CN106601770A - 有机发光显示器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机发光显示器。该有机发光显示器包括驱动晶体管、有机发光二极管、层间绝缘层和连接电极。层间绝缘层覆盖驱动晶体管，并且第一通孔和第二通孔被形成在层间绝缘层中。有机发光二极管在层间绝缘层上并且连接到驱动晶体管。连接电极在层间绝缘层上并且通过第二通孔连接到辅助线。连接电极连同辅助线包围层间绝缘层的一部分。有机发光二极管包括通过第一通孔连接到驱动晶体管的阳极、在阳极上的有机发光层、以及在有机发光层上并且通过连接电极连接到辅助线的阴极。

Description

有机发光显示器

相关申请的交叉引用

通过引用将2015年10月15日递交至韩国知识产权局的、名称为“有机发光显示器”的韩国专利申请第10-2015-0144138号整体合并于此。

技术领域

本文中的一个或多个实施例涉及有机发光显示器。

背景技术

有机发光显示器(OLED)使用装备有有机发光二极管的像素产生图像。每个有机发光二极管具有阳极和阴极之间的有机发光层。

当源电压信号被施加到有机发光二极管时，空穴通过阳极被提供到有机发光层，而电子通过阴极被提供到有机发光层。当空穴和电子在有机发光层中复合时产生激子。当激子从激发态改变到基态时则发射光。

发明内容

根据一个或多个实施例，有机发光显示器包括：第一基底基板，包括发光区域和非发光区域；在第一基底基板上的驱动晶体管；覆盖驱动晶体管的层间绝缘层；在层间绝缘层中的第一通孔和第二通孔；在层间绝缘层上并且连接到驱动晶体管的有机发光二极管，该有机发光二极管在与发光区域对应的位置处；在非发光区域中的辅助线；以及在层间绝缘层上并且通过第二通孔连接到辅助线的连接电极，该连接电极连同辅助线包围层间绝缘层的与非发光区域对应的一部分，有机发光二极管包括通过第一通孔连接到驱动晶体管的阳极、在阳极上的有机发光层、以及在有机发光层上并且通过连接电极连接到辅助线的阴极。

连接电极和辅助线可密封层间绝缘层的与非发光区域对应的一部分。层间绝缘层可包括：与有机发光二极管重叠的第一绝缘层；以及与在非发光区域中的辅助线重叠并且与第一绝缘层隔开的第二绝缘层，其中连接电极在第一绝缘层和第二绝缘层之间。连接电极可包括：在第二通孔中并且包围第二绝缘层的第一导电层；以及连接到第一导电层并且覆盖第一导电层和第二绝缘层的第二导电层。

第二导电层的大小可大于第二绝缘层的大小。第一导电层可具有环形形状，而第二导电层可具有多边形形状。第一导电层可具有环形形状，而第二导电层可具有圆形形状。第一导电层可覆盖第二绝缘层的侧部，第二导电层可覆盖第二绝缘层的上部，并且辅助线可覆盖第二绝缘层的下部。开口可被限定在与非发光区域对应的有机发光层中，该开口与第二绝缘层重叠。

显示器可包括：在第一基底基板上的栅绝缘层；以及在栅绝缘层和层间绝缘层之间的中间绝缘层。驱动晶体管可包括：半导体图案；与半导体图案重叠的栅电极，栅绝缘层置于栅电极和半导体图案之间；在中间绝缘层上并且连接到半导体图案的源电极；以及在中间绝缘层上、连接到半导体图案并且通过第一通孔连接到阳极的漏电极，其中辅助线在中间绝缘层上。辅助线、源电极和漏电极可包括相同的材料。连接电极和阳极可包括相同的材料。

阴极可具有透光性，并且有机发光层发射彩色光。显示器可包括：面对第一基底基板的第二基底基板；以及在第二基底基板上并且与发光区域对应的滤色器，其中有机发光层发射白光。

