[go: up one dir, main page]

KR102596065B1 - 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102596065B1
KR102596065B1 KR1020160084377A KR20160084377A KR102596065B1 KR 102596065 B1 KR102596065 B1 KR 102596065B1 KR 1020160084377 A KR1020160084377 A KR 1020160084377A KR 20160084377 A KR20160084377 A KR 20160084377A KR 102596065 B1 KR102596065 B1 KR 102596065B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic light
light emitting
cathode
layer
auxiliary line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160084377A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180004878A (ko
Inventor
오언석
김상열
김세일
전우식
최보미
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160084377A priority Critical patent/KR102596065B1/ko
Priority to US15/499,042 priority patent/US10096671B2/en
Priority to CN201710536425.8A priority patent/CN107579093B/zh
Publication of KR20180004878A publication Critical patent/KR20180004878A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102596065B1 publication Critical patent/KR102596065B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기발광 표시장치는 화소 영역 및 비화소 영역이 정의된 베이스 기판, 상기 화소 영역에 배치된 유기발광소자, 및 상기 비화소 영역에 배치된 보조라인을 포함한다. 상기 유기발광소자는, 애노드, 상기 애노드 위에 배치된 제1 유기 발광층, 제1 캐소드 및 제2 캐소드를 포함한다. 상기 제1 캐소드는 금속을 포함하고, 상기 제1 캐소드는 상기 제1 유기 발광층 위에 배치되어 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 캐소드는 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함하고, 상기 제2 캐소드는 상기 제1 캐소드 위에 배치되어 상기 제1 캐소드와 전기적으로 연결된다.

