的两相对的外侧上即可。因此，不需要精确定位。
因此，与根据序文的光学元件封装相比，可以更加简化用于将绝缘基板50与封装部件组装的作业。
顺便提及，当需将引线布线部分21b和22b完全地固定到绝缘基板50上时，可以通过焊料等将引线布线部分21b和22b固定到绝缘基板50上，尽管这将使作业将变得复杂。
以前述方式，可以得到根据实施例的光学元件封装1。
如图10A和图10B所示，根据实施例的光学元件封装1设置有金属基体10。金属基体10包括图2中所示的孔圈12以及直立地设置在孔圈12上的散热部分14。在孔圈12中形成有三个通孔，即第一通孔至第三通孔12a、12b和12c。
第一引线21被玻璃体30密封和固定在第一通孔12a中。第一引线21设置有布置为在孔圈12的下侧延伸的引线部分21a，以及布置为在孔圈12的上侧延伸的引线布线部分21b。
另外，第一引线21的引线布线部分21b设置有布置为在第一引线21的引线布线部分21b的前端侧向内弯曲的连接部分C1。
类似地，第二引线22被玻璃体30密封和固定在第二通孔12b中。第二引线22设置有布置为在孔圈12的下侧延伸的引线部分22a，以及布置为在孔圈12的上侧延伸的引线布线部分22b。
类似地，第二引线22的引线布线部分22b设置有布置为在第二引线22的引线布线部分22b的前端侧向内弯曲的连接部分C2。
第一引线21的前端侧上的连接部分C1和第二引线22的前端侧上的连接部分C2布置为彼此对置。
此外，具有圆柱形形状的第三引线23被玻璃体30密封和固定在孔圈12的第三通孔12c中。另外，通过电阻焊将第四引线23固定在孔圈12的下表面上。
将绝缘基板50插入并布置到第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b两者的侧表面S2与散热部分14的侧表面S1之间。元件安装焊盘P形成在绝缘基板50的前表面的上部中央部分上。用作接地件的金属层52形成在绝缘基板50的整个后表面上。
除图10A外，还参考图10B。通过焊料32使绝缘基板50的后表面上的金属层52粘合到的散热部分14的侧表面S1上。另一方面，第一引线21的引线布线部分21b和第二引线22的引线布线部分22b布置为在元件安装焊盘P的两相对的外侧与绝缘基板50的前表面直接接触而无需在其间放置任何焊料。
将元件安装焊盘P布置在引线布线部分21b的连接部分C1与引线布线部分22b的连接部分C2彼此对置的区域中。即，元件安装焊盘P分别与引线布线部分21b的连接部分C1和引线布线部分22b的连接部分C2对置。
在根据实施例的光学元件封装1中，将第一引线21和第二引线22从孔圈12向上延伸的部分作为布置在绝缘基板50的前表面上的引线布线部分21b和引线布线部分22b。另外，金属层52布置在绝缘基板50的整个后表面上。
以这种方式，通过绝缘基板50、绝缘基板50的前表面上的引线布线部分21b和引线布线部分22b以及绝缘基板50的后表面上的金属层52构造微带线。为了确保微带线中所需的特性阻抗，将引线布线部分21b和引线布线部分22b布置在绝缘基板50的前表面内。即，引线布线部分21b和22b布置为不从绝缘基板50向外突出。
如下所述，根据实施例的光学元件封装1不同于根据前述序文的结构。即，引线不通过焊料与导体图案连接，而是将引线部分21a和22a延伸到布置为并用作导体图案的引线布线部分21b和22b。
因此，高频信号可以在这样的导体内部传输：其范围是从引线部分21a和引线部分22a到引线布线部分21b的连接部分C1和引线布线部分22b的连接部分C2，并且导体由相同的金属材料制成且具有相同形状。因此，防止了信号在导体内部被反射，从而可以减少传输损失。
因此，可以将特性阻抗设定为25Ω并且可以使传输线路的特性阻抗整体上得到匹配。
用于产生25Ω的特性阻抗的部件具有以下规格。
√绝缘基板50的厚度(陶瓷基板(介电常数：9))：0.2mm
√引线布线部分21b、引线布线部分22b的厚度：0.2mm
√引线布线部分21b、引线布线部分22b的宽度：0.36mm
√金属层52(接地件)的厚度：0.2mm
于是，可以使传输线路的特性阻抗整体上得到匹配。因此，光学元件封装1可以支持电信号的更高速度的传输并且支持速度不低于10Gbps的大容量光通信的设施。