根据一个或多个实施例，一种有机发光显示器包括：第一基底基板，包括发光区域和非发光区域；在第一基底基板上的驱动晶体管；覆盖驱动晶体管的层间绝缘层；在层间绝缘层中的第一通孔和第二通孔；在层间绝缘层上并且与发光区域对应的有机发光二极管，有机发光二极管连接到驱动晶体管；在非发光区域中的辅助线；以及连接电极，在层间绝缘层上并且通过第二通孔将有机发光二极管连接到辅助线。层间绝缘层包括：与有机发光二极管重叠的第一绝缘层；以及第二绝缘层，与在非发光区域中的辅助线重叠并且具有与第一绝缘层隔离的岛形状。

连接电极可包括：第一导电层，在第二通孔中并且包围第二绝缘层；以及第二导电层，连接到第一导电层并且覆盖第一导电层和第二绝缘层。第一导电层、第二导电层和辅助线可密封第二绝缘层。第一导电层可覆盖第二绝缘层的侧部，第二导电层可覆盖第二绝缘层的上部，并且辅助线可覆盖第二绝缘层的下部。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见，附图中：

图1A示出了有机发光显示器的实施例；

图1B示出了图1A中的像素的实施例；

图2示出了沿图1B中的线I-I'截取的剖视图；

图3A和图3B示出了在图2中的辅助线和连接电极之间的连接的实施例；

图4示出了在辅助线和连接电极之间的连接的另一实施例；

图5示出了有机发光显示器的另一实施例；以及

图6A和图6B示出了形成有机发光层的方法的实施例。

具体实施方式

以下将参考附图更充分地描述示例实施例，然而，这些实施例可以以不同的形式体现，并且不应当被解释为限于这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。实施例可以被组合，以形成另外的实施例。

在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大。还将理解的是，当层或要素被称为在另一层或基板“上”时，其可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层“下”时，其可以直接在下方，或者也可以存在一个或多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，其可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的要素。

当一要素被提及为“连接”或“联接”到另一要素时，其可直接连接或联接到另一要素或利用置于其间的一个或多个中间要素而间接连接或联接到另一要素。另外，当一要素被提及为“包括”一部件时，这指示该要素可进一步包括另一部件而不排除另一部件，除非有不同的公开。

图1A是有机发光显示器100的一个实施例的透视图，图1B是示出代表图1A中的像素的像素PX的一个实施例的平面图，并且图2是沿图1B中的线I-I'截取的剖视图。

参考图1A、图1B和图2，有机发光显示器100包括非像素区域NPA和在像素区域PA中的多个像素。每个像素PX包括发射光的有机发光二极管OLED。基于由像素PX发射的光来产生图像。像素PX可具有相同的结构，或者一个或多个像素PX可具有不同的结构。

有机发光显示器100包括：第一基底基板BS1、第二基底基板BS2、栅线SL、数据线DL、驱动电压线DVL、辅助线AL、开关晶体管TFT1、驱动晶体管TFT2、存储电容器Cst、连接电极BE和有机发光二极管OLED。

第一基底基板BS1和第二基底基板BS2相互面对。在本示例性实施例中，第一基底基板BS1和第二基底基板BS2中的每个可包括例如玻璃或另一材料。在一个实施例中，第一基底基板BS1和第二基底基板BS2中的每个可包括塑料或另一具有柔性的材料。

在本示例性实施例中，栅线SL在第一基底基板BS1上并且在第一方向D1上延伸。栅信号通过栅线SL被传送。数据线DL在第一基底基板BS1上并且在与第一方向D1相交的第二方向D2上延伸。数据信号通过数据线DL被传送。

开关晶体管TFT1电连接到栅线SL和数据线DL。开关晶体管TFT1通过栅线SL接收栅信号并通过数据线DL接收数据信号。开关晶体管TFT1包括第一半导体图案SM1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。

第一半导体图案SM1在第一基底基板BS1上并且包括半导体材料，例如，多晶硅。在另一实施例中，在第一半导体图案SM1中的半导体材料可包括诸如IGZO、ZnO、SnO₂、In₂O₃、Zn₂SnO₄、Ge₂O₃和HfO₂的氧化物半导体，或诸如GaAs、GaP和InP的化合物半导体。