Description

유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF THE SAME}
본 발명은 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시품질이 향상된 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 평판표시장치 중 하나로, 다수의 화소들 각각에 배치되어 광을 발광하는 유기발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 상기 유기발광 소자는 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다.
상기 유기발광 소자에 전원 신호가 인가되는 경우에, 상기 애노드 전극을 통해 상기 유기발광층에 정공이 제공되고, 상기 캐소드 전극을 통해 상기 유기발광층에 전자가 제공된다. 또한, 상기 유기발광층에 제공된 전자 및 정공이 재결합되어 여기자가 생성되고, 상기 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 그 상태가 변화됨에 따라 발생되는 에너지에 의해 상기 유기발광층으로부터 광이 발생된다.
본 발명의 목적은 표시품질이 향상된 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 일 유기발광 표시장치는 화소 영역 및 비화소 영역이 정의된 베이스 기판, 상기 화소 영역에 배치된 유기발광소자, 상기 비화소 영역에 배치된 보조라인 및 상기 보조 라인과 중첩하는 제1 콘택홀이 정의되는 커버 절연막을 포함한다. 상기 유기발광소자는, 애노드, 상기 애노드 위에 배되고, 평면상에서 상기 제1 콘택홀 내부에 위치한 개구부가 정의된 제1 유기 발광층, 제1 캐소드 및 제2 캐소드를 포함한다. 상기 제1 캐소드는 금속을 포함하고, 상기 제1 캐소드는 상기 제1 유기 발광층 위에 배치되어 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 캐소드는 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함하고, 상기 제2 캐소드는 상기 제1 캐소드 위에 배치되어 상기 제1 캐소드와 전기적으로 연결된다. 상기 커버 절연막은 상기 베이스 기판 및 상기 애노드 사이에 배치되며 상기 보조 라인의 일부를 커버하고, 상기 제1 유기 발광층의 개구부의 폭은 제1 콘택홀의 폭보다 작다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법은 다음과 같다. 베이스 기판의 비화소 영역에 보조 라인을 형성하고, 상기 베이스 기판의 화소 영역에 유기발광소자를 형성한다.
상기 유기발광소자를 형성하는 방법은 다음과 같다. 상기 베이스 기판 위에 애노드를 형성하고, 상기 애노드 및 상기 보조 라인 위에 예비 유기 발광층을 형성한다. 그 이후에, 상기 예비 유기발광층으로부터 유기 발광층이 형성되도록, 상기 예비 유기 발광층에 레이저를 조사하여 상기 예비 유기 발광층에 상기 보조 라인과 중첩한 제2 개구부를 형성한다. 그 이후에, 금속을 포함하고, 상기 제2 개구부가 정의된 유기 발광층 위에 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 제1 캐소드를 증착한다. 그 이후에, 투명한 도전성 산화물을 포함하여 상기 제1 캐소드 위에 상기 제1 캐소드와 전기적으로 연결된 제2 캐소드를 증착한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 유기발광소자는 금속을 포함하는 제1 캐소드 및 상기 제1 캐소드 위에 적층되어 투명한 도전성 산화물을 포함하는 제2 캐소드를 포함한다. 따라서, 상기 제1 캐소드에 의해 상기 유기발광소자의 전자 주입 특성이 향상될 수 있고, 상기 제2 캐소드에 의해 광 투과도가 저하되지 않고 전기 저항이 용이하게 감소될 수 있다.
또한, 상기 제2 캐소드가 스퍼터링 방법으로 형성될 때, 상기 제1 캐소드는 스퍼터링된 입자들이 유기 발광층에 침투되는 것을 막을 수 있고, 이에 따라 상기 스퍼터링된 입자들에 의해 상기 유기 발광층에 손상되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐소드가 연결 전극 및 보조 라인과 연결되기 위하여 상기 제1 캐소드에 절연막들의 두께들의 합과 대략적으로 대응되는 단차가 발생되더라도, 상기 제1 캐소드는 상기 제2 캐소드에 의해 커버되어 상기 제1 및 제2 캐소드들의 피복성이 향상될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 캐소드들이 상기 연결전극 및 상기 보조 라인에 안정적으로 연결될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 제1 화소의 평면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 I-I`을 따라 절취된 면을 나타내는 단면도이다.
도 3a는 도 1에 도시된 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 II-II`을 따라 절취된 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 7a 내지 도 7h들은 도 2b에 도시된 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 `제1`, `제2` 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 `위에` 또는 `상에` 있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)의 사시도이고, 도 2a는 도 1에 도시된 제1 화소(PX1)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 I-I`을 따라 절취된 면을 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 유기발광 표시장치(100)에 다수의 화소 영역(PA) 및 상기 다수의 화소 영역(PA)을 둘러싸는 비화소 영역(NPA)이 정의된다. 상기 유기발광 표시장치(100)는 상기 다수의 화소 영역(PA)에 일대일 대응하여 배치된 다수의 화소(PX)를 포함한다. 이 실시예에서는 상기 다수의 화소(PX)는 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다.
예를 들면, 상기 다수의 화소 영역(PA)은 제1 방향(D1)으로 순차적으로 배열된 제1 화소 영역(PA1), 제2 화소 영역(PA2) 및 제3 화소 영역(PA3)을 포함하고, 상기 다수의 화소(PX)는 상기 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 화소(PX1), 상기 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 화소(PX2) 및 상기 제3 화소 영역(PA3)에 배치된 제3 화소(PX3)를 포함한다. 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)은 상기 제1 방향(D1)으로 순차적으로 배열된다.
상기 다수의 화소들(PX) 각각은 광을 발광하는 유기발광소자(OLED)를 포함하고, 상기 유기발광 표시장치(100)는 상기 광을 이용하여 영상을 표시한다. 이 실시예에서는 상기 다수의 화소들(PX)은 서로 유사한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 상기 유기발광 표시장치(100)의 상기 다수의 화소들(PX) 중 상기 제1 화소(PX1)의 구조 및 상기 제1 화소(PX1)와 전기적으로 연결된 다수의 라인들의 구조를 예를 들어 설명하고, 나머지 화소들 및 상기 나머지 화소들과 전기적으로 연결된 다른 라인들의 구조의 설명은 생략된다.
상기 유기발광 표시장치(100)는 베이스 기판(BS1), 봉지기판(BS2), 게이트 라인(SL), 데이터 라인(DL), 전원 신호 라인(DVL), 보조 라인(AL), 스위칭 트랜지스터(TFT1), 구동 트랜지스터(TFT2), 스토리지 커패시터(CST), 유기발광소자(OLED) 및 연결 전극(BE)을 포함한다.
상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 봉지기판(BS2)은 서로 마주한다. 이 실시예에서는, 상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 봉지 기판(BS2) 각각은 유리기판일 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 봉지 기판(BS2)의 종류에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 다른 실시예에서는 상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 봉지 기판(BS2) 각각은 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 게이트 라인(SL)은 상기 베이스 기판(BS1) 위에 배치되어 게이트 신호를 전송하고, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 게이트 라인(SL)과 절연되어 상기 베이스 기판(BS1) 위에 배치되어 데이터 신호를 전송한다. 이 실시예에서는, 상기 게이트 라인(SL)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)는 상기 게이트라인(SL) 및 상기 데이터라인(DL)과 전기적으로 연결된다. 상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)는 상기 게이트라인(SL)을 통해 상기 게이트 신호를 제공받고, 상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)는 상기 데이터 라인(DL)을 통해 상기 데이터 신호를 제공받는다.
상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)는 제1 반도체 패턴(SM1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소오스전극(SE1) 및 제1 드레인전극(DE1)을 포함한다.