假设将聚酰亚胺膜(介电常数：3.9)用作绝缘基板50并且将特性阻抗设定为25Ω。在这种情况下，绝缘基板50的介电常数小于使用陶瓷基板(介电常数：9)的情况。
因此，对于较小介电常数的绝缘基板50，需要减小绝缘基板50的厚度。相应地，需要使引线布线部分21b和22b与散热部分14之间的间隔变窄。从而，需要减小绝缘基板50的厚度并且需要在组装绝缘基板50上花费不适宜的时间和劳动。
因此，当在特性阻抗被设定为25Ω的情况下将介电常数相对较大的陶瓷基板用作绝缘基板50时，可以确保绝缘基板50具有约0.2mm的相对厚的厚度。
因此，可以充分地确保引线布线部分21b和22b与散热部分14之间的间隔。相应地，容易顺利地组装绝缘基板50以利于制造。
另外，陶瓷基板的导热性高于聚酰亚胺膜。相应地，陶瓷基板的散热性也很优良。
接下来，将对用于将光学元件安装在图10A和图10B中的光学元件封装1上从而构成光学元件设备的方法进行说明。
如图11A和图11B所示，利用芯片粘接材料将作为发光元件的半导体激光器元件60固定和安装在图10A中的光学元件封装1的绝缘基板50的前表面上的元件安装焊盘P上。图11B是当从前方观看图11A中的光学元件封装1时的局部剖视图。
如图11B所示，分别通过电线W1和电线W2将半导体激光器元件60连接至半导体激光器元件60的两相对外侧上的引线布线部分21b的连接部分C1和引线布线部分22b和连接部分C2。电线W1和电线W2由电线接合(键合)法形成。电线W1和电线W2由金线等形成。
如图11A所示，利用芯片粘接材料将作为光接收元件的光电二极管62固定和安装在光学元件封装1的孔圈12的凹陷部分13的底部上。此外，通过电线W3将光电二极管62连接至第三引线23的上表面。
以前述方式，将半导体激光器元件60和光电二极管62安装在光学元件封装1上。从而，可以得到光学元件设备2。
如上文所述，将引线布线部分21b和22b如图11B所示那样布置在光学元件设备2中的绝缘基板50的前表面上的元件安装焊盘P的两相对的外侧附近。因此，半导体激光器元件60与引线布线部分21b和22b可以布置为彼此足够地接近。
从而，可以缩短用于将半导体激光器元件60与引线布线部分21b的连接部分C 1和引线布线部分22b的连接部分C2连接起来的电线W1和电线W2中的每一个的长度。因此，可以减少传输线路的传输损失。
另外，将引线部分21a和22a延伸到布置为并用作导体图案的引线布线部分21b和22b。因此，没有高频信号被反射，从而可以减少传输损失。
接着，如图12所示，将透镜盖70附接到图11A中的光学元件设备2的金属基体10上。将透明球透镜72安装在透镜盖70的前端的中央部分上。
此外，如图12所示，将光纤保持器80同样地附接在透镜盖70上。将开口部分80a设置在光纤保持器80的前端的中央部分处以形成空腔。
如前述图11A和图11B所示，在光学元件设备2中，从第一引线21的引线布线部分21b的连接部分C1或第二引线22的引线布线部分22b的连接部分C2经由电线W1或电线W2向半导体激光器元件6提供电信号。
于是，光从位于半导体激光器元件60的上端处的发光部分向上发射。从半导体激光器元件60发射的光被透镜盖70的透明球透镜72会聚并且从光纤保持器80的开口部分80a被传输到外部光纤。
在该情况下，从半导体激光器元件60的下端发射的监测光入射在光电二极管62的光接收部分上。以这种方式，从半导体激光器元件60发射的光被光电二极管62监测到，从而可以控制半导体激光器元件60的输出。
前述光学元件封装1用于根据实施例的光学元件设备2。因此，可以以低的特性阻抗获得光学元件设备2中的传输线路中的整体匹配，从而光学元件设备2可以支持电信号的较高速度的传输。
根据本发明，高频信号可以在这样的导体内部传输：其范围是从引线部分到引线布线部分的连接部分。因此，可以抑制信号在传输线路中被反射的情况，从而可以减少传输损失。于是，可以使传输线路的特性阻抗整体上得到匹配。
如上文所述，对示例性实施例和变型例进行了详细描述。然而，本发明不限于上述实施例和变型例，在不背离权利要求的范围的情况下，可将各种修改和替换应用于上述实施例和变型例。