第一栅电极GE1与第一半导体图案SM1重叠，并且栅绝缘层L1在第一栅电极GE1和第一半导体图案SM1之间。第一栅电极GE1电连接到栅线SL，并且中间绝缘层L2在第一栅电极GE1上。

第一源电极SE1和第一漏电极DE1在中间绝缘层L2上并且彼此隔开。第一源电极SE1电连接到数据线DL。第一接触孔CH1和第二接触孔CH2穿透栅绝缘层L1和中间绝缘层L2。第一源电极SE1通过第一接触孔CH1与第一半导体图案SM1接触。第一漏电极DE1通过第二接触孔CH2与第一半导体图案SM1接触。

当栅信号通过栅线SL被施加到第一栅电极GE1时，开关晶体管TFT1导通。因此，通过数据线DL被施加到第一源电极SE1的数据信号被提供到存储电容器Cst和驱动晶体管TFT2。

存储电容器Cst电连接到开关晶体管TFT1和驱动电压线DVL。存储电容器Cst充有与一电压差对应的电荷量，该电压差是来自开关晶体管TFT1的数据信号与来自驱动电压线DVL的驱动信号之间的电压差。在开关晶体管TFT1的截止时段，充入存储电容器Cst的电荷被提供到驱动晶体管TFT2。

在本示例性实施例中，存储电容器Cst包括第一存储电极CE1和第二存储电极CE2。第一存储电极CE1通过第三接触孔CH3电连接到第一漏电极DE1。栅绝缘层L1和中间绝缘层L2中的至少一个可在第一存储电极CE1和第二存储电极CE2之间。

驱动晶体管TFT2电连接到开关晶体管TFT1、驱动电压线DVL和有机发光二极管OLED。驱动晶体管TFT2接通或断开从驱动电压线DVL到有机发光二极管OLED的驱动信号。

驱动晶体管TFT2包括第二半导体图案SM2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二半导体图案SM2可包括与第一半导体图案SM1相同的材料。第二半导体图案SM2包括在源区SA和漏区DRA之间的沟道区CA。第二栅电极GE2在栅绝缘层L1上并且与第二半导体图案SM2重叠。第二栅电极GE2电连接到第一漏电极DE1。当开关晶体管TFT1导通时，数据信号通过开关晶体管TFT1被施加到第二栅电极GE2，然后驱动晶体管TFT2导通。

第二源电极SE2电连接到驱动电压线DVL并接收来自驱动电压线DVL的驱动信号。第二源电极SE2通过第四接触孔CH4连接到第二半导体图案SM2的源区SA。第二漏电极DE2通过第五接触孔CH5连接到第二半导体图案SM2的漏区DRA。因此，当驱动晶体管TFT2导通时，驱动信号通过第二源电极SE2、第二半导体图案SM2和第二漏电极DE2被施加到有机发光二极管OLED。

在第二方向D2上延伸的辅助线AL在中间绝缘层L2上并且与非发光区域NEA对应。在本示例性实施例中，辅助线AL可以是包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它们的化合物或混合物的薄膜。根据另一示例性实施例，辅助线AL可包括沉积在具有上述材料的薄膜上的金属氧化物层。金属氧化物层可包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。

辅助线AL可具有与第二源电极SE2和第二漏电极DE2相同的材料和结构。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的每个可具有钼/铝/钼的三层结构。在这种情况下，辅助线AL可具有钼/铝/钼的三层结构。

有机发光二极管OLED在发光区域EA中并且基于驱动信号发射光。有机发光二极管OLED包括阳极AN、有机发光层EML和阴极CE。

阳极AN在覆盖驱动晶体管TFT2的层间绝缘层L3上并且通过穿透层间绝缘层L3的第一通孔VH1电连接到第二漏电极DE2。在本示例性实施例中，阳极AN可以是反射电极，并且例如可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。在另一示例性实施例中，阳极AN可包括多个层。例如，阳极AN可具有多层结构，在该多层结构中堆叠有金属氧化物层和金属层。多层结构可以是ITO/Mg或ITO/MgF的两层结构，或ITO/Ag/ITO的三层结构。在一个示例性实施例中，阳极AN和连接电极BE可包括相同的材料和/或相同的层结构。例如，阳极AN和连接电极BE中的每个可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