상기 제1 반도체 패턴(SM1)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴(SM1)의 구성 물질(composition material)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 제1 반도체 패턴(SM1)의 상기 구성 물질에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 제1 반도체 패턴(SM1)은 IGZO, ZnO, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, Ge2O3 및 HfO2와 같은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수도 있고, 또 다른 실시예에서는 상기 제1 반도체 패턴(SM1)은 GsAs, GaP 및 InP와 같은 화합물 반도체(compound semiconductor)를 포함할 수도 있고, 또 다른 실시예에서는 상기 제1 반도체 패턴(SM1)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다.
상기 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 게이트 라인(SL)과 연결되어 상기 제1 반도체 패턴(SM1)과 중첩된다. 또한, 상기 제1 소오스 전극(SE1)은 상기 데이터 라인(DL)과 연결되어 상기 제1 반도체 패턴(SM1)의 소오스 영역과 콘택되고, 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 상기 제1 반도체 패턴(SM1)의 드레인 영역과 콘택되어 상기 스토리지 커패시터(CST)와 전기적으로 연결된다.
상기 스토리지 커패시터(CST)는 제1 스토리지 전극(CE1) 및 제2 스토리지 전극(CE2)을 포함하고, 상기 제1 및 제2 스토리지 전극들(CE1, CE2)은 서로 중첩된다. 상기 제1 스토리지 전극(CE1)은 제1 비아홀(VH1)을 통해 상기 제1 드레인 전극(DE1)과 전기적으로 연결된다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 제1 및 제2 스토리지 전극들(CE1, CE2) 사이에는 게이트 절연막(L1) 및 중간 절연막(L2) 중 적어도 어느 하나가 개재될 수 있다.
상기 제1 스토리지 전극(CE1)은 상기 제1 드레인 전극(DE1)과 연결되고, 상기 제2 스토리지 전극(CE2)은 상기 전원 신호 라인(DVL)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 스토리지 커패시터(CST)는 상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)로부터 수신된 상기 데이터 신호에 대응하는 전압 및 상기 구동 신호 라인(DVL)으로부터 수신된 전원 신호에 대응하는 전압 차이에 대응하는 전하량을 충전하고, 상기 충전된 전하량은 상기 스위칭 트랜지스터(TFT1)가 턴-오프 되는 동안에 상기 구동 트랜지스터(TFT2) 측으로 제공될 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 베이스 기판(BS1) 및 상기 유기발광소자(OLED) 사이에 배치된다. 상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 상기 스위칭 트랜지스터(TFT1), 상기 전원 신호 라인(DVL) 및 상기 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 상기 전원 신호 라인(DVL)으로부터 상기 유기발광소자(OLED) 측으로 제공되는 전원 신호를 스위칭한다.
상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 제2 반도체 패턴(SM2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소오스 전극(SE2), 및 제2 드레인전극(DE2)을 포함한다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 제1 스토리지 전극(CE1)을 통해 상기 제1 드레인 전극(DE1)과 연결되고, 상기 제2 소오스 전극(SE2)은 상기 전원 신호 라인(DVL)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제2 드레인 전극(DE2)은 상기 커버 절연막(L3)에 정의된 제2 비아홀(VH2)을 통해 상기 유기발광소자(OLED)와 전기적으로 연결된다.
게이트 절연막(L1)은 상기 제2 반도체 패턴(SM2)을 커버하고, 중간 절연막(L2)은 상기 게이트 절연막(L1) 위에 배치되어 상기 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다.
상기 커버 절연막(L3)은 상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 애노드(AN) 사이에 배치된다. 상기 커버 절연막(L3)은 상기 중간 절연막(L2) 위에 배치되어 상기 제2 소오스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)을 커버한다.
상기 보조 라인(AL)은 상기 비화소 영역(NPA)에 배치되어 상기 데이터 라인(DL)과 이격된다. 이 실시예에서는, 상기 보조 라인(AL)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 보조 라인(AL)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있고, 상기 금속 산화물층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 데이터 라인(DL), 상기 제2 소오스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)과 같이, 상기 보조 라인(AL)은 상기 중간 절연막(L2) 위에 배치될 수 있다.
이 실시예와 같이, 상기 구동 트랜지스터(TFT2)가 바텀-게이트(bottom-gate)의 구조를 갖는 경우에, 상기 보조 라인(AL)은 상기 제2 소오스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)과 동일한 구성물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이 실시예에서는 상기 데이터 라인(DL), 상기 제2 소오스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2) 각각이 몰리브데늄층 /알루미늄층 /몰리브데늄층의 3층의 적층 구조를 가질 수 있고, 이 경우에, 상기 보조 라인(AL)은 상기 3층의 상기 적층 구조를 가질 수 있다.
다른 실시예에서는, 상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 탑-게이트(top-gate)의 구조를 가질 수 있고, 이 경우에 상기 보조 라인(AL)은 상기 제2 게이트 전극(GE2)과 동일한 구성물질을 포함할 수 있다.
상기 유기발광소자(OLED)는 상기 구동 트랜지스터(TFT2)을 통해 제공되는 상기 전원 신호에 응답하여 발광한다. 이 실시예에서는, 상기 유기발광소자(OLED)는 애노드(AN), 정공제어층(HTR), 유기발광층(EML), 전자제어층(ETR), 제1 캐소드(CE1) 및 제2 캐소드(CE2)를 포함한다.
상기 구동 트랜지스터(TFT2)는 상기 베이스 기판(BS1) 및 상기 애노드(AN) 사이에 배치될 수 있다. 상기 애노드(AN)는 상기 커버 절연막(L3) 위에 배치되고, 상기 애노드(AN)는 상기 커버 절연막(L3)을 관통하는 상기 제2 비아홀(VH2)을 통해 상기 제2 드레인 전극(DE2)과 전기적으로 연결된다.
이 실시예에서는, 상기 애노드(AN)는 반사형 전극일 수 있고, 이 경우에 상기 애노드(AN)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 애노드(AN)는 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 애노드(AN)는 ITO/Mg 또는 ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 다중층의 구조를 가질 수 있다.
상기 애노드(AN) 위에는 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 상기 애노드(AN)의 위치에 대응하여 제1 개구부(OP1)가 정의되고, 상기 유기발광층(EML)은 상기 제1 개구부(OP1)를 통해 상기 애노드(AN) 위에 적층될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 정공 제어층(HTR)은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있고, 다른 실시예에서는 상기 정공 제어층(HTR)은 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 정공 주입층은 정공 주입 물질을 포함할 수 있고, 상기 정공 주입 물질은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 등을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 정공 주입 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 정공 주입층은 상기 정공 수송 영역(HTR)의 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 생성 물질은 예를 들어 p형 도펀트(dopant)일 수 있고, 상기 p형 도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 본 발명이 상기 p형 도펀트의 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 p형 도펀트는 TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 포함할 수도 있다.