本文所描述的主题的各个方面以以下编号的条款非穷尽性地列出：
1)一种制造光学元件封装的方法，该方法包括：
a)制备金属基体，该金属基体包括：孔圈，其包括上表面和与上表面相反的下表面；散热部分，其布置在孔圈的上表面上；以及通孔，其形成为贯穿孔圈从而从孔圈的上表面向孔圈的下表面延伸；
b)制备引线；
c)通过设置在通孔中的特定部件来密封引线，其中，引线的从孔圈的下表面延伸的部分被定义为引线部分，并且引线的从孔圈上表面延伸的部分被定义为引线布线部分；以及
d)将绝缘基板布置在引线布线部分与散热部分之间。
2)根据条款(1)所述的方法，其中，将元件安装焊盘布置在绝缘基板的前表面上，元件安装焊盘构造为在其上安装光学元件，并且
在步骤d)中，将绝缘基板布置在引线布线部分与散热部分之间，从而使得引线布线部分与元件安装焊盘对置。
3)根据条款(1)所述的方法，其中，在绝缘基板的后表面上形成有金属层，并且
在步骤d)中，将金属层粘合到散热部分上，并且使引线布线部分与绝缘基板直接接触。
4)根据条款(1)所述的方法，其中
引线包括第一引线和第二引线，
通孔包括第一通孔和第二通孔，
其中，步骤c)包括：
制备包括第一引线、第二引线以及连接第一引线和第二引线的联接条的引线部件；
通过设置在第一通孔中的第一部件密封第一引线；
通过设置在第二通孔中的第二部件密封第二引线；以及
将联接条从第一引线和第二引线移除。
5)根据条款(1)的方法，其中
在步骤c)与步骤d)之间，包括
e)将间隔物布置在引线布线部分与散热部分之间；以及
f)将引线布线部分按压在间隔物上以在引线布线部分中形成弯曲部分，从而使引线布线部分的与间隔物对置的表面大致与间隔物的表面平行。

Claims (5)

1.一种光学元件封装，包括：
孔圈，其包括上表面以及与所述上表面相反的下表面；
散热部分，其布置在所述孔圈的上表面上；
通孔，其形成为贯穿所述孔圈，从而从所述孔圈的上表面延伸到所述孔圈的下表面；
引线，其被设置在所述通孔中的特定部件密封，并且包括从所述孔圈的下表面延伸的引线部分以及从所述孔圈的上表面延伸的引线布线部分；
绝缘基板，其布置在所述引线布线部分与所述散热部分之间，并且包括前表面以及与所述前表面相反的后表面；以及
元件安装焊盘，其构造为在其上安装光学元件，并且布置在所述绝缘基板的前表面上，
其中，所述引线布线部分具有连接部分，所述连接部分朝向所述元件安装焊盘弯曲从而与所述元件安装焊盘对置，
所述引线布线部分包括朝向所述绝缘基板弯曲的弯曲部分，并且
所述引线布线部分的与所述绝缘基板的前表面对置的表面大致平行于所述绝缘基板的前表面。
2.根据权利要求1所述的光学元件封装，其中，在所述绝缘基板的后表面上形成有金属层，并且所述金属层粘合于所述散热部分。
3.根据权利要求1所述的光学元件封装，其中，所述引线布线部分与所述绝缘基板的前表面直接接触。
4.根据权利要求2所述的光学元件封装，其中，所述绝缘基板是陶瓷基板或树脂基板，并且所述元件安装焊盘和所述金属层由金属镀层形成。
5.一种光学元件设备，包括：
光学元件封装，其包括：
孔圈，其包括上表面以及与所述上表面相反的下表面；
散热部分，其布置在所述孔圈的上表面上；
通孔，其形成为贯穿所述孔圈，从而从所述孔圈的上表面延伸到所述孔圈的下表面；
引线，其被设置在所述通孔中的特定部件密封，并且包括从所述孔圈的下表面延伸的引线部分以及从所述孔圈的上表面延伸的引线布线部分；
绝缘基板，其布置在所述引线布线部分与所述散热部分之间，并且包括前表面以及与所述前表面相反的后表面；以及
元件安装焊盘，其构造为在其上安装光学元件，并且布置在所述绝缘基板的前表面上，
其中，所述引线布线部分具有连接部分，所述连接部分朝向所述元件安装焊盘弯曲从而与所述元件安装焊盘对置；
发光元件，其安装在所述元件安装焊盘上；以及
电线，其构造为连接所述发光元件和所述引线布线部分，
其中，所述引线布线部分包括朝向所述绝缘基板弯曲的弯曲部分，并且
所述引线布线部分的与所述绝缘基板的前表面对置的表面大致平行于所述绝缘基板的前表面。
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