像素限定层PDL被提供有第一开口OP1，该第一开口OP1穿过像素限定层PDL形成并且被设置在阳极AN上。有机发光层EML在像素限定层PDL上并且通过第一开口OP1与阳极AN接触。有机发光层EML被图案化在像素区域PA中的每个中以发射彩色光。作为示例，当在图1B中的像素PX中的有机发光层EML发射第一光时，与像素PX相邻的另一像素可包括发射具有与第一光不同颜色的第二光的另一有机发光层。

在本示例性实施例中，有机发光显示器100可以是顶部发射型有机发光显示器。从有机发光层EML发射的彩色光可在依次通过阴极CE和第二基底基板BS2之后出射。阴极CE在有机发光层EML上。

在本示例性实施例中，阴极CE可具有透射性或半透反射性。例如，阴极CE可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它们的化合物或混合物，例如，Ag和Mg的混合物。阴极CE可具有薄膜形状以具有半透反射性。根据另一示例性实施例，阴极CE可进一步包括设置在由上述材料形成的薄膜上的透明导电层，例如，包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟锡锌等。

阴极CE连接到辅助线AL。例如，连接电极BE在层间绝缘层L3上并且连接电极BE通过第二通孔VH2连接到辅助线AL，该第二通孔VH2贯通层间绝缘层L3而限定。另外，阴极CE通过第二开口OP2连接到连接电极BE，该第二开口OP2贯通有机发光层EML、空穴传输区HTR和电子传输区ETR而限定。因此，阴极CE通过连接电极BE连接到辅助线AL。因此，即使阴极CE具有带有半透反射性的薄膜形状，辅助线AL也可降低阴极CE的电阻。

在本示例性实施例中，有机发光二极管OLED可包括空穴传输区HTR和电子传输区ETR。空穴传输区HTR在阳极AN和有机发光层EML之间。空穴传输区HTR包括空穴注入层和空穴传输层，其例如可形成为单层。空穴传输区HTR可包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。

空穴注入层可包括但不限于，例如铜酞菁的酞菁化合物、DNTPD(N，N'-二苯基-N，N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4，4'-二胺)、m-MTDATA(4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4，4'，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺)、2TNATA(4，4'，4"-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸))等。

空穴注入层可包括电荷产生材料以提高空穴传输区HTR的导电性。电荷产生材料可以是但不限于P型掺杂剂。P型掺杂剂可以是，例如喹啉衍生物、金属氧化物材料和包含氰基的化合物中的一种。在另一实施例中，P型掺杂剂可包括诸如TCNQ(四氰基对醌二甲烷)、F4-TCNQ(2，3，5，6-四氟-四氰基对醌二甲烷)等的喹啉衍生物，或诸如氧化钨材料、氧化钼材料等的金属氧化物材料。

空穴传输层在空穴注入层和有机发光层EML之间。空穴传输层可包括但不限于，咔唑基衍生物，例如，n-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等；氟基衍生物、三苯胺衍生物，例如TPD(N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1，1-联苯]-4，4'-二胺)、TCTA(4，4'，4"-三(N-咔唑基)三苯胺)等，NPB(N，N'-二(1-萘基)-N，N'-二苯基联苯胺)、TAPC(4，4'-亚环己基双[N，N-双(4-甲基苯基)苯胺])等。

电子传输区ETR在有机发光层EML和阴极CE之间。在本示例性实施例中，电子传输区ETR具有其中电子传输层和电子注入层彼此堆叠的结构。在另一实施例中，可从电子传输区ETR中省略电子注入层。

电子传输层可包括但不限于，Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)、Bphen(4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双(10-羟基苯并[H]喹啉)铍)、ADN(9，10-二(萘-2-基)蒽)或它们的化合物。

在本示例性实施例中，电子传输层具有大约100埃至大约1000埃的厚度。在一个实施例中，电子传输层具有大约150埃至大约500埃范围的厚度。在电子传输层的厚度满足上述厚度范围的情况下，可提高有机发光二极管OLED的电子传输层的电子传输特性而不必增加驱动电压。