상기 정공 수송층은 정공 수송 물질을 포함한다. 상기 정공 수송 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 정공 수송층의 재료의 종류에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기발광층(EML)은 상기 정공 제어층(HTR) 위에 배치된다. 이 실시예에서는, 상기 유기발광층(EML)은 백색광을 발광할 수 있고, 상기 유기발광층(EML)은 상기 다수의 화소 영역(PA) 및 상기 비화소 영역(NPA)에 걸쳐 연속된 막의 형상을 가질 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 유기발광 표시장치(100)은 전면 발광(top emission)형 일 수 있다. 따라서, 상기 유기발광층(EML)으로부터 발광된 상기 백색광은 상기 제1 캐소드(CE1), 상기 제2 캐소드(CE2) 및 상기 봉지 기판(BS2)을 순차적으로 통해 상기 유기발광 표시장치(100)의 외부로 출력될 수 있다. 또한, 상기 외부로 출력되는 상기 백색광의 경로 상에 제1 컬러필터(CF1)가 위치하여 상기 백색광은 상기 제1 컬러필터(CF1)에 의해 컬러광으로 필터링될 수 있다.
상기 전자 제어층(ETR)은 전자 수송층 및 전자 주입층이 적층된 구조를 가질 수 있고, 다른 실시예에서는 상기 전자 수송 영역(ETR)에서 상기 전자 주입층이 생략될 수도 있다.
상기 전자 수송층은 전자 수송 물질을 포함하고, 상기 전자 수송 물질은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 수송 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 전자 주입 물질을 포함하고, 상기 전자 주입 물질은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 주입 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 전자 주입층은 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질을 포함할 수 있고, 상기 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 유기발광층(EML) 위에 배치되고, 상기 제2 캐소드(CE2)는 상기 제1 캐소드(CE1) 위에 배치되어 상기 제1 캐소드(CE1)와 전기적으로 연결된다. 이 실시예에서는 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2) 각각은 광 투과성을 갖는다.
상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 보조 라인(AL)과 연결되고, 이 실시예에서는 상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 연결전극(BE)을 통해 상기 보조 라인(AL)과 전기적으로 연결된다.
보다 상세하게는, 상기 커버 절연막(L3)에 상기 보조 라인(AL)과 중첩하는 제1 콘택홀(CH1)이 정의되고, 상기 화소 정의막(PDL)에 상기 제1 콘택홀(CH1)과 중첩하는 제2 콘택홀(CH2)이 정의된다. 이 실시예에서는, 상기 제2 콘택홀(CH2)의 제2 폭(W2)은 상기 제1 콘택홀(CH1)의 제1 폭(W1) 보다 클 수 있다. 또한, 평면상에서 상기 제1 콘택홀(CH1)은 상기 제2 콘택홀(CH2)의 내부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 비화소 영역(NPA)의 일 영역에 레이저 조사 영역(LA)이 정의될 수 있고, 상기 레이저 조사 영역(LA)에서 상기 유기 발광층(EML), 상기 정공 제어층(HTR) 및 상기 전자 제어층(ETR) 각각에 제2 개구부(OP2)가 정의되고, 상기 제2 개구부(OP2)는 상기 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제2 콘택홀(CH2) 각각과 중첩된다. 상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 제1 콘택홀(CH1), 상기 제2 콘택홀(CH2) 및 상기 제2 개구부(OP2)를 통해 상기 연결전극(BE)과 연결되어 상기 보조 라인(AL)과 연결될 수 있다.
상기 제2 개구부(OP2)는 상기 유기발광층(EML), 상기 정공 제어층(HTR) 및 상기 전자 제어층(ETR) 각각에 레이저(도 7c의 LR)가 조사되어 형성되는 것으로, 이 실시예에서는 상기 레이저 조사 영역(LA)에서 상기 연결전극(BE)이 상기 보조 라인(AL)과 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 레이저에 의해 상기 연결 전극(BE)이 부분적으로 손상되더라도, 상기 연결 전극(BE)의 하부는 상기 보조 라인(AL)에 의해 지지되므로 상기 연결 전극(BE)의 손상된 부분에 의해 상기 연결 전극(BE) 및 상기 보조 라인(AL) 간의 접촉이 불안정해지는 것이 방지될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 연결전극(BE)의 구성 물질은 상기 애노드(AN)의 구성 물질과 동일할 수 있고, 상기 연결전극(BE)의 적층 구조는 상기 애노드(AN)의 적층 구조와 동일할 수 있다. 예를 들면, 상기 애노드(AN) 및 상기 연결 전극(BE) 각각은 ITO/Ag/ITO의 3층의 적층 구조를 가질 수 있다.
이 실시예에서와 같이, 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)이 상기 보조 라인(AL)과 연결되는 경우에, 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 각각이 상기 광 투과성을 갖기 위하여 박막의 형상을 갖더라도, 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 전기 저항은 상기 보조 라인(AL)에 의해 감소될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제1 캐소드(CE1)의 구성 물질은 상기 제2 캐소드(CE2)의 구성물질과 상이할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 캐소드(CE1)의 상기 구성물질은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제1 캐소드(CE1)의 상기 금속물질이 금속을 포함하더라도, 이 실시예에서는 상기 제1 캐소드(CE1)의 제1 두께(T1)는 수십 옹스트롬으로 상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 광 투과도를 가질 수 있다.
상기 제2 캐소드(CE2)의 상기 구성 물질은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 캐소드(CE2)의 상기 구성물질은 WxOx(tungsten　oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 및 MgO(magnesium　oxide)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제2 캐소드(CE2)는 그래핀(Graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube)를 포함할 수도 있다.
이 실시예에서는 상기 제2 캐소드(CE2)의 제2 두께(T2)는 상기 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 상기 제2 캐소드(CE2)의 상기 구성 물질은 상기 투명한 도전성 산화물을 포함하므로, 상기 제2 캐소드(CE2)의 전기 저항이 감소되기 위하여 상기 제2 두께(T2)가 증가되더라도, 상기 제2 캐소드(CE2)의 광 투과도가 감소되는 것이 최소화될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 구조 및 본 발명의 비교예에 따른 투명한 도전 산화물로만 이루어진 캐소드의 구조를 비교하면, 본 발명의 실시예에서는 금속을 포함하는 상기 제1 캐소드(CE1)에 의해 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 전자 주입 특성이 향상되어 상기 유기발광소자(OLED)의 발광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제2 캐소드(CE2)가 스퍼터링 방법으로 형성될 때, 상기 제1 캐소드(CE1)는 스퍼터링된 입자들이 상기 유기 발광층(EML)에 침투되는 것을 막을 수 있고, 이에 따라 상기 스퍼터링된 입자들에 의해 상기 유기 발광층(EML)이 손상되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 구조 및 본 발명의 다른 비교에에 따른 금속으로만 이루어진 캐소드의 구조를 비교하면, 본 발명의 실시예에서는 투명 도전 산화물을 포함하는 상기 제2 캐소드(CE2)에 의해 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)의 광 투과도가 저하되지 않고 전기 저항이 용이하게 감소될 수 있다.
앞서 상술한 바와 같이, 상기 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제2 콘택홀(CH2)이 중첩되어 형성되는 경우에, 상기 제1 캐소드(CE1)가 상기 연결 전극(BE)과 접촉되기 위하여 상기 제1 캐소드(CE1)에 상기 화소 정의막(PDL)의 두께 및 상기 제3 커버 절연막(L3)의 두께의 합과 대략적으로 대응되는 단차가 발생될 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 제1 캐소드(CE1)에 상기 단차가 발생되더라도, 상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 제2 캐소드(CE2)에 의해 커버되므로 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)은 상기 연결전극(BE)에 안정하게 연결될 수 있다.
상기 박막 봉지층(L4)은 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2) 위에 배치되어 상기 유기발광소자(OLED)를 밀봉한다. 이 실시예에서는, 상기 박막 봉지층(L4)은 알루미늄 옥사이드(aluminum oxide) 및 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)와 같은 무기물을 포함하는 무기층 및 아크릴레이트 계열의 유기물을 포함하는 유기층이 교대로 반복된 구조를 가질 수 있다.
상기 박막 봉지층(L4) 위에 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 컬러필터(CF1)가 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 비화소 영역(NPA)에 대응하여 배치되고, 상기 제1 컬러필터(CF1)는 상기 제1 화소 영역(PA1)에 대응하여 배치되어 상기 유기발광소자(OLED)와 중첩될 수 있다.
이 실시예에서는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 컬러필터(CF1) 위에 상기 봉지 기판(BS2)이 배치된다. 다른 실시예에서는, 상기 봉지 기판(BS2) 대신에 보호층이 배치될 수 있고, 상기 보호층은 유기층 또는 무기층을 포함할 수 있다.
도 3a는 도 1에 도시된 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 3b는 도 3a에 도시된 II-II`을 따라 절취된 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 화소 영역(PA1)에 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 제1 화소(PX1)가 배치되고, 제2 화소 영역(PA2)에 제2 화소(PX2)가 배치되고, 제3 화소 영역(PA3)에 제3 화소(PX3)가 배치된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3) 각각은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 백색광을 발광하는 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 화소(PX1)는 제1 컬러필터(CF1)를 포함하고, 상기 제2 화소(PX2)는 제2 컬러필터(CF2)를 포함하고, 상기 제3 화소(PX3)은 제3 컬러필터(CF3)를 포함한다.
이 실시예에서는, 상기 제1 컬러필터(CF1)는 적색 컬러필터일 수 있고, 상기 제2 컬러필터(CF2)는 녹색 컬러필터일 수 있고, 상기 제3 컬러필터(CF3)는 청색 컬러필터일 수 있다. 따라서, 상기 제1 화소 영역(PA1)에서 상기 제1 화소(PX1)로부터 적색광이 출력될 수 있고, 상기 제2 화소 영역(PA2)에서 상기 제2 화소(PX2)로부터 녹색광이 출력될 수 있고, 상기 제3 화소 영역(PA3)에서 상기 제3 화소(PX3)로부터 청색광이 출력될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 유기발광소자(OLED)에서 유기발광층(EML)은 애노드(AN) 위에 배치되되, 상기 유기발광층(EML)은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 걸쳐 배치된 단일막의 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기발광소자(OLED)에서 정공 제어층(HTR) 및 전자 제어층(ETR) 각각은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 걸쳐 배치된 단일막의 형상을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시에에 따른 유기발광 표시장치(101)의 단면도이다. 도 4를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 4를 참조하면, 상기 유기발광 표시장치(101)는 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 화소(PX1-1), 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 화소(PX2-1) 및 제3 화소 영역(PA3)에 배치된 제3 화소(PX3-1)를 포함한다.
상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-1, PX2-1, PX3-1) 각각은 유기발광소자(OLED-1)를 포함한다. 이 실시예에서는, 상기 유기발광소자(OLED-1)는 베이스 기판(BS1) 위에 순차적으로 적층된 애노드(AN), 정공 제어층(HTR), 제1 유기발광층(EML1), 제2 유기발광층(EML2), 전자 제어층(ETR), 제1 캐소드(CE1) 및 제2 캐소드(CE2)를 포함할 수 있고, 상기 제1 유기 발광층(EML1)은 상기 제2 유기 발광층(EML2)과 접촉될 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-1, PX2-1, PX3-1)의 각각에 인접하여 커버 절연막(L3) 위에 보조 라인(AL)이 배치되고, 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 보조 라인(AL)은 연결전극(도 2b의 BE)을 통해 상기 제1 캐소드(CE1)와 전기적으로 연결된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2)은 서로 다른 파장의 광들을 발광할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 유기 발광층(EML1)은 청색광을 발광하고, 상기 제2 유기 발광층(EML2)은 황색광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2)으로부터 발광된 광들이 혼합되고, 상기 혼합된 광들은 제1 내지 제3 컬러필터들(CF1, CF2, CF3) 중 대응되는 컬러필터에 의해 컬러광으로 필터링될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시에에 따른 유기발광 표시장치(102)의 단면도이다. 도 5를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 5를 참조하면, 상기 유기발광 표시장치(102)는 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 화소(PX1-2), 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 화소(PX2-2) 및 제3 화소 영역(PA3)에 배치된 제3 화소(PX3-2)를 포함한다.
상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-2, PX2-2, PX3-2) 각각은 유기발광소자(OLED-2)를 포함할 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 유기발광소자(OLED-2)는 베이스 기판(BS1) 위에 순차적으로 적층된 애노드(AN), 정공 제어층(HTR), 제1 유기발광층(EML1), 전하 생성층(CGL), 제2 유기발광층(EML2), 전자 제어층(ETR), 제1 캐소드(CE1) 및 제2 캐소드(CE2)를 포함할 수 있고, 상기 전하 생성층(CGL)은 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2) 사이에 배치된다.
또한, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-2, PX2-2, PX3-2)의 각각에 인접하여 커버 절연막(L3) 위에 보조 라인(AL)이 배치되고, 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 보조 라인(AL)은 연결전극(도 2b의 BE)을 통해 상기 제1 캐소드(CE1)와 전기적으로 연결된다.
이 실시예에서는, 상기 전하 생성층(CGL)은 n타입의 도펀트를 포함하는 전자 생성층 및 p타입의 도펀트를 포함하는 정공 생성층을 포함할 수 있고, 상기 제1 유기 발광층(EML1) 위에 상기 전자 생성층 및 상기 정공 생성층이 순차적으로 적층될 수 있다. 상기 전자 생성층은 상기 n타입의 도펀트가 도핑된 유기층일 수 있고, 상기 유기층은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 정공 생성층은 상기 p타입의 도펀트가 도핑된 유기층일 수 있고, 상기 유기층은 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 정공 수송 물질을 포함할 수 있다.
이 실시예에서는, 도 4를 참조하여 설명된 실시예와 같이, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2)은 서로 다른 파장의 광들을 발광할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 유기 발광층(EML1)은 청색광을 발광할 수 있고, 상기 제2 유기 발광층(EML2)은 황색광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2)으로부터 발광된 광들이 혼합되고, 상기 혼합된 광들은 제1 내지 제3 컬러필터들(CF1, CF2, CF3) 중 대응되는 컬러필터에 의해 컬러광으로 필터링될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시에에 따른 유기발광 표시장치(103)의 단면도이다. 도 6을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 6을 참조하면, 상기 유기발광 표시장치(103)는 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 화소(PX1-3), 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제2 화소(PX2-3) 및 제3 화소 영역(PA3)에 배치된 제3 화소(PX3-3)를 포함한다.
상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-3, PX2-3, PX3-3) 각각은 유기발광소자(OLED-3)를 포함할 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 유기발광소자(OLED-3)는 베이스 기판(BS1) 위에 순차적으로 적층된 애노드(AN), 정공 제어층(HTR), 제1 유기발광층(EML1), 제1 전하 생성층(CGL1), 제2 유기발광층(EML2), 제2 전하 생성층(CGL2), 제3 유기발광층(EML3), 전자 제어층(ETR), 제1 캐소드(CE1) 및 제2 캐소드(CE2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전하 생성층(CGL1)은 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2) 사이에 배치되고, 상기 제2 전하 생성층(CGL2)은 상기 제2 및 제3 유기 발광층들(EML2, EML3) 사이에 배치된다.