电子注入层可包括例如LiF、LiQ(喹啉锂)、Li₂O、BaO、NaCl、CsF、Yb等的镧系金属，或例如RbCl、RbI等的金属卤化物。例如，根据另一示例性实施例，电子传输层可包括电子传输材料与具有绝缘特性的有机金属盐的混合物。有机金属盐具有大约4eV或更高的能带隙。例如，有机金属盐可包括醋酸金属盐、苯甲酸金属盐、乙酰乙酸金属盐、乙酰丙酮金属盐或硬脂酸金属盐。

在本示例性实施例中，电子注入层具有大约1埃至大约100埃的厚度。在一个实施例中，电子注入层具有大约3埃至大约90埃范围的厚度。当电子注入层的厚度满足上述厚度时，可增加有机发光二极管OLED的电子注入特性而不必增加驱动电压。

第二基底基板BS2联接到具有有机发光二极管OLED的第一基底基板BS1。覆盖层L4在第二基底基板BS2和第一基底基板BS1之间。覆盖层L4覆盖有机发光二极管OLED以防止湿气和气体进入有机发光二极管OLED。

根据另一示例性实施例，第二基底基板BS2可具有膜形状，在该膜形状中有机层和无机层彼此交替且重复堆叠。

根据另一示例性实施例，与有机发光层EML重叠的滤色器CF在第二基底基板BS2上。然后，从有机发光层EML发射的彩色光穿过滤色器CF。其结果是，提高了彩色光的彩色特性。

在本示例性实施例中，层间绝缘层L3包括第一绝缘层SL1和第二绝缘层SL2。第一绝缘层SL1与有机发光二极管OLED重叠。第二绝缘层SL2被限定为层间绝缘层L3的与非发光区域NEA对应的一部分。第二绝缘层SL2在非发光区域NEA中与辅助线AL重叠。另外，第二绝缘层SL2在平面图中观察时与第二开口OP2重叠并且可被连接电极BE和辅助线AL包围。

图3A和图3B是示出在图2中的辅助线和连接电极之间的连接结构的一个实施例的分解透视图。参考图2、图3A和图3B，辅助线AL和连接电极BE重叠，使得在平面图中观察时，层间绝缘层L3在非发光区域NEA中在辅助线AL和连接电极BE之间。而且，连接电极BE通过第二通孔VH2连接到辅助线AL，该第二通孔VH2贯穿层间绝缘层L3而限定。

层间绝缘层L3的第二绝缘层SL2与层间绝缘层L3的第一绝缘层SL1隔开，使得第二通孔VH2在第二绝缘层SL2和第一绝缘层SL1之间。因此，第二绝缘层SL2可具有与第一绝缘层SL1隔离的岛形状。

第二通孔VH2可具有例如四边形的环形形状。第二绝缘层SL2可具有例如四边形形状。根据另一示例性实施例，第二通孔VH2可具有多边形的环形形状，而第二绝缘层SL2可具有多边形形状。在另一实施例中，这些特征可具有不同的形状。

连接电极BE包括第一导电层CL1和第二导电层CL2。第一导电层CL1在第二通孔VH2中。因此，在平面图中观察时第一导电层CL1具有包围第二绝缘层SL2的四边形的环形形状。第二导电层CL2覆盖第一导电层CL1和第二绝缘层SL2并且连接到第一导电层CL1。

第一导电层CL1覆盖第二绝缘层SL2的侧部，第二导电层CL2覆盖第二绝缘层SL2的上部，并且辅助线AL覆盖第二绝缘层SL2的下部。由于在平面图中观察时第二导电层CL2的大小大于第二绝缘层SL2，因此第二绝缘层SL2的上表面可被第二导电层CL2完全覆盖。

当辅助线AL、第二绝缘层SL2和连接电极BE具有上述结构时，第二绝缘层SL2可由辅助线AL和连接电极BE密封。在制造期间，当使用激光束LSR贯通有机发光层EML形成第二开口OP2时，可能会从第二绝缘层SL2产生气体GS(例如，参考图6B)。激光束的能量可被间接传递到第二绝缘层SL2从而从第二绝缘层SL2产生气体GS。即使发生该情况，气体GS也可被连接电极BE和辅助线AL阻挡并且被阻止进入第一绝缘层SL1。