또한, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1-3, PX2-3, PX3-3)의 각각에 인접하여 커버 절연막(L3) 위에 보조 라인(AL)이 배치되고, 앞서 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 보조 라인(AL)은 연결전극(도 2b의 BE)을 통해 상기 제1 캐소드(CE1)와 전기적으로 연결된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 내지 및 제3 유기 발광층들(EML1, EML2, EML3)은 서로 다른 파장의 광들을 발광할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 유기 발광층(EML1)은 청색광을 발광할 수 있고, 상기 제2 유기 발광층(EML2)은 적색광을 발광할 수 있고, 상기 제3 유기 발광층(EML3)은 황색광 또는 녹색광을 발광할 수 있다.
다른 실시예에서는, 상기 제1 내지 및 제3 유기 발광층들(EML1, EML2, EML3) 중 두 개의 유기 발광층들은 서로 동일한 파장의 광을 발광하고, 나머지 하나의 유기 발광층은 상기 두 개의 유기발광층들로부터 발광된 광과 상이한 파장을 갖는 광을 발광할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 유기 발광층들(EML1, EML2) 각각은 청색광을 발광할 수 있고, 상기 제3 유기 발광층(EML3)은 황색광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들(EML1, EML2, EML3)으로부터 발광된 광들이 혼합되고, 상기 혼합된 광들은 제1 내지 제3 컬러필터들(CF1, CF2, CF3) 중 대응되는 컬러필터에 의해 컬러광으로 필터링될 수 있다.
도 7a 내지 도 7h들은 도 2b에 도시된 유기발광 표시장치(100)의 제조 방법을 나타내는 도면들이다. 도 7a 내지 도 7h들을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 베이스 기판(BS1) 위에 구동 트랜지스터(TR) 및 보조 라인(AL)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 베이스 기판(BS1) 위에 데이터 라인(DL) 외에 게이트 라인(도 2a의 SL), 전원 신호 라인(도 2a의 DVL) 및 스위칭 트랜지스터(도 2a의 TFT1)이 형성된다.
이 실시예에서는, 상기 보조 라인(AL)은 상기 구동 트랜지스터(TFT2)의 제2 소오스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 따라서, 상기 보조 라인(AL)의 구성 물질은 상기 제2 소오스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)의 구성 물질과 동일할 수 있다.
상기 보조 라인(AL) 및 상기 구동 트랜지스터(TFT2)가 형성된 이후에, 상기 보조 라인(AL) 및 상기 구동 트랜지스터(TFT2)를 커버하는 예비 커버 절연막(L3-0)을 형성한다.
상기 예비 커버 절연막(L3-0)을 형성한 이후에, 상기 예비 커버 절연막(L3-0)에 제1 콘택홀(CH1) 및 제2 비아홀(VH2)을 형성하여 상기 예비 커버 절연막(L3-0)을 상기 커버 절연막(L3)으로 패터닝한다. 그 결과, 상기 제2 비아홀(VH2)을 통해 상기 제2 드레인 전극(DE2)이 노출되고, 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 보조 라인(AL)의 일부가 노출된다.
도 7c 및 도 7d를 참조하면, 커버 절연막(L3)이 형성된 이후에, 연결전극(BE) 및 애노드(AN)를 상기 커버 절연막(L3) 위에 형성한다. 상기 연결전극(BE)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해 보조 라인(AL)과 연결된다. 또한, 상기 애노드(AN)는 제2 비아홀(VH2)을 통해 제2 드레인 전극(DE2)과 전기적으로 연결된다.
이 실시예에서는, 상기 연결전극(BE) 및 상기 애노드(AN)는 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 따라서, 상기 연결전극(BE)의 구성 물질은 상기 애노드(AN)의 구성 물질과 동일할 수 있다.
상기 연결전극(BE) 및 상기 애노드(AN)가 형성된 이후에, 상기 커버 절연막(L3) 위에 예비 화소 정의막(PDL-0)을 형성한다. 그 이후에, 상기 예비 화소 정의막(PDL-0)에 제1 개구부(OP1) 및 제2 콘택홀(CH2)을 형성하여 상기 예비 화소 정의막(PDL-0)을 상기 화소 정의막(PDL)으로 패터닝한다.
상기 제1 개구부(OP1)는 화소 영역(PA)에 대응하여 형성되고, 상기 제2 콘택홀(CH2)은 비화소 영역(NPA)에 대응하여 제1 콘택홀(CH1)과 중첩되도록 형성된다. 그 결과, 상기 제1 개구부(OP1)를 통해 상기 애노드(AN)가 외부로 노출될 수 있고, 상기 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 연결 전극(BE)이 외부로 노출될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제2 콘택홀(CH2)의 제2 폭(W2)은 상기 제1 콘택홀(CH1)의 제1 폭(W1) 보다 클 수 있고, 평면상에서 상기 제1 콘택홀(CH1)은 상기 제2 콘택홀(CH2)의 내부에 위치할 수 있다.
도 7e 및 도 7f를 참조하면, 화소 정의막(PDL)이 형성된 이후에, 예비 정공 제어층(HTR-1), 예비 유기발광층(EML-1) 및 예비 전자 제어층(ETR-1)이 형성된다. 이 실시예에서는, 상기 예비 정공 제어층(HTR-1), 상기 예비 유기발광층(EML-1) 및 상기 예비 전자 제어층(ETR-1)의 각각은 화소 영역(PA) 및 비화소 영역(NPA)에 걸쳐 단일막의 형상으로 형성된다.
그 이후에, 레이저 조사 장치(LS)를 이용하여 레이저 조사 영역(LA)에 대응하는 상기 예비 정공 제어층(HTR-1), 상기 예비 유기발광층(EML-1) 및 상기 예비 전자 제어층(ETR-1)의 각각의 일 부분에 레이저(LR)가 조사된다. 그 결과, 상기 레이저 조사 영역(LA)에 대응하여 상기 예비 정공 제어층(HTR-1), 상기 예비 유기발광층(EML-1) 및 상기 예비 전자 제어층(ETR-1)의 각각에 제2 개구부(OP2)가 형성되어 정공제어층(HTR), 유기발광층(EML) 및 전자 제어층(ETR)이 형성되고, 상기 제2 개구부(OP2), 제1 콘택홀(CH1) 및 제2 콘택홀(CH2)을 통해 연결 전극(BE)이 외부로 노출된다.
이 실시예에서는, 상기 레이저 조사 영역(LA)에 상기 레이저(LR)가 조사될 때, 상기 레이저(LR)의 일부는 연결전극(BE)에 조사될 수 있고, 상기 연결전극(BE)의 일부분은 상기 레이저(LR)에 의해 그 형상이 변형될 수 있다. 하지만, 이 실시예에서는, 상기 레이저 조사 영역(LA)에서 상기 연결 전극(BE)은 상기 보조 라인(AL)과 접촉되어 상기 연결 전극(BE)의 하부는 상기 보조 라인(AL)에 의해 지지되므로, 상기 연결 전극(BE) 및 상기 보조 라인(AL)간의 접촉이 불안정해지는 것이 방지될 수 있다.
도 7g 및 도 7h를 참조하면, 제2 개구부(OP2)가 정의된 정공 제어층(HTR), 유기발광층(EML) 및 전자 제어층(ETR)이 형성된 이후에, 전자 제어층(ETR) 위에 제1 캐소드(CE1)를 형성한다. 상기 제1 캐소드(CE1)는 제1 콘택홀(CH1), 제2 콘택홀(CH2) 및 제2 개구부(OP2)를 통해 노출된 연결 전극(BE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
그 이후에, 상기 제1 캐소드(CE1) 위에 제2 캐소드(CE2)를 형성하여 유기발광소자(OLED)가 완성된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 캐소드(CE1)는 열 증착법(thermal evaporation)을 이용하여 형성될 수 있고, 상기 제2 캐소드(CE2)는 스퍼터링 법을 이용하여 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 캐소드(CE2)가 스터퍼링 방법으로 형성될 때, 상기 제1 캐소드(CE1)는 스퍼터링된 입자들에 의해 상기 유기 발광층(EML)이 손상되는 것이 방지될 수 있다.
이 실시예에서는, 또한, 상기 레이저 조사 영역(LA)에서 상기 제1 및 제2 콘택홀들(CH1, CH2)을 통해 상기 보조 라인(AL), 상기 연결 전극(BE) 및 상기 제1 캐소드(CE1)이 일괄적으로 서로 연결되므로, 상기 제1 캐소드(CE1)는 상기 제1 콘택홀(CH1)의 깊이 및 상기 제2 콘택홀(CH2)의 깊이의 합에 대략적으로 대응되는 단차가 발생될 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 제1 캐소드(CE1)에 상기 단차가 발생되어 상기 제1 캐소드(CE1)에 크랙이 발생되더라도, 상기 제2 캐소드(CE2)는 상기 제1 캐소드(CE1)를 커버하므로 상기 제1 및 제2 캐소드들(CE1, CE2)은 상기 연결전극(BE)에 안정하게 연결될 수 있다.
그 이후에, 박막 봉지층(도 2B의 L4), 차광층(도 2b의 BM) 및 제1 컬러필터(도 2b의 CF1)을 형성하고, 봉지기판(도 2b의 BS2)을 이용하여 상기 유기발광소자(OLED)를 밀봉함으로서 유기발광 표시장치의 제조가 완성될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 유기발광 표시장치 PX: 다수의 화소
OLED: 유기발광 소자 AL: 보조 라인
BE: 연결 전극 CE1: 제1 캐소드
CE2: 제2 캐소드 CF: 컬러 필터
EML: 유기발광층 LR: 레이저

Claims (18)

  1. 화소 영역 및 비화소 영역이 정의된 베이스 기판;
    상기 화소 영역에 배치된 유기발광소자;
    상기 비화소 영역에 배치된 보조 라인; 및
    상기 보조 라인과 중첩하는 제1 콘택홀이 정의되는 커버 절연막을 포함하고,
    상기 유기발광소자는,
    애노드;
    상기 애노드 위에 배치되고, 평면상에서 상기 제1 콘택홀 내부에 위치한 개구부가 정의된 제1 유기 발광층;
    금속을 포함하고, 상기 제1 유기 발광층 위에 배치되어 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 제1 캐소드; 및
    투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함하고, 상기 제1 캐소드 위에 배치되어 상기 제1 캐소드와 전기적으로 연결되는 제2 캐소드를 포함하고,
    상기 커버 절연막은 상기 베이스 기판 및 상기 애노드 사이에 배치되며 상기 보조 라인의 일부를 커버하고,
    상기 제1 유기 발광층의 개구부의 폭은 제1 콘택홀의 폭보다 작은 유기발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 캐소드의 두께는 상기 제1 캐소드의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판 및 상기 애노드 사이에 배치되고, 상기 커버 절연막에 의해 커버된 구동 트랜지스터; 및
    상기 커버 절연막 위에 배치되고, 상기 애노드의 위치에 대응하여 개구된 화소 정의막을 더 포함하고,
    상기 커버 절연막에 상기 애노드와 중첩하는 비아홀이 정의되고, 상기 화소 정의막에 상기 제1 콘택홀과 중첩하는 제2 콘택홀이 정의되고,
    상기 유기발광소자는 상기 비아홀을 통해 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 캐소드는 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 제1 콘택홀의 폭보다 크고, 평면상에서 상기 제1 콘택홀은 상기 제2 콘택홀의 내부에 위치한 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 콘택홀에 수용되어 상기 보조 라인을 상기 제1 캐소드에 전기적으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 연결 전극은 상기 보조 라인 및 상기 제1 캐소드 사이에서 상기 보조 라인 및 상기 제1 캐소드와 접촉된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터는,
    반도체 패턴;
    상기 반도체 패턴과 중첩된 게이트 전극;
    상기 반도체 패턴에 연결된 소오스 전극; 및
    상기 애노드와 연결된 드레인 전극을 포함하고,
    상기 보조 라인의 구성 물질은 상기 소오스 전극 또는 상기 게이트 전극의 구성물질과 동일하고, 상기 연결 전극의 구성물질은 상기 애노드의 구성 물질과 동일한 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 유기발광소자는,
    상기 애노드 및 상기 제1 유기 발광층 사이에 배치된 정공 제어층; 및
    상기 제1 캐소드 및 상기 제1 유기 발광층 사이에 배치된 전자 제어층을 더 포함하고,
    상기 제1 유기 발광층, 상기 정공 제어층 및 상기 전자 제어층 각각은 상기 화소 영역 및 상기 보조 라인이 배치된 비화소 영역에 걸쳐 배치된 연속된 막의 형상을 갖고, 상기 보조 라인이 배치된 비화소 영역에 대응하는 상기 정공 제어층 및 상기 전자 제어층 각각의 일 부분에 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀과 중첩되는 개구부가 정의되고,
    상기 제1 캐소드는 상기 제1 콘택홀, 상기 제2 콘택홀, 상기 제1 유기 발광층의 개구부 및 상기 정공 제어층 및 상기 전자 제어층 각각의 개구부를 통해 상기 보조 라인과 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 영역에 대응하여 상기 유기발광소자와 중첩된 컬러 필터를 더 포함하고,
    상기 제1 유기 발광층은 백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광소자는,
    상기 애노드 및 상기 제1 캐소드 사이에서 상기 제1 유기 발광층 위에 배치된 제2 유기 발광층을 더 포함하고,
    상기 제1 유기 발광층으로부터 발광된 광의 파장은 상기 제2 유기 발광층으로부터 발광된 광의 파장과 상이한 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층 사이에 개재된 전하 생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 제2 유기 발광층은 상기 제1 유기 발광층과 접촉된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  13. 베이스 기판의 비화소 영역에 보조 라인을 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 기판의 화소 영역에 유기발광소자를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기발광소자를 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판 위에 애노드를 형성하는 단계;
    상기 애노드 및 상기 보조 라인 위에 예비 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 예비 유기 발광층으로부터 유기 발광층이 형성되도록, 상기 예비 유기 발광층에 레이저를 조사하여 상기 예비 유기 발광층에 상기 보조 라인과 중첩한 제2 개구부를 형성하는 단계;
    금속을 포함하고, 상기 제2 개구부가 정의된 상기 유기 발광층 위에 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 제1 캐소드를 증착하는 단계; 및
    투명한 도전성 산화물을 포함하고, 상기 제1 캐소드 위에 상기 제1 캐소드와 전기적으로 연결된 제2 캐소드를 증착하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 보조 라인을 형성하는 단계 및 상기 유기발광소자를 형성하는 단계 사이에, 상기 보조 라인 위에 커버 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 애노드를 형성하는 단계 및 상기 예비 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에, 상기 커버 절연막 위에 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 커버 절연막을 형성하는 단계는,
    상기 보조 라인을 커버하는 예비 커버 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 커버 절연막에 제1 콘택홀을 형성하여 상기 보조 라인의 일부를 노출하는 단계를 포함하고,
    상기 화소 정의막을 형성하는 단계는,
    상기 보조 라인 및 상기 애노드를 커버하는 예비 화소 정의막을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 화소 정의막에 제1 개구부를 형성하여 상기 애노드의 일부를 노출시키고, 상기 제1 콘택홀과 중첩된 제2 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 캐소드는 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 커버 절연막을 형성하는 단계 및 상기 화소 정의막을 형성하는 단계 사이에 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 연결 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 캐소드는 상기 연결 전극을 통해 상기 보조 라인과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 연결 전극 및 상기 애노드는 동일한 공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 개구부는 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀과 중첩되고,
    상기 제1 캐소드는 상기 제1 콘택홀, 상기 제2 콘택홀 및 상기 제2 개구부를 통해 상기 보조 라인과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 캐소드는 열 증착(thermal evaporation) 방법으로 형성되고, 상기 제2 캐소드는 스퍼터(sputter) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.