在一些情况下，当第二绝缘层SL2连接到第一绝缘层SL1时，气体GS可进入第一绝缘层SL1。因此，气体GS可进入在第一绝缘层SL1上的有机发光二极管OLED。然而，根据本示例性实施例，在第一绝缘层SL1和第二绝缘层SL2之间形成的气体GS的路径可被连接电极BE和辅助线AL的结构阻挡。因此，可防止有机发光二极管OLED变形并可防止有机发光二极管OLED的发光功能被气体GS恶化。

图4是示出在辅助线和连接电极之间的连接结构的另一实施例的分解透视图。参考图2和图4，在平面图中观察时，在非发光区域NEA中辅助线AL与连接电极BE-1重叠并且层间绝缘层L3-1在辅助线AL和连接电极BE-1之间。连接电极BE-1可通过第二通孔VH2-1连接到辅助线AL，该第二通孔VH2-1贯通层间绝缘层L3-1而形成。

连接电极BE-1包括第一导电层CL1-1和第二导电层CL2-1。层间绝缘层L3-1包括第一绝缘层SL1-1和第二绝缘层SL2-1。

在本示例性实施例中，在平面图中，第二通孔VH2-1可具有圆形的环形形状，第二绝缘层SL2-1可具有圆形形状，并且第二导电层CL2-1可具有圆形形状。

与图3A和图3B中的先前的实施例相似，第二绝缘层SL2-1与第一绝缘层SL1-1隔开，并且第二通孔VH2-1在第一绝缘层SL1-1和第二绝缘层SL2-1之间。因此，第二绝缘层SL2-1具有与第一绝缘层SL1-1隔离的岛形状。

第一导电层CL1-1被容纳在第二通孔VH2-1中并且包围第二绝缘层SL2-1。第二导电层CL2-1覆盖第一导电层CL1-1和第二绝缘层SL2-1并且连接到第一导电层CL1-1。

在本示例性实施例中，第一导电层CL1-1覆盖第二绝缘层SL2-1的侧部。第二导电层CL2-1覆盖第二绝缘层SL2-1的上部。辅助线AL覆盖第二绝缘层SL2-1的下部。而且，由于在平面图中观察时第二导电层CL2-1的大小大于第二绝缘层SL2-1，因此第二绝缘层SL2-1的上表面可被第二导电层CL2-1完全覆盖。

图5是示出包括一个或多个像素的有机发光显示器101的实施例的剖视图。参考图5，有机发光显示器101包括第一基底基板BS1、第二基底基板BS2、辅助线AL、驱动晶体管TFT2、有机发光二极管OLED-1、滤色器CF和光阻挡层BM。

有机发光二极管OLED-1包括阳极AN、空穴传输区HTR、有机发光层EML-1、电子传输区ETR和阴极CE。在本示例性实施例中，有机发光层EML-1具有形成在发光区域EA和非发光区域NEA中的单层结构，并且有机发光层EML-1产生白光。

滤色器CF在第二基底基板BS2上并且与发光区域EA对应。光阻挡层BM在第二基底基板BS2上并且与非发光区域NEA对应。滤色器CF过滤来自有机发光层EML-1的白光以形成彩色光。因此，通过有机发光层EML-1和滤色器CF的组合从发光区域EA发射彩色光。

图6A和图6B是示出形成诸如例如图2所示的有机发光层的方法的一个实施例的剖视图。参考图6A，在第一基底基板BS1上形成像素限定层PDL，像素限定层PDL具有穿过其限定的第一开口OP1。然后，依次形成初步空穴传输区HTR'、初步有机发光层EML'和初步电子传输区ETR'。

例如，可使用小光罩扫描(SMS)形成初步有机发光层EML'。在这种情况下，在有机材料沉积在第一基底基板BS1的期间，图案化狭缝片适时扫描第一基底基板BS1以遮蔽第一基底基板BS1。因此，在第一基底基板BS1上形成初步图案化的初步有机发光层EML'。

在本示例性实施例中，初步空穴传输区HTR'和初步电子传输区ETR'中的每个共同形成在第一基底基板BS1的全部或预定数目的像素上。例如，可使用开口掩模形成初步空穴传输区HTR'和初步电子传输区ETR'中的每个。

参考图6B，激光系统LS被放置在第一基底基板BS1的上方。激光束LSR被照射到初步空穴传输区HTR'、初步有机发光层EML'和初步电子传输区ETR'(例如参考图6A)上以形成第二开口OP2，并且空穴传输区HTR、有机发光层EML和电子传输区ETR被形成。

在使用激光束LSR形成第二开口OP2的期间，激光束LSR的能量可被间接传递到连接电极BE和层间绝缘层L3的第二绝缘层SL2。因此，可从第二绝缘层SL2产生气体GS。然而，如先前参考图2所描述的，气体GS可被连接电极BE和辅助线AL阻挡，并且因此被阻止进入层间绝缘层L3的第一绝缘层SL1。其结果是，可防止有机发光层EML的发光功能恶化，并可防止包括有机发光层EML的有机发光二极管OLED(例如，参考图2)的形状变形。

在本文中已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如在递交本申请时对本领域技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或要素可以单独使用，也可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离如以下权利要求书中提出的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。

Claims (10)

1.一种有机发光显示器，包括：

第一基底基板，包括发光区域和非发光区域；

在所述第一基底基板上的驱动晶体管；

覆盖所述驱动晶体管的层间绝缘层，并且第一通孔和第二通孔被限定在所述层间绝缘层中；

在所述层间绝缘层上并且连接到所述驱动晶体管的有机发光二极管，所述有机发光二极管在与所述发光区域对应的位置处；

在所述非发光区域中的辅助线；以及

在所述层间绝缘层上并且通过所述第二通孔连接到所述辅助线的连接电极，所述连接电极连同所述辅助线包围所述层间绝缘层的与所述非发光区域对应的一部分，其中所述有机发光二极管包括通过所述第一通孔连接到所述驱动晶体管的阳极、在所述阳极上的有机发光层、以及在所述有机发光层上并且通过所述连接电极连接到所述辅助线的阴极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述连接电极和所述辅助线密封所述层间绝缘层的与所述非发光区域对应的所述一部分。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述层间绝缘层包括：

与所述有机发光二极管重叠的第一绝缘层；以及

与在所述非发光区域中的所述辅助线重叠并且与所述第一绝缘层隔开的第二绝缘层，其中所述连接电极在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示器，其中所述连接电极包括：

在所述第二通孔中并且包围所述第二绝缘层的第一导电层；以及

连接到所述第一导电层并且覆盖所述第一导电层和所述第二绝缘层的第二导电层。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中所述第二导电层的大小大于所述第二绝缘层的大小。

6.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中：

所述第一导电层具有环形形状，并且

所述第二导电层具有圆形形状。

7.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中：

所述第一导电层覆盖所述第二绝缘层的侧部，

所述第二导电层覆盖所述第二绝缘层的上部，并且

所述辅助线覆盖所述第二绝缘层的下部。

8.根据权利要求3所述的有机发光显示器，其中：

开口被限定在与所述非发光区域对应的所述有机发光层中，所述开口与所述第二绝缘层重叠。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括：

在所述第一基底基板上的栅绝缘层；以及

在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间的中间绝缘层，

其中所述驱动晶体管包括：

半导体图案；

与所述半导体图案重叠的栅电极，所述栅绝缘层置于所述栅电极和所述半导体图案之间；

在所述中间绝缘层上并且连接到所述半导体图案的源电极；以及

漏电极，在所述中间绝缘层上、连接到所述半导体图案并且通过所述第一通孔连接到所述阳极，其中所述辅助线在所述中间绝缘层上。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括：

面对所述第一基底基板的第二基底基板；以及

在所述第二基底基板上并且与所述发光区域对应的滤色器，其中所述有机发光层发射白光。