KR1020160084377A 2016-07-04 2016-07-04 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 Active KR102596065B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160084377A KR102596065B1 (ko) 2016-07-04 2016-07-04 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
US15/499,042 US10096671B2 (en) 2016-07-04 2017-04-27 Organic light emitting display device and method for manufacturing same
CN201710536425.8A CN107579093B (zh) 2016-07-04 2017-07-04 有机发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160084377A KR102596065B1 (ko) 2016-07-04 2016-07-04 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180004878A KR20180004878A (ko) 2018-01-15
KR102596065B1 true KR102596065B1 (ko) 2023-11-01

Family

ID=60807848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160084377A Active KR102596065B1 (ko) 2016-07-04 2016-07-04 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10096671B2 (ko)
KR (1) KR102596065B1 (ko)
CN (1) CN107579093B (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102470303B1 (ko) * 2015-10-27 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102611500B1 (ko) * 2016-08-31 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
CN109103215B (zh) * 2017-06-21 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR102382487B1 (ko) 2017-09-15 2022-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102423799B1 (ko) * 2017-11-07 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102392503B1 (ko) * 2017-11-07 2022-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102449131B1 (ko) * 2017-12-06 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102559514B1 (ko) * 2018-04-13 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102688180B1 (ko) * 2018-04-20 2024-07-24 엘지디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치
KR102545322B1 (ko) * 2018-07-25 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치
CN109119444B (zh) * 2018-08-16 2020-08-04 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示基板及其制造方法
CN109148527B (zh) 2018-08-17 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110943104B (zh) * 2018-09-21 2022-11-22 北京小米移动软件有限公司 有机发光二极管显示屏及电子设备
KR102717811B1 (ko) * 2018-10-31 2024-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102688299B1 (ko) * 2018-12-28 2024-07-25 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치
CN109728054A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109599502B (zh) * 2019-01-02 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板
KR20200100899A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102776378B1 (ko) * 2019-03-20 2025-03-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110164924B (zh) * 2019-04-25 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN110739338B (zh) 2019-10-24 2022-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
WO2021120207A1 (zh) * 2019-12-20 2021-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR20210083989A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN114864651A (zh) * 2019-12-31 2022-08-05 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102729888B1 (ko) * 2019-12-31 2024-11-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN115053631B (zh) 2020-02-07 2025-07-18 Jsr株式会社 显示器
KR20220033637A (ko) * 2020-09-09 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112289945B (zh) * 2020-10-21 2022-03-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板制作方法
KR102812254B1 (ko) * 2020-11-09 2025-05-22 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치
JP7574065B2 (ja) * 2020-11-26 2024-10-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2022126450A1 (zh) 2020-12-16 2022-06-23 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
WO2022205083A1 (zh) * 2021-03-31 2022-10-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
GB2613522A (en) * 2021-05-31 2023-06-07 Boe Technology Group Co Ltd Light-emitting substrate and display apparatus
KR20220168616A (ko) * 2021-06-16 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20230010866A (ko) * 2021-07-12 2023-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102619725B1 (ko) * 2021-11-16 2023-12-29 셀로코아이엔티 주식회사 디스플레이 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277252A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電場発光パネルとその製造方法
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US8945722B2 (en) 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
JP4466755B2 (ja) * 2007-11-01 2010-05-26 ソニー株式会社 アクティブマトリックス型表示装置
KR101485995B1 (ko) * 2008-04-18 2015-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
JP4678421B2 (ja) * 2008-05-16 2011-04-27 ソニー株式会社 表示装置
US20130069067A1 (en) * 2011-09-20 2013-03-21 Keun Chun Youn Organic light emitting diode (oled) display device and method for manufacturing the same
KR101560272B1 (ko) 2013-02-25 2015-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2015049962A (ja) 2013-08-30 2015-03-16 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR102148935B1 (ko) * 2013-11-21 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103700675A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
KR102291619B1 (ko) * 2014-02-26 2021-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104022139B (zh) * 2014-05-30 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
KR20160099979A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102390441B1 (ko) * 2015-10-15 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN107579093B (zh) 2023-05-26
CN107579093A (zh) 2018-01-12
US10096671B2 (en) 2018-10-09
KR20180004878A (ko) 2018-01-15
US20180006106A1 (en) 2018-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102596065B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR102521251B1 (ko) 유기발광 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
CN107731868B (zh) 有机发光显示装置
US10096662B2 (en) Organic light emitting display device including a tandem structure and method of manufacturing the organic light emitting display device including the tandem structure
KR102390441B1 (ko) 유기발광 표시장치
EP3236506B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emitting display panel having the same
EP2204862B1 (en) Organic light emitting device
US7541734B2 (en) Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
US9231030B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR101952706B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160022989A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102381647B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102455727B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치
JP4731865B2 (ja) 発光装置
KR20150003544A (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20160073461A (ko) 유기발광 표시장치
JP2014175244A (ja) 発光装置及び露光装置
KR20170123902A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160704

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210625

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20160704

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230217

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230821

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20231026

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20231027

